Universidad de Zaragoza Sistemas Electrnicos Digitales

Dpto. de Ingeniera Electrnica y Comunicaciones Tema: 01 Tecnologas Bipolares

Escuela Universitaria Politcnica de Teruel Teora
28-sep-00 1 Curso 00/01
Familias lgicas digitales. Tecnologas Bipolares.
FAMILIAS LGICAS DIGITALES. TECNOLOGAS BIPOLARES. 1
PUERTAS LGICAS CON DIODOS. 1
EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO INVERSOR 3
ESTUDIO DE LA CONMUTACIN DEL CIRCUITO INVERSOR 3
CARACTERSTICAS A TENER EN CUENTA EN UNA FAMILIA LGICA. 4
CIRCUITOS TTL. 6
INVERSOR TTL. 6
PUERTAS EN COLECTOR ABIERTO. 7
PUERTAS CON SALIDAS TRIESTADO. 7
OTRAS SERIES TTL. 8
TTL DE BAJ O CONSUMO (54L/74L). 8
TTL SCHOTTKY (54S/74S). 8
TTL SCHOTTKY DE BAJ O CONSUMO (54LS/74LS). 8
SCHOTTKY AVANZADA Y SHOTTKY DE BAJ O CONSUMO AVANZADA (AS/ALS). 8
CONSIDERACIONES PRCTICAS SOBRE EL USO DE TTL. 9
CIRCUITOS EN COLECTOR ABIERTO. 9
ENTRADAS TTL NO UTILIZADAS. 10
BIBLIOGRAFA BSICA. 11
Puertas lgicas con diodos.
El lgebra de Boole se puede implementar mediante diferentes tecnologas (mecnicas,
elctricas, etc.) y en particular mediante dispositivos semiconductores
1
. Estos dispositivos
deben conmutar entre dos estados claramente diferenciados, correspondientes a los valores
booleanos 0 y 1.
Esto es, a cada valor booleano le hacemos corresponder un intervalo de tensin
determinado y entre ambos existir un intervalo de separacin. En general al valor booleano 0
se le asocia un entervalo de tensin a partir de 0 voltios, mientras que al valor 1 se le asigna
un valor hasta +V voltios, donde V es la tensin de alimentacin
2
.
A este tipo de asignacin en la que V(1)>V(0) se le denomina lgica positiva.
Lgicamente, la relacin V(1)<V(0) es designada como lgica negativa. Entendemos por

1
Ya sabemos de otras asignaturas que la tecnologa electrnica es la ms eficiente en la
actualidad a la hora de implementar el lgebra de Boole.
2
V=5 volt. en la mayora de los casos, aunque en algunos equipos porttiles V=3.3 volt.
+V
0
Vmin(1)
Vmax(0)
1 V(1)=+V volt; V>Vmin(1) !x=1
0 V(0)=0 volt. ; V<Vmax(0) !x=0
Intervalo de separacin
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puertas booleanas o puertas lgicas las realizaciones concretas de las operaciones booleanas
mediante dispositivos fsicos.
La primera estructura para implementar estas puertas, basada en dispositivos
semiconductores, es la que utiliza diodos. Para ello nos aprovechamos de la asimetra en su
comportamiento en funcin de la tensin; esto es deja pasar la tensin de sus entradas cuando
esta corresponde a uno de sus valores lgicos y no dejndola pasar para el otro valor. La
tensin Vr debe corresponder al valor no pasa
Puerta "Or"
Puerta "And"
VCC
A
A+B B
A
B A.B
1 2
1 2
1
2
1 2
1 2
1
2
Estas puertas son directamente ampliables a 3 o ms entradas, sin ms que ampliar el
nmero de diodos. Desde un punto de vista analgico, la puerta o constituye un selector de
tensin mxima (selecciona la mayor de las tensiones de entrada), mientras que la puerta y
es un selector de tensin mnima (selecciona la menor de las tensiones de entrada, supuesto
que sena menores que +V).
Esta implementacin es conceptualmente sencilla pero aparecen serios problemas de
operacin al intentar interconectar en serie este tipo de puertas. La siguiente figura ilustra el
comportamiento de una configuracin serie or-and.
Debera ser
0 volts
VCC
V/2 0
0 +V
1 2
1
2
1 2
1
2
1 2
1 2
El problema reside en que, en las puertas con diodos, son iguales la impedancia de
entrada y la de salida cuando el diodo conduce; con ello los efectos de carga de una puerta
sobre la siguiente pueden dar lugar a errores, con en el caso anterior. En cambio, en las
puertas lgicas, interesa que la resistencia de entrada sea alta, mucho mayor que la resistencia
de salida (acoplo en tensin), para no alterar el valor de la tensin en la salida al conectarlas
entre s.
Otro problema de la implementacin de puertas con diodos es que estos dispositivos
slo actan como puertas de paso de tensiones, sin generar nuevos valores de tensin y no
pueden realizar la operacin de complementacin o negacin.
En el mbito elctrico, debemos tener en cuenta el pequeo desplazamiento de tensin
debido a que la cada de tensin en el diodo cuando conduce no es nula (Vd=0.6 volt.)
Desde un punto de vista dinmico, debemos tener en cuenta la rapidez de conmutacin
entre sus dos estados posibles; esto es su respuesta frente a seales de entrada cuadrada.
Esta respuesta limita la velocidad de trabajo de cualquier puerta lgica.
La presencia de efectos capacitivos propios de los diodos semiconductores se traduce
en constantes de tiempo que limitan la rapidez de respuesta del circuito. Tales capacidades
intrnsecas son del orden de 10-100 pF. para diodos normales de conmutacin (influye la
capacidad de transicin, propia del deodo en polarizacin inversa); dichos efectos capacitivos
pueden reducirse considerablemente mediante la utilizacin de diodos ultra-rpidos, tipo
Schottky. En el mismo sentido interesa reducir la resistencia R que forma parte de la puerta,
pero ello implica un aumento correlativo de su consumo.
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El transistor bipolar como inversor
El circuito bsico de un transistor en emisor comn, segn el esquema de la siguiente
figura, se denomina inversor ya que realiza la operacin booleana de negacin o
complementacin
VCC
Vin
Vout
1
2
3
Rc
1
2
Rb
1 2
Se utilizan los dos valores extremos de este circuito
Estado de corte: Vi=0 Ic=0 Vo=Vcc
Estado de saturacin Vi=Vcc V0=0.
La situacin de corte queda asegurada siempre que Vi<V (V es la tensin umbral del
diodo base-emisor; para el silicio 0.6 volts.). En este cas Ib=Ic=0 y la tensin de salida del
circuito es igual a la de alimentacin del circuito, por no haber cada de tensin sobre Rc,
Vo=+V.
La situacin de saturacin supone que V
CE
=0 y, por tanto, I
C
=+V/R
C
; para mantener
dicha intensidad de colector es necesario que la intensidad de base sea suficientemente
grande.
Ib>Ic/=+V/(.R
C
), siendo la ganancia del transistor.
Como la tensin de entrada en este caso es Vi=V(1)=+V
Ib=(+V-V
be
)/Rb +V/Rb ha de ser mayor que +V/(.R
C
);
V/Rb>V/(.R
C
) ! Rb<.R
C
Esta es la condicin de saturacin para una tensin de entrada igual a la tensin de
alimentacin. Por otra parte, la intensidad de base del transistor no debe superar un valor lmite
I
bmax
propio del transistor, lo que impone una segunda condicin
+V/Rb<I
bmax
! Rb>V/I
bmax
V/I
bmax
<Rb<.R
C
Dentro de estos dos lmites puede elegirse la resistencia Rb en una amplia gama de
valores; cuanto menor sea Rb ms profundo ser la situacin de saturacin cuando esta se
alcance, mientras que valores altos de Rb favorecen el estado de corte, siendo la transicin de
saturacin a corta la que presenta mayores retardos.
La resistencia de colector R
C
ha de ser elegida dentro de un compromiso entre velocidad
y consumo; cuanto menor es R
C
menores son tambin las constantes de tiempo asociadas al
transistor y este conmuta ms rpidamente, pero consume ms.
Estudio de la conmutacin del circuito inversor
Se debe considerar la concentracin de portadores minoritarios inyectados en la regin
de base, concentracin que determina el comportamiento del transistor.
En la situacin de corte dicha concentracin es prcticamente nula, correspondiendo a la
ausencia de corrientes de colector y base; al pasar a modo activo se crea una concentracin de
portadores minoritarios, cuya distribucin a lo largo de la base vara linealmente, desde un
valor mximo en su unin con el emisor (que es quin inyecta dichos portadores) hasta
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anularse prcticamente en la de colector. Las corrientes Ic e Ib se encuentran directamente
relacionadas con dicha distribucin de portadores minoritarios en la base del transistor.
Caractersticas a tener en cuenta en una familia lgica.
Tensin de alimentacin continua.
El valor nominal de alimentacin continua (DC) para los dispositivos TTL y CMOS es de
+5V, aunque se permiten variaciones segn la familia.
TTL CMOS ECL
LS ALS ABT FAST MG HC FACT LVC LCX 10KH 100K ECLin
P
S
3
ELite
+4.5 +4.5 +4.5 +4.5 +3 +2 +2 +1.2 +2 4.5 4.2 4.2 to 4.5
to 5.5 to 5.5 to 5.5 to 5.5 to 18 to 6 to 6 to3.6 to 3.6 To 5.5 to 4.8 5.5 to 5.5
Ni veles lgicos.
Seguidamente mostramos los niveles lgicos de entrada y de salida de las tecnologas
TTL y CMOS
Tecnologa Niveles permitidos de Entrada Niveles permitidos de Salida
TTL Vmin(1)=V
IHmin
=2 V.
Vmax(0)=V
ILmax
=0.8 V.
Vmin(1)=V
OHmin
=2,4 V.
Vmax(0)=V
OLmax
=0.4 V.
CMOS Vmin(1)=V
IHmin
=3,5 V.
Vmax(0)=V
ILmax
=1,5 V.
Vmin(1)=V
OHmin
=4,9 V.
Vmax(0)=V
OLmax
=0,1 V.
Inmunidad al ruido. Margen de ruido.
El ruido es una tensin no deseada que se induce en los circuitos elctricos y que puede
ser una amenaza para el correcto funcionamiento del circuito. Los cables y otros conductores
pueden captar las radiaciones electromagnticas de alta frecuencia de conductores adyacentes
o de otras fuentes externas al sistema.
Para no verse afectados, los circuitos deben tener cierta inmunidad al ruido, que se
define como la capacidad para tolerar ciertas fluctuaciones de tensin no deseadas en sus
entradas sin que cambie el estado de salida.
La medida de la inmunidad al ruido de un circuito se denomina margen de ruido y se
expresa en voltios V
NH
y V
NL
. V
NH
Se define como la diferencia entre la salida a nivel alto menor
posible de una puerta excitadora y la entrada a nivel alto menor posible que la puerta de carga
puede tolerar. Anlogamente para V
NL
.
V
NH
=V
IHmax
-V
OHmax
V
NL
=V
ILmax
-V
OLmax.
Disipacin de potencia.
Por una puerta lgica pasa una corriente procedente de una fuente de alimentacin
continua. Cuando el estado de salida de la puerta es un nievl alto, circula la corriente I
CCH
,
mientras que en estado de salida bajo circula la corriente I
CCL
. Cuando se aplican impulsos, su
salida conmuta entre los estados alto y bajo, por lo que podemos definir I
CC
como el promedio
entre ambas intensidades
La disipacin de potencia media se define como
P
D
=V
CC
* I
CC
.
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Segn las diferentes familias encontramos grandes diferencias de consumo. La
disipacin en un circuito TTL es esencialmente constante dentro de su rango de operacin. Sin
embargo, la disipacin de potencia en CMOS depende de la frecuencia. En condiciones
estticas es extremadamente baja y aumenta al aumentar la frecuencia.
TTL CMOS ECL
LS ALS ABT FAST MG HC FACT LVC LCX 10KH 100K ECLin
PS
3
ELite
Condiciones estticas (mW)
5 1.2 0.005 12.5 0.0006 0.003 0.003 0.0001 1E04 25 50 25 73
A 1MHz de frecuencia de operacin (mW)
5 1.2 1.0 12.5 0.04 0.6 0.8 0.6 0.3 25 50 25 73
Retardo de propagacin.
Cuando una seal pasa, esto es, se propaga, a travs de un circuito lgico, siempre
experimenta un retardo de tiempo. Un cambio del nivel de salida siempre se produce un cierto
tiempo ms tarde, llamado tiempo de retardo de propagacin, despus de que se ha realizado
un cambio de nivel en la entrada.
U?A
7408
1
2
3
t
PHL
t
PLH
Entrada
Salida
H
El retardo de propagacin de una puerta limita la frecuencia a la que puede trabajar.
Cuanto mayor es el retardo de propagacin, menor es la frecuencia mxima.
Producto Velocidad-Potencia.
Cuando en una aplicacin son importantes tanto el retardo de propagacin como la
disipacin de potencia para la seleccin de la familia lgica a utilizar, el producto
velocidad-potencia es una base adecuada para la comparacin de circuitos lgicos. Su unidad
es el picoJ ulio (pJ ).
Tpicamente se buscan valores pequeos. En general, los circuitos CMOS tienen valores
para este parmetro mucho menores que los circuitos TTL, ya que su disipacin de potencia es
mucho ms baja: Ej un HCMOS tiene un producto velocidad-potencia de 1,4 pJ a 100 KHz
mientras que un TTL de bajo consumo tiene un valor de 20 pJ .
Carga y fan-out.
Cuando la salida de una puerta lgica se conecta a una o ms entradas de otras puertas,
como mostramos en la figura, se genera una carga en la puerta excitadora. Existe un lmite
para el nmero de entradas de puertas de carga que una cierta puerta puede excitar. Este
lmite se denomina fan-out de la puerta.
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Puerta excitadora Puertas de carga
7408
1
2
3
7408
1
2
3
7408
1
2
3
7408
1
2
3
Carga TTL: Una puerta excitadora TTL entrega corriente (fuente) a las entradas de las
pueas de carga en el estado alto (I
IH
) y absorbe corriente (sumiedro) de las puertas de carga en
el estado bajo (I
IL
) en la siguiente figura mostramos el funcionamiento simplificado como fuente
de corriente y como sumidero de corriente. Las resistencias representan las resistencias
internas de entrada y salida de la puerta.
VCC
L 1
2
3
1
2
3
1
2
1
2
VCC
H
H
1
2
3 1
2
3
1
2
1
2
Sumidero de corriente Fuente de corrriente
Una entrada de la misma familia lgica que la puerta excitadora se denomina unidad de
carga. Ej la Familia TTL Schottky de bajo consumo (LS) tienen un fan-out de 20 unidades de
carga.
La corriente total de sumidero (absorbida) tambin aumenta con cada puerta de carga
que se aade. Al aumentar esta corriente, la cada de tensin interna de la puerta excitadora
aumenta, haciendo que V
OL
aumente. Si se aaden demasiadas unidades de carga V
OL
ser
mayor que V
OLmax
.
En TTL, la capacidad de la corriente de sumidero (estado bajo) es el factor ms crtico en
la determinacin del fan-out.
Carga CMOS. La carga en CMOS difiere de la de TTL en que la lgica CMOS utiliza
transistores de efecto de campo (FET), que presenta una carga predominantemente capacitiva
a la puerta excitadora. En esta caso las limitaciones vienen dadas por los tiempos de carga y
de descarga asociados con la resistencia de salida de la puerta de salida y la capacidad
equivalente de la puerta de carga.
Cuando la salida de la puerta excitadora se encuentra en nivel alto, el condensador de
entrada de la puerta de carga se carga, mientras que en caso contrario se descarga. Al
aumentar el nmero de cargas en paralelo, el valor de la capacidad equivalente aumenta en la
misma medida por lo que la frecuencia mxima de operacin disminuye.
CIRCUITOS TTL.
Inversor TTL.
La lgica transistor-transistor (TTL) es una de las tecnologas de circuitos integrados ms
extendidas... hasta el momento... La funcin lgica de un inversor o de cualquier tipo de puerta
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es siempre la misma, independientemente de l tipo de tecnologa de circuitos que se utilice. En
la siguiente figura se muestra un circuito TTL estndar para un inversor. Q1 es el transistor de
acoplamiento de entrada y D1 es el diodo de fijacin de nivel de entrada (diodo clamp). El
transistor Q2 es el divisor de fase y la combinacin Q3 y Q4 forma el circuito de salida, a
menudo denominado como disposicin totem-pole
VCC
Q1
1
2 3
D2
1
2
D1
1
2
R4=1K
1
2
R2=1,6K
1
2
R3=130 Ohm
1
2
R1=4K
1
2
Q4
1
2
3
Q3
1
2
3
Q2
1
2
3
SALIDA
ENTRADA
La puerta NAND TTL es equivalente al inversor, con la excepcin de que el transistor Q1
se convierte en un transistor con dos emisores (transistor multiemisor).
Puertas en colector abierto.
El circuito de salida descrito
en el apartado anterior tiene el
circuito de salida totem-pole. Los
circuitos TTL disponen de otro tipo
de salida, denominada en colector
abierto. En la siguiente figura se
muestra un inversor TTL estndar
con salida en colector abierto.
Notemos que la salida es el
colector del transistor Q3 sin nada
conectado, de ah el nombre de
colector abierto. Para obtener los
niveles lgicos alto y bajo a la
salida del circuito se conecta una
resistencia de pull-up a la tensin
de alimentacin Vcc desde el
colector de Q3. Cuando Q3 no conduce, la salida es llevada a Vcc a travs de la resistencia
externa. Cuando Q3 se satura, la salida se lleva a un potencial prximo a tierra a travs del
transistor saturado.
Puertas con salidas triestado.
La salida triestado combina las ventajas de los circuitos totem-pole y de colector abierto.
Los tres estados de salida son: alto, bajo y alta impedancia (alta Z). Cuando se selecciona el
funcionamiento lgico normal, mediante la entrada de habilitacin, el circuito triestado funciona
de la misma forma que una puerta normal. Cuando el modo de funcionamiento es de alta
impedancia, la salida se desconecta del resto del circuito.
La siguiente figura ilustra el circuito bsico de un inversor triestado TTL. Cuando la
entrada de habilitacin est a nivel bajo, Q2 no conduce y el circuito de salida funciona en la
configuracin totem-pole normal. Cuando la entrada de habilitacin est a nivel alto, Q2
conduce. Entonces en el segundo emisor de Q1 se produce un nivel bajo, haciendo que Q3 y
Circuito inversor con salida en colectro abierto
VCC
R2=1,6K
1
2
D1
1
2
Q3
1
2
3
R1=4K
1
2
Q1
1
2 3
R4=1K
1
2
Q2
1
2
3
SALIDA
ENTRADA
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28-sep-00 8 Curso 00/01
Q5 se bloqueen y el diodo D1 se polarice en directa, lo que hace que Q4 se bloquee tambin.
En este caso los transistores totem-pole actan como un circuito abierto y la salida est
desconectada por completo de la circuitera interna.
CIRCUITO INVERSOR TRIESTADO
VCC_BAR
ENTRADA
/HABILITACION
SALIDA
Q1
1
2 3
4
Q2 1
2
3
Q3 1
2
3
Q4 1
2
3
Q5 1
2
3
R5
1
2
R4
1
2
R3
1
2
R2
1
2
R1
1
2
D2
1
2
D1
1
2
Otras series TTL.
La familia original TTL se indica con los nmeros 54/74. Con el avance que ha
experimentado la tecnologa de fabricacin desde su introduccin se han puesto en el mercado
familias mejoradas basadas en tecnologa bipolar que buscan optimizar algunos de los
parmetros descritos en el captulo anterior
TTL de bajo consumo (54L/74L).
Esta familia se distingue por su bajo consumo de potencia (L=LOW POWER). Ello se
consigue aumentando siginificativamente los valores de las resistencias de polarizacin de los
diferentes transitores, con lo que se disminuye la corriente que circula por el sistema y con ello
la potencia disipada. Si la potencia disipada en una puertaq tpica de la familia 54/74 es de 10
mW la de la puerta equivalente en la versin 54L/74L es de 1 mW.
El ahorro de potencia se paga con una prdida en la velocidad: de los 10 nsg de tiemo
de retardo tpicos en la familia original se pasa a unos 33 nsg de retardo en esta familia.
TTL Schottky (54S/74S).
Esta serie proporciona unos tiempos de conmutacin menor, gracias a la incorporacin
de diodos Schottky que evitan que los transistores entren en saturacin, disminuyendo el
tiempo que tarda el transistor en entrar y salir de la conduccin. El retardo tpico es de 3 nsg. Y
la disipacin de potencia de 19 mW.
TTL Schottky de bajo consumo (54LS/74LS).
Esta familia proporciona un compromiso entre velocidad y baja disipacin de potencia
utilizando altos valores de resistencias y transistores de tipo Schottky. La disipacin de
potencia tpica de una puerta es de 2 mW y el retardo de prropagacin de 10 nsg.
Schottky avanzada y Shottky de bajo consumo avanzada (AS/ALS).
Estas tecnologas suponen versiones avanzadas de las series S y LS. La disipacin de
potencia esttica tpica es de 8,5 mW para l serie AS y 1 mW para la serire ALS. Los tiempos
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de retardo de propagacin tpicos son de 1,5 nsg para AS y 4 nsg para ALS. Existe una versin
AS que se denomina F o FAST (rpida).
Consideraciones prcticas sobre el uso de TTL.
Analizaremos Con ms profundidad los conceptos de fuente y sumidero de corriente. En
la siguiente figura se muestran dos inversores TTL conectados en serie.
VCC VCC
CONEXION DE DOS ETAPAS INVERSORAS TTL
Q4 1
2
3
R4
1
2
R3
1
2
Q2 1
2
3
R2
1
2
D2
1
2
R1
1
2
D1
1
2
Q1
1
2 3
Q3 1
2
3
Q2 1
2
3
D2
1
2
Q4 1
2
3
R1
1
2
R4
1
2
R2
1
2
R3
1
2
D1
1
2
Q1
1
2 3
Q3 1
2
3
ENTRADA
SALIDA
Cuando la puerta excitadora tiene un estado de salida alto acta como fuente de
corriente para la carga (flecha slida). La entrada a la carga es como un diodo en polarizacin
inversa, por lo que la corriente es mnima (tpicamente 40 A).
Por otra parte, cuando la puerta excitadora se encuentra en estado bajo (lnea
discontinua) acta como un sumidero de corriente. Esta corriente es mucho mayor, ya que el
diodo base-emisor de la carga se encuentra en directa (tpicamente 1,6 mA.). Adems el
sentido de la corriente es negativo, por lo que en las hojas de caracterstica aparece con un
signo negativo.
Las salida totem-pole no se pueden conectar juntas, ya que dicha conexin produce una
corriente excesiva, que daa los dispositivos
3
.
Circuitos en colector abierto.
Un circuito TTL en totem-pole tiene limitada la cantidad de corriente que puede absorber
en el estado bajo (I
OLmax
) a 16 mA para la serie estndar y a 20 para la serie AS. En muchas
aplicaciones es necesario excitar dispositivos como rels, lmparas, LEDs, etc., que necesitan
de un consumo mayor
Para estos dispositivos se utilizan salidas en colector abierto, debido a su mayor
capacidad de manejo de corriente y tensin. Una puerta buffer en colector abierto tpica puede
absorber hasta 40 mA.

3
Anmate a analizar esta afirmacin y demuestra si es correcta.
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VCC
RL
1
2
1
2
1
2
3
B
A
VCC
1
2
3 1
2
3
RL
1
2
1
2
B
A
Puerta NAND en colector abierto utilizada para
alimentar un LED. En este caso es necesaria
la resistencia de limitacin de intensidad
Circuito equivalente
VCC=20 V
1
2
3
1
2
B
A
VCC=20 V
1
2
3 1
2
3
1
2
B
A
Puerta NAND en colector abierto para la
excitacin de una lmpara. Observemos la
tensin de alimentacin de la lmpara,
diferente de la tensin de alimentacin de la
puerta
Circuito equivalente
Entradas TTL no utilizadas.
Una entrada desconectada TTL acta como un nivel lgico alto, ya que la unin emisor-
base en el transistor de entrada est polarizado en inversa. No obstante es mejor no dejar
desconecatadas las entradas no utilizadas, ya que son muy sensibles al ruido. Para ello existen
varias alternativas.
Entradas unidas.
Es el mtodo ms comn y consiste en conectar las entradas a una entrada que s se
use. Este mtodo tiene el inconveniente que para las puertas excitadoras estas entradas
suponen cargas adicionales, por lo que aumenta los requerimientos de consumo de las
mismas.
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28-sep-00 11 Curso 00/01
Entradas conectadas a Vcc o a tierra.
Las entras no utilizadas en las puertas Nand o And se pueden conectar a Vcc a travs
de una resistencia de 1 Kohm. Las entradas no utilizadas de la puertas Or o Nor se conectan a
tierra.
Entradas conectadas a una salida no utilizada.
Este mtodo es adecuado cuando se disponen de puertas no utilizadas en el circuito.
De nuevo la salida de la puerta utilizada debe ser un nivel alto constante para las entradas no
utilizadas de puertas And y Nand y un nivel bajo para las puertas Nor y Or.
7413
1
2
4
5
6
A
B
VCC
7410
1
2
13
12
1
2
A
B
VCC
7427
1
2
13
12
7400
1
2
3
B
A
Entradas unidas a otra
entrada
Entrada conectada a
alimentacin
Entrada conectada a una
salida no utilizada.
Bibliografa bsica.
Textos.
T. L. Floyd. Fundamentos de Sistemas Digitales. Captulo 15. Editorial Prentice Hall.
T. Polln. Electrnica Digital. Coleccin de textos docentes. Publicaciones de la
Universidad de Zaragoza. Captulo 7.
Motorola Technical data sheets. Logic: Standard, Special and Programmable.
Documento 3_1logic_msg.pdf.
Texas Instruments. Logic selection guide and data book.
Pginas web.
http://www.ti.com
http://www.mot.com/SPS/General/chips.html
http://design-net.com/books/html/dl121_index.html