3er Congreso Internacional de Ingeniera Mecatrnica - UNAB 1

ResumenLa fabricacin de micro-estructuras metlicas en el

laboratorio Sala Limpia de la Universidad de los Andes permite a
los investigadores desarrollar proyectos en los campos de
microelectrnica y microsistemas. Se han implementado
diferentes tcnicas para la fabricacin de micro-estructuras
metlicas en aluminio y cobre sobre sustratos de vidrio y silicio.
Estas tcnicas se utilizaron para la fabricacin de dispositivos
micro-electrnicos pasivos. En este documento se describen las
tcnicas implementadas en Sala Limpia utilizando fotolitografa
ptica sin mascaras y ataque qumico hmedo selectivo en
materiales. Las tcnicas de fabricacin desarrolladas alcanzan
una resolucin de 5 m. Estos procesos fueron probados en capas
delgadas de aluminio y cobre con espesores desde 50 a 200 nm.
Palabras Claves Fotolitografa ptica sin mascaras, Micro-
fabricacin, Grabado de Cobre, Grabado de Aluminio, Vidrio,
Silicio.
I. INTRODUCCIN
os procesos de fabricacin de micro-estructuras metlicas
son necesarios en el Laboratorio Sala Limpia para el
desarrollo de procesos de investigacin en las areas de
microelectrnica y microsistemas.
El diseo de nuevos dispositivos y su fabricacin requiere la
implementacin de varias tecnologas de manipulacin de
materiales. El proceso de fabricacin de los dispositivos
consiste en: el diseo de mscaras con geometras
micromtricas, la preparacin de los sustratos, la deposicin y
el grabado de los materiales [1]. Actualmente se busca la
estandarizacin de estos procesos al igual que queremos
reducir los tiempos de fabricacin y del nmero de pasos
necesarios para minimizar la probabilidad de errores en el
dispositivo final.
Tradicionalmente la fabricacin de este tipo de dispositivos
consta de varios pasos y dependiendo tanto del sustrato como
del metal a depositar existen un sin nmero de rutas de
fabricacin. Entre las ms comunes se encuentran la
utilizacin de mscaras para procesos de exposicin y su


posterior revelado y los ataques qumicos selectivos para el
grabado definitivo del metal.
Las mscaras para la fabricacin de dispositivos CMOS y
otros dispositivos microelectrnicos se realizan con pelculas
de cromo o mediante la impresin de acetatos opacos [2]. Las
tcnicas de fotolitografa ptica con luz ultravioleta permiten
la fabricacin de dispositivos con el uso de mascaras de alta
resolucin [3] con polmeros fotosensibles resistentes al
proceso de ataques qumicos como el fotoresist SC1827
(Microchem, USA). Posterior a la exposicin y el revelado de
los polmeros fotosensibles se procede al grabado de metales
mediante ataques qumicos hmedos. En este ltimo proceso
las muestras se exponen directamente a un reactivo encargado
de hacer un ataque selectivo de los materiales sobre la
muestra.
El ataque qumico de cobre se realiza comnmente mediante
una solucin de cloruro frrico [4]. Este tipo de ataque es
utilizado tradicionalmente para la fabricacin de placas de
circuitos electrnicos, que comercialmente se pueden
encontrar con resoluciones de hasta 152 m [5].
Para el ataque qumico de aluminio se utilizan normalmente
mezclas de cido fluorhdrico y sulfato de amonio o de
algunos otros cidos [6] que logran remover los enlaces del
aluminio al sustrato; en algunos otros casos el uso de
hidrxidos [7] puede resultar beneficioso dadas las
caractersticas del sustrato.
El objetivo del presente trabajo fue el desarrollo y
apropiacin de las tcnicas de fabricacin de micro-estructuras
metlicas sobre sustratos de vidrio y silicio en el Laboratorio
Sala Limpia de la Universidad de los Andes. Se escogi el
vidrio como uno de los sustratos por ser una alternativa
econmica para el desarrollo de prototipos de dispositivos
microelectrnicos, y porque en conjunto con el proceso de
grabado de metales permite realizar investigaciones en los
campos de optoelectrnica y microfluidca [8, 9].
Las tcnicas de fabricacin implementadas mantuvieron el
menor nmero de pasos posibles para disminuir la
probabilidad de error (fig. 1) que se acumula a lo largo del
Tcnicas de Fabricacin de Micro-Estructuras
Metlicas de Cobre y Aluminio Sobre Sustratos
de Vidrio y Silicio
Edgar A. Unigarro
1
, Diego Sanz
1
, Cesar Talero
2
, J. G. Ramrez
2
, Edgar Patio
2
, Fredy Segura-
Quijano
1
, Johann F. Osma
1

1
Centro de microelectrnica (CMUA), Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica,
Universidad de los Andes, Bogot Colombia
2
Laboratorio de Superconductividad, Departamento de Fsica, Universidad de los Andes, Bogot
Colombia
L
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proceso de fabricacin. Tambin se realiz la evaluacin de la
resolucin mxima alcanzada en los procesos de fotolitografa
y grabado de metales. Finalmente, las tcnicas implementadas
se utilizaron para la fabricacin de dispositivos
microelectrnicos como inductancias, sensores pasivos y
micro-transformadores sobre sustratos de vidrio y silicio, a
tono con diversos desarrollos de distintos grupos de
investigacin [10,11,12]. El fin de nuestro trabajo es abrir una
ventana a la investigacin en el pas en el rea de micro-
dispositivos y poner a disposicin nuestras tcnicas de
fabricacin para el desarrollo de proyectos con diversas
instituciones nacionales y extranjeras.

Fig1. Descripcin del proceso de fabricacin.
II. MATERIALES Y MTODOS
A. Sustratos
En los experimentos de grabado de metales se utilizaron
lminas de vidrio para microscopa VM7101 de 76.2 mm de
largo por 25.4 mm de ancho con un espesor de 1-1.2 mm
(Viomed, China). Tambin se utilizaron obleas de silicio
intrnsecas de 3 pulgadas con un espesor de 356-406 m
(Wafer reclaim services LLC, USA).
B. Reactivos y sustancias
En el ataque de metales se utiliz: cido fluorhdrico (HF) a
una concentracin de 40% (Merck, Colombia), sulfato de
amonio ((NH
4
)
2
SO
4
) al 99.9% de pureza (Auros Qumicos,
Colombia) y cloruro frrico (FeCl
3
) al 99.9% de pureza
(Qumicos Compota, Colombia). Para variar las
concentraciones y disolver los reactivos se utiliz agua
desionizada (DI) de 18.2 Mcm.
En el proceso de fotolitografa se utiliz: un material
fotosensible a luz ultravioleta SC1827 (Microchem, USA),
revelador Shipley MF319 (Microchem, USA) y removedor
PRS1000 (JT Baker, USA).
C. Deposicin de metales
La deposicin de metales en los sustratos se realiz con el
evaporador trmico Edwards Auto 306 (Edwards, Inglaterra).
Para los procesos de evaporacin se trabajo con la cmara de
vacio a una presin de 5x10
-6
mbar, la tasa de deposicin
promedio para el Aluminio fue de 0.5 nm/s, la tasa de
deposicin promedio para el Cobre fue de 0.4 nm/s.
D. Fotolitografa
El paso de fotolitografa se utiliz para realizar el grabado de
las geometras micromtricas en una pelcula fotosensible
SC1827 la cual es resistente a los reactivos utilizados en el
ataque qumico.
Se deposit una pelcula delgada de material fotosensible
SC1827 de 2.5-3 m con el spinner spin 150 (CPK Industries,
USA). En la deposicin se utiliz una velocidad constante de
5000 rpm durante 60 s. Se realiz un curado de las muestras a
110C durante 45 s para endurecer el SC1827.
El grabado de la pelcula fotosensible se realiz con el
sistema de micro patterning SF100 (Intelligent Micro
Patterning, USA), el cual toma la informacin de imagen
digital para realizar una proyeccin de luz ultravioleta sobre la
muestra utilizando un sistema de micro espejos. El sistema
trabaja con tecnologa de 15 m por pixel (px) o de 5 m por
px. Este tipo de tecnologa permite realizar el grabado de la
pelcula fotosensible sin la necesidad de mascaras previamente
fabricadas con las geometras que se van a transferir a la
pelcula metlica.
El revelado de la pelcula fotosensible se realiz
sumergiendo la muestra en MF319 durante 120 s. En los
primeros 75 s se mantuvo la muestra esttica y en los ltimos
45 s se realiz una agitacin leve. Las muestras se lavaron en
DI durante 1 min y se secaron con gas nitrgeno (N
2
) durante
20 s.
E. Ataque Humedo de Metales
El grabado en metales se realiz sumergiendo la muestra en
reactivos durante un tiempo de ataque (TA) determinado que
se calcul con las tasas de ataque de cada uno de los procesos
de acuerdo al espesor de las pelculas metlicas.
Para el ataque de aluminio se utilizaron dos reactivos, el
primero fue una mezcla de 3.3% HF con 10% (NH
4
)
2
SO
4
y el
segundo reactivo fue MF319. El ataque de cobre se realiz con
una solucin de 52% FeCl
3
.
Despus de realizado el ataque qumico las muestras se
limpiaron con DI durante 2 min y se secaron con N
2
por 20 s.
El SC1827 sobrante del proceso se removi colocando las
muestras en removedor PRS1000 durante 3 min, realizando un
lavado de las muestras con DI durante 2min y luego
secndolas con N
2
por 20s.
III. RESULTADOS
A. Deposicin de metales
Antes de la deposicin de metales las lminas de vidrio
fueron limpiadas con N
2
durante 10 s y luego secadas a 120C
durante 30 min. Las obleas de silicio se limpiaron
sumergindolas en HF al 40% durante 3 min, se baaron en DI
durante 2 min y luego se secaron utilizando N
2
durante 20 s. Es
importante aclarar que la humedad en los sustratos disminuye
la adherencia de los metales. Con las muestras preparadas se
procedi a generar pelculas delgadas de los metales con
mtodos de evaporacin fsica, se depositaron pelculas
delgadas de aluminio sobre vidrio de 130 nm y sobre silicio de
210 nm, y pelculas delgadas de cobre sobre vidrio de 120 nm
y sobre silicio de 50nm.
Se realizaron pruebas de adherencia de las muestras
sumergindolas en DI, PRS1000 y MF319 durante 5 min. Los
sustratos de vidrio y silicio no se vieron afectaron en ninguna
de las pruebas. Las pelculas de cobre no se vieron afectadas
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en ninguna de las pruebas. Las pelculas de aluminio fueron
atacadas por el MF319.
B. Fotolitografa
Se evalu la resolucin mxima del proceso de fotolitografa
mediante la fabricacin de una mscara (fig. 2) con mallas y
lneas continuas de diferentes tamaos (1 px a 6 px) a
diferentes separaciones (1 px a 8 px). Utilizando el sistema de
micro patterning SF100 se realiz el grabado de las pelculas
de SC1827 mediante exposicin a luz ultravioleta.


Fig2. Mascara para determinar la resolucin del proceso.

Debido a que las superficies de aluminio y cobre son
reflectantes, los tiempos de exposicin (TE) a luz ultravioleta
fueron diferentes a las de sustratos opacos. Se realizaron
exposiciones con diferentes tiempos utilizando las dos
tecnologas de fabricacin del sistema de micro patterning
SF100, para determinar los mejores TE de cada una de las
muestras. En la tabla 1 se muestran los resultados obtenidos
para las resoluciones mximas del proceso.

Muestra
Tecnologa
15m por
px
5m por
px
Cobre sobre Vidrio 50 s 6.1 s
Cobre sobre Silicio 50 s 6.1 s
Aluminio sobre Vidrio 40 s 4.2 s
Aluminio sobre Silicio 40 s 4.2 s
Tabla1. TE a luz ultravioleta.

En las muestras con pelculas de cobre y aluminio sobre los
sustratos de vidrio y silicio la resolucin mxima alcanzada
fue la misma que tiene el equipo de micro patterning en sus
dos tecnologas de fabricacin. En la figura 3 se muestran
mallas grabadas de 5 m y de 15m con el fotoresist SC1827
con tecnologa de 5 m por px. En la figura 4 se muestran
lneas continuas de 15 m con separacin de 15 m y de 30
m grabadas sobre el fotoresist SC1827 con tecnologa de 15
m por px.

Fig3. Mallas grabadas en SC1827 con tecnologa de 5 m


Fig4. Lneas grabadas en SC1827 con tecnologa de 15 m
C. Ataque Qumico Hmedo
La tasa de ataque se determin utilizando 5 muestras para
cada uno de los reactivos. Las muestras de prueba se
expusieron al reactivo hasta que la pelcula metlica se
consumi completamente, el tiempo de este proceso se
determin como el TA. Se determin la tasa de ataque con el
TA y el espesor de las pelculas metlicas de las muestras. La
resolucin de los ataques qumicos se evalu realizando el
grabado en 5 muestras de la mscara de la figura 2 para cada
reactivo.
El grabado de cobre se realiz con una solucin de 52%
FeCl
3
, se determin que la tasa de ataque para este reactivo fue
de 30 nm/s. La resolucin mxima alcanzada fue de 5 m
sobre sustratos de vidrio y silicio.
Se implementaron dos tcnicas de grabado de aluminio con
diferentes sustancias. La primera tcnica se bas en una
mezcla de HF y (NH
4
)
2
SO
4
disueltos en DI. Se realizaron
pruebas variando los niveles de la concentracin de HF en un
rango de 6.67% a 13.33% con 20% (NH
4
)
2
SO
4
y cambiando
los niveles de la concentracin de (NH
4
)
2
SO
4
en un rango de
8.73% a 31.2% con 10% HF. Se determin que las
concentraciones de la mezcla fueran 3.3% HF con 10%
(NH
4
)
2
SO
4
teniendo en cuenta la calidad de las muestras
atacadas. La tasa de ataque para este reactivo fue de 1.6 nm/s.
La resolucin mxima alcanzada fue de 5 m sobre los
sustratos de vidrio y silicio.
La segunda tcnica se bas en el uso del MF319 para el
ataque del aluminio con una tasa de ataque de 0.14 nm/s.
Antes de realizar el ataque con MF319 fue necesario curar la
muestra durante 15 min a 110C para asegurarse de que las
estructuras fabricadas con SC1827 no se daaran en la sobre
exposicin al revelador. La resolucin mxima alcanzada fue
de 5m sobre los sustratos de vidrio y silicio. Se busc reducir
los pasos de fabricacin en micro-estructuras metlicas y
reducir el error que se produce al tener distintos procesos en la
fabricacin.
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D. Protocolos de Fabricacin
Teniendo en cuenta las tcnicas desarrolladas en este
documento, para el grabado de micro-estructuras metlicas en
Aluminio sobre sustratos de vidrio y silicio se proponen los
siguientes pasos: preparacin del sustrato, deposicin de
Aluminio, proceso de fotolitografa ptica, curar la muestra a
110C durante 15 min, realizar el ataque qumico con MF319,
remover el fotoresist SC1827 y limpiar la muestra.
Para el grabado de micro-estructuras metlicas en Cobre
sobre sustratos de vidrio y silicio se proponen los siguientes
pasos: preparacin del sustrato, deposicin de Cobre, proceso
de fotolitografa ptica, realizar el ataque qumico con FeCl
3
,
remover el fotoresist SC1827 y limpiar la muestra.
E. Dispositivos fabricados
Con las tcnicas implementadas en el Laboratorio Sala
Limpia de grabado de metales se realiz la fabricacin de
algunos dispositivos microelectrnicos. En la figura 5 se
muestra el resultado de la fabricacin en aluminio sobre
sustrato de vidrio utilizando la tecnologa de 5m, de una
inductancia de 16 vueltas con un ancho de las pistas de 55 m
y separacin de 20 m. Para las conexiones finales del
dispositivo se realiz un proceso de unin con alambre de oro
usando el equipo Wire Bonder (Kulicke & Soffa, USA).
En la Figura 6 se muestra un sensor pasivo de tipo resonador
con tanque LC fabricado en aluminio sobre sustrato de vidrio
con la tecnologa de 15 m. El ancho de todas las pistas es de
30 m con una separacin de 30 m. En esta muestra el ataque
qumico se realiz con el revelador MF319.



Fig.5 Inductancia fabricada en Aluminio sobre sustrato de
vidrio con tecnologa de 5 m

Fig.6 Sensor pasivo fabricado en Aluminio sobre sustrato de
vidrio con tecnologa de 15 m

En la figura 7 se muestran dos micro-transformadores
fabricados en cobre sobre sustrato de silicio con tecnologa de
5m, el transformador pequeo tiene un radio interno de 25
m y un radio externo de 50 m. Los anchos de las pistas son
de 10m, el transformador grande tiene un radio interno de
50m y un radio externo de 100 m, los anchos de las pistas
son de 15 m.


Fig.7 Micro transformadores fabricados en Cobre sobre
sustrato de silicio con tecnologa de 5 m

IV. DISCUSIN
La reduccin del nmero de pasos de fabricacin implica
una disminucin en la posibilidad de errores propagados y en
los costos del proceso, de igual manera benefician a la
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compatibilidad de los distintos procesos de fabricacin al
reducir la cantidad de reacciones y permitir un mayor control
de las interacciones que se presentan al acoplar distintos
procesos qumicos.
El uso de laminas de vidrio como sustratos en la fabricacin
de micro-estructuras metlicas, resulta una opcin atractiva,
teniendo en cuenta que los resultados en torno a resolucin de
los procesos desarrollados son iguales a los resultados
obtenidos sobre los sustratos de silicio, adems se cuenta con
propiedades interesantes del vidrio como su alta resistividad y
transparencia, uno de los percances que se sobre llevo de
manera exitosa fue la adherencia a los metales utilizados
debido a la preparacin del sustrato antes de realizar el
proceso de evaporacin.
V. CONCLUSIONES
El uso de equipos de micro patterning como el SF100 en
fotolitografa permite la fabricacin rpida de mascaras de
fotoresist para el diseo de micro estructuras.
Se prob que el fotoresist SC1827 soporta los reactivos
utilizados en el grabado de metales y permite una fcil
remocin despus del proceso realizado.
Se implementaron tcnicas de fabricacin de micro-
estructuras metlicas en cobre y aluminio sobre sustratos de
vidrio y silicio, la resolucin mxima alcanzada de los
procesos implementados es de 5m.
Utilizando el revelador MF319 se implement un proceso de
grabado de aluminio que implica solamente tres pasos de
fabricacin: la deposicin de metales, el proceso de
fotolitografa y la limpieza de la muestra. Se observo que la
reduccin en los pasos de fabricacin no implica ningn
cambio en los trminos de resolucin de las muestras y que los
resultados obtenidos son iguales a los procesos utilizados en
este documento.
Las tcnicas de grabado de metales se utilizaron en la
fabricacin de dispositivos microelectrnicos, los diseos
propuestos por los investigadores se fabricaron teniendo en
cuenta las especificaciones planteadas y se obtuvieron
dispositivos funcionales en los sustratos de vidrio y de silicio.
Las tcnicas diseadas se utilizaron satisfactoriamente en la
fabricacin de dispositivos electrnicos pasivos.
VI. AGRADECIMIENTOS
Este trabajo se realiz en el Laboratorio Sala Limpia de la
Universidad de los Andes, con apoyo del Departamento de
Ingeniera Elctrica y Electrnica, el Centro de
Microelectrnica (CMUA) y el Departamento de Fsica de la
Universidad de los Andes.
REFERENCIAS
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[10] H. Greenhouse, Design of Planar Rectangular Microelectronic
Inductors Parts, Hybrids, and Packaging, IEEE Transactions on,
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[11] A. Baldi, W. Choi, B. Ziaie, A self-resonant frequency-modulated
micromachined passive pressure transensor, Sensors Journal, IEEE ,
Dec. 2003.
[12] H. Kwon, J. Seung, S. Woo; Faradays Induction Experiment in
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