Universidad Politcnica Salesiana Bermeo Juan. Diodo.

Resumen-- Como primer punto realizamos los clculos del

circuito con un diodo de silicio y una resistencia de 1k y se
prosigui con compro!ar con el mult"metro a#uellos valores
calculados.
Palabras claves caracterstica, diodo, silicio, transferencia.
Abstract $s t%e &irst point o& t%e circuit per&orm calculations
'it% a silicon diode and a 1 k and continued to c%eck 'it% t%e
multimeter t%ose calculated values.
Keywords characteristic, diode, silice, transfer.
I. OBJETIVOS
1. Calcular y medir el (D y la )D con los datos del cuadro
#ue se muestra a continuacin.
*. +ra&icar la curva caracter"stica del diodo de silicio a
partir de la de los datos encontrados.
(&,(olt-
(D )D
-3
0.1
0.3
0.5
0.
1
!
3
"
5
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
II. #$%&O TE'%I&O
(e)*+*c*,+ de d*odo- /os diodos entran dentro del grupo de los
semiconductores. 0ste componente se caracteriza por tener
polaridad1 es decir1 tiene di&erenciados sus terminales como
nodo y ctodo. 0l diodo solamente conduce cuando est
correctamente polarizado y a partir de una tensin determinada2
314 ( si el diodo es de +ermanio y 3.5 ( si est &a!ricado de
Silicio.
0l semiconductor tipo 6 puede o!tenerse al a7adir tomos de
impurezas al semiconductor #ue penetran en la estructura
cristalina pero #ue tienen un e8ceso de electrones e8ternos no
encadenados a la estructura.
0l &lu9o de corriente es conducido por el e8ceso de electrones
cargados negativamente #ue circulan a travs del cristal %acia el
terminal cargado positivamente.
0l semiconductor tipo P puede o!tenerse al a7adir tomos de
impureza #ue no tienen su&iciente n:mero de electrones e8ternos
para llenar todos los encadenamientos de cristal. /os espacios
por llenar se denominan poros y tienen las caracter"sticas de
cargas positivas.
Diodo de silicio.
Polar*.ac*,+ d*rec/a- es cuando la corriente #ue circula por el
diodo sigue del nodo al ctodo. 0n este caso la corriente
atraviesa el diodo con muc%a &acilidad comportndose
prcticamente como un corto circuito.
Polarizacin del Diodo Directa.
Polar*.ac*,+ *+versa- 0s cuando la corriente en el diodo desea
circular en sentido opuesto del ctodo al nodo. 0n este caso la
corriente no atraviesa el diodo1 y se comporta prcticamente
como un circuito a!ierto.
Polarizacin del Diodo Inversa.
$0l*cac*o+es de los d*odos.
$plicaciones de los diodos; una de las ms comunes es el
proceso de conversin de corriente alterna <C.$.= a corriente
continua <C.C.=. 0n este caso se utiliza el diodo como
recti&icador.
Curva caracter"stica del diodo; /a conduccin de corriente
comienza cuando el valor de tensin so!re el diodo es mayor o
igual a 31> (. 0n la prctica se toma #ue la tensin del diodo en
Juan Fernando Bermeo Hurtado.
jbermeoh@est.ups.edu.ec
Grupo 31
1
Universidad Politcnica Salesiana Bermeo Juan. Diodo.
plena conduccin es de 315 (. Para valores menores de 315 ( el
diodo no conduce corriente.
Cuando la polarizacin es inversa1 la corriente #ue circula es
muy pe#ue7a ya #ue no %ay portadores mayoritarios #ue aporten
a la conduccin de corriente.
/a curva caracter"stica de polarizacin directa presenta un codo
so!re los 31> (. $ medida #ue aumenta la temperatura1 la tensin
de codo disminuye a razn de apro8imadamente * m(?@A. $
medida #ue aumenta la temperatura1 la corriente inversa tam!in
aumenta. Una regla emp"rica dice #ue la corriente inversa se
do!la para cada incremento de temperatura de 13@ A.
Cuando se alcanza la tensin de ruptura inversa1 la corriente
aumenta de valor rpidamente pudiendo ocasionar la destruccin
del diodo. /a tensin para la #ue ocurre esto se llama tensin de
ruptura inversa. Por e9emplo1 la tensin de ruptura de la curva
caracter"stica del diodo mostrada en la &igura1 apro8imadamente1
de B133 (.
/as tensiones de ruptura pueden oscilar entre unos pocos voltios
y centenares de voltios. 0n algunas aplicaciones se necesitan
diodos #ue operen en las regiones de polarizacin directa y
polarizacin inversa no conductora sin entrar en la regin de
ruptura. /os diodos para estas aplicaciones precisan una tensin
de ruptura mayor #ue la mayor tensin inversa #ue vayan a
soportar.
Curva caracterstica de un diodo de germanio y silicio.
))). C$D0E)$/0S F G0EE$C)06D$S
C$D0E)$/0S F
G0EE$C)06D$S
Unidad Caterial
4
1
1
1
1
H
I
Sondas
+enerador Junciones
Juente $limentacin
Ksciloscopio
Ca!le multipar <metro=
Eesistencias
Diodos Silicio
)(. D0S$EEK//K
0n el siguiente cuadro se presenta los valores calculados y los
medidos a travs de un mult"metro. /a &rmula utilizada se
muestra a continuacin.
Jrmula utilizada.

Cuadro de valores.
(& ,(olt-
(D )D
-3
0.1
0.3
0.5
0.
1
!
3
"
5
B3.4
3.1*H
3.4>3
3.H55
3.LHL
3.LMH
3.>L
3.>>5
3.>M1
3.53H
3
3
3
3.31H
3.3**
3.3*M
3.3LI
3.3M4
3.31
3.31I
V. S*12lac*,+
S*12lac*,+ de (*odo e+ Polar*.ac*,+ (*rec/a

Onda de salida del Diodo en Directa.
*
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+r&ica osciloscopio.

Funcin de Transferencia del diodo en directa.
Osciloscoio ! Funcin de transferencia.
Curva Caracterstica del diodo "ilicio #olta$e Diodo frente
corriente Diodo %&'cel(.
PO3$%I4$&I'5 I5VE%S$
Si %acemos el mismo circuito pero con el diodo polarizado
inversamente.
Para este caso usaremos las siguientes &ormulas;
S*12lac*,+ del (*odo e+ Polar*.ac*,+ I+versa
Onda de salida del Diodo en Inversa.
#olta$e de entrada %amarillo( frente
al volta$e de salida %azul(.
Funcin de Transferencia del diodo en Inversa
4
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VI. $563ISIS (E %ES73T$(OS
K!servando los valores o!tenidos tanto medidos como simulados
nos podemos dar cuenta #ue el volta9e de entrada y de salida
tienen un margen de variacin muy pe#ue7o esto es de!ido a #ue
al realizar la prctica y al momento de tomar las medidas1 las
sondas utilizadas no siempre son muy con&ia!les de!ido a #ue
algunas introducen demasiado ruido al se7al1 ocasionando as"
una pe#ue7a variacin en los resultados.
Gay #ue recordar siempre #ue los valores simulados siempre van
a ser los #ue nos dan el valor con mayor e8actitud.
$. Polarizacin Directa.
Para este caso la corriente circula directamente %acia la
resistencia generando una ca"da de tensin so!re la misma.
B. Polarizacin )nversa.
Para este caso es lo contrario #ue la polarizacin directa pues no
de9a pasar corriente por lo tanto no %ay ca"da de tensin en la
resistencia.
VII. &O5&37SIO5ES 8 %E&O#E5($&IO5ES
Es0a9ol.
$l realizar el dise7o de un circuito de diodos se de!e tener en
cuenta parmetros como la con&iguracin #ue se est realizando1
pues cada con&iguracin tiene condiciones de &uncionamiento1
adems de esto tam!in es importante conocer %asta #ue valor de
volta9e se le puede aplicar1 pues si e8cede el valor dado como
m8imo al diodo este llegara a su corriente de ruptura y el diodo
se romper y por tanto no servir para realizar ninguna prctica1
ca!e mencionar #ue e8isten maneras de veri&icar si un diodo est
en un estado de ser :til1 de lo contrario de!e ser desec%ado.
$l o!tener la curva caracter"stica se pudo notar #ue al variar el
volta9e tam!in var"a el valor de corriente #ue circula por el
diodo1 llegando a ser mientras mayor el volta9e ms elevado el
valor de corriente esto indica #ue a un volta9e m8imo1 este
llegara a su valor de ruptura.
0l determinar la &uncin de trans&erencia indica nos indica #ue es
lo #ue est pasando a la salida del circuito1 pues depende si se
analiza en el diodo o en la resistencia1 de ser el diodo nos dar un
l"mite del volta9e #ue puede alcanzar1 en cam!io la resistencia
nos dar un desplazamiento antes de elevarse este valor de
volta9e.
I+:les.
N%en designing a diode circuit must !e taken into account as t%e
con&iguration parameters !eing per&ormed 1 as eac% con&iguration
%as operating conditions 1 in addition to t%is it is also important
to kno' until voltage value can !e applied 1 &or i& e8ceeds t%e
ma8imum value given to t%e diode t%at reac%ed its !reaking
current and t%e diode 'ill !reak and t%ere&ore 'ill not serve to
make any practice1 !e mentioned t%at t%ere are 'ays to c%eck i& a
diode is in a state o& !eing use&ul1 o& '%at contrary must !e
re9ected
Do o!tain t%e c%aracteristic curve 'as noted t%at !y varying t%e
voltage also varies t%e value o& current &lo'ing t%roug% t%e
diode1 !ecoming t%e %ig%er t%e voltage t%e %ig%er t%e current
value t%is indicates t%at a ma8imum voltage1 t%is came to an
!reak value.
Determining t%e trans&er &unction s%o's us t%at is '%at is
%appening to t%e output o& t%e circuit1 it depends i& you look at
t%e diode or resistance1 i& t%e diode 'ill give us a voltage limit
can reac%1 instead 'e 'ill strengt% !e&ore rising s%i&t t%is voltage
value.
VIII. %E;E%E5&I$S
,1- )EN)61 $nlisis de Circuitos en )ngenier"a. 0ditorial C0$C.
BarcelonaB0spa7a 1MIH
,*- 0. 0. Ee!er1 E. /. Citc%ell1 y C. J. Carter1 OK8ygen
a!sorption in t%e 0art%Ps atmosp%ere1O $erospace Corp.1 /os
$ngeles1 C$1 Dec%. Eep. DEB3*33 <H*43BH>=B41 6ov. 1M>I.
,4- Eo!ert /. Boylestad1 )ntroduccin al anlisis de Circuitos1
Dcima 0dicin.
,H- %ttp;??'''.monogra&ias.com?tra!a9os1*?la!el?la!el.s%tml
,L- %ttp;??es.'ikipedia.org?'iki?Diodo
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