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Nom : Prnom : Groupe :

ECOLE POLYTECHNIQUE UNIVERSITAIRE DE NICE SOPHIA


Cycle Initial Polytech - PeiP
Premire Anne
Anne scolaire 2011/2012


Epreuve dlectronique analogique N2 - CORRECTION


Vendredi 30 mars 2012 Dure : 1h30


Cours et documents non autoriss.
Calculatrice de type collge autorise
Vous rpondrez directement sur cette feuille.
Tout change entre tudiants (gomme, stylo, rponses) est interdit
Vous devez :
- indiquer votre nom, prnom et groupe ( 1 point).
- teindre votre tlphone portable ( 1 point par sonnerie).

RAPPELS :



Modle lectrique quivalent de la diode
lorsquelle est passante : VD = VS + RS.ID

Modle lectrique quivalent de la diode
lorsquelle est bloque : ID = 0
cathode
anode
V
D
I
D
P
N


metteur
collecteur
base
P
N
+
N
V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
Transistor NPN

metteur
collecteur
base
N
P
+
P
V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
Transistor PNP





2
EXERCICE I : Fonctionnement du transistor bipolaire (3.5 pts)

B
E
C
I
C
I
B
I
E
b
P
N
B
E
C
N
V
BE
V
BC
a
B
E
C
I
C
I
B
I
E
c
I
C
I
B
I
E
B
E
C
I
C
I
B
I
E
I
C
I
B
I
E
b
P
N
B
E
C
N
V
BE
V
BC
a
B
E
C
I
C
I
B
I
E
c
I
C
I
B
I
E
I
C
I
B
I
E

Figure (I.1).
A laide de la figure (I.1), dcrivez le fonctionnement interne du transistor bipolaire suivant
ses trois rgimes : bloqu (a), linaire (b) et satur (c). Vous pourrez ajouter le mouvement
des lectrons et des trous sur les figures.
bloqu (a) / linaire (b) / satur (c)
EXERCICE II : dtecteur dhumidit (8 pts)

On se propose dtudier le montage de la
figure (II.1) qui permet lallumage dune diode
rouge partir dun certain pourcentage
dhumidit dans lair dtect par un capteur.
Les lments du montage sont : VDD = 3 V,
R1 = 1 kO, R2 = 100 O, R3 = 270 O. Diode D1 :
VSD1 = 1,2 V, RSD1 = 12 O. Transistor T1 :
| = 100, VCEsat = 0,2 V et sa base VST1 = 0,6 V,
RST1 = 1 kO
La valeur de la rsistance RH dpend du
pourcentage (not X) dhumidit dans lair
suivant la relation X . 30 R
H
= ; o RH est en O
et X en %
Dans tous les calculs, on supposera que :
| + 1 ~ |. VDD est rfrenc par rapport la
masse.

V
BE1
R
1
V
DD
R
H
LED
rouge
T
1 V
CE1
I
B1
I
C1
Thevenin
R
3
D
1
R
2
C
a
p
t
e
u
r
d

h
u
m
i
d
i
t

V
E1

Figure II.1.

3
II.1. Mise en quation du circuit
II.1.1. Dterminer les expressions des lments du gnrateur de Thvenin quivalent
(indiqu sur la figure) en fonction de VDD, R1, R2 et R H. (1 pt)
Eth =
DD
H 1
H
V
R R
R
+
Rth =
2
H 1
H 1
R
R R
R . R
+
+

II.1.2. En tenant compte du fonctionnement du transistor, donner lexpression du
courant qui traverse la rsistance R3 en fonction de IB1. (0.5 pt)
IR3 = IE1 = |.IB1 + IB1 ~ |.IB1
II.1.3. Dterminer lexpression de la tension VE1 en fonction de IB1. (0,5 pt)
VE1 = ( )
1 SD 1 SD 3 1 B
V R R . I . + + |
II.1.4. En dduire lexpression de VCE1. (0,5pt)
VCE1 = VDD VE1
II.1.5. Dterminer lexpression du courant IB1 en fonction de Eth, Rth, |, VST1, RST1, VSD1,
RSD1 et R3. (1,5 pt)
IB1 =
1 SD 3 1 ST th
1 SD 1 ST th
R R . R R
V V E
| + | + +


II.2. Pourcentage dhumidit dtect
Dans cette partie, on recherche le pourcentage dhumidit qui dbloque le transistor
II.2.1. Parmi les 4 propositions suivantes, laquelle est correcte ? (0,5 pt)
A) Si D1 est bloqu alors T1 est satur
B) Si T1 est passant alors D1 est satur
C) X D1 devient passant que si T1 devient passant
D) T1 devient satur que si D1 devient passant
II.2.2. Dans ce cas, quelle est la valeur particulire de Eth ? (1 pt)
Eth = VST1 + VSD1 = 1,8 V
II.2.3. Quelle est la valeur particulire de RH ? (0,5 pt)
RH = O =

1500
8 , 1 V
R . 8 , 1
DD
1

II.2.4. Dterminer alors le pourcentage dhumidit qui permet de dbloquer le transistor
(et la diode) (0,5 pt)
X =
% 50
30
R
H
=



4
II.3. Pour un pourcentage dhumidit X = 80 %
II.3.1. Dterminer les valeurs de : (1,25 pt)
Eth = 2,12 V Rth = 806 O IB1 = 10,6 A
VE1 = 1,5 V VCE1 = 1,5 V
II.3.2. Dans quel rgime est polaris le transistor ? (0,25 pt)
Rgime : Bloqu X Linaire Satur
EXERCICE III : Robot Microbug MK127 de VELLEMAN (8 pts)

V
BE1
R
4
R
3
R
1
V
DD
R
2
R
L
D
1
LED
rouge
M
m
o
t
e
u
r
T
1
T
2
V
BE2
V
CE1
V
CE2
I
B1
I
B2
I
C1
I
C2
Thevenin

Figure III.1. La tension dalimentation est VDD = 3 V et les valeurs des rsistances du montage
sont : R1 = R3 = 100 O, R2 = 1,1 kO, R4 = 220 O et la valeur de RL est de 4 kO en prsence de
lumire et 20 MO dans lobscurit. M est un moteur dont linfluence sur les courants ne sera pas
prise en considration dans cette tude.
Tension de seuil Rsistance Gain Saturation
Diode D1 VSD1 = 1,2 V RSD1 = 12 O
NPN T1 VST1 = 0,6 V RST1 = 1 kO |T1 = 500 VCEsatT1 = 0,2 V
PNP T2 linaire VST2 = 0,6 V RST2 = 1 kO |T2 = 500
PNP T2 satur VST2sat = 0,65 V RST2sat = 100 O VCEsatT2 = 0,2 V
Tableau III.1. VST2sat sera considr comme une constante bien que cela soit inexact.
On se propose dtudier la partie lectronique du Kit MK127 de VELLEMAN. Une fois mont,
ce Kit est un robot qui rampe vers la lumire laide de deux moteurs. Le circuit
dalimentation de chaque moteur est donn la figure (III.1) et certains lments du montage
sont donns au tableau (III.1).


5
III.1. Gnrateur de Thvenin quivalent indiqu la figure (II.1)
III.1.1. Dterminer les expressions des lments du gnrateur en fonction de VDD, R1, R2
et RL. (1 pt)
Eth =
DD
L 2 1
2
V
R R R
R
+ +
Rth =
( )
L 2 1
L 1 2
R R R
R R . R
+ +
+

III.1.2. Dterminer les valeurs des lments du gnrateur. (0,5 pt)
Lumire : Eth = 0,635 V Rth = 867 O
Obscurit : Eth = 0,16 mV Rth = 1,1 kO
III.2. Base du transistor T1.
III.2.1. Dterminer lexpression du courant IB1 (0,5 pt)
IB1 =
1 ST th
1 ST th
R R
V E
+

III.2.2. Dterminer la valeur de IB1 (0,5 pt)
Lumire : IB1 = 18,5 A Obscurit : IB1 = 0
III.2.3. Dterminer la valeur de la tension VBE1 (0,5 pt)
Lumire : VBE1 = 0,618 V Obscurit : VBE1 = Eth = 0,16 mV
III.3. Transistor T2.
On suppose ici que le moteur nest pas branch et on cherche savoir quel est le rgime de
fonctionnement de T2. On supposera aussi que le transistor T1 est en rgime linaire.
III.3.1. Quel est le lien entre le courant de collecteur de T1 et le courant de base de T2
(0,5 pt)
IC1 = IB2 IC1 > IB2 IC1 = IB2 IC1 < IB2
III.3.2. Donner la valeur de IB2. (0,5 pt)
Lumire : IB2 = 9,26 mA Obscurit : IB2 = 0
III.3.3. Donner lexpression et la valeur de la tension VCE2 en prsence de lumire. (1 pt)
Expression : VCE2 = ( )
2 B 1 SD 4 1 SD DD
I . . R R V V | + + +
Valeur : VCE2 = 1073 V
III.3.4. Dire alors si le transistor T2 est satur et pourquoi. Donner aussi la vritable
valeur de VCE2. (0,5 pt)
On a VCE2 > VCE2sat dont T2 est satur
Valeur : VCE2 = 0,2 V


6
III.3.5. Donner alors la vritable valeur de IC2.
Valeur : IC2 = mA 9 , 6
R R
V V V
1 SD 4
1 SD DD 2 CE
=
+
+
=
III.3.6. Donner lexpression et valeur de la tension VBE2 en prsence de lumire. (0,5 pt)
Expression : VBE2 = VST2sat RST2sat.IB2
Valeur : VBE2 = 1,58 V
III.3.7. Donner lexpression et la valeur de la tension VBE2 en prsence de lumire en
supposant que le transistor T2 nest pas satur. (0,5 pt)
Expression : VBE2 = VST2 RST2.IB2
Valeur : VBE2 = 9,86 V
III.4. Rgime de fonctionnement du transistor T1.
III.4.1. En prsence de lumire, dterminer lexpression de VCE1 en fonction de IB1, |, R3
et VBE2. (1 pt)
Expression : VCE1 =
1 B 3 2 BE DD
I . . R V V | +
III.4.2. Donner la valeur de VCE1 et dire alors dans quel rgime est polaris le transistor
T1. (0,5 pt)
Valeur : VCE1 = 0,498 V
Rgime : Bloqu Linaire Satur
III.4.3. Si on suppose que T2 nest pas satur, que devient la valeur de VCE1 ? (0,5 pt)
Valeur : VCE1 = 7,8 V donc T1 serait satur