Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Tema 2: Acondicionamiento de sensores resistivos 2.1 2.2 2.3 2.4 Puente de Wheatstone Amplificadores de Instrumentacin (AI) Convertidores resistencia-periodo Bibliografa g

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Tema 2: Acondicionamiento de sensores resistivos 2.2 Amplificadores de Instrumentacin (AI) 2.2.1 Configuracin restadora 2 2 2 AI de 2 op amps 2.2.2 2.2.3 AI de 3 op amps 2.2.4 AI en modo corriente 2 2 5 Bibliografa 2.2.5
2

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Tema 2: Acondicionamiento de sensores resistivos 2.2 Amplificadores de Instrumentacin (AI) 2.2.1 Configuracin restadora 2 2 2 AI de 2 op amps 2.2.2 2.2.3 AI de 3 op amps 2.2.4 AI en modo corriente 2 2 5 Bibliografa 2.2.5
3

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

R2

2.2.1 Configuracin restadora

v1 v2

R1

Vo =

vo
R3 R 4

R2 R4 R2 1 + V1 + V2 R1 R3 + R4 R1

Vid = V2 V1
Vic = V2 + V1 2

V1 =

Vid + Vic 2 V V2 = id + Vic 2

Vo =

R2 1 R2 R4 R2 R4 R2 1+ + + Vid + 1 + Vic 2 R1 R3 + R4 R1 R1 R3 + R4 R1

Acm

Acm = 0

R2 R4 = R1 R3 Vo = R2 Vid R1
4

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

R2

2.2.1 Configuracin restadora

v1 v2

R1

Vo =

vo
R3 R 4

R2 R4 R2 1 + V1 + V2 R1 R3 + R4 R1

Vid = V2 V1 Vic = V2 + V1 2

V1 =

Vid + Vic 2 V V2 = id + Vic 2

Vo =

R2 1 R2 R4 R2 R4 R2 1+ + + Vid + 1 + Vic 2 R1 R3 + R4 R1 R1 R3 + R4 R1
1 R1 R4 + R2 R3 + 2 R2 R4 2 R4 R1 R2 R3

CMRRR =

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

R2

2.2.1 Configuracin restadora

v1 v2

R1

V + V Vo = Ad (V+ V ) + Ac + 2

vo
R3 R 4

V+ =

R4 V2 R3 + R4

V =
Vo = GdVid + GcVic

R2 R1 V1 + Vo R1 + R2 R1 + R2

R2 R4 ( Ad Ac / 2) + ( Ad + Ac / 2) R3 + R4 1 R1 + R2 Gd = R1 2 1 + ( Ad Ac / 2) R1 + R2 R2 R4 ( Ad + Ac / 2) + ( Ad + Ac / 2) R + R2 R3 + R4 Gc = 1 R1 1 + ( Ad Ac / 2) R1 + R2
6

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

CMRR AO =
R2

Ad Ac

2.2.1 Configuracin restadora

v1 v2

R1

V + V Vo = Ad (V+ V ) + Ac + 2

vo
R3 R 4

V+ =

R4 V2 R3 + R4

V = Vo = GdVid + GcVic

R2 R1 V1 + Vo R1 + R2 R1 + R2

R2 R4 Ac R2 R4 Ad + + + Gd 1 R1 + R2 R3 + R4 2 R1 + R2 R3 + R4 CMRRD = = Gc 2 R2 R4 Ac R2 R4 Ad R + R + R + R + 2 R +R + R +R 2 3 4 2 3 4 1 1
Ac = 0

CMRRD

Ac = 0

= CMRRR =

1 R1 R4 + R2 R3 + 2 R2 R4 2 R4 R1 R2 R3
7

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

R2

2.2.1 Configuracin restadora

v1 v2

R1

V + V Vo = Ad (V+ V ) + Ac + 2

vo
R3 R 4

V+ =

R4 V2 R3 + R4

V = Vo = GdVid + GcVic CMRRD = CMRRR CMRR AO >> 1 / 4

R2 R1 V1 + Vo R1 + R2 R1 + R2

CMRRR CMRR AO + 1 / 4 CMRRR + CMRR AO

CMRRR

1 1 1 + CMRRD CMRRR CMRR AO

CMRR

Y
CMRR AO
8

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

R2

2.2.1 Configuracin restadora

v1 v2

R1

Considrese una configuracin restadora en la que las 4 resistencias tienen una tolerancia t.

vo
R3 R 4

En el peor de los casos:

R1 = R10 (1 + t ) R3 = R30 (1 t )

R2 = R20 (1 t ) R4 = R40 (1 + t )

Sea k la relacin entre los valores nominales:

k=

R20 R40 = R10 R30

El factor de rechazo al modo comn viene entonces dado por:

k (1 t 2 ) + 1 + t 2 k + 1 CMRRR = 4t 4t

t = 0.1%; k = 1 CMRRR 54dB

t = 0.1%; k = 10 CMRRR 69dB

t = 0.1%; k = 100 CMRRR > 89dB

9

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

R2

CMRRD:

2.2.1 Configuracin restadora

v1 v2

R1

vo
R3 R 4

1 1 1 + CMRRD CMRRR CMRR AO

LF
Es posible aumentar CMRRR ajustando una de las resistencias mediante un potencimetro (normalmente R4). Resistencias de entrada:

" HF "

Rin1 = R1 Rin 2 = R3 + R4

Control de la ganancia: PROGRAMABILIDAD R2 y R4 (o R1 y R3) varan de igual modo

10

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Tema 2: Acondicionamiento de sensores resistivos 2.2 Amplificadores de Instrumentacin (AI) 2.2.1 Configuracin restadora 2 2 2 AI de 2 op amps 2.2.2 2.2.3 AI de 3 op amps 2.2.4 AI en modo corriente 2 2 5 Bibliografa 2.2.5
11

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

AMPLIFICADORES DE INSTRUMENTACIN
Un Amplificador p de Instrumentacin es un amplificador p diferencial que cumple los siguiente requisitos:
2.2.2 AI d de 2 op amp ps

Ganancia estable y controlable ( (mediante una sola resistencia). Impedancia de entrada elevada. Factor de rechazo al modo comn elevado. Bajo offset y bajas derivas del offset. Impedancia de salida baja. baja

12

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

AI DE 2 OP AMPS

v1

vo

R2 R4 = R1 R3
R R + R2 Vid Vo = 1 + 2 + 1 Rg R1

2.2.2 AI d de 2 op amp ps

v2

Es posible controlar la ganancia nicamente una resistencia: Rg. Impedancias de entrada muy elevadas.

variando

Los dos caminos de la seal no son simtricos. Es necesario un buen matching entre resistencias para obtener un buen CMRR. las

El amplificador operacional inferior puede saturarse si la seal de modo comn es elevada. elevada
13

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Tema 2: Acondicionamiento de sensores resistivos 2.2 Amplificadores de Instrumentacin (AI) 2.2.1 Configuracin restadora 2 2 2 AI de 2 op amps 2.2.2 2.2.3 AI de 3 op amps 2.2.4 AI en modo corriente 2 2 5 Bibliografa 2.2.5
14

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

AI DE 3 OP AMPS

v1
R2 R R1 R3 R5 R6 R4

vo

2.2.3 AI d de 3 op amp ps

R2

v2

1 + R4 / R3 R ' '2 1 R4 R '2 1 1 R4 R5 / R3 R6 Vo = 1 + R / R R + 2 + R R + 2 Vid + 1 + R / R Vic 5 6 1 3 1 5 6 Acm

Acm = 0 R4 R6 = R3 R5
15

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

AI DE 3 OP AMPS

v1
R2 R R1 R3 R5 R6 R4

vo

2.2.3 AI d de 3 op amp ps

R2

v2

Vid, Vic

GDD, GCD, GDC, GCC

VoD, VoC

Gd, Gc

Vo

VoD = GDDVid + GDCVic VoC = GCDVid + GCCVic

Vo = GdVoD + GcVoC

16

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Vid, Vic

GDD, GCD, GDC, GCC

VoD, VoC

G d, G c

Vo

VoD = GDDVid + GDCVic

2.2.3 AI d de 3 op amp ps

Vo = GdVoD + GcVoC

VoC = GCDVid + GCCVic

Vo = (Gd GDD + Gc GCD )Vid + (Gd GDC + Gc GCC )Vic

CMRRT =

Vo / Vid

Vic = 0
id

Vo / Vic V

=0

Gd GDD + Gc GCD Gd GDC + Gc GCC

17

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Vid, Vic

GDD, GCD, GDC, GCC

VoD, VoC

Gd, Gc

Vo

2.2.3 AI d de 3 op amp ps

CMRRT =

Vo / Vid

Vic = 0
id

Vo / Vic V

=0

Gd GDD + Gc GCD Gd GDC + Gc GCC

GC = 0 GCD = 0 GDC = 0

CMRR1 = CMRRT

GC = 0

GDD GDC Gd GDD G = CMRRD DD Gc GCC GCC

CMRR2 = CMRRT

GCD =0 GDC =0

18

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

CMRR1 = CMRRT

GC = 0

GDD GDC Gd GDD G = CMRRD DD Gc GCC GCC

CMRR2 = CMRRT
2.2.3 AI d de 3 op amp ps

GCD =0 GDC =0

AI DE 3 OP AMPS

v1
R2 R1 R2 R3 R5 R6 R4

v1 vo

v2
GDD = GCC

vo

v2

PEOR CMRR
GDD GCC

19

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Vid, Vic

GDD, GCD, GDC, GCC

VoD, VoC

Gd, Gc

Vo

2.2.3 AI d de 3 op amp ps

CMRRT =

Vo / Vid

Vic = 0
id

Vo / Vic V

=0

Gd GDD + Gc GCD Gd GDC + Gc GCC

CMRRT =

CMRRD GDD / GCC + GCD / GCC 1 + (CMRRD GDD / GCC ) / CMRR1

GCD / GDD << CMRRD CMRR1 =

1 1 1 + CMRRT CMRR1 CMRR2

GDD GDC GDD GCC

20

CMRR2 = CMRRD

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

AI DE 3 OP AMPS

v1
R2 R

va v'1 v2
R1 R2 R3 R5 R6 R4

vo

2.2.3 AI d de 3 op amp ps

v2

vb

va = Ad 1 (V1 v'1 ) + Ac1 (V1 + v'1 ) / 2 vb = Ad 2 (V2 v'2 ) + Ac 2 (V2 + v'2 ) / 2 va = v'1 (1 + R '2 / R1 ) v'2 R '2 / R1 vb = v'1 R ' '2 / R1 + v'2 (1 + R ' '2 / R1 )

21

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

AI DE 3 OP AMPS

v1
R2 R

va v'1 v2
R1 R2 R3 R5 R6 R4

vo

2.2.3 AI d de 3 op amp ps

v2

vb

CMRR1 =

1 Ad 1 + Ac1 / 2 + Ad 2 + Ac 2 / 2 + 2 Ad 1 Ad 2 Ac1 Ac 2 / 2 2 Ad 2 + Ac 2 / 2 Ad 1 Ac1 / 2 + Ad 1 Ac 2 Ad 2 Ac1

buen matching de Ad de los op amps de entrada

CMRR1

Y
buen matching de Ac de los op amps de entrada
22

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

AI DE 3 OP AMPS

v1
R2 R

va v'1 v2
R1 R2 R3 R5 R6 R4

vo

2.2.3 AI d de 3 op amp ps

v2

vb

CMRR1 =

1 Ad 1 + Ac1 / 2 + Ad 2 + Ac 2 / 2 + 2 Ad 1 Ad 2 Ac1 Ac 2 / 2 2 Ad 2 + Ac 2 / 2 Ad 1 Ac1 / 2 + Ad 1 Ac 2 Ad 2 Ac1

Ad1= Ad2 = Ad

CMRR1

Y
Ac1= Ac2 = Ac
23

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

AI DE 3 OP AMPS

v1
R2 R

va v'1 v2
R1 R2 R3 R5 R6 R4

vo

2.2.3 AI d de 3 op amp ps

v2

vb

2 2 Ad + Ac + 2 Ad Ac2 / 2 GDD = >1 2 GCC 2 Ad + Ac + (2 Ad Ac2 / 2) /(1 + R '2 / R1 + R ' '2 / R1 )

CMRR2 > CMRRD

Ad >> Ac

GDD 1 + R '2 / R1 + R' '2 / R1 = G GCC

cuanto mayor es G, mayor es CMRR2

24

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

AI DE 3 OP AMPS

v1
R2 R

va v'1 v2
R1 R2 R3 R5 R6 R4

vo

2.2.3 AI d de 3 op amp ps

v2

vb

El CMRR depende del matching entre los amplificadores de entrada, de la ganancia G, del matching entre las resistencias de la etapa restadora y del CMRR del amplificador operacional de salida. El matching entre las resistencias R2 y R2 no afecta al CMRR ( i CMRRD es lo (si l suficientemente fi i t t elevado). l d )
25

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Tema 2: Acondicionamiento de sensores resistivos 2.2 Amplificadores de Instrumentacin (AI) 2.2.1 Configuracin restadora 2 2 2 AI de 2 op amps 2.2.2 2.2.3 AI de 3 op amps 2.2.4 AI en modo corriente 2 2 5 Bibliografa 2.2.5
26

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

A lifi d de Amplificador d Instrumentacin I t t i en modo d corriente i t

ix =
2.2.4 AI en m modo corri iente

V1 V2 R1

Vo = VREF R2ix

Vo = VREF

R2 (V1 V2 ) R1

CMRR debido a:
Mismatch entre los AOs de entrada. Mismatch en los espejos de corriente.
27

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

2.2.4 AI en m modo corri iente

G=2

R2 R1

INA326 (Burr-Brown (Burr Brown Products from Texas Instruments)

28

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Ej Ejemplo l 1 1: Si Sistema d de control ld de l la vejiga ji

2.2.4 AI en m modo corri iente

A. Harb, M. Sawan, New Low-Power Low-Voltage High-CMRR Instrumentation Amplifier, ISCAS99, vol. VI, pp. 97-100, 1999.

CMOS

29

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

AI
2.2.4 AI en m modo corri iente

G=2

RG R

A. Harb, M. Sawan, New Low-Power Low-Voltage High-CMRR Instrumentation Amplifier, ISCAS99, vol. VI, pp. 97-100, 1999.

CMOS

30

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Op Amp

2.2.4 AI en m modo corri iente

Restador de corriente Espejo de corriente

PROGRAMABLE

A. Harb, M. Sawan, New Low-Power Low-Voltage High-CMRR Instrumentation Amplifier, ISCAS99, vol. VI, pp. 97-100, 1999.

CMOS

31

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Ejemplo 2. Aplicaciones biomdicas

AI
2.2.4 AI en m modo corri iente

Op Amp

C.A. Prior et al., Design of an integrated low power high CMRR instrumentation amplifier for biomedical applications, Analog Integrated Circuits and Signal Processing, no. 57, pp. 11-17, 2008.

32

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Ejemplo 2. Aplicaciones biomdicas

AI
2.2.4 AI en m modo corri iente

Espejo y restador

C.A. Prior et al., Design of an integrated low power high CMRR instrumentation amplifier for biomedical applications, Analog Integrated Circuits and Signal Processing, no. 57, pp. 11-17, 2008.

33

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Ejemplo 3: Adquisicin de bioseales (ECG, EEG, EMG)

2.2.4 AI en m modo corri iente

J.H. Huijsing

34

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

AI
2.2.4 AI en m modo corri iente
J.T. Li et al., Design of Current Mode Instrumentation Amplifier for Portable Biosignal Acquisition Systems, BioCAS09, pp. 9-12, 2009.

35

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

2.2.4 AI en m modo corri iente

Amplificador de Instrumentacin (nivel transistor)

J.T. Li et al., Design of Current Mode Instrumentation Amplifier for Portable Biosignal Acquisition Systems, BioCAS09, pp. 9-12, 2009.

36

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Espejos de corriente
2.2.4 AI en m modo corri iente
J.T. Li et al., Design of Current Mode Instrumentation Amplifier for Portable Biosignal Acquisition Systems, BioCAS09, pp. 9-12, 2009.

37

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Comparacin
INA326
2.2.4 AI en m modo corri iente

[H b et [Harb t al.] l] 0.35m 2.2V 6-48dB >2kHz 125dB 166W simulacin i l i

[P i et [Prior t al.] l] 1.5m 2.5V >46dB 110Hz 127dB 16mV 110W

[Li et t al.] l] 0.35m 3V 70dB 10kHz >120dB* 120dB 20.22W

Tecnologa VDD Ganancia Ancho de banda CMRR Offset Consumo R Resultados lt d

2.7 / 5.5 V -20dB a 80dB 1kHz 114dB 100V 12mW experimental i t l

experimental i t l simulacin i l i
* >80dB de 1Hz a 100Hz

38

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Tema 2: Acondicionamiento de sensores resistivos 2.2 Amplificadores de Instrumentacin (AI) 2.2.1 Configuracin restadora 2 2 2 AI de 2 op amps 2.2.2 2.2.3 AI de 3 op amps 2.2.4 AI en modo corriente 2 2 5 Bibliografa 2.2.5
39

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

[1] Sensores y acondicionadores de seal, R. Palls Areny, Alfaomega Grupo Editor, 2001. [2] Common Mode Rejection Ratio in Differential Amplifiers, R. Palls Areny, J.G.Webster, IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, vol. 40 no. 40, no 4, 4 1991. 1991 [3] A Designers Guide to Instrumentation Amplifiers, C. Kitchin and L. Counts, Analog Devices, 2006. www.analog.com/inamps [4] Operational Amplifiers. Amplifiers Theory and Design, J. J Huijsing, Huijsing Kluwer Academic Publishers, 2001. [5] Common-Mode Rejection Ratio in Current-Mode Instrumentation Amplifiers, W.J. Su and F.J. Lidgey, Analog Integrated Circuits and Signal Processing, vol. 7, pp. 257-260, 1995.

2.2.5 Bibliografa

40

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Tema 2: Acondicionamiento de sensores resistivos 2.1 2.2 2.3 2.4 Puente de Wheatstone Amplificadores de Instrumentacin (AI) Convertidores resistencia-periodo Bibliografa g

41

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Puente de Wheatstone
2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

R0

R0

R0

R0(1+x)

x=

RS R0 R0

42

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Si RS vara varios i rdenes d d magnitud: de it d

(1) Convertidor ADC de muy alta resolucin:
2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

Complejidad. Consumo de rea y potencia.

43

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Si RS vara varios i rdenes d d magnitud: de it d

(1) Convertidor ADC de muy alta resolucin.
2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

(2) Compresin de la seal.

I SENS =

VREF RSENS

VD I D = I S exp V T

I REF Vo = VT ln V RSENS REF

Poca exactitud

44

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Si RS vara varios i rdenes d d magnitud: de it d

(1) Convertidor ADC de muy alta resolucin.
2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

(2) Compresin de la seal. (3) ( ) Sistema p programable g para aumentar el rango p g dinmico. Rango dinmico elevado Gran exactitud Complejidad Consumo de rea

45

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Divisin en sub-rangos
2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o
Integrated circuit interface for metal oxide chemical sensor arrays, P. Robogiannakis et al., Sensors and Actuators A, vol.132, pp. 252-257, 2006.

46

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Sistema programable (1)

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o
Integrated circuit interface for metal oxide chemical sensor arrays, P. Robogiannakis et al., Sensors and Actuators A, vol.132, pp. 252-257, 2006.

47

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Si Sistema programable bl (2)

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o
A portable integrated wide-range gas sensing system with smart A/D front-end, A. Baschirotto et al., Sensors and Actuators B, vol.130, pp. 164174, 2008.

48

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Si Sistema programable bl (2)

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

I SENS =

VREF V+ RSENS
Vo = (V+ VREF ) Rf + V+ Rsens

I cal = 0

Vo = (V+ VREF )

Rf + V+ + I cal R f Rsens

A portable integrated wide-range gas sensing system with smart A/D front-end, A. Baschirotto et al., Sensors and Actuators B, vol.130, pp. 164174, 2008.

49

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Si Sistema programable bl (2)

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o
A portable integrated wide-range gas sensing system with smart A/D front-end, A. Baschirotto et al., Sensors and Actuators B, vol.130, pp. 164174, 2008.

50

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Si Sistema programable bl (2)

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

DR > 150dB

A portable integrated wide-range gas sensing system with smart A/D front-end, A. Baschirotto et al., Sensors and Actuators B, vol.130, pp. 164174, 2008.

51

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Si RS vara varios i rdenes d d magnitud: de it d

(1) Convertidor ADC de muy alta resolucin.
2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

(2) Compresin de la seal. (3) ( ) Sistema p programable g para aumentar el rango p g dinmico. (4) Convertidor resistencia-periodo. Simplicidad y bajo costo. costo Rango dinmico amplio. Algoritmos de conversin a digital sencillos. Elevada inmunidad al ruido.

52

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Si RS vara varios i rdenes d d magnitud: de it d

(1) Convertidor ADC de muy alta resolucin.
2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

(2) Compresin de la seal. (3) ( ) Sistema p programable g para aumentar el rango p g dinmico. (4) Convertidor resistencia-periodo. El tiempo de respuesta depende directamente de la constante de tiempo generada por la resistencia. Es necesario esperar varios ciclos para obtener el periodo de la seal. seal Pueden generar interferencias.

53

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Conversin resistencia-periodo
2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

RS

Oscilador

T0 (RS)

54

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

C Conversin i resistencia-periodo i t i i d (1)

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o
A reusable smart interface for gas sensor resistance measurement, J. L. Merino et al., IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, vol. 53, pp. 1173-1178, 2004.

55

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

C Conversin i resistencia-periodo i i i d (1)

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

tinv = 250ns

C = 300 pF

T > 10ms

A reusable smart interface for gas sensor resistance measurement, J. L. Merino et al., IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, vol. 53, pp. 1173-1178, 2004.

56

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

Rsens = 10k 1.5M

A reusable smart interface for gas sensor resistance measurement, J. L. Merino et al., IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, vol. 53, pp. 1173-1178, 2004.

57

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Conversin resistencia-periodo (2)

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

Csens TC = 4GC1 Rsens 1 GC 1 R G= 2 R1

R2 C1 Rsens R1

TC 4

A single-chip integrated interfacing circuit for wide-range resistive gas sensor arrays, G. Ferri et al., Sensors and Actuators 58 B, vol. 143, pp. 218-225, 2009.

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

TC 4

R2 C1 Rsens R1

C1 = 100 pF
Rsens = 470k 100G

r = 1% (470k 50G)

A single-chip integrated interfacing circuit for wide-range resistive gas sensor arrays, G. Ferri et al., Sensors and Actuators 59 B, vol. 143, pp. 218-225, 2009.

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Conversin resistencia-periodo (3)

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

VREF V

V-I converter

bi-directional bi di ti l current integrator

V ca p

control circuit

fT o0

RSENS

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Conversin resistencia-periodo (3)

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

Tosc =

2C (VH VL ) Rsens VREF

A CMOS integrated interface circuit for metal-oxide gas sensors, A. Lombardi et al., Sensors and Actuators B, vol. 142, pp. 82-89, 2009.

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

A CMOS integrated interface circuit for metal-oxide gas sensors, A. Lombardi et al., Sensors and Actuators B, vol. 142, pp. 82-89, 2009.

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

A CMOS integrated interface circuit for metal-oxide gas sensors, A. Lombardi et al., Sensors and Actuators B, vol. 142, pp. 82-89, 2009.

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

2.3 Con nvertidores s resistenc cia-periodo o

C = 1 10 pF
Rsens 4 dcadas

r < 0 .8 %
DR = 142dB

A CMOS integrated interface circuit for metal-oxide gas sensors, A. Lombardi et al., Sensors and Actuators B, vol. 142, pp. 82-89, 2009.

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Tema 2: Acondicionamiento de sensores resistivos 2.1 2.2 2.3 Puente de Wheatstone Amplificadores de Instrumentacin (AI) Convertidores resistencia-periodo

2.3.b Convertidores voltaje-frecuencia j 2.4 Bibliografa

66

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Conversin voltaje-frecuencia
2.3b Co onvertidore es voltaje-f frecuencia a

VIN V

V-I converter

bi-directional bi di ti l current integrator

V ca p

control circuit

fo

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

VDD M3 M3 M5 MC5 IFO IB V IO M1 IB M2 IB

V IO R
O

2.3b Co onvertidore es voltaje-f frecuencia a

M:1

M6 MC6 IFO
M S UP

M6 VH MC6 V c ap
CompH

V BP

VCH S1 S2 SUP VCL SDW S1 S2

S2

S1

S QN SDW

MC7 M7

V BN

MC7 M7

CompL

VL

fo

M4

2M4

RO

V-I converter

bidirectional current integrator

control

fO =

I FO I + (VIO / RO ) = B M 2 C (VH VL ) M 2 C (VH VL )

A High-Performance CMOS Voltage-to-Frequency Converter for Low-Power Systems,B. Calvo et al., XXIV Design of Circuits and Integrated Systems Conference, pp. 71-74, 2009.

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

VDD M3 M3 M5 MC5 IFO IB V IO M1 IB M2 IB

V IO R
O

2.3b Co onvertidore es voltaje-f frecuencia a

M:1

M6 MC6 IFO
M S UP

M6 VH MC6 V c ap
CompH

V BP

VCH S1 S2 SUP VCL SDW S1 S2

S2

S1

S QN SDW

MC7 VDD M7

V BN

MC7 M7

CompL

VL

fo

M4

2M4 4IB
1 V-IS converter S2

RO

V C,out
S1
bidirectional current integrator control

CompL

CompH

VC+

V C-

...

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

2.3b Co onvertidore es voltaje-f frecuencia a

Parameter Technology Supply voltage Sensitivity Input Voltage Range Output Frequency Error Power consumption

Value 0.35 m CMOS 30V 3.0

fo (MHz)

2.4 2.2 2 1.8 1.6 1.4 1.2 1 1 fo,id (MHz) fo,sim (MHz)

1 MHz/V 1.0 V 2.0 V 1.2 MHz 2.2 MHz < 0.4 % 0.65 mW

1.2

1.4 1.6 VIO (V)

1.8

70

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

2.3b Co onvertidore es voltaje-f frecuencia a

Parameter Technology Supply voltage Sensitivity Input Voltage Range Output Frequency Error Power consumption

Value 0.35 m CMOS 30V 3.0 1 MHz/V

fo error ( (%) 0.4 0.2 0 -0.2 -0.4 1 1.2 1.4 1.6 VIO (V) 1.8 2

1.0 V 2.0 V 1.2 MHz 2.2 MHz < 0.4 % 0.65 mW

71

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Tema 2: Acondicionamiento de sensores resistivos 2.1 2.2 2.3 2.4 Puente de Wheatstone Amplificadores de Instrumentacin (AI) Convertidores resistencia-periodo Bibliografa g

72

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

[1] Sensores y acondicionadores de seal, R. Palls Areny, Alfaomega Grupo Editor, 2001. [2] Practical design techniques for sensor signal conditioning, Walt Kester, Analog Devices Technical Reference Books, Prentice Hall, 1999.
2.2.5 Bibliografa

[3] Data Acquisition and Signal Processing for Smart Sensors, N. Kirianaki, S.Y. Yurish, N.O. Shpak, V.P. Deynega, John Wiley and Sons, 2001. [4] Wide Dynamic Range CMOS Interface Circuits for Resistive Gas Sensors, M. Grassi, Tesis de Doctorado 2005 (Universidad de Pava).

73