POLARIZACION DEL TRANSISTOR BJT

I. Resumen: Para el desarrollo del presente trabajo, en el laboratorio hemos aplicado los conocimientos tericos sobre la polarizacin del Transistor. Se analizaran cada una de las tcnicas de polarizacin con la intencin de que se utilice la ms adecuada para alguna aplicacin en particular, las cuales pueden ser, el transistor como interruptor, transistor como fuente de corriente, etc. Sabemos que polarizar un transistor significa fijar las tensiones y las corrientes de modo que tomen un determinado valor, al cual le corresponde en el plano de las caractersticas un punto Q bien definido, denominado punto "de reposo" o "de trabajo del circuito. La red de polarizacin consta de un conjunto de elementos circuitales a situarse en torno al dispositivo activo para asegurar que el funcionamiento de ste ltimo se realice en el punto de reposo. Se podrn observar que tanto los datos tericos y experimentales estn estrechamente relacionados. Obtuvimos resultados los cuales fueron comprobados tanto en la teora como en la prctica.

II.

Objetivos: Efecto de la polarizacin en el trabajo del transistor BJT. Comprender como acta la polarizacin en el transistor BJT

III.

Fundamento Terico: Los transistores bipolares son de tipo NPN o PNP, ya que estn formados por dos semiconductores contaminados con impurezas de diferente polaridad. El transistor bipolar est formado por una unin PN y por otra NP, caracterstica que hace que un semiconductor de determinado tipo se encuentre entre dos de tipo opuesto al primero, como se muestra en la figura 1. Lo que se obtiene con esta configuracin es una seccin que proporciona cargas(de huecos o de electrones) que son captadas por otra seccin a travs de la seccin media. El electrodo que proporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La base es la parte de en medio y forma las dos uniones, una con el colector y otra con el emisor. Adems, la base controla la corriente en el colector. Este tipo de transistores recibe el nombre de transistores de unin.

 Emisor: La unin base-emisor se polariza en forma directa. Los valores del voltaje de polarizacin ms comunes son 0.3 v para el Ge y 0.7 v para el SI. El emisor P del transistor PNP de la figura 1a inyecta huecos a su unin con la base. La direccin de la corriente de huecos en el emisor est sealada por la flecha que aparece en su smbolo. Cuando la flecha apunta hacia la base, la unin entre el emisor y ella es del tipo PN. En el transistor el emisor inyecta electrones en la base. Por consiguiente, para un emisor de tipo N el smbolo es una flecha que seala en direccin contraria a la base y opuesta al flujo de electrones. en los smbolos para transistores, el emisor es el nico que tiene una flecha. Cuando sta apunta hacia la base, el transistor es PNP; en caso contrario, el transistor es NPN. En la prctica, todos los transistores pequeos utilizados en amplificadores de audio y RF son de tipo NPN, fabricados con silicio y con voltajes de polarizacin directa entre la base y el emisor de 0.6 v. Colector: La funcin de este electrodo es remover las cargas de su unin con la base. En la figura 1a, el transistor PNP tiene un transistor P que recibe huecos. En el transistor NPN de la figura 1b, el colector N recibe electrones. La unin base-colector siempre tiene un voltaje con polarizacin inversa. Los valores ms frecuentes de este voltaje varan de 4 a 100 v. La polarizacin inversa impide el flujo de portadores mayoritarios del colector hacia la base. Sin embargo, en la direccin opuesta, de la base hacia el colector, el voltaje en este ltimo atrae las cargas en la base que proporciona el emisor. Base: La base separa el colector del emisor. La unin base-emisor tiene polarizacin directa y, por tanto, la resistencia del circuito del emisor es muy baja. La unin base-colector tiene polarizacin inversa y, por consiguiente, la resistencia del circuito del colector es muy grande. IV. Instrumentos y Materiales: Multmetro analgico

 Un transistor 2N3904

9 resistencias de w: 100, 820, 910, 1k, 2,2k, 3,3k, 10k, 270k, 470k.

Protoboard

Fuente de Voltaje(0-15v )

V.

Realizacin del Experimento y Obtencin de Datos : 1. Polarizacin Fija de Base: Armar el circuito de la figura a. Aplique la fuente Vcc y mida la corriente Ic, y los voltajes Vc y Vb.

Fig. a

Vc Ve Vb Vce Vbe Vbc Ie Ic Ib

7,5v 0v 1,2v 8v 0,6v 7v 8mA 8mA 0

Asumiendo que los valores de las resistencias son exactos y los valores medidos de los voltajes determine la del transistor. =

= es un numero infinitamente grande En el plano formado por Ic vs Vce trace la recta de carga y ubique el punto de trabajo del transistor.

2.

Auto polarizacin por Emisor: Armar el circuito de la Fig. b. Aplique la fuente y mida los voltajes Vc, Ve y Vb.

Fig. b Vc Ve Vb Lc Re 11V 0.4 1V 4mA 100

Apague la fuente y coloque el VOM como ampermetro en la malla de colector entre la resistencia Rc (910) y el colector del transistor encienda la fuente y mida Ic.

Con los valores de Re y Ve calcule Ie y compare con el valor de Ic medido en el paso 3.

En el plano formado por Ic vs Vce trace la recta de carga para el circuito y ubique el punto de trabajo del transistor.

3.

Polarizacin por divisin de Voltaje: Arme el circuito de la Fig.#3 Aplique la fuente y mida los voltajes Vc, Ve, Vb y Vce.

Fig. c

Vc Ve Vb Vce Vbe Vbc Ie Ic Ib

15v 1,2v 1,5v 4,4v 0v 13v 4mA 2mA 0

En el plano formado por Ic vs Vce trace la recta de carga para el circuito y ubique el valor de Vce medido proyectndolo a la recta a efecto de determinar la Ic.

VI.

Anlisis y Resultados Compare los grficos de las rectas de carga de los tres circuitos de polarizacin realizados en el laboratorio y analice cul de ellos presenta el punto Q ms estable.

La seleccin del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a travs de diferentes circuitos de polarizacin que fijen sus tensiones y corrientes. La polarizacin de corriente de base es mucho ms estable aunque el que ms se utiliza con componentes discretos es el circuito de auto polarizacin. La polarizacin de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturacin al mantener su tensin colector-base positiva. VII. Conclusiones

VIII.

Bibliografa http://www.monografias.com/trabajos31/transistores-bipolares/transistoresbipolares.shtml http://www.elprisma.com/apuntes/ingenieria_electrica_y_electronica/transistores/defaul t2.asp http://www.unicrom.com/Tut_circuitos_polarizacion_transistor_bipolar.asp http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/polarizacion_transistor.htm http://www.slideshare.net/Jhomgomez/transistor-bjt-y-polarizacion http://html.rincondelvago.com/polarizacion.html http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema8/Paginas/Pagina1.htm

Universidad Nacional de Trujillo

Facultad de Ciencias Fsicas y Matemticas
Escuela acadmico profesional de Informtica POLARIZACION DEL TRANSISTOR BJT
CURSO : ELECTRONICA PARA COMPUTADORAS

DOCENTE

MANUEL ENRIQUE GUEVARA VERA

ALUMNOS

ACUA LOZANO , MICHAEL VARGAS ROMERO , FREDY CASTRO SILVA , BENGI

CICLO

IV

SECCIN

TRUJILLO PER 2010