4.

1 LA CONDUCTIVIDAD EN LOS SEMICONDUCTORES

INTRNSECOS
La representacin de los datos de conductividad frente a temperatura que
aparecen en la tabla 8.3 nos llevan a un modelo matemtico del tipo:

(8.16)
siendo A y C dos parmetros que dependen del material. La conductividad es
creciente en forma exponencial con la temperatura. La conductividad es muy
baja para temperaturas bajas, inferiores a la ambiental, y prcticamente
nula en las proximidades del 0 K.
TABLA 8.3. Caractersticas elctricas de los
semiconductores frente a temperatura.
T (K)

173 7.21 10
-11

273 5.29 10
-7

300 4.35 10
-4

473 1.04
550 6.87


4.2 LA INCAPACIDAD DEL MODELO CLSICO DE CONDUCCIN
Observemos las grficas de las figuras 8.13 y 8.14.


Figura 8.13. Correlacin - T
para el silicio.
Figura 8.14. Correlacin - T en
los metales.
Recordando el modelo experimental de un metal, en el que la conductividad
s era igual al producto N e , y la conductividad desde los 0 K, podemos indicar
dos diferencias fundamentales en el comportamiento elctrico del semiconductor:
La conductividad a 0 K es prcticamente nula.
La conductividad es creciente con la temperatura.

Si se aplica a un semiconductor la ecuacin 8.12 de conductividad:


tendremos que suponer la hiptesis de que N es una variable para el
semiconductor que toma los valores nulo a 0 K y exponencial creciente cuando
aumenta la temperatura ya que el valor de la movilidad es decreciente con la
temperatura a causa de la interaccin de los electrones libres con los tomos de la
estructura cristalina.
En un semiconductor no dopado (intrnseco) la concentracin de
electrones libres N es una funcin exponencial con la temperatura con el
modelo:

(8.17)


4.4 Ecuacin de conductividad en los semiconductores intrnsecos
En el proceso de conduccin elctrica de un semiconductor intrnseco,
electrones y huecos se mueven por la accin del campo elctrico exterior. Los
electrones, procedentes de la rotura de un enlace por efectos trmicos, se mueven
hacia el polo positivo y lo huecos, tambin generados por ese efecto trmico,
hacia el negativo. El hueco no es una partcula real sino que lo interpretamos en
trminos de "falta de un electrn".
El movimiento del hueco se visualiza en la figura 8.24. En el tomo A se
localiza un hueco por la falta de un electrn de valencia, que se halla
promocionado a la B.C. (a). El campo elctrico provoca que un electrn de
valencia del tomo B emigre hacia A. El hueco aparece ahora en B (b).
Anlogamente, la accin de la tensin exterior aplicada hace que un electrn de
valencia de C se posicione sobre B, con lo que el hueco se localiza en ese
momento sobre C (c). El efecto es que el movimiento de electrones asociados a
enlaces de tomos vecinos da como resultado el movimiento del hueco en la
direccin del campo elctrico, mientras que los electrones agitados trmicamente,
liberados en la banda de conduccin, lo harn en contra.

Figura 8.24. Movimiento del hueco en el semiconductor.

Los semiconductores intrnsecos obedecen al mecanismo conductor
intrnseco: los agentes conductores son los electrones y huecos que el material es
capaz de generar trmicamente. La ecuacin de conductividad debe contemplar
bsicamente:
La concentracin de portadores de carga libre.
Situacin de equilibrio trmico-elctrico.
Los niveles de energa implicados.

Partiendo del modelo clsico, la conductividad total ser la suma de las
contribuciones individuales de cada tipo de portador de carga libre, segn la
expresin:

(8.29)
en la que n y p son las concentraciones volumtricas de electrones y
huecos, n y p las movilidades de electrones y huecos, e la carga del electrn y
del hueco.
Mediante la combinacin de la mecnica cuntica y la estadstica de Fermi-
Dirac, la concentracin de electrones y huecos viene dada por:

(8.30)


(8.31)
Nc, Nv, densidad de estados efectivos en las bandas de conduccin y valencia.
Ec, Ev, energa del nivel inferior de la banda de conduccin y del superior en la de
valencia.
EF, energa del nivel de Fermi: EF = (Ec + Ev)/2, para semiconductores intrnsecos.

La generacin y recombinacin de los portadores est sometida a las leyes
del equilibrio termodinmico, de manera que ambas poblaciones siguen la ley de
accin de masas o del equilibrio:

(8.32)
en la que ni representa la concentracin intrnseca de portadores de carga libre.
Teniendo en cuenta que en condiciones de equilibrio n = p = ni, la combinacin
de las tres ltimas ecuaciones nos da la concentracin de portadores de carga
libre de un semiconductor intrnseco:

(8.33)
en la que Eg = Ec - Ev representa la energa del intervalo prohibido. Como
expresin final de la conductividad en un semiconductor intrnseco:

(8.34)
o de forma sinttica y simplificada, englobando las magnitudes no exponenciales
en 0:

(8.35)
Las caractersticas conductoras de un semiconductor intrnseco
dependen fundamentalmente de:
La naturaleza del material y su estructura electrnica, segn el modelo de bandas.
La temperatura.
La concentracin de portadores de carga libre y la facilidad con que se movilizan
stos en el interior del semiconductor: movilidad.

Resolvamos un ejercicio tpico. Calcular la resistividad de los
semiconductores intrnsecos GaAs y Si a temperatura ambiente, 300 K. Los datos
necesarios se aportan en la siguiente tabla. El valor de las constantes son
K=8.63 10
-5
eV/K, e=1.6 10
-19
C.
Material Nc (cm
-3
) Nv (cm
-3
) n (cm
2
/Vs) p (cm
2
/Vs) Eg (eV)
Si 2.80 1019 1.04 1019 1300 500 1.12
GaAs 4.70 1017 7.00 1018 8500 420 1.42
En ambos casos, bastar con aplicar la ecuacin 10.21, con el
correspondiente cambio de unidades para la densidad de estados y las
movilidades. En el caso del silicio:

= 2.00 10-4 (m)-1 = 5.000 m
Para el arseniuro de galio tendremos:

= 3.20 10-7 (m)-1 = 3.1 106 m


4.5 Clculo del salto energtico de la banda prohibida
La dependencia con la temperatura del comportamiento elctrico en
semiconductores intrnsecos es evidente sin mas que observar la figura 8.25. La
conductividad aumenta con la temperatura. La correlacin de la
conductividad con la temperatura, expresada en forma exponencial, obedece a
una expresin de acuerdo a la ecuacin 8.16.

Figura 8.25. Relacin conductividad-temperatura en el Si intrnseco.

Por comparacin con la ecuacin 8.35, deducimos que los parmetros A y C
vendrn dados por :

(8.36)

(8.37)
En la representacin de Ln con 1/T, encontramos que la pendiente de la
recta es precisamente C. Para determinar el valor de Eg, basta con multiplicar
por el factor 2K la pendiente de la correlacin Ln con 1/T.
El valor de la ordenada en el origen, Ln 0, es el valor del Ln A. Por tanto,
la ordenada en el origen nos determina un factor que es funcin de la
densidad de estados en las bandas de valencia y conduccin, y de la
movilidad de los portadores de carga libre en el material. En otras palabras,
depende de la naturaleza del material, tanto por su estructura electrnica como
por su constitucin cristalina.
El intervalo prohibido de energa Eg tambin depende de la
temperatura. La explicacin fsica es que los niveles extremos de la banda de
valencia y de conduccin cambian de valor energtico, o lo que es igual, la
distribucin de los estados energticos de la banda se modifican por efecto de la
temperatura. Se han encontrado para el silicio y arseniuro de galio correlaciones
entre la energa del intervalo prohibido y la temperatura del tipo:

(8.38)
Para diferentes materiales, los trminos de la ecuacin anterior vienen dados
en la tabla 8.5.

TABLA 8.5. Valores de Eg para distintos semiconductores.

El aumento de temperatura disminuye la diferencia energtica entre las
bandas de valencia y conduccin, contribuyendo al incremento de la
conductividad.
La movilidad nos indica la facilidad con que los portadores de carga
libre se mueven en la red, en trminos de velocidad por unidad de campo
elctrico aplicado. Los nudos de la red actan como dispersores de electrones y
de huecos: les hacen perder energa, direccionalidad en su movimiento. La
correlacin entre temperatura y movilidad es del tipo:

(8.39)
En la tabla 8.6 podemos apreciar el efecto combinado del material y
temperatura en la movilidad de los portadores de carga libre (electrones y
huecos).

TABLA 8.6. Influencia de la temperatura sobre la movilidad en diversos semiconductores.

El aumento de la temperatura disminuye la movilidad de los portadores de
carga libre, no contribuyendo al incremento de la conductividad. La movilidad
disminuye por los efectos dispersivos de los tomos de la red. Menores
temperaturas implican menor amplitud en las vibraciones de los tomos y una
accin ms dbil sobre la dispersin de los portadores de carga libre.
La movilidad es superior para el electrn, ya que su localizacin en la
banda de conduccin le confiere mayor energa y menos sometimiento a la
accin de los tomos de la red. La movilidad es menor para los huecos, ya que
implica el movimiento de electrones situados en la banda de valencia, de menor
energa y ms sometidos a la accin de los tomos.
La movilidad es otro parmetro importante a evaluar como criterio de
seleccin de materiales semiconductores pues es un ndice de la rapidez de
respuesta elctrica.
Por ltimo, sealar a la densidad de estados energticos en ambas bandas
como otro parmetro dependiente de la temperatura en un grado importante,
la que podemos observar en las ecuaciones 8.39 y 8.40.

(8.40)

(8.41)
en las que el exponente c es 1.5, mrn y mrp son el cociente entre la masa efectiva y
la masa en reposo, del electrn y del hueco respectivamente. El concepto de masa
efectiva es cuntico, no coincidiendo en valor con la de reposo por efecto de los
campos aceleradores y deceleradores a que los somete la red cristalina, cambios
de energa cuasi instantnea y altas velocidades, dndonos una idea intuitiva de
su ligereza o pesadez. En la tabla 8.7 tenemos reunidos algunos datos al respecto.

TABLA 8.7. Valores de la relacin masa efectiva-masa en reposo.

El aumento de la temperatura incrementa la densidad de estados
energticos posibles en ambas bandas, permitiendo una contribucin positiva a
la conductividad.

4.6 Conductividad en semiconductores extrnsecos.
El inters del dopado es establecer un mejor control de la conductividad
con la temperatura, de manera que permita el diseo de dispositivos
electrnicos en los que se puedan mantener las seales elctricas en un
margen de temperaturas aceptables para los equipos electrnicos. La
Ingeniera Electrnica se sirve de los semiconductores intrnsecos,
convirtindoles en extrnsecos por dopado con impurezas, los cuales son
utilizados como componentes sencillos: diodos, transistores, varistores, clulas
fotovoltaicas, clulas fotosensibles, emisores-receptores lser o circuitos
integrados.
Los parmetros que influyen en la capacidad conductora de los
semiconductores extrnsecos comprobaremos que la temperatura es
importante, pero est matizada por la concentracin de agente dopante.
Al examinar la figura 8.26, en la que se representa conductividad frente a
temperatura, observamos que en los semiconductores extrnsecos se da un doble
mecanismo conductor:
Extrnseco, por el cual existe una concentracin de portadores de carga libre
mayoritarios proporcionado por las impurezas al ionizarse. Este mecanismo es propio
de temperaturas bajas y ambientales.
Intrnseco, en el que por efectos de agitacin trmica, se incrementa la cantidad de
nuevos pares electrn-hueco. Este responde a mayores temperaturas.

Figura 8.26. Correlacin conductividad-temperatura en semiconductores extrnsecos.

Por analoga con lo desarrollado en cuestiones anteriores, la conductividad
total ser la suma de las contribuciones intrnsecas y extrnsecas, ya que los
portadores de carga libre pueden provenir de la ionizacin de lo dopantes o los
propios tomos del semiconductor. La conductividad total ser:

(8.42)
en la que los subndices I y E hacen referencia a los mecanismos intrnsecos y
extrnseco. Antes debemos tener en cuenta que el material se encuentra en
equilibrio trmico y tambin su poblacin de portadores de carga libre. La
neutralidad de la carga en un semiconductor en equilibrio trmico viene dada por
la relacin:

(8.43)
en la que ND, NA son las concentraciones de impurezas donantes y aceptoras
respectivamente, de manera que cuando se ionizan actan de centros de carga
fija, mientras que n y p representan las concentraciones de portadores de carga
libre. La otra ecuacin de equilibrio es la de accin de masas.
Para semiconductores de tipo N, los electrones son el portador mayoritario,
los huecos son minoritarios y NA es cero. En los de tipo P, la situacin es la
contraria: p mayoritarios, n minoritarios y ND nulo. Otra simplificacin aplicable
a temperaturas bajas y medias es despreciar la concentracin de portadores
minoritarios de carga libre frente a la concentracin de impurezas dopantes. As
pues, tendramos resumidos en la tabla 8.8, las expresiones anteriores.

TABLA 8.8. Balance entre portadores de carga en equilibrio trmico.

Partiendo de los conceptos y aproximaciones anteriores, se puede llegar a
demostrar las correlaciones entre los mecanismos de conduccin intrnseco y
extrnseco. As tendremos que las componentes de la conductividad vendrn
dadas por:
Semiconductores N

(8.44)
en la que el primer sumando corresponde al mecanismo extrnseco y el
segundo al intrnseco. ED es la energa de los niveles introducidos por las
impurezas dopantes donantes en las cercanas del la banda de conduccin.
Haciendo Ed = EC - ED, y agrupando los parmetros no exponenciales de cada
sumando bajo el smbolo 0E o 0I, segn se refiera al mecanismo extrnseco o
intrnseco, tendremos la ecuacin anterior simplificada:

(8.45)
Semiconductores P

(8.46)
en la que el primer trmino corresponde al mecanismo extrnseco y el segundo al
intrnseco. EA es la energa de los niveles introducidos por las impurezas
dopantes aceptoras en las cercanas de la banda de valencia. Haciendo Ea = EA -
EV, y agrupando los parmetros no exponenciales de cada sumando bajo el
smbolo 0E o 0I, segn se refiera al mecanismo extrnseco o intrnseco, la
expresin anterior quedara simplificada por la ecuacin:

(8.47)
Se ha observado que en el dominio de las bajas temperaturas, inferiores a la
temperatura de ionizacin, la componente intrnseca de la conductividad es
despreciable frente a la extrnseca, con lo que las ecuaciones 8.45 y 8.46 pueden
expresarse de la forma:
(N) (P)
(8.48)
Los semiconductores extrnsecos estn ligeramente impurificados con
elementos qumicos disueltos en su microestructura cristalina. Los dopantes
poseen una capa de valencia con un electrn de mas o de menos que la de los
tomos del semiconductor.
Los dopantes son de dos tipos: donantes y aceptores. Los primeros
suministran electrones como portadores de carga libre, mientras los segundos
proporcionan huecos como portadores de carga libre.
Las impurezas introducen niveles de energa en el intervalo de energa
prohibida. Los donantes lo hacen prximo al nivel inferior de la banda de
conduccin. Los aceptores muy prximo al nivel superior de la banda de
valencia.
La ionizacin de las impurezas donantes introduce electrones en la banda
de conduccin, quedando stas como portadores de carga fija positiva. La
ionizacin de impurezas aceptoras, introduce huecos en la banda de valencia,
convirtindose ellas en portadores de carga fija negativa.
El mecanismo de conduccin en los semiconductores extrnsecos muestra
dos contribuciones: extrnseco e intrnseco. El mecanismo extrnseco es debido
a un mayoritario suministro de portadores de carga libre por ionizacin de las
impurezas. El intrnseco es debido a la generacin trmica de pares electrn-
hueco.
El mecanismo extrnseco es importante a temperaturas bajas y superiores
a la ambiental. El mecanismo intrnseco toma importancia a temperaturas
altas.

4.7 Clculo de la energa de ionizacin del dopante.
Los donantes habituales en semiconductores base silicio y germanio son
elementos del grupo V: fsforo, arsnico, antimonio y bismuto. los aceptores
suelen ser elementos del grupo III: boro, aluminio, galio e indio. En los
semiconductores intermetlicos, por ejemplo GaAs, suelen utilizarse elementos
de losgrupos IV y VI como donantes, y metales de transicin como aceptores.
Una informacin ms completa la hallamos en la figura 8.27. Fijmonos en
donantes de la misma familia: P, As, Sb, Bi. La tendencia es que el aumento en
el nmero atmico de stos introduce el nivel donante mas al interior del
intervalo prohibido y se requiere una mayor energa de ionizacin.

Figura 8.27. Dopantes, niveles y energas de ionizacin en diferentes semiconductores.

Analicemos ahora el efecto de los aceptores: B, Al, Ga e In. Torna a suceder
la misma conducta: el aumento en el nmero atmico del dopante introduce el
nivel aceptor mas al interior del intervalo prohibido, requiriendo una mayor
energa de ionizacin.
Esto es mas acusado cuanto mayor sea el carcter no metlico del
semiconductor y mayor diferencia de nmero atmico entre ste y los
dopantes. As se aprecia con el Si (no metal) y el Ge o GaAs, claramente
metaloides.
La interaccin entre dopante y substrato semiconductor incide
discriminadamente en la conductividad con el parmetro energa de
ionizacin, la que aparece como numerador en el trmino exponencial de la
componente extrnseca de la ecuacin de conductividad.
La concentracin de portadores de carga a diferentes temperaturas nos da
una representacin grfica como la de la figura 8.28, en la que se estudia dicho
efecto para un semiconductor de Si-n, dopado con 10
15
at/cm
35
de P (donante).
Puesto que la conductividad es directamente proporcional a la poblacin de
portadores libres, existe un paralelismo entre esta grfica y la de la figura 8.26.

Figura 8.28. Concentracin de portadores de carga con la temperatura en silicio extrnseco.

Se aprecia la enorme influencia que ejerce la temperatura en la
conductividad, aunque no es uniforme en todo el rango de temperaturas.
Observamos una evolucin en tres tramos diferenciados.
Analicemos cada uno de los tres tramos. Para bajas temperaturas, partimos
de una situacin de congelamiento electrnico, bajo nivel de agitacin trmica,
y los portadores generados han sido por efecto de la ionizacin progresiva de
las impurezas dopantes. En dicho tramo, la conductividad es proporcional a
una funcin exponencial de ndice -Ed/KT.
De otra manera, en el rango de temperaturas bajas, el mecanismo de
mayor contribucin a la conductividad es el extrnseco. Es de gran inters la
representacin grfica ln n - 1/T, ya que nos permite el clculo de la energa
de ionizacin de cualquier semiconductor extrnseco, segn la expresin:

(8.49)
El segundo tramo representa un rango de temperaturas en el que la
conductividad se mantiene constante. ste recibe el nombre de perodo de
agotamiento (dopado n) o de saturacin (dopado p). El perodo de
agotamiento representa una situacin de conductividad constante, y por tanto,
una ventaja tecnolgica para el control de la conductividad con la temperatura.
Existe una temperatura caracterstica, a partir de la cual, todas las
impurezas se han ionizado, siendo la concentracin de portadores exactamente
la de dopantes introducidos. Dicha temperatura de ionizacin puede calcularse
mediante la ecuacin:

(8.50)
En este caso en el que las impurezas estn totalmente ionizadas, y con fines
de simplificacin de clculos, se determina la conductividad mediante:

(8.51)
en la que estn presentes las concentraciones de donante y aceptor, ND y NA, y las
movilidades del electrn y el hueco, e y p. Continuando con el anlisis de las
dos figuras, llegamos a una zona de altas temperaturas en la que
la conductividad torna a incrementarse de forma notable.
La agitacin trmica es muy importante, y la concentracin de portadores de
carga aumenta notablemente por generacin trmica de pares electrn-hueco.
La conductividad resulta ser proporcional a una funcin exponencial de ndice -
Eg/2KT. De otra manera, en el rango de temperaturas altas, el mecanismo de
mayor contribucin a la conductividad es el intrnseco. De la representacin
grfica ln n - 1/T, es posible calcular la energa del intervalo prohibido de
cualquier semiconductor extrnseco, segn la expresin:

(8.52)
Se define una temperatura crtica para sealar el final de la zona de
conductividad constante, a partir de la cual, la generacin trmica de pares
electrn-hueco es tan importante que el mecanismo de conduccin
preponderante es el intrnseco. Dicha temperatura crtica puede calcularse
mediante la ecuacin:

(8.53)
El dopado de los materiales semiconductores es de alto inters tecnolgico
porque:
Mejora la conductividad hasta niveles aptos para aplicaciones en I ngeniera
Electrnica.
Permite aceptables niveles de conductividad en condiciones de bajas y medias
temperaturas.
Muestra un intervalo de temperatura en la que la conductividad es una invariante.

De manera resumida, porque nos permite un mejor control de la
conductividad con la temperatura y el diseo de componentes aptos para las
condiciones de trabajo en Ingeniera Electrnica.

4.8 La influencia de la concentracin de dopantes.
La resistividad de un semiconductor extrnseco disminuye al aumentar
el contenido de impureza dopante, tal como se refleja en la figura 8.29. Este
efecto es independiente del tipo y naturaleza del dopante empleado. Esta
influencia tambin incide en el valor de la movilidad.

Figura 8.29. Correlacin de la resistividad con el contenido de dopante.

El modelo no obedece a una correlacin exactamente de tipo lineal ya que la
concentracin de impurezas tambin afecta la movilidad. Observemos la figura
8.30. En ella tenemos representada la movilidad de los portadores de carga libre
en dos semiconductores diferentes, a 300 K.

Figura 8.30. Movilidad de huecos y electrones en funcin de la concentracin dopante.

Cada semiconductor permite que los portadores se muevan en su seno con
mayor o menor facilidad, pero en todos ellos sucede que al aumentar la
concentracin dopante disminuye la movilidad de huecos y electrones.
Esto se justifica de manera que a mayor cantidad de cargas en
movimiento, mayores impedimentos por interacciones dispersivas. Este
efecto no es tan acusado en contenidos bajos o medios, hasta
10
16
aproximadamente, pero se intensifica a altas concentraciones. El efecto
dispersor tambin depende de la temperatura y lgicamente de la naturaleza del
material y de las caractersticas de la red cristalina.
Observemos la figura 8.31. Ya habamos estudiado con anterioridad que en
los semiconductores intrnsecos se registraba una prdida de movilidad con la
temperatura en los agentes activos de conduccin como consecuencia de los
efectos dispersivos y de recombinacin de stos debidos a la agitacin trmica de
la red.

Figura 8.31. Efecto de la temperatura sobre la movilidad de los electrones del Si-n.

En los extrnsecos se establece un hecho similar en el rango de
temperaturas altas como consecuencia del cambio de comportamiento a
intrnseco. Prevalecen los efectos de distorsin trmica de la red cristalina del
material. La correlacin establecida es aproximadamente T
-3/2
.
Para los extrnsecos la movilidad de los agentes activos de conduccin
aumenta en el rango de bajas temperaturas, ya que los tomos dopantes no
actan de dispersores, sino mas bien de promotores del mecanismo conductor.
La correlacin establecida es aproximadamente T
3/2
.

4.9 Materiales semiconductores
La eleccin de materiales semiconductores para las distintas aplicaciones
electrnicas es el resultado de una solucin de compromiso entre los valores de
resistividad, grado y facilidad de dopado, propiedades trmicas, costo econmico
y exigencias de fiabilidad en servicio.

TABLA 8.9. Materiales semiconductores y aplicaciones.