Theses On ZnO Et SnO

MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE
SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE MOULOUD MAMMERI DE TIZI-OUZOU
Facult de Gnie Electrique et dinformatique
Dpartement dElectronique

THESE
Prsente par
Farida NEMMAR BELHOCINE
Pour lobtention du diplme de
Doctorat
En Electronique
Thme :
Etude et ralisation des cellules solaires photovoltaques
base de matriaux organiques

Devant le jury compos de :

EL KECHAI Omar Professeur Universit M. MAMMERI, Tizi-Ouzou Prsident
BELKAID Med Said Professeur Universit M. MAMMERI, Tizi-Ouzou Rapporteur
DJESSAS Kamel Professeur Universit de Perpignan ,France Examinateur
LAGHROUCHE Mourad Professeur Universit M. MAMMERI, Tizi-Ouzou Examinateur
CHIKOUCHE Ahmed Directeur de recherche UDES, Alger Examinateur
HADJ ARAB Amar Directeur de recherche CDER, Alger Examinateur

Je ddie ce travail :
ma chre maman qui a tout sacrifie pour moi, grce elle que je suis l, et
grce elle que je serais loin.
mon mari et mes enfants Amel et Fatah que, Dieu vous protge. Je leurs
souhaite tout le bonheur du monde, et je leurs dit : Merci pour tous les beaux
moments quils ont sacrifi pour laboutissement de ce travail .
la mmoire de mon pre, que dieu lait dans son vaste paradis.
Tous ceux et celles qui mont aid et encourage de prs comme de loin
[Rabia, Saliha ,Fatiha, Nacera]
Remerciements

REMERCIEMENTS
Le prsent travail a t ralis en partie au Laboratoire des Technologies
Avances du Gnie Electrique (LATAGE) de luniversit Mouloud
MAMMERI de Tizi-Ouzou et en partie lInstitut dElectronique du Solide et
des Systmes, luniversit de Strasbourg. Llaboration des films TCOs
(Transparent Conducting Oxides) a t faite au laboratoire LATAGE et leurs
caractrisations ont t effectues au sein de lInstitut de Physique et Chimie
des Matriaux Strasbourg (IPCMS).
Tout dabord, je remercie tout particulirement mon directeur de thse
Monsieur Mohammed Said BELKAID, Professeur luniversit Mouloud
MAMMERI, pour m'avoir confi ce travail et pour la confiance qu'il m'a
accorde ainsi que pour ses nombreux conseils, ses encouragements et son
enthousiasme communicatif. Ces orientations et discussions scientifiques mont
t dune aide considrable.
Mes remerciements sadressent Monsieur Yves Andr CHAPUIS,
enseignant-chercheur (Universit de Strasbourg), et Thomas HEISER,
Professeur luniversit de Strasbourg, pour mavoir reue au sein du
laboratoire INESS. Ils ont su morienter et me tmoigner aide et assistance.
Je voudrais remercier vivement les membres du jury qui mont fait
lhonneur dexaminer ce travail, Monsieur Omar EL AKECHAI, professeur
luniversit Mouloud MAMMERI, Tizi-Ouzou en tant que prsident du jury et
Kamal DJESSAS, professeur luniversit de Perpignan, France, Mourad
LAGHROUCHE, professeur luniversit Mouloud MAMMERI, Tizi-Ouzou,
Ahmed CHIKOUCHE, directeur de recherche lUnit de Dveloppement des
Equipement Solaires (UDES), Alger et Amar HADJ ARAB directeur de
Remerciements

recherche au Centre de Dveloppement des Energies Renouvelables (CDER),
Alger, qui ont manifest lamabilit dexaminer ce travail.
Mes remerciements concernent galement les membres du laboratoire
LATAGE de mavoir soutenus, Djedjiga Hatem, Fazia BOUMEDINE, Ouiza
BOUGHIAS, Kahina LAGHA, Sadia MAIFI, Lounja CHIBANE, Ourida
OURAHMOUN, Ouardia BOUDIA, Kahina MEDJENOUN, Mohammed
MOUSSOUNI, Dalila HOCINE, Hakim TAHI et Rachid ZIRMI.
Je tiens remercier chaleureusement Guy Schmerber, Ingnieur de
recherche lIPCMS et Youssef JOUANE doctorant lINESS, pour leur aide
inestimable plus spcifiquement dans lapport des outils de caractrisation.
Jexprime toute ma gratitude aux membres de lquipe du photovoltaque
organique du laboratoire INESS avec qui jai travaill, Nicolas
ZIMMERMANN, Stefan ROQUES et Phillipe KERN.

Je tiens remercier Mr Said GERMAH et Mme Horia SI YOUSSEF de
mavoir soutenue et conseill.

Sommaire
i

Sommaire
Liste des figures
Liste des tableaux
Introduction 1
Chapitre I : les cellules solaire organiques 6
I- Le soleil 7
I-1- Constantes dillumination 7
I-2- Labsorption de la lumire 8
I-3 Les filires technologiques du photovoltaque 9
I-3-1- La filire silicium 9
a-Silicium monocristallin 9
b- Silicium polycristallin 9
c- Silicium en couches minces amorphe 9
I-3-2- Cellules en couches minces 10
a- Matriaux base de tellurure de cadmium 10
b- Matriaux base de slniure de cuivre indium 11
I-3-3- Les cellules multijonctions III-V 11
I-3-4- Les cellules nanocristallines colorant 11
I-3-5- La filire organique 12
II-Les cellules solaires organiques 12
II-1 - Historique des cellules photovoltaques organiques 12
II-2- Les semi-conducteurs organiques 13
II-2- 1- Les systmes conjugus linaires 14
II-3- Fonctionnement des cellules photovoltaques organiques 16
II-3-1- absorption des photons incidents
et gnration dexcitons
A
16
Sommaire
ii

II-3-2- Diffusion et dissociation des excitons
D
18
II-3-3- Transport et collection de charges
C
18
II-4- Paramtres des cellules 19
II-4-1- Caractristique courant tension et schma quivalent 19
a- Courant de court-circuit, I
CC
19
b- Tension circuit ouvert, V
CO
19
Facteur de forme, FF 19
c- Le rendement 20
II-4-2- Le circuit quivalent 20
a- Cas dune cellule idale 20
b-Cas dune cellule relle 21
II-4-3- Structure des cellules solaires organiques 21
a- structure monocouche (jonction Schottky 21
b- Structure bicouches (jonction p-n) 22
c- Structure de type htrojonction en volume 23
III- Etat de lart 25
III-1- les cellules base de petites molcules 25
III-2- Les cellules solaires base de polymres 26
a. Le poly (p-phnylne vinylne) PPV 26
a- Les polythiophnes 29
Chapitre II :avantages des cellules solaires organiques 31
I- Avantages et limitation des cellules solaires organiques 32
II- Facteurs limitant le rendement dans dispositifs photovoltaques
organiques 34
II -1- Gnration d'excitons 34
II -2- Diffusion et dissociation des excitons 35
II -3- Transport des porteurs de charge 37
II -4- Collection des lectrons la cathode 38
II -5- La collection de trous l'anode 38
III- Optimisation du processus de fabrication pour les cellules base de
Sommaire
iii

polymres: drivs de fullerne 39
III-1- moyens de contrle d'auto-organisation de polymre
conjugu en tant que donateur dans la couche active 40
a- Effet de poids molculaire de P3HT 40
b- Effet de Rgiorgularit de P3HT 41
b- Effet de du taux d'vaporation du solvant 43
d- Effets du recuit thermique des films P3HT : PCBM 44
e- Composition du mlange donneur /accepteur 45
III- 2 - Variation du mtal de la cathode 46
III- 3- Utilisation des cellules solaires organiques
structures inverses 47
a- Avantages et ncessit de la structure inverse 47
b- stratgies d'amlioration de la performance de la cellule
solaire organique structure inverse 49
IV- Dgradation des cellules photovoltaques organiques 51
IV-1- Vieillissement 51
IV- 2- Dgradations des cellules en labsence deau et doxygne 52
a- Ct cathode 52
b- Ct anode 52
IV-3- Dgradations des cellules en prsence de leau et de loxygne 53
a- Ct cathode 53
b- Ct anode 54
IV-4- Dgradation des cellules sous illumination 55
IV-5- Dgradations des cellules par la temprature 55
IV-6- Techniques pour amlioration de la dure de vie des cellules
solaires organiques 57
IV-6-1- Encapsulation 57
Sommaire
iv

IV-6-2- Couche tampon entre la couche active et les lectrodes 57
a- Couches tampons de BCP et de TPBI 57
b- Couche tampon en Alq3 58
c- Structure inverse (Couche tampon C
60
) 58
d- Couche tampon : LiF 60
Chapitre III : Les TCOs pour les cellules solaires organiques 61
I- Les Oxydes Transparents Conducteurs (TCO) 63
I-1- Choix de TCO pour les cellules solaires 64
I-1-1- Loxyde de Zinc ZnO 64
I-1-2- Dioxyde dtain (SnO
2
) 65
I-2- Dpt chimique en phase vapeur (CVD) 66
I-3- Dpt chimique en phase vapeur pression
atmosphrique (APCVD) 68
a- Nettoyage des substrats 69
b- Dpt des couches minces ZnO et SnO
2
par APCVD 70
II-Caractrisation des films SnO
2
et ZnO dposs 71
II-1- Techniques de caractrisation 71
II-1-1- Diffraction des rayons X (DRX) 71
II-1-2- Microscope lectronique balayage 72
II-1-3- Microscopie force atomique 74
II-1-4- Spectroscopie UV-visible 75
II-1-5- La photoluminescence PL 76
III- Rsultats 76
III-1- Les films SnO
2
76
III-1-1- La structure 76
III-1-2- Les proprits optiques 82
III-2- Les films de ZnO 84
Sommaire
v
III-2-1- La structure 84
III-2-2- Proprits optiques 86
Chapitre IV : Paramtres photovoltaques des cellules 87
I- Les structures conventionnelles 88
I- 1- Exprimentation 88
I-1-1-Fabrication des dispositifs 88
a. Prparation des substrats 88
b. Dpt de couche interfaciale PEDOT : PSS 88
c. dpt de la couche active 88
d. Dpt de cathode dAluminium Al 89
I-1-2- Caractrisation 89
I-1-3- Rsultats et interprtation 91
a- Evolution des paramtres photovoltaques en fonction
du rapport de masse de P3HT :PCBM dans le mlange 91
b- Evolution des paramtres photovoltaques en fonction la
concentration du P3HT : PCBM dans le mlange 94
c- Effet du recuit thermique 96
II- Structures inverses 98
II-1-Exprimentation 98
II-1-2- Fabrication et caractrisation des cellules
solaires structure inverse 98
a. Gravure de des films ZnO et SnO
2
et nettoyage de le surface 98
b. Dpt de la couche active P3HT : PCBM 99
c. Dpt de la cathode MoO
3
/Ag 99
II-2- rsultats et interprtations 100
a- Effet de lpaisseur du SnO
2
et de ZnO sur les paramtres
photovoltaques des cellules 100
b- Effet de lpaisseur de la couche de MoO
3
105
Sommaire
vi

c- Effet des rayons ultraviolets 107
d- Effet du recuit thermique sur les paramtres photovoltaques
des cellules structure inverse 109
Conclusion 112
Bibliographie 115

Liste des figures

Figure I-1- Description du nombre air masse
Figure I-2: Evolution du diagramme des bandes en fonction de la longueur de la
chane .
Figure I-3 : Principe de fonctionnement d'une cellule photovoltaque organique
Figure I-4 : circuit lectrique quivalent dune cellule solaire idale sous clairement.
Figure1-5: structure de la cellule solaire organique type Schottky et son diagramme
de bandes dnergie.
Figure I-6- structure de la cellule solaire organique type bicouches et son diagramme
de bandes dnergie.
Figure 1-7 : structure de la cellule solaire organique rseau interpntr.
Figure I-8 : structure chimique des phtalocyanines et de merocyanine.
Figure I- 9 : structure chimique du poly(p-phnylne vinylne) ou PPV.
Figure I-10 : structure chimique de MEH-PPV et du fullerne C
60

Figure I-11 : Structures chimiques de quelques drives du polythiophne
Figure II- 1: Spectre d'absorption du mlange P3HT: PCBM (aprs recuit 160
o
C
pendant 30 minutes) et le spectre AM1.5 [65].
Figure II-2 : Rendement des cellules solaires base de P3HT :PCBM avec diffrentes
rgiorgularits du P3HT (les couleurs noir, rouge et bleu indiquent 95,2% ; 93% et
90,0% respectivement) en lignes continues sans recuit et en lignes discontinues aprs
recuit 140C pendant 2 heures [67].
Figure II-3 : Caractristique J(V) pour des dispositifs diffrent taux dvaporation du
solvant de la couche active. Le temps dvaporation du solvant sont : 20 min pour
No.1 ; 3min pour No 5 ; 40 S pour No 6 et 20 S pour le No 7 [10].
Figure II.4 : Variation des paramtres des dispositifs photovoltaques base de
P3HT : PCBM (1:1 en masse) en fonction de temps de recuit sous AM1.5[89]
Figure II-5 : Variation des paramtres des dispositifs photovoltaques base de
P3HT : PCBM en fonction de la masse du PCBM [70]
Figure III -1 : structure cristalline de SnO2
Liste des figures

Figure III-2 : Reprsentation schmatique des processus de la CVD.
Figure III-3 : montage exprimentale du dpt chimique en phase vapeur pression
atmosphriques (APCVD)
Figure III-4 : Schma de plans rticulaires dindice h, k, et l en positions de diffraction
Figure III-6 : Schma synoptique dun microscope lectronique balayage
Figure II.7 : Schma synoptique dun microscope force atomique AFM
Figure III-10 : Les spectres de diffraction des rayons X des chantillons SnO
2
.
Figure III-11 : Les spectres de diffraction des rayons X des chantillons SnO
2
(100)nm.
Figure III-12 : micrographies AFM deux dimensions et trois dimensions du
SnO
2
(200nm)
Figure II-13- micrographies AFM 2D et 3Ddu SnO
2
40nm, 100nm et 60nm
Figure III.13 : Les spectres de photoluminescence SnO
2
diffrentes paisseurs
Figure III-14- spectre de transmission et dabsorption du SnO2 sur des substrats dITO
en lpaisseur de la couche de SnO
2
Figure III-15- Images AFM du ZnO sur des substrats dITO et sur des substrats de
verre.
Figure III-16- Spectre de photoluminescence du ZnO sur des substrats dITO en
fonction de la couche de ZnO.
Figure III-15- spectre de transmission et dabsorption du ZnO sur des substrats dITO
en fonction de la couche de ZnO.
Figure IV-1 : structure des cellules solaires conventionnelles utilises dans cette tude
Figure IV -2- Dispositifs exprimentaux de dpt de la couche active des cellules .
Figure IV -3- Dispositifs exprimentaux de caractrisation lectrique des cellules
Figure IV -4 : micrographes MEB des chantillons P3HT :PCBM sur des substrats de
verre, pour une concentration de 40mg/ml,pour un rapport P3HT : PCBM de 1 :04 (a),
1 :06 (b) et 1 :08 (c).
Liste des figures

Figure IV- 3 : volution du facteur de forme FF, la tension de circuit ouvert Vco , la
densit de courant court circuit Jcc et le rendement de conversion des cellules en
fonction du rapport des masse PCBM / P3HT , pour une concentration de 40mg/ml.
Figure IV-4 : volution du facteur de forme FF, la tension de circuit ouvert Vco , la
densit de courant court circuit Icc et le rendement de conversion des cellules en
fonction de la concentration de mlange P3HT : PCBM, pour un rapport de masse
P3HT :PCBM de 1 : 08.
Figure IV-4 : volution du facteur de forme FF, la tension de circuit ouvert Vco , la
densit de courant court circuit Icc et le rendement de conversion des cellules en
fonction de la concentration de mlange P3HT : PCBM, pour un rapport de masse
P3HT :PCBM de 1 : 08.
Figure IV- 5 : spectre dabsorption des films P3HT : PCBM pour les concentrations
50mg/ml et 80mg/ml.
Figure IV-6 : leffet du recuit thermique sur la caractristique courant tension I(v) tout
en fixant le rapport P3HT : PCBM 1 :1, pour les concentrations 40 mg/ml.
Figure IV-7 : leffet du recuit thermique sur la caractristique courant tension I(v) tout
en fixant le rapport P3HT : PCBM 1 :08, pour la concentration de 40 mg/ml.
Figure IV- 8 - structure des cellules solaires structure inverse utilises dans cette
tude.
Figure IV-9 : caractristique I(V) des cellules et le tableau rcapitulatifs des
paramtres photovoltaques des cellules types verre/ITO/ SnO
2
/P3HT : PCBM/ MoO
3
/Ag en fonction de lpaisseur de SnO
2
, pour une paisseur de MoO
3
de 5nm.
Figure IV-10 : les courbes I(V) des cellules en fonction de lpaisseur du SnO
2
, pour
une paisseur de MoO
3
de 20 nm.
Figure IV-11 : spectre de transmission et dabsorption des la cellules de type
ITO/SnO2/P3HT : PCBM /Ag
Liste des figures

Figure IV-12 : Caractristiques I (V) des cellules type verre/ITO/ SnO
2
(40
nm)/P3HT:PCBM/ MoO
3
/Ag sous illumination en fonction de lpaisseur de MoO3 .
Figure IV-13 : caractristiques I (V) des cellules de type : verre/ITO/ SnO
2
(40 ,60 et
100 nm)/P3HT:PCBM/ MoO
3
( 3 nm)

/Ag en fonction de la dure des lexposition aux
rayons UV.
Figure IV-14 : variations des caractristiques I-V cellule de structure
ITO/SnO2/P3HT : PCBM /MoO3 /Ag suite au recuit thermique 140C, et expos
aux rayons UVs pour diffrentes dures.

Liste des tableaux
Tableau II-1 : Densit du courant court circuit en fonction de la longueur donde au
maximum du spectre dabsorption.
Tableau II-2 : Variation des paramtres des dispositifs photovoltaque base de
P3HT : PCBM (1:1 en masse) en fonction de la cathode.
Tableau III-1 : RMS des chantillons SnO
2
en fonction de leurs paisseurs
Tableau III-1 : RMS des chantillons ZnO en fonction de leurs paisseurs.
Tableau IV-1- tableau des paramtres photovoltaques des cellules type Verre /ITO/
PEDOT : PSS /P3HT : PCBM (1 :1)/ Al en fonction du recuit thermique.
Tableau IV-2- tableau des paramtres photovoltaques de la cellule type verre/ITO/
PEDOT : PSS /P3HT : PCBM (1 : 08)/ Al en fonction du recuit thermique, pour la
concentration de 40 mg/ml.
Tableau IV- 4- tableau des paramtres photovoltaques des cellules type verre/ITO/
SnO
2
/P3HT : PCBM/ MoO
3
2
.
Tableau IV-3: tableau rcapitulatif des paramtres photovoltaques des cellules type
verre/ITO/ SnO
2
/P3HT : PCBM/ MoO
3
(3nm)

/Ag en fonction des lpaisseur de
SnO
2
.
Tableau IV- 5 : paramtres photovoltaques des cellules de type /ITO/ ZnO/P3HT :
PCBM/ MoO
3
/Ag en fonction de lpaisseur de ZnO.
Tableau IV- 6: paramtres photovoltaques des cellules de type /ITO/ SnO
2
/P3HT :
PCBM/ MoO
3
/Ag , aprs recuit 140C en fonction de la dure des UVs.

1

Introduction
Introduction

2

Introduction :
Depuis la rvolution industrielle du 18
me
sicle, la consommation mondiale
dnergie na cess de crotre en parallle avec le dveloppement des technologies.
Actuellement, la production de lnergie provient essentiellement des
ressources fossiles (charbon, gaz et ptrole). Depuis le dbut des annes 1970, les
efforts ont t dcupls pour dvelopper de nouvelles sources dapprovisionnement.
La fission nuclaire a dabord t identifie puis fortement sponsorise comme une
source dnergie alternative. Aprs la catastrophe nuclaire de Tchernobyl, un grand
intrt sest port sur le dveloppement des autres sources dnergies renouvelables
non polluantes et sans risques majeurs tel que le soleil, le vent, la chaleur de la terre
et les chutes deau.
Lutilisation des cellules photovoltaques pour obtenir la conversion de
lnergie solaire en lectricit est une voie prometteuse pour exploiter cette source
dnergie durable.
Le dveloppement des cellules photovoltaques a commenc en 1839 lorsque
Henri Becquerel a mis en vidence lapparition dune tension aux bornes de deux
lectrodes immerges dans une solution lectrolytique, lorsque celles-ci taient
exposes la lumire naturelle. Trente-huit ans plus tard, W. G. Adams et R. E. Day
ont observ un effet similaire en clairant un chantillon solide en slnium. En
1954, des chercheurs des laboratoires Bell Telephone Laboratories ont fabriqu la
premire cellule solaire base de silicium monocristallin, ayant un rendement de
conversion en puissance de 6%.
Le dveloppement des programmes spatiaux a ensuite entran une demande
de cellules solaires base de semi-conducteurs tels que le silicium, qui sont
rapidement devenues une source incontournable pour lalimentation des satellites.
Ce nest quau dbut des annes 1970 et surtout aprs les crises ptrolires
successives que les pays industrialiss ont port leur intrt sur les systmes
photovoltaques pour des applications terrestres. Actuellement, les rendements ont
atteint plus de 32 % en laboratoire et entre 8 et 16 % pour les cellules du commerce.
Introduction

3

Diffrents matriaux ont t utiliss pour fabriquer ces cellules mais le
silicium cristallin occupe la plus grande part avec 87,6 % du march mondial suivi
par le silicium amorphe avec 8,3%.
Pour une utilisation intensive des modules solaires dans tous les domaines, le
prix des cellules solaires doit tre rduit dun facteur 4 pour tre comptitif sur le
march de lnergie. Le prix des semi-conducteurs utiliss et le cot lev des
tapes dlaboration demeurent un handicap pour une utilisation intensive de ce
type de dispositifs. De nouveaux dveloppements sont alors indispensables pour
produire des cellules solaires faible cot.
linitiative des chercheurs, de nombreuses innovations ont t prconises
pour modifier la structure de collecte des charges et employer des matriaux autres
que le silicium.
Les cellules bases de matriaux organiques apparaissent comme une
technologie alternative aux cellules inorganiques : les matriaux organiques sont
moins chers et offrent lavantage dune laboration facile des tempratures
proches de la temprature ambiante. Cela autorise la ralisation de grandes surfaces
pouvant tre flexibles et sous forme de films minces. Ainsi les quantits des
matriaux utiliss sont faibles.
Nombreuses activits de recherches visent dvelopper de nouveaux
matriaux de bon marchs permettant doptimiser la structure des cellules solaires
organiques pour amliorer leur efficacit et diminuer leur prix de fabrication. Bien
que les cellules solaires base de loxyde dtain dop indium (ITO) comme
lectrode sont les plus exploites ces dernires annes, la pnurie de lITO ainsi que
les problmes de stabilit des dispositifs cause de lacidit de la couche tampon
PEDOT : PSS, font de la recherche une nouvelle voie dans le domaine des
matriaux, savoir les nouveaux les oxydes transparents conducteurs (TCO)
comme lectrode.
Cest dans ce contexte quentre notre travail. Il sagit de llaboration et de
ltude des proprits physiques et optiques des deux oxydes TCOs (ZnO et SnO2),
Introduction

4

diffrentes paisseurs, afin dtudier et doptimiser les paramtres photovoltaques
des dispositifs.

Le choix de ces deux oxydes TCOs utiliss dans notre travail est bas sur les
avantages suivants :
- Ils ne sont pas toxiques.
- Ils sont trs abondants sur la terre.
- Ils ont un faible prix de revient.
Ce manuscrit est organis de la faon suivante :
La premire partie (chapitre I et chapitre II) expose en premier lieu, quelques
notions sur les cellules solaires notamment les cellules et les matriaux organiques
suivie par un ltat dart sur les diffrent travaux effectus dans le domaine du
photovoltaque organique. Ensuite, nous prsentons quelques avantages et
limitations des cellules solaires organiques ainsi que quelques solutions qui
amliorent le rendement et la stabilit de ce type de cellules.
La deuxime partie (chapitre III et chapitre IV) dcrit les diffrentes tapes
exprimentales suivies pour llaboration des couches minces SnO2 et ZnO et leurs
applications pour les cellules photovoltaques organiques structure inverse. En
premier lieu, nous dcrivons les conditions et la technique utilise pour les dpts
de ces couches de TCO, en loccurrence le dpt chimique en phase vapeur
pression atmosphrique (APCVD) et nous citons les diffrentes techniques utilises
pour la caractrisation de nos films.
Dans la dernire partie, nous exposons et discutons dabord, en dtail, les
rsultats de tous nos travaux, en commenant par les proprits structurelles et
optiques des films SnO2 et ZnO labors. Par la suite, cest ltude des cellules
photovoltaques structure conventionnelles de type ITO/PEDOT : PSS /P3HT :
PCBM/Al. Dans cette tude, nous allons illustrer les diffrents paramtres qui
influent leur rendement savoir, la concentration des matriaux de la couche active,
Introduction

5

le recuit thermique et les rapports de masse entre le P3HT et le PCBM. Enfin, cest
lapplication des TCOs raliss pour les cellules structure inverses.
Nous terminons ce manuscrit par une conclusion gnrale dans laquelle nous
dgageons lensemble des rsultats significatifs que nous avons obtenus durant ce
parcours de travail.

6

Chapitre I

Les cellules solaires organiques

Chapitre I Les cellules solaires organiques

7

Les cellules bases de matriaux organiques apparaissent comme une alternative
aux cellules inorganiques : les matriaux organiques sont moins chers et offrent
lavantage dune laboration facile des tempratures proches de la temprature
ambiante. Cela peut permettre la ralisation de composants photovoltaques,
employant des couches minces, de grandes surfaces et flexibles conomisant ainsi la
quantit de matire utilise.
I- Le soleil
Le Soleil est assimil un corps noir rayonnant une temprature de 6000K,
compos de gaz consistant en 70% d'hydrogne et 28% d'hlium, les 2% restants
reprsentent la plupart des autres atomes prsents dans l'univers. Son diamtre est de 1
391 000 km et se trouve une distance de 150 000 000 km de la Terre.
Quant son volume, il est lquivalent de 1 300 000 fois le volume de la Terre avec
une densit de 1,41 contre 5,50 pour la Terre, sa masse est de 330 000 fois la masse de
la Terre soit 2 milliards de tonnes. Il reprsente 99,867 % de la masse totale du
systme solaire, c'est--dire que lensemble de toutes les plantes et comtes ne
reprsente presque que le millime du Soleil.
I-1- Constantes dillumination
Lintensit lumineuse issue du soleil normalement incidente sur la surface de la
terre est appele la constante solaire. Cette constante est approximativement dune
valeur de 1400 W/m
2
au dessus de la couche atmosphrique et est rduite sur Terre
1000 W/m cause de la rflexion et de labsorption des particules prsentes dans la
couche atmosphrique. Cette perte est appele la masse dair (AM). La dsignation
AM0 est relative une masse dair nulle pour la lumire arrivant au-dessus de notre
atmosphre incidence normale, correspondant ainsi lnergie de 1400 W/m
2
qui est
aussi lnergie reue par la Terre au dessus de latmosphre. Le titre AM1 correspond
lui une mme lumire arrivant la surface terrestre soit un clairement de1000
W/m
2
. Lappellation AM1.5 dsigne la masse dair rencontre pour la lumire arrivant
48.2 sur la surface de la terre, soit une lumire plus faible du fait que lpaisseur de
la couche atmosphrique traverse est plus grande.

8

De manire gnrale, lindice m associe la masse dair (AM m) est calcul
comme suit :
m 1/ sin( ),
tant langle entre lincidence des rayons lumineux et lhorizontale la terre.

Figure I-1- Description du nombre dair-masse
I-2- Labsorption de la lumire
Dans les cellules photovoltaques plastiques, le matriau organique doit absorber
le maximum de lumire sur une paisseur assez faible pour avoir un bon rendement.
Considrons un matriau organique dune paisseur e, travers par un flux
nergtique monochromatique AM
0 ;
le flux nergtique traversant une paisseur x du
film organique est donn par la loi de Beer-Lambert :
) exp( ) (
0
x x =
est le coefficient dabsorption du matriau, exprim gnralement en cm
1
.
On dsigne la densit optique DO par la valeur log(
0
/).
La transmission T, exprime en gnral en pourcentage, est dfinie par la relation
suivante :
) exp(
0
O D T = =

42

9

I-3 - Les filires technologiques du photovoltaque
Les progrs dans le domaine de lnergie photovoltaque se font travers
plusieurs technologies et sont incessants depuis 1970. Il est noter que les rendements de
conversion prsents dans ce paragraphe constituent les records certifis (janvier 2008)
[1]
.

I-3-1- La filire silicium
La filire silicium reprsente actuellement 99% du march des
modules photovoltaques. Il est lun des lments les plus abondants sur Terre,
parfaitement stable et non toxique. On trouve plusieurs filires technologiques pour
le photovoltaque silicium, dune part les cellules base de silicium massif
(monocrisatllin, polycristallin, rubans) dites de premire gnration et qui
constituent lheure actuelle lessentiel des modules photovoltaques commercialiss
et dautre part la technologie base de silicium en couches minces.
a-Silicium monocristallin
Il existe deux mthodes par lesquelles il est possible dobtenir du silicium
monocristallin de qualit lectronique, mais ncessitant cependant une dpense
dnergie considrable. Le silicium obtenu permet dobtenir des rendements de
conversion records en laboratoire, de lordre de 25 % pour des cellules de 4 cm

(Universit de New South Wales, Australie) [2,1]. Linconvnient de cette
technologie est le cot prohibitif de production des matriaux.
b- Silicium polycristallin
Le silicium polycristallin est produit par des techniques de croissance qui
assurent la formation dune structure colonnaire avec de gros cristaux (dnomm
silicium multicristallin) afin de limiter les effets nfastes des joints de grains. Les
rendements de conversion industriels, qui taient de lordre de 8 10% avant 1980, sont
actuellement de 16 17 % pour des (grandes) plaquettes de 200 cm
2
[3].

Il sagit de la
technologie la plus reprsente sur le march du photovoltaque car elle allie la fois
des rendements de conversion levs avec un cot de production faible par rapport
la filire silicium monocristallin.

10

c- Silicium en couches minces amorphe
Depuis les annes 1970, des recherches intensives ont t entreprises pour
utiliser du silicium non cristallis, c'est--dire ltat amorphe. Ce sont les cellules
utilises dans des calculatrices ou des montres dites solaires . Le silicium amorphe
prsente plusieurs avantages, en particulier son fonctionnement possible en intrieur
sous faible clairement contrairement au silicium cristallin, son fort coefficient
dabsorption, sa faible consommation nergtique durant le cycle de production et son
aptitude tre dpos sur des grandes surfaces (de lordre de 1 m
2
). Cependant, les
cellules photovoltaques base de silicium amorphe prsentent de faibles rendements
(infrieurs 10 % au niveau industriel) et une diminution assez rapide de leurs
performances au cours du temps [3]. Lavenir des couches de silicium amorphe passera
probablement par un mlange avec le silicium cristallin. En effet, les htrostructures
base de silicium amorphe/silicium cristallin prsentent des rendements de
laboratoire de plus de 21 % et de 16 % en production industrielle.
I-3-2- Cellules couches minces
a- Matriaux base de tellurure de cadmium
Jusqu une date rcente, il tait admis que la filire base de Sulfure de
Cadmium et de Tellure de Cadmium (CdS-CdTe) reprsentait lune des approches les
plus prometteuses pour le photovoltaque terrestre. La bande dnergie interdite de
valeur de 1,45 eV du CdTe est idalement adapte au spectre solaire [3]. En outre,
son trs grand coefficient dabsorption fait que la quasi-totalit du spectre est absorbe
sur une profondeur de 2 m. Les rsultats sur le rendement de conversion sont trs
encourageants : prs de 11 % sur une surface de 4900 cm
par BP Solarex [1].

Cependant, les problmes denvironnement associs lutilisation du Cadmium
freinent les tentatives de dveloppement de cette filire.
b- Matriaux base de slniure de cuivre indium
Avec un coefficient dabsorption 100 1000 fois plus fort que celui du
silicium cristallin (dans la gamme de 1,1 2,6 eV), le Dislniure de Cuivre et
dIndium (CIS) est un matriau trs prometteur [3]. Ce compos type I-III-VI, a un
rendement thorique de lhtrojonction (n) CdS-(p)CuInSe2 qui se situe autour de 25

11

%. Les cellules base de composs de type Cu(Ga,In)(Se,S)
2
ont rcemment atteint
des rendements de conversion record de 18,8 % en laboratoire[1]. Malgr les difficults
connues pour matriser cette filire grande chelle, un rendement de 12,8 % a t
obtenu sur le plan industriel.
I-3-3- Les cellules multi jonctions III-V
La filire des dispositifs multijonctions, dite de troisime gnration
permet daccder aux rendements records dans le domaine de lnergie photovoltaque
se limite actuellement aux applications spatiales. Cette technologie repose sur
lutilisation de plusieurs cellules de bandes interdites diffrentes, chacune optimise
pour une partie diffrente du spectre solaire. Les rendements les plus levs ont t
obtenus avec des structures bases sur des empilements de composs III-V en pitaxie.
Ces dispositifs, parfois appels tandems fonctionnent dj, et permettent
datteindre un rendement de 32 % avec le systme triple-jonction GaInP/GaAs/Ge
sous un spectre standard [1]. Grce des systmes de concentrateurs de lumire,
permettant de dcupler la puissance solaire reue par la cellule, des rendements de plus
de 40 % ont mme t obtenus avec cette technologie, ce qui constitue un record absolu
en terme de conversion photovoltaque [4].
I-3-4- Les cellules nanocristallines colorant
Inspire par la photosynthse, lquipe de Michael Grltzel a dvelopp au dbut
des annes 1990 des cellules solaires composes dun lectrolyte, dun colorant et
dun oxyde semi-conducteur inorganique. Le meilleur rendement certifi et report est
de 10,4 % pour une cellule de 1 cm
2
, ralise par la socit Sharp [1]. Des tests de
stabilit effectus montrent que la dure de vie des cellules est de 20 ans en
fonctionnement. Cependant, cause de fuites possibles de llectrolyte liquide, celui-ci
est remplac par des lectrolytes solides pour lesquels les rendements chutent alors
6,7 % [5]
.

I-3-5- La filire organique
Si leffet photovoltaque a t observ dans les matriaux organiques depuis plus
de 30 ans, les premires cellules prsentaient des rendements de conversion en

12

nergie trs faibles, de lordre de 10
-5
%. Ds 1978, Merritt prvoyait que les valeurs
du rendement pourraient dpasser les 1 % [6], mais ce nest quen 1986 que ce
rendement a t atteint avec les travaux de Tang (PCE = 0,95 %). Pendant les
annes qui suivirent, cette valeur a parfois t reproduite avec des matriaux
diffrents, mais elle na jamais t amliore. Ce nest que depuis le dbut du XXIe
sicle que le rendement a recommenc crotre, atteignant 2,5 % avec les travaux
publis par Shaheen [7], 3,6 % avec ceux de Peumans [8] sous clairement AM1,5
avec une puissance lumineuse de 1000 W/m
2
et enfin 4,2 % avec une double
htrostructure de C
60
et de phtalocyanine de cuivre [9]. Lquipe de Heeger a mme
obtenu un rendement de 6,7 % avec des cellules de type tandem . Cette valeur reste
encore trs faible si on la compare aux rendements obtenus avec les autres
technologies. Cependant, plusieurs raisons justifient les efforts consentis pour
dvelopper la filire organique et qui rsident dans les avantages que prsentent ces
matriaux. En effet, ils peuvent tre mis en forme facilement par voie sche ou voie
humide (tournette, jet dencre) avec des techniques issues de lindustrie de la
microlectronique. De plus, les quantits de matriaux utilises sont relativement
faibles, les films ayant des paisseurs de 100 nm. Lingnierie molculaire permet en
outre dadapter les valeurs de la bande interdite et des niveaux dnergie. Enfin, cette
technologie permettrait daccder des modules photovoltaques flexibles et de
grandes surfaces.
II- Les cellules solaires organiques :
II-1 - Historique des cellules photovoltaques organiques
Malgr les progrs obtenus dans lamlioration du rendement des cellules
solaires organiques, le doute subsistait quant une future utilisation de ces dispositifs
cause de problmes tels que la stabilit et la dure de vie des cellules. La
commercialisation des premires diodes lectroluminescentes base de matriaux
organiques par Pioneer en 1996 a attnu les critiques concernant la stabilit des
matriaux organiques et leur capacit linorganique dans certains dispositifs
lectriques.

13

Rcemment, des rendements de plus de 2,5 % ont t reports dans des
publications et un prototype ayant un rendement de 5 % a t fabriqu en laboratoire.
II-2- Les semi-conducteurs organiques :
Un semi-conducteur organique est un matriau organique possdant les
proprits de conduction des semi-conducteurs inorganiques.
Les semi-conducteurs organiques diffrent des autres matriaux organiques du
fait que leurs molcules possdent deux types de liaisons, une liaison simple de type
et une liaison double (liaison ). La liaison permet une certaine libert de
mouvement des lectrons, ce qui est lorigine du caractre semi-conducteur du
matriau.
Pour amliorer la conductivit des semi-conducteurs organiques, ces derniers
doivent tre dops. Le dopage des semi-conducteurs organiques peut seffectuer soit
par loxydation (dopage n) et rduction (dopage p), soit par le procd
lectrochimique.
Les semi-conducteurs organiques sont trs utiliss comme couche active pour les
dispositifs lectroluminescents tels que les diodes lectroluminescentes, les transistors
effet de champ et les cellules solaires.
Lavantage dutilisation des semi-conducteurs organiques revient la facilit de
les laborer, leur flexibilit, la possibilit de fabriquer des dispositifs sous plusieurs
formes et surfaces, mais surtout leur faible cot de fabrication.
Les semi-conducteurs organiques offrent la possibilit de fabriquer des
dispositifs des basses tempratures et sous plusieurs formes sur des substrats
flexibles comme les plastiques et le papier.
II-2-1- Les systmes conjugus linaire
Un systme conjugu linaire est dfinit comme un systme prsentant une
alternance de liaisons carbone simples () et liaisons doubles (+). Si lon parle en
termes dorbitales atomiques, cest lhybridation des orbitales 2pz du carbone
(perpendiculaires la liaison plane ) qui forme la liaison .

14

Les lectrons jouent un rle majeur dans les systmes conjugus puisque leur
ionisation est aise. Au niveau molculaire, les lectrons peuvent tre jects des plus
hauts niveaux lectroniques () occups de la molcule (HOMO : Highest Occupied
Molecular Orbital) ou capturs dans les plus bas niveaux lectroniques (*) inoccups
(LUMO : Lowest Unoccupied Molecular Orbital).
La mesure par lectrochimie des potentiels d'oxydation et de rduction de la
molcule donne la diffrence d'nergie entre les niveaux HOMO et LUMO. La
dlocalisation des lectrons confre au systme des proprits de polarisabilit et une
rigidit augmentant avec la conjugaison.
En effet, au fur et mesure de l'allongement de la molcule, l'cart entre chacun
des niveaux (ou *) diminue et la diffrence d'nergie entre les niveaux HOMO et
LUMO diminue aussi. Cela explique le dplacement du maximum d'absorption vers le
rouge lors de l'augmentation de la conjugaison. A la limite de la chane infinie, les
orbitales sont si proches qu'elles forment une bande d'nergie. On parle alors de bande
de conduction (BC, ensemble des orbitales *) et de bande de valence (BV, ensemble
des orbitales ) spares par une bande interdite d'nergie Eg. Le modle des bandes
permet alors d'expliquer les proprits originales des systmes conjugus en phase
solide.

Figure1-2: Evolution du diagramme des bandes en fonction de la longueur de la
chane
Energie
LUMO
HOMO
LUMO
HOMO
LUMO
HOMO
BC
BV
Ethylne Octattrane
( )
2
( )
n
Poly(actylne)
Butadine

15

Ainsi, mme pour un solide, on appellera niveau HOMO, le niveau haut de la
bande de valence et LUMO, le niveau bas de la bande de conduction. La bande
interdite du matriau Eg est l'nergie ncessaire pour former une paire lectron-trou et
spare ces deux niveaux.
Enfin, on considre que la position du niveau HOMO par rapport au niveau du
vide correspond pour un solide lnergie d'ionisation Ip. De mme, la position du
niveau LUMO par rapport celui du vide correspond pour un solide laffinit
lectronique A
E
.
En premire approximation, on peut galer le gap Eg du matriau la diffrence
entre le premier potentiel d'oxydation Eox
1
et le premier potentiel de rduction Ered
1

de la molcule, aux nergies de solvatation de la molcule sous sa forme oxyde (S+)
et rduite (S-) selon la relation [5] :
)
1
1
1
1
1 ( ) ( ) (
1
2
1
+ + =
+
s s E E Eg
red ox

Avec
1
et
2
les permittivits dilectriques du solvant et du matriau.
On peut distinguer deux familles de systmes conjugus linaires : les polymres
et les petites molcules.
Les polymres sont constitus dun large nombre (10-10
3
) dunits identiques,
lies ensemble par des liaisons covalentes. Ils sont dposs en films minces
gnralement partir de leurs solutions.
Les oligomres sont des petits fragments de polymres de longueur dfinie (2-12
units). Ils peuvent tre solubles ou non, et forment gnralement des films minces
polycristallins.
Les petites molcules sont complmentaires des polymres. Elles sont
gnralement dposes par vaporation sous vide.


16

II-3- Fonctionnement des cellules photovoltaques organiques
Leffet photovoltaque est bas sur la conversion de lnergie lumineuse en
nergie lectrique. Cette conversion implique un ensemble de processus physiques qui
font intervenir plusieurs rendements :
1. Absorption des photons incidents et gnration dexcitons ;
2. Diffusion et dissociation des excitons ;
3. Transport et collection de charges.
II-3-1- Absorption des photons incidents et gnration dexcitons
A
:
Labsorption de photons dans un solide se traduit par lapport dnergie aux lectrons
du niveau HOMO. La transition vers le niveau LUMO entrane lapparition dun trou
qui reste li llectron par interaction lectrostatique mutuelle. Le couple
lectron-trou, lectriquement neutre, est alors appele exciton (Figure I-3). Lorsque
les deux charges sont localises sur la mme molcule ou sur la mme unit monomre, il
est appel exciton de Frenkel; au contraire, si la distance entre llectron et le trou
correspond plusieurs units monomres, cest un exciton de type Wannier. Dans les
matriaux inorganiques, la valeur de lnergie de liaison des excitons

est trs faible
(14,7 meV pour le silicium) et lnergie thermique est suffisante, temprature
ambiante, pour sparer les deux charges lies. Il nen est pas de mme dans les
matriaux organiques, puisque les valeurs de cette nergie sont de lordre de plusieurs
centaines de meV. Il en rsulte une difficult dissocier les charges qui restent lies
temprature ambiante. La prsence dun champ lectrique local est requise pour que
sexerce une force capable de surpasser lattraction coulombienne. Pour y parvenir,
la prsence de deux matriaux avec des niveaux nergtiques diffrents est
ncessaire. Lun est appel matriau donneur (ou de type p) pour la capacit quil
a donner un lectron, lautre matriau tant appel accepteur (ou de type n)
pour la capacit quil a accepter un ou plusieurs lectrons. En outre, la dure de vie
dun exciton est de quelques nanosecondes. Faute de dissociation, llectron rejoint le
niveau HOMO en cdant son nergie de manire radiative (photoluminescence) ou
non-radiative (chaleur).

17

Figure I-3 : Principe de fonctionnement d'une cellule photovoltaque organique

II-3-2- Diffusion et dissociation des excitons
D
:
Les excitons ont une dure de vie trs courte, de lordre de quelques
nanosecondes. Si rien ne se produit pendant ce temps , llectron et le trou se
recombinent et lnergie de lexciton se transforme en un nouveau photon ou en chaleur.
Il faut donc dissocier les charges lies avant leur recombinaison. Les excitons ne sont
pas localiss sur une molcule. Pendant leur dure de vie, ils peuvent diffuser travers
le solide en transportant de lnergie dexcitation sur une distance L
D
plus ou moins
grande selon le matriau considr. Si la valeur de L
D
peut atteindre 4 m dans certains
matriaux inorganiques, elle est beaucoup plus courte dans les organiques avec une
valeur de 5,5 nm pour les polythiophnes par exemple [7, 8]. Pour que les excitons
puissent atteindre un site de dissociation (la jonction donneur/accepteur), il faut quils
soient gnrs une distance infrieure L
D
de cette interface.

Electrode transparente Electrode mtallique

18

II-3-3- Transport et collection de charges
C
:
La dernire tape de la conversion photovoltaque consiste ramener les charges
lectriques vers les lectrodes. Les proprits de transport des matriaux organiques
ont t discutes par Schott [9]. Pour que cette diffusion soit aise, les matriaux
organiques doivent possder des mobilits de trous
h
et dlectrons
e
les plus
grandes possibles. Les valeurs publies, qui dpendent de la mthode de mesure
utilise, sont de plusieurs ordres de grandeur au-dessous de celles caractristiques des
inorganiques (pour le silicium monocristallin
e
= 1 500 cm
2
.V
-1
.s
-1
et
h
= 450
cm
2
.V
-1
.s
-1
).

Pour les matriaux organiques, les valeurs les plus grandes, on peut
citer celles du pentacne (e= 2 cm
2
.V
-1
.s
-1
) [10]

et du poly(3-hexylthiophne) (e=
0,7 cm
2
.V
-1
.s
-1
) [11].

Elles doivent tre au moins gales 10
-3
cm
2
.V
-1
.s
-1
pour des
paisseurs de film de 100 nm [12]. De plus, il est important que les valeurs de
mobilits soient voisines pour les deux matriaux donneur et accepteur utiliss, de
faon que les charges narrivent pas plus vite une des deux lectrodes. De manire
gnrale, le transport des charges lectriques est amlior lorsque lordre molculaire
augmente, mais galement par la purification des matriaux. Les impurets agissent
comme des piges qui diminuent fortement les mobilits [13].

II-4- Paramtres des cellules photovoltaques
Une cellule photovoltaque est caractrise par un rendement de conversion ,
une tension circuit ouvert V
CO
, un courant de court-circuit I
CC
et un facteur de forme
FF. Les caractristiques courant- tension sont utilises pour dterminer ces paramtres.
II-4-1- Caractristique courant tension et schma quivalent
Les performances dune cellule solaire photovoltaques sont caractrises par un
certain nombre de paramtres, extrait de la caractristique courant- tension:
a- Courant de court-circuit I
CC

Il sagit du courant obtenu en court-circuitant les bornes de la cellule. Il crot
linairement avec lintensit dillumination de la cellule et dpend de la surface

19

claire, de la longueur donde du rayonnement, de la mobilit des porteurs et de la
temprature.
b- Tension circuit ouvert, V
CO

La tension circuit ouvert est obtenue quand le courant qui traverse la cellule est
nul.
Elle dpend de la barrire dnergie et de la rsistance shunt. Elle dcrot avec la
temprature et varie peu avec lintensit lumineuse.
c- Facteur de forme, FF
La puissance fournie au circuit extrieur par une cellule photovoltaque sous
clairement dpend de la rsistance de charge (rsistance externe place aux bornes de
la cellule). Cette puissance est maximale (note P
max
) pour un point de fonctionnement
P
M
(I
M
, V
M
) de la courbe courant -tension (courants compris entre 0 et I
CC
et tension
comprise entre 0 et V
CO
). Ce point P
M
est obtenu en modifiant la valeur de la rsistance
externe quand laire du rectangle dfini par les axes Ox, Oy et les droites x = I
M
et y=
V
M
passe par un maximum. Il est dfini par la relation suivante :
Icc V
I V
Icc V
P
FF
CO
m m
CO
= =
max

d- Le rendement :
Le rendement des cellules photovoltaques dsigne le rendement de
conversion en puissance. Il est dfini comme tant le rapport entre la puissance
maximale dlivre par la cellule et la puissance lumineuse incidente P
in
.
in
co cc
in
P
V I FF
P
P
= =
max

Ce rendement peut tre amlior en augmentant le facteur de forme, le courant de
court-circuit et la tension circuit ouvert.
II-4-2- Le circuit quivalent
a- Cas dune cellule idale

20

Si lon considre le cas simple dune cellule idale jonction donneur-accepteur
soumise un flux lumineux, celle-ci fonctionne comme un gnrateur de courant. Son
schma quivalent (Figure I-4) est reprsent par une diode idale monte en
parallle avec une source de courant. Rs est une rsistance srie lie la rsistivit
volumique et limpdance des lectrodes et des matriaux. La pente de la courbe
I(V) au point V
co
reprsente linverse de la rsistance srie (1/ Rs). R
sh
est une
rsistance shunt lie aux effets de bord et aux recombinaisons volumiques. La
pente de la courbe I(V) au point I
CC
reprsente linverse de la rsistance shunt (1/ R
sh).
En gnral, la valeur de R
sh
est plus grande que celle de Rs dau moins un ordre
de grandeur. Pour minimiser les pertes, il faut diminuer Rs et augmenter R
sh
. Le cas
idal est reprsent par R
sh
gale linfini et Rs gale zro [14].

Figure I-4 : circuit lectrique quivalent dune cellule solaire idale sous
clairement.
b- Cas dune cellule relle :
Dans une cellule solaire relle, les rsistances de contact dues la rsistivit des
matriaux des lectrodes et les interfaces mtal/matriau organique, les pertes
ohmiques dues la rsistivit des lectrodes gnrent une rsistance Rs qui sassocie
au schma lectrique dune cellule solaire en srie avec le rsistance de charge Rc .
Le courant qui traverse la rsistance de charge Rc scrit alors:
(
\
| +
= 1
' (
exp
KT
RsI v q
I I I
s ph

O I=i-I
ph
,Is est le courant de saturation de la jonction et I
ph
est un
courant inverse proportionnel la lumire incidente.

R
C
-Iph
i

21

II-4-3- Structure des cellules solaires organiques :
a- structure monocouche (jonction Schottky) :
Ces structures sont formes dun polymre conjugu unique dpos entre deux
lectrodes : un mtal et un semi-conducteur transparent ou TCO (transparent
conducting oxide).Le schma de ce type de structure est reprsent la figure I-5. Un
des contacts mtal/ matriau organique prsente un comportement ohmique, lautre un
comportement rectifiant. Le champ lectrique gnr linterface bloquante, forme
une barrire de potentiel qui est responsable de la dissociation des excitons. Des
travaux ont dabord t mens sur le polythiophne et ses drivs [15,16],

sans grand
succs (rendements infrieurs 0,001 %). Lintrt sest ensuite orient vers le
poly(p-phenylne vinylne) [17] avec des structures ITO/PPV/Al prsentant une tension
de circuit ouvert de 1,3 V. Cependant, les performances de ce type de cellules restent
trs faibles. En effet, lhtrognit de la distribution des dopants et leur
accumulation linterface mtal/polymre contribue la dcroissance du rendement
[18,19]. Enfin, si lexciton est cr prs de linterface ohmique, il doit traverser toute
lpaisseur du matriau pour atteindre le site de dissociation.

Figure1-5: exemple de structure dune cellule solaire organique type Schottky et son
diagramme de bandes dnergie.


22

Pour augmenter lefficacit des cellules photovoltaques monocouches, on fait
appel au dopage de la couche active afin damliorer sa conductivit et par consquent
laugmentation du rendement de la cellule.
b - Structures bicouches (jonction p-n) :
Cette structure est compose de deux matriaux de natures diffrentes
(donneur et accepteur dlectrons) mis en contact entre deux lectrodes (Figure I-6).
Dans ce cas, les interfaces donneur/anode et accepteur/cathode sont ohmiques, donc la
dissociation des excitons peut tre attribue linterface donneur/accepteur. Ces
structures ont t dveloppes au dbut des annes 1990 par plusieurs quipes, dont
celle de A.J. Heeger Santa Barbara et les tudes menes ont dmontr lexistence
dun processus de transfert dlectrons photoinduits ultra-rapide entre un polymre
conjugu et le C
60
[20,21]. Ces travaux portaient sur la structure MEH-PPV/C
60
avec
des rendements trs faibles de lordre de 0,05%. Ces structures ont ensuite t
tudies en modifiant la nature du donneur et de laccepteur, et des rendements de
lordre de 1,5 % ont t obtenus [22,23]. Un des inconvnients de cette structure
bicouche est que seuls les 10-20 nm de linterface participent la conversion
photovoltaque. Une grande partie des photons absorbs ne conduit pas la cration
de porteurs libres cause dune distance de diffusion des excitons limite. Le mlange
du donneur et de laccepteur a donc ensuite t envisag pour essayer doptimiser
ces paramtres.
Lquipe de Forrest [24] a notamment dveloppe des cellules base de CuPc
et de C
60
atteignant un rendement record de 5,7 % pour ce type de cellules.

Figure I-6- exemple de structure dune cellule solaire organique type bicouche et
son diagramme de bandes dnergie.

23

Pour amliorer les rendements des structures bicouches, on se doit augmenter les
paisseurs des rgions actives en utilisant des matriaux de plus grande puret et de
concevoir de nouvelles structures de cellules.
c- Structure de type htrojonction en volume
Dans cette structure, la couche active est constitue dun mlange physique entre
le donneur et laccepteur dlectrons (Figure I-7). Ce type de cellules permet de
multiplier les zones interfaciales entre le matriau donneur et le matriau accepteur et
de rduire ainsi les problmes de pertes par recombinaison des excitons gnrs loin
de linterface. Cette structure a t dveloppe paralllement par les quipes de A.
Heeger et R. Friend en 1995 [25,26], qui ont utilis comme couche active un
mlange de MEH-PPV comme donneur et du CN-PPV comme accepteur avec un
rendement nergtique de 0,9%. Par la suite, en utilisant le copolymre M
3
EH-PPV
comme donneur et le CN-Ether-PPV comme accepteur, Breeze et al.[27] ont obtenu un
rendement nergtique de 0,6 % mais ont multipli par cinq le rendement quantique
externe maximal avec une valeur de 2,4 %. Dautres tudes sur le mme systme
ont montr des rendements de conversion nergtique de 1,7 % aprs optimisation
par recuit thermique [28] ce qui constitue le record pour des cellules base de
mlanges polymre-polymre.
A partir de 1995, de nombreux travaux ont port sur le mlange de drivs du
PPV avec du C
60
comme accepteur mais ce nest quen 2001 quun rendement de
2,5 % [29] a t obtenu Linz (Autriche) dans le groupe de N. Sariciftci. En
remplaant le C
60
par un de ses drivs appel PCBM, prsentant une meilleure
solubilit et formant de plus petites cristallites, les rendements ont progressivement
augment pour atteindre 3 % en 2003 avec le systme MDMO-PPV/PCBM [30] .
Dautre part, lquipe de O.Inganls en Sude a montr, la fin des annes
1990, lintrt des mlanges polythiophne/C60 [31,32]. En effet le polythiophne
a la capacit dabsorber plus de photons dans linfrarouge que les drivs du PPV.
Depuis, le mlange de poly(3-hexylthiophne) rgiorgulier comme donneur et de
PCBM comme accepteur a t la base de trs nombreuses tudes[33,34,35].

Une trs
grande importance a t accorde au contrle de la morphologie des films, en jouant

24

notamment sur le choix des solvants et les recuits thermiques. Un rendement de
lordre de 5 % a t obtenu par lquipe de A. Heeger en 2005 avec une cellule de
structure ITO/PEDOT-PSS/P3HT:PCBM/Al, ce qui constitue un record pour les
structures htrojonction en volume [36]. Depuis, les rendements stagnent et peinent
dpasser ou mme reproduire la valeur 5 %, ceci tant d notamment aux tensions de
circuit ouvert (Vco) qui plafonnent 0,7 V. Pourtant, une tude assez rcente a
dmontr que le systme P3HT : PCBM avait un potentiel de 10 % en termes de
rendement condition de pouvoir adapter les niveaux nergtiques des espces tout en
conservant leurs proprits lectroniques [37]. Pour contourner ces problmes, des
travaux rapportent le remplacement du PCBM par dautres accepteurs dlectrons
mais les meilleurs rendements obtenus sont de lordre de 0,45 % [34,35]. Lautre
facteur limitant pour le systme P3HT : PCBM est la faible absorption du P3HT
dans linfrarouge, qui a pour consquence la perte dune partie du rayonnement
solaire. Des copolymres de bande interdite de faible nergie, dits low
band-gap ont t tests comme substituant du P3HT [36,41]

mais les rendements
sont jusqu prsent dcevants avec un maximum de 3,2 % pour un
mlange PCPDTBT/PCBM [42].

Figure 1-7 : exemple de structure dune cellule solaire organique rseau
interpntr.


25

III- Etat de lart
III-1- les cellules base de petites molcules :
Les phtalocyanines ont t largement utilises dans la ralisation des cellules PV.
A ltat oxyd, elles sont des transporteurs de trous indpendamment de la nature de
lion mtallique insr (M=Mg, Zn, Cu, Al, Cl). Les phtalocyanines (Pc) ont un fort
coefficient dabsorption (10
5
cm
- 1
) dans une large rgion du domaine visible. Des
films de quelques dizaines de manomtre dpaisseur absorbent 50 70 % de la
lumire incidente. La figure I-8 prsente la structure chimique des phtalocyanines et
de mrocyanine.

Figure I-8 : structure chimique des phtalocyanines et de mrocyanine.
A.K.Ghosh et al. [43] ont ralis une cellule monocouche Al / MgPc / Ag dont le
rendement de conversion est denviron 0.01% sous une incidence monochromatique
(690 nm). Le phtalocyanine de magnsium a ensuite t remplac par la
merocyanine et une nette augmentation du rendement a t enregistr (1%). Cette
mme couche est par la suite remplace par phtalocyanines de zinc et de chloro-
aluminium, ceci donne des rendements de conversion trs faibles compris entre 10
- 2

% et 10
- 3
%.
Dans ce type de cellules, le rendement de conversion est gnralement infrieur
0.1%.
Des tudes sont principalement consacres aux couples Pc:C60 en rseau
interpntr. Un film composite de ZnPc :C60 avec une proportion en masse 1 :1 a
t insr entre le donneur (ZnPc) et laccepteur (MPP) dans la structure

26

ITO/MPP/ZnPc/Au afin daccrotre lefficacit de la zone active pour la dissociation
des excitons. Un rendement de 1.0
5
% a t obtenu.
Un rendement de 2.4% est publi par Peunans et Forrest partir de la structure
ITO/PEDOT/CuPc /PTCBI/BcP/Al.
En substituant le PEDOT par le C60, le rendement est amlior 3.6%.
III-2- Les cellules solaires base de polymres :
Les trois familles de polymres utiliss pour lapplication photovoltaque sont :
les PPV poly(p-phnylne vinylne), PT (le poly-thiophne) et PF (le poly fluorne).
a- Le poly (p-phnylne vinylne) PPV :
En raison de ses proprits de fluorescence, le PPV a t dabord utilis dans les
diodes organiques lectroluminescentes. Par la suite, des tudes de cellules
photovoltaques de structure ITO/PPV/Al ont montr un rendement de conversion de
0,1 %. Cette cellule a t aussi caractrise pour de faibles intensits lumineuses. Sous
un clairement de 0,23 mW/cm
2
, en tenant compte de la rflexion, un rendement de
conversion de 0,07 % a t obtenu.
Les faibles performances obtenues avec la structure ITO/PPV/Al sont
principalement dues la faible mobilit des trous dans le PPV.
La dcouverte du transfert de charges entre le polymre conjugu et le C60 a
permis dlaborer et dtudier des cellules photovoltaques bases sur ces deux
matriaux suivant diffrentes configurations.
Une cellule avec la structure ITO/MEH-PPV/C60/Au a t ralise et
caractrise par N.S. Sariciftci et al.refff !!!l. Un rendement de conversion de 0,04 %
sous illumination monochromatique 514 nm avec une intensit de 1 mW/cm
2
a t
obtenu.
La configuration htrojonction en volume, appele aussi rseau interpntr, a
t introduite par G. Yu en 1995. Une cellule photovoltaque a ainsi t ralise
partir dun mlange de MEH-PPV et de C60. Cette cellule a fourni un rendement de

27

conversion trs significatif de 2,9 % sous un clairement monochromatique dintensit
20 mW/cm
2
.
Une tude similaire a t faite en substituant le C60 par son driv PCBM, dont
la solubilit est meilleure. Cependant, le rendement de conversion obtenu est mdiocre
(de lordre de 10
- 3
%).
Les cellules base du rseau interpntr MDMO-PPV : PCBM ont fait lobjet
de nombreux travaux. Le rendement de conversion maximal obtenu avec cette
structure est de lordre de 2,5 % sous illumination AM 1,5.
Dautres accepteurs ont t tests avec le MEH-PPV dans la configuration
htrojonction en volume, tels que CN-PPV et PPEI. Les performances obtenues sont
peu significatives, le rendement tant infrieur 10
- 3
%.
Le poly (p-phnylne vinylne) ou PPV a t l'origine utilis comme film actif
dans les diodes organiques lectroluminescentes. Ce polymre conjugu (Figure I-9),
prsente galement un caractre photoconducteur s'il forme un contact rectifiant avec
l'une des lectrodes mtalliques.

Figure I- 9 : structure chimique du poly(p-phnylne vinylne) ou PPV.
Des structures ITO/PPV/Al pour lesquelles le contact rectifiant se situe
l'interface Al/PPV ont t ralises par S.Kargl. Le rendement de conversion donn
tient compte des pertes de lumire lies la rflexion et il est estim 0,1 %.
Cette cellule a galement t caractrise par H. Antoniadis pour de faibles
intensits lumineuses. Sous un clairement de 0,23 mW .cm
2
, tenant compte de la
rflexion, un rendement de conversion de 0,07 % a t obtenu.

28

Les principales limitations de cette configuration sont la recombinaison des
charges est la conduction d'une seule des deux espces lectroniques. Comme la
majorit des polymres, le PPV est de type p et transporte les trous.
La cellule ITO/PPV/Al a donc t modifie pour palier ces dfauts. Une solution,
mise en oeuvre, consiste mlanger deux espces de caractre diffrent. Le MEH-PPV
joue le rle de donneur et le fullerne C
60
, ou l'un de ses drivs fonctionnaliss pour
tre plus solubles, celui de l'accepteur. Leur structure est schmatise par la Figure I 10

Figure I-10 : structure chimique de MEH-PPV et du fullerne C
60

Le film composite favorise la proximit des deux lments et multiplie les
interfaces entre donneurs et accepteurs. Les charges gnres sont ainsi trs proches
d'un site de sparation. Le transfert est donc prs de 1000 fois plus rapide que tout
autre phnomne concurrent comme la recombinaison, qu'elle soit radiative ou non.
La continuit des deux rseaux assure ensuite le transport des lectrons et des
trous vers les lectrodes. Pour une longueur d'onde de 430 nm et un clairement de 20
mW.cm
2
, un rendement de collection de 29 % (lectrons/photons) et un rendement de
conversion de 2,9 % ont t mesurs avec une cellule Ca/MEH-PPV : [6,6] PCBM (1 :
4)/ITO. Le PCBM est un driv du C60 plus soluble. Dans les mmes conditions, le
rendement de conversion d'une structure ne contenant que du MEH-PPV ne dpasse
pas 3x10
-2
%.

29

Cette structure dite de type rseaux interpntrs a t reprise avec d'autres
composs organiques de type n comme le CN-PPV qui est un PPV sur lequel ont t
ajouts des groupes cyanos CN. Sous une limination de 20 mW.cm
2
430 nm, le
rendement de conversion photovoltaque est gal 0, 25 %.
b- Les polythiophnes :
Les drivs du polythiophnes PT ont t aussi largement utiliss dans les
dispositifs photovoltaques avec diffrentes configurations. La figure I-11 donne la
structure de certains matriaux base de PT utiliss dans les cellules PV.

Figure I-11 : Structures chimiques de quelques drivs du polythiophne.

Les polythiophnes sont largement utiliss pour les cellules solaires organiques.
La fonctionnalisation des monomres qui constituent les chaines polymres
conditionne ses proprits finales telles que sa largeur de la bande interdite et sa
solubilit, par consquent une large varit de drivs de polythiophnes sont
synthtises et utiliss comme couches actives pour les cellules photovoltaques
organiques (OPV).
Un rendement de 3,85% est, depuis, obtenu pour une cellule constitue dun
mlange de poly (3-hexylthiophne) P3HT comme matriau donneur dlectrons et
une drive de fullerne (C60) comme accepteur. Un rendement de 3,5% est aussi
publi par Padinguer et al [49] pour une mme structure.
La premire raison pour lutilisation des mlanges des drives des
polythiophnes et fullernes P3AT : PCBM pour les OPV est le transfert ultrarapide
des lectrons photoinduits du P3AT au PCBM dcouvert dabords par Sacricitci.
En 2003, les chercheurs de Linz ont montr que le rendement de cellules
composes d'un mlange interpntr de poly (3-hexyl-thiophene) (P3HT) et de
PCBM dpasse les rendements des cellules composes d'un driv de

30

polyphnylvinylne et de PCBM. Ds lors l'utilisation du P3HT en tant que polymre
conjugu donneur dans les mlanges interpntrs va se gnraliser dans la
communaut sur les cellules photovoltaques organiques.
La recherche sur les mlanges interpntrs continue et F. Padinger [43] a montr
qu'il est possible d'augmenter le rendement jusqu' 3,5% en combinant des cycles de
recuits et l'application d'une polarisation lectrique sur les couches de mlanges
interpntrs P3HT:PCBM. Par la suite, de nombreux travaux concernant
l'optimisation de la morphologie des mlanges interpntrs P3HT:PCBM vont tre
raliss. Ces travaux montrent que les paramtres les plus importants sont le recuit
thermique, le choix du solvant et le rapport massique. Nous citerons en particulier des
travaux datant de 2005 effectus par des chercheurs de l'universit de Californie Los
Angeles (UCLA) [44] et de l'Universit de Californie Santa Barbara (UCSB) [31]
qui ont annonc des rendements de conversion externes de 5% et aussi ceux des
chercheurs de l'universit de Wake Forest qui ont atteint les 6% en 2007 [46, 47] avec
des mlanges interpntr P3HT:PCBM. Par ailleurs, les travaux des chercheurs de
l'Imperial College London [48] ont montr que la rgiorgularit du P3HT pouvait
amliorer les proprits de transport de charges dans les mlanges interpntrs
P3HT:PCBM.

31

Chapitre II
Amlioration des cellules solaires
organiques

Chapitre II Amlioration des cellules solaires organiques
32

On s'attend ce que la consommation d'nergie globale annuelle du monde
augmente du niveau actuel du trawatt ~13 (TW) 3050 TW d'ici 2050 [49]. Afin de
rpondre cette norme future demande, on doit considrer les proportions futures des
approvisionnements entre diverses sources d'nergie et leurs effets sur le rchauffement
de la plante. Parmi les diverses sources dnergies renouvelables, telles qu'hydro-
lectrique, nergie gothermique, olienne, solaire et de biomasse, lnergie solaire
avec un potentiel global de 1.210
5
TW arrivant sur terre peut tre la seule source
dnergie renouvelable dont la capacit peut satisfaire une grande partie de futures
demandes nergtiques [49].
Bien qu'il y ait diverses approches pour utiliser l'nergie solaire, telles que
solaire thermique, l'nergie photovoltaque (PV) permet la production d'lectricit,
propre et viable, tout en rduisant au minimum les effets nfastes l'environnement, en
rduisant les missions atmosphriques.
I- Avantages et limitations des cellules organiques :
Parmi les divers types de cellules solaires, les cellules solaires organiques
ouvrent une excellente occasion pour la production et lexploitation de lnergie
solaire. Les cellules solaires organiques sont devenues un centre dintrt pour la
recherche d leur potentiel pour le faible prix de fabrication, la ralisation sur grandes
surfaces, la flexibilit
L'avantage de la technologie photovoltaque organique est que les matires
organiques utilises sont peu coteuses, elles prsentent des coefficients d'absorption
optique trs levs, elles sont ralises basses tempratures, ce qui les rend
compatibles avec les substrats en plastique. En raison du potentiel pour la fabrication
industrielle de modules base de cellules solaires organiques, le photovoltaque
organique peut tre considr au niveau industriel comme une technologie
33

d'mergence, exigeant moins dinvestissement que les techniques de fabrication pour
les dispositifs bass sur le Silicium.
En semi-conducteurs organiques, l'absorption de la lumire produit toujours une
paire d'lectron-trou trs lie (Exciton de Frenkel), plutt que des paires d'lectron-trou
libres comme en matriaux inorganiques. Ceci se produit parce que les matires
organiques ont typiquement une faible constante dilectrique (en gnral 2- 4) et les
excitons sont localiss sur les molcules par des forces intermolculaires faibles [50].
Le faible rendement dans les dispositifs photovoltaques organiques mono-
couche est d au fait que la dissociation des excitons exige une nergie plus haute que
l'nergie thermique temprature ambiante [51]. En outre, la longueur de diffusion des
excitons montre une grande fluctuation, s'tendant de 5 20 nanomtres, beaucoup
plus courte que l'paisseur de la couche active des cellules solaires organiques [52,53].
Louverture principale de la recherche dans les cellules solaires organiques est venue
en 1986 quand Tang a rapport un rendement de conversion en puissance denviron de
1% pour un dispositif photovoltaque organique htrojonction, se composant d'un
donneur d'lectrons et dune couche d'accepteur d'lectron [54]. Ce concept
d'htrojonction est le principe fondamental des cellules organiques actuelles pour
surmonter les inconvnients de la recombinaison des excitons.
Lavance significative en cellules solaires organiques a t rapporte en 1992
par Heeger et al [55, 56], qui ont prsent l'htrojonction en volume (BHJ)
mlangeant ensemble un polymre conjugu comme matriau donneur et le fullerne
(ou ses drivs) comme matriau accepteur. Depuis lors, la production de cellules
solaires base de polymres : fullerne en BHJ a amlior rapidement la dissociation
des excitons pour augmenter les rendements (Konarka 5,2% et Plextronics 5,4%) [57,
58]. Cependant, le rendement global des cellules solaires base de polymre :
fullerne en BHJ n'est pas encore assez haut pour des opportunits commerciales.
Les inconvnients actuels dutilisation des polymres dans les cellules solaires
sont la largeur de la bande dabsorption troite des polymres aussi bien que la faible
34

stabilit des dispositifs. Un certain nombre de questions cls doivent tre surmontes
afin doptimiser la performance globale des dispositifs photovoltaques organiques, en
particulier, le courant de court-circuit I
cc
doit augmenter par l'amlioration de
l'absorption des polymres dans linfrarouge (IR), lutilisation de polymres faible
bande interdite comme matriau donneur et/ou en amliorant la mobilit ainsi que
collection des porteurs de charge [59]. Par exemple, un polymre organique dont la
bande interdite est plus grands que 1,9 eV, ne couvre que 24% du flux solaire global,
alors qu'un polymre de bande interdite de 1,1 eV peut couvrir ~63% du flux solaire
AM1.5G. Une autre approche pour amliorer le courant de court-circuit dans les
dispositifs photovoltaques base de polymre : fullerne BHJ est le traitement de
linterface et de la surface des lectrodes, comme les traitements plasma de la
surface de lanode [60] ou en insrant une couche bloqueur dlectron/injection des
trous entre l'anode et la couche active [61]. L'architecture de multi-jonctions pourrait
tre une approche efficace pour amliorer l'efficacit des cellules solaires organiques
[62,63].
En conclusion, la dgradation du dispositif devrait tre adresse en termes de
conception du dispositif, construction des matriaux et une mthode amliore
d'encapsulation [64].
II- Facteurs limitant le rendement dans les dispositifs photovoltaques
organiques
II -1- Gnration des excitons
Dans les matriaux polymres, l'absorption optique efficace peut tre due leur
coefficient d'absorption optique lev (10
5
cm
-1
) au maximum de leur spectre
d'absorption.
En consquence, seulement quelques cent nanomtres d'paisseur de la couche active
sont exigs pour labsorption de la majorit de lumire longueur d'onde maximale
de l'absorption. Cependant, une largeur de bande d'absorption relativement troite pour
des polymres limite lefficacit de ces dispositifs. En outre, l'absorption par
35

l'accepteur est pratiquement nulle (longueur donde de leur pic dabsorption suprieure
300 nanomtre) [65]. Par exemple, la figure II-1 montre la bande d'absorption troite
de la couche active base de P3HT : PCBM en htrojonction en volume.

Figure II- 1: Spectre d'absorption du mlange P3HT: PCBM (aprs recuit 160
o
C
pendant 30 minutes) et le spectre AM1.5 [65].

Vu le flux de photons provenant du soleil sur la surface terrestre sous AM1.5G
normalis avec une intensit de 100 mW/cm
2
, seulement ~19% peuvent tre absorbs par
les matriaux donneurs qui ont un gap suprieur 1,9 eV (absorption dans les longueurs
dondes inferieures 650 nanomtres). Ceci produit, dans ce cas, une limite suprieure de
la densit de courant de court- circuit J
cc
13,2 mA/cm
2
. Cependant, la nouvelle chimie
synthtique sur les polymres de faible gap a pu surmonter les limitations en technologie
photovoltaque organique actuelle en augmentant l'absorption optique [66]. Par exemple,
l'largissement de l'absorbance des polymres 900 nanomtres (1,4 eV) va augmenter
36

l'absorption des photons disponibles de ~49%, fournissant une densit de courant de
court-circuit J
cc
maximum de 33,7 mA/cm
2
.

Longueur donde
(nm)
Absorption
maximale
Densit de
courant
500 9,4 6,5
550 14 9 ,7
600 19 13,2
650 24,3 16 ,8
700 29,6 20,4
750 34,7 23,9
800 39,5 27,2
900 48,8 33,7
Tableau II-1 : Densit du courant de court circuit en fonction de la longueur
donde au maximum du spectre dabsorption [66].

II -2- Diffusion et dissociation des excitons :
Bien que l'absorption optique puisse tre augmente avec le coefficient
dabsorption (1/), il y a un compromis invitable entre cette absorption optique et la
longueur de diffusion des excitons (L
D
) du fait que cette dernire qui caractrise la
largeur efficace de la zone active du film l'interface donneur/accepteur est en gnral
beaucoup plus faible que 1/. Cela signifie que les excitons photognrs ne peuvent
pas efficacement atteindre une interface donneur/accepteur pour la dissociation en
porteurs de charge libres. Pour les polymres conjugus, L
D
est infrieure 20
nanomtres [52,53]. Pour une longueur de diffusion L
D
si courte dans la plupart des
37

polymres, une nanostructure soigneusement arrange est exige pour la diffusion et
la dissociation des excitons dans une couche active de BHJ. Dans une cellule solaire
base de P3HT : PCBM BHJ , beaucoup de paramtres sont considrer pour
commander le nanostructure de la couche active, telle que le rgiorgularit de P3HT
[48], la longueur de conjugaison et de multidispersion de P3HT [68], le taux
dvaporation du solvant utilis [44], le rapport de poids de P3HT : PCBM [70], et les
conditions de recuit ( temprature, temps, atmosphre) [71]. Si ces conditions sont bien
choisies, une jonction interpntre auto-assemble de donneur-accepteur peut tre
effectivement forme lchelle nanomtrique [72]. Cette sparation de phase du
systme de deux composants se produit lchelle nanomtrique, il peut mener la
diffusion et la dissociation efficaces des excitons photognrs aux interfaces
distribues et fournir des voies continues pour le transport et la collection des lectrons
et de trous par la percolation.
II -3- Transport des porteurs de charge
Tandis que l'augmentation de 1/ peut tre limite par la longueur de diffusion
des porteurs L
D
dans les polymres, la faible mobilit des porteurs de charge
dans les polymres peut tre un autre facteur limitatif de rendement des piles solaires
en polymre : fullerne en BHJ. Dans le film P3HT: PCBM thermiquement recuit
(croissance rapide et 1:1 % poids), on a rapport que la mobilit des lectrons et des
trous sont seulement de 310
-7
et ~1.510
-8
m
2
/Vs, respectivement [73]. En raison de
la basse mobilit des lectrons et des trous, l'paisseur de la couche active est limite
juste 100 nanomtres, menant une absorption limite seulement ~60% de la
lumire incidente au maximum d'absorption. Cependant, il a t rapport que la
mobilit des trous dans le mlange peut tre amliore jusqu' ~510
-7
m
2
/V.s en
variant la dure de solidification du mlange P3HT : PCBM, en utilisant un solvant
haut point d'bullition [74]. Typiquement les films de P3HT sont amorphes, mais
P3HT a un degr beaucoup plus lev de structure cristalline que d'autres polymres
ds l'auto-organisation de P3HT dans une structure lamellaire avec des feuilles
38

conjugues bidimensionnelles formes par lempilement interchaines -. Selon les
conditions de traitement, les lamelles peuvent adopter deux diffrentes orientations
(planaire ou penche) et les mobilits diffrent dun facteur de plus de 100 [75]. Dans
un mlange P3HT : PCBM dpos par le processus de croissance lente, la formation
efficace de la structure commande auto-organise peut contribuer l'augmentation de
la mobilit des trous [69]. En raison de cette mobilit de trous accrue, une couche
active plus paisse peut tre fabrique (jusqu' ~300 nanomtres) menant une plus
grande efficacit de collection optique, ce qui augmente par suite la densit de courant
court circuit Jcc.
II -4- Collection des lectrons la cathode
L'optimisation des lectrodes est un autre dfi important surmonter pour les
dispositifs photovoltaques organiques. Gnralement, une cathode bicouche est
constitue d'un mtal de faible travail de sortie (Ca, Ba, Mg) ou d'une couche mince
interfaciale encapsule avec de l'Al, comme Ca/Al et LiF/Al. Le faible travail de sortie
des lectrodes est principalement responsable de l'extraction optimale de charges et du
contact ohmique avec la couche active [76]. Cependant, la nature de l'interface du
polymre/mtal faible travail de sortie est sensible aux paramtres des matriaux et
de dpt de llectrode. Des dfauts provenant des ractions chimiques et de l'inter
diffusion l'interface peuvent crer des barrires ou dcaler le niveau de Fermi des
lectrodes, menant labaissement de la tension circuit ouvert (V
co
) et affectant de
manire significative la stabilit du dispositif.
II -5- La collection de trous l'anode
Pour le contact de l'anode, une faible perte optique et une faible rsistance srie
est
une question importante. Bien quune anode ITO/PEDOT : PSS est trs utilise dans
piles solaires base de P3HT : PCBM en BHJ, dues un contact ohmique avec la
couche active et sa haute transparence, quelques questions devraient tre considres
pour la haute performance et la stabilit des cellules, telle que le compromis entre la
39

transmittance et la rsistance de l'ITO sa gravure, du fait de la nature acide forte de
PEDOT : PSS [77].
Quoique l'ITO soit probablement le plus russi des TCOs, un autre inconvnient
avec l'ITO comme TCO est que l'indium est un lment relativement rare. Bas sur le
contenu de l'indium en stock de minerai de zinc, les rserves prvues
sont seulement approximativement de 6000 tonnes de l'indium conomiquement
viable ; il y a seulement 13 annes dapprovisionnement en indium avec le taux de
consommation actuelle [78].
Afin de rpondre aux questions de l'anode, diverses solutions peuvent tre
envisages, incluant les anodes alternatives de TCO [79, 80], la modification directe de
lanode d'ITO [81], le changement de la couche dinjection des trous [82,83] et
linsertion de couches bloqueuses d'lectrons [61].
III- Optimisation du processus de fabrication pour les cellules base de
polymres:drivs de fullerne
Des cellules solaires de P3HT et de PCBM sont activement tudies comme des
piles solaires de grandes surfaces et qui peuvent tre soigneusement dposes sur des
substrats flexibles.
Le travail antrieur a identifi des mlanges comme une occasion prometteuse,
mlange de polymres conjugus comme un matriau donneur ensemble avec drivs
de fullerne comme matriaux accepteur [84]. Si des conditions de traitement sont bien
runies, une jonction auto-assemble donneur-accepteur interpntre peut tre forme
lchelle nanomtrique. La sparation de phase du systme se produit lchelle
nanomtrique, il peut mener la dissociation et la collection efficaces des excitons
photogners aux interfaces distribues, fournissant des voies continues pour le
transport des lectrons et de trous par la percolation [69,71].
Dans la cellule solaire base du P3HT : PCBM, beaucoup de paramtres sont
considrer pour commander les proprits de la nanostructure dune htrojonction en
40

volume, y compris le rgiorgularit de P3HT [67], le poids molculaire et la
multidispersion de P3HT [68,86], la pression des vapeurs des solvants utiliss [69, 85],
le rapport de poids de P3HT : PCBM et les conditions du recuit thermique (la
temprature, temps et atmosphre) [50].
En raison de la mauvaise stabilit des dispositifs PV base de P3HT-PCBM au
processus de fabrication, de grands efforts ont t faits pour amliorer l'efficacit de
conversion de puissance (
eff
) par une optimisation de la densit de courant de court-
circuit (J
cc
), la tension de circuit ouvert (V
co
) et le facteur de forme (FF).
III-1- moyens de contrle d'auto-organisation du polymre conjugu en tant
que donneur dans la couche active :
a- Effet du poids molculaire de P3HT

Dans les piles solaires base de polymre en BHJ, les poids molculaires
(molecular weigtht M
W
) de P3HT affecte le dispositif en changeant la morphologie de
la couche active [64, 65]. Ma et al [8] ont tudi la morphologie de la couche active
dune cellule solaire P3HT: PCBM en utilisant P3HT diffrents Mw : bas M
W
P3HT
(M
n
=13000g/mol, M
W
=26 200 g/mol, index de la multidispersion =2.01, un degr de
polymrisation (D
P
) =78 ); P3HT M
W
lev (M
n
=62500 g /mol, M
W
=153800 g/mol,
index multidispersion =2.46, D
P
=376 ) ; moyen M
W
P3HT (M
W
=55000 g/mol). M
n
et
M
W
dsignent respectivement la masse molculaire moyenne en nombre et la masse
molculaire moyenne en poids, dfinis par :

41

M
x
est la masse dune molcule qui forme la chaine polymre et n
x
est le
nombre de molcules sur la chaine.
Dans le cas de polymres iso-molculaires, ces deux masses sont identiques.
La multidispersion dfinit la distribution de la masse molculaire dans un
polymre donn, elle est donne par M
W
/ M
n
.
Dans cette tude, les dispositifs fabriqus en utilisant un P3HT avec un M
W
plus lev
prsentent un meilleur rendement d la longueur de conjugaison plus longue de la
chane de P3HT et une meilleure interconnexion avec le PCBM. Cependant, en raison
du problme de solubilit du P3HT de M
W
plus lev, le rendement optimis des
dispositifs photovoltaques a t obtenu l'aide d'un mlange du P3HT haut et faible
M
W
avec le rapport haut-bas de 1:4 .
b- Effet de Rgiorgularit de P3HT :

L'asymtrie de la position 3 dans le monomre de thiophne engendre trois
accouplements possibles, quand deux monomres sont lis entre les positions 2 et 5.
Ces accouplements sont : 2, 5 ou accouplement (tte-queue HT), 2, 2 ou
accouplement (tte tte HH) et 5, 5 ou accouplement (queue-queue TTT). Ces trois
combinaisons peuvent tre classes dans quatre familles distinctes : HT-HT, HH-TH,
HH-TT et TT-HT. Les familles sont perceptibles par la spectroscopie de rsonance
magntique nuclaire et le degr de rgiorgularit (rr) peut tre estim par
l'intgration [66]. Kim et al. [67] ont tudi l'influence de la rgiorgularit du P3HT
sur la nanostructure molculaire et sur le rendement des dispositifs photovoltaques, les
rsultats de leur tude sont reprsents sur la figure II-2.
Dans cette tude, on constate qu'il y a une influence forte de la rgiorgularit
de P3HT sur le rendement des cellules solaires, qui peut tre attribue l'absorption
optique et au transport de charge amlior suite l'organisation des chanes et les
domaines de P3HT. Les rgiorgularits de P3HT utilises sont 90,7%, 93%, et 95,2%,
respectivement.
42

Le rendement le plus lev a t obtenu en utilisant P3HT avec la rgiorgularit
la plus leve (95,4%), combin avec le processus optimis de l'paisseur de la couche
active de ~175 nanomtres et la condition de recuit du dispositif pendant 2 heures
140C. Lamlioration du rendement des dispositifs avec la rgiorgularit le plus
lev de P3HT peut tre explique par la plus grande densit d'intgration d'inter
planaire de la structure molculaire de P3HT parallle au substrat sous le recuit
thermique.

Figure II-2 : Rendement des cellules solaires base de P3HT : PCBM avec diffrentes
rgiorgularit du P3HT (les couleurs noire, rouge et bleue indiquent
95,2% ; 93% et 90,0% respectivement) en lignes continues sans recuit et en
lignes discontinues aprs recuit 140C pendant 2 heures [67].

43

c- Effet de du taux d'vaporation du solvant
Le taux dvaporation du solvant utilis est un autre paramtre qui peut jouer sur
lauto-organisation de la nanostructure P3HT : PCBM. Le rendement global des
dispositifs est optimis quand le temps d'vaporation du dissolvant est suprieure une
minute [69,85]. Ceci pourrait tre contribu la conformation et le bon-ordre planaire
favoris des chanes de P3HT pendant lvaporation lente du solvant. Le contrle de
temps d'vaporation du solvant de la couche active joue un rle important sur la
mobilit des trous ainsi que sur le transport de charges qui sera plus quilibr dans le
volume des films htrojonction [48].
La figure II-3 reprsente lvolution de la caractristique I-V en fonction du
temps dvaporation du solvant pour une cellule de type verre/ITO/P3HT : PCBM / Al.

Figure II-3 : Caractristique J(V) pour des dispositifs diffrent taux dvaporation du
solvant de la couche active. Le temps dvaporation du solvant sont : 20 min
pour No.1 ; 3min pour No 5 ; 40 S pour No 6 et 20 S pour le No 7 [69].

D
e
n
s
i
t

d
e

c
o
u
r
a
n
t

J

(
m
A
/
c
m
2
)

44

d- Effets du recuit thermique des films P3HT : PCBM
Diverses tudes sont concentres sur l'effet du recuit thermique du mlange
P3HT : PCBM sur le rendement des dispositifs OPV [70,71, 87,88]. La figure II-4
montre les paramtres d'optimisation du traitement thermique des dispositifs
photovoltaques en fonction la temprature de recuit [70].
0 30 60 90 120 150 180 210
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0

R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
Tempereture (C)
0 30 60 90 120 150 180 210
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8

F
F
Tempereture (C)
0 30 60 90 120 150 180 210
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8

V
c

o

(
V
)
Tempereture (C)
0 50 100 150 200 250
0
1
2
3
4
5
6

J
c
c

(
m
A
/
c
m
2
)
Tempereture (C)

Figure II.4 : Variation des paramtres des dispositifs photovoltaques base de
P3HT : PCBM (1:1 en masse) en fonction de la temprature de recuit sous AM1.5 [89]

45

Bien que chaque tude utilise diffrentes conditions de traitement, telles que la
rgiorgularit, la masse molculaire M
W
de P3HT, le solvant, le rapport de masse
dans les mlanges et la cathode mtallique, le mcanisme global derrire lamlioration
du rendement des dispositifs suite au recuit thermique temprature leve pourrait
tre d au fait que les films dveloppent efficacement une jonction interpntre
donneur/ accepteur fortement auto-assemble avec la dimensionnalit nanomtrique.
Cette sparation de phase peut mener la dissociation et la collection efficace des
excitons photogeners aux interfaces distribues, par la fourniture de voies continues
pour le transport et la collection d'lectrons et de trous par la percolation [90,72].
Une autre explication est que la mobilit des trous dans le P3HT pendant la sparation
de phase du film a sensiblement cr par plus de trois ordres de grandeur, jusqu'
210
-8
m
2
/Vs aprs le recuit thermique, compar la mobilit des trous de 10
-11
m
2
/Vs
avant recuit.
e- Composition du mlange donneur /accepteur

La composition de P3HT et de PCBM dans le mlange est un autre paramtre
important affectant le rendement des dispositifs PV. Kim et al. [70] (figure II-5) se sont
concentrs sur le rapport de poids de P3HT : PCBM. Le mlange en solutions avec les
diverses compositions, par exemple, P3HT : PCBM =1 : 0. 1:0.1 ; 1:0.5 ; 1:1 ; 1:2 ; et
1:4 dans le chlorobenzne. Le rendement le plus lev a t obtenu pour la composition
1:1 deP3HT : PCBM en rapport de masse (figureII-5). Ce rsultat peut tre attribu
un empilement intermolculaire plus serr des chanes molculaires de P3HT dues un
mlange homogne de P3HT avec PCBM. Pour la composition en 1:4, les chanes de
P3HT sont bien mlanges avec le PCBM, causant le dballage intermolculaire des
chanes de P3HT [70].

46

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8

F
F
Rapport du masse de PCBM
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8

V
c
o
(
V
)

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0

R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)

Figure II-5 : Variation des paramtres des dispositifs photovoltaques base de
P3HT : PCBM en fonction de la masse du PCBM [70]

III- 2 - Variation du mtal de la cathode :

Le travail de sortie et la chimie du mtal de la cathode jouent galement un rle
essentiel pour rgir l'interprtation des dispositifs photovoltaques PV [91].
De plus, les dispositifs photovoltaques PV avec ces deux matriaux
dlectrodes ont montr une bonne stabilit avec une dgradation de 11%~16% de
47

rendement de conversion aprs six semaines, compars aux dispositifs avec d'autres
lectrodes. Lincorporation de l'argent dans les lectrodes a men considrablement
plus de dgradation qu'autres types d'lectrodes dus l'oxydation argente. Les mtaux
de faible travail de sortie en gnral donnent un meilleur rendement, qui peut tre
attribu labaissement de la rsistance srie des dispositifs.
Le tableau ci-dessous prsente leffet du travail de la sortie du matriau de la
cathode sur les diffrents paramtres des cellules photovoltaques organiques selon le
travail effectu par M.O. Reese et al [91].
Electrode Travail
de sortie
Vco (mV) Jcc (mA/cm) FF(%) Rendement(%)
Ag 4,26 403 9,04 36,6 0,36
Al 4,28 420 10,02 38,2 0 ,41
Mg :Ag/Ag 3,66 565 10,03 50,5 0,75
LiF/Al 2,90 580 10,41 57,3 0,89
Ca/Al 2,87 601 10,42 60,6 0,96
Ba/Al 2,70 600 10,47 62,2 1,00

Tableau II-2 : Variation des paramtres des dispositifs photovoltaque base de P3HT : PCBM
(1:1 en masse) en fonction de la cathode [91]

II- 3 - Utilisation des cellules solaires organiques structures inverses
a- Avantages et ncessit de la structure inverse
La structure rgulire de dispositif pour des cellules solaires base de
polymres est de structure : (ITO) /PEDOT : PSS/ mlanges de polymres /Ca (ou LiF)
/Al, o la couche de PEDOT : PSS de type p est employe pour le contact d'anode et le
48

mtal de faible travail de sortie comme cathode. Les deux couches, PEDOT : PSS et la
cathode acclrent la dgradation des dispositifs photovoltaques organiques [96-97].
La couche de PEDOT : PSS est potentiellement prjudiciable la couche active du
polymre due sa nature acide, qui grave l'ITO et cause l'instabilit de l'interface par
la diffusion d'indium dans la couche active. Les mtaux faible travail de sortie, tels
que le calcium et le lithium, sont facilement oxyds, augmentant la rsistance de srie
linterface mtal /couche active, ce qui dgrade le dispositif.
En principe, lITO est capable de collecter les trous et les lectrons, puisque son
travail de sortie (4.5 4.7 eV) est situ entre le plus haut orbital molculaire occup
(HOMO) et le plus bas orbital molculaire inoccup (LUMO) de la grande majorit des
matriaux organiques utiliss en photovoltaque. La polarit de l'lectrode ITO dpend
principalement des proprits de contact avec la couche organique. Pour l'extraction de
trous, lITO peut tre couvert d'un matriau "de fort travail de sortie ", comme la
couche PEDOT:PSS, qui a t prouve pour former un contact ohmique avec des
matriaux donneurs (polymres de p-type) [94]. Pour lextraction des lectrons, l'ITO
peut tre couvert par une couche de Cs
2
CO
3
[95], de ZnO ou de SnO
2
ultraminces pour
quil devienne une cathode pour la collection des lectrons.
La facult d'adaptation du travail de sortie de l'ITO tablit la base d'une
architecture alternative pour des cellules solaires base de polymres, c'est--dire la
structure inverse. Dans la configuration inverse, lITO sert de cathode, tandis que
l'anode est cre sur le ct oppos avec une lectrode " haut travail de sortie ".
Dans la structure inverse, l'instabilit d'interface ITO/ PEDOT:PSS est
surmonte en remplaant la couche de PEDOT:PSS avec d'autres couches interraciales,
comme des composs alcalins de faibles travaux de sortie. La cathode est substitue
avec non plus du PEDOT:PSS mais par certains oxydes des mtaux de transition de
forts travaux de sortie tels que l'oxyde de vanadium (V
2
O
5
), l'oxyde de molybdne
(MoO
3
)), couvert par une lectrode mtallique stable, comme l Au ou l Ag. Ces
couches sont ultraminces (quelques nm) et fortement transparentes (Eg > 3 eV) pour
49

rduire au minimum les pertes optiques. En consquence, les substrats dITO couverts
d'un compos de faible travail de sortie, aboutissent la collection d'lectrons et
agissent comme des cathodes. La polarit du dispositif peut tre ainsi contrle par les
positions relatives de ces couches fonctionnelles avec des fonctions de travail diverses.
Donc, dans la structure inverse, la polarit des cellules peut tre commute, sans tenir
compte des lectrodes.
En plus de la stabilit amliore, une autre motivation pour la configuration
inverse doit fournir la flexibilit de dispositif [100-101].
La configuration inverse emploie une couche tampon transparente qui fournit
la protection convenable la couche de polymre contre la couche ultrieure. Par
consquent, des oxydes conducteurs transparents peuvent tre dposs sans mettre en
pril la performance du dispositif. Ceci fournit une mthode efficace pour raliser une
structure en multicouches.
b- Stratgies d'amlioration de la performance de la cellule solaire organique
structure inverse :
Un facteur cl pour amliorer la performance du dispositif des cellules solaires
polymriques inverses doit rduire la rsistance srie, particulirement la rsistance de
la couche tampon. Il est bien connu qu'une haute rsistance srie peut tre reflte par
la rduction significative de J
cc
et le FF. Le groupe de Konarka a montr que la
structure inverse a bnfici d'une perte optique rduite en raison de la couche
PEDOT:PSS non-ngligeable et aussi du contact amlior de la cathode
ITO/PTE/TIO
X
[102,103]. Rcemment, le groupe de Li-Min Chen a considrablement
amlior la performance de la cellule solaire organique structure inverse (PCE passe
de 2.3 4.2 %) par recuit thermique de la couche tampon Cs
2
CO
3
. Ceci a
significativement rtrci l'cart entre la structure rgulire et inverse des cellules
solaires organiques, fournissant une alternative prometteuse pour la flexibilit de la
structure.
50

La sparation de phase verticale a amlior l'efficacit de collection de charge
en raison de la distribution favorise des matriaux donneur et accepteur dans le
mlange polymrique. En consquence, la slectivit d'lectrode peut tre
considrablement amliore, parce que l'on s'attend moins de recombinaison ou
d'accumulation de charges issues du donneur et de l'accepteur l'anode et la cathode,
respectivement. En effet, le rendement externe des cellules structure inverse EQE
peut excder 80 %, tandis que ce chiffre n'est pas encore obtenu pour la structure
rgulire du dispositif [104,105]. On peut toujours s'attendre une nouvelle
amlioration de la structure inverse en optimisant l'alignement des niveaux d'nergie
entre les interfaces polymre/lectrode et par laugmentation de la conductivit des
couches tampon.
La structure inverse porte aussi la ressemblance lhtrojonction hybride
molculaire dans des cellules solaires petites molcules organiques o une couche
interpntre de donneur / accepteur est insre entre la couche du donneur et la
couche accepteur, combinant ainsi les avantages de la double couche [106]. Un PCE de
5% a t ralis en utilisant la structure ITO/CuPc /CuPc : C60/C60/BCP/Ag o le
mlange CuPc:C60 a t dpos par co-vaporation. Cependant, dans des cellules
solaires organiques une telle distribution est difficile contrler.
Wei [107] a synthtis une nouvelle drive fullerne avec une chane de fluoro-
carbon (F-PCBM) mlange dans la solution P3HT:PCBM. Une couche F-PCBM
dpaisseur 2 nm est forme la surface suprieure en raison de la faible nergie de
surface des groupes de ct fluor. [108] .Via cette approche, le facteur de forme FF a
augment de faon impressionnante (72 %), ce qui a t principalement attribu aux
diples superficiels induits par la couche F-PCBM, qui a diminu la barrire d'nergie
entre la cathode dAluminium et le PCBM. Cependant, cette structure a dmontr une
sparation de phase verticale de laccepteur et de la cathode.

51

IV- Dgradation des cellules photovoltaques organiques
IV-1- Vieillissement
Bien que les cellules photovoltaques organiques prsentent des avantages sur
les cellules photovoltaques base de silicium (faible cot, matires illimites,
flexibilit, facilit de mise en oeuvre, technologie basse temprature, grandes surfaces,
etc.), elles prsentent aussi un inconvnient : la dure de fonctionnement de ces
composants est courte, cause de la faible stabilit des matriaux organiques vis--vis
de lhumidit et de loxygne.
Les tudes sur la stabilit des cellules photovoltaques organiques se sont
typiquement focalises sur loptimisation des couches dencapsulation. Cependant, la
plupart des technologies dencapsulation faible cot offrent seulement une protection
limite contre lattaque de leau et de loxygne.
La dure de vie des cellules solaires est donne par le temps que prend le
dispositif sous illumination continue pour que la valeur de rendement atteigne la moiti
de sa valeur initiale.
La dgradation des cellules solaires est due plusieurs mcanismes [19] :
1- Vieillissement intrinsque des matriaux : cest le vieillissement du matriau sans
exposition leau et loxygne, mais sous clairement.
2- Vieillissement extrinsque des matriaux : loxygne O
2
et leau H
2
O peuvent
ragir avec les matriaux organiques et les mtaux des lectrodes. Le principal
mcanisme de vieillissement est la photo-oxydation.
3- Vieillissement de la cellule : ce vieillissement prend en compte la dgradation des
interfaces suite la mise en contact de matriaux diffrents (couche active-lectrode
par exemple) avec pour consquence la diffusion dimpurets de part et dautre de
linterface. Ces dgradations sont en gnral acclres en prsence de leau, de
loxygne et sous illumination. Une autre cause provient du fonctionnement mme du
52

dispositif par le biais de la dissipation thermique dans la cellule solaire (due
lexposition au soleil et au passage du courant dans la cellule solaire).

III- 2- Dgradations des cellules en labsence deau et doxygne
Les causes de dgradation des cellules solaires organiques, en particulier de la
couche active, sont dues aux ractions des couches organiques avec la cathode (en
aluminium) et avec lanode (en ITO) en labsence de loxygne et de leau.
a- Ct cathode
Le matriau de la cathode (Aluminium, Argent, ) peut ragir fortement avec
les molcules de fullerne et les polymres conjugus, allant jusqu crer des liaisons
covalentes avec ces matriaux.
M. Lgdlund et J. L. Brdas ont tudi linteraction entre lAluminium et le
poly(p-phenylenevinlene) et ses drivs, et les tapes initiales de formation de
linterface mtal/polymre conjugu [27], dans le cas des diode photoluminescentes
organiques OLEDs. LAluminium ragit et forme des liaisons covalentes avec les
ponts vinylne dans le poly (p-phenylenevinylene), le poly(2,5-dimethoxy-p-
phenylenevinylene) et le poly(2,5-dialdehyde-p-phenylenevinylene). Dans les trois cas,
lAluminium induit des modifications importantes sur les chanes du polymre. Les
auteurs indiquent quun transfert dlectrons des atomes d'aluminium vers les chanes
de polymre rend le polymre ainsi rduit plus ractif loxygne ou des traces deau
pouvant notamment provenir de couches de PEDOT constituant les dispositifs.
b- Ct anode
K. Norrman a tudi linfluence de la couche de PEDOT-PSS sur la dgradation
de cellules photovoltaques organiques dans la structure verre/ITO/PEDOT:PSS/C12-
PSV/C60/Al. Il a t constat que le PSS qui a un caractre acide migre vers linterface
C12-PSV/C60, o il ragit avec C12-PSV formant des particules de PSS:HBA. La
couche C
60
est elle aussi trs sensible vis vis de la couche PEDOT:PSS et
53

vraisemblablement responsable de la production des particules (PSS:HBA). Toutefois,
les particules dtectes par microscopie de fluorescence ne semblent prsenter aucune
incidence sur les proprits photovoltaques des cellules [28]. Un mcanisme possible
de dgradation pour le dispositif photovoltaque en prsence dhumidit est la diffusion
de lexcs de PSS provenant du PEDOT : PSS sur toute lpaisseur de la couche
active.
IV-3- Dgradations des cellules en prsence de leau et de loxygne
Leau et loxygne jouent un rle trs important au niveau de la stabilit des
cellules photovoltaques organiques, car ils peuvent ragir aussi bien avec les
matriaux organiques quavec les mtaux des lectrodes. Loxygne O
2
et leau H
2
O
diffusent principalement travers les lectrodes (ITO et Al).
a- Ct cathode
Lquipe de F.C. Krebs a procd lanalyse dtaille par spectroscopie de
masse SIMS de cellules solaires (avec une couche active soit en MEH-PPV: PCBM,
soit en P3HT-PCBM) ayant t exposes une atmosphre avec une teneur calibre en
isotopes O
18
2
et H
2
O
18
, avec ou sans illumination. Il en ressort que loxygne
atmosphrique diffuse travers la cathode en aluminium, donnant lieu une
augmentation de la quantit de loxygne (O
2
) dans la couche active prs de linterface.
Il a t galement mis en vidence que laluminium ayant diffus dans la couche active
ragit avec les molcules doxygne. Cela implique finalement deux mcanismes de
dgradation simultans : (1) photo-oxydation (loxygne ragit avec la couche active)
(2) photo-rduction (laluminium diffuse dans la couche active et ragit avec
loxygne) [29]. Ces tudes montrent galement que loxygne et la vapeur deau
diffusent entre les joints de grains de llectrode daluminium dans la couche active,
mais de manire diffrente : alors que pour loxygne la contamination reste confine
proximit des microporosits linterface cathode/couche active, leau diffuse dans la
totalit du dispositif [113], cette diffusion dgrade toutes les interfaces lobscurit ou
54

sous clairement (atmosphre/Al, Al/Couche active, Couche active/PEDOT:PSS et
PEDOT:PSS/ITO).
b- Ct anode
Des tudes ont t menes par K. Kawano et al. sur la dure de vie des cellules
photovoltaques ITO/PEDOT:PSS/MDMO-PPV:PCBM/Al avec ou sans PEDOT:PSS,
sans encapsulation, sous atmosphre contrle (0% O
2
et plus de 40% dhumidit) et
lobscurit. Ils ont montr que lexposition lair dune cellule solaire organique,
quelle que soit l'illumination, conduit une dgradation rapide de l'efficacit du
dispositif. Les tudes en fonction des conditions atmosphriques mettent en vidence
une dgradation qui rsulte de l'exposition du dispositif l'eau. Les tudes des cellules
avec et sans couche de PEDOT-PSS indiquent que la dgradation est associe
l'absorption d'eau par cette couche. Les mesures de mobilit sur la couche de PEDOT-
PSS ont montr que l'effet de l'eau est daugmenter sa rsistance srie sans affecter les
mobilits des charge de la couche active. Cette dgradation de la couche PEDOT:PSS
semble tre non homogne, associe la formation de zones isolantes ayant pour
rsultat la diminution de la collecte des trous et donc de l'efficacit du dispositif [114].
Ainsi, linsertion de couches tampon au niveau de lanode comme le
PEDOT:PSS peut amliorer les performances des cellules organiques, mais parfois au
dtriment de leur stabilit. Le PEDOT:PSS a une forte capacit dabsorption de la
vapeur deau de lenvironnement et le PSS diffuse trs facilement dans les autres
couches organiques [115]. Une des causes de la dgradation des polymres est
galement la diffusion doxygne provenant de lITO (induim-tin-oxide) de lanode.
Ce problme peut tre rsolu par lintercalation de la couche barrire PEDOT :PSS
entre lITO et les polymres, mais cette interface ITO/PEDOT :PSS nest pas stable car
lITO est trs sensible au caractre acide du PSS.

55

IV-4- Dgradation des cellules sous illumination
Bien que le suivi de lvolution au cours du temps des caractristiques I(V) des
cellules solaires sous illumination ne permette pas dobtenir directement des donnes
sur les mcanismes de dgradation des matriaux, cest toutefois la mthode la plus
approprie pour observer le vieillissement des dispositifs dans leur globalit.
Lquipe de T.S. Jones [116] a ralis des cellules base de petites molcules
(ITO/Pentacne (43 nm)/C60(40nm)/BCP(10nm)/Al) et tudi la dure de vie de ces
cellules lair libre et sous vide . Les auteurs ont conclu quil y a deux mcanismes de
dgradation : i) une oxydation de la couche active par loxygne, responsable de la
dcroissance du courant photognrs dans les cellules ii), une dgradation par la
lumire indpendamment de la prsence doxygne.
Dans une tude antrieure et dans le cas de cellules base de CuPc-C60, la
mme exprience montre que la variation de I(V) en fonction du temps (120 min sous
clairement continu AM1.5 100mW/cm) lair libre et sous vide nest sensible qu
loxygne avec un effet de dgradation de la couche active, mais que lillumination ne
conduit pas une diminution du rendement [38]. Ces deux tudes montrent
limportance de la stabilit intrinsque des matriaux constitutifs de la cellule, la CuPc
se montrant beaucoup plus stable que le pentacne.
IV-5- Dgradations des cellules par la temprature
La dgradation des cellules solaires organiques est galement acclre par la
temprature. Actuellement, beaucoup de cellules solaires organiques prsentent des
dures de vie de seulement quelques heures lair.
Quand le processus daffaiblissement des paramtres photovoltaques qui est de
nature chimique suit une loi de type Arrhenius, la vitesse daffaiblissement est
dtermine par [36] :

56

Avec, T la temprature en Kelvin, E
a
lnergie dactivation et A la constant de
raction. Il est vident de dire que cette vitesse K
deg
dpend essentiellement de la
temprature. Deux mcanismes de dgradation lier la temprature sont:
1. si la temprature est faible, cest la dgradation par la lumire UV qui
domine,
2. si la temprature est leve, cest le processus de diffusion qui domine.

IV-6- Techniques pour amlioration de la dure de vie des cellules solaires
organiques :
IV-6-1- Encapsulation
Diffrentes techniques dencapsulation des cellules solaires organiques sont
utilises pour viter le contact entre lair ambiant et la couche organique. La protection
des dispositifs organiques fait lobjet de recherches intenses, avec des solutions
abouties notamment pour la ralisation dcrans OLEDs. Toutefois les solutions
envisages dans le cas des OLEDs ne sont en gnral pas transposables aux cellules
solaires organiques pour deux raisons principales:
la premire est que les couches barrires employes dans le cas des OLEDs
sont coteuses, ce qui nest pas pnalisant pour des produits haute valeur
technologique ajoute tels que les crans et les afficheurs, mais nest pas concevable
dans le cas des cellules solaires qui doivent rester un produit bas cot,
les surfaces envisages pour les panneaux solaires sont beaucoup plus
importantes que celles des produits base dOLEDs.
Il est ncessaire de connatre les ordres de grandeur des permabilits leau et
loxygne acceptables pour avoir une protection efficace. Les valeurs communment
57

admises pour obtenir une dure de vie de 10000 heures sont pour la vapeur deau de
10
-6
g.m-.jour
-1
et pour loxygne de 10
-3
cm
3
.m-.jour
-1
.
Dune manire gnrale il faut distinguer au dpart la fonction de la cellule
protger. Si cette cellule est ralise sur un substrat rigide (le verre), la solution la plus
simple reste dutiliser une protection galement en verre, qui constitue encore
aujourdhui la couche barrire la plus efficace. Cette lame de verre protectrice est
colle sur la cellule laide dune rsine poxy [119,121]. Si le substrat est flexible, il
faut le sceller une barrire flexible (le mme matriau que le substrat) au-dessus de
la cathode laide dune rsine poxy [122].

VI-6-2- couche tampon entre la couche active et la cathode
La couche tampon est une fine couche insre entre llectrode et la couche
organique dans diffrents dispositifs organiques (OLED, OPVs ). Elle permet
daugmenter la stabilit des OPVs en empchant la raction chimique entre la cathode
en aluminium et la couche organique et dviter la pntration des atomes daluminium
dans la couche active. Initialement ces couches ont t employes pour limiter la
diffusion des excitons vers la cathode (cas du BCP pour les cellules base de CuPc-C
60
[123]) ou en tant que couche dipolaire pour faciliter lextraction des charges (cas du
LiF pour les cellules P3HT-PCBM [124]).
a- Couches tampons de BCP et de TPBI
H.R. Wu et al.[125] ont compar la dure de vie de cellules base de CuPc/C
60

avec deux couches tampons diffrentes la cathode: le BCP et 1,3,5-tri(2-N-
phenylbenzimidazolyl) benzne (TPBI). Il a t constat que le TPBI est plus stable
que le BCP, car celui-ci tendance cristalliser dans latmosphre. Cette cristallisation
du BCP deux effets sur le C
60
: (1) le transport des lectrons photognrs est plus
difficile travers cette couche cristallis, (2) elle facilite la diffusion de O
2
dans le C
60

en induisant des piges pour les lectrons. Dans le cas de la couche tampon TPBI les
58

lectrons gnrs atteignent plus facilement la cathode en raison de la forte mobilit
des porteurs dans le TPBI. Toutefois cette couche tampon nempche pas la diffusion
de loxygne vers la couche active.
b- Couche tampon en Alq3
Plusieurs quipes utilisent lAlq3 comme couche tampon insre entre
la couche de C
60
et la cathode. Comme les niveaux LUMO et HOMO de lAlq3 sont
plus levs que ceux du C
60
, il est possible que lAlq3(Tris(8-
hydroxyquinolinato)aluminium) agisse comme couche de blocage des excitons.
Q. L. Song et al.[126] ont montr que le BCP se dgrade beaucoup plus
rapidement que la couche tampon Alq3 en prsence de loxygne et de leau. Il est
important de noter dans cette comparaison entre le BCP et lAlq3 que la dure de vie
du dispositif est multiplie par un facteur 100 lorsque la couche tampon Alq3 est
employe.
La couche tampon dAlq3 a t employe par P. Vivo et al. avec le double
objectif dutiliser une cathode en or beaucoup moins ractive lair ambiant que
laluminium et de bloquer la diffusion datomes de cette cathode ainsi que loxygne et
leau vers les couches organiques. La dure de vie lair ambiant de cellules OPVs
couche active CuPc/C
60
a t augment, dans ce cas, dun facteur 60 par rapport aux
cellules sans Alq3 et avec une cathode daluminium (7 semaines dans le cas dAu et 61
h pour la cathode dAl) [43]. Le rle dAlq3 est de rduire le travail de sortie de lor, ce
qui facilite lextraction des lectrons par cette cathode.
c- Structure inverse (Couche tampon C
60
) :
Il est intressant au niveau de la stabilit de faire des cellules de structure
inverse, lanode tant plus stable lair que la cathode du fait que son travail de sortie
est plus lev [128].
Il est alors ncessaire dinsrer une couche dAlq3 (2 nm) entre la couche de C
60

et lITO pour rduire le travail de sortie de lITO (qui fait office de cathode), ce qui
59

amliore la performance de la cellule inverse. Dans ce type de cellule lvolution du
rendement en fonction du temps montre quil y a dabord augmentation denviron 10%
de ce rendement due au dopage de CuPc par loxygne durant les premires heures de
fonctionnement, puis une diminution progressive de ce rendement. Cette diminution de
rendement est due [129,130]:
1. La diminution de V
CO
si lanode de la cellule est une mtallisation or.
2. La diminution de I
cc
si lanode de la cellule est une mtallisation aluminium.
Lutilisation dun oxyde semiconducteur inorganique comme loxyde de titane
(TiO
X
) peut tre une solution intressante. Cet oxyde est en effet trs stable en prsence
dair ou dhumidit et prsente galement lavantage dtre transparent dans la rgion
visible du spectre.
Linsertion dune couche de TiO
2
(remplaant la couche de PEDOT-PSS) entre
la couche active et lanode a t utilise [131,132] pour rduire le risque de diffusion
dindium dans le polymre conjugu. Avec cette couche TiO
2
au-dessus de lITO, tous
les paramtres photovoltaques ainsi que la dure de vie de la cellule ont t amlior.
La couche de TiO
X
situe entre la cathode dAl et le polymre conjugu
constitue une couche interfaciale de protection dans le cas et o cette couche est un
isolant de faible paisseur. Lquipe de K. Lee a montr que la couche interfaciale de
TiO
X
deux rles dans les dispositifs organiques:
Amlioration de la dure de vie des dispositifs organiques (cellule
photovoltaque organique) lair libre, grce la stabilit de TiO
X
par rapport
loxygne et leau [133].
Amlioration des paramtres. Le spectre dIPCE montre un rendement
quantique externe plus important pour la cellule avec TiO
X
, cette couche devant jouer
le rle de confinement optique dans la couche active [134]. On peut galement noter
que loxyde de titane employ est sous stoechiomtrique et fait office de pige pour
loxygne diffusant travers la cathode.
60

e- Couche tampon : LiF
Finalement la couche tampon la plus utilise est une couche trs fine ( 1 nm)
de LiF. Plusieurs mcanismes de fonctionnement du LiF ont t proposs [135] :
Abaissement du travail de sortie de laluminium.
Dissociations du LiF, avec dopage chimique de la couche organique.
Formation de diple menant une courbure favorable du niveau du vide
entre la couche organique et aluminium.
Protection de la couche organique des atomes chauds daluminium au cours
du dpt thermique. Toutefois la faible paisseur requise pour cette couche rend sa
croissance difficilement contrlable, au dtriment de la reproductibilit des dispositifs.

30

62

Chapitre III

Les TCOs pour les cellules solaires
organiques

Chapitre III Les TCOs pour les cellules solaires organiques
63
I- Les Oxydes Transparents Conducteurs (TCO)
La dcouverte des TCO remonte au dbut du vingtime sicle, quand
Bdeker [117] a constat que les couches minces doxyde de cadmium (CdO)
dposes lintrieur dune chambre dcharge luminescente taient la fois
conductrices et transparentes. Cette premire observation a donn naissance un
thme de recherche nouveau qui demeure aprs un sicle un sujet dactualit. De
nombreux matriaux TCOs sont apparus ensuite, citons en particulier : In2O3,
SnO2, ZnO, Cd2SnO4, CdSnO2, In
2
O
3
:Sn (ITO), ZnO:Al, SnO2:Sb, SnO2:Cd,
SnO2:F, CdInOx, In2O3:Fetc. Lobtention de tels matriaux, prsentant un bon
compromis entre transparence la lumire visible et bonne conductivit lectrique,
constitue un enjeu industriel important [118].
Lune des utilisations des conducteurs transparents est llectrode
transparente des cellules solaires.
Pour des cellules solaires comptitives, trois paramtres sont importants du
point de vue industriel, des phnomnes physiques et du consommateur :
- le cot de fabrication
- le rendement
- la longvit
Selon ces trois paramtres, les modules base de silicium sont, de nos jours,
les plus rentables et les plus commercialiss ; ceci du fait quils prsentent un
rendement de conversion de 15 % 18 % et une longvit de 15 20 ans un avec
un cot relativement abordable.
Cependant, de nombreuses recherches se tournent vers les cellules solaires
organiques en vue damliorer leur rendement et leur dure de vie pour les rendre
plus attractives. Les TCOs peuvent apporter une contribution importante aussi bien
dans lamlioration du rendement de conversion de ces cellules que dans
laugmentation de leur dure de vie.

64
I-1- Choix des TCOs pour les cellules solaires :
Un bon TCO est dfini par une forte conductivit lectrique combine avec
une faible absorption optique dans le visible. En gnral, ces deux caractristiques
sont lies lpaisseur de la couche dpose. Les TCOs les plus connus sont les
oxydes dindium, de cadmium, dtain, de zinc et de gallium [119]. Couramment,
les oxydes sont dops par un mtal. Cependant ce dopant mtallique nest actif que
lorsquil se substitue au mtal primaire.
La bande de conduction est alors fortement perturbe par chaque atome
dopant, la diffusion des lectrons de conduction est ainsi accrue, et la mobilit et en
consquence la conductivit chute. Cest pourquoi certains oxydes sont dops avec
du fluor, qui, lorsquil se substitue loxygne, engendre une perturbation de la
bande de valence, ce qui minimise la diffusion des lectrons de conduction [119].
Lamlioration des proprits des conducteurs transparents est une des
nombreuses voies pour amliorer les cellules solaires organiques. Cette contribution
permettra ventuellement laccs une nergie propre pour un cot comptitif.
Le facteur de qualit Q (appel aussi figure de mrite ) dun film mince TCO
peut tre dfini comme le rapport conductivit lectrique / absorbance optique
dans le visible A.
I-1-1- Loxyde de Zinc ZnO :
Le ZnO est un semi-conducteur de large gap, il est transparent dans le visible
et dans le proche infrarouge. Il prsente un ensemble de proprits qui permettent
son utilisation dans un certain nombre d'applications comme par exemple des
varistances employes pour limiter de grandes coupures de tension (dispositifs
lectroniques en cramique polycristallins possdant des caractristiques courant-
tension non linaires). Il peut galement trouver des applications en
optolectronique, photoluminescence, lectroluminescence, comme capteur de
produit chimique dans les couches minces [117].
L'oxyde de zinc appartient la classe cristalline P63mc. Il se cristallise en un
rseau hexagonal de type Wurtzite [120-121] ; la structure Wurtzite contient quatre
65
atomes par maille dont les positions sont [122] :O2 : (0; 0; 0); (2/3; 1/3; 1/2) ; et
Zn2+ : (0; 0; 3/8); (2/3; 1/3; 7/8)], dans lequel les ions d'oxygnes O2 sont
disposs suivant un rseau de type hexagonal compact, et o les ions de zinc Zn2+
occupent la moiti des positions interstitielles ttradriques ayant le mme
arrangement que les ions d'oxygne.
La maille hexagonale de la structure Wurtzite se caractrise par trois
constantes de rseau a, c et u ; a tant le ct d'un losange constituant la base, c le
cot parallle l'axe (oz) et u est une coordonne intrieure le long de cet axe. Ces
constantes dterminent la position relative des sous-rseaux de l'anion O
2
et du
cation Zn
2
+
. La coordonne u est dfinie par la relation suivante :
I-1-2- Le dioxyde dtain (SnO
2
) :
Le dioxyde dtain SnO
2
est une alternative possible lITO parce que les
films SnO
2
sont peu coteux et sont chimiquement et thermiquement stables [55-
123]. Il est dpos par diffrentes techniques comme le dpt chimique en phase
vapeur (CVD) [124, 125], le spray pyrolyse [126, 127], l'vaporation thermique
[128], le sol-gel [129] et la pulvrisation [130]. Cependant, afin d'obtenir des films
de faible rsistivit, ces techniques exigent des procds de dpt hautes
tempratures (400-600C) ou (400-700C) suivis de recuits thermiques
gnralement aussi haute temprature. Ces traitements hautes tempratures ont
svrement limit l'utilisation des lectrodes de SnO
2
comme lectrodes pour
cellules solaires base de silicium et notamment les cellules solaires organiques
flexibles.
SnO
2
est un semi-conducteur de type n large bande interdite (entre 3,5 et
4,1 eV, [92-93]). Les lacunes doxygne sont considres comme tant les dfauts
intrinsques prdominants dans le SnO
2
, le rendant sous stoechiomtrique en
oxygne.
La structure du dioxyde d'tain est de type rutile (figureIII.1).
66

Figure III -1 : structure cristalline de SnO
2

La maille lmentaire est quadratique (a = b = 0,475 nm et c = 0,318 nm) et
contient six atomes : deux atomes d'tain et quatre atomes d'oxygne. Chaque atome
d'tain est le centre d'un octadre presque rgulier form par six atomes d'oxygne,
tandis que chaque atome d'oxygne est entour par trois atomes d'tain situs aux
sommets d'un triangle isocle.
I-2- Dpt chimique en phase vapeur (CVD) :
Le dpt chimique en phase vapeur (CVD) est une technique qui consiste
provoquer des ractions chimiques entre plusieurs prcurseurs en phase vapeur
pour former un dpt solide sur un substrat chauff. La temprature du substrat
fournit lnergie ncessaire pour dclencher la raction chimique. Ce procd
permet dobtenir des filmes dpaisseurs trs variables aussi bien sur substrats
isolants que conducteurs. De plus, il offre la possibilit dun dopage in situ de la
couche dpose et un contrle adquat de son paisseur.
En pratique, la partie la plus importante du dpt est effectue au niveau du
racteur o se fait la croissance de la couche mince suivant plusieurs processus
physico-chimiques. La figure II.2 donne une reprsentation schmatique de ces
processus qui peuvent tres rsums successivement comme suit:
- Gnration des prcurseurs gazeux.
67
- Transport des gaz ractants de lentre du racteur jusquau voisinage de
la zone du dpt.
- Ractions chimiques dans la phase gazeuse qui font apparatre des
nouvelles espces de ractifs intermdiaires. Ces derniers vont subir des
dcompositions successives des tempratures suprieures leurs tempratures de
dcomposition, formant ainsi des poudres et dautres produits volatiles. La poudre
sera collecte sur la surface du substrat, et les produits rsiduels sont vacus vers
lextrieur. Sinon, une diffusion de ces espces a lieu sur la surface du substrat
des tempratures infrieures celles de leur dcomposition.
- Absorption des ractants gazeux sur le substrat chauff.
- Raction htrogne linterface gaz-solide, produisant ainsi les espces
constitutives du film dposer et dautres produits rsiduelles sous forme de gaz.
- Diffusion des espces absorbes le long du substrat chauff, formant
ainsi des centres de cristallisation et de croissance du film.
- Dsorption des produits volatiles forms lors de la raction.
- Transport des gaz issus des ractions loin du substrat.
- Echappement des prcurseurs non ractifs et des gaz rsultant des
ractions de la chambre de dpt par une pompe.
Pour bien russir un dpt CVD, diffrents paramtres doivent tres
contrls et pris en considration selon la nature du film dposer et qui sont :
- La nature et la temprature du substrat.
- La composition chimique des produits de dpart.
- Le ou les flux de gaz.
- La pression totale et la gomtrie de la chambre de dpt

68

Figure III-2 : Reprsentation schmatique des processus de la CVD.

Les techniques de CVD sont nombreuses, elles ce distinguent selon la
manire dont lnergie ncessaire la raction de formation est fournie et leur
diversit vise diminuer la temprature de dpt et crotre la vitesse de
croissance. Nous allons prsenter les diffrentes sortes de CVD utilises en
pratique.
I-3- Le dpt CVD pression atmosphrique ou APCVD :
Lavantage de cette technique est le fait que les dpts seffectuent lair
libre. Ce qui permet de rduire son cot de mise en uvre et facilite son intgration
dans les milieux industriels. Elle permet dobtenir des dpts homognes et
uniformes sur des grandes surfaces (grce une dilution du gaz ractif dans un gaz
porteur) avec une vitesse de dpt assez importante.
En ralit, ce dpt est ralis dans un racteur paroi chaude. Dans le
premier cas, les dpts se produisent aussi bien sur les substrats, mais aussi sur les
parois. Par contre, dans le second cas, seul le substrat est chauff, si bien que la
raction nest effective quau niveau du substrat chauff. Le dpt par APCVD est
ralis selon les tapes suivantes :
69
- Prparation du substrat
- Dans le four lectrique rgul en temprature, on introduit le tube en verre
pyrex ou en quartz pour les tempratures leves sur lequel sont branchs les arrivs
des vapeurs des gaz porteurs (argon ou azote) et les prcurseurs, puis on place le
substrat dans le tube.
- Lensemble est mis dans une enceinte contenant une hotte chimique qui
permet lvaporation des gaz (nocifs) lors du dpt.
Dans le cas de ZnO, sa formation peut tres illustre par la raction
suivante en utilisant du chlorure de zinc (ZnCl
2
) :
ZnCl
2
(v) + 1/2 O
2
ZnO (s) + Cl
2
(v)
Et pour le SnO
2
;
SnCl
2
(v) + O
2
SnO
2
(s) + Cl
2
(v)

a- Nettoyage des substrats
La qualit du dpt et par suite celle de l'chantillon dpend de la propret et
de l'tat du substrat. Son nettoyage est donc une tape trs importante : il faut
liminer toute trace de graisse et de poussire et vrifier, mme loeil, que la
surface du substrat ne comporte, ni rayures ni dfauts de planit. Ces conditions
sont indispensables la bonne adhrence du dpt sur le substrat, et son
uniformit (paisseur constante).
Le procd de nettoyage de la surface des substrats est comme suit :
- Dgraissage dans un bain dactone dans un bac ultrason pendant
15min.
- Nettoyage par ultrasons pendant 15 minutes dans de lisopropanol et
lactone pour liminer les traces de graisses et dimpurets colles la surface du
substrat.
- Rinage l'eau distille pendant 15min
70
- Schage laide de lazote.
b- Dpt des couches minces ZnO et SnO2 par APCVD
La figure III-3 reprsente le montage exprimental utilis pour le dpt du
ZnO et du SnO
2
par APCVD.
Les prcurseurs de dpart (ZnCl
2
, SnCl
2
) sont vapors laide dune plaque
chauffante dans une fiole. Les vapeurs de prcurseurs sont ports laide dun gaz
porteur (Argon pour notre cas) et injects dans la chambre de dpt o les substrats
sont dj ports la temprature de dpt. Un flux doxygne (ou de vapeur deau)
est ensuite introduit pour servir comme lment oxydant.
Pour avoir des films avec diffrentes paisseurs, on fait varier le temps de
dpt.

Figure III-3 (a) : Schma synoptique du four utilis pour le dpt des
couches SnO
2
et ZnO.
71

Figure III-3 (b): montage exprimental du dpt chimique en phase vapeur
pression atmosphriques (APCVD)
II- Caractrisation des films SnO
2
et ZnO dposs :
II-1- Techniques de caractrisation :
II-1-1- Diffraction des rayons X (DRX) :
La diffraction des rayons X est une technique privilgie pour
caractriser les films minces. Facile mettre en uvre et non destructive, elle
sapplique aux matriaux cristalliss (mono ou poly cristallins). Elle permet surtout
de dterminer la structure cristalline, la taille et la forme des cristallites, les
directions de croissance des couches ainsi que les distorsions du rseau
(microdformations).
Son principe repose sur la diffraction des rayons X monochromatiques
par les plans atomiques des cristaux tudis. Cependant, pour quil y ait diffraction
il faut que la diffrence de marche entre deux rayons difracts par deux plans
distincts de d
hkl
soit gale un multiple entier de la longueur donde. Elle est
donne par la loi de Bragg :
n = 2 d
hkl
sin
O :
72
: est langle de diffraction.
: la longueur donde du faisceau de rayon X incident.
d
hkl
: distance inter rticulaire caractrisant la famille des plans
reprs par les indices h, k et l.
n : est un
entier.

Figure III-4 : Schma de plans rticulaires dindice h, k, et l en positions de
diffraction

II-1-2- Microscope lectronique balayage :
Le microscope lectronique balayage (MEB), gnralement connu sous le
nom de SEM (Scanning Electron Microscopy) est employ pour tudier la
topographie, morphologie, composition lmentaire et lorientation structurelle des
couches minces. En microscopie lectronique balayage, la topographie signifie
dispositions extrieures d'un objet ou " quoi il ressemble ". La morphologie
signifie la forme, taille et arrangement des particules croissantes vers le haut. La
figure II.9 montre un schma synoptique dun microscope lectronique balayage
classique.

73

Figure III-6 : Schma synoptique dun microscope lectronique balayage

Son principe consiste mettre un chantillon sous vide, puis le
bombarder avec un faisceau dlectrons nergtiques. Ce dernier est issu du
canon lectrons, passe travers un systme de lentilles lectromagntiques pour
le focaliser et frappe la surface de lchantillon avec un diamtre et une nergie
contrls. En pntrant dans lchantillon, le fin faisceau dlectrons diffuse peu et
linteraction lectrons-matire donne naissance divers rayonnements permettant
de rcolter des informations sur lobjet dont ils sont issus (figure III.6). Des
lectrons rtrodiffuss et des lectrons secondaires mis par lchantillon sont
recueillis par des dtecteurs qui transmettent un signal lcran cathodique. La
rsolution spatiale de limage dpend de la composition de lchantillon, de
Canon lectrons
Lentille de condensation
Bobines dflectrices
Lentille de focalisation
Colonne de dpression
Dtecteur
Echantillon
74
lnergie des lectrons incidents ainsi que de la nature et de lnergie des
rayonnements choisis pour la formation de limage.
Les lectrons secondaires proviennent de larrachement des lectrons par
ionisation du faisceau direct. Ils sont issus de la couche superficielle de
lchantillon et possdent une nergie faible permettant davoir des images de
meilleures rsolutions.
Les lectrons rtro diffuss, d eux aussi aux lectrons acclrs dans la
colonne du microscope ayant pntr plus profondment dans lchantillon, sont
dtects la sortie de ce dernier. Du fait de leur grande nergie, les lectrons rtro
diffuss proviennent dune profondeur plus ou moins importante et la rsolution
de limage sera moins importante que celle obtenue avec les lectrons secondaires.
II-1-3- Microscopie force atomique :
La microscopie force atomique (AFM : atomic force microscopy) est une
technique rcente, dveloppe en 1982 par les chercheurs Binning, Rohrer, Gerber
et Weibel en collaboration avec IBM et lUniversit de Stanford.
Le principe repose sur les interactions entre une pointe et la surface dun
chantillon, qui donne lieu des forces rpulsives ou attractives. Par mesure et
contrle de ces forces, la technique permet de mettre en image la topographie de la
surface et dtudier dautres phnomnes physiques lchelle nanomtrique voire
atomique.
75

Figure II.7 : Schma synoptique dun microscope force atomique AFM

II-1-4- Spectroscopie UV-visible :
La spectroscopie UV-Visible est une mthode non destructive qui
repose sur la transition dun tat fondamental vers un tat excit dun
lectron dun atome ou dune molcule par excitation par une onde
lectromagntique. Ces transitions lectroniques se font dans le domaine de l'ultra-
violet, de 200 350 nm et du visible entre 350 800 nm.
Le principe du spectrophotomtre consiste en une source de lumire UV
ou visible qui permet un continuum dmission sur toute la gamme de longueur
donde UV -Visible. Un monochromateur permet de slectionner des longueurs
dondes, le faisceau de photons slectionn traverse un miroir qui synchronise le
mouvement du monochromateur puis le faisceau traverse lchantillon et la
rfrence, enfin un amplificateur permet de comparer lintensit en sortie par
rapport lintensit dmission.
76
Les spectres obtenus donnent la variation relative de la transmittance T (%)
de la couche en fonction de la longueur donde (nm). A partir de ces spectres, il
est aussi possible de dterminer la valeur de la largeur de la bande interdite (le gap)
et les indices optiques.
II-1-5- La photoluminescence PL :

La photoluminescence est une mthode de spectroscopie avec laquelle il est
possible d'analyser des matriaux semi-conducteurs ou isolants.
Le principe de la photoluminescence est d'exciter des lectrons de la bande de
valence avec un photon d'une nergie suprieure l'nergie de gap du compos, de
telle sorte qu'ils se retrouvent dans la bande de conduction. L'excitation fait donc
passer les lectrons vers un tat d'nergie suprieure avant qu'ils ne reviennent vers
un niveau nergtique plus bas avec mission d'un photon aprs un temps trs court.

III- Rsultas
La structure des films SnO
2
dposs est tudie par lanalyse de son spectre de
diffraction des rayons X (DRX), ralis laide de diffractomtre Bruker D8
lInstitut de Physique et Chimie des Matriaux Strasbourg (IPCMS), la macroscopie
force atomique (AFM) obtenue avec Nanoscope Dimension 3100 from Veeco
Instruments en mode semi contact lInstitut dElectronique du Solide et des
Systmes (INESS) de Strasbourg, et par microscopie lectronique balayage (MEB)
en utilisant JEOL 6700F microscope luniversit de TIZI-OUZOU. Les spectres de
transmission et de labsorption films SnO
2
et ZnO raliss dans cette tude est
ralise avec un spectrophotomtre conventionnel UVVis IPCMS.
III-1- Les films SnO
2
III-1-1- La structure :
Les spectres de la diffraction des rayons X des chantillons SnO
2
(200nm)
dposs sur du verre ainsi que sur lITO son reprsents par la figure suivante :
77

Figure III-10 : Les spectres de diffraction des rayons X des chantillons
SnO
2
(200)nm.

Les films sont polycristallins, ils prsentent deux pics. Pour ceux qui sont sur
le substrat dITO, un pic dorientation (110) dintensit plus importante est
enregistr 2=26 degrs et lautre (101) 2 =34 degrs.
Pour les chantillons sur verre, les pics (110) et (101) sont plus larges,
enregistrs respectivement aux mmes angles que les films sur ITO, ce qui indique
que la taille des grains est plus importante dans les chantillons verre/SnO2 que les
chantillons verre/ITO/SnO
2
.
Les mmes pics sont enregistrs sur lchantillon dpaisseur de 100nm
78
.

Figure III-11 : Les spectres de diffraction des rayons X des chantillons
SnO
2
(100)nm.

Cette remarque est confirme par les images AFM des deux chantillons. La
rugosit des surfaces est plus importante pour lchantillon verre/SnO2 dont le
RMS (Root Mean Square) est de 44 nm que lchantillon verre/ITO/SnO2 qui a un
RMS de 31,39 nm (figure III-11), cela est d la nature des substrats, amorphe pour
le cas du verre et cristallin pour lITO.

79

Figure III-12 : micrographies AFM deux dimensions et trois dimensions du
SnO
2
(200nm);
a- sur un substrat dITO
b- sur un substrat de verre

La rugosit des chantillons ITO/SnO2 diminue en augmentant le temps de
dpt, soit avec lpaisseur des chantillons ; le RMS est de 32,27nm, et 150 nm
pour les paisseurs, 40,60 et 100 nm. Les figures III-12 a , b et c reprsentent les
images AFM deux dimensions ainsi qu trois dimensions des chantillons
prcdents.
a) ITO /SnO2 ( 200nm)
((((((20
a) verre /SnO2
((((((20
80

Figure II-13- micrographies AFM 2D et 3Ddu SnO
2
;
a- ITO/ SnO2 (40nm)
b- ITO/ SnO2 (60nm)
c- ITO/ SnO2 (100nm)
b) ITO/SnO2 (60nm)
D) ITO/SnO2 (100nm)
b) ITO/SnO2 (40nm)
81
Le tableau III-1 rsume les valeurs des rugosits des chantillons de SnO
2

diffrentes paisseurs.

Echantillon verre
/SnO2
ITO/SnO2
(200nm)
ITO/SnO2
(100nm)
ITO/SnO2
(60nm)
ITO/SnO2
(40nm)
RMS(nm) 8,91 7,4 150 267 3,27

Tableau III-1 : RMS des chantillons SnO
2
en fonction de leurs paisseurs

Les spectres de photoluminescence temprature ambiante des chantillons
ITO/SnO
2
diffrentes paisseurs montrent que les diffrents chantillons
prsentent un gap une longueur donde 400 nm (3.1 eV). Les chantillons
prsentent un pic dmission dans la rgion comprise entre 500 et 600 nm. Ces pics
sont dus aux dfauts doxygne ce qui confre la conductivit aux chantillons.

82

Figure III.13 : Les spectres de photoluminescence SnO
2
diffrentes
paisseurs
III-1-2- Les proprits optiques
Les caractrisations optiques ont t bases sur la spectroscopie de
transmission dans l'UV-Visible. En effet, lexploitation des spectres nous permet de
calculer le gap optique. Sur les figures III-14 nous avons regroups les spectres de
transmission et de labsorption dans la gamme de 200 800 nm. Bien que l'allure
gnrale des spectres soit identique, ceux-ci sont composs de deux rgions :
- Une rgion de forte transparence : situe entre 400 et 800 nm, la valeur de
la transmission est de lordre de 70 85% suivant le lpaisseur de lchantillon.
Cette valeur, rapporte par plusieurs auteurs [131], confre aux de SnO
2
, le
caractre de transparence dans la gamme du visible. Dans cette gamme de longueur
donde, on observe des franges dinterfrences dans des films labors. Ces franges,
caractrises par les ondulations des courbes, sont dues la rflexion multiple du
rayonnement sur les deux interfaces du film. Ce rsultat indique que les films
prpars avec ces conditions sont homognes et de surfaces lisses.
- Une rgion de forte absorption : cette rgion correspond labsorption
fondamentale (<350nm) dans les films. Cette absorption est due la transition
lectronique interbande.
SnO
2
(200nm
83
200 300 400 500 600 700 800
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
40 nm
60 nm
100 nm
no SnO
2
Glass/ITO/SnO
2

l

200 300 400 500 600 700 800 900
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
40 nm
60 nm
100 nm
Glass/ITO/SnO
2

A
b
s
o
r
p
t
i
o
n
l (nm)

Figure III-14- spectre de transmission et dabsorption du SnO2 sur des
substrats dITO en lpaisseur de la couche de SnO
2
.

84
III-2- Les films de ZnO
III-2-1- La structure
La figure II-15 reprsente les images AFM des chantillons de ZnO sur des
substrats de verre et sur des substrats dITO. Les chantillons sur verre qui sont
dpaisseur de 650,62 nm prsentent une rugosit de 43,52nm, au moment o ceux
qui sont sur lITO dpaisseur de 323nm prsentent un RMS de 69,22nm.

Figure III-15- Images AFM ( deux dimensions et trois dimensions) du ZnO
sur des substrats dITO et sur des substrats de verre.

ITO/ZnO (300nm)
verre/ZnO (300nm)
85
Le tableau III-2 rsume les valeurs des rugosits des chantillons de ZnO

diffrentes paisseurs.
Echantillon Verre
/ZnO(150nm)
ITO/ZnO(300nm) ITO/ZnO(150nm)
RMS (nm) 100 43,52 69,22

Tableau III-1 : RMS des chantillons ZnO en fonction de leurs paisseurs.

Le spectre de photoluminescence des chantillons de ZnO sur lITO, pour
diffrentes paisseurs de ZnO, montrent quils prsentent un gap de 3,14 eV,
comme ils prsentent des pics pour la longueur donde de 550 nm. Lchantillon
dpaisseur de 70 nm prsente un pic plus intense que les deux autres, cela indique
que la densit des dfauts (lacunes doxygne) est plus importante aussi.
24/10/2011
300 400 500 600 700 800 900
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
40 nm
70 nm
150 nm
Glass/ITO/ZnO
integration time: 500 ms
L
a
s
e
r

P
L

i
n
t
e
n
s
i
t
y

(
*
1
0
5

a
r
b
.

u
.
)
Wavelength (nm)
L
a
s
e
r
before annealing at 500C

Figure III-16- Spectre de photoluminescence du ZnO sur des substrats
dITO en fonction de lpaisseur de la couche de ZnO.

86
III-2-2- Proprits optiques :
La figure II-15 prsente le spectre de transmission et dabsorption de ZnO en
fonction de son paisseur. Lensemble des chantillons prsente une transmission
plus de 70% dans la gamme des longueurs donde allant de 400 800nm.
200 300 400 500 600 700 800 900
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
40 nm
70 nm
150 nm
Glass/ITO/ZnO

A
b
s
o
r
p
t
i
o
n
l (nm)
200 300 400 500 600 700 800
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
40 nm
70 nm
150 nm
Glass/ITO/ZnO 100nm s
Glass/ITO/ZnO

T
r
a
n
s
m
i
s
s
i
o
n
l (nm)

Figure III-15- spectre de transmission et dabsorption du ZnO sur des
substrats dITO en fonction de la couche de ZnO.

87

Chapitre IV

Les paramtres photovoltaques des
cellules solaires ralises
Chapitre IV Paramtres photovoltaques des cellules
88
Trois types de cellules ont t labors et caractrises dans ce travail.
La premire srie, sont de type conventionnelles de structure : ITO/PEDOT :
PSS/P3HT :PCBM /Al, et la deuxime srie sont structure inverse, dans lesquelles
les films de SnO2 et de ZnO labors et caractriss prcdemment son utiliss
I- Les structures conventionnelles
I-1-Exprimentation :
I-1-1-Fabrication des dispositifs
Les cellules structure conventionnelles sont labores selon les tapes suivantes :
a. Prparation des substrats :
Des substrats en verre/ITO sont nettoys par ultrason dans lactone et lalcool
isopropanol puis de leau distille, ils sont ensuite schs laide dun flux de
l'azote.
b. Dpt de couche interfaciale PEDOT : PSS :
Gravure du substrat de lITO laide de HCl, tout en protgent la partie
garder avec un ruban adhsif.
Dpt de la couche poly (3,ethylenedioxythiophene) poly
(styrnesulfonate) (PEDOT : PSS) (Baytron P, catgorie standard, HC
rigide) par spin-coating via un filtre de 0,42mm.
Recuits thermique des substrats 120C pendant 30 minutes sous vide
pour liminer toute trace deau utilis comme solvant pour le PEDOT :
PSS.
Lpaisseur des substrats est de lordre de 40 nanomtres
c. dpt de la couche active
Prparation de la : la solution est un mlange de poly(3-hexylthiophene-
2,5-diyl):[6,6]-phenyl-C61-(butyric acid methylester) P3HT et PCBM
dans le chlorobenzne (Sigmaaldrich) dans le di-chlorobenzne comme
solvant.
Agitation et chauffage des solutions 45C pendant 24 h avant le dpt
dans la boite gants.
89
Dpt de la couche P3HT : PCBM laide de dune tournette
Recuit thermique des dispositifs 60C pendant 30mn.
Lpaisseur de la couche active est de lordre de 120 nanomtres
Deux sries de cellules structure conventionnelle ont t prpares :la
premire rapport de masse P3HT :PCBM gale 1 :1 de concentration : 40
mg/ml, 50 mg/ml, 60 mg/ml, 70 mg/ml et 80 mg/ml. La deuxime srie
concentration de 40mg/ml mais diffrents rapport de masse P3HT : PCBM,
savoir : de 1:1, 1 :08 et 1 :06.
d. Dpt de cathode dAluminium Al :
Aprs dpt de la couche active, les dispositifs sont placs dans un four
vaporation thermique. La cathode aluminium est dpose sous un vide de
lordre de 10
-7
torr avec un taux dvaporation de 1nm/s.
La structure finale des cellules structure conventionnelle ralises est :
ITO/PEDOT: PSS/P3HT: PCBM/Al. la surface des cellules est de 9 mm
2

Elle est reprsente sur la figure suivante :

Figure IV-1 : Structure des cellules solaires conventionnelles ralises et
utilises dans cette tude et leur diagramme dnergie .
90

Figure IV -2- Dispositifs exprimentaux de dpt de la couche active des cellules
I-1-2- Caractrisation :
Les morphologies extrieures des films P3HT : PCBM ont t tudis utilisant
la microscopie lectronique balayage (MEB) et les spectres d'absorption des films
P3HT:PCBM sur substrat de quartz en utilisant le spectromtre infrarouge UV/visible/
near infrared (lambda 900, PerkinElmer, Inc.).
Les mesures lectriques ont t effectues dans la boite gants temprature
ambiante sans encapsulation des dispositifs sous un simulateur solaire de puissance
spectrale de 150W, en utilisant un filtre AM 1.5 avec une intensit de 100 mW/cm
2
.

Figure IV -3- Dispositifs exprimentaux de caractrisation lectrique I(V) des cellules.

91
I-1-3- Rsultats et interprtations
a- Evolution des paramtres photovoltaques en fonction du rapport de
masse de P3HT : PCBM dans le mlange :
La figure IV-4 montre l'effet du rapport de masse de P3HT : PCBM sur les
paramtres photovoltaques des dispositifs, pour une concentration de 40 mg/ml. Le
meilleur rendement est obtenu pour 80% de masse de PCBM par rapport la masse
totale de PCBM : P3HT. Ce rsultat peut tre attribu un empilement
intermolculaire plus serr des chanes molculaires de P3HT d un mlange
homogne de P3HT avec PCBM. Pour la composition en 1:04 et 1 : 06, les chanes de
P3HT sont bien mlanges avec le PCBM, causant leurs dballage intermolculaire,
ce qui rduit la mobilit des trous.
92
0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1
46,5
47,0
47,5
48,0
48,5
49,0
49,5
50,0

f
a
c
t
e
u
r

d
e

f
o
r
m
e
(
%
)
masse de PCBM/P3HT
0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0

d
e
n
s
i
t

d
e

c
o
u
r
a
n
t

c
o
u
r
t
c
i
r
c
u
i
t
(
m
A
/
c
m
2
)
masse de PCBM/P3HT
0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1
0,36
0,40
0,44
0,48
0,52
0,56
0,60

t
e
n
s
i
o
n

d
e
c
o
u
r
t

c
i
r
c
u
i
t
(
V
)

masse de PCBM/P3HT
0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1
2,0
2,2
2,4
2,6
2,8
3,0

r
e
n
d
e
m
e
n
t
(
%
)
masse de PCBM/P3HT

Figure IV- 3 : volution de la densit de courant court circuit J
cc
(a), du facteur de
forme FF (b), de la tension de circuit ouvert V
co
(c) et du rendement de
conversion(d) des cellules en fonction du rapport des masse PCBM /
P3HT , pour une concentration de 40mg/ml.

a
d
c
b
93
La figure IV-4 montre les micrographies MEB de trois chantillons P3HT :
PCBM (1 : 08, 1 :06 et 1 :04) sur quartz pour une concentration de 40 mg/ml. Les
chanes polymre sont bien mlanges avec le PCBM pour les compositions 1 : 04 et
1 :06 (figure a et b). Sur la figure c, la distribution du PCBM est homogne dans les
chanes de P3HT.

Figure IV -4 : Micrographes MEB des chantillons P3HT :PCBM sur des substrats
de verre, pour une concentration de 40mg/ml :
a- composition P3HT : PCBM= 1 :04
b- composition P3HT : PCBM= 1 :06
c- composition P3HT : PCBM=1 :08
a b
c
94
b- Evolution des paramtres photovoltaques en fonction de la
concentration du P3HT : PCBM dans le mlange :
La concentration du P3HT : PCBM dans le mlange dtermine lpaisseur de la
couche active, ce qui son tour conditionne labsorption de la lumire.
La figure IV-5 reprsente lvolution du facteur de forme FF, de la tension de
circuit ouvert V
co
, de la densit de courant court circuit J
cc
et du rendement de
conversion des cellules en fonction de la concentration de mlange P3HT : PCBM
dans la solution, pour un rapport de masse P3HT : PCBM de 1 : 08
20 30 40 50 60 70 80 90 100
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50

f
a
c
t
e
u
r

d
e

f
o
r
m
e

F
F
(
%
)
concentration de PCBM/P3HT mg/ml
20 30 40 50 60 70 80 90 100
8
9
10
11
12

c
o
u
r
a
n
t

d
e

c
o
u
r
t

c
i
r
u
i
t
(
m
A
/
c
m
2
)
concentration de PCBM/P3HT (mg/ml)

20 40 60 80 100
0,3
0,4
0,5
0,6

t
e
n
s
i
o
n

d
e
c
o
u
r
t

c
i
r
c
u
i
t
(
V
)

concentration de PCBM/P3HT mg/ml

20 30 40 50 60 70 80 90 100
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0

r
e
n
d
e
m
e
n
t
(
%
)

concentration de PCBM/P3HT (mg/ml)

Figure IV-5 : Evolution du facteur de forme FF(a), de la densit de courant
court circuit J
cc
(b), de la tension de circuit ouvert V
co
(c), et du rendement de
conversion (d) des cellules en fonction de la concentration de mlange P3HT :
PCBM, pour un rapport de masse P3HT : PCBM gale 1 : 08.
a
c
b
d
b
95
Les meilleures performances sont enregistres pour la concentration de 50
mg/ml, ce qui peut tre attribu la dissociation efficace des excitons avant leur
recombinaison.

Les spectres dabsorption des films P3HT : PCBM prsentent un dcalage
vers les longueurs dondes leves (vers le rouge du spectre) pour les films faible
concentration, et le maximum dabsorption reste constant, ce qui explique le bon
rendement de la cellule couche active de 50 mg/ml.

Figure IV- 6 : spectre dabsorption des films P3HT : PCBM pour les
concentrations 50 mg/ml et 80 mg/ml
96
c - Effet du recuit thermique
Les figures IV-7, IV-8 (a) et (b) et les tableaux IV-1et IV-2, prsentent leffet
du recuit thermique sur la caractristique courant-tension I(V) des dispositifs
photovoltaques organiques. Lensemble des dispositifs est soumis un recuit
thermique 140C pendant 30 minutes. Les diffrents paramtres photovoltaques des
cellules subissent une nette amlioration aprs traitement, notamment, le courant de
court circuit et le rendement.
-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM(1:1)/Al
avant recuit
J
(
m
A
/
c
m

2
)
V(v)
Obscurit
Illumination
-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
aprs recuit
J
(
m
A
/
c
m
2
)
V(v)
Obscurit
Illumination

Figure IV-7 : leffet du recuit thermique sur la caractristique courant tension I(V)
cellules type :Verre /ITO/ PEDOT : PSS /P3HT : PCBM (1 :1)/ Al , pour les
concentrations 40 mg/ml.
97
Tableau IV-1- tableau des paramtres photovoltaques des cellules type :Verre /ITO/
PEDOT : PSS /P3HT : PCBM (1 :1)/ Al avant et aprs recuit thermique 140C .
-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
-10
-5
0
5
10
avant recuit
J
(
m
A
/
c
m
2
)
V(v)
Obscurit
Illumination

-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
-10
0
10
aprs recuit
J
(
m
A
/
c
m
2
)
V(v)
Obscurit
Illumination

Figure IV-8 : Caractristique courant tension I(V) cellules type :
Verre /ITO/ PEDOT : PSS /P3HT : PCBM (1 :08)/ Al, pour la
concentration de 40 mg/ml avant et aprs recuit thermique.
P3HT : PCBM =1 :1 Jcc( mA/cm
2
) Vco(V) FF (%) (%)
Avant recuit 7,6 0,54 49 ,87 2 ,27
Aprs recuit 140C (10 min) 11,66 0,61 51,62 3,67
b
98

La cellule de concentration de 40 mg/ml prsente un meilleur rendement, aprs
recuit thermique 140C pendant 30min, soit 3.71 % avec un facteur de forme FF de
51 %. Le courant de court circuit et la tension de circuit ouvert sont de 11,56 mA/cm
2

et 0.62V respectivement.
Le mcanisme global de lamlioration du rendement des dispositifs suite au
recuit thermique pourrait tre d au fait que les films dveloppent efficacement une
jonction interpntre donneur/ accepteur fortement lies lchelle nanomtrique.
Cette sparation de phase peut engendrer la dissociation et la collection efficace des
excitons photogeners aux interfaces, par la fourniture de voies continues pour le
transport et la collection d'lectrons et de trous. Une autre raison pour cette
amlioration peut tre laugmentation de la mobilit des trous dans le P3HT pendant
la sparation de phase du film.
II- Structures inverses :
II-1-Exprimentation :
II-1-2- Fabrication et caractrisation des cellules solaires structure
inverse :
Les cellules structure inverses ralises dans cette tude sont
labores selon les tapes suivantes :
a. Gravure de des films ZnO et SnO2 et nettoyage de le surface :
Les substrats sont des chantillons de verre/ITO/ ZnO et verre/ITO/SnO
2
. Les couches
de ZnO et de SnO
2
sont dposes par la technique de dpt chimique en phase vapeur
pression atmosphrique (APCVD), selon les tapes expliques dans le chapitre
prcdent.
Protger la partie conserver avec un film rsistant lacide.
Immerger temprature pendant 10mn dans lacide sulfurique.
99
Rincer leau de ionis
Relever le film adhsif
Immerger lactone puis dans lisopropanol dans un bain ultrason 45C
Scher lazote
b. Dpt de la couche active P3HT : PCBM
Prparer la solution P3HT : PCBM dans di-chlorobenzne( 40mg/ml de
concentration et un rapport de masse 1 :1)et la laisser agiter 24 havant
lutilisation.
Dpt de la couche par spin-coating en deux tapes
1. Vitesse de 1250tr/min, acclration de 200tr/s
2
pendant
60secondes
2. Vitesse de 2000tr/min, acclration de 200tr/ s
2
pendant
60secondes.
Les chantillons de structure: verre/ITO/ ZnO /P3HT : PCBM et
verre/ITO/SnO
2
/P3HT : PCBM ainsi raliss sont soumis un recuit thermique
140C pendant 30 minutes
c. Dpt de la cathode MoO3/Ag :
La cathode est constitue dune couche de loxyde de molybdneMoO3,
dpose par vaporation thermique, sous un masque et dun film de
lArgent Ag dpos avec la mme masque, aprs avoir dpos la couche
MoO3.
La caractrisation lectrique des dispositifs finaux des structures
verre/ITO/ZnO /P3HT : PCBM/ MoO
3
/Ag et verre/ITO/ SnO
2
/P3HT : PCBM/ MoO
3
/Ag de surface 9mm
2
est ralise laide dun simulateur solaire de puissance de
100mW/cm
2
.
100
Pour mieux expliquer les variations des paramtres photovoltaques des cellules
en fonction de la nature et de lpaisseur du substrat utilis, les cellules sont
caractrises par spectromtrie de transmission, diffraction des rayons X et
microscopie force atomique.
La structure finale des dispositifs est reprsente par les figures suivantes :

Figure IV-9 - structure des cellules solaires structure inverse ralises.

II-2- rsultats et interprtations
II-2-1- Effet de lpaisseur de SnO
2
et de ZnO sur les paramtres
photovoltaques des cellules :
Afin de voir leffet de lpaisseur des couches de SnO
2
et de ZnO sur les
caractristiques courant- tension I (V) des cellules, trois cellules de type : verre/ITO/
ZnO/P3HT : PCBM/ MoO
3
/Ag et trois de type verre/ITO/ SnO
2
/P3HT : PCBM/
MoO
3
/Ag sont ralises tout en faisant varier les paisseurs des couches SnO2 et
ZnO.
La figure IV- 9 reprsente les courbes I (V) des cellules en fonction de
lpaisseur de SnO
2
. Les rsultats sont regroups dans le tableau IV-4.
101
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0

ITO/SnO2(40nm)/P3HT:PCBM/MoO3(5nm)/Ag
J
(
m
A
/
c
m
2
)
tension (V)
obscurit
illumination

Figure IV-9 : caractristique I(V) des cellules et tableau rcapitulatif des paramtres
photovoltaques des cellules types verre/ITO/ SnO
2
/P3HT : PCBM/
MoO
3
2
, pour une paisseur de
MoO
3
de 5 nm.

J(mA/ cm
2
)
Tension (V)
Obscurit
Illumination
102
Tableau IV- 4- tableau des paramtres photovoltaques des cellules type
verre/ITO/ SnO
2
/P3HT : PCBM/ MoO
3
(5nm)

/Ag en fonction de
lpaisseur de SnO
2
.
La figure IV-10- prsente les caractristiques I(V) des cellules de
type :ITO/SnO2/P3HT :PCBM/MoO3(3nm)/A g, pour les diffrentes paisseurs du
SnO
2
(100,60 et 40nm).
-0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
ITO/SnO
2
/P3HT:PCBM/MoO
3
(3nm)/Ag

J

(
m
A
/
c
m
2
)
tension (V)
40 nm
60 nm
100 nm

Figure IV-10 : les courbes I(V) des cellules de type: verre/ITO/ SnO
2
/P3HT :
PCBM/MoO
3
(3nm)

/Ag en fonction de lpaisseur du SnO
2
.

Epaisseur de SnO2 (nm) I
cc
(mA) V
co
(V) FF(%) (%)
40 9,03 0,385 30,5 1,06
200 3,20 0,309 25,5 0, 25
103
Tableau IV-3: tableau rcapitulatif des paramtres photovoltaques des cellules type
verre/ITO/ SnO
2
/P3HT : PCBM/ MoO
3
(3nm)

/Ag en fonction de
lpaisseur de SnO
2
.

Pour les cellules base de SnO
2
, pour une mme paisseur de MoO
3
, la cellule
100 nm de SnO
2
prsente les meilleures caractristiques photovoltaques (Vco= 0,37
V, Jcc=1,83 mA/cm
2
, FF= 39,5 %), car son spectre dabsorption dans la gamme du
visible (400-800 nm) est meilleur.
Ce mme rsultat est vrifi pour les cellules base de ZnO. On constate que la
cellule avec la couche de ZnO de 75 nm a un rendement deux fois plus lev que celle
base de ZnO dpaisseur de 150 nm.
La figure ci-dessous illustre les variations des spectres dabsorption et de
transmission des cellules de type verre/ITO/ SnO
2
/ P3HT : PCBM/ MoO
3
/Ag en
fonction de lpaisseur de SnO
2
. Le maximum de labsorption de la cellule base du
SnO
2
(40 nm) se situe entre les longueurs donde de 550 et 600 nm, ce qui explique le
meilleur rendement de la cellule verre/ITO/ SnO
2
(40nm)/ P3HT : PCBM/ MoO
3
(5
nm)

/Ag.

Epaisseur de
SnO2 (nm)
Jcc(mA/cm
2
) Voc(V) FF(%) (%)
40 1.10 0.20 19.7 0.04
60 1.41 0.13 28.2 0.05
100 1.83 0.37 39.5 0.27
104

Figure IV-11 : spectre de transmission et dabsorption des cellules de type
ITO/SnO2/P3HT : PCBM /Ag.
La diffraction des rayons X effectue sur des cellules diffrentes paisseurs de
SnO
2
montre une bonne cristallinit du snO2 40 nm dpaisseur.
40 nm
60nm
100nm
40 nm
60nm
100nm
105
Pour le ZnO, lpaisseur 75 nm savre optimale pour les dispositifs
photovoltaques structure inverse de type : verre /ITO/ ZnO/P3HT : PCBM/
MoO
3
/Ag.
Le tableau ci-dessous regroupe les paramtres photovoltaques des cellules
de type : verre/ITO/ ZnO/P3HT : PCBM/ MoO
3
/Ag en fonction de lpaisseur de
la couche de ZnO.

Tableau IV- 5 : paramtres photovoltaques des cellules de type /ITO/ ZnO/P3HT :
PCBM/ MoO
3
/Ag en fonction de lpaisseur de ZnO.
b-Effet de lpaisseur de la couche de MoO
3
:
Leffet de lpaisseur de la couche de MoO
3
sur les paramtres photovoltaques
des cellules solaires organiques structures inverses, base de SnO
2
et de ZnO est
investi dans ce travail. Dans cette tude et afin de tester leffet de cette couche de
MoO
3
sur les cellules, trois cellules de structure :
verre/ITO/ SnO
2
(40 nm)/P3HT:PCBM / MoO
3
/Ag sont ralises, avec trois
diffrentes paisseurs des MoO
3
(3 nm, 5nm et 20nm).
Epaisseur de
ZnO (nm)
J
cc
( mA/cm
2
) V
co
(V) FF(%) (%)
40 1,03 0,29 22,2 0,063
75 2,86 0,07 41,8 0,089
150 0,91 0,19 19,7 0,035
106
Les figures IV- 12 (a) et (b) prsentent les caractristiques I (V) des cellules
prcdentes lobscurit et sous illumination.

-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0

J
(
m
A
/
c
m
2
)
tension (V)
obscurit
illumination

Figure IV-12 (a): Caractristiques I (V) des cellules type verre/ITO/ SnO
2
(40
nm)/P3HT:PCBM/ MoO
3
(5 nm)

/Ag lobscurit et sous
illumination.

107
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
-15
-10
-5
0
5
10
15
verre /ITO/SnO2(40)/P3HT:PCBM/MoO3(20nm)/Ag

I
(
m
A
)
V(V)
obscurit
sous illumination

Figure IV-12 : Caractristiques I (V) des cellules type verre/ITO/ SnO
2
(40
nm)/P3HT:PCBM/ MoO
3
(20nm)

/Ag lobscurit et sous
illumination.
La cellule avec 5 nm de MoO
3
prsente un meilleur courant de court circuit I
cc
de valeur 9,3 m A et un rendement de 1,06 %. Le dispositif de 3 nm de MoO
3
prsente des proprits photovoltaques instables (des contre diodes sur les
caractristiques I(V)), cela est d selon Yeon-II Lee [132] la formation des lots de
MoO
3
sous llectrode dargent.
c- Effet des rayons ultraviolets :
Pour des applications pratiques des cellules solaires, ltude de leffet des
rayons ultraviolets sur les variations de leurs paramtres est intressante. Dans ce sens,
nous avons expos les diffrents dispositifs raliss aux rayons UV pour diffrentes
dures.
Les rsultats sont regroups dans les figures ( IV -13(a) et (b)) :
J (mA/cm
2
)
108
-0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4

ITO/SnO2 (100 nm)/P3HT:PCBM/MoO3(3 nm)/Ag
J
(
m
A
/
c
m
2
)
tension (V)
no uv
3min uv
6 min uv
9 min UV
-0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4

ITO/SnO
2
(40 nm)/P3HT:PCBM/MoO
3
(3 nm)/Ag
J

(
m
A

/
c
m
2
)
tension (V)
no uv
2min uv
4 min uv
7 min UV

Figure IV-13 : Caractristiques I (V) des cellules de type : verre/ITO/ SnO
2
(40 ,60 nm)/P3HT:PCBM/ MoO
3
(3 nm)

/Ag en fonction de la dure
de lexposition aux rayons UV.

109
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4

ITO/ZnO (40 nm)/P3HT:PCBM/MoO3(3 nm)/Ag
J

(
m
A
/

c
m
2
)
tension (v)
sans UV
3 min UV
5 min UV

Figure IV-13 (b): Caractristiques I (V) des cellules de type : verre/ITO/
ZnO

(100 nm)/P3HT:PCBM/ MoO
3
( 3 nm)

/Ag en fonction de la
dure de lexposition aux rayons UV.
On constate que les rayons UV redressent les contre diodes prsentes sur les
caractristiques J(V) des cellules et fait augmenter leurs rendements. Ces
amliorations reviennent la sparation des phases dans le mlange et
laugmentation de la densit des porteurs de charges mobiles dans les oxydes SnO
2
et
ZnO sous leffet des UVs.
Ces augmentations sont limites car la couche active constitue de polymre,
car le polymre perd ses performances pour les longues dures dexposition aux UV.

d- Effet du recuit thermique sur les paramtres photovoltaques des cellules
structure inverse :
Leffet du recuit thermique sur les paramtres photovoltaques des cellules
solaires organiques structure inverse nest pas bnfique. En effet, le recuit
110
thermique des dispositifs entraine la pntration des atomes doxygne que loxyde de
molybdne (MoO
3
) contient, ce qui dune part provoque la dgradation de la couche
active et, dautre part, modifie linterface entre lanode (Ag) et la couche organique.
Ces modifications apparaissent dans la diminution du facteur de forme FF et de la
tension de circuit ouvert Vco des cellules aprs recuit.
La figure IV-11 et le tableau IV- 6 illustrent les variations des caractristiques
I-V pour une cellule de structure ITO/SnO2/P3HT : PCBM /MoO3 /Ag suite au recuit
thermique 140C, et expose aux rayons UVs pour diffrentes dures.
-0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4


J

(
m
A

/
c
m
2
)
Tension (V)
Sans recuit et sans UV
Sans recuit et avec 5min UV
Avec recuit 140C et avec 5 minUV
Avec recuit 140C et avec mnUV
Avec recuit 140C et avec 10 mnUV

Figure IV-14 : variations des caractristiques I-V pour la cellule de structure
ITO/SnO
2
/P3HT : PCBM /MoO
3
/Ag suite au recuit thermique
140C, et expose aux rayons UVs pour diffrentes dures.

111

Conditions de traitement Jcc(mA/cm
2
) Vco (V) FF (%) (%)
Sans UV et sans recuit 9,03 0.384 30.5 1.06
5 min UV 9,77 0.34 33,7 1,13
5 min UV+recuit 140C 7,09 0.19 31,2 0,42
8min UV+recuit 140C 7, 90 0,2 32,2 0,51
10 min UV+recuit 40C 7,95 0,21 31,0 0,52

Tableau IV- 6: paramtres photovoltaques des cellules de type /ITO/ SnO
2
/P3HT :
PCBM/ MoO
3
/Ag , aprs recuit 140C en fonction de la dure
dexposition aux UVs.
Les cellules base de SnO
2
prsentent de meilleures performances en
comparaison avec celles qui sont base de ZnO, car la conductivit du SnO
2
est
suprieure celle du ZnO non dop. Les cellules employant le ZnO prsentent un
faible rendement du fait de la faible conductivit de ce matriau ; cependant les
caractristiques optiques du ZnO sont trs intressantes et une augmentation de sa
conductivit laide dun dopage adquat permettra damliorer le rendement de
conversion de ce type de cellules.
Une exposition des cellules aux UVs permet damliorer la conductivit des
porteurs de charge et de corriger leffet de contre diode, permettant ainsi
damliorer les performances des cellules.
112

Conclusion
Conclusion
113

Notre tude a port sur la ralisation et la caractrisation de cellules solaires
organiques. Dans la premire partie de notre travail nous avons labor deux TCOs
(ZnO et SnO
2
) dans le but de remplacer la couche de PEDOT : PSS qui engendre la
dgradation de llectrode de lITO.
Nous avons tudi linfluence du lpaisseur des films ZnO et SnO
2
sur leurs
proprits structurales et optiques, afin de voir leurs impactes sur les paramtres
photovoltaques des cellules ralises.
Les rsultats obtenus ont montr que lensemble des films sont transparents avec
une valeur de lordre de 75 85% dans la gamme de longueurs dondes allant de 400
nm 800 nm, ils sont polycristallins et prsentent une surface avec une rugosit qui
varie avec lpaisseur.
Dans la deuxime partie de notre travail nous avons ralis et caractris des
cellules solaires photovoltaques conventionnelles de structure :
ITO/PEDOT : PSS/P3HT : PCBM / Al, tout en faisant varier le rapport de masse
P3HT :PCBM (1 :1, 1 :06, 1 :08) et pour diffrentes concentrations de P3HT :PCBM
dans le solvant . Nous avons constat que la composition dont le rapport de masse
P3HT : PCBM de 1 :08 donne les meilleurs paramtres (courant de court circuit,
tension de circuit ouvert, ..), donc de meilleures performances ; de mme la
concentration de 40 mg/ml aussi est optimale pour ce type de cellules.
Le recuit thermique des cellules que nous avons labores 140C durant 10
minutes fait augmenter le rendement de conversion dun rapport pratiquement gal
deux, cela par laugmentation de la mobilit des porteurs de charges dans le polymre
et par larrangement des phases P3HT et PCBM dans le mlange.
Lapplication des TCOs raliss pour les cellules structure inverse de type :
ITO/ZnO/P3HT : PCBM /MoO3/Ag et ITO/SnO2/P3HT : PCBM /MoO3/Ag avec un
rapport de masse P3HT : PCBM de 1 :1 et de concentration de 40mg/ml fut la dernire
partie de ce travail. Nous avons exploit leffet de lpaisseur des films ZnO et SnO2
sur les diffrents paramtres photovoltaques des dispositifs. Pour les cellules base de
Conclusion
114

SnO
2
, lpaisseur de 40 nm de SnO2 donne loptimum du rendement au moment o il
est de 75nm pour le ZnO.
Leffet de la couche bloquante dlectrons MoO
3
est aussi tudi sur les cellules
base de SnO
2
, en faisant varier son paisseur. Il est noter que lpaisseur de 5 nm
donnent le meilleur rendement pour les cellules base SnO2.
Leffet des rayons ultraviolet (UV) sur les diffrents paramtres des cellules est
aussi exploit dans cette tude. Les paramtres photovoltaiques des cellules
augmentent avec la dure de lexposition aux rayons UV, mais ils ont tendance se
dgrader pour les longues dures, ceci cause de la dgradation du P3HT.
Enfin, nous constatons que les cellules base de SnO
2
prsentent un meilleur
rendement en comparaison avec celles base de ZnO, cause de la meilleure
cristallisation des films SnO
2
, ce qui leur confre une meilleure conductivit, rsultat
confirm par leurs spectres de photoluminescence.
Pour perspective ce travail, un faible dopage des films SnO
2
par le fluor et le
ZnO par laluminium peut conduire la ralisation des lectrodes transparentes de
bonnes conductivits, par lAPCVD , une technique trs simple mettre en uvre et
sans besoins dquipement de vide, qui peuvent remplacer lITO pour les applications
photovoltaques organiques.
115

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Rsum :
Le travail consiste tudier et raliser des cellules solaires conversion
photovoltaque base de matriaux organiques. Dans premire partie des cellules
conventionnelles de structure ITO/PEDOT :PSS/ P3HT :PCBM /Al sont ralises et
caractrises et les diffrents facteurs qui influent sur le rendement sont tudis (
recuit thermique, concentration de la solution de la couche active et le rapport de
masse entre le P3HT et PCBM). La deuxime partie est consacre pour la ralisation et
la caractrisation de couches minces de SnO
2
et de ZnO en vue de les utiliser pour les
cellules structures inverses de type :
ITO/ZnO/P3HT : PCBM /MoO3/Al et ITO/SnO2/P3HT : PCBM(1 :1) /MoO3/Ag.
Les couches ZnO et SnO
2
prsentent une transmission optique suprieure
80% dans la gamme du visible du spectre solaire et leur tat de surface varie en
fonction de lpaisseur de lchantillon. Les cellules sont caractrises et leffet de
lpaisseur de la couche bloquante MoO
3
, lpaisseur des couches ZnO et SnO
2
sont
tudis.

Abstract
The work consists in studying and in realizing of the photovoltaic solar
cells based organic materials. In first part of the work, the conventional cells with
structure: ITO / PEDOT:PSS / P3HT PCBM / Al are realized and characterized and
the various factors which influence the efficiency are studied (thermal annealing ,
concentration of the solution of the active layer and the report of mass between the
P3HT and PCBM). The second part is dedicated for the realization and the
characterization of thin layers of SnO
2
and ZnO to use for cells with inverse structures
of type:
ITO/ZnO/P3HT: PCBM/MoO3/Al and ITO/ SnO2 / P3HT: PCBM (1 1) / MoO3 / Ag.
The ZnO and SnO2 films present an optical transmission superior to 80
% in the range of the visible of the solar spectrum. Their state of surface varies
according to the thickness of the sample. The realized cells are characterized and the
effect of the thickness of the blocking layer MoO3, the thickness of layers ZnO and
SnO2 are studied, the effect of annealing and the UV treatments are studied.

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par BP Solarex [1].

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