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UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, BOGOT D.C.

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Prctica 2: Diodos en circuitos recortadores,
limitadores, multiplicadores y sujetadores
David Santiago Daza Quiroga dsdazaq@unal.edu.co, dison Ferney Cruz Baquero efcruzb@unal.edu.co, Andres
Sanchez Sierra ansanchezsi@unal.edu.co
AbstractThis document will discuss about the particular ex-
ercises and data collected in the laboratory of analog electronics,
it will be shown the different results of the diodes 1N4004 and
1N4148, it will be tested their ability to transmit current when
the temperature change. Besides will be shown the recovery times
at different frequencies of the diode 1N4148 and the results
were evaluated. Where will answer specic questions about these
behaviors diode.
Index TermsTemperature, Reverse recovery, Polarization,
Saturation current, Rupture zone, Datasheet.
I. INTRODUCCIN
U
NA de las grandes propiedades de los diodos, son
su respuesta a los estmulos fsicos; estos estmulos
conforman parte importante de los anlisis de circuitos en los
que este elemento intervenga.
Principalmente los diodos son elementos completamente
sensibles a efectos como la temperatura, este tipo de cambios
se ven reejados al momento de medir en sus terminales la
tensin y la corriente. Esto va de la mano con referencia
al tipo de respuesta que se quiera, y esto se debe a la gran
cantidad de diodos que existen en el mercado, y todos con
diferentes usos. En este caso se ver el comportamiento de dos
tipos de diodos, donde se registrar sus curvas caractersticas
de la relacin de tensin y corriente.
Los diodos que no son ideales, tienen una caracterstica que
es de gran inters; donde la separacin de los materiales P y N
crean una capacitancia de pequea magnitud, donde podremos
ver cunto se tarda en pasar de una cierta capacitancia a
comportarse de manera normal. .
II. MARCO TERICO
A. EL DIODO
El diodo es un componente electrnico que se caracteriza
porque slo permite la circulacin de la corriente en un nico
sentido, es decir, se comporta en forma anloga a una vlvula
hidrulica anti retorno [1].
Figura 2.1.1. a) Smbolo y terminales del diodo. b)
Convencin pasiva de los signos y sentido de la corriente.
El diodo ideal representa resistencia nula en el sentido de
la circulacin, es decir tensin 0V, y resistencia innita en el
sentido opuesto, es decir tensin negativa [1].
Cuando el diodo permite la circulacin de la corriente se
indica que esta en polarizacin directa o simplemente que est
en directo (la tensin entre el nodo y ctodo es positiva),
para el caso contrario se dice que est en polarizacin inversa
o simplemente est en inverso (la tensin entre el nodo y
ctodo es negativa) [1].
Figura 2.1.1. Curva i-v caracterstica del diodo.
Como lo muestra la gura 2, el comportamiento del diodo
comprende el anlisis de tres zonas, regin directa, regin
inversa y regin de ruptura [1].
1) Regin Directa : Ac se presenta el mayor uso en
aplicaciones del diodo, en general, el voltaje en el diodo en
el cual empieza a conducir est en un rango aproximado de
0.6V a 0.7V. La corriente depender del circuito de montaje y
es lineal con el ancho del rea de contacto entre las regiones
internas del diodo, si duplicamos su rea, se duplicar la
corriente [1].
Para usos prcticos, el aumento de la temperatura en 5C,
ocasionar que la corriente se duplique [1].
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La ecuacin caracterstica est dada en la expresin:
I = I
S
(e
V
D
nV
T
1) (1) [1]
2) Regin Inversa : Al invertir la polaridad se espera que
no exista ujo de corriente en sentido inverso, sin embargo,
se forman pares electrn-hueco en ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente inversa de saturacin la
cual se duplica por cada 10C de aumento en la temperatura
[1].
Este ujo inverso no es permanente y el tiempo en recuperar
su funcin se denomina tiempo de recuperacin inversa. Este
proceso normal ocurre cuando el diodo deja de conducir y al
invertir su polaridad se presenta un pequeo ujo inverso de
corriente hasta que logra un tope mximo de carga (similar a
un condensador), luego esta capacidad va desapareciendo hasta
valores que se consideran insignicantes y el diodo opera en
su funcin de bloqueo dela corriente [1].
3) Punto de Ruptura : Para todo diodo existe un valor
de tensin inversa para el cual el diodo permitir el ujo de
corriente en sentido inverso. Este valor se denomina Tensin
Inversa Mxima del diodo [1].
B. DIODOS 1N4004 Y 1N4148
Los datos relevantes necesarios para la prctica estn
consignados en la tabla 1.
TABLA I
DIODOS 1N4004 Y 1N4148
Diodo V
RRM
Trr Cj T
R
Vs Is
[V] [s] [pF] [C] [V]
1N4004 400 2.0 15.0 -50a + 175 0.7
1N4148 100 0.004 4.0 -65a + 200
Tabla 2.2.1. Datos relevantes de los dos diodos.
VRRM: Tensin inversa mxima de ruptura.
Trr: Tiempo de recuperacin inversa.
Cj: Capacitancia de unin.
TR: Rango de temperatura de operacin.
VS: Tensin umbral o de saturacin directa.
IS: Corriente de fuga o de saturacin inversa.
III. PROCEDIMIENTO
En una tarjeta universal se monta dos veces el circuito de
la gura 3, con resistencias de 5W a 200 para una corriente
mxima de 125mA con un voltaje de 25V.
Figura 3.1.1. Circuito Polarizacin diodo.
Con uno de los montajes a una temperatura ambiente de
19C medida por un multmetro con sensor de temperatura, y
variando la tensin de entrada se obtuvo la tabla II de datos
y su grca i-v respectiva.
TABLA II
DIODO 1N 4004 A 19C
Punto V
DC
I
D
V
D
[V] [mA] [V]
1 2.4 14.002 0.66
2 4.9 17.567 0.67
3 7.5 22.04 0.679
4 10.1 27.651 0.689
5 12.5 34.691 0.698
6 15 43.523 0.708
7 17.5 54.604 0.717
8 20.1 68.507 0.727
9 22.5 85.948 0.736
10 25.1 93.517 0.746
Tabla 3.1.1. Datos cambio de temperatura diodo 1N4004.
Figura 3.1.2. Curva i-v para el diodo 1N4004 a 19C.
Utilizando el mtodo de los mnimos cuadrados obtenemos
una lnea recta de ecuacin iD = 1,948vD 0,689, su
intercepto con el eje horizontal corresponde a la tensin de
polarizacin directa VD = 0,657V [2].
La Resistencia dinmica del diodo corresponde al inverso
de la pendiente de la expresin: Entonces tenemos que R =
0,513.
TABLA III
MTODO REGRESIN LOGARTMICA DIODO 1N 4004 A 19C
Punto I
D
V
D
ln(I
D
) V
D
ln(I
D
) (V
D
)
2
[mA] [V]
1 14.002 0.66 -4.269 -2.817 0.436
2 17.567 0.67 -4.042 -2.706 0.448
3 22.04 0.679 -3.815 -2.591 0.461
4 27.651 0.689 -3.588 -2.471 0.474
5 34.691 0.698 -3.361 -2.347 0.488
6 43.523 0.708 -3.134 -2.219 0.501
7 54.604 0.717 -2.908 -2.086 0.515
8 68.507 0.727 -2.681 -1.949 0.528
9 85.948 0.736 -2.454 -1.807 0.542
10 107.831 0.746 -2.227 -1.661 0.557
476.364 7.030 -32.479 -22.654 4.95
Tabla 3.1.2. Regresin logartmica 1N4004.
Obteniendo la ecuacin lineal
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Y = 23.838X 20.007 (2)
De la expresin
ln(Is) = 20.007 (3)
podemos encontrar la corriente de saturacin inversa, equiv-
alente a
Is = 2.064nA
Siendo la temperatura 19C = 292.15 K, tenemos que
V
T
=
kT
q
(4)
23.839 =
1
nV
T
V
T
= 25.1755mV
n =
1
23.839V
T
n = 1.666
Para el segundo montaje se trabaj a una temperatura
ambiente de 50C controlada por un constante acercamiento
del cautn al diodo y medicin por parte de un multmetro con
sensor de temperatura. La respectiva tabla de datos y grca
puede verse a continuacin.
TABLA IV
DIODO 1N 4004 A 50C
Punto V
DC
I
D
V
D
[V] [mA] [V]
1 2.6 19.929 0.656
2 4.9 24.384 0.663
3 7.5 29.835 0.671
4 10 36.505 0.678
5 12.5 44.665 0.686
6 15 54.651 0.693
7 17.5 66.868 0.701
8 20 81.817 0.708
9 22.5 100.108 0.716
10 25 122.487 0.723
Tabla 3.1.3. Datos cambio de temperatura diodo 1N4004.
Figura 3.1.3. Curva i-v para el diodo 1N4004 a 50C.
Nuevamente utilizando el mtodo de los mnimos cuadrados
obtenemos una lnea recta de ecuacin [2].
i
D
= 1.468v
D
0.954 (5)
cuyo intercepto con el eje horizontal corresponde a la
tensin de polarizacin directa
V
D
= 0.65V
TABLA V
MTODO REGRESIN LOGARTMICA DIODO 1N 4004 A 50C
Punto I
D
V
D
ln(I
D
) V
D
*ln(I
D
) (V
D
)
2
[mA] [V]
1 19.929 0.656 -3.916 -2.569 0.43
2 24.384 0.663 -3.714 .-2.464 0.44
3 29.835 0.671 -.3.512 -2.356 0.45
4 36.505 0.678 -3.31 -2.245 0.46
5 44.665 0.686 -3.109 -2.132 0.47
6 54.651 0.693 -2.907 -2.015 0.481
7 66.868 0.701 -2.705 -1.895 0.491
8 81.817 0.708 -2.503 -1.773 0.501
9 100.108 0.716 -2.302 -1.647 0.512
10 122.487 0.723 -2.1 -1.518 0.523
581.249 6.895 -30.077 -20.614 4.759
Tabla 3.1.4. Regresin logartmica 1N4004.
De donde se obtiene la ecuacin lineal
Y = 26.952X 21.591 (6)
De la expresin
ln(Is) = 21.591
podemos encontrar la corriente de saturacin que es
Is = 0.42nA
Siendo la temperatura 50C = 323.15 K, tenemos que
V
T
=
kT
q
26.952 =
1
nV
T
V
T
= 25.1755mV
n =
1
26.952V
T
n = 1.332
Una vez hecho estos clculos, se procedi a medir el tiempo
de recuperacin inversa aplicando al mismo circuito una onda
cuadrada 10Vpp con R = 1k, visualizando en el osciloscopio
el tiempo de recuperacin inversa para la seal en distintas
frecuencias, obteniendo los datos para cada uno de los diodos
como se indica en las siguientes tablas.
Datos para el diodo 1N4148
Al momento en que se realiz la simulacin no se encontraban
grandes diferencias con respecto a cada diodo, en el sentido
de magnitudes y grcamente eran las mismas gracas;
al momento de medirlo en el laboratorio es demasiado
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difcil saber con certeza los cambios, por ende concluimos
que no distanciaban lo suciente como para tomarlo en cuenta.
Al momento de ver la polarizacin en inversa, cuando la
tensin comienza a decrecer; el tiempo que transcurre no se
puede notar a simple vista, pero agrandando la divisin de
tiempo del osciloscopio podemos inferir que son alrededor de
2.5ms.
TABLA VI
RECUPERACIN INVERSA 1N4148
Tiempo [s] Frecuencia [Hz]
100 200
10 600
1 19.9k
0.1 200k
Tabla 3.1.5. Tiempo inversa.
Datos para el diodo 1N4004
Figura 3.1.4. Circuito 1, con 1N4004.
TABLA VII
RECUPERACIN INVERSA 1N4004
Tiempo [s] Frecuencia [Hz]
5 200
1.5 600
Muy pequeo 19.9k
Muy pequeo 200k
Tabla 3.1.6. Tiempo inversa.
Cuando la fuente senoidal est a 5V, se puede apreciar
un corte en la onda completa; donde el ciclo positivo est
reducido casi a cero y el ciclo negativo llega a los -5V.
Cuando la fuente est a -5V concuerda con la medicin
de la corriente a un circuito abierto; en este ciclo negativo la
corriente se hace cero.
La corriente en este estado comienza a variar de 0 a un
valor mximo, aproximadamente de unos 20 mA cuando la
poca parte positiva de la tensin existe. Esto es algo que se
esperaba de acuerdo con las simulaciones realizadas.
Figura 3.1.4. Fuente senoidal con 5V (verde), corriente del
diodo (roja).
IV. ANLISIS
Para los dos montajes iniciales correspondientes al diodo
1N4004, en donde se vari la temperatura de operacin,
encontramos en la aproximacin lineal valores muy similares
para la tensin de saturacin directa (0,657V a 19C y 0,650V
a 50C).
Estos valores son muy cercanos a las especicaciones
tcnicas de tensin de saturacin de 0,7V para diodos hechos
de silicio.
Respecto a la capacidad resistiva del diodo (0,513 a
19C y 0,681 a 50C), se puede constatar que la variacin
tambin es pequea, y los valores resistivos un poco altos a
lo esperado, pero aun as pequeos puesto que debe instar al
modelo ideal del diodo.
Al superponer las dos curvas de i-v para cada una de las
distintas temperaturas del diodo (gura 6), se evidencia un
desplazamiento esperado hacia la izquierda con el aumento
de la temperatura, es decir que circula mayor corriente a
menor tensin. Este hecho tambin es similar a la gura 7
correspondiente a la simulacin.
Figura 4.1.1. Superposicin curvas i-v diodo 1N4004.
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Figura 4.1.2. Superposicin de simulaciones curvas i-v diodo
1N4004 (izquierda a 50C, derecha a 20C).
El coeciente de emisin hallado en las dos condiciones
(1,662 a 19C y 1,332 a 50C), es coherente a lo esperado
tericamente con un valor entre 1 y 2. La variacin entre uno
u otro montaje recae muy posiblemente a pequeos errores
de precisin en las medidas que pueden signicar grandes
variaciones en los clculos.
Por ltimo de estos montajes obtenemos la corriente de
saturacin con valores de 2,046 nA a 19C y 0,420 nA a
50C, lo cual reeja un aumento del orden de 4, 8 veces su
magnitud. Un resultado coherente con la teora que indica
un aumento de hasta 100% por cada 10%, sin embargo
podra sugerir que quizs no hubo suciente control sobre
la temperatura en el diodo pues en un aumento de 30C
aproximadamente, la corriente deba haber aumentado su
magnitud cerca de 8 veces la inicial en 19C.
Para la segunda parte del laboratorio, evaluando el tiempo
de recuperacin en los diodos 1N4148y 1N4004 con una
onda cuadrada 10Vpp con R = 1k a temperatura ambiente,
y cuyos registros estn consignados en las tablas VI para
el 1n4138 y VII para el 1N4004, se puede evidenciar que
mientras para el diodo 1N4148 no obtuvimos problemas en
la toma de registros, para el 1N4004 no fue posible la toma
de los registros a muy altas frecuencias.
En el caso del diodo 1N4148, a ms altas frecuencias nos
fue posible calcular visualmente el tiempo de recuperacin,
logrando mayor precisin a altas frecuencias muy seguramente
porque la escala de tiempo en el osciloscopio hace posible la
visualizacin, sin embargo su valor ms preciso es de 0,1 s,
muy lejos al indicado en el datasheet que corresponde 0,004
s.
Al no visualizarse distorsin en la onda podra armarse
que el diodo 1N4148 est diseado para trabajar a muy altas
frecuencias.
Con el segundo diodo, el 1N4004 no nos fue posible
registrar los valores a muy altas frecuencias porque la onda
se distorsionaba mucho y no era muy identicable dicha
zona. El valor ms preciso que logramos registrar es de 1,5
s a 600 Hz y comparado al indicado al del datasheet de 2,0
s, se deduce que es una muy buena lectura.
El problema con el 1N4004 se debe a su capacitancia de
15 pF que alarga su tiempo de recuperacin, mientras que en
el 1n4148 con una capacitancia de 4 pF (cuatro veces menor
que del otro diodo), lo hace ms indicado para trabajo a altas
frecuencias porque su tiempo de recuperacin es muchsimo
menor.
V. PREGUNTAS
A. Cul frecuencia es mejor para trabajar el tiempo de
recuperacin inversa para cada uno de los diodos y por qu?,
justique su respuesta.
A bajas frecuencias (menor a 1kHz) no existe problema
alguno al trabajar con uno u otro diodo, puesto que el periodo
de la onda es bastante alto respecto al tiempo de recuperacin,
y los diodos dispondrn del espacio suciente en tiempo para
recuperarse.
A altas frecuencias deben seleccionarse diodos con muy
baja capacitancia, que reduce signicativamente el tiempo de
recuperacin. Para el caso de los dos diodos evaluados, es
evidente que el 1N4004 es menos indicado para trabajo a altas
frecuencias porque el tiempo de recuperacin es signicativo
respecto al periodo de la onda. A 200 kHz tendramos un
perodo de 5 s y el tiempo de recuperacin equivaldra al
40% de todo el periodo, un valor muy signicativo que reduce
el ciclo til de la onda y podra afectar informacin para
dispositivos muy sensibles.
B. Qu cambio se obtuvo al variar la temperatura en la
primera parte de la prctica?
La variacin de la temperatura hizo que la corriente de
saturacin aumentara casi 5 veces, y que como se analiz,
las grca i-v corriera hacia la izquierda, es decir aumento la
conductividad del diodo logrando mayor ujo de corriente a
la misma tensin.
Se concluye que a mayor temperatura se requiere menor
tensin para el mismo ujo de corriente.
C. Concuerdan los valores de la hoja de especicaciones del
fabricante con los encontrados experimentalmente? haga un
anlisis de la respuesta.
En algunos aspectos se acerca en otros no tanto.
Concretamente para el caso del diodo 1N4004 la tensin de
saturacin en las dos condiciones de temperatura se acercaron
bastante al esperado terico, pero por otro lado, la resistencia
del diodo aunque vari como era de esperarse con el cambio
de temperatura, se obtuvo valores muy altos a los esperados,
con magnitudes del orden de los milis versus magnitudes
esperadas del orden de los micro.
Esta diferencia signicativa quizs pueda ser ataida a
errores de medicin, de condiciones tcnicas, humanas o
quizs que no se tiene la certeza de que los valores de
referencia en la hoja tcnica del diodo no corresponden al de
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los diodos utilizados porque no sabemos con certeza quien
fue el fabricante de los diodos utilizados.
Respecto a la segunda parte sobre los tiempos de
recuperacin, es evidente que los tiempos hallados aunque
coherentes al compararlos entre ellos, hace evidente la
diferencia comportamental de cada referencia de diodo, sin
embargo sus valores distan mucho de las especicadas en
sus hojas tcnicas, de cientos de veces de diferencia para el
1N4148, mientras que cercano para el 1N4004.
Este distanciamiento se da muy probablemente porque
tanto el instrumento de visualizacin (el osciloscopio) no
permite un acercamiento a la onda sin salirse del rea de
visualizacin, como por el hecho, tal vez en mayor medida,
de que el instrumento de medicin era el ojmetro, el
cual no tiene la misma calibracin para cada uno de los
miembros del equipo, y su nivel de precisin est sujeto a
la subjetividad y perspectiva individual, caractersticas que
hacen un tanto artesanal un proceso que debera ser muy
tcnico y preciso para mediciones de magnitudes tan pequeas.
D. Los resultados de la simulacin y los obtenidos en la
prctica son iguales?, haga un anlisis de su respuesta.
Para la primera parte puede observarse al comparar las gr-
cas de las guras 4.1.1. (grca experimental) y gura 4.1.2.
(grca de simulacin), que los valores y comportamientos
son similares en ambos casos.
VI. CONCLUSIONES
Se puede notar la gran diferencia de crecimiento de
la corriente en el diodo 1N4004 cuando aumenta la
temperatura, incrementando la cantidad de corriente que
puede conducir; de este mismo modo la tensin comienza
a verse afectada su magnitud decrece.
El mtodo de aproximacin por mnimos cuadrados
puede eliminar de manera bastante precisa su compor-
tamiento exponencial y obtener facilidad al manejar los
clculos de corriente y tensin.
La utilizacin de simulaciones del circuito es un buen
camino por dnde empezar, ya que en ciertas veces
cambia completamente de la realidad pero es un paso que
se necesita, mas sobre todo cuando se utilizan magnitudes
grandes de corriente y potencia, las cuales favorecen a
la potencia y generar daos a la toma de medidas y al
circuito como tal.
La aplicacin del tipo de diodo se debe estudiar cuida-
dosamente de acuerdo con las necesidades a cumplir.
Los histogramas del datasheet son de gran ayuda; donde
podemos encontrar informacin valida y able, y que nos
ayudar a obtener los mejores resultados posibles.
No se puede armar basados en las respuestas de unos
diodos a un rango de frecuencias que uno sea mejor que
otro. Eso depende de la aplicacin y las especicaciones
tcnicas requeridas, pues si bien uno en general da mejor
respuestas que el otro, puede aumentar los costos in-
necesariamente para una aplicacin que otro con menores
especicaciones tcnicas puede suplir a un menor costo
sin comprometer eciencia y funcionalidad.
Para el diseo de circuitos que incluyen diodos en sus
componentes se debe ser muy cuidadoso en establecer
las circunstancias de operacin de los mismos, porque si
el diseo incluye componentes muy sensibles a pequeos
cambios de corriente, una variacin en la temperatura
podra acarrear un comportamiento no deseado al alter-
arse la intensidad de la corriente calculada, frente a una
real modicada por las diferencias en la temperatura de
operacin, distintas a las tenidas en cuenta en los clculos.
VII. REFERENCIAS
[1] Diodo. (22 de agosto 2014). Disponible en:
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo.
[2] Programa para regresin lineal y no lineal. Disponible
en: http://soft.ingenieria-industrial.net/regresion_lineal.php.
[3]Electrnica [Online]. (22 de marzo 2012).
Formato GIF. Disponible en: http://3.bp.blogspot.com/-
tHFdFqv0YFk/T2pqEEbA0MI/AAAAAAAAAAc/Ui_mI9Pwkkw/s320/simb
[4] Constante de Plank [On-
line]. Formato JPG. Disponible en:
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/8/80/Figura_cc_diodo_1.jpg
[5] Regresin lineal y exponen-
cial. Enero 2008. Disponible en:
http://www.zweigmedia.com/MundoReal/calctopic1/regression.html