Caracterstica de ganho de corrente em transistor bipolar NPN
Engenharia de Controle e Automao Acadmicos:
Disciplina: Eletrnica II Laboratrio Professor: Cesar Meschiatti
Junho de 2014 23 Resumo
Nesse experimento montou-se o circuito com um transistor NPN afim de se estudar as suas caractersticas de ganho de corrente e obter o ganho de corrente experimentalmente, para isso variou-se o valor da fonte de tenso acoplada ao resistor da base e obteve-se os valores de Ic. Logo aps foi montado um grfico Ic x Ib para obter o valor de experimental. Em seguida comparou-se o valor experimental com o medido no multmetro e com o encontrado no data sheet.
Objetivos
Conhecer o componente eletrnico transistor bipolar NPN. Avaliar a caracterstica de ganho de corrente e obter, experimentalmente, o ganho de corrente . Aprender a utilizar o data sheet para verificar o significado de cada pino do componente e, tambm, para verificar o valor terico de .
Deve-se, primeiramente, montar o circuito abaixo, utilizando-se do data sheet para conhecer a pinagem do componente.
Em seguida, variando-se o valor da fonte de tenso acoplada ao resistor da base devesse preencher a tabela com os valores do Ic (para EWB e protoboard).
Clculo do experimental: Valores: 0- 115 237,5 270,66 278 300 283 293 296 300 Valor do encontrado no data sheet: Min 110 e Mx 800 Valor do medido com o multmetro: 235
0 20 40 60 80 100 120 0 5 10 15 20 25 30 35 Ic X Ib Concluso
De acordo com os dados coletados observou-se ento o comportamento de um transistor bipolar NPN para ento atravs da simulao no EWB e na prtica pudesse obter as correntes no coletor desse transistor de maneira que pudesse encontrar o beta plotando o grfico Ic x Ib. O beta tambm foi medido com um multmetro e observado no data sheet do transistor BC547. Comparando os valores obtidos com o grfico e com o valor medido observou-se que um desses valor encontrado no grfico era o mais prximo do medido o 237,5 com o medido 237 e observou-se que no data sheet esse valor do beta tem um valor variado entre o mnimo e o mximo e concluiu-se que o beta varia em funo de Ic e que no data sheet existe uma condio de tenso entre o coletor e o emissor e tambm de corrente no coletor que : VCE=5V, IC=2mA Tambm sabe-se que ganho de um transstor, uma caracterstica do transistor, o fator de multiplicao da corrente de base (I b )ou Beta ou hfe do transstor. A formula matemtica que permite efetuar o clculo : I c = I b x . Encontra-se tambm o beta atravs da diviso de Ic por Ib.