3

El transistor de efecto de campo

oD u

ccl

otrc tipo de transistor quc es particularrnente adecuado para utilizarlo en integrados es el linsislor de e[ecla rle ca..npo (FET), que se fabrica en conducto (fl0SFIIT). En trminos muy amplios, el FET difiee del dc unin esludiado en el capitulo 2 en que es ur. .li:;t'sitivo se"-il1^ h tensin que tiene una impedancia extremadamente alta (tanto corno 101{ O) 'la impedancia de salida relati\,amente alta. El FET encuentra aplicacin r los circuitos digtales y analgicos como amplificador o como conmutador. fLa irnportancia del FET es consecuencia de cuatro de sus propiedades. La es su tamao fisico; comparado con el transistor bipolar de unin (BJT), I0SFET es tan pequeo que slo ocupa del 20 al 30 o/" de la supelicie del que ocupa un BJ'i tipico. Los NIOSFET pueden, pues, ser imPlantados iy densamente sobre un chip o pastilla de Ct, por lo que son ampliamente utilien la inlegrccn en grart escala (LSl). La segunda propiedad que presentan M0SFET es eue cn una pate de su marqen de funcionamiento actao con.to de resistenia contolados por tensin y ocupan una superficie mucho sobre un chip que los resistores de Cl correspondientes. La tercera Poes la esistcncia exlremadamente elevada. Esto significa que Ia cons rie ticmpo dcl circuiLo tle cntad cs suficientemcnte larga para conservar carga alrnaccrratlir cu la rcrue11a caracirlircl dc cntrscla dutontc ol ticnrPo
para que el dispositivo se pueda utilizar como elemento de almacena 0 chrnrrrrlrr rlr' rrr'rr,rtit rtt los rrirt:trllor rligil.nlos. Ln crrnrtn propiedad 6!u aptitud para rlisipar una rotcncia clcvada y conmutar corricntcs intcnsas nrrrrorr:grrrrrlrrs. I,islo sigrrililrr rrrc srr r:orrlulncin cs muclto mris rpida los IJJ'1, Las tres prr-rpicdadcs pritlteras conjuntodas cn urt tlisrignificn qrrc ruurkrn inclttirsc las funciones de muchos circuitos difeetes de silicio rlue si)lo colIienc t0Slrlr'l'. La culrtn cuirlctIrliticn l\rr' r c'l Fli'f coro conmutador de alla potencia y Blta frecuencia.
135

tipos, el de efecto

ilc campo de unin (JFET) y el de efecto de campo metal-

',,, (cr,rr, * ,,,,,", rir (rsrl)rr( ;;,,, ,:llrtrr ::,::l:.:l:: ,, :,iplemcnraria tl' ,,,,,,,',' ': es '1"" estnciirlnrPntc lr,l'r' Ir .tr ,,.:_:_:, nul" i",.,i' "'..'.,'l: l;rr;lis. l.,rr Isl(, (.;r)iJr,, ,.. ,,.,,..f,,".i^-^...:, . "" ,1(urncls
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0lil \ lrlLL;tJit t1c lo t\lttt,._ )orrrlyin ,ri-t^*^

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los (:lr' 1llt" (ili

. to comptrarcmus r.or r.l B.l.l..

I

lNTRoDUcctN A LA TEoRfA DE FUNctoNAM,JE+d,io DEL L, Jll]l cs[a reprcsentado r,,squemticarlente .,. '"trulurd Lrua I{'r clt re y con su sinbolo t.r figura sinboro dc en l:1 fi,,r. .1-f. ? r 1 ef^ tp*ii,' r cir ^ '.r -:to":l: dc.ttna r"p1 Llelgrrir tlr rn:rrr.ri:i n cou d,,s,",,rr.,^'o,,riior""l t ,..*", el u.ttnatTor Sy drrr.r.dor tr, J Et /, 0olliuntniente . j rfo\.ndf.^,^. .,s , .-surldo: o i I , , dos conlactost -^^.: rectitrcadors. ll ffi;i,",T?",,il.1,1,T"i,:'.l,i:,:,",::,1,,u,:il],i;;,1,,,.:,ti: rlrr ;*.:::,1::;:" da ripo p er q,.,. .r'.,"n"i'.i'i" ,;;: ;;ii:i,:lllill. l,,,i'li]; ,,,;; i]
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rnpobrccn,tn!0. Cuando se aumenta ta ten. (,lrl.r'os 1' (,lcctrorcs) se alejan en r, unio,.1,r" ron_

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Fj8. 3.1-1 EI J-ltT: (a) csqucrna; () sinrl)olo ,t .ir .1r,,, ,.,,.rt ,

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'rrrsir

.. -

Para cxrlicar cl funcionamic

J;'i} :l'lll;,1 li ;, i, ilrll' ll ' nnr,,:": l,::hl{ i": ;, a. r" ,:i'.;j,;;,,,,:i:.i:;:.,,:i ] surtldor
samcnrc. 1.3 inrcrsidad oc lil r. sisl,.,l.;a t..r
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dc la rncJ.rr,

"",,,.,,i",i,;, dcpc!dc inicialmen te dc ln.tiifcr' rlcirt (lt: 'r)tl'|

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Crando sc,,r,u",,,,, rlt'tr.rl.r'.r"'j!' rrrrrr(rrl. lr cnal y, pucsr,,,,,,",,;;;;,,i;;i-:::rtl..rlel "t n'r,l,,u l,'r a -....".1 rrr tttt trrrlo lij'r, 'i lolr:ttcittl ttttl. lrr)r(:rl('rtl tij,r, rrraoo mado Dor r'l rlrrrrlo rlirrrl, por I" l:r ,',ri,, rri/,,, , ,.,,--.. ,t'""u -. u,,,tu-";;,,1 (!s I)olilllzl(l() lttil Irri. i r' r rr r. l .. \ lo.qrrc strccrlc i,a,"i'a""r,,i "" "r li,:i;::";;ilii,llllllll, ,l;,, lrr('r'lrri rori lll;l 1,1,,,,,,i rl.l Ulll':ll.:_;l hcia ,',,:::ti:t:;, :i,, rr;rl,'irrl ,/ cl tcrminl ,jlli-L.r'irrrr.'rrrrr. ""g.ti*-ai'i. ,;ll,;,'jji,lt,ll:lt,,j] ',i:t,,:;:1, l: lrr frrrrr.'irir rr I'll r"i "' regin ccntlal rlc longitrrd . a,,a crc*roncs). c",", r."."g." :;:,;lll,;;ill'll,l; i' 1,,,,,],,'1,, l:ii, illll:l lll

i,"rl,ml llniill]

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(irtrrrr.ili't;r.irr) ,1,'l .arciiai

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a ca(la laclo ricl tttIrr ,l.l-ii1;. La tensin Vr. sc iianra canal /ensirin "rL,',',',,,r' ',1"',","","',' rrl'r'',\'rt.ttrt 't"rrur,, rr es Lra ngutanl len to dcl cnrl ,,' ,:* irr 3 r-3c "t-"-ri.onn;il";;;;";:it.",,,,; ra ,",l,ioi,lJ,*""i;,,. ,,. ,,1 l]'l ' ]', 1j ]; ll ': I t . l.,tt cslil regin cl .o ale | cnlDobrcci_ Itr,rt , rrr . rrrrrrrrrr . s' r" ,lIr r'l rotcrrciri cn cl punto ,.; nrni " ,,:.,,,, ... a sc nialti 'r",,,j,"i.'.,jir;;,iil;,'i::,i1, ",, |,r.,r:.j,,rr ,i,, .rr.i,,,:i,i',,", n.r

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I r15 A _ pndlenlo de l r.sisle. iniciaL del cnr ,

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n | | I I i

ucs-0v

!-La

tesisteci del canal uoenr sbido al aumsnto ds la rel' do ompobt'lminro

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irrq. .J.1-.! Caractcrislicus del

JIrli'l idcal ( t cs

Lr

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.5 _]

18 1920

BV

aso)

trig 3 1-5 C'actcrslica ui (lcl ,FET' rl \ I L ' I' 'rirl:i.ine casi constalte 0ualrdo l'D- rit'ltlcttt |or,r:IrtiIrl,r " !| I r':r l r irL rrr'r r""i,"^* .*a"afll en cl IiET v cs!i rclrrcsrntliln (lllillrrlr) rrl rrr lrnbir cs [tLncirin de Ia tensin ptertr-srrtidor' Ifstl L colricnte dc drenadol' rDl a'Jltl(llILii rritlarrlt:ltltr ..ir1rLrr ltt / t tientle :r ttir'':lltrstr ltr ' '1" "' ,,,,, ii.,^. po, encirna de Vrn, la corriente cic fitpt'rttrL /J\'1'r) r' Lrrrr lr' tcnsi !e (3.l-:r) ,,',,'i;;,;.;;;"J" r"" esiguat [ir,,r"=lt\'rrr+ucs 't lrrLrl rrll (lil fiLj)l lrllf\'o r^ a''Lnr']nta " ^^Irien[e .rv, -/ ,) rJ \ul I (rldtLcht (st.c. \".,-. ... dc tLna 'Ltrlsiirtt li]l' 'ltItr tt"t ' :0 (en este juego de caractensConsideremos ahora el manrentliento .r.,"Jll /11,, , , , l.r lrnsr)|l ,lt ttrrltrra Para ucs 'j ,, 1 ], li'1l'",,',.'.' ,, t , ,fJ\',. r:s lrr tcnsin de ruDtura para una uo" arbitraria' Y la variacin de lq-ter-u.puerta sqttidc'r.,cLrrr:\:.::'].,1], \'l] l lL rr'1ir'rrr '1" '' aunle.lan(lo inversar.eltc' \' l ruPtrtra clel canal dependen directamente de 't";,,i;,,', i , t, ,,,'i',1,',',",,1,' i't; i;';*. t^ ";tilr"ti*" t,'1rt; dlstttilltrl.l qu1 hacc ilslo sutitio el r lrl\'s dc lt unin canal puerta' es interesante expresar ir'r*'"".^i. ""1r" f" puttt" v l' ,'rii. l, l,'rl i,'rr rr(t' i;'' l'r Ia tensin uo'rientc Lr sle de l],,.,,.,,,,,,,,, t,l I l) r (:J 1-2) ett trninos cle uo" en vez deu""' yaque ;i"i";;;;i ; "u-.nt" la resistencia(1c de rcgin p:-t-lilt:.l"tt1t'::l'i: prrerla-surtidor tensin DuerLa'.la ,,:,"il;;";;;;;.iii*a ta "j''"'li 'i.1.: ll] llll ii.',.'i,' , ,,' ..* ,i,,,nr,1'," lr tr'nsir I que (3 1-l) se jl::;:l'":'L ,r"',',,,,,,r,',.i'uicnto nrs ancha En priurer lugar venros ; l,i,ll lii,, _":l.q::^,i.: :.":11::l Entcnces la unin Pn eDtrc la Pu pucrta irastr el s9r;;'}r 0rdinrrli:rr.rtl' r'' (3'1-3) ;;i;;';-i" ""*""te desde la e Lirl'r' ''"t rr,!; : l',,'j - ucs : Vro..el el estrangr-firiento t'"t"-srtt i"";t:;;j.lnei de tipo n motlolat'rc 'ro1l$ o co rric Rt(-lull'llll'.l"'1. ne,cesaria entre el r,ii,o o tigerarente positivo para e'"itar r"lr r,rrrrrrriritt porlemos ioterpretar 1'oo conto-tensi , rrrr lr pucrta "';;";;;;;''";;;, cle se observa q"; cuando .'aria la tcnsi. Tambin 'rt'ir y lir rrrLrrfa para producii el esirangulamiento i\suvezc:rtohace^qual:l]li *::1i,g.lTt"_::"; d,,l;;;;;i,.:;;.J"^tolasistenciarleeste :lll rrr,l,',,'rrrl.i0ntc dc,cJ t,,,,, "l ,"t, obst'esc quc es.lr 'ariar:irrtr r1' lr Irru "', puede ser :il:;'i-,;;;;;"'i".i'.r'ti"', i," <tlrtla cn (3.1-i) pala la tensin de ruptura tambin ,,,',.in i l'rl'i't:t.:: el pucs' asi para 1i,; qut necesarra hace que -' lo dtenador-puerta puerta de Pu!!q sin rrur uc ,:]::]]lill] :ll lr,, l.ir ,lt'sigrrttrtios por BVr" la tcnsin "oti" disp.silir, uriin es un :]ll tle tratilsistor e I que niientras sil c la fensidn, a ia coienle. (3.1-4) u"' : BVso llYDc =B\ts ttPico dc c rmctc r'^"1:i:,:'], r6ua 3.1-5 ilustra un conjunto La L4 frgura !--_r:n ::":]:' (l(l t: ':^...., .IFET con la tenq!-g!\.19!!a-$utt1{1!!'como- p3rmrrtro ,'1 e'.lre dcnador Jr pueta es rglal a lAol r,,,",,. lrr l.rrsiil^ clc r.uittura rric'1,. 0, l. co \' r"ffi- ;ir.** " ',.edida rlttlirrr y no cs l' ". l::l):::"li :]] r!,,r'rrrlunt nrctliria cuando la tensin puerta-surtidor cs cero '""i" i'-i"",v" "i'r'1i''i11111",11'::ii;"'L'lll'lil,"i ;il;:':: 0 Ir' lr,:.;. tcnsin o:""1-o:l-:"lj]1"":^el q\r(r "i""l,."","rnoten air*inuv" La. entrc cl de cstra ngula m icn to rrtrt nt I'r rrrr " f ,,,rr.',ici"lc. rlrcraclot-sutidor comprendidos d"d"' ::;;;;;;i;;i;;i;'i.* "p'o^irrrrr Irr,l,rui, a lo qlie se llama regin cle saluracin puesto qtle i^ :::t]:r'j: de : \'nu i trcs tnl.ulurlo y no canbia lpreciablet nenle en funcin dc u"' la corriente u" (en el estrangulam ien to) : \'o lrrrlc scL cxpresadl aproxinladamente por caract las espcrar',Pa1a rlc Asi, cuando Dcs:0, V,: v0, colo cra (3 1-i, t;:.)'''] r"" <0 ngoiu 3 1-5 la tensin dc cstrrrtgularnienj,t" T":::: ut ( i,,. r,,,fr * ,,i ;;:t";i;;"t ''l';'i;';;;t In r" d dc corricrttc ha-v *,""p",*.itr negati'o no -'f

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(). i.,5lrri I1:sLlLi{dos y (:J.l').) s0l lIl(lol)fn(ltotrt.rs de oDs. rlon l{ lrnr.i3lcs (lr(lli}dor-slrliLlol cntnl,rr.rrlirl,rs lnlr,. 0 V y ,.1 ,1, ' qdn /amicnto sc dice quc cl FET funciorlr crr Irr rc4irr /,.r1, yrr r,c' (lOIn0 ' I 1-6 la, l. .^*i.-t. .tr-.1^" \ -. rr,:,,rll'lo: c.orrl:nt0 rlr:n;'11 en la {i,'." figura 3l-5, ,.s rrl,roxrlrrlrrcntc ". l "',"ri,t^. ,,,. -""" I porcional a tl-s corno si lucsc un csistor nlineal,r. I-lt ecuacin dc colrienfi ..f. .o a .rrro cn .^ /c.\ -. da c esta rdi. regin i cl f,,^n^io1^ funcionamiento se ms adelante (3.2-2). Ahora se puede demostrar que Ia corricnte 1,,0 cs inYesamentc a la p0tcncjr. de exrnente 3/2de la temperatura
I?a c.

Aislador ds dixldo do 3ilicio

tr

3t2

La depe;rdencia est ilustrada:n.f frSl:"^1:1-6 cn quc la coriente est nornalizaria con respecto a ,!o(?r :25'C), La tensin dc estrangulamicnto l,0 cs tambin ur ftincn cle ia re de marera nu_v anloga a [a de ia tensin basc-cmiso de un BJ.f :
A1/,0

::,

f ig. 3.2-1 nIOSFET.

--k

A7' k:2

nt\.i

l'C

t's

>)

t,ro

lfo, Cuando Ia pucta es positiva sc induce un canal de tipo r eltrc el suy el drenador (lig. 3.2-2) por lo que los clectrones salen del surtidor y del y son atraidos hacia la puerta en virtud de su potencial positivo. Cuando ta la tensin clc puerta, el nmero de los electrones atraidos hacia el por debajo de lfi puerta aumenta, aumentando por consiguiente la cond de dste. Cuando sc aunenta la tensin de drenado se foma una repin to, que constie o estrecha al canal, La impedancia de ste que, cttando rns -- Vt, cl canal se estrangula y su impedancia hasta int (rcalnrentc, infrnita ser lo mismo que en cl JFET, la impedancia nunca realmentc; valor infinita un a tipico es 100 kO). La regin de empobrecien la condicin de cstra ngu la mien to est reprcsentada csquemticamente figura 3.2-3, Un ulterior aucnto del potencial drenador-sutidor slo da
.,a un ligero aurncnto dc

-15

50

-25

0 15 50 75 t00

Tnrperatufa mbenlo

1-C Cor.rcrrL" lrits. taren'. norn lizxddc , cn Ae ta ten,p"rat,,ra,

lt

lr

corrientc drenado-surtidor.

el potencial drenado-surtido cxcedc de la tensin de estangulaso forrr L,r "gi4n ,lc cmpobrccimicnto r.ntrc cl drenador y el canal,

A LA rEoRfA DE FUNcloNAMtENro ,t,tlry]!9_D_ucctN MOSFET

'DEL

El funcionaniento dcl NIOSFET es similar al del JFET. Sin t diferencias bsicas dc las que resultr que Ios .NIOSFET ti"n.n nr", c impedancia dc entrda ms alta que el JFET. Un MOSFET de canal n (frg.3.2-1) consiste en un sustrato de rino n sc han di[undido dos rcgiones n+..Estas dos regioncs io.*un-.f "r'r.r drenador. ErL cste dispositivo no sc incorpora realrncnte ca'rl alBuro en ra cacin, quc pueda ser comparado con el JFET,(ng. 3.1-1 ). La"iuerra se; cubiendo la regin entrc el drenador 1,el surtidor,o,, unn aru'o o" silicio, encima de la cual se deposita una placr metlica (or esta for la pucrta con nctal. ritlo ' un se n icon d rrclor_l]i:::l!i,t sLi'nombre

,'s

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fp

" ry, 0r,lirr:rrirrrcrlr' .e hcc funcinna rl itlOSFl.ll' con urr norniol F.'tn,s lo qrro se lllrrra frrrrr"iorrrlir.nlo r'tctta-srttlidor. .i ;;;;;;; ",,

et

l:.t.:\.2:z :.l Jl()\l l.f t,of,tchj d. (\lr.,nBrl.,IriIr',.

la difeencia .1 ing.,,l,,' ,lc tlLseno tit circuitos I':.-* ' es que er cl margen dc [unenriquecimiento de Ltul morlo lr# "l .i irurr.liT como u" debe ser.losltrva para
q

ms rmporunlc lrus'

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$"",1,^i"

L:'.i.,i,;',i' t;tt,

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uo. cs sicmrc positiva quc se fornl stc' irnirianrente ur cirllll y uotno ro liuyo co;rientc hlstil

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nu. v,n, rluve
Llrenador-strtidor
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!

l''f
Fi6. 3.2
r1 Dues,

(cn cl

est

rgulamiento)

:ucs-Y'Y

Q 2'1a)

I
J

cnd\) 06.

Jlii,

n"'t

.""it"tt
u",

o," \'1',.sc ptoCuce cl estrangulamiento n escr'ibir puedc ()bserve;c que (3 2-to) se

(en cl estrargularniento)

-0 V

y
{
ii

: Va"

(3'2-1h)

3 L,l \1OS6ll'r r]rr cstr'trrilulrrrrf'rri'

il,H,I::'ffi

il#i',i3J;,i\,llll':' il:il;"1'llL"l"l:'l'i
-

""ll"'ii'i:',$
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it"".1"','*:::*:ff1.i:.tiil:i:i"1,"'''o''ru"t''

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"i'l"X"X'

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ll

14

L.ig. l'i.2-5 Curacl0ristica

'i

del ltlOSl'ET'

'Tambin en esta ocasin vemos que

ri" i""rii" p""tr"-sutido En la hgura 3-2-3 se. observa-q::":t,l1t:,,::l y la puerta' .f e'strangulanriento est coprendido entre el drndor (3'2-1b) indica "rrt" ;i p"";,o o * .pu" runcin de un' La ecuacin ;;;ri'; piiu t"ot"t el estrangulamiento j el otencial en c cs sulrclenlenttnit
"tto
ecuaciones para la corriente Ds

el estrangulamiento

est-,determinado

por debajo y por encima de la regil

amrelto son; OJlao aet estrangulamiento (regin lineal):

iDs

k.[2(rcs

V.,.n)u"

uzo

"l
uo"

o5

u5

l,*

(3.2-2a)

encima dcl estrangulaniento (saturacin):

,.1r,{r\llrrl 'trt lo' Ir'f'rrri ,l,l
Irro

ir, :

k"(u""

|!l()sl]l"l

- Vt)2

> tt" * V'l

(3.2-2b)

., I lrslllli(. i, \lctr' dada llof

/
donde r

t"

' 2t r.

lll w

: : Iil,' : .L :

speso del xido

moYilidad de los poriadores en cl canal (electrones en Ni\I constante dielctrica del xiclo debajo de la pueria

ancho del canal

longitud del canal

'it!1rr1,,. l,rr f(rIrr)r p del fillO5f tl rl se llarna.sis/rolo. En la figurr :i 9_4 ^l t,. l ,rrnn:rJorfnrnrn urr B.t I. npn. .,:l no." qu. nl .rirtlr n,,_ l.',,,;',' ,t. que .'r ujf ;-;r;;"*;;;11, 11..',j.l l.I::l':ccjoranos I cn la lnto, figura 3.2_4 cl sustrai o est conectado ;. Por trn a masa. En - gc6rr ,,. \Tr\r^crir ,. srempre ric sust;rto rn Nl\fOSFI.lT ej est. 'rrrr) concctado ai potencial ms csistcn tc rn el circuito. j tensin dei sustfato afecta a la tensin inicial V, y a la caracteristica dc. prcrta ctet rf osFEr. r,u g".^ r.i_i"_"..r." tt:,.0-" .*.,i.1:] l:nsin. Ia tesi' in d0 umbrar v. con las vaiaciones e ia tension surtior_ ,r cn un M0SFET. Te:,camcnte, se puede demostrua

Las drmensiones de

k, cstn

exprcsadas en amperios por voltio

ou""--"'

:,
t

:j.,,:', ::," 1'oo : V.,u, por lo que

-

:f:1::::ll

ltVf por tanio tiene una k^ g.ande mientras un F[T.diseirdo pr.u q'". ,iJ lta esistencia tiene ulra azn lV,. v oof Lanto rtrta cqueria 1.. Frq inrtnre ," Es^intcesante.comparar la ^^.111:qit"? ecuacln cle la colriente." , iuijsilll .."'l ji.:11::u^ .olla ,corrienre er er rFEr atta re ,-1. normatizamos (3.2-2) poniendo /po =. A^yl :"^Trl1'1:l:"
u

I:,:'i1"::,Tl"i:"9,11" rctrie comc baja resistencia tiene una reiacin anchu ra /longit

::t::T::':

entre

r0{ v ro

z.

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u"" + _:-- \1 | lon/

el IIOSFIiT

La conparaclon, representada grlicamentc en la ligura 3.2_6, ndica qu caractristicas del I{OSFET y del JFET por encima .1 ert*igui"nl,rnto casi idnticas. En consecuencia, en todo el resto O" i.,rio

y cl .IFET siquen la caracteistiru dc In "rt. l.y .u"o.lii.o,

o, ilpct

irionor.ro,

n,

r
,3,2-7 Variici(ir rlc l.t tcnrin uDrbrl (trbi(tr a Jrs Vs,

tu
val']acrores

15
dc la teIlsir)

'"
sL(.Lidor

rr

u.r^(u"r) cs ia tcnsin rrrnbral corrcsponclrcntc ra a tensit sutidor_suslao u(0) ns ll t"nsr'irr tl,rtl cor,,i1pondicnte a 0",,:Q, y 1{ es una const" ^.^^^-^:- ,., , de ocp"nac. Jc r" ;,;.t*;;j' .propoicionaricra -que a, mpleados cn Ia fabiccin dol

lntre 0.25

cua1a"."-bi;l;i.;;;;,,,i,i"'.1.,,"^", lll f vue,, si cl la 1:l:,::1.:1,.1"..all.f tensin unrbral. por r:je.mplo, IIOSFET

est cn saturacin

cotiretrte drcoador-surtido txnbin es afectada por las variaciones de

'. l.

FET. Los ,"1;..;

; ;;ti:r:'.i";:il:
;;f ;;;
"'
.o",,,p."n_

r
I"ig. 3.2 6 Crct rricnlc-tensin dc IfOS y del lrli'f du

'lrs

.-

urr(!.r,)],

k[u",

VrNe)

_ Klt\s],

(3.2-5)

fgurr
h N{0

3.2-8
s

x5 -

ll

0,8 -0,6 -0.1

1,rt

-0,2

vc la snilitLrd de raclcrlsticas.

,forma

cxpeimentalcs obtcnidos lljit. lrl,r, , 'rii, t.rdo dL' rnodo que u,n:0. Cda crrrva licnc Irr sal,,'o rl lrnslcli)n originrda por las vaiaciones de Ia
lcnsi,,r

cstiin rcresentados los resultados

rcl)rcsrntrrlnos el .lFlj.l. rlc canal n y cl MOSFET por el slrnbolo quc rparcce cn la figura 3.1_l_ Cuando sea importante

dib"j*,;,,

l
j
t0

-t5

" n!#;Jill',l

1-1 Llrr Iil I , urrr'ft:rllo l',1'i,';'Jii'l;:l

""ii]'ll :",i .;,';l'

uos \'
rle la tcnsin puert_sLrrtrdor Parn var0s ,lc ln tcnsin sLrrlidor 5rrstfto l-ni curlas
(lil,(rj(1as

.ll:l'.il

I.

:'!g. 3.2'8 Uorfifllt(: (lfcr)rI{lor

sLlrLL(lor tn

.- ^h.prvxra rruc l. reversibilidad dc los teminales del tatlsistor es nica

Prt' \'/;.

rr

'

-.irt-lCt. Si r:rnisot-colct',or |fna.j i;;';;

(l('l 'Ll\lfti) flnillc csqucm part mosirar cxplicitflnuntc llr ltllsin sinibolo dc circuito I'Il'l' r0Prestnll(lo n la lir'{ura lJ 2-'l

st invi,:rtcn los tcrminales dcl BJT dc modo quc en un transistor sca positiva, Ias . caacter's ticas ui canbian conte porqus la lelacin entrc la corieole de base y la corielLe Lle ".- h.t: i,,) sr: convictl.c en rcltcitt entre ll ccrricttt dc base v ia invcrsa cie cnrisor (trn '= l+e o) sta cs Ie razn por la cual cl !lJ'l cs mucho nayor que !a superficie dei es'simlrico: la supericie cll emisor ,:ttrisor lrayor quc (t dopado del colccto' ttrucho es clcl y ctop"o oior el
FET DE CANAL P

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,,""":-.l:

I I

L] ( .,*';
u

tt t :..
il
,

Fiel3.2-9 Simi,olo tle (r'uilo l"

I \11Osl:l l '

r"

fl

rrrstrlr trtrlif itanrcntc cl

de canal p y el sinrbolo clcl En la figura 3..!-1d est reprcsentado un JFET p el surtidor es positivo de carral En un IrET 3.4-1. Ia figura cn lo cst la len/ dc uecos que se aqu que el surtidor De respecto al dlcnado. caral hasta cl drncdo. dcl ia lravds debePara contolar el flujo de huecos desdl el sutido hasta el drenador de e mpobrecirnie nto :4nlre la puerla y cl canal a fin regin ula estahlccer . .. obtencr lr c.trangulacin. . ., r.nsion r$r; sea negativa . surl. surtidor-prta haci:.lLlo haci:.lLlo.',,_la consigue Esto se "c y l puqrta. por el canal pn iorm iormado d8l'diodo lianlp l3 nolrizacin inversr invesr rn polarizacin te la

3.3

REVERSIBILIDAD DEL DRENADOII Y EL SURTIDCR

se labica usualrnente de

ri l ser intercambiados sin cambio aprcciable de la caractcristica de posibilidail oirecen FIl'f sus que rnuchos fabricantes qe advierten de li'llT un cn que' ctc convenro el tsimtical. Por tanto adoptaremos (le elctronesD, lltrjo del tfucntc el sulido es el trminal quc acta corno
el
drenad,or es

El FET

ltorlo que

el clrcnador Y el surtidor

el teminal en cl cual (rentrant los eLccrtrones' ds La figura 3.3-1 muestra un FIIT conqctado entre una fuerltc para stl alttsta V"" ptlclt t]c una rcsis'tcncia dc carga Il". La telsi('in toaal {icl {1cl circLrla circLlla llun!o il i1r I corrientc en el I"llT. Si u, es positiva, le corricnt(r r. cl r'l rlrr:n'lnl o cs pttnlo cl v ia cairi dc tcnsin cs V"b:' 0 lin cstc caso ,* I *,rrti,f.r. r:,r',n'j,, 1,,r'r'.:li r' "l fl'ri l rt('s " r'r IIl' { el 0 '\llor'r tl rtrrrlo rr fl srlfll(lor lrnto o y la call rlc tcnsitt Vn" l, ts cl rlrt Irrrlrr.

\g,J

l:ig.

3..1

1 ,lFIl rlf

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l: l.r) \'istu rsqLl0rr)llic;

() srrl)lroLo

(lr

crrLtlrLo.

'/'r)

-)v

16

l8l9

l0
I

u r's Do

Fiq. 3,4-2 C,tllcterstics , dcl .r.Ii,l dc c:tral

--'
/r.
(,' )

"r,u" indicarras p^r^ v v,ll'..,",. :i:HlT,o"oes ".ii cs sien.ipre n,cnor rlu! o":.1" quc ta tensin d rsrlrrol o de -.y".; so,. ahaidos por l:..1::::1".9: lo que los huecos del suridoi hacia q!o la puerta '--l-y, y' po cor co lrurrr fnrm, at o--r L_ J_-, , lror '4 foman el canal. El denador es {a tamblen a menor potencial que el nnr to ,ro tlr")::.::del t^c r.,,^^^^ surtido o..l:u:: so,r uro,tiao, l7v^ w urclduut i ii::; rtavcs q8l rJ E'- ,,_ nr^.F-_ ocurre el estragularniento cuando la tensin .:1'"'"" rlrr :: es :l,,l.l'],".1"i pueta igual a Ia tensin unlbral lal v-l-^" "";-'-:;::"^i"V", Con valor Lt el potencial n. !,f^.l es suficientement, Pvlcrlcral t p ll --- este cn ar el punto , negaflvo cor eJpwwlu respecto d a ( Ia tcnsin LcrtsrulL uer del cerca dcl punto o para que la r'eglon de enPobreciniento quc forma cstr,no!:r. cstra ngulc .r cl canal. ""-^r Dn la figura 3.4-3 se utilizan nucvameltc las coordenaclas irr, tr' quc son todas positivas

",,,,t"^t^ cr potcnciaL., p;,:;i;;';;i';i,.",i",'n.,l ^.jji,j:,1_.::'.lpre ,". ,,, entre,el sustrato y cl drenador, y el surtidor ), ;i ;u;;i :"::T

figura 3.4_3. El ,irnoi" i" .i.""*" ., O la_ flecha .rta inr..ii"- ,..pJ.,o ,14 as 3.1-l o 3.2-e. En ra'frsura 3.43,ias t."ri;;;; ;;; ;i;'oj*lio, o"rr, dispositivo funcionc por dcbaio rtot cstrangulanricnto i"-:,'::'il:''i lincal. Lelr cn ]:: la rcgin ".r ". ";,;;" -",

al del NMOSFET excepto en oue^

;;;;;;;";.";i,';,,.,r. ,,, rl,, ,," , ,, ,Dsc ':r^,1:ii:" J,t_3c csr rcpresenracto esq uer ricamen rc n r,rOsr ,,,"::^,:.":19:,11 sus caracteristicas i lo estn en la
:,1..,::fi1, t't':-.*,.jr,:1:ll*",so,^usu
!
rcsl)cctivanrcrrc u

ngurl.l n.2 eprescnta un juego o farnilia dc caractejsticas ui drr un .,.. canal !u p. Obsdvese de Ia sirrilitud cnrrc cstas tJ corespondientcs a. un JFEr "".,, "t*ir,i;,,;;:ji, .",r.r,,

it,t

i,li.lliTli.Xll".".l

,sr,V
(l
lrig.
3.,1

;;;'ri,*;;:;

:l Lt

1,11OSI:1j1.:

(a) esqucrna; () cllrctcrfsticas ,i.

encia dcl estranguJant

.!D =,, /i,(/.,,

tcrr

to (salllfcir)):
u.rn

cuando r'"o

,.

Las ccuaciones para la corriente

s0Il i

Vr,.

v resultan cmodas, Obsrvese que Ia corriente

i"

de un P},IOSFE1'en funcin

(3.4-jL) valocs dr ,_ ii, /i, para pd,d un u,r r_nlt/)1.f.,1 I)lOSl..t,1. qu0 tcnga la ntisnra geomctfia (JU0 r ,i ul rercio ,1. 1", n,iJ,,t.o, ro, JJror", son Xll,,illi,lL'T:i.ll:,r,rt:,tfulics cor.r)arabics a ros h.lriitrrs 'alorc rara v.". l5mo riuc :trrtf., suI,,,l{l'r,tltls,; r", ccuacioncs

- l/"r,),,r

..

u",.

. . V",,,

Por dcbtjo dcl cstmngularnicnto (lcgin ir(:al)

tso

de coricnte oe corlcnte de un n las nusrrs nrie)".,,.,., , ,, ,.,..-,11 ! ru. r^.. ias r1,, uusiiil:'.'L'-"LqcLrulrcs r-r' por lo que para un JFET de canal "'ur( ,Y4, Y,o'-

kol2(u r"

V,")u"o

- ar"ol

oso

!"c

_ lrr,

iuna

rul-\rlolis.'|.' \'r, r,,lr ro rI,:rrlrllles I los cic Vru, ontilircltr0s ios sutt. Y l, y designarcnros por V- la tensin umbral excepto donde puerir arnbigiicdad.

V;,,

M{ii^hccunr""LU

la tclsin pucrla-surtidor cs c0ro. l.ln csLc caso tr.( rlebI sr:r'rrr'quti\'a rse I)roduzca cl corte dcl dispositivo (ls I]to.lo (illf r)! .. l) l)fl l0dos \'{lorcs dc usD. Ariloganerrte, un I)llOSliL'l'rlc]tc lrnc rrne t.tit.ir I r,"" ti\' para llegar aL corte. -{si pues, rrr ul FII'l rlcl rrorlo rlL' t,rnrr, la tcnsin unlbral y" cs ncgaLiva. I-os rliocs tlL: 1', lnrr rrrr lfl,l l' rjci r-1, rpobrccinticnt csljl:l r'.l t'r"rIit,lo., I v r I \ ' tr, t

Itl fOSI'Dl pucde scr tanrbicn fabricado I)tr fun( iorii rn .l ltrlo de tohrtr:nienlo. Iin un NIIOSFET hay sictlplc prrsLrnlt till c;Lnll irrr:lus, ,,;

"r:0, p.'to nortllalntcnte cs Incnor qtLe en el Jl-lr'1" La corlitllt(l (lc qLlc la tensin tlega5c inicia ricrmr:nlc cLlando u", lJegl a set mayor V' c 1,n. llisL)ositivo los fabicahtes cspecilLcan I.nrrr cstc l-,. li""'unrt.t lc IlOSl"D-l' transfcrencil un l rrrlcLerstica dc nrLrcsllr 3.5-lc 1]-aourl Dl " ,---'^ r'crtrl tr' .\r1trr \.,,,, no o ,' -,- l.-,, para LcJ:0; ha'corriente de ..-.^r drenador cr. ^^-ionro -n. ij,ineci,ie',Lo .J"-^].ionr. iustnrcntc .t flrtrr curndo cs aplicaila una tcnsin positiva igual t:-':_. i\.tnqFrj'l' r. r dcl l,'lOSFll'l' cs cinrir.r a la Scgun csto. lx -^.-^+ricrio sinila . \''. e., caractcristica oc --,...-r rl u ]ii-qin rrnrl.' :nisdo ,1. .ntpnbt..imlclto Ilaia tr""--' V' En la prctica, cl fbricanic csPcr lor rrtlicrtllr rlr 1s.qN correspondicnte llll v:Ilor cspe,,i f, y,,',
dc Vor, o*.

l, (:rLLLlu1,,u,LLU, "d,Y u,d dt,LLdut

3.5.1 COMPARACIN DE LOS TRES TIPOS DE

MOSFET

Pucden ser orovchl;rlnenle comrarrdos ios rlir cr-s'rs 1ir,rs ri,: ljl.,'f de sus caacllslicas tlt. !runsticrtcin, qrLu sc,ll u|liiicos Ju ilr .rtli,l.r ( drcnador-surlidor) crr uicin dc la enl-irla (t,:nsiirn rLiltri-.rLutr,lo). Er rcgir normal de futrciorrartrirrto cntte Lrl cstrlnilulilnli,Irl0 \- Iit I Llp,.u.a, cc,rricnte de lrenedo. cs inilcrencli,-rtrt,: clc iir len-cirill tlr'"rrltlor.-slll lirlrrr.. L i Lsrstica de transfercticia dc cada tiispositit,o Ill L'st.i rtqiorr t'. L:ILtons5 ximadamcntc una sola curva, conlo tnLLesLra ll figurll li-5-1.

EL INVERSO R MOSFET

o oono putrta lqica. El FET se pucdc Ltlilizar conr0 artllifi{lador lineal cualqriria dc los uoilos dc cpctacin ll scliai de saliCa ticllc iina Poltrridld a la clc lr sel',ilL clc ctltiada. En la figura 3.tj-1 est rcp:0sertado un llOSI.'ET. ,\qui cst fcprcscotaclo un NI,IOS auIrquc, naturainente, pucdc scr ernpleado un P['t0S.

!l
'orr
lb)
cnrtJobrccimierto;

Iig. 3.i 1 Craclcristjcs dc trarrJ,lcfrllcr-: (r) .ll l.l; (rl ll():,i lrl llf crr)rl ,' dcl (.) l{OSIrI]T dc canal , dcl nto(lo (lc clrfiqucci1llirnto.

rldt

La figura 3.5-14 es la caractcistica cie transfercncia dc un.lFET. iln la vemos que hay una considcrable coriente de drenado prra uc. :0. rriente es controlada aplicando una )ca negativa. Si descamos ulilizar un sitivo de canal n tal como stc en iuncin de anrplifLcador, se[ nccesari tcIlsin irgativa dc polarizacin entrc la puerta y cl surtidor para que la lr)icada haga varia la corricntc dc drrado por encinra i'por drbajo dell

Fig. 3.0

Irvcrsor IlOSFE'f.

alustado por lrr rollirizlcin. l,os fal)ricantcs srrelcr csltccificar

-,.aloes

ric

1oo ' \/oo. l,a figLrm ll.r-1 ntucstrl la caraclrnsll( a o(l t.nur sltrn cil rlc u lf 'l. rlnlr) r rjll tlorlo rl,: r'rrrrirlr', irtrilrrt. \rrri f\lrLr l,r,,sc lr r llrrrlrils

inversor trfOSFET rcpresentado cn la ligura se compone de dos transisn vez dc un solo transistor y una resistencia de carga, como en el inversor . El tansistor 7'2 actira cono carga resistiva y la razn de la esistencta a a la rcsislcncia dcl cxcitador T, cs proporcional a la razn k"l/ic"2, que como 2. .cacteristic:as cntrada-salida del invetsor FET adoptan fornias diferendcpendcn no slo dc L - k,,L/lr,z sino tambil dc los valoes rclativos tensioncs rlc linrcntacirin V,,,, y 1'r,o.

l.i'

,.r 0nI&{:t-5iidit. ot
dntrada-salida:

poslDies

ires

caracLclistt0as

t.
2. 3.

ln, [uncionando por encima dcl cstrangulamiento funcionando por debajo dcl csLrangulamiento ?, dispositivo del rodo dc empobrecimiento

T,

En Ia figura 3.6-2 estn rcpresentadas las caracterjsticas resultantes tres casos. Las cuvas luercn obtenidas utilizando (3.2_Za) y (3,2-2)

foa

par

- l0 \, vrt=-2v
l/rt= 2v

rt=t'rt=l/T=)V

vDD = t0V L'u = lov

(l
3.6-2 (continuotin) :de cn)pobrecinrirnr

i.

(.) Icr

rl (g.llur(lor unjrto l sLrrti(lo); 1.2 cs un (tr.ifjositivr

(le

Ir=1
(a)
'1 1 ' ?'., t'. ras rcgroncs respectivas. Los dctaucs cle ros se dejun para los rroltlcrlrrs. Las ligrrras 3.il-2r a c sr rlcbtnin colll)ilrar a base de la aplicacin a que sc

los tralsisto*s

l'ro

lo v

Lrriiiz,rri.rl iri'crs0r como.te."nto rutsrcu togici'i-ii'., I rL es asl' *,].r,^l csta:":s^jYll.r,:. s intecsacios _r.:;^ t/,r,/,, .,, u,, ) ,, (r .^ u er,tcdo rjo. O bien -^.---,,,-r'r rrr j, utilizar elinvcr_ se :l :1,,1 cmo lnnliti :, i iir , :r, I 1.., , .r.. rrr so (lcsearenros que exista una relacin neal.entle )o \. t)r. el il\,crso. ha cle ser utiljzCo conro clenrenlo !!rrL'*v ruBruo lgico uesearelnos desearernos quc guc la
slado bajo cuando la errtada r.,r auntentc ic^ir^^r_d" \',-'2 i. ;;r;;;;;;"; lr" *,..u* ilil'o:.i,1:lnlT:.:,,rr /2 (s urr rli\l.,,.iti\1, '0,,,rc,,:, ,1,.i l,j,1., r1,, 4nrror
.), pase

rin...,t"^i"

cc un estado alto a un ev!

,.:..^, a!ru1,rr lrilr cutlqutcr l.-latlllifi observam(,:, (iur ias ^^-- nas abruptas cLrc las gs5s.adas son cn las 'qqJ lisuras 3.6-2c Iiguras 3.6-2n l'. '" nadncntt, en cr rstircro ,,.n."n 'u-!u o tc de la tecnologia nicamente urrrL4rrrrrc sc Jt trF1_ I .F1_ ,r_ ..., t,. ,,rrrl Ifci ifnto en forna tlc Cl; )os FIr.l. del morio l,^::--'i,,r"o,ly tcnto sio se fabictt1 cn foma clisccta. un in,ver.sor lrigico requicre una transicirr abruptl. il,,:,^1:j]]:: l':tr, ui /)r)tfnt1ir r'rlllrlU ,l . frLi,,,," por cncina dcl | estrillrlulanricrrl0 | r '( I Aa., )^\ ^^ *r, , l '' ruc,curndu 7., funciona por. ttcbaj(, rl,,l trt csrrrrr1rr_ u)rlili.lll_ /lld :t A r.. ;;i,.;:il:.,-i,ll:pta.
,

,.rt

I I i

(b)

Fig, 3-6-2 Caractcristiccs del inversor Ilt)StfUT i (o) I'DD ) l'cc - Y?i ?) (nci cncima del cstrangulamiento; (') Yr < 1'cc - 1"r ?2 por debajo dci cstran

lu figula 3.0-2n cs tanrlitir un:r orr.irr i:r.rrlortrr, I'";.,:,,^rlli.,:, puede utilizar una s.lrr fLrentc " ,,li,rr. nt,,.ijn ; ,'.; ;ii;,;., ,;,;;i,;;,,,. de utilizar cl invt,sor corno arnplificador liteal, nrrcvaucnIc r:L,girr.. trcas eprescntadas cn la figula 3.6-2c, ,1,., 1'a quc funcionrrrrlo

crr, urtu diJ

,ror i' cirtlll tlcl ( sllrlAlllrllir'rllo' lll cirfit( 1,,,i,', i, ',,',,',' rlt lrr l.rrrrrr rtr'r'rrlr'l.r
r

l(

r" I'r'r r l rr '1" "'rr )

lisli(lrl fs llll'lll t'll llll

ll1

flln
ll

l{)ll,

ir r'tlrtr la slllirl

r' la {-lltft(lil

(:s

(rltfc -l y 2'5 \ ' \s' Ittt s' l)ara valolcs tlc u, ot-rtttttrtditirrs tl'r.srtlirlrr sirt strrrl li,:i'i,',,;';;,; trrris ,,,i,.' (lu(r l^ tc.si/)r) V ctrtr tr:llrr',r'lrr rrl lrrrrrl'r () o ,i"'tr'i."tio" i* i,tuctsoL l'l't'l': "'t .l ll *"r,guracin Ia giLl'l::".::..::11:,:,1 t; q""""" .,rr. .l'rrr.cttlrr lic. .rlgrrrr pro tr,",iiir,,.ti,t li' l irrr.rs'r' NI\lt)S lrrLrr:isLoi rl( ( irrilir ' !t l( I ' rL\lr fl"'ori,rt"r-i,,g"t, Ils tlirtlcrrsiorus rl'rl i)t' i'lttttlrlo' 't ,rr"ni,, lo, clci trarrsisto 0:iciLirdor'

.*

I "

(lf i), . i(10 ( \\ //.)/

(conctr ar potonca ms posirlvo d6l cicu to)

'I'1 y ?'' tcngatr la lrisltl llrrcllliilL' l:r longllud entonces, suponienrlo qrrc a.l.^rg" z', es 10or:eces mafor quo la lon.gitrLd :l:r :1.:1.':l:::ljl cltip es( IJJ'tr. n'' itr"al. e'circuito i.tcgradn' tloncio tl,tcstatlr-r.rtal'r^tlel "'p.i*i', sta rclacin no es posiblc "'' ]'l il::-":''ill :":l::')i:''jl:l:::l (lc |.ransicil ail"r cste inYe rsor.' lin scgrrIldo lLrilf, ia r.rgin. ;";;

;;;;;;;;

(,?)

cxterdidtdosc ,,'", 1,1"" L]!lll.]l:':l:"":,.:,; sc disipa p csla rcgir ):')il::',l.kj '"""-g,""., i.iz"i. Ct^^o" Ia seiralie entrada cruz por i'?;.t;; la iueutc cle \o'

:;J:iffiT. il;;

foiencia debe ser suninistrrriit

t$J

vss

:'

3.7 MOS DE SIMETRIA COMPLEMENTARIA r^

'L'r r)'ri' 'l'r -cono El FET (ClfOS) dc simctria cotrrplttntnLorir un en i,g"r"-li-rr' onsiste .:t*,t^9'].1 1 ,,1j" quc k" pala rlist"ados cslrtrt lll

:il';:t';;;"; ;J;J H"ir" r,^rn;il

l'il('sl'El.'

"i utilizado en aplicaciones dilelcntcs tlLLc dtspus estudraemos' i;;;;;. "en la ligura ;l ;;g;^"t; del cicuito irversor CxIOS cst rcrcscntado u1:,11:l:"1::::.:".1" ,rq,i't "l li pr'roSFEr v r' es el N\l0srrur" :'": dc trr"' la.rlirctlaci* tlesclc rluve ;l;t;?';;;";'';;. io ,1u."t" corrientc muestra las conexioncs d:] t"tltl'l:^,. '""1" ilf ci."uitu ,1" ia dcrccha tr' < i!r'r:1 translst{ "l-.*. )l oi".""iot tlcl invcsor cs sigrricntc' Crtlrttlo '"ort" y, como usulnclltc !'ttlrrr' u"''r .-.!'"' _ ,n ' ,t-t:'- t)l't ll ".ta cotte rlo 11u-r-.e corriertt cn ?'n

ef NfvfOSiA.'. sc enrplea' otras conexiones cu,ndo

d" en'i']u"i'riietrlo '

ei

i:^
,rJ1

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l

canre T,

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Irig. 371

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(b)

I I'"""
L
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.i-trrnrirto, ?, conducc Estando 7t on

t\

N.

o por (34-la) r:er .rtJ.n estao de conduccin Pui la liguta 3 l-li : O tertlrenros usz :0 Asi' la salidl tltl inlersor t)s l' -= V'"' ."tt rr,, "r rlc \''" atrtbos tt )' 1': I urreuta la tcnsin de cntada u( por cttcitna tltlttttlo trr allln0llta lo sull itinalrlti"ntt'' t lir tettsiirtt dc salillit tlisnrinuyc ;" 1*r,,',,r ..,,,"" t1""t"'t", "t rl'cir'' \"',, .t" V,"' trtttonces' i,,;,,;,,;,: 11 rll srrlirl:t i" l) \" , "rr ",, i,,t,lr,tci,,. lrr lr'rsitt

Inscrsor CIfOS: (o)

vish

esque nr:'ttica;

(r)

srrrbolos dc circuito.

,.r 1., .:r,r .,i,r i;ct rni cr80r Ufi0S, La rica entada-salida ric un inverso CIIOS est rcprcscnt;rd en h fipu_l Est dibujada para un circuito en que V", :10V,V"1 Obsrvese que cuando u, es menor | .r --L: crr cortc. de 3 v, ll csta ?2 est; ouccrn y u, :10 V; en cambio cuando ,r cs mayor de 7 V- l^ n.r ^_l cJl r conduce -,.q

r_lt!lr, rr.

:]rz:3V;;l

baractcrstica en la regin BC es una-recta vetical la cual indica que la cuando u, puro po. -' qv I s/' lrillu#r:'1j:",:,1'"" ' cn la prctica la transicin no es rDupta pero sl de mucha pendiente,

-y

,, :0 v.

lo.y,lT.n* alta nilica ganancia.

J,.io. ;:;/r.;"*-

INTERRUPTOR FET
conmutador lineal similar al de Ciod.os of la)1eccin l.C. Sin embargo, es mucho ms lentc, ya que el de diodo u!,uL]lucue Schnttky puedc camDla ,,:.._cambiar dc dc estado en menbs de 0,1 ns ^,:_.:: gs que el tnterruptor FET requiere ms de I ns D^r nr(4r i" ""_"r^ ,^ 8l de cotc. I.a nrayoria de interruptores FET eouiecn 10 '",;.'#,;;,-1";;,;.il.] ; _;.
o

'puedr'.utilizrylun, edr'.utilizrylun, I-ET fonro r6q intcrruptor

'i

li
l

t'(

"" l"* :,;:l ;:il'::,x?lil;: 1:l':::::,lli:: Fara conmutar seales dc

,'4i conmutad or FL]T a rta j*1"":,":l:.,,y1'".:,, qucorurr srro como pcquena ;::'i,1.:'"T:Tl,, resistencia,. por lo que cl circrto rje ia ligu-

;ifi:ff;"il: li;i" "l.i lili

ll:::T,:iT:::
a

*:i1"

i,J'
I

dc un invcrsor CIfOS

Fig. 3.7,2 Caactcrjstica

j:" :,: j"T::i,::"_ *l r.Er .ebe .s" rine"l ,tu,;?:', se reariza.erigien;;l;, il,f:,:i: i ::,0 J'"; ni 1i i?T1:..1: *
:t

ij:",",11t;11 ::.f]l:i,:Tu,'1.:u:_y_no distorsionad^ "

11r .d1vis1,

esisri'o de

t.",i;. p;;;';;;in i.".,u"

;;;i#;ffi,ffi:: ;;lTl;i il,:lXl*-.;ilf; : n'.'"7 ; *. "' Jld"'" 3.2-5 I :1 ll l. l" ), donde sus caacteriiticas,. pr.a.n'*'JOJ;*l-'oilffi: .ttg.
Yeremos

;:

i"lJJoi

"",."0, ;, ;il;;.;;*"l:

,.

;lr

,i

En la..xrtin -.- --q.v. wv,truLu(lir cotrrrrr.lrrclitiit eflrrc.ll cntrc .,1 \, 1), .I,t ?,1 J. 7,, cstiil cn condllccrn. tcgin AI3, '1', csLh cn saLu.lci(rn ,/,r ), l, cstri ."'"i,unio;,, rnargcl lrcal ;i;,;;,;';,,,,,,,.,,"" ilc frrncion

que.el connutado CI{OS es completamente lineal FET slo lo cs a proximndamente.

aue ei

\1,

q,l.

li;.,1
sguc:

i,o i I'rs _ u, _ Vr, l:i -.vr ) v"...,r - y"r.,.'i,orra Ivdalsc (3.2 2) v ."*.*",,ica-entre 'isu"i"',i.i'iilillrl"
,

.fl8ura 3.8-1 lnuestr lrn corlrnutado IrET tlpico. u/, cs una tensin de quc polrc tl conr)lLltu(lol cn lcrs csldos dc conduccin 0 dc cortc. Cuando

;],,li

t,(u,

t'.,)r

/;[2(v""

.","o::

u:t::.ii

- r, _

v.r1v,"

u,)

(r,-"r __

i")r]

ve.nos_qus en

];ri.i

lliillll""*'
k.[2(u,

la regin CD, ?, esrri en saturacio La caracteiistica ..,' i'" CD sc halla

,rf)
-l

t--

't

'"fi-'

r,)u"

- u!):

i,(V""

_ u,,

r,)2

regin BC ambos transrstore s T1 , .l: toen teristica esta rcgin se halla

k"(u,

y T" esan en satu.acin. La iguatando (3.2_2) ]* (3.4-1), El resuttado

El

- vrr)2: l,(v"" _ D,_ v rr),

vr." tcneuros

jnt6rupro olt c.rado (ON)

con lc,, .

[, y I', :

v",

prrnt"

aenado cuando

hteuptor FIIT. El

ri

cs

"r-J;;;tr;;;

Elinr.ruptor 6!r !bi.ro (O

F)

ffiW
,,

(l].8'4u) ' ' i- (u')u,"' '',,'u .,';,' '1 l', tsllrrio rtl ds ,',' lrrrsu ir \'u, , ,ll;, ,nri,' ,, 1fl, 'i;ll . r.,1 , .l:.1.. . " ..rii,l:, .r r rl. r_c.srti r ll\l"ll ,1. r,, LlrLt \ ,1' ,\ la Lcllsrorr,Lr .:,- scL',i,'', r ll ,;L rr t I 1l l,:il , (llrl drc0l|dol y i c'rrrtrlltr l' " , 1r r " rll corrir:trtc .,""..i,, :]: si u, .: 0, cl. ii,.];,i"I rr.' circrll , -r, lL il irrr:LrLrl r,,,,, S'iu :]:l,,,ll):':i;1".-ol'il ' rr' :'i;;. : -,; r) r cor, crrrL ",.gu, ,'r,\ quc rD\:r,\ ",ni .Y1l rLrL | ltrlr'rrro:j Suon{antos : r, Suonamos -,,',,*,,,,j, ,., rrsi1.i, :::,, i rr, , r,s r,,,.irr,.,, icocr ucs j,;.i,ll,; l.j''iil""i"',.".1 *?,* * i,,1,''i:ti: l;u,i, - rluc l:;l': i" . ;i,J,,,". llir;;il,;liL'; t"';ll (: tl c,nn1*tador FE'r fs (:rs. (:rg. i,,:::llll 'i"i,.ii"t"""""'i'i"' :: (r0 (10 rlr cstrlrngrrlamiento liloccs' li h n"'^ co.iirr)rf i" ra "^,,'",,," n; " i;,,;l :l:,.,l'il:--l"";:'iu':-i':-zo)' u):l (u' r''; (3.84) i,: /r"t2(\N - u'- \''Xu' - v,, < V, * 1al-,n

fr 11rr ,.rt' ,r(llrtrr. ,'.: ,,1,1',1.1,,'1,i,',1i; ,'. 1,,,. t . ' c lll\3 Ioll' t , ll:rlr'1"

(,\ L,i! rc,.si{irl r,osirN' :llll.::ll::,1:l ,llll:,i,';;"lli,'l,i':lli' ',' ),1 rlfl)r',iiln,r'".r,rrtr,,-

'i'l'.;i,\i: ,, ll ,], ;iliil i';li, iii:::il,;:lli:, :ll:;', ,',', 1,'

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Ir1' ser r)'r(iut.. cornParada l"., 'o cS nt ir l:1 cs r. co r nr'r:r.ll - r:' -^ ,,1,i ,rr 'rr"ij 'uc

'

rt

.rr

, , ,

r Lr

r{

csctibir Esta ecuacin sc Pucclt

i" .= k"[(r', -- t''')!

] 2(\'--i'7
.'l

rr')irr' -rr')l

v 'rr' :riL rti.,.ir' cl -irrtrd r r.ud,tuu ""''t'r ', .t, r,.,,,.. ' c-' ,. = ,::'"tnenros uDs = Ua ' o' -j "tt - . .^"," en . iii,.:'.1",,"i""t" (3'l.24 sc cotl\'icrtc i, :

ot' t" l"r ' :''tl ; t"' "" icrl, j tt s ','r'riPrl lr

yrr;'i: ii'-'.J',i

tc sc,lcrrct-o

:illlilJl:I.li ^ J; ;
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5 v, Por Io o-uc ('r)u'' '

: * i i.:'rv

V'

(u')'i":
I

pra que el

ii;;;.,, 8-3' i:*'t'nsiste :li.,l:",j-u,,1,,'llll,#:,.':1"i.'l',"iJi',iiii,.'?l'J'$l'{ en

'lij'gttt
3

k"[2(\'

0bsrvese que (3 8-2o

nciativ. cn (3;":?i). ,, ,,,ri,,,r, :, rrrr' i",ii.,.^ ""'6.4-2") v '',";1i

i(lllticas c\cc1]io cn (3-6-2)-son ccttacionts

tr""-

rr')(rrr

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rr")

(rr' --- rr''):

que

t--l ,,.=-r,l) ' \-,/

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iin"rl
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-i1

I
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ll,',1";*.i, " '.i,,r", . Igq,rti!'. jl:::i"rr' u .'"u " :*'1";11 ,., lilil tff Jl,::"" :, ::L:: ;1 : i:ir' g"" i"'" *,'"'i :l I i".''.: Jil:i i'",:i'::",1'. il l,l:1i"1, :1"'e:"lT,:;: rtrt'itt ',1,, l:r I(rr''u' rlLtc r:r tlc {lLrc ,,1 ,", i' ,l,i;:,;';; '*lr",ius sIiuros ll",-']l''l,:, , ,',t". ll,','1,",,,",,. "''"' * i. 1'..':i: Icnstott,l: ,l . I l':li:-l'JL:il: ,i.,',,.,,, :rrroxiru:r,ro :rl rlc lrr :,:, ] i,, :;i;',, ,1 ' l'l: t *t r^o' urr cLrnnrur:rrrL' "'' ' ' -1,:: lJ:": ,1" ,i," il ,]'',"1' 't " e
Ia crfdr

.--.._

,,4)

Y
-L =

',
ur;r = rLr6

+i

(r)

ill;\iii* ti :i'LX']i"""^ll,:iii'I."ie d-zi

si k^ = 10,, \'r: r-!,

l;rr*liir

'l

*:::"i;,rt'i,,; d0i irIi i' cs !uns r'a resistcncia

t1,:;

:'::; )i:

I
y surtidor
159

."1',),;-]i'1""". no 3I la rjricin rcxl dc lil'r'T

tut'lll,r'u,"n
13R.ziis" ij:l;il,l l: ,,,i,*.1x.ntr: t''ll'l'.i"n"1 ".].: ]l 1.;, I rc ,l:rrlr, 1'rrr (3 8-3t l"ste rn)rli)
sc observa qLre si

tl.i

i.ll,i]''

ti.i;?
:
o-

n'i ia impctirnci'r rlc cilrgr

o n'
los terninales dc Un colrnlulaLior C)!OS Lstn rcpresc[tdos 'lrenador invertidos' csl^n terlninalcs estos o, o. *.^,i"-r, t

,.''lj'ii.'il"*_ri r
(

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"1."'",i , ,r, t I li.'r r'

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'

(c

l rI

l I II

as conerrones del suslrato 1,.1 ll cjdad, pero debe recordurse 11rrr, si cs posiblc, cl sustato p dcl NItOS s conectado a lA lensin ms negativa existentc en el circuito y el n del PNI0SFET debe ser conectado a la tensin ms positiva del cir Cuando u, > 0, los terminalcs de drenador y dc surtidor estn cus tra la ligura. Cuando u, < 0, los terminales de drenado y surtidor se Para poner el CMOS en el estado de conduccin, uo debe ser rrn4 Positiva grande, V", y para ponerlo en cortc, a" debe ser una tensin gande, -- y.. Si Vx es suficientemente grande, ?, y ?z conducen
Obsrvese que cuando u,

la puesta cn c0rte dc 7'r requicre que u"o(?r)

:(u,).o*- i, r, ,r.

..

V.>(u,)..u"-V,
rndo el nrisnro ejcnrplo que antes, con

(3.&eD)

--

5V

que sc debc telcr

<

u,

Y <

<

5Vy

3 V.

Vr-2Y,

,"r(I)

u,

i"

V, por lo

0, uor(?r) : uso(Tz) : Dt- t)o, uo"(?r) = y que la corriente de salida es

u.

V.,

- 1r.J(r, - u") -- (u, - u"),1 f /r,[2(u, . V*-Yn)(u,- r")-(or--,,)t] La misrna ecuacin esulta si u, ( 0. Si ponemos k = k^ : k, y Y, =
se puede simplihcar esta ecuacin

k"[.2(v, --

queda

i" :4ft(Vx

- V)(u,*

u")

3.8-1. En la gura 3.8-3a estii cprcsertado un interruptor FET er el est en paralclo con la carga y cn la figura 3.6-3 se mu'estra el clcu[o 'de tensin dquivalente. El FET est caracterizado por los valores k : 10_! . 2 V. La ter,sin de entrada u vala ente y V. _a tensln de puefta - csbrc :+ 3 yx, ), la tcnsin utillzada para poner en conduccln el interruptor y. :rlo en corte es_,c:.Sl nr: l0 kO: (a) demostrar quo lq rosistcncla cund0 se .utjllza ,.n csta conflguracin es aproxlmadaetrte constqnte n tI::'i19,1, u" <5 2(i"r- v'): () suponiendo que Rr es constante, rEr; (c) Utlllzando cl vator tte fierir hllaCo po.i, iO, hariar u, y ,,; (d) d.erenrinaf yx para que (u")* "u fnxim: ( 2(1,," __ i'f) y tanbin ^d: curdo,el intcrruptr conduzca, y nattar tanrtritn i?", p""^ u",3,0,1.,, e l0r dc I r; (PJ lrrllsr yp cuando la pueria elt en cl estado de cortc. (o y ) I'or (3.2-2a) y ta flgufa 3.8-3 hallamos que paa ,r positiva o

La resistencia efectiva del CMOS es pues Rc.tros:

i-:,7

A.vl2(y,v

V)u"

-o|l

4k(vN-vr)

,qr = l0 kQ

i:? r.
4,

t'dl

Cuando u, :0, la dos resistencias son iguales. Cuan'do u, aumenta, la de ?, aumenta (puesto que u",, disminuye) y Ia resistencia de T, (puesto que ucr aumenta). La vaiacin es tal que la resistencia paralelo valente se mantiene aproxirnadamente constante, Para que ?, -v T, permanezcan simultneamente en conduccin y que la do tnsil en el inteuuptor FET, u u,, sea pequea cuando uo : Jr,u sg sario que uo.(?r): V,r-(u,)..* > Y, y u""(T): (u),.,rn - V," > V El esultado es vlido para ui > 0. Sin embargo se llega al mismc oo cuando T, y ?, conducen. Por tanto ?l cuando ,r < 0 ya que u,

De aqui que la resistencia dcl CIIOS sea lineal e independienic de u,. Se demostrat fcilmente que (3.8-7) es vlida para I positiva o negatira. Es interesante obsetvar quc T, y.T, act_anQom rcsistores.en !l

conduccin cuando

R, = l0

kQ

yn> y+
y T, conduce cuando
Vr,

(uJ_"*

> Vr-

(u,)o,,'
g(and6 p3t6 fc - vN

Por e,jemplo, si Y < u, < 5 V J Yr:Z V, se debe tencr Vr yp y La puerta en el -5 estado de corte de T, requiere que ,o (a)r < Vt" De donde V

P.qu.o p.r vc - -y. (b)

V" < V

(u)-i"

ptof FE'f para ct cjcmplo 3.8-1r(n) cicito; (b) circuito

cqLrivalentc.

\\1, \i r'. :- I (t !

Ii \' ol)tfr)(r \'')' rrrritnl,r' tl{'\l)"t ' ixr t l l(ifririrrlr llll I /ilri.r : I, \:. 2i,r(r,,v l,)

(c) (lll1ll(1o su Llliliz lrt

'1'1111

,,.'
y
pucsto qte ('j)a'

,,r

l'rtr l;_:; I ii,

\!orr

fnt :1:tl,; ir,,,r,.1,, l'r" rrrrri,rr) i \ trittcho ttrr"'t rltrrr sobrc l l'cnsiirrr rtrnbal :.f llr " r 1I ., r\,\ l.nl rl r'tia\,)rr,q'ga il ,',,,' i. i,',trir,, ,'u',,""t de l tllodo ss sokr 0'7 V y' por lT rto' unr totllilial' vaiot al ttlsPcctrl j, iFllt {,-,,1,r,,"1!rl,r rtr;t trrtt,rtlilr tlill 21} ", ':otl lt rr r Iil:l r.tttl ir'tt iltrlutttlt .t" ]ll,l:ll].f il:'':;,,.:li::"',liti" 4l1i',J;n'"'',': Lt,:::1, lcll\lr)n l:l dc rlr lfri\rllr' 0; l l' ; t ot ,:', lr 'r''r I r'rlt:rrlo dc cl \r'ior'l lr i . rlr'l 'livis'rI ,;., ' t ""r:r irrrrr'|!r'|1 '| ' l'rrrl f'l'fr ''rrr''r l 'r'

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il olle cuando el Inl !rlll'l tr I (,,),,^,

lilc"oll

(lclrcrlos esigLlaldad hailatrros clu'r Rcsolvicnd.o Vr ) 0,35 V' V p0nem0s '";i"^;.,-;"." aseguar quc"uol1'r < 0'Lr1

: fTroa;; . ( 2(r'^ r'-) " '\'-Y

clgir
1

: 50 lti. ri t,,,r.r hrsta

ctrlar LLt nanua

(l I 25'C

l?p1 ausi la l.cnpelaluia \umelrta ilasba 125 "C'

la

ji. '
r^ La

a)0lo,oorr(roor

- l0li !)
rtra varia-

cd,'rx !9 llturo v '

clegir 1"' (le nrorLo (lut de donde deducimos que debenos

+ 20(!^ - \'r) >i 100

,rTJ',t

{'sLa al'ltcJrlon lida es dcsi rPci rblc err

_ ll caractcrjsli"a dcl intersnr CNIOS y rnuc"trr l s . -^!..-^ -^l--o la caacteristi'a sobre t" ".rr.tpriqfir: *p.",";';: 'r "lt"i" t r" temperatura

entradacntrada-

V--.Vr
st

'r V

.,, ;;;, p^* que el rr-r :r _r'ruLrL!ri"".i,r..".liri" () ll\ li: (:i Parx ;;;';i'FEi.::.'ltl"ll il :;' ;, ,:i; - '"-'r\'. ;1, (r,,)u!n ,;''l:, " rrr qrf la cond.lcl0rl ti^
: V" i';:-?
dc , consideremos

es ura

(lon condicin mucho s riguros :_ roo !) tu''r r v. ,l(FsT : 7 V.

Ir

2 V dfi)crllos tcrlcr lfx

>

l/5s = l0

\/

pl. iili:l- "..os clcgir

lo que
da

i,' ^,, v' d' -..^ 'l ' o ,^

I

{r 4 =+l15b Tb'-55"
I/sJ=5V

Y.

V" I

(r,)!n,

'- .9r <2 -:):

--:t

\"
. 3.9-1 Cxractcristica tntradr'srlida dc hvrscr C]IOS en funcin de la tensron

EN LOS 3.9 ;EFECTOS DE LA TEMP EBATURA

f\'IOS FET

y la

tcnrpcretura

la tcrnpcratura clc la ntisna tlaneia La tensin umbral V, l'aria con dccir caida tle tcnsin en un diodo' es

CARGA EL DISPOSITIVO DE ACOPLAMIENTO DE

ildispositi,,o de acoplamiento de carga (CCD).se *t]t"i .seales analgicas y como registro de desplazamiento tttitt. ,titll"-". con varias ;;;;:. ;i.r"".""i.""i ccD es un MOSFET construido en que el croquis tir. *"n'uao vaios millares de ellas La ligura 3 10-14 es al suralicada u' " una tension de entrada ffi;;'i;;

AVt
a7'

: -- 2 nrVl"(i
a 12'C" A?"= 100'C
21)0

ffi;;

"iYltl:ii:^::Til ll;il

Si |r,=2 V a

25 "C, cnlonccs

I'

AVr - ( - 2 :n\'/ (l)(10() '(ll I ir'l l.r:r'., t'r{l?ir'(i) ' \'7(2ir'(:) \\'r

mv

';;;;;i; e""^ alimentacin riiy una tensin negativa

de un csisto

S \r'

dc carga.

aplicada al drenador a - Vo,

163

la vaiacin de la tensin de pueta.

//,i,v..rir dij las pullJr. ;5Lo nace que Ia carga salga del drenador despus dc un retardo dado que

i,!.cna l-,..

d.;.;;.;;i",r;;.

surtidl|, it| a. ,;.,;ii!:

El CCD ecibe las muestras de tensin u,(/il) de una tensin entada o de una seal binaria de entrada. Supngase que ur ,ea poriti-el rnstante :0 y que la tensin u"l sea negativa en la puerta 1, de
umbral V.. Entonces los huecos fluyen desde la meado alededor de la puerta t. 56 replesentado en la ligura 3.10-1. paa detener el flujo de Carga, la entrgda se educe de manera que usot sea menor que Vr. Ahor los manecen de la I y no avanzarn ms ya quc !a puerta i .debajo -puerta al potencial ms negativo en el dispositivo. Para hacer qur la carga se desplace hacia el drenador disminulnlos mente la tensin de la puerta 2 y aumentamos lentamente la tensin en la ta 1. El resullado est ilustrado en la figura 3.1{l-1c en el tiempo I : AT.
del tipo p
,rcl excede de la tensin

y ental en el minicanal

mente en

ilamar pozo-de potencal sinplemente pozo al miriicarlai, yu qo"..p.o regin de minimo poteucial) debajo de l puerta 2. La tensin O" ta pu.r1 aitora uo1 :0 V. Para hacer que la carga se desplace ms hacia el denador timos el proceso disminuyendo bruscamente Ia tensin en la puert 3 mj se aumenta lentamente la tensin en la puerta 2. Esto est iepresentado figura 3.10-1d. Anlogamente, en cada tiempo T movemos la cargn de puerta hasta otra puerta adyacente hasta que l0 carga llcga debajo de la ,t G": f^ur. tensiones en Ia puerta G," y en el drenadJ estin ilustradas enl 3.9-t.. Obsrvese que la tensin en la puerta G_ es menor quc en !i1," noor' esta diferencia es menor que V, para que Ios huecos no fluvau d leo hasta.la pue.rt G,". Cuando aumenta la tenin en la puerra 0; ::::lt:l de la tensin cxistente en el drenador, cncima los huecos fluyen y entran drenador iaciendo que apaezca un impulso de tensin ent-e los extei Ia ca;ga R".
A/

7', todos los huecos han entradc en

el

pozo (es una prctica

Cn Gn't

C.66

vss

(a)

Fi8. 3.10-r Dl disposjtivo de coplaule[ro de caga (CCD); (d) vista

(tantnud.tu|) {r, l(.D5)o ,.s tr ft i,,(r de ersurtiorl,sa i!-;;;;i;,,'i;;li:':lc r.= o-rorta,do cmo re mucvcn en lA pucta G y en e -'\?*'"'vncsenl:?;(d)tensone!enl ' T * T;

(e)

Tffi.-,{''.lu.h.,....u,\Lll]1ilf\'1tlltu|lc,I)LIu|tts jitl t"t'" r,'rrrd u" . ,,.,. ,.. /, ci 'r' t'"''ttt""''tttt'tti" ; ?, , :':,']]:::i:t";:.:i: ,, , , "1.. r .., "i retrdo ."] ,.,' ,,,,, lj i..., ''r'1,'r i ltjr I r"l ' _i;, t'n l3
I

I'u lll . l, "xfil \' ;:' t'" l' - ,'.,r,,,ra \'fz de cargi( fs lll r:lrgl' tll \'f cn llL tr tn ',, =: lc sirlrt ....,,.,,,.i. 1!,, rlr It, lrrri -. s,raucll(.i Ll! lellsi(rlrfs tll rLlril t:qu'"': r. |usds I.in ll i)ricticn :: lt-:.' ,,;,;l. ;r' , , , ,tr tt, .trrLrr qLru tLltitoa i\crrintionos tt nir\'rr tcrsiLin. i\cfirLtn(lonos ,, l,;.',i;i.::l:tj:i,, {, srll l"t 1.,,Jjr,,rtu lll tctsiLin. l" "al srtlLllr(rrirL t,, lLrrft.r l:.r".'1'.,,',."'.,,,, ,ii; , 1,,,.t,,u, I,ortlrrt si gl r;. a lrlic:rrl rrn,.r seeunda ttnslon lrilrr\f rL'r" ,,1',i".tr, i,"r," n.e G" ha'r ll,: .,i:t,",]''1,11., r,."'',ti,i..

....r.,. .. Ul I,l '.: Lf cxcede dc rl'rort orrdsnrcnre L'uvL..'.-,,."-,i" dcbajo Jc silicio delralo li "tli::::,,i lerrsi 'rr lrt'rL."trr -i., tlio ii''lo dc rci l" lr ttnti''n .,. *r'::ndel t,, ,rapa del tli'tido (rui)rt". rllrlrtr0 lu fluio .^^\- ,. pro,lu., ,i.,.i,u'. permnente por excesivo rr' 100, "'-".ri"1. l,slr l,rrtLl' r)frBrrr

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()u( ,lijmnu\c ,\l; i;,^: ,irnurni*a irilirsir' ta,ias'cn la ligura 3 10-2'

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rica, nientras ra cars de seiar

Fig. 3.11-1 cicuito

le proteccin

con diodos'

, ct""" --+-^.ra positivas qe '' rorrtr l-rsIlLlcs tenst0nes ^^lr:r tro^"i-'"".,," 'Eldiodo h l3 prolege Puerta Dr D' diodo terminal del dreEl el del lerminal f"er''-::"ji;?;;,;.;;;;"
abl nivcl de tensin dc l^ i": : 11' ;, rux 3i

jtTlJ:: j:ilJi :T 1,",1 ll ;;,: ; ; i;''::,:l:: ,\traria no afccta sertamcnre I**'J:'J "' ;",; i;,,,; ,,: ,",
I .rrtrculxrnrcnte

" i",'l';;li i;,;:li:r::::."rtl'lJ,r1,ii

,."1

"^-r.q i;';:x,i i' :: :: il.', ::i:: ::l,u:lJ':i'"iiffi ',:: ii^'q :1 ii''* son rrjacin i:;T'ff il, i,i::t ?; i*l' # de i: ::'i :t' :{::,';^ accin "*:' " "tu i-:',Tffi:,"i1':iffiIuJ;il;;"ulo'

futltl-,^

de rcnsiones negatrvas excesivas-

.inPortrnl 'll l,,', i utili:rrdo cl CCI) lrn cstt clts

''"r.InI":^,:.r,1.1].:; ^';, clr l: r .., rr, r lr,

?;,i,".,,,'n
sufr icntc

u"-0,7 <u" <0'7

parr prcvelrir 1l ruptuta'

u'

(3.11-1)

Ps dcclr de surtiJor y drcnrdor' el nrrrett lipico de lxs tensiollcs

+20v'

rltrdtl

167

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ti{-,h

teistica excelen.re del l,{t)SFET Lt{oS estnclar c<f""" poi D^_ ejenrpto, cMoS ^:^_.-,.,

l,i,.Iji""3l..: Ls altos pero tambin apreciablenente

ximos
*

La tabla 3.12-l puede servir para compara-r el BJT de potcncia, y el J l,,_"l"ese que er B Jr g tiene,,io,.,' jl,i1ll: nu r*]
rneroes

fab canlrs Irotegcri al FF)l de rotcncia c0rltra excesivas car{as est_ cneclalilr) Lur diodo Zcncr de 2ir V cntre la puer-rr y .l ,urrru"t, .ou 56e la 1igu.L lJ.l2-l. Ln h prctica ci sustrato del to"f,Sirtoi J.'pot.n.iu :utrdo intcri .rll,1rL, Ia ..,- , a n)asa de raja e,lLrau manera quc el tliodo o rlesvia torfs-los'tansitoios . *"riJ"'r"'.".;;;;a;rl; desacoplaaen -0,t- a 1.25 V.
,0s

i',r-t
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Corapracln d lo, transl!toro! {to po!encl.

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es uri cr'roi-co;;;;;;; :i:,".1 salida -amplin"caaor pueda varia.cntie 0 v 10 v: Et transistor ;;

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yu. pr:11

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ser. excitado

del NOSFE.I. de potcncia se produce cuando u""

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Dl.cltanic Design,

Atrll,

1976, pg. 6?.

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Fis. Pl.6-5
curvas de la flgura 31_5 r el .IFET inveso de Ia ligura P3 6'6 descrito por las rtr"trrr de u- eligiendo y la recta de carga sobre las curvas tO'i""i'*iti"" '"i"

$,
I:is.
I)16-2

r1,-2,-4,-5V.

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cn cr esrar,o ,rro sur,o i,,n(r(, ,"i?'j1;,1]" '1"'i:il ;lf ;"5?. *1"' i:i I';..: l;ii'il:i":';;';':('l {,,j,t"":^=.i,;,,i1. ,as isistencias cq,ivn n;," ,lii

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rJcr

trsisro, prros

-*','i
Fis. Pl.6-6

rrtrru ue rcnson dcl cortfol rlc l:::,1':li-il:'ilI]38lcsnrcjoarcrrmirc.dctcnsindcrco,r,orrrc rtr'l ,l cortu c rin,to L ;;nutcrn r ,]l,",li' rcprcscnta un cortoctrcrjto tl cono Lrna cn: r^,r.nrojrli.rijcr..ra.rr.,r,.,^.., l r.ul, r" fr'.orr.rl ,,r.ur -l..1:q: 17., 16 . 1ar 'tc \i I ,ti\ ll \', .Jlculrr /,r,, s" tal cn, l. qre -j.''.",'"lx:i el diodo cst{ sicmpre blerto con cl tor cn {:on(lLrccin. S"".. ,,^,, ;^_-,.-or,,lr. ;1, ":,'i'."i1:, ,jill:::i:" ii,l i:r";,;;'::';ii: irrc,rupto, i1". """"i""li"

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9.9.7. Repti cl

probJenra 3.6-4

para

l( ltguri 3.6-l y la itgua

3.6-2(.

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ii'i'":il.",,;:if:,11,;l:,:::Il..j$,i:?:..il 1;,,ljli;;i,.,J,i,,,;ll: A(u'-2,-(rz-Dt-a

caractcristicas dc tl

3.8-0. Hallar las

l**;tii*:lh

;.t,itiixtj !,.,1,"ffrilj*;:iJ;:,i;::,;,,13:tfl",;,,,t
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Fi8. Pr -l

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,,"",tfi 3:"; "u () nepetir la parte

*l "1li':.f*y:'ili,.:,3", i, Ylm J.'; ; u"" Io

;::fi:";'*311,;:Ei1ii"*Jj1"i:r*rHn,1i1pi,*;rniiir*
1,"" J,T:?iff ',': v, vl. =--Vv ;;;:r'""i;"'i:l rX curva d" tansr (d) para lss : 10 V, y"p _ 2 V y yr : 4 V.

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ura 3 ?'2'

R,_ 6,8 kO y 11 _ s n..,:r,,,r cr nt",rur,ror abi.rro. :l (r) llll.:l rrcrcf' tnJr I I Lt nroJo q,rc /t.,.- .._ IlLllO, Es suflcicntc parl mantenc ct intc_ cr conducctnl - - r.r ,r"rrr)l.r . s: r1 t,.r,nJu,tc tr.cr-r,rl Jc ccntro es igul a fol2.

En lx ndrira :i.i:1,1 suJ)ollfr

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