Posypki utwardzajce

Sicon S1
UTWARDZACZ DO W !O" WA"#A $R%D"#O O&C#'(O" C) POSADZ%! PRZ%* S+OW C)
C)ARA!T%R ST !A PRODU!TU SICON S1 to gotowa do uycia, sucha posypka (DST dry sake topping) do utward ania nowych powier chni !etonowych" #awiera wyse$ekc%onowane, twarde krus ywa kwarcowe (Si&' powye% ((,)*),!ard o twarde krus ywa +eta$ic ne w postaci w,g$ika kr e+u i-$u! e$ektrokorundu, wysokosprawne +ody.ikowane spoiwo ce+entowe, pig+enty i inne spec%a$ne dodatki" Naniesiony na /wiey i atarty !eton twor y g0adk1, tward1 i odporn1 na /cieranie warstw, o struktur e +ar+urkowe%" 2 +ocniona powier chnia posad ki d i,ki opty+a$nie do!rany+ sk0adniko+ stanowi !etone+ trwa01, +ono$ityc n1 struktur," W+A$C#WO$C# POSADZ!# Z U( C#%* S#CO" S1

S y!ko/3 i niskie kos ty wykonania 4atwa w utr y+aniu c ysto/ci Trwa0a i estetyc na Odporna na penetrac%e o$e%5w i t0us c 5w #wi,ks ona odporno/3 na /cieranie i uder enia 6ro oodporna 7r e nac ona do stosowania wewn1tr i na ewn1tr o!iekt5w 6ocno redukowane py$enie S#CO" S1 @ A& B+ D GA 67a +in" 'A& 6pa S#CO" S1

DA"% T%C)"#CZ"% 8CI9:;<NO8= >C;, wg 9N 1?)1? T2;:DO8= wg" ska$i 6OCS; 2ET:#E6;4O8= N; 8CISF;NI9 T2;:DO8= 7O2I9:#CCNI HSCI, wg 7NJ9N 1?)('JG DA"% PRODU!TU 7OST;= O7;FO2;NI9 2ED;KNO8= DOSTM7N9 FO<O:E

sucha aprawa worki papierowe .o$i1 o wad e 'A kg, pa$eta 1&&& kg netto ok" L do G kg-+', pr y gru!o/ci warstwy ?++ Natura$ny -s ary-, %asny s ary, ie$ony, 50ty, c erwony, gra.it, +o$iwo/3 wykonania ko$oru na indywidua$ne a+5wienie okres (Jciu +iesi,cy w .a!ryc nie a+kni,tych opakowaniach w ch0odny+ i 6;N;#ENO2;NI9 suchy+ +ie%scu (te+p" AOC do L&OC) ;pro!ata technic na IT> ;T1AJ)')(-'&1&P ;T9STE 7#C CF->-&??D-&1-'&&(
Sicon 7o$ska Sp" o"o" ?GJ&G& N0og5w 60p", :udna 6a0a LD te$" QL) &1D )G && 11G, .aR QL) 1D )G& &1 AL !iuroSsicon"p$ T www"sicon"p$

ZASTOSOWA"#% SICON S1 %est pr e nac ony do wykonywania acieranych, twardych, odpornych na /cieranie posad ek !etonowych" 7r e nac ony %est na posad ki w +aga ynach, ak0adach produkcy%nych, wars tatach, centrach hand$owych, c y$i ws ,d ie ta+, gd ie wy+agana %est odporno/3 pod0oa na /cieranie ora decydowanie redukowane py$enie" 7reparat wi,ks a wytr y+a0o/ci na /ciskanie wier chnie% warstwy posad ki, poprawia twardo/ci, odporno/ci na po/$i g, a take powodu%e +nie%s enie nasi1kania wod1 i o$e%e+" SICON S1 +oe !y3 stosowany w +ie%scach, w kt5rych !rak %est odd ia0ywania agresywnych su!stanc%i che+ic nych wp0ywa%1cych koro y%nie na stwardnia01 +atryc, ce+entow1" SPOS,& U( C#A Pod-o.e 7osypk, utward a%1c1 Sicon S1 ro k0ada si, na powier chni wykonane% /wieo ro 0oonego i ag,s c onego !etonu niskoskurc owego, wed0ug ponis ych a$eceUV +in" k$asa +ies anki C'&-'A wed0ug 7NJ9N '&GJ1V'&&?P stosunek w-c +nie%s y $u! r5wny &,A&P .rakc%a uytego krus ywa +nie%s a $u! r5wna 1G ++P +ini+a$ny A* ud ia0 .rakc%i ponie% &,'A ++P punkt piaskowy +ies anki oko0o ??*P ce+ent wy01c nie niskoa$ka$ic nyP +ini+a$ny ud ia0 ce+entu ?&& kgP +aksy+a$ny ud ia0 ce+entu ?A& kgP rod a%e ce+entu C96 I, C96II-;JS, C96II->JS" Fonsystenc%a !etonu ro k0adanego na p$acu !udowy S?" 7od0oe !etonowe pr ed ap$ikac%1 Sicon S1 powinno !y3 wyr5wnane i wi$gotne" 7owier chnie na$ey oc y/ci3 po osta0o/ci /rodk5w antyadhe y%nych, +$ec ka ce+entowego i nad+iaru wody" WwagaV Istotne nac enie w +ies ance !etonowe% +oe +ie3 ud ia0 popio05w, kt5re +a%1 niekor ystny wp0yw na para+etry technic ne powier chni p0yty !etonowe% ora dodatkowo o!nia%1 pr yc epno/3 warstwy posypki utward a%1ce%, doprowad a%1c do py$enia $u! %e% odspa%ania" Rea/izacja 7race na$ey ro poc 13 od agwarantowania ponis ych opty+a$nych c ynnik5w ro!oc ych w trakcie rea$i ac%i procesu wykonawc ego ora pr e ko$e%nych ki$ka dni po %ego akoUc eniuV odpowiednia te+peratura, wynos 1ca +in" A oC ochrona pr ed nad+ierny+ nas0onec nienie+, pr eci1ga+i, wysoki+i te+peratura+i a!e piec enie pr ed opada+i at+os.eryc ny+i, nanos ony+ kur e+, dro!inka+i styropianu i inny+i aniec ys c enia+i"

6o+ent ro poc ,cia ap$ikac%i %est u a$eniony od wie$u c ynnik5w, np" te+peratury, wi$gotno/ci powietr a, uytych ce+ent5w i innych dodatk5w" 2o!ec powys ego powinien !y3 indywidua$nie ro patrywany, w a$eno/ci od konkretnych potr e! i +o$iwo/ci wykonawcy" 7reparat SICON S1 powinien !y3 r5wno+iernie ro sypany na awi!rowany i %es c e nie wi1 any !eton"

Sicon 7o$ska Sp" o"o" ?GJ&G& N0og5w 60p", :udna 6a0a LD te$" QL) &1D )G && 11G, .aR QL) 1D )G& &1 AL !iuroSsicon"p$ T www"sicon"p$

Do/wiadc a$nie +ona pr y%13, e opty+a$ny+ +o+ente+ ap$ikac%i preparat5w %est taki, gdy +ies anka !etonowa p0yty posad ki %est na ty$e s tywna, e +o$iwe %est we%/cie na ni1 po ostawienie+ /$adu odci/ni,tego !uta na g0,!oko/ci ?JG ++" 7osypk, ro sypu%e si, na%skutec nie% dwuetapowo Hna kr yI w 01c ne% i$o/ci od LJG kg-+'" 2 pierws y+ etapie na$ey pokry3 +ateria0e+ r5wno+iernie o!ra!ian1 powier chnie w i$o/ci '-?" 2 drugi+ etapie na$ey ro sypa3 po osta01 c ,/3 +ateria0u t%" 1-? i aciera3 a do +o+entu u yskania odpowiednie% struktury g0adko/ci posad ki" 7roces ro poc ,cia acierania +echanic nego %est u a$eniony od s y!ko/ci awi$gocenia si, aap$ikowanego +ateria0u" 7osypka +usi r5wno+iernie aa!sor!owa3 wi$go3 pod0oa !etonowego, co skutku%e, +ian1 !arwy preparatu na cie+nie%s 1" >e po/rednio po wykonaniu posad ki na$ey %1 a!e piec y3 pr ed c ynnika+i ewn,tr ny+i, pr ede ws ystki+ pr ed odparowanie+ wi$goci !etonu" #a$eca si, stosowanie preparat5w i+pregnacy%nych i-$u! pow0okowych stosownych do danego syte+u posad ki utward one% preparate+ Sicon S1" 2 ce$u w0a/ciwego do%r ewania i u yskania oc ekiwanych para+etr5w a$eca si, astosowanie preparatu pie$,gnu%1coJus c e$nia%1cego 69<;XI<" 2 pr ypadku posad ek dy$atacy%nych do 'L god in od wykonania posad ki (stosu%1c standardowe ce+enty port$and kie) powinny !y3 naci,te s c e$iny dy$atacy%ne godnie pro%ekte+, kt5re w a$eno/ci od pr e nac enia ora p5Ynie%s ych warunk5w eksp$oatacy%nych posad ki wype0nia si, odpowiedni+i +asa+i dy$atacy%ny+i" 7roces techno$ogic ny wykonywania posad ki powinien !y3 rea$i owany pr e pr es ko$onych i wykwa$i.ikowanych pracownik5w" Dodatkowo na$ey pa+i,ta3, i uywanie wody w trakcie acierania powier chni powodu%e o!nienie para+etr5w posad ki" WARU"!# &)P 2 c asie ap$ikac%i SICON S1 na$ey kor ysta3 od iey ochronne%, r,kawic ek, nakrycia g0owy ora oku$ar5w i +aski na twar " S c eg50owe in.or+ac%e dotyc 1ce drowia i w0a/ciwo/ci toksyko$ogic nych dost,pne s1 w karcie charakterystyki preparatu nie!e piec nego, dost,pne% na 1danie" In.or+ac%e na te+at w0a/ciwo/ci .i ykoche+ic nych i s c eg50owych asad uytkowania produktu +ona u yska3 w sied i!ie producenta" UWA0# #a+ies c one dane technic ne opiera%1 si, na pr5!ach i testach $a!oratory%nych" 7raktyc ne wyniki po+iar5w +og1 r5ni3 si, od a01c onych, w wi1 ku oko$ic no/cia+i, na kt5re Sicon 7o$ska Sp" o"o" nie +a wp0ywu" 2s e$kie in.or+ac%e podane s1 w do!re% wier e i uw g$,dnia%1 aktua$ny stan wied y ora posiadane do/wiadc enie" 7roducent in.or+u%e, i !arwa wykonane% posad ki +oe wyka ywa3 r5nice" 7owsta0e %awisko nie /wiadc y o wad ie posad ki ora o o!nionych para+etrach technic nych" 9wentua$ne pr e!arwienia +og1 po%awi3 si, powodu sposo!u wykonywania prac, wysychania, uytych /rodk5w pie$,gnu%1cych ora nie%ednorodnego pod0oa !etonowego" 7owier chni, wykonane% posad ki +og1 pokry3 +ie%sca sieci1 +ikrorys, t w" w0osowate p,kni,cia" 7owys e %awisko %est typowe d$a posad ek !etonowych i nie skutku%e u%e+ny+i w0a/ciwo/cia+i technic ny+i ora uytkowy+i"

Zr5d0oV httpV--www"sicon"p$-o.ertaJprodukty-posypkiJutward a%ace-artJ1"ht+$

Sicon 7o$ska Sp" o"o" ?GJ&G& N0og5w 60p", :udna 6a0a LD te$" QL) &1D )G && 11G, .aR QL) 1D )G& &1 AL !iuroSsicon"p$ T www"sicon"p$