Historia

El transistor de contacto bipolar fue inventado en diciembre de 1947 en la Bell Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la direccin de William Shockley. La versin de unin conocido como el transistor de unin bipolar, inventado por Shockley en 1948, disfrut de tres dcadas como el dispositivo de eleccin en el diseo de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de la BJT ha disminuido en favor de la tecnologa CMOS en el diseo de circuitos integrados digitales. Los BJT rendimiento bajo incidentales inherentes en circuitos integrados CMOS, sin embargo, se utilizan a menudo como referencia de voltaje de intervalo de banda, sensor de temperatura y la banda prohibida del silicio para manejar la descarga electrosttica.
Funcionamiento del transitor.
Los transistores amplifican corriente, por ejemplo pueden ser usados para amplificar la pequea corriente de salida de un circuito integrado (IC) lgico de tal forma que pueda manejar una bombilla, un rel u otro dispositivo de mucha corriente. Un transistor puede ser usado como un interruptor (ya sea a la mxima corriente, o encendido ON, o con ninguna corriente, o apagado OFF) y como amplificador (siempre conduciendo corriente). La cantidad amplificada de corriente es llamada ganancia de corriente, o hFE

Polarizacin del transistor. Un transitor cuenta con dos uniones PN, por lo que necesita ser polarizado correctamente. La unin emisor debe estar polarizada directamente y la unin colector debe de estar polarizada inversamente. Por ejemplo, en un transistor NPN, dispodremos de dos bateras, una tendr conectado a su polo positivo el colector N del transitor y la otra tendr conectado a su polo negativo el emisr N del transitor, quedando as polarizado el transistor, circulando as una corriente del emisor a la base y de esta al colector, tambin cirucula una pequea Intensidad de base, la cual es muy pequea comparada con la intensidad de colector, que se puede tomar en la prctica casi identica a la intensidad de emisor, aunque la intensidad de emisor sea igual a la intensidad de colector ms la intensidad de base. IE = IC + IB

Curva caracterstica de entrada y salida.

<<< Esta es la curva caracteristica de entrada en un transistor BJT.

Esta es la curva caracteristica de la salida en un transistor >>>>>

Clculo de la recta de carga

Una vez establecida una cierta polarizacin para un transistor, podemos establecer la ecuacin que rige la intensidad de colector respecto de la tensin VCE. Esta ecuacin define una recta que puede superponerse a las grficas IC = f (VCE) determinando los puntos de funcionamiento del transistor. Por ejemplo, en el circuito siguiente polarizados con dos fuentes de alimentacin, se establece la siguiente ecuacin para la malla de colector:

La forma ms fcil de trazar la recta correspondiente sobre las curvas del transistor es encontrar los puntos de interseccin con los ejes (para IC = 0 y para VCE =0).

Uniendo estos dos puntos sobre las curvas del transistor obtenemos la recta de carga del transistor. Punto de saturacin: Corresponde a la mayor intensidad de base posible. La intensidad de colector es mxima. Punto de trabajo: Corresponde a la intensidad de base determinada por la malla de base del transistor y es el punto de trabajo normal con la polarizacin utilizada. Punto de corte: Corresponde a una intensidad de base igual a cero (IB = 0). La corriente de colector es casi nula (slo la de fugas).