TH T2191 Htakhedmit PDF

N dordre : 2010-25 Anne 2010
THESE

prsente devant

LCOLE CENTRALE DE LYON

pour obtenir le grade de

DOCTEUR

Spcialit : Gnie lectrique

Prpar au sein de

LCOLE DOCTORALE
LECTRONIQUE, LECTROTECHNIQUE, AUTOMATIQUE
DE LYON

par

Hakim TAKHEDMIT

Modlisation et Conception de Circuits de Rception
Complexes pour la Transmission dnergie Sans Fil
2.45 GHz

Soutenue le 18 octobre 2010 devant la commission dexamen

J U R Y
F. COSTA, Professeur, laboratoire SATIE, ENS Cachan Prsident
J. D LAN SUN LUK, Professeur des Universits, LGI-ACTES La Runion Rapporteur
P. LVQUE, Charg de recherche CNRS (HDR), Universit de Limoges Rapporteur
C. VOLLAIRE, Professeur des universits, Ecole Centrale de Lyon Directeur de thse
O. PICON, Professeur, Universit Paris-Est Marne-la-Valle Co-directrice de thse
L. CIRIO, Matre de confrences (HDR), Universit Paris-Est Marne-la-Valle Examinateur
E. LABOURE, Professeur des universits, IUT de Cachan Examinateur
F. NDAGIJIMANA, Professeur, Universit Joseph Fourrier, Grenoble Examinateur
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Mon pre et ma mre
Mes frres et surs

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Remerciements

Je tiens tout dabord remercier sincrement Laurent NICOLAS, directeur du
laboratoire AMPERE, et Alain NICOLAS, directeur de lEcole Doctorale EEA, pour mavoir
accueilli au sein du laboratoire.

Jexprime ma gratitude et mes remerciements mon directeur de thse Christian
VOLLAIRE, qui ma soutenu et encourag tout au long de ces trois annes de thse, pour tous
ces conseils aviss et pertinents. Je le remercie galement pour les discussions fructueuses
quon a eues ensemble pendant nos diffrentes runions et qui mont beaucoup aid
progresser dans mon travail de thse. Quil trouve ici le tmoignage de toute ma gratitude et
ma reconnaissance.

Jexprime ma profonde reconnaissance et mes remerciements ma co-directrice de
thse Odile PICON, pour mavoir accueilli au sein du laboratoire ESYCOM et pour avoir cru
en mes capacits et aptitudes mener bien un projet de thse. Je la remercie galement pour
tous ses encouragements, ses conseils aviss et ces propositions pertinentes qui mont permis
de gagner un temps prcieux et aid progresser dans mes travaux de thse. Quelle trouve ici
le tmoignage de toute ma gratitude.

Je remercie chaleureusement Laurent CIRIO pour avoir encadr mes travaux de
recherche et mavoir activement soutenu le long de ces annes de thse. Jai beaucoup
apprci sa rigueur scientifique et son sens critique qui mont beaucoup apport. Je le
remercie galement pour avoir toujours su trouver du temps pour mcouter, me conseiller et
morienter dans mes recherches. Je tiens tout particulirement lui exprimer ici le tmoignage
de toute ma gratitude et de toute ma reconnaissance.

Je remercie vivement Franois COSTA, professeur lIUFM de Cachan (Laboratoire
SATIE) qui ma fait lhonneur de prsid mon jury de soutenance de thse.

Je tiens remercier vivement Philippe LEVEQUE, charg de recherche CNRS HDR
luniversit de Limoges (Laboratoire XLIM), et Jean-Daniel LUN SUN LUK, professeur
luniversit de la Runion (Laboratoire LE2P), pour leurs points de vue critiques et
constructifs quils ont apport en tant que rapporteurs de ma thse.

Je remercie Eric LABOURE, professeur lIUT de Cachan (Laboratoire
LGEP/SPEE), et Fabien NDAGIJIMANA, professeur luniversit Joseph Fourier de
Grenoble (Laboratoire IMEP), pour lintrt quils ont port mon travail et pour avoir
accept dtre examinateurs de ma thse.

Je remercie David DELCROIX pour avoir ralis mes circuits et galement pour
mavoir beaucoup aid lors des premires compagnes de mesure au dbut de ma thse. Je
remercie galement Stphane PROTAT pour mavoir aid sur la partie FDTD et modlisation
numrique.

Je remercie tous les membres du laboratoire ESYCOM avec qui jai pass de bons
moments et qui ont su rendre agrables ces annes de thse. Je tiens tout particulirement
remercier Benoit, Marjorie et Shermilla pour leurs encouragements. Je remercie mes
collgues de bureau Kamel, Julien et Brenger pour leur bonne humeur et leur disponibilit.
Mes remerciements vont galement tous mes camarades et amis du doctorat qui savent si
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bien rendre agrable le cadre de travail malgr toutes les difficults. Je tiens tout
particulirement remercier : Boubekeur, Thierry, Lakhdar, Robbin, Faiz, Nasserdine, Fatiha,
Hedi, Mame Diara, Asmaa, Rafik et Imen.

Enfin, un grand merci mes parents qui mont paul et encourag durant toutes ces
annes.

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Rsum
Les travaux prsents dans ce mmoire sinscrivent dans la thmatique de la
transmission dnergie sans fil, applique lalimentation distance de capteurs, de rseaux
de capteurs et dactionneurs faible consommation. Cette tude porte sur la conception,
loptimisation, la ralisation et la mesure de circuits Rectennas (Rectifying antennas)
compacts, faible cot et haut rendement de conversion RF-DC.
Un outil danalyse globale, bas sur la mthode des Diffrences Finies dans le
Domaine Temporel (FDTD), a t dvelopp et utilis pour prdire avec prcision la sortie
DC des rectennas tudies. Les rsultats numriques obtenus se sont avrs plus prcis et plus
complets que ceux de simulations base doutils commerciaux. La diode Schottky a t
rigoureusement modlise, en tenant compte de ses lments parasites et de son botier SOT
23, et introduite dans le calcul itratif FDTD.
Trois rectennas innovantes, en technologie micro-ruban, ont t dveloppes,
optimises et caractrises exprimentalement. Elles fonctionnent 2.45 GHz et elles ne
contiennent ni filtre dentre HF ni vias de retour la masse. Des rendements suprieurs 80
% ont pu tre mesurs avec une densit surfacique de puissance de lordre de 0.21 mW/cm
(E = 28 V/m). Une tension DC de 3.1 V a t mesure aux bornes dune charge optimale de
1.05 k, lorsque le niveau du champ lectrique est gal 34 V/m (0.31 mW/cm).
Des rseaux de rectennas connectes en srie et en parallle ont t dvelopps. Les
tensions et les puissances DC ont t doubles et quadruples laide de deux et de quatre
lments, respectivement.

Mots cls:
Transmission dEnergie Sans Fil (TESF); Rectenna; Mthode dAnalyse Globale; Rendement
de Conversion RF-DC; Caractristique non-linaire; Mthode des Diffrences Finies dans le
Domaine Temporel (FDTD); Diode Schottky; Association de rectennas; Technologie micro-
ruban; Bande ISM et frquence de 2.45 GHz.

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Abstract
The work presented in this thesis is included within the theme of wireless power
transmission, applied to wireless powering of sensors, sensor nodes and actuators with low
consumption. This study deals with the design, optimization, fabrication and experimental
characterization of compact, low cost and efficient Rectennas (Rectifying antennas).
A global analysis tool, based on the Finite Difference Time Domain method (FDTD),
has been developed and used to predict with a good precision the DC output of studied
rectennas. The packaged Schottky diode has been rigorously modeled, taking into account the
parasitic elements, and included in the iterative FDTD calculation.
Three new rectennas, with microstrip technology, have been developed and measured.
They operate at 2.45 GHz and they dont need neither input HF filter nor via hole
connections. Efficiencies more than 80 % have been measured when the power density is 0.21
mW/cm (E = 28 V/m). An output DC voltage of about 3.1 V has been measured with an
optimal load of 1.05 k, when the power density is equal to 0.31mW/cm (34 V/m).
Rectenna arrays, with series and parallel interconnections, have been developed and
measured. Output DC voltages and powers have been doubled and quadrupled using two and
four rectenna elements, respectively.

Keywords:
Wireless Power Transmission; Rectenna; Global Analysis Technique; RF-to-dc Conversion
Efficiency; Non-linear characteristic; Finite Difference Time Domain Method (FDTD);
Schottky Diode; Rectennas arrays; Microstrip Technology; ISM Band and 2.45 GHz
frequency.

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Table des matires

Liste des abrviations .......................................................................................... 15
Liste des figures................................................................................................... 16
Liste des tableaux................................................................................................ 20
Introduction gnrale........................................................................................ 23

Chapitre I: Introduction aux systmes de transmission d'nergie sans fil

1. Introduction.................................................................................................................. 29
2. Contexte de ltude....................................................................................................... 31
3. Problmatique de la transmission dnergie sans fil................................................. 32
3.1. Structure global dun systme de TESF........................................................................................ 32
3.2. Historique de la TESF................................................................................................................... 34
4. Structure globale dune rectenna................................................................................ 36
4.1. Antenne de rception..................................................................................................................... 38
4.2. Filtre dentre HF.......................................................................................................................... 39
4.3. Topologies du circuit de conversion RF-DC................................................................................. 39
4.4. Filtre de sortie DC......................................................................................................................... 41
5. Les rseaux de rectennas ............................................................................................. 41
6. Problmatique de la modlisation dune rectenna.................................................... 43
7. Limites dexposition aux champs lectromagntiques.............................................. 44
8. Caractrisation dune rectenna................................................................................... 46
9. Application de la TESF lalimentation distance de capteurs sans fil ................ 47
10. Conclusion..................................................................................................................... 51
11. Rfrences bibliographiques ....................................................................................... 53

Chapitre II: Outils de simulation numrique

1. Introduction.................................................................................................................. 59
2. Advanced Design System (ADS) ................................................................................. 60
3. Mthode des diffrences finies dans le domaine temporel........................................ 62
3.1. Principe de la mthode FDTD.................................................................................................... 62
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3.2. Critre de stabilit numrique ....................................................................................................... 67
3.3. Calcul des caractristiques lectriques dune ligne de transmission ............................................. 68
3.4. Calcul de limpdance................................................................................................................... 69
3.5. Paramtres de rpartition dun circuit multiport............................................................................ 70
3.6. Excitation ...................................................................................................................................... 71
3.7. Conditions absorbantes UMPL ..................................................................................................... 72
3.8. Excitation par une onde plane : formalisme du champ total/champ diffract ............................... 73
3.9. Modlisation des lments localiss.............................................................................................. 75
3.9.1. Elments localiss linaires ...................................................................................................... 77
3.9.1.1. Rsistance ............................................................................................................................ 77
3.9.1.2. Gnrateur de tension avec rsistance interne ..................................................................... 78
3.9.1.3. Capacit localise ................................................................................................................ 78
3.9.1.4. Inductance localise............................................................................................................. 78
3.9.2. Elment localis non-linaire: la diode Schottky ..................................................................... 79
3.10. Maillage FDTD............................................................................................................................. 82
4. Conclusion..................................................................................................................... 83
5. Rfrences bibliographiques ....................................................................................... 84

Chapitre III: Conception et optimisation de circuits de conversion RF-DC
2.45 GHz

1. Introduction.................................................................................................................. 89
2. Circuit de conversion en topologie srie..................................................................... 90
2.1. Etude du filtre dentre HF............................................................................................................ 92
2.2. Elments quasi-localiss en technologie micro-ruban................................................................... 93
2.2.1. Section de ligne forte impdance........................................................................................... 94
2.2.2. Section de ligne faible impdance ......................................................................................... 95
2.2.3. Stubs ouvert et en court circuit ................................................................................................. 96
2.3. Circuit final optimis..................................................................................................................... 97
2.4. Simulations ADS et tudes paramtriques .................................................................................... 97
2.4.1. La charge R
L
............................................................................................................................. 98
2.4.2. La capacit CMS du filtre DC.................................................................................................. 99
2.4.3. La ligne L
6
entre la diode et le filtre DC ................................................................................ 100
2.4.4. La rsistance srie R
s
de la diode HSMS 2860....................................................................... 100
2.4.5. La capacit C
j0
de la diode HSMS 2860................................................................................. 100
2.4.6. Adaptation du circuit (S
11
)...................................................................................................... 102
2.4.7. Bilan de puissance .................................................................................................................. 102
2.5. Ralisation et mesures - comparaison avec les simulations ADS ............................................... 105
3. Circuit de conversion en pont modifi 4 diodes.................................................... 109
3.1. Simulations ADS et tudes paramtriques .................................................................................. 110
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3.1.1. Influence de la ligne L
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........................................................................................................... 110
3.1.2. Influence de la charge R
L
....................................................................................................... 111
3.1.3. Niveau dadaptation................................................................................................................ 111
3.1.4. Bilan de puissance .................................................................................................................. 112
3.1.5. Niveau des harmoniques......................................................................................................... 113
3.2. Analyse du fonctionnement du circuit en pont ............................................................................ 114
3.3. Simulations FDTD...................................................................................................................... 120
3.3.1. Rendement de conversion RF-DC.......................................................................................... 120
3.3.2. Influence dune onde plane incidente sur le rendement.......................................................... 121
3.4. Ralisation et mesures - comparaison avec les simulations ........................................................ 124
4. Circuit de conversion double diode .......................................................................... 127
4.1. Rsultats des simulations ADS.................................................................................................... 128
4.1.1. Niveau dadaptation (S
11
) ....................................................................................................... 128
4.1.2. Niveau des harmoniques......................................................................................................... 129
4.1.3. Rendement de conversion RF-DC.......................................................................................... 129
4.2. Ralisations et mesures - comparaison avec les simulations...................................................... 131
5. Conclusion................................................................................................................... 133
6. Rfrences bibliographiques ..................................................................................... 134

Chapitre IV: Application de la mthode d'analyse globale FDTD l'tude
de circuits rectennas

1. Introduction................................................................................................................ 137
2. Rectenna en pont de diodes modifi mono-antenne................................................ 138
2.1. Procdure de conception dune antenne patch micro-ruban........................................................ 138
2.2. Analyse de la rectenna avec la mthode FDTD .......................................................................... 141
2.3. Ralisation et mesures - comparaison avec la FDTD.................................................................. 144
3. Rectenna symtrique double antenne....................................................................... 149
3.1. Circuit de conversion symtrique deux accs........................................................................... 151
3.2. Simulation FDTD de la rectenna................................................................................................. 152
3.2.1. Tension DC dans les plans E et H de la rectenna ................................................................... 152
3.2.2. Cartographies du champ lectrique et du courant surfacique ................................................. 154
3.3. Caractrisation exprimentale de la rectenna et comparaison avec la FDTD ............................. 156
4. Rectenna double diode............................................................................................... 159
4.1. Simulations numrique (FDTD).................................................................................................. 160
4.1.1. Etude paramtrique en fonction de la ligne dalimentation L
4
............................................... 162
4.2. Mesure de la rectenna comparaison avec la FDTD.................................................................. 166
5. Rseaux de rectennas double diode .......................................................................... 168
5.1. Association des rectennas en parallle..................................................................................... 168
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5.2. Association des rectennas en srie .............................................................................................. 170
5.3. Rapport des tensions DC entre les rseaux et la rectenna simple................................................ 172
6. Conclusion................................................................................................................... 172
7. Rfrences bibliographiques ..................................................................................... 174

Conclusion gnrale ........................................................................................ 177

Annexes

Annexe 1 : Modlisation dune diode Schottky par la mthode FDTD........................... 183
Annexe 2 : Mthode de rsolution dquations non-linaires de Newton-Raphson....... 187

Communications et publications.................................................................... 188

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Liste des abrviations

ABC - Absorbing Boundary Conditions
ADS - Adavanced Design System
ANFR - Agence Nationale des Frquences
CENELEC Comit Europen de Normalisation Electrotechnique
CMS - Composant Mont en Surface
CPS - Coplanar Stripline
DC - Direct Current (rgime continu)
FDTD - Finite Difference Time Domain
FEM - Finite Element Method
FNRAE Fondation de Recherche pour lAronautique et lEspace
HB - Harmonic Balance
HF - Hyperfrquence (Haute Frquence)
ICNIRP Internationnal Commission on Non-Ionizing Radiation Protection
IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers
ISM - Industrial Scientific Medical
LSSP - Large Signal S-Parameter
MoM - Method of Moment
OMS - Organisation Mondiale de la Sant
PEC - Perfect Electric Conductor (conducteur parfait)
PML - Perfectly Matched Layer
RF - Radio Frequency
SP - S-Parameter
SPS - Solar Power System
TESF - Transmission dEnergie Sans Fil ou Transport dEnergie sans Fil
TF - Transforme de Fourier
TLM - Transmission Line Matrix
UPML - Uniaxial Perfectly Matched Layer
WID - Wireless Impedance Device
WPT - Wireless Power Transmission

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Liste des figures

Figure I. 1 : Principe de la transmission dnergie par faisceau microonde.................................................. 33
Figure I. 2 : Diffrents rendements dun systme de TESF ............................................................................ 34
Figure I. 3 : Transmission dnergie par ondes radio - Nikola Tesla dans son laboratoire de Colorado
Springs [daprs I.2] ........................................................................................................................................... 35
Figure I. 4 : Dmonstrateur du Grand Bassin - Ile de la Runion [daprs I.3] ............................................ 36
Figure I. 5 : Blocs fonctionnels dune rectenna classique ................................................................................ 36
Figure I. 6 : Circuit de conversion en topologie srie....................................................................................... 40
Figure I. 7 : Circuit de conversion en topologie parallle................................................................................ 40
Figure I. 8 : Circuit de conversion en topologie doubleur de tension............................................................. 41
Figure I. 9 : Association de rectennas. (a) en srie. (b) en parallle................................................................ 42
Figure I. 10 : Alimentation par couplage inductif - Prothse rtinal [daprs I.36]...................................... 48
Figure I. 11 : Bloc diagramme dun systme de tlmtrie standard [daprs I.34] ..................................... 50
Figure I. 12 : Alimentation sans fil dun capteur WID sur lAlamosa Canyon Bridge [daprs I.41]......... 51

Figure II. 1 : Etapes dune simulation sous ADS dun circuit de conversion RF-DC................................... 61
Figure II. 2 : Partie distribue dun circuit de conversion srie sous Momentum........................................ 62
Figure II. 3 : Positions des composantes du champ lectromagntique dans une cellule cubique de Yee
[daprs II.2] ........................................................................................................................................................ 65
Figure II. 4 : Caractrisation dune ligne micro-ruban avec la mthode FDTD........................................... 68
Figure II. 5 : Calcul du courant et de la tension en rgime temporel sur une ligne micro-ruban................ 70
Figure II. 6 : Paramtres S dun circuit microonde......................................................................................... 71
Figure II. 7 : Excitation dune ligne micro-ruban............................................................................................ 71
Figure II. 8 : Conditions absorbantes UMPL................................................................................................... 73
Figure II. 9 : Rgions du champ total et du champ diffract .......................................................................... 74
Figure II. 10 : Insertion dune rsistance localise dans une grille FDTD..................................................... 77
Figure II. 11 : Modle lectrique dune diode Schottky avec botier.............................................................. 79
Figure II. 12 : Maillages FDTD. (a) Uniforme. (b) Non uniforme. ................................................................. 82

Figure III. 1 : Circuit de conversion srie......................................................................................................... 91
Figure III. 2 : Co-simulation HB + Momentum du circuit srie ..................................................................... 92
Figure III. 3 : Schma dadaptation dun circuit de conversion srie ............................................................ 93
Figure III. 4 : Modle lectrique quivalent dune ligne forte impdance [daprs III.4] ......................... 94
Figure III. 5 : Modle lectrique quivalent dune ligne faible impdance [daprs III.4]........................ 95
Figure III. 6 : Modle lectrique quivalent dun: (a) stub ouvert. (b) stub en court circuit. [daprs III.4]
.............................................................................................................................................................................. 96
Figure III. 7 : Circuit srie final optimis ......................................................................................................... 97
Figure III. 8 : Rendement en fonction de la charge R
L
.................................................................................... 99
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Figure III. 9 : Rendement en fonction de la capacit du filtre DC.................................................................. 99
Figure III. 10 : Rendement en fonction de la ligne L
6
.................................................................................... 100
Figure III. 11 : Rendement en fonction de la rsistance srie (R
s
) de la diode ............................................ 101
Figure III. 12 : Rendement en fonction de la capacit de jonction (C
j0
) de la diode ................................... 101
Figure III. 13 : S
11
du circuit srie en fonction de la frquence..................................................................... 102
Figure III. 14 : Bilan de puissance rendement et pertes ............................................................................. 104
Figure III. 15 : Banc de mesure en conduit..................................................................................................... 105
Figure III. 16 : Tension DC en fonction de la frquence ............................................................................... 106
Figure III. 17 : Rendement en fonction de la frquence ................................................................................ 107
Figure III. 18 : Tension DC en fonction de la charge R
L
............................................................................... 107
L
................................................................................ 107
Figure III. 20 : Circuit de conversion en pont de diodes modifi.................................................................. 109
Figure III. 21 : Influence de la ligne L
5
sur le rendement.............................................................................. 110
Figure III. 22 : Influence de la charge R
L
sur le rendement.......................................................................... 111
Figure III. 23 : S
11
calcul avec LSSP pour diffrentes valeurs de P
RF
........................................................ 111
Figure III. 24 : Pertes dans les diodes D
1
-D
4
................................................................................................... 112
Figure III. 25 : Circuit de conversion RF-DC................................................................................................. 114
Figure III. 26 : Caractristique IV de la diode HSMS 2860 et tension ses bornes ................................... 115
Figure III. 27 : Tensions aux bornes des diodes D
1
-D
4
pour P
RF
= 10 dBm................................................. 116
Figure III. 28 : Courants des diodes D
1
-D
4
pour P
RF
= 10 dBm.................................................................... 116
Figure III. 29 : Impdance des diodes D
1
et D
3
. (a) vs charge. (b) vs P
RF
..................................................... 117
Figure III. 30 : Schma des impdances des diodes D
1
-D
4
............................................................................. 118
Figure III. 31 : Variation temporelle de la tension de sortie aux bornes de R
L
........................................... 122
Figure III. 32 : Distribution du courant DC................................................................................................... 123
Figure III. 33 : Distribution du courant 2.45 GHz ...................................................................................... 123
Figure III. 34 : Distribution du courant 4.9 GHz........................................................................................ 123
Figure III. 35 : Distribution du courant 7.35 GHz ...................................................................................... 124
Figure III. 36 : Banc exprimental pour mesurer le circuit en pont modifi............................................... 124
Figure III. 37 : Tension DC et rendement - comparaison entre simulations et mesures ............................ 125
Figure III. 38 : Circuit de conversion double diode ....................................................................................... 127
Figure III. 39 : S
11
en fonction de la puissance P
RF
........................................................................................ 129
Figure III. 40 : Rendement en fonction de P
RF
............................................................................................... 130
Figure III. 41 : Calcul de limpdance des diodes HSMS 2860 et 2820........................................................ 130
Figure III. 42 : Impdances des deux diodes HSMS 2860 et 2820 ................................................................ 131
Figure III. 43 : Circuits de conversion raliss et mesurs. (a) Circuit 1. (b) Circuit 2. ............................. 131
Figure III. 44 : Comparaison entre simulations et mesures. (a) Circuit 1. (b) Circuit 2............................. 132

Figure IV. 1 : Rectenna en pont de diodes modifi mono-antenne ............................................................... 138
Figure IV. 2 : Variation de limpdance normalise lentre dune antenne patch avec encoches [daprs
IV.2].................................................................................................................................................................... 139
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Figure IV. 3 : Antenne patch micro-ruban 2.45 GHz. (a) S
11
. (b) Impdance dentre. .......................... 141
Figure IV. 4 : Cartographies DC. (a) Courant surfacique. (b) Champ lectrique. ..................................... 142
Figure IV. 5 : Cartographies 2.45 GHz. (a) Courant surfacique. (b) Champ lectrique. ........................ 143
Figure IV. 6 : Cartographies 4.9 GHz. (a) Courant surfacique. (b) Champ lectrique. .......................... 143
Figure IV. 8 : Rectenna complte ralise et mesure ................................................................................... 145
Figure IV. 9 : Banc de mesure en rayonn...................................................................................................... 145
Figure IV. 10 : Caractrisation de lamplificateur de puissance. (a) Gain. (b) Puissance transmise au
cornet.................................................................................................................................................................. 147
Figure IV. 11 : Rendement et tension DC- simulations FDTD et mesures................................................... 148
Figure IV. 12 : Simulation FDTD de la sortie DC dans les plans E et H. (a) Tension DC. (b) Puissance DC.
............................................................................................................................................................................ 148
Figure IV. 13 : Mesure de la sortie DC dans le plan H. (a) Tension DC. (b) Puissance DC. ...................... 149
Figure IV. 14 : Rectenna symtrique double antenne.................................................................................... 150
Figure IV. 15 : Niveau des harmoniques. (a) Sur un des accs du circuit. (b) Aux bornes de R
L
. ............. 151
Figure IV. 16 : Influence du dphasage entre les deux accs du circuit sur le rendement ......................... 152
Figure IV. 17 : Tension et puissance DC dans les plans E et H (simulation FDTD) ................................... 153
Figure IV. 18 : Diagramme de rayonnement du rseau des deux antennes ................................................. 153
Figure IV. 19 : Cartographies DC................................................................................................................... 154
Figure IV. 20 : Cartographies 2.45 GHz ...................................................................................................... 155
Figure IV. 21 : Cartographies 4.9 GHz ........................................................................................................ 155
Figure IV. 22 : Cartographies 7.35 GHz ...................................................................................................... 156
Figure IV. 23 : Rectenna ralise et mesure.................................................................................................. 156
Figure IV. 24 : Rendement et tension DC. (a) FDTD. (b) Mesure. ............................................................... 157
Figure IV. 25 : Sortie DC en fonction de R
L
. (a) Tension. (b) Rendement ................................................... 158
Figure IV. 26 : Rectenna avec le circuit de conversion double diode ........................................................... 159
Figure IV. 27 : Cartographies DC. (a) Courant surfacique. (b) Champ lectrique. ................................... 160
Figure IV. 28 : Cartographies 2.45 GHz. (a) Courant surfacique. (b) Champ lectrique. ...................... 161
Figure IV. 30 : Cartographies 7.35 GHz. (a) Courant surfacique. (b) Champ lectrique. ...................... 162
Figure IV. 31 : Distributions du courant surfacique pour diffrentes valeurs de L
4
.................................. 163
Figure IV. 32 : Tension DC et rendement en fonction de L
4
(FDTD)........................................................... 164
Figure IV. 33 : Variation temporelle de la tension DC pour trois valeurs de L
4
(FDTD)........................... 165
Figure IV. 34 : Spectre normalis du courant sur la ligne L
4
(FDTD).......................................................... 165
Figure IV. 35 : Spectre normalis de la tension sur la ligne L
4
(FDTD)....................................................... 165
Figure IV. 36 : Prototype de la rectenna ralise et mesure........................................................................ 166
Figure IV. 37 : Tension DC et rendement - simulation FDTD et mesure (L
4
=15.9mm) ............................. 167
Figure IV. 38 : Tension DC et rendement - simulation FDTD et mesure. (a) L
4
= 18.9mm. (b) L
4
= 22.9mm.
............................................................................................................................................................................ 167
Figure IV. 39 : Rseaux de rectennas. (a) 2 lments. (b) 4 lments. .................................................... 168
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Figure IV. 40 : Association parallle - mesure en fonction de R
L
. (a) Tension DC. (b) Rendement. ......... 169
Figure IV. 41 : Association de rectennas en parallle tensions et rendements mesurs........................... 170
Figure IV. 42 : Association srie - mesure en fonction de R
L
. (a) Tension DC. (b) Rendement. ................ 171
Figure IV. 43 : Association de rectennas en srie tensions et rendements mesurs ................................. 171
Figure IV. 44 : Rapport (VR) entre les tensions des rseaux de rectennas et la tension de la rectenna
lmentaire......................................................................................................................................................... 172

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Liste des tableaux

Tableau I. 1 : Limites dexposition du grand public aux champs lectromagntiques ................................. 45
Tableau I. 2 : Limites dexposition des travailleurs qualifis aux ondes lectromagntiques ...................... 46

Tableau III. 1 : Paramtres lectriques de la diode HSMS 2860 .................................................................... 92
Tableau III. 2 : Dimensions du circuit srie (en mm) ...................................................................................... 97
Tableau III. 3 : Niveau des harmoniques lentre et aux bornes de la charge.......................................... 104
Tableau III. 4 : Dimensions du circuit en pont modifi (en mm) .................................................................. 110
Tableau III. 5 : Bilan de puissance rendement et pertes............................................................................. 113
Tableau III. 6 : Niveau des harmoniques dans le circuit en pont modifi.................................................... 113
Tableau III. 7 : Impdances des diodes 2.45 GHz (P
RF
= 10 dBm) ............................................................ 118
Tableau III. 8 : Rendement du circuit de conversion (simulation FDTD) ................................................... 121
Tableau III. 9 : Paramtres des circuits de conversion dvelopps .............................................................. 128
Tableau III. 10 : Principaux paramtres des diodes HSMS 2860 et 2820.................................................... 128
Tableau III. 11 : Niveaux des harmoniques lentre du circuit et aux bornes de R
L
............................... 129

Tableau IV. 1 : Dimensions de la rectenna en mm......................................................................................... 150

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Introduction gnrale
Avec les progrs que connat llectronique ces dernires annes, il est devenu de plus
en plus courant dutiliser des capteurs, des rseaux de capteurs et des actionneurs sans fil dans
beaucoup de domaines (spatial, militaire, mdical, domestique, ), et plus particulirement
dans les endroits qui sont dangereux et difficiles daccs. Pour une meilleure intgration dans
lenvironnement, il faut rduire la taille de ces systmes et leur assurer lautonomie
nergtique. Les techniques dalimentation conventionnelles par pile ou par batterie restent
contraignantes, voir mme difficiles envisager pour certaines applications. En effet, elles
sont limites en autonomie, ncessitent des remplacements priodiques et leur recyclage est
coteux.
Lobjectif de ce travail de thse est de proposer une solution alternative qui soit
efficace, moins contraignante et plus respectueuse de lenvironnement. De ce point de vue, la
transmission dnergie sans fil (TESF) se prsente comme une solution trs intressante. Elle
consiste transmettre de lnergie dun point un autre travers lespace libre, et qui une fois
capte et convertie en DC, servira alimenter le ou les dispositifs sans fil. Dans le cadre de
cette thse, nous nous somme focalis sur le transfert dnergie hyperfrquence dans la bande
ISM (Industrial Scientific Medical) 2.45 GHz. Dans un premier temps, lnergie lectrique
DC est convertie en nergie micro-onde laide dune source RF. Ensuite, cette nergie est
rayonne dans lespace libre par une antenne dmission. Enfin, lnergie rayonne est capte
par un circuit Rectenna (Rectifying Antenna), convertie en puissance DC et dlivre une
charge rsistive.
Un circuit rectenna classique comprend une antenne de rception suivie dun circuit de
conversion RF-DC caractristique non-linaire. Ce circuit contient le plus souvent une ou
plusieurs diodes Schottky, un filtre dentre HF, un filtre de sortie DC et une charge rsistive
qui modlise la consommation du systme aliment. Lenjeu est doptimiser lensemble de la
rectenna, en ayant comme objectif de maximiser la sortie DC en termes de rendement de
conversion RF-DC. Loptimisation doit seffectuer sur lensemble du circuit, do la ncessit
de faire appel aux mthodes danalyse globale associant la simulation lectromagntique et
circuit. La modlisation numrique sera tout au long de ce travail un outil fondamental et
dcisif, le but tant de prendre en compte tous les ventuels couplages entre les diffrentes
parties du circuit.
Notre objectif dans le cadre de cette thse est de concevoir, optimiser, raliser et
caractriser exprimentalement des circuits rectennas innovants, compacts et hauts
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rendements pour lalimentation de dispositifs faible consommation. Les points suivants
seront traits tout au long de ce travail :
Dveloppement dun outil de simulation numrique, bas sur la mthode des Diffrences
Finies dans le Domaine Temporel (3D-FDTD), et capable danalyser un circuit rectenna
dans sa globalit.
Dveloppement de rectennas compactes et efficaces.
Montage de bancs de mesure en conduit et en rayonn et dfinition dun protocole de
mesure.
Ralisation et caractrisation exprimentale des circuits dvelopps.

Le prsent manuscrit comporte quatre chapitres. Dans le premier chapitre, nous
commenons tout dabord par rappeler le contexte de ltude. Pour bien situer le cadre de ce
travail de thse et de ces applications potentielles, la problmatique de la TESF sera aborde
travers un bref historique et un tat de lart sur les travaux les plus rcents rapports dans la
littrature. Par la suite, nous nous intresserons davantage la partie rectenna. La structure
globale du circuit et les topologies les plus utilises seront prsentes, la problmatique de la
modlisation numrique sera aborde et son importance dans notre travail sera souligne.
Afin damliorer la sortie DC dun systme de TESF, en termes de tension et/ou de puissance,
les associations de rectennas seront introduites. Enfin, nous terminons ce chapitre par
quelques exemples dapplication de la TESF lalimentation distance de capteurs sans fil.
Les caractristiques les plus importantes de ces systmes dalimentation seront dcrites, et
plus particulirement les tensions DC requises, les distances entre lantenne dmission et le
circuit alimenter, les niveaux de champ requis,
Le deuxime chapitre sera consacr aux diffrents outils de simulation qui ont t
utiliss. Dans un premier temps, le logiciel commercial ADS (Advanced Design System) sera
brivement dcrit. Il a t utilis pour la simulation et loptimisation des diffrents circuits de
conversion RF-DC. Un couplage entre le simulateur circuit Harmonic Balance (HB) et le
simulateur lectromagntique Momentum a t effectu afin de prendre en compte les
couplages ventuels entre les diffrentes parties du circuit. Comme ce logiciel ne permet pas
la simulation globale de la rectenna, nous avons t amens introduire la mthode 3D-
FDTD pour mieux prdire la sortie DC de la rectenna. Le principe de la mthode est, dans un
premier temps, rappel. Ensuite, pour dlimiter lespace de calcul et simuler un espace ouvert
infini autour de la structure, des conditions absorbantes de type UPML (Uniaxial Perfectly
Matched Layer) ont t utilises. De plus, la mthode FDTD dans sa formulation de base ne
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prend pas en compte la prsence dlments localiss (linaires et non-linaires) dans lespace
de calcul. Pour contourner ce problme, lquation de Maxwell-Ampre a t modifie de
telle sorte largir la mthode aux lments localiss. La diode Schottky a t rigoureusement
modlise en tenant compte de ses lments parasites et de son botier. Enfin, le formalisme
du champ total-champ diffract pour la gnration dondes planes sera introduit. Le code
FDTD dvelopp a t paralllis sur deux processeurs de quatre curs chacun et les temps
de simulations ont t considrablement rduits.
Le chapitre trois sera ddi aux circuits de conversion. Trois circuits en technologie
micro-ruban seront prsents et analyss, une structure conventionnelle base dune diode
Schottky HSMS 2860 monte en srie et deux autres structures plus innovantes et plus
compactes, ne contenant ni filtre HF ni vias de retour la masse. Pour montrer limportance
de certains paramtres sur le rendement, des tudes paramtriques ont t conduites sous
ADS. De plus, un bilan de puissance intgrant les diffrentes pertes dans le circuit sera
prsent et discut. Les circuits dvelopps ont t raliss et mesurs, les rsultats obtenus
seront exposs et compars avec ceux dADS. Loutil de simulation FDTD sera introduit et
appliqu la simulation de lun des deux derniers circuits. De plus, avant de passer aux
circuits rectennas complets, limpact dune onde plane incidente sur le fonctionnement du
circuit de conversion sera test.
Le dernier chapitre porte sur lanalyse des circuits rectennas, trois structures y seront
dveloppes. Les rsultats mesurs seront systmatiquement compars aux simulations
FDTD. Des cartographies du champ lectrique et du courant surfacique seront dtermines et
exploites afin damliorer les performances de ces circuits. La dernire partie du chapitre
traitera des rseaux de rectenna. Deux types dassociation y seront tests, srie et parallle.

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Chapitre I
Introduction aux systmes de
transmission dnergie sans fil
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Chapitre I Introduction aux systmes de transmission dnergie sans fil
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Chapitre I
Introduction aux systmes de transmission
dnergie sans fil

1. Introduction
De nos jours, avec la miniaturisation et le dveloppement de lintelligence rpartie des
systmes lectroniques, il est devenu de plus en plus difficile dimaginer un domaine o
llectronique nest pas encore prsente. Ces systmes sont de plus en plus prsents dans la
plupart des domaines de la vie, sans restriction sur leur localisation dans lespace. Pour
faciliter leur mobilit et assurer une meilleure intgration dans lenvironnement, leur taille
devra tre rduite. Lun des problmes rsoudre et qui reprsente lenjeu de cette tude, est
leur autonomie nergtique. La solution qui consiste relier les diffrentes parties du systme
par des supports galvaniques ou des fils afin de les alimenter reste une solution encombrante
et coteuse en termes de quantit de cbles dployer et de leur entretien. De plus, les
techniques dalimentation classiques par pile ou par batterie restent difficiles envisager dans
certaines applications, elles sont limites en autonomie, ncessitent des remplacements
priodiques et leur recyclage est coteux. Parmi ces applications, on peut citer par exemple
lalimentation et le suivi de certaines fonctions de vrification de capteurs embarqus bord
de drones. Une batterie embarque prend de la place et augmente le poids du drone.
Afin de rendre ces dispositifs lectroniques plus autonomes, le concept de la
transmission dnergie sans fil (TESF) se prsente comme une alternative aux systmes
dalimentation classiques. Il existe plusieurs formes dnergie susceptibles dtre utilises
dans cette thmatique de TESF. Les formes les plus rpandues sont les nergies solaire,
vibratoire, mcanique, pizolectrique, acoustique, lectromagntique, Dans le cadre de
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cette thse, nous nous limitons au transfert dnergie lectromagntique aux frquences
microondes. Ce concept consiste transfrer de lnergie hyperfrquence dun point un
autre travers lespace libre. Ce travail de thse exclu galement les travaux de transmission
dnergie microonde travers des guides dondes dilectriques ou mtalliques. Un systme de
TESF comprend trois tapes principales. La premire tape consiste convertir lnergie
lectrique continue en nergie RF en utilisant une source microonde. Dans la deuxime tape,
cette nergie RF est rayonne par une antenne dmission (antennes parabolique, cornet, )
travers lespace libre. La troisime et dernire tape consiste capter et convertir cette
nergie RF en nergie lectrique DC par un systme rectenna (rectifying antenna), qui
consiste en une antenne de rception suivie dun circuit de conversion RF-DC.
Les applications potentielles sont nombreuses et concernent lalimentation de capteurs
abandonns, dactionneurs et de micro-dispositifs faible consommation. Cette technique
dalimentation est particulirement intressante dans des environnements dangereux et
difficile daccs. Contrairement aux systmes dalimentation par induction magntique, les
distances de travail peuvent aller de quelques dizaines de centimtres quelques mtres.
Certaines applications peuvent merger dans les domaines des transports et notamment dans
laronautique et lespace pour des vrifications de capteurs ou le suivi de certaines fonctions,
bord de drones ou dobjets volants de manire gnrale. Dautres applications, qui mettent
en jeu des puissances relativement importantes, peuvent galement voir le jour. Parmi ces
applications, les plus importantes sont le remplacement des cbles et des installations
lectriques dans des zones gographiques accidentes et inaccessibles et le transfert massif de
lnergie solaire de lespace vers la terre que propose le projet SPS (Solar Power System)
[I.1].
Le concept de la TESF prsente un certain nombre de limitations qui sont
essentiellement dordres technologiques, environnementales ou biologiques. Il y a aussi le
problme dacceptabilit des systmes par le grand public dont il faut tenir compte. Les
limitations technologiques sont lies lefficacit des composants microondes et aux
dimensions des circuits. Quand aux limitations biologiques ou environnementales, elles sont
lies aux niveaux de puissance tolrs. En effet, selon lapplication et lenvironnement, les
puissances tolres peuvent tre diffrentes. Pour des applications spatiales par exemple, les
densits de puissance tolres sont plus importantes par rapport aux applications mdicales ou
domestiques. Les contraintes lies lenvironnement et la sant sont des donnes quil faut
intgrer dans le processus de conception et de dimensionnement des systmes de TESF.

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2. Contexte de ltude
Ce travail de thse rentre dans le cadre dun projet pluridisciplinaire intitul Wave
Supply et financ par la Fondation de Recherche pour lAronautique et lEspace (FNRAE).
Ce projet a pour principal objectif lalimentation hyperfrquence de dispositifs faible
consommation tels que des capteurs nomades ou des actionneurs. Ce projet regroupe les trois
laboratoires suivants : AMPERE (Ecole Centrale/INSA Lyon/Universit Lyon 1), SATIE
(Ecole Normale Suprieure de Cachan) et ESYCOM (Universit de Paris-Est Marne-la-
Valle). Cette collaboration entre les diffrents partenaires permet de mettre profil les
comptences et expriences de chacune des quipes pour mener bien ce projet. Le projet
Wave Supply propose une solution alternative et innovante qui consiste transfrer de
lnergie microonde entre une source et le systme dalimentation du dispositif sans fil,
travers lespace libre. Cette tude a pour objectif de proposer un dispositif permettant de
capter lnergie microonde, de la convertir en nergie DC et puis, de la dlivrer lentre du
systme alimenter.
Un des enjeux de ce projet repose sur limbrication de deux domaines de comptences,
llectronique hyperfrquence et le gnie lectrique. Lobjectif tant de surmonter les
problmes rencontrs dans chacun des domaines et doptimiser lensemble de la rectenna en
ayant comme objectif la maximisation de son rendement de conversion. La conception et
loptimisation doivent seffectuer sur lensemble du dispositif, do le recours aux mthodes
danalyse globales qui sont capables de prendre en compte la fois les diffrents phnomnes
lectromagntiques et lectriques. La modlisation numrique permettra tout au long de ce
projet dobtenir des rsultats prcis, le but tant de prendre en compte tous les ventuels
couplages entre les diffrentes parties de la rectenna.
Les objectifs de cette thse sont la conception, loptimisation, la ralisation et la
mesure de circuits rectennas innovants et hauts rendements pour lalimentation sans fil de
dispositifs faible consommation. La simulation numrique sera un outil fondamental dans
cette tude.
La frquence de travail dun systme de transmission dnergie sans fil reprsente un
aspect trs important. Son choix dtermine tout dabord les dimensions du systme, son
rendement et son cot. Ce choix est conditionn par le milieu de propagation de londe o le
systme oprera. En effet, il est trs important de prendre en compte lattnuation du milieu
en fonction de la frquence afin de limiter les pertes et daccroitre par consquent le
rendement. Dans le cadre du projet Wave Supply, les bandes de frquences vises sont les
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bandes ISM et plus particulirement la frquence de 2.45 GHz. Les bandes ISM,
conformment la rpartition des bandes de frquence impose par lAgence Nationale des
Frquences (ANFR), sont ddies aux applications industrielles, scientifiques et mdicales.
Ces bandes de frquences prsentent un certain nombre davantages. En effet, elles sont libres
de toute obligation de licence, la taille des antennes et des circuits est raisonnable et les
composants actifs sont disponibles dans le commerce et sont peu onreux. Cela peut conduire,
avec une production en masse, des systmes compacts et faible cot.
Le rendement dun systme de conversion RF-DC dpend directement de llment
non linaire utilis. Le choix de cet lment est trs important dans la conception de ce type
de circuits. Plusieurs critres peuvent tre dfinis pour faciliter ce choix. Les critres les plus
importants sont: la frquence de fonctionnement, le niveau de puissance RF convertir,
lefficacit du composant ainsi que son cot. Dans les bandes de frquences dintrt, cela
nous conduit tout naturellement vers les diodes Schottky. En effet, ces diodes sont
caractrises par un temps de commutation rapide et il existe dans le commerce toute une
gamme de diodes adaptes pour diffrents niveaux de puissances, allant de quelques
microwatts quelques watts.
Dans le cadre de ce travail de thse, nous avons dvelopp les points suivants :
Dveloppement dune mthodologie spcifique de simulation numrique base sur
une technique danalyse globale.
Mise au point dun protocole et dun banc de mesure pour la caractrisation
exprimentale des circuits rectennas.
Ralisation et mesures de rectennas pour lalimentation sans fil de dispositifs faible
consommation.

3. Problmatique de la transmission dnergie sans fil

3.1. Structure global dun systme de TESF
La transmission dnergie sans fil consiste acheminer de lnergie microonde dun
point un autre sans fil. Un systme de TESF (figure I.1) comprend deux parties distinctes et
loignes dans lespace, une partie mettrice et une autre partie rceptrice.
La partie mission du systme contient une source microonde, alimente en nergie
lectrique DC, et une antenne dmission qui peut tre de type parabolique, cornet ou toute
autre forme dantennes, en fonction de lobjectif recherch. La gnration des ondes RF peut
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se faire soit par lutilisation de tubes (tube ondes progressives, klystron, gyrotron,
magntron, ), soit par des dispositifs semi-conducteurs (transistor effet de champ). Une
fois le processus de conversion DC-RF accompli et la puissance microonde gnre, lantenne
dmission transforme cette puissance en ondes rayonnes dans lespace libre. Dans la partie
rception, le systme TESF comprend une antenne (filaire, plaque, ) suivie dun circuit de
conversion RF-DC base de diodes Schottky. Lantenne reoit lnergie microonde et la
transmet au redresseur qui la convertit en nergie lectrique DC et la transmet ensuite une
charge rsistive. La rectenna fait lobjet de cette tude et sera dtaille tout au long de ce
document. Le parallle peut tre fait avec le cas dune transmission laser, o lnergie est
collecte par une cellule photovoltaque et convertie en nergie lectrique.

Figure I. 1 : Principe de la transmission dnergie par faisceau microonde

Le rendement est une donne trs importante dans les systmes de TESF. Le
rendement global se dcompose fondamentalement en trois rendements (figure I.2). Le
premier rendement est celui de la partie mission du systme et qui peut tre dcompos en
deux sous rendements, le rendement de conversion DC-RF de la source microonde (70-90 %)
ainsi que le rendement de lantenne dmission (70-97 %). Le second rendement caractrise
les pertes dans lespace libre (5-95 %). Ce rendement dpend de la distance entre lmetteur et
le rcepteur, mais aussi des caractristiques du milieu de propagation. Le troisime et dernier
rendement caractrise la rectenna (85-95 %) [I.2]. Ce rendement reflte la capacit de la
rectenna gnrer de lnergie DC partir de lnergie RF quelle est capable de collecter.
Le rendement global dun systme de TESF est limit par un ensemble de contraintes
et de verrous lis ces diffrentes parties. Nous allons tenter tout au long de cette thse de
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proposer des solutions aux problmes et verrous que pose le circuit rectenna, notamment ceux
lis la modlisation globale et loptimisation.

Figure I. 2 : Diffrents rendements dun systme de TESF

3.2. Historique de la TESF
La premire exprience de transmission dnergie sans fil fut ralise par le physicien
amricain Nikola Tesla Colorado Springs, en 1899 [I.1]. Il sintressa spcialement au
phnomne de rsonnance et essaya de lappliquer la TESF. Il avait imagin utiliser les
ondes lectromagntiques pour acheminer llectricit nimporte o dans le monde, sans
lignes. Il construisit une norme bobine, rsonnant 150 KHz et alimente avec une
puissance de 300 KW, en haut dune tour. Cependant, ils nexistent malheureusement pas de
rsultats clairs sur la puissance rayonne et sur celle reue loin de la source.
Les travaux de Tesla ne se sont pas arrts Colorado Springs. Au dbut du sicle
dernier, Tesla construisit une tour de transmission Long Island (New York). Le projet fut
abandonn peu avant sa finalisation cause de problmes financiers.
Durant la premire moiti du 20
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sicle, le manque dintrt que suscitait la
thmatique de la TESF peut sexpliquer par le manque de moyens techniques, et plus
particulirement des sources qui sont capables de gnrer des puissances considrables en
hautes frquences.
En 1969, Peter Glaser prsente le concept de SPS (Solar Power System) [I.1]. Ce
projet pourrait prsenter une alternative aux problmes nergtiques que connat la plante,
mais aussi comme source dnergie propre et cologique. Le systme issu de ce projet
comporte un satellite en orbite gostationnaire qui capte lnergie solaire, cette nergie solaire
est convertie en nergie microonde 2.45 GHz et envoye sur terre. Les densits de puissance
mises en jeu au niveau des antennes de rception sont trs importantes, elles sont de lordre de
100 W/m.
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En 1975, lexprimentation terrestre de Goldstone mene par Raytheon reprsente un
tournant historique dans le domaine de la TESF. Elle a contribu de manire considrable la
validation du concept et la crdibilit du projet SPS. Avec un systme pilote, une puissance
continue de 30 KW a t rcupre et un rendement global de 54% a t mesur et certifi
[I.1]. La distance entre les antennes dmission et de rception est de 1.6 Km.

Figure I. 3 : Transmission dnergie par ondes radio - Nikola Tesla dans son laboratoire de Colorado
Springs [daprs I.2]

A partir de 1994, le laboratoire dElectronique, dEnergtique et des Procds de
luniversit de la Runion, en collaboration avec lquipe japonaise de lISAS, sest lanc
dans un projet denvergure qui consistait tudier la faisabilit dun transport dnergie sans
fil pour alimenter lle de Grand Bassin, rgion qui est fortement accidente et difficilement
accessible. La puissance dmission tait de 800 W sur une distance de 40 m. En rception,
une rectenna compose de 2376 antennes diples rparties sur une surface de 11.76 m a t
utilise pour collecter et convertir une partie de lnergie RF mise. La densit de puissance
au niveau des antennes de rception est estime une dizaine de W/m. Trois lampes de 9 W
furent allumes grce au dispositif dvelopp, ce dernier prsentait un rendement global
denviron 5% [I.3].
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Vue densemble Rseau de 2376 rectennas
Figure I. 4 : Dmonstrateur du Grand Bassin - Ile de la Runion [daprs I.3]

4. Structure globale dune rectenna
Une rectenna est un circuit non linaire qui contient une antenne de rception suivie
dun circuit de conversion RF-DC. Une rectenna classique peut tre schmatis sous forme de
cinq blocs fonctionnels, comme le montre la figure I.5 ci-dessous.

Figure I. 5 : Blocs fonctionnels dune rectenna classique

Tout dabord, lantenne de rception capte lnergie microonde et la transmet au
circuit de conversion. Puis le redresseur, constitu dune ou de plusieurs diodes, convertit
cette nergie RF en nergie lectrique continue et la transmet son tour la charge rsistive
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. Toutefois, le redresseur gnre en plus de lnergie DC, des harmoniques dordre
suprieur qui sont indsirables. La rectenna contient aussi deux filtres HF et DC, situs de
part et dautre du redresseur. Le filtre HF lentre est un filtre passe bas, il remplit deux
fonctions. Il filtre les harmoniques gnres par les diodes pour les empcher dtre rayonnes
par lantenne et il assure une adaptation conjugue entre lantenne et le circuit de conversion
pour un transfert maximum de puissance entre les deux. Pour ce qui est du filtre de sortie DC,
cest un filtre passe bas qui bloque toutes les composantes RF, y compris la composante
fondamentale, et ne laisse passer que la composante DC vers la charge. La charge rsistive
lautre bout de la rectenna modlise gnralement limpdance dentre du dispositif
alimenter.
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Les premiers travaux sur les rectennas ont t focaliss dans la bande ISM 2.45 GHz,
la plupart de ces travaux taient destins pour des applications spatiales. Le choix de cette
frquence ntait pas fortuit, il sexplique principalement par la faible attnuation que
prsente cette frquence travers latmosphre. En 1960, Raytheon avait dvelopp une
rectenna 2.45 GHz. Le circuit mis au point contient une antenne diple demi-onde associe
un circuit de conversion RF-DC contenant une diode simple connecte une charge
rsistive. Un des paramtres cls des circuits rectennas est le rendement de conversion. Il est
dfini le plus souvent comme tant le rapport entre la puissance continue rcupre ou
mesure aux bornes de la charge et la puissance RF reue par llment rayonnant. Ce
rendement de conversion na cess de crotre depuis les premiers travaux qui ont t conduits
dans ce domaine. Cependant, le rendement le plus important fut atteint par Brown chez
Raytheon en 1977 [I.4]. W.C. Brown avait utilis une diode Schottky en Arsniure de
Gallium-Platine (GaAs-Pt), une antenne diple en aluminium et une ligne de transmission
pour atteindre un rendement de conversion de 90.6% avec une puissance dentr de 8 W. En
1982, W.C. Brown et J.F. Triner ont dvelopp une version imprime du circuit 2.45 GHz,
grave sur un film mince. Le rendement obtenu tait de 85% [I.5].
En 1991, K. Chang et T.W. Yoo ont dvelopp une rectenna intgre 35 GHz avec
un rendement de 33 % pour des puissances dentre de lordre de 60 mW [I.6]. Le circuit est
constitu dune antenne diple et dune diode Schottky DMK6606 (Alpha Industries) monte
en parallle. A la mme frquence, dautres travaux ont t rapports par la suite dans la
littrature, notamment une rectenna associant un rseau dantennes et une diode Schottky
MA4E1317 monte en srie [I.7]. Le circuit atteint un rendement de 35 % lorsque la densit
de puissance est de 30 mW/cm. Le passage de la frquence de 2.45 GHz, traditionnellement
utilise, 35 GHz sexplique par le souci davoir des structures qui occupent moins despace
et de pouvoir ainsi mettre plus de rectennas sur la mme surface. Cependant, les composants
utiliss pour la gnration et la conversion dnergie cette frquence sont moins efficaces et
cotent plus cher.
Les inconvnients rencontrs 35 GHz, et qui ont t cits ci-dessus, ont conduit les
chercheurs utiliser une nouvelle frquence 5.8 GHz. Cela permet de rduire les dimensions
des circuits par rapport la frquence 2.45 GHz, sans pour autant perdre en efficacit. En
1992 a t rapport la premire rectenna dans la bande C 5.87 GHz avec 80% de rendement
[I.8]. La rectenna a t mesure lintrieur dun guide donde avec une puissance dentre de
700 mW. Le circuit utilise un diple imprim et une diode Schottky. Dautres travaux 5.8
GHz ont t rapports par la suite. En 1998, J.O. McSpadden et al. ont dvelopp une
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rectenna avec un diple imprim 5.8 GHz, un rendement de 82% a t mesur [I.9]. La
rectenna est dveloppe en technologie CPS (Coplanar Stripline) et utilise une diode Schottky
MA40150-119.

4.1. Antenne de rception
Des diples filaires ou imprims et des antennes patch polarisation linaire sont
traditionnellement utiliss dans les circuits rectennas. Dans le domaine du transfert dnergie
sans fil, une antenne gain lev est souhaitable. Cela permet de capter plus de puissance RF,
donc plus de puissance continue au niveau de la charge. Toutefois, la surface effective dune
antenne est proportionnelle son gain. En effet, il y a un compromis faire entre le gain de
lantenne et sa surface. Dans [I.10], une nouvelle antenne patch avec un gain de 9 dBi t
dveloppe. Cette antenne est comparable un rseau de deux antennes patch, elle permet
non seulement de collecter plus de puissance mais aussi de rendre la structure plus compacte.
En fonction de lapplication vise, la polarisation linaire [I.9], [I.11], [I.12] ou la polarisation
circulaire [I.13], [I.14], [I.15], [I.16] peuvent tre utilises. Des rectennas bi-bandes [I.17], tri-
bandes [I.18] et mme large bande [I.19]-[I.20] ont aussi t dveloppes pour des
applications spcifiques.
La polarisation circulaire est devenue ces dernires annes une caractristique
importante dans la conception des circuits rectennas. Elle offre la possibilit de garder une
tension de sortie DC constante mme sil y a rotation de lmetteur ou de la rectenna.
Y. J. Ren et al. ont dvelopp une rectenna bi-bandes fonctionnant sur les deux bandes
ISM 2.45 GHz et 5.8 GHz [I.17]. Les rendements obtenus sont de 65% et 46%,
respectivement. Costanzo et al. ont propos une rectenna tri-bandes polarise circulairement
pour une application de rcupration dnergie ambiante [I.18]. La rectenna fonctionne sur les
frquences des trois standards GSM 900, GSM 1800 et WiFi. J.A. Hagerty et Z. Popovic ont
mis au point une rectenna pour la rcupration dnergie large bande [I.19], le circuit
fonctionne sur toute la bande de frquences allant de 6 15 GHz avec un rendement qui varie
entre 5 et 45%.
Les deux technologies filaire et plaque ont t largement exploites dans les antennes
ddies aux circuits rectennas. Pour ce qui est des antennes planaires, le choix de la
technologie dpend avant tout de lantenne. Cependant, la technologie micro-ruban est la plus
utilise. La ligne CPS est normalement utilise pour alimenter des diples, elle peut tre
utilise non seulement pour combiner plusieurs lments et accroitre le gain de llment
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rayonnant mais aussi pour former des rseaux dantennes plus facilement. Plusieurs rectennas
en technologie CPS ont t dveloppes rcemment [I.9], [I.21], [I.22].

4.2. Filtre dentre HF
Le filtre dentre HF est localis entre lantenne de rception et le circuit de
conversion. La ou les diodes du convertisseur RF-DC gnrent non seulement de la puissance
DC mais galement des harmoniques dordre suprieur. Ces harmoniques peuvent dgrader le
fonctionnement du circuit, elles sont indsirables et doivent tre bloques.
Dans une optique de miniaturisation des circuits rectennas et damlioration de leur
rendement, le filtre dentre HF peut tre directement intgr dans lantenne de rception en
utilisant des antennes rejection dharmoniques [I.23]-[I.24]. Cela permet de diminuer les
dimensions du circuit ainsi que les pertes. Une antenne rejection dharmoniques est
prsente dans [I.23]. Lantenne utilise, et contrairement une antenne patch simple,
prsente une forte dsadaptation aux harmoniques dordres 2 et 3. Le rendement de la
rectenna est de 77.8% lorsque la puissance dentre est de 10 mW. T.C. Yo et al. ont rapport
une rectenna rejection dharmoniques et fonctionnant 2.45 GHz [I.24]. Lantenne filtre
uniquement lharmonique dordre 2 4.9 GHz. Un stub radial a t dimensionn afin de
stopper lharmonique 7.35 GHz. Un rendement de 78% a t mesur lorsque la densit
surfacique de puissance est de 16.5 mW/cm.

4.3. Topologies du circuit de conversion RF-DC
La conversion RF-DC est un processus non-linaire. En fonction dun ensemble de
critres, cits prcdemment, des diodes ou des transistors peuvent tre utiliss. Toutefois,
dans les systmes de transmission dnergie aux frquences microondes, les diodes Schottky
sont les plus utilises. Lun des paramtres les plus importants de ce type de circuits est le
rendement de conversion. Toutefois, cette caractristique non linaire rend plus difficiles les
tapes de conception et doptimisation. En effet, le rendement de conversion dpend la fois
du niveau de puissance convertir et de la frquence de travail. Cela sexplique tout dabord
par lefficacit des diodes qui dpend de la tension leurs bornes. Il y a galement le
problme de limpdance des diodes qui varie en fonction de la puissance dentre et de la
frquence. Cela modifie ladaptation des diffrentes parties du circuit et affecte par
consquent le rendement.
En fonction du positionnement de ou des diodes dans le redresseur, plusieurs
topologies de rectenna ont t dveloppes. Les deux topologies srie [I.11], [I.12], [I.25] et
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parallle [I.15], [I.17], [I.21], [I.22], [I.23] sont les plus simples concevoir et sont les plus
rpandues dans la littrature. Chacune des topologies a ses avantages et ses inconvnients
selon la technologie, le type dantenne, la puissance dentre disponible, la tension de
sortie,. Afin daugmenter la tension de sortie dune rectenna, des topologies en doubleur de
tension [I.15], [I.18], [I.24] ont t dveloppes. Dans cette topologie, les deux diodes se
trouvent en srie avec la charge et la tension de sortie peut par consquent tre double.
Certaines topologies se heurtent parfois aux problmes de conception et de ralisation comme
par exemple la ralisation dun via pour la connexion dune diode en parallle au plan de
masse.
Dans la topologie srie que montre la figure I.6, la diode est place en srie entre les
deux filtres HF et DC sans lien direct avec le plan de masse.

Figure I. 6 : Circuit de conversion en topologie srie

Dans la topologie parallle (figure I.7), la diode est place en parallle entre les deux
filtres HF et DC, avec lanode ou la cathode connecte au plan de masse. La diode se
retrouve, par consquent, naturellement polarise par la tension DC gnre.

Figure I. 7 : Circuit de conversion en topologie parallle

La topologie en doubleur de tension, que montre la figure I.8 ci-dessous, peut tre
considre comme lassociation des deux topologies, srie et parallle, dcrites
prcdemment. Le circuit en doubleur de tension comprend deux diodes montes lune en
srie et lautre en parallle, cela permet de produire une tension de sortie plus grande. Le
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circuit contient aussi une capacit srie qui se trouve juste aprs le filtre HF, sa valeur doit
tre choisie prcisment afin de doubler la tension de sortie DC.

Figure I. 8 : Circuit de conversion en topologie doubleur de tension

Une autre topologie double-diode a t rcemment rapporte dans la littrature [I.15].
Le circuit a t dvelopp en technologie CPS et fonctionne 5.8 GHz. Il contient deux
diodes Schottky montes en srie sur les deux lignes symtriques. Une comparaison entre
cette configuration et celle en parallle a t effectue dans cet article, et les rsultats
montrent que la tension de sortie a pu tre double.

4.4. Filtre de sortie DC
Le filtre de sortie DC est un filtre passe bas qui est compos le plus souvent dun bloc
capacit parallle. Le rle de ce filtre est disoler la charge DC du ct RF. Il laisse passer la
composante continue et filtre toutes les harmoniques dordre suprieur, y compris la
composante fondamentale. La capacit de sortie peut tre remplace par un ou plusieurs stubs
radiaux ou rectangulaires.

5. Les rseaux de rectennas
Lalimentation de capteurs ou de micro-dispositifs sans fil requiert quelques fois une
tension et/ou une puissance continue quun seul lment rectenna ne peut fournir. Afin
daugmenter la puissance et/ou la tension de sortie, des interconnections des lments
rectennas sont le plus souvent utilises pour convertir plus de puissance microonde incidente.
Les rseaux de rectennas peuvent tre construits en utilisant plusieurs configurations possibles
[I.8], [I.15], [I.19], [I.26], [I.27]. Les lments rectennas peuvent tre associs en srie, en
parallle ou en cascade. Chaque configuration prsente ses propres caractristiques.
Lassociation srie permet davoir des tensions de sortie meilleures que celles de lassociation
parallle. Un rseau de neuf rectennas connectes en srie a t dvelopp pour lalimentation
dun actionneur mcanique dans une application spatiale [I.27]. Le circuit fournit une tension
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DC de 50 V. Lassociation parallle, quand elle, garde la mme tension de sortie quun
lment seul tout en augmentant la puissance DC. Finalement, lassociation en cascade peut
tre considre comme la combinaison des deux types dassociation srie et parallle. Il a t
montr dans [I.15] que ce type dassociation offre les meilleures performances en termes de
tension et de puissance de sortie.

(a) (b)
Figure I. 9 : Association de rectennas. (a) en srie. (b) en parallle.

Des combinaisons entre deux ou plusieurs associations sont possibles [I.19], [I.26],
[I.28]. En effet, J.A. Hagerty et Z. Popovic ont prsent un rseau de rectennas qui associe des
lments en srie et en parallle [I.19]. Un autre rseau de rectennas 2304 lments a aussi
t dvelopp [I.26]. La rectenna contient 256 sous-rseaux connects en parallle-srie, et
chaque sous-rseau contient neuf lments connects en parallle.
Pour dcrire avec prcision le comportement dun rseau de rectennas, un modle non
linaire est toujours prfrable. Il permet de prdire la sortie DC pour nimporte quelle valeur
de la charge. Toutefois, pour simplifier ltude et prdire la sortie DC dun rseau de
rectennas, un modle linaire simple est propos dans [I.15], [I.28]. Le modle propos a t
valid sur des associations srie et parallle et a montr de bonnes concordances avec les
rsultats exprimentaux. Cependant, ce modle montre ses limites ds que la charge de sortie
commence scarter de la charge optimale.
De rcents travaux sur loptimisation des rseaux de rectennas ont t rapports dans
la littrature. Pour avoir une sortie optimale en termes de tension et de rendement, il a t
montr dans [I.28] que les lments du rseau doivent tre identiques et que la charge du
rseau doit tre gale la charge optimale.

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6. Problmatique de la modlisation dune rectenna
Avec la monte en frquence, les dispositifs hyperfrquences intgrent de plus en plus
de composants et de fonctions. Un dispositif lectronique peut contenir la fois, des
composants de puissance, des lments rayonnants, des lignes de transmission, De plus, les
composants peuvent avoir des dimensions trs diffrentes. La simulation et loptimisation
spare de chaque fonction savre insuffisant dans nombre de cas. De grandes diffrences
entre les rsultats exprimentaux et les simulations peuvent tre observes. Ces carts
sexpliquent souvent par la modlisation numrique qui ne tient pas compte de tous les
phnomnes physiques, notamment les couplages et les interactions entre les diffrents
composants du dispositif.
Pour analyser un dispositif hyperfrquence, il existe plusieurs approches suivant la
manire dont le problme est abord et la prcision recherche. En effet, il existe lapproche
lectromagntique qui repose sur les quations de Maxwell et qui prend en compte tout les
phnomnes lectromagntiques prsents dans le dispositif. Dun autre ct, il y a aussi
lapproche circuit qui est base sur des modles circuits quivalents. Ces modles, o des
simplifications sont souvent introduites, ne sont valables que dans un domaine bien prcis et
sous certaines conditions. Cela montre bien limportance dune modlisation rigoureuse qui
prend en compte tout les phnomnes physique dans un dispositif hyperfrquence.
Le dispositif microonde qui fait lobjet de cette thse est la rectenna. La conception et
loptimisation rigoureuses ncessite des comptences combines en lectronique
hyperfrquence et en gnie lectrique. Lobjectif tant de maximiser le rendement de
conversion RF-DC, il est difficile denvisager loptimisation spare des diffrents
composants constituants un circuit rectenna. En effet, pour prendre en compte les couplages et
les interactions entre les diffrents composants, la simulation et loptimisation doivent se faire
sur la totalit du circuit et dans le mme environnement de simulation. Les mthodes
danalyse globale lectromagntique circuit, qui combinent les lois de llectromagntisme
et la thorie des circuits, sont plus que souhaitables dans notre cas.
Une autre difficult de la modlisation est lie aux dimensions des diffrents
composants. Les lments constituants une rectenna sont de dimensions trs varies. On passe
par exemple, dun lment rayonnant demi-onde un composant localis (diode, rsistance,
) qui est parfois, infrieur au centime de la longueur donde. En plus, un maillage trs fin
bas sur llment le plus petit est difficile envisager pour des raisons videntes de temps et
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de capacit de calcul. Pour rsoudre ce genre de problmes, on fait souvent appel des
modles plus flexibles et qui offrent plus de maniabilit.
De nombreux outils de simulation lectromagntique existent. Ces outils sont adapts
pour des structures distribues dont les dimensions sont de lordre de la longueur donde. La
principale diffrence entre ces outils de simulation rside dans la mthode de rsolution des
quations de Maxwell. En effet, elles peuvent tre rsolues soit dans le domaine temporel soit
dans le domaine frquentiel. Lanalyse temporelle permet une caractrisation large bande en
une seule simulation et permet de prendre en compte les lments non linaires. Son principal
inconvnient est le temps de calcul, qui peut parfois tre trs important. Les mthodes
temporelles les plus utilises sont: la mthode des diffrences finies dans le domaine temporel
(FDTD) et la mthode des lignes de transmission (TLM). Dun autre ct, il y a lanalyse
frquentielle qui est gnralement plus rapide. Toutefois, pour une caractrisation large
bande, il faut autant de simulations que de points de frquence dans la bande. De plus, les
lments non linaires sont difficiles modliser dans le domaine frquentiel. Parmi les
mthodes frquentielles les plus utilises, nous pouvons citer par exemple la mthode des
moments (MoM) et la mthode des lments finis (FEM).
Des mthodes danalyse circuit, pour tudier des dispositifs de type rectenna, ont t
proposes dans la littrature [I.9], [I.25], [I.29], [I.30]. Toutefois, comme le circuit de
conversion RF-DC est non linaire et gnre par consquent des harmoniques dordre
suprieur, il nest pas toujours facile de formuler un modle analytique parfaitement correct.
Un modle analytique [I.25] a t propos pour tudier une rectenna srie. Le rendement de
conversion obtenu est de 40% avec une puissance dentre de 0 dBm. Une autre rectenna
[I.11] a t dveloppe en utilisant uniquement un simulateur circuit de type harmonic
balance (HB), le rendement du systme est de 56% pour une puissance dentre de 20 dBm.

7. Limites dexposition aux champs lectromagntiques
Des limites d'exposition aux champs lectromagntiques ont t tablies ds les annes
1980, notamment par une commission internationale de spcialistes : l'ICNIRP (International
Commission on Non-Ionizing Radiation Protection). Cest une Organisation non
gouvernementale reconnue par l'OMS (Organisation Mondiale de la Sant) et constitue de
mdecins et de spcialistes des champs lectromagntiques. C'est elle qui propose des limites
d'exposition humaine aux champs lectromagntiques, partir d'un examen approfondi des
travaux scientifiques existant sur le sujet. Les premires limites d'exposition aux champs
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lectromagntiques radiofrquences ont t publies en 1988 et ont t confirmes en 1998.
De nombreux pays ont tabli leurs propres normes ou directives partir de ces
recommandations. En Europe, le conseil de lunion europenne a adopt, le 12 juillet 1999,
une recommandation [I.31] visant limiter l'exposition du public aux champs
lectromagntiques en se basant sur les recommandations de l'ICNIRP. Elle recommande aux
Etats membres dadopter une rglementation et de veiller au respect de ces restrictions. Des
organismes comme le CENELEC (Comit Europen de Normalisation Electrotechnique) en
Europe et l'IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) au plan international
compltent ces travaux et tablissent des normes visant dfinir les mthodes de mesures et
les moyens permettant de vrifier le respect de ces limites. En France, le dcret n 2002-775
publi dans le journal officiel de la rpublique franaise le 3 mai 2002 [I.32], en se basant sur
les recommandations du conseil de lunion europenne, avait fix les limites dexposition du
public aux champs lectromagntiques mis par les quipements utiliss dans les rseaux de
tlcommunications ou par les installations radiolectriques.
Les limites d'exposition recommandes ont pour but d'assurer que les expositions se
situent suffisamment en dessous des niveaux pour lesquels les tudes biologiques dmontrent
des effets nocifs reproductibles. En dautres termes, les normes fixent des limites plus faibles
que les seuils partir desquels des effets nocifs sont dmontrs. Ces marges de scurit, entre
limite dexposition et seuil dapparition des effets nocifs, visent prendre en compte les effets
que les tudes en cours et futures pourraient ventuellement dmontrer.
Le tableau I.1 montre les principales normes recommandes par cette directive, f tant
la frquence et les limites dexposition sont exprimes en valeurs de champs efficaces. Cet
ensemble de normes concerne les personnes non classifies comme travailleurs, incluant le
grand public.
Gammes de frquences f E
eff
(V/m) H
eff
(A/m)
0 - 1 Hz 32000
1 - 8 Hz 10000 32000/f
2

8 - 25 Hz 10000 4000/f
0.025 - 0.8 kHz 250/f 4/f
0.8 - 3 kHz 250/f 5
3 - 150 kHz 87 5
0.15 - 1 MHz 87 0.73/f
1 - 10 MHz 87/f
1/2
0.73/f
10 - 400 MHz 28 0.073
400 - 2000 MHz 1.375 f
1/2
0.0037 f
1/2

2 - 300 GHz 61 0.16
900 MHz 41 0.11
1800 MHz 58 0.15
2.45 GHz 61 0.16
Tableau I. 1 : Limites dexposition du grand public aux champs lectromagntiques
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Les limites dexposition applicables aux travailleurs qualifis et aux professionnels
sont moins svres que celles applicables au grand public. Le tableau I.2 ci-dessous montre
les limites dexposition aux champs lectromagntiques en fonction des diffrentes bandes de
frquence.

Gammes de frquences
(MHz)
Champ lectrique E
(V/m)
Champ magntique H
(A/m)
0.003 - 1 600 4.9
1 - 10 600/f 4.9/f
10 - 30 60 4.9/f
30 - 300 60 0.163
300 - 1500 3.54 (f)
1/2
0.0094 (f)
1/2

1500 - 15000 137 0.364
15000 - 150000 137 0.364
150000 - 300000 0.354 (f)
1/2
0.00094 (f)
1/2

Tableau I. 2 : Limites dexposition des travailleurs qualifis aux ondes lectromagntiques

Lorsque le rayonnement lectromagntique est compos de plusieurs frquences dans
la mme bande ou dans des bandes de frquences diffrentes, alors la valeur mesure
chaque frquence divise par la limite recommande doit tre dtermine et la somme de
toutes ces valeurs doit tre infrieure lunit.

8. Caractrisation dune rectenna
Les circuits rectennas sont le plus souvent caractriss par deux rendements, le
rendement de conversion RF-DC et le rendement global.
Le premier rendement dcrit la capacit du redresseur fournir une puissance
lectrique continue la charge partir de lnergie RF que lui fournie le systme de rception
ou toute autre source dnergie microonde. Ce rendement reprsente le principal objectif lors
dun processus doptimisation du circuit de conversion. Toutefois, comme le processus de
conversion est de nature non linaire, loptimisation se fait un point de puissance dentre et
le rendement est optimal sur une plage troite autour de ce point. En effet, limpdance de la
diode Schottky et son efficacit dpendent troitement de la tension applique ses bornes.
La variation de cette impdance engendre une dsadaptation qui affecte directement le
rendement de conversion. Ce dernier est dfini comme tant le rapport entre la puissance de
sortie DC, prleve aux bornes de la charge, et la puissance dentre RF. Selon la puissance
dentre quon considre, plusieurs dfinitions du rendement existent dans la littrature. La
puissance RF peut tre considre comme la puissance maximale que la source ou lantenne
de rception pourra dbiter sur une charge de 50 , et dans ce cas les pertes par rflexion sont
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prises en compte [I.15], [I.27]. Elle peut aussi tre considre comme la puissance RF
rellement transmise la diode, sans tenir compte des pertes par rflexion [I.11].
Lautre rendement, qui est plus global, dcrit la capacit du circuit rectenna complet
convertir lnergie RF reue en nergie DC. La puissance que lantenne est susceptible de
recevoir est souvent calcule par lquation de Friis [I.27]. Cette dfinition du rendement est
la plus rpandue dans la littrature, puisquil nest pas vident daccder la valeur de la
puissance RF rellement transmise au convertisseur. Toutefois, le rendement peut tre calcul
non pas sur la base de la puissance que lantenne reoit dans le meilleur des cas mais en
tenant compte de la puissance rellement reue. En effet, une mthode de calcul de la
puissance relle reue par une antenne, et applique au calcul du rendement dune rectenna, a
t dveloppe dans [I.18]. La mthode de calcul propose est valable en champ proche
comme en champ lointain. Elle est galement valable quelles que soient la direction et la
polarisation de l'onde incidente. Le rendement quaffiche une rectenna dpend beaucoup de la
faon dont il est calcul.

9. Application de la TESF lalimentation distance de capteurs sans fil
Les progrs actuels que connat llectronique faible consommation et les systmes de
communication rendent possible le dveloppement de capteurs et dactionneurs sans fil dans
des environnements divers et varis. Cela donne plus dautonomie et de mobilit aux capteurs
et aux rseaux de capteurs. Il est de plus en plus frquent de les trouver dans des endroits dont
il tait difficile ou mme impossible denvisager leur prsence dans le pass, cela facilite leur
intgration dans lenvironnement.
Le projet Wave Supply rentre dans cette thmatique, son objectif est dalimenter
distance des capteurs et des fonctions de vrification embarques. Cependant, les circuits que
nous avons dvelopps dans le cadre de ce projet ne se limitent pas uniquement aux
applications aronautiques et spatiales. Plusieurs applications peuvent merger dans des
domaines divers et varis tels que des applications industrielles, mdicales, domestiques,
militaires,
La plupart des capteurs et des rseaux de capteurs sans fil qui sont commercialiss
jusqu maintenant sont aliments par des systmes conventionnels de type piles ou batteries
[I.33]. Afin dassurer la continuit de fonctionnement ces dispositifs, une recharge ou un
remplacement priodiques du module dalimentation est requise. Un des moyens pour y
parvenir est dintgrer une solution dalimentation sans fil dans ou proximit du capteur.
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Avec cette approche, le capteur doit tre conu pour capter lnergie que lui transmet une
station de base ou directement partir de son environnement proche, la convertir en nergie
lectrique et la stocker afin dalimenter les diffrentes parties ncessaires son
fonctionnement [I.34]-[I.35].
Une solution alternative, et qui prsente un grand potentiel, consiste utiliser les
ondes lectromagntiques dans le domaine des microondes. Cette technique consiste utiliser
des ondes radiofrquences pour charger une capacit ou une batterie qui se trouve ct du
capteur ou directement intgre dans son module dalimentation.
Pour des faibles distances de quelques centimtres, cette mthode est trs efficace
grce au couplage inductif ou capacitif. Une seule bande de frquence peut tre utilise pour
le transfert de la puissance et des donnes. Cependant, afin que lefficacit de la transmission
ne soit pas dgrade, deux bandes spares pour la puissance et les donnes peuvent tre
utilises [I.36]. La figure I.10 prsente un systme dalimentation par couplage inductif pour
une prothse rtinale.
Pour des distances plus importantes, lefficacit dcroit suivant que londe est
transmise dans les domaines des microondes, des infra rouge ou du visible [I.37]-[I.38].
Le transfert dnergie lectromagntique sur de courtes distances par couplage, malgr son
efficacit, impose que lmetteur et le rcepteur soient proches dans lespace. Cette solution
reste difficile envisager dans beaucoup dapplications faisant appel aux systmes rpartis.

Figure I. 10 : Alimentation par couplage inductif - Prothse rtinal [daprs I.36]

La lumire visible ou infra rouge peut reprsenter un moyen efficace dalimentation
sans fil et distance grce la directivit quoffrent les sources dans ce domaine. Toutefois,
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les faibles efficacits des cellules photovoltaques (~ 20 %) dgradent fortement les
rendements du systme global. Rcemment, des cellules photovoltaques avec des rendements
de 30 40 % ont t dveloppes, cependant, elles ncessitent une forte concentration ou
densit de la lumire pour fonctionner efficacement [I.39].
Dans les systmes dalimentation o la puissance est transmise au capteur sous forme
dune onde hyperfrquence, les sources dnergie peuvent tre de deux types: lnergie
ambiante et les sources dnergie contrles. Les systmes source contrle utilisent des
puissances qui sont gnralement plus importantes que celles utilises dans les systmes qui
rcuprent lnergie ambiante.
Dans la partie qui suit, ltat de lart dans le domaine de lalimentation hyperfrquence
de capteurs sans fil sera expos. Les caractristiques les plus importantes de ces systmes
seront soulignes. Ces donnes concernent principalement la frquence de fonctionnement, la
tension et la puissance dalimentation et les distances entre lmetteur et le systme
alimenter.
Une tl-alimentation dun capteur de temprature faible consommation en
technologie CMOS a t dveloppe dans [I.34]. Le convertisseur RF-DC est base dun
multiplicateur de tension 16 tages. Le capteur est aliment par une onde lectromagntique
incidente 450 MHz avec une puissance RF suprieure -12.3 dBm. Le module de
transmission intgr dans le capteur renvoie des informations sur la temprature sur une
porteuse module 2.3 GHz. Le capteur se trouve 18 mtres de la station de base et il
consomme, en mode transmission, un courant de 1.1 mA sous une tension continue de 2.5 V.
La figure I.11 prsente un systme de tlmtrie, aliment par des ondes
hyperfrquences. La rectenna alimente directement les diffrents modules de la chaine de
transmission. En fonction de lapplication, dautres architectures peuvent tre exploites. Une
batterie ou un accumulateur peut tre introduit dans larchitecture pour servir dintermdiaire
entre la rectenna et le transmetteur. La rectenna charge la batterie jusqu un certain seuil de
tension, puis la batterie alimente le module de transmission. Cette dernire architecture est
trs intressante lorsque le capteur requiert une tension dalimentation que la rectenna ne peut
pas fournir instantanment.

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Figure I. 11 : Bloc diagramme dun systme de tlmtrie standard [daprs I.34]

Un systme dalimentation sans fil la frquence de 2 GHz, et travaillant avec des
niveaux de puissance RF trs faibles a t dvelopp par C. Miketa et H. Arai [I.35]. La
rectenna est en topologie doubleur de tension, elle contient un super condensateur dune
capacit de 0.8 F initialement charg 2.7 V et capable daccumuler une tension
supplmentaire de 500 mV au bout de 10 jours sous une puissance ambiante de -25.7 dBm. Le
systme est utilis pour alimenter un module radio (nRF401) 433 MHz qui transmet 312
trames de donnes pendant les 10 premires secondes avant que la tension du condensateur ne
soit infrieure la valeur seuil de 2.7 V. Dans [I.40], les auteurs ont dvelopp un dispositif
similaire celui prsent dans [I.35]. La rectenna contient deux lments, contenant chacun 4
doubleurs de tension connects en srie. Le module dalimentation sans fil est illumin par
une onde 2 GHz avec une puissance de 0 dBm. La dure de charge du condensateur est
ramene de 10 jours 5 heures. Le module radio (nRF24L01) transmet les donnes sur une
porteuse module 2.4 GHz, il consomme une puissance de 36.16 mW sous une tension
continue de 3.2 V. La rectenna dveloppe est ddi aux capteurs qui mettent des donnes de
faon priodique dans le temps.
Un capteur WID (Wireless Impedance Device) aliment distance par des ondes
lectromagntiques 2.4 GHz a t rapport dans [I.41]. Deux rseaux de rectennas, en
doubleur de tension, 18 puis 36 lments ont t utiliss. La puissance dmission est
limite 1 W. Un super condensateur de 0.1 F est utilis pour stocker de lnergie lectrique,
il est charg 3.6 V au bout de 27 secondes. Le systme dvelopp a t test et mesur sur
un pont instrument (Alamosa Canyon Bridge) au Nouveau Mexique. Le rseau de capteurs
dploy tout au long du pont renvoie des informations sur ltat de stress de la structure vers
une station de base pour le post-traitement des donnes collectes.
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Figure I. 12 : Alimentation sans fil dun capteur WID sur lAlamosa Canyon Bridge [daprs I.41]

Dans [I.42], un systme dalimentation par radiofrquence 50 MHz a t dvelopp.
Le circuit alimente un capteur de dformation base de MEMS. Le convertisseur RF-DC a
t dvelopp en technologie CMOS et occupe une surface approximative de 1 mm. Il
dlivre une tension continue de 2.8 V et un courant de 2 mA avec un rendement de conversion
de 11%.

10. Conclusion
Dans ce premier chapitre, nous avons pass en revue les rcents travaux mens dans le
domaine de la transmission dnergie sans fil pour des applications dalimentation distance
de capteurs et de dispositifs faible consommation. Il a t montr, au travers les diffrents
travaux dvelopps, que cette technique dalimentation est potentiellement intressante. En
effet, cela peut rendre les systmes lectroniques plus autonomes et plus flexibles quand
leurs emplacements.
Les objectifs de cette thse consistent modliser, optimiser, raliser et caractriser
exprimentalement des systmes de conversion RF-DC innovants pour lalimentation
hyperfrquence de capteurs sans fil. Limportance de la modlisation numrique a t
souligne dans ce chapitre. En effet, les mthodes danalyse globale associant les quations de
Maxwell et la thorie des circuits sont plus que souhaitables dans ce cas.
Nous aborderons au travers des chapitres suivants les diffrents outils de simulation et
doptimisation utiliss. Pour montrer limportance de la modlisation numrique et valider les
diffrents outils de simulation, des comparaisons systmatiques entre les simulations et les
mesures seront effectues.
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De nouvelles rectennas compactes et sans filtre dentre HF ont t dveloppes dans
ce travail de thse et seront prsentes. Ces circuits prsentent des rendements suprieurs
80% avec des puissances RF de lordre de 10 dBm. De plus, ils ne contiennent pas de vias de
retour la masse et la mesure de la tension de sortie DC se fait en diffrentiel sur la mme
face du circuit et sans lien avec le plan de masse.

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Chapitre II
Outils de simulation numrique
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Chapitre II Outils de simulation numrique
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Chapitre II
Outils de simulation numrique

1. Introduction
Dans le premier chapitre, limportance dune modlisation numrique rigoureuse a t
souligne. Les diffrents outils de simulation numrique pour ltude des circuits rectennas
ont t dcrits. En effet, selon la manire dont ltude est aborde et la prcision recherche,
des simulations circuit ou lectromagntique-circuit peuvent tre utilises. Des modles
analytiques ou exprimentaux ont galement t rapports dans la littrature. Cependant, une
modlisation globale, associant les simulations circuit et lectromagntique, est plus que
souhaitable. Dans ce travail de thse, nous avons utilis deux outils de simulation numrique:
le logiciel commercial ADS (Advanced Design System) dAgilent Technologies, puis la
mthode FDTD (Finite Difference Time Domain).
Dans un premier temps, le logiciel ADS est utilis pour la simulation et loptimisation
du circuit de conversion RF-DC. Un couplage entre Harmonic Balance (HB) et Momentum a
t effectu pour tenir compte des couplages ventuels entre les diffrentes parties du circuit,
et afin de mieux prdire ses performances (rendement, adaptation, niveaux des harmoniques,
...). ce stade de ltude, lantenne de rception et le circuit de conversion sont conus
sparment, puis associs pour construire la rectenna complte.
Dans un second temps, pour analyser la rectenna dans sa globalit et mieux prdire sa
sortie DC, la mthode des diffrences finies dans le domaine temporel (FDTD) a t
introduite. Des conditions absorbantes de type UMPL (Uniaxial Perfectly Matched Layer) ont
t utilises pour dlimiter lespace de calcul et simuler un espace ouvert infini autour de la
structure. De plus, la mthode FDTD dans sa formulation de base ne considre pas les
lments localiss linaires et non-linaires dans lespace de calcul. Pour y remdier,
lquation de Maxwell-Ampre a t modifie de telle sorte largir la mthode aux lments
localiss. Enfin, pour reproduire le scnario de la mesure en rayonn lintrieur dune
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chambre anchoque, la rectenna doit tre illumine par une onde plane incidente. Le
formalisme du champ total-champ diffract pour la gnration dondes planes est introduit. Il
permet de gnrer une onde plane arbitraire pour tudier la rectenna sous diffrents angles
dincidence et avec les diffrentes polarisations.
Des cartographies de champ lectrique et de densit de courant surfacique ont pu tre
traces aux diffrents harmoniques, elles permettent dexpliquer plus facilement le
fonctionnement de la rectenna et elles facilitent ltape doptimisation.

2. Advanced Design System (ADS)
Le logiciel ADS est dvelopp par Agilent Technologies. Il est ddi la simulation et
la conception des circuits et des systmes lectroniques RF. Il offre tout un ensemble
denvironnements de simulation de types circuit et lectromagntique, dans les domaines
temporel et frquentiel.
Dans ce travail de thse, le logiciel ADS a t utilis pour simuler et optimiser le
circuit de conversion RF-DC. Dans un premier temps, la mthode Harmonic Balance (HB) a
t utilise. Toutefois, HB est une mthode danalyse circuit qui ne tient pas compte de tous
les phnomnes lectromagntiques et plus particulirement des couplages ventuels entre
composants. Afin dy remdier, HB a t combin avec le simulateur lectromagntique
Momentum pour effectuer une co-simulation lectromagntique-circuit.
Harmonic balance est une mthode danalyse frquentielle, elle prend en compte
toutes les non linarits dans un circuit. Elle offre tout un ensemble de mthodes
doptimisation de types alatoires et itratives. Le dispositif tudier est dcompos en sous-
circuits linaire et non-linaire. Le sous-circuit linaire est analys dans le domaine
frquentiel, alors que le sous-circuit non-linaire est analys dans le domaine temporel. Les
rsultats de lanalyse temporelle sont ensuite transposs dans le domaine frquentiel par la
Transforme de Fourier (TF). Une solution est trouve si les courants dinterconnexion entre
les sous-systmes linaire et non-linaire, pour chaque harmonique, sont les mmes. Les
diffrents courants doivent tre quilibrs pour chaque harmonique [II.1].
Momentum est un simulateur lectromagntique bas sur la mthode des moments, il
est ddi la simulation des circuits RF planaires (antennes, filtres distribus, ). Il prsente
les avantages suivants:
Simulation de topologies dont le modle circuit est dpass ou inexistant.
Prise en compte des couplages entre composants.
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Echantillonnage frquentiel adaptatif pour des simulations rapides et prcises.
Outils doptimisation intgrs.
Couplage avec des simulateurs circuit comme harmonic balance.

La figure II.1 ci-dessous rsume les principales tapes de simulation et doptimisation
dun redresseur RF-DC sous ADS. La premire tape consiste en la simulation et
loptimisation du circuit avec HB. Deux mthodes doptimisation ont t utilises : une
mthode alatoire Random dans un premier temps, puis une mthode itrative Gradient
par la suite. La mthode Random est utilise pour avoir une premire solution optimale
possible. La mthode Gradient vient ensuite accroitre la prcision et vrifier que la solution
retenue est globale et quil ne sagit pas dun optimum local. La premire solution trouve sert
de conditions initiales la mthode Gradient. Le principal objectif doptimisation dfini est le
rendement de conversion RF-DC car les autres objectifs, tels que ladaptation, le niveau des
harmoniques, , sont secondaires et sont lis au rendement.

Figure II. 1 : Etapes dune simulation sous ADS dun circuit de conversion RF-DC

La seconde tape consiste simuler la partie distribue du circuit sous Momentum. Un
exemple de partie distribue dun circuit srie est donne par la figure II.2. Par la suite, un
modle en paramtres S est gnr et export. La dernire tape consiste connecter les
lments localiss linaires et non linaires avec la partie distribue du circuit et faire une co-
simulation lectromagntique-circuit (HB+Momentum).
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Il est galement possible de refaire une optimisation sous Momentum partir du
modle en paramtres S de la partie distribue optimis sous HB. Toutefois, cette solution est
trs contraignante en termes de temps de calcul.

Figure II. 2 : Partie distribue dun circuit de conversion srie sous Momentum

3. Mthode des diffrences finies dans le domaine temporel
La mthode FDTD-3D a t introduite dans ce travail de thse pour effectuer lanalyse
globale de la rectenna complte. Loutil de simulation bas sur cette mthode a t dvelopp
au laboratoire ESYCOM, en utilisant le langage de programmation C. Pour rduire les temps
de calcul et pouvoir effectuer des tudes paramtriques plus facilement, le code que nous
avons mis au point a t paralllis sur deux processeurs, quatre curs chacun.

3.1. Principe de la mthode FDTD
La mthode FDTD permet de rsoudre les quations de Maxwell au sens des
diffrences finies dans le domaine temporel. Elle impose une double discrtisation, spatiale et
temporelle. Cela se traduit par la construction dun maillage de la structure tudier ainsi que
par la discrtisation de laxe temporel. En imposant une excitation en un point de la grille, les
composantes du champ lectromagntique seront calcules de manire itrative en tout point
de la grille et tout instant. Lvolution temporelle du champ lectromagntique pourra tre
dtermine en tout point de la grille. Une source dexcitation large bande permet de
caractriser des structures linaires sur une large bande de frquence et en une seule
simulation.
Le point de dpart de la mthode FDTD est la forme diffrentielle des quations de
Maxwell. Pour un milieu donn, elles spcifient que :
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t
, quation de Maxwell-Faraday (II.1)

c
D
H J
t
= +

, quation de Maxwell-Ampre, avec c J E =

(II.2)

( ) div D =
, quation de Maxwell-Gauss (II.3)

( ) 0 div B =
, quation de Maxwell sur la conservation du flux (II.4)

Les diffrentes variables sont en fonction du temps et de la position. Dans le cas dun milieu
linaire et isotrope, on a :

D E =

(II.5)

B H =

(II.6)

avec: E = champ lectrique (V/m)
D = induction lectrique (C/m)
H = champ magntique (A/m)
B = induction magntique (Tesla)
J
c
= densit de courant de conduction (A/m)
= densit de charge volumique (C/m
3
)
= conductivit (S/m)
= permittivit (C.V
-1
.m
-1
)
= permabilit (H/m)

Dans le cas dun milieu linaire, homogne, isotrope et sans pertes. Les quations (II.1) et
(II.2) deviennent :

1 H
E
t
(II.7)
t
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1 E
H
t
(II.8)

La projection des deux quations (II.7) et (II.8) sur les trois axes de coordonnes x, y et z,
donne:

1
y
x z
E
H E
t y z

| |
=
|
\
(II.9)

1
y
x z
H
E E
t z x

| |
=
|
\
(II.10)

1
y
z x
E
H E
t x y

| |
=
|
\
(II.11)

1
y
x z
H
E H
t y z

| |
=
|
\
(II.12)

1
y
x z
E
H H
t z x

| |
=
|
\
(II.13)

1
y
z x
H
E H
t x y

| |
=
|
\
(II.14)

Afin de pouvoir implmenter ces quations dans un systme de calcul numrique, il faut les
discrtiser. Lapproximation de la drive centre et le diagramme de Yee [II.2], que montre
la figure II.3, seront utiliss.

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Figure II. 3 : Positions des composantes du champ lectromagntique dans une cellule cubique de Yee
[daprs II.2]

Les quations (II.9) (II.14) deviennent (II.15) (II.20), respectivement.

1/ 2 1/ 2
( , , ) ( , , ) ( , 1, ) ( , , )
( , , )
( , , 1) ( , , )
( , , )
n n n n
x x z z
n n
y y
dt
H i j k H i j k E i j k E i j k
i j k dy
dt
E i j k E i j k
i j k dz
+
= +
+ +
(

(

(II.15)

1/ 2 1/ 2
( , , ) ( , , ) ( , , 1) ( , , )
( , , )
( 1, , ) ( , , )
( , , )
n n n n
y y x x
n n
z z
dt
i j k dz
dt
E i j k E i j k
i j k dx
+
= +
+ +
(

(

(II.16)

1/ 2 1/ 2
( , , ) ( , , ) ( 1, , ) ( , , )
( , , )
( , 1, ) ( , , )
( , , )
n n n n
z z y y
n n
x x
dt
i j k dx
dt
E i j k E i j k
i j k dy
+
= +
+ +
(

(

(II.17)

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1 1/ 2 1/ 2
1/ 2 1/ 2
( , , ) ( , , ) ( , , ) ( , 1, )
( , , )
( , , ) ( , , 1)
( , , )
n n n n
x x z z
n n
y y
dt
E i j k E i j k H i j k H i j k
i j k dy
dt
H i j k H i j k
i j k dz
+ + +
+ +
= +

(

(

(II.18)

1 1/ 2 1/ 2
1/ 2 1/ 2
( , , ) ( , , ) ( , , ) ( , , 1)
( , , )
( , , ) ( 1, , )
( , , )
n n n n
y y x x
n n
z z
dt
i j k dz
dt
H i j k H i j k
i j k dx
+ + +
+ +
= +

(

(

(II.19)

1 1/ 2 1/ 2
1/ 2 1/ 2
( , , ) ( , , ) ( , , ) ( 1, , )
( , , )
( , , ) ( , 1, )
( , , )
n n n n
z z y y
n n
x x
dt
i j k dx
dt
H i j k H i j k
i j k dy
+ + +
+ +
= +

(

(

(II.20)

avec dt = pas de discrtisation temporelle
dx, dy et dz = les pas de discrtisation spatiales suivant les trois axes x, y et z

Les quations de Maxwell dcrites prcdemment ne sappliquent quaux points
rguliers du maillage, o le milieu est homogne. Certains points de la grille ncessitent des
traitements particuliers, cest notamment le cas des interfaces entre deux dilectriques, des
murs lectriques ainsi que des murs magntiques.

Soient deux milieux dilectriques de permittivits lectriques
1
et
2
. Considrons le
cas o linterface entre les deux milieux contient les composantes tangentielles E
x
et E
y
du
champ lectrique. La composante normale H
z
du champ magntique ne subira aucune
modification. Les composantes tangentielles E
x
et E
y
seront calculs en utilisant la permittivit
moyenne () dfinie par :

1 2
2

+
= (II.21)

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Pour le traitement des surfaces parfaitement conductrices, les composantes
tangentielles du champ lectrique seront annules. Les composantes normales du champ
magntique ne ncessitent aucun traitement particulier, elles seront automatiquement annules
par les quations de la FDTD.
Dans le cas dun mur magntique, les composantes normales du champ lectrique
ainsi que les composantes tangentielles du champ magntique sont nulles. De la mme faon
que pour un mur lectrique, seules les composantes tangentielles du champ magntique seront
forces zro. Les composantes normales du champ lectrique seront annules par le calcul.

3.2. Critre de stabilit numrique
Pour viter les instabilits numriques, le pas temporel doit tre plus petit que le temps
de propagation de londe sur une maille FDTD. Le pas de discrtisation temporelle dt doit
vrifier lingalit (II.22) ci-dessous.

2
2 2
1
1 1 1
dt
c
dx dy dz
| |
| | | |
+ +
| | |
\ \
\
(II.22)

avec c = vitesse de la lumire dans le vide (~ 3.10
+8
m/s)

Ce critre de convergence est dfini dans le cas dun maillage uniforme. Toutefois, le
mme critre peut tre retenu dans le cas dun autre type de maillage orthogonal, tel que le
maillage non-uniforme par exemple.

Les paragraphes 3.3 3.10 expliquent comment la mthode FDTD a t adapte la
modlisation des circuits rectennas et dcrivent les principaux outils utiliss. Le calcul des
principaux paramtres dune ligne de transmission micro-ruban sera expos. Nous dcrivons
galement quelques types dexcitation dune ligne micro-ruban, les conditions absorbantes de
type UPML (Uniaxial Perfectly Matched Layer) et les diffrents types de maillage utiliss.
Par la suite, le formalisme du champ total/champ diffract ddi la gnration dune onde
plane sera rappel. Enfin, pour pouvoir modliser les lments localiss linaires et non
linaires, les quations classiques de la FDTD seront modifies. Cette partie sera dtaille
dans le paragraphe 3.9.

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3.3. Calcul des caractristiques lectriques dune ligne de transmission
Une ligne de transmission hyperfrquence est caractrise le plus souvent par son
impdance caractristique et ses paramtres de propagation. Ces paramtres sont fonction du
substrat utilis, de la frquence de travail et des dimensions de la ligne. Dans cette tude, nous
nous intresserons la ligne micro-ruban, car cest la plus utilise dans les circuits
hyperfrquences et cest celle que nous avons retenue pour ce travail de thse.
Considrons une ligne micro-ruban excite par une source de tension sur lun des deux
accs (figure II.4). Lautre accs tant adapt par une charge localis ou par des conditions
absorbantes ABC. Deux plans dobservation P
1
et P
2
, espacs dune distance L, sont placs le
long de la ligne et suffisamment loin de la source pour observer le rgime tabli.

Figure II. 4 : Caractrisation dune ligne micro-ruban avec la mthode FDTD

A partir des volutions temporelles du champ lectrique transverse dans les deux plans
P
1
et P
2
, la constante de propagation est calcule par lquation (II.23).

( )
( )
( )
( )
1 1
2 1 2 1
, ,
1 1
( ) ln ln
, ,
z z
z z
E y E y
y y E y L E y L

| | | |
= =
| |
+
\ \
(II.23)

( ) ( ) . ( ) j = + (II.24)

avec = constante de propagation
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= affaiblissement linique (Np/m)
= dphasage linique (rad/m)
w = frquence (rad/s)

Les autres paramtres de propagation de la ligne peuvent tre dduits partir du calcul
de la constante de propagation . La longueur donde, la vitesse de propagation et la
permittivit effective sont calcules par les quations suivantes :

2
( )
( )

= , longueur donde (II.25)

2
( ) ( )
( ) ( )
f
f

= = = , vitesse de propagation (II.26)

2
2
. ( )
( )
( )
eff
c c

| |
| |
= =
| |
\
\
, permittivit effective (II.27)

3.4. Calcul de limpdance
Sur une ligne de transmission hyperfrquence (figure II.5), et une fois que la tension V
et le courant I un point donn seront dtermins, limpdance est donne par lquation
suivante :

( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
TF V t V
Z
TF I t I
= = (II.28)

La mthode FDTD est capable de fournir les champs lectrique et magntique en tout
point de la grille et tout instant. Toutefois, pour calculer limpdance Z, il faut dterminer la
tension et le courant partir des composantes du champ lectromagntique. Les deux
quations (II.29) et (II.30) peuvent tre utilises.

( )
B
A
V t E dl =

(II.29)
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( )
C
I t H dl =
(II.30)

Les composantes du champ lectrique et du champ magntique calcules avec la
FDTD sont dcales dans le temps et dans lespace. Pour dterminer avec prcision
limpdance de la ligne dfinie par lquation (II.28), la tension V et le courant I doivent tre
calculs sur le mme plan et au mme instant. Cela impose une double moyenne spatio-
temporelle sur lune des deux grandeurs I ou V. La moyenne se fait gnralement sur les
composantes du champ magntique.

Figure II. 5 : Calcul du courant et de la tension en rgime temporel sur une ligne micro-ruban

3.5. Paramtres de rpartition dun circuit multiport
Les dispositifs hyperfrquences sont le plus souvent caractriss par la matrice de
rpartition S. Pour un circuit multiport (figure II.6), les paramtres S
m,n
sont calculs par
lquation (II.31).

0,
,
0,
( )
( , )
( , , )
( , ) ( )
n
m m
m n m n
n n m
Z
V x
S x x
V x Z

= (II.31)

avec V
i
(w, x
i
) : tension sur le port i au plan dobservation x
i

Z
0, i
: impdance caractristique associe au port i

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
71

Figure II. 6 : Paramtres S dun circuit microonde

3.6. Excitation
Pour alimenter une ligne de transmission ou tout autre circuit hyperfrquence, il faut
appliquer une diffrence de potentiel variant dans le temps entre deux conducteurs. Dans le
cas dune ligne micro-ruban, un champ lectrique est impos sur une partie ou sur la totalit
de la section au dessous de la ligne comme le montre la figure II.7. Il existe une autre
possibilit qui consiste modliser une source de tension localise, ventuellement avec
rsistance interne, entre la ligne et le plan de masse. Cette partie sera traite plus loin dans ce
chapitre. Des considrations similaires peuvent tre prises pour dautres types de lignes et
avec dautres technologies.

Figure II. 7 : Excitation dune ligne micro-ruban

En fonction du problme traiter, la tension U(t) peut prendre plusieurs formes
possibles. Pour une caractrisation large bande des circuits linaires, lexcitation la plus
adapte est la gaussienne. En effet, une gaussienne est limite dans le temps et son spectre est
facilement contrlable. En appliquant la transforme de Fourier sur la rponse temporelle du
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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s
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n

1

-

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b

2
0
1
1
72
systme, une caractrisation sur toute une bande de frquence peut tre obtenue. Pour tudier
un circuit un point de frquence, une excitation sinusodale reste suffisante.

3.7. Conditions absorbantes UMPL
La capacit de calcul des machines numriques tant limite, le maillage FDTD-3D
doit tre tronqu dans les trois directions. Pour simuler un espace libre infini autour de la
structure tudier et rduire ainsi les rflexions sur les murs, des conditions absorbantes aux
limites sont ncessaires. Plusieurs ABC (Absorbing Boundary Conditions) ont t
dveloppes dans la littrature et appliques la FDTD. Leurs caractristiques les plus
importantes sont: lefficacit, la complexit numrique et la flexibilit par rapport au type de
maillage. Pour notre part, nous avons choisi des conditions aux limites de type UPML
(Uniaxial Perfectly Matched Layer) [II.3]. Les UPML sont mathmatiquement quivalentes
aux conditions PML (Perfectly Matched Layer) dveloppes par J-P. Berenger [II.4].
Toutefois, contrairement aux PML o un ensemble dquations supplmentaires est introduit,
le concept UPML est bas sur un milieu maxwellien. Il a t montr dans [II.3] que
lalgorithme est stable, efficace et plus facile mettre en uvre que les conditions PML.
Le principe de la mthode est bas sur lintroduction dun matriau anisotrope
pertes. Afin de prvenir les problmes de dsadaptation entre le milieu isotrope et les couches
UPML (figure II.8), et rduire ainsi les rflexions, la conductivit de la couche UPML varie
graduellement tout au long de laxe normal z suivant lquation (II.32).

max 0
( )
m
m
z z
z
d

= (II.32)

o z
0
est linterface entre les couches UPML et le milieu isotrope, d est la profondeur des
couches UPML et m lordre de la variation polynomiale de la conductivit.
Les composantes du champ lectrique sont ensuite annules lextrmit du maillage
par une surface parfaitement conductrice (PEC).

S.D. Gedney a montr dans [II.3] quen choisissant de manire optimale les
paramtres de lquation (II.32), les couches UMPL peuvent tre correctement adaptes au
milieu isotrope de telle sorte que les rflexions soient minimises. La conductivit optimale
est donne par lquation (II.33).

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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n

1

-

9

F
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b

2
0
1
1
73
max
1
150 . .
opt
r
m
dz

+
= (II.33)

o
r
est la permittivit relative du milieu pertes.

Figure II. 8 : Conditions absorbantes UMPL

3.8. Excitation par une onde plane : formalisme du champ total/champ diffract
Le formalisme du champ total/champ diffract [II.5], [II.6] pour la gnration dune
onde plane arbitraire est bas sur la linarit des quations de Maxwell. En effet, le thorme
de superposition permet de dcomposer les champs lectrique et magntique comme suit:

tot inc scat
tot inc scat
E E E
H H H
= +
= +

(II.34)

Les composantes E
inc
et H
inc
reprsentent les champs incidents, ils sont supposs tre connus
en tout point de lespace. Les composantes E
scat
et H
scat
reprsentent les champs diffracts, qui
sont initialement inconnus. Ils rsultent de linteraction de londe plane incidente avec lobjet
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

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1

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b

2
0
1
1
74
diffractant (circuit rectenna dans notre cas). Les quations classiques de la FDTD sappliquent
de la mme manire pour les diffrentes composantes du champ lectromagntique : le champ
incident, le champ diffract et le champ total.
Lespace FDTD est dcompos en deux rgions spares par une surface virtuelle sur
laquelle sont implmentes les conditions de passage dune rgion lautre. La rgion 1, qui
se trouve lintrieur, est appele rgion du champ total. Le champ dans cette zone inclut les
champs incident et diffract. La structure tudier se trouve dans cette rgion comme le
montre la figure II.9. La rgion 2 se trouve lextrieur, elle est la rgion du champ diffract.
Cela signifie quil ny a pas de champ incident dans cette zone.

Figure II. 9 : Rgions du champ total et du champ diffract

Lapproche champ total/champ diffract est trs flexible quand la dfinition des
angles dincidence et de polarisation. Limplmentation des conditions de passage sur la
surface virtuelle sparant les deux rgions 1 et 2 est indpendante de la nature de la structure
tudier.
La gnration dondes planes arbitraires, par le formalisme du champ total/champ
diffract, combine aux conditions UPML reproduit le scnario dune mesure en rayonn
dun circuit microonde lintrieur dune chambre anchoque.

t
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0
0
5
6
4
5
9
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,

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2
0
1
1
75
3.9. Modlisation des lments localiss
La mthode FDTD traduit une discrtisation spatio-temporelle des quations de
Maxwell, elle prend en compte tous les phnomnes lectromagntiques (propagation,
rflexion, diffraction, couplage,) dans un circuit lectronique. Cependant, sa formulation de
base ne peut pas intgrer des lments localiss dans le volume de calcul. En effet, la FDTD
est base sur un calcul itratif des composantes du champ lectrique E et du champ
magntique H, alors que les lments localiss linaires ou non linaires sont modliss par
des quations lectriques de type tension-courant (VI). Lenjeu est dtendre la mthode aux
lments localiss. Une solution consiste crer une passerelle entre lalgorithme FDTD et un
simulateur circuit intgrant des bibliothques de composants, tel que SPICE. Lavantage de
cette technique est la disponibilit de modles prcis et complets de toute une gamme de
composants. Toutefois, les allers retours entre la mthode FDTD et le simulateur circuit
(SPICE) chaque itration augmentent considrablement les temps de calcul. Une autre
solution consiste introduire une modification directement sur les quations FDTD pour
permettre la simulation des lments localiss. La formulation FDTD tendue a t rapporte
initialement par Sui et al. [I.7] pour des problmes de modlisation en 2D. Cette solution a
permis danalyser des circuits actifs et non linaires tels que : des amplificateurs microondes
[II.8], [II.9] avec des lments dadaptation distribus et des lments actifs, des oscillateurs
[II.10], une antenne active avec des diodes Gunn [II.11], des dispositifs actifs avec botier
[II.12], des diodes Schottky avec botier [II.13], un systme de transport dnergie sans fil
[II.14],
Le point de dpart est lquation de Maxwell-Ampre, le principe consiste ajouter un
terme de densit de courant J
L
aux densits de courant de dplacement et de conduction dans
le terme gauche de lquation (II.2). J
L
tant le courant qui circule travers llment
localis.

C L
E
H J J
t

= + +

(II.35)

Les termes de courant J
C
et J
L
sont calculs aux instants n+1/2, tandis que les composantes du
champ lectrique sont calcules aux instants n. Pour viter que lalgorithme ne diverge, il faut
effectuer des moyennes temporelles sur les courants. Commenons tout dabord par la densit
de courant de conduction. Llment localis est orient suivant laxe z.
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
76
1
1/2 1/2
( , , ) ( , , )
( , , ) . ( , , ) .
2
n n
n n
z z
c z
E i j k E i j k
J i j k E i j k
+
+ +
| | +
= =
|
\
(II.36)

La relation entre la densit de courant J
L
et le courant de llment localis I
L
est donne par
lquation (II.37).

1/2
1/2
( , , )
( , , )
n
n
L
L
I i j k
J i j k
dxdy
+
+
= (II.37)

La discrtisation de lquation (II.35) donne :

1 1/2
1/2
1
2
( , , ) ( , , ) . ( , , )
1 1
2 2
( , , )

1
2
n n n
z z z
n
L
dt dt
E i j k E i j k H i j k
dt dt
dt
I i j k
dt
dxdy
+ +
+
| | | |
| |
= +
| |
| | + +
\ \
| |
|

|
| +
\
(II.38)

o

1/ 2 1/ 2
1/ 2 1/ 2
1/ 2
( 1, , ) ( , , )
( , 1, ) ( , , )
( , , )
n n
n n
y y n
x x
z
H i j k H i j k
H i j k H i j k
H i j k
dx dy
+ +
+ +
+
+
+
=
| |
|
\

(II.39)
Pour simplifier les quations, nous supposerons que llment localis se situe en espace libre
( =
0
, = 0). Lquation (II.38) devient:

1 1/2 1/2
0 0
( , , ) ( , , ) ( , , ) ( , , )
n n n n
z z z L
dt dt
E i j k E i j k H i j k I i j k
dxdy
+ + +
= + (II.40)

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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i
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n

1

-

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2
0
1
1
77
3.9.1. Elments localiss linaires
Nous traiterons dans cette partie linsertion des lments localiss linaires dans un
maillage FDTD. La modlisation dun gnrateur de tension avec rsistance interne sera
galement aborde. Nous considrerons dans cette tude que llment localis occupe une
seule maille. Toutefois, il est possible de dfinir un lment localis linaire sur plusieurs
mailles.

3.9.1.1. Rsistance
Considrons une rsistance R en espace libre (figure II.10). Le courant lectrique I
z
qui circule
dans R est donn par (II.41).

( )
1/2
1/2 1
( , , ) ( , , ) ( , , )
2
n
n n n
z
z z z
V dz
I i j k E i j k E i j k
R R
+
+ +
= = + (II.41)

Figure II. 10 : Insertion dune rsistance localise dans une grille FDTD

Remplacer (II.41) dans (II.40) donne lquation (II.42).

1 1/2
0 0
0 0
1
2
( , , ) ( , , ) . ( , , )
1 1
2 2
n n n
z z
dtdz dt
R dxdy
dtdz dtdz
R dxdy R dxdy

+ +
| | | |
| |
| | = +
| |
+ +
| |
\ \
(II.42)

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
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1

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2
0
1
1
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3.9.1.2. Gnrateur de tension avec rsistance interne
Pour une source de tension V
S
munie dune rsistance interne R
S
, le courant lectrique scrit :

( )
1/2
1/2 1
( , , )
( , , ) ( , , ) ( , , )
2
n
n n n
s
z z z
s s
dz V i j k
R R
+
+ +
= + + (II.43)

Lquation FDTD qui modlise le gnrateur de tension (V
S
, R
S
) est donne par (II.44).

1 1/2
0 0
0 0
1/2
0
0
1
2
( , , ) ( , , ) . ( , , )
1 1
2 2
. ( , , )
1
2
n n n
s
z z
s s
n
s
s
s
dtdz dt
R dxdy
dtdz dtdz
R dxdy R dxdy
dt
R dxdy
V i j k
dtdz
R dxdy

+ +
+
| | | |
| |
| | = +
| |
+ +
| |
\ \
| |
|
| +
|
+
|
\

(II.44)

3.9.1.3. Capacit localise
Le courant qui traverse une capacit C sexprime comme suit:

( )
1/ 2 1
( , , ) ( , , ) ( , , )
n n n
z z z
Cdz
dt
+ +
= (II.45)

Remplacer (II.45) dans lquation (II.40) donne (II.46).

1 1/2
0
0
( , , ) ( , , ) . ( , , )
1
n n n
z z
dt
Cdz
dxdy
+ +
| |
|
| = +
|
+
|
\
(II.46)

3.9.1.4. Inductance localise
Le courant qui circule travers une inductance L est donn par (II.47).

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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r
s
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-

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2
0
1
1
79
1/2
1
( , , ) ( , , )
n
n m
z z
m
dzdt
I i j k E i j k
L
+
=
=

(II.47)

Lquation FDTD qui rgit linductance localise L est donne par (II.48).

2
1 1/2
1
0 0
( , , ) ( , , ) . ( , , ) ( , , )
n
n n n m
z z z
m
dt dzdt
E i j k E i j k H i j k E i j k
Ldxdy
+ +
=
= +
(II.48)

3.9.2. Elment localis non-linaire: la diode Schottky
La diode Schottky reprsente llment le plus important dune rectenna, il est
important de la modliser correctement. Son modle lectrique quivalent [II.15] est montr
sur la figure II.11. Il contient une source de courant non linaire I
d
, une capacit non linaire
C
d
et une rsistance srie R
s
. Ce modle peut tre utilis aussi bien en faible niveau de
puissance quen forte puissance. Toutefois, ce modle ne tient pas compte de la tension
inverse de claquage (B
V
) de la diode. Le botier de la diode est modlis par une inductance
parasite L
p
et une capacit parasite C
p
. Pour simplifier le modle FDTD de la diode, nous la
modliserons sur trois mailles. Une maille pour la diode sans botier et les deux autres mailles
pour les lments parasites L
p
et C
p
. Nous nous contenterons, dans cette partie, de dcrire le
modle de la diode sans les lments parasites du botier.

Figure II. 11 : Modle lectrique dune diode Schottky avec botier

La source de courant non linaire I
d
dpend de la tension V
d
ses bornes, elle sexprime par :
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
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1

-

9

F
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b

2
0
1
1
80

1
d
q V
N k T
d s
I I e
| |
|
\
| |
= |
|
\
(II.49)

avec I
s
= courant de saturation (A)
N = coefficient dmission
q = charge de l'lectron (1.6 10
-19
C)
T = temprature (K)
k = constante de Boltzmann (1.3806504 10
-23
J.K
-1
)

La capacit non linaire C
d
dpend galement de la tension V
d
ses bornes, elle reprsente les
effets de stockage de charge de la jonction. Il existe deux dfinitions de C
d
suivant que la
jonction est polarise en direct ou en inverse. En polarisation inverse, la capacit scrit:

0
1
M
d
d j
B
V
C C
P
| |
=
|
\
(II.50)

avec C
j0
= capacit de jonction polarisation nulle (F)
P
B
= potentiel de jonction (V)
M = coefficient de variation de jonction

En polarisation directe, la capacit C
d
est fonction du temps de transit tt qui est suppos tre
nul. Elle s'crit comme suit:

d
q V
N k T s
d
I q
C tt e
N k T
| |
|
\
= (II.51)

Pour pouvoir insrer le modle lectrique de la diode Schottky dans lalgorithme de calcul
lectromagntique FDTD, il faut rsoudre le systme dquations (II.52).

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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s
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1

-

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b

2
0
1
1
81

0
1
d
d s
d
d d
q V
N k T
d s
V V R I
V
I I C
t
I I e
E
H J
t
| |
|
\
= +
= +

| |
= |
|
\

= +

(II.52)

O J est la densit surfacique de courant qui traverse la diode.
Un modle simplifi dune diode Schottky, comportant uniquement la source de
courant non linaire I
d
(figure II.11), a t rapport dans [II.2]. Les lments parasites (R
S
et
C
d
) de la diode ne sont pas pris en compte dans le calcul du modle FDTD de la diode.
La discrtisation et la rsolution du systme dquations (II.52) aboutit lquation non
linaire (II.53) rsoudre numriquement par une mthode de linarisation telle que Newton-
Raphson [II.16].

1
3
. 1
1 2
.
n
z
E n
z
E e

+
+
= + (II.53)

Les coefficients
1
,
2
et
3
sont dfinis par les quations (II.54) (II.56).

1/2 2
1
0
(2 ) 2
(2 )
n n
n
d s s s d
z
d d s
dtdxdy C R dt H dt I dtR C I
E
C dzdt dxdy C R dt
+
+ +
= +
+ +
(II.54)

( )
1/ 2 0
2
2
2
2
0

(2 )
n n s
z s
dtdz R dxdy q
E R dxdy H
N k T dt
s
s d d
dt I e
C dzdt dxdy C R dt
+
(
| |
( |
( \

=
+ +
(II.55)

0
3
2

2
s
q dzdt R dxdy
N k T dt
+
| |
=
|
\
(II.56)

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

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1

-

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2
0
1
1
82
3.10. Maillage FDTD
La prcision des rsultats FDTD dpend directement de la qualit de la discrtisation
spatiale des quations de Maxwell. En effet, plus le maillage est fin plus les rsultats sont
prcis. Toutefois, il nest pas tout le temps possible de mailler de manire fine partout cause
des limitations de calcul et de mmoire dont disposent les systmes de calcul numriques. En
fonction du circuit analyser, de ses dimensions et de la prcision souhaite, diffrents types
de maillage peuvent tre utiliss. Pour les circuits o les dimensions des diffrents
composants sont du mme ordre de grandeurs, le maillage uniforme est le plus appropri
[II.5], [II.17]. Pour des problmes o le besoin de mailler plus finement dans une ou plusieurs
volumes particuliers se prsente, le sous maillage peut tre utilis [II.18], [II.19]. Lorsque les
dimensions de la structure varient beaucoup, comme pour une rectenna, le maillage non-
uniforme [II.5], [II.20] est plus adapt. Dautres types de maillages ont t dvelopps pour
analyser des structures particulires [II.5]. La figure II.12 montre les deux maillages
orthogonaux, uniforme et non-uniforme, retenus dans le cadre de ce travail de thse.

(a)

(b)
Figure II. 12 : Maillages FDTD. (a) Uniforme. (b) Non uniforme.
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

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2
0
1
1
83
4. Conclusion
Dans ce chapitre, les diffrents outils de simulation numriques utiliss ont t dcrits.
La co-simulation harmonic balance/Momentum permet de simuler et doptimiser le circuit de
conversion RF-DC avec prcision. Toutefois, cette mthode ne permet pas danalyser la
rectenna dans sa totalit. Pour y remdier, un outil de simulation globale bas sur la mthode
FDTD a t dvelopp. Cette mthode permet de reproduire une mesure en rayonn de la
rectenna lintrieur dune chambre anchoque, elle prdit avec plus de prcision la sortie
DC de la rectenna.
Les deux outils HB+Momentum et la FDTD sont complmentaires. Le premier est
ddi la conception et loptimisation du circuit de conversion et le second lanalyse de la
rectenna complte.
Nous prsenterons dans le chapitre suivant trois circuits de conversion RF-DC 2.45
GHz en technologie micro-ruban. Le premier circuit est une structure diode srie, associant
un filtre HF en lments distribus. Les deux autres circuits sont des convertisseurs RF-DC
rjection dharmoniques. Ils prsentent certaines proprits qui les rendent attrayants pour des
applications de tl-alimentation. En effet, ils ne ncessitent pas de filtre HF dentre et de
vias de retour la masse. De plus, la tension de sortie DC se mesure en diffrentiel sur la
mme face du circuit et sans contact avec le plan de masse.

t
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0
0
5
6
4
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6
,

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1
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84

[II.1] ADS documentation, http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/ads2006/ads2006.html

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Chapitre III
Conception et optimisation de circuits
de conversion RF-DC 2.45 GHz
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Chapitre III Conception et optimisation de circuits de conversion RF-DC 2.45 GHz
89
Chapitre III
Conception et optimisation de circuits de
conversion RF-DC 2.45 GHz

1. Introduction
Nous proposons dans ce chapitre la conception, loptimisation et lanalyse de trois
circuits de conversion RF-DC en technologie micro-ruban 2.45 GHz. Le premier circuit est
une structure conventionnelle base dune diode Schottky HSMS 2860 monte en srie. Les
deux autres circuits sont plus innovants et plus compacts. Ils ne contiennent ni filtre dentre
HF ni vias de retour la masse. Le premier circuit est en pont modifi quatre diodes
Schottky et le second est base de seulement deux diodes.
La simulation et loptimisation de ces circuits ont t effectues sous ADS avec un
couplage entre harmonic balance et momentum. Avant ltape doptimisation, des tudes
paramtriques ont t conduites afin de dterminer la sensibilit du rendement de conversion
vis--vis de certains paramtres importants et plus particulirement, la charge (R
L
), les
paramtres de la diode (R
S
, C
j0
), la capacit du filtre DC, les sections de lignes, . Les
rsultats qui ressortent de cette tude nous ont permis de faire certains choix et de simplifier le
processus doptimisation.
Pour amliorer les rendements de ces circuits, il est important de localiser les
diffrentes sources de pertes et de tenter de les minimiser. Un bilan de puissance, regroupant
la puissance continue transmise la charge, les pertes dans la ou les diodes et les pertes par
dsadaptation, a t calcul. Les puissances normalises des premiers harmoniques, au niveau
du gnrateur et aux bornes de la charge, ont t galement dtermines afin destimer les
pertes engendres par ces harmoniques et la qualit des filtres HF et DC.
Les circuits optimiss ont t raliss et caractriss exprimentalement au laboratoire.
Un banc de mesure en conduit a t mont et utilis, il sera prsent dans ce chapitre. Trois
types de mesures ont t effectus, des mesures de la tension DC en fonction de la frquence,
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de la puissance dentre et de la charge. Les rsultats obtenus exprimentalement seront
systmatiquement compars ceux simuls.
Les deux circuits innovants prsentent des performances, en termes de rendement,
comparables celles du circuit srie. Toutefois, ces deux circuits prsentent des avantages par
rapport au circuit srie. En effet, ils ne contiennent ni filtre dentre HF ni vias de retour la
masse. La mesure de la tension DC se fait en diffrentiel sur la mme face du circuit et sans
contact avec le plan de masse. A charge constante, ils permettent de convertir une puissance
P
RF
qui est, thoriquement, quatre fois celle du circuit srie. Ces deux structures sont plus
compactes, et faibles cots. Le circuit srie occupe une surface de 44.65 cm, alors que les
deux autres circuits ont des surfaces de 15.5 et 11.2 cm.

2. Circuit de conversion en topologie srie
Le premier circuit dvelopp [III.1]-[III.2] est en topologie srie (figure III.1), il
contient une diode Schottky HSMS 2860 [III.3] qui prsente une faible capacit de jonction
C
j0
(0.18 pF), une faible rsistance srie R
S
(5 ) et une tension inverse de claquage B
V
de 7
V. Les autres paramtres du modle lectrique quivalent de la diode sont donns dans le
tableau III.1. Le circuit est aliment par une ligne micro-ruban dimpdance caractristique de
50 , il a t grav sur le substrat RT/Duroid 5880 (
r
= 2.2, h = 1.575 mm, tan = 0.0009).
Deux filtres HF et DC ont t utiliss de part et dautre de la diode afin de confiner
tous les harmoniques gnrs. Le filtre HF est un passe bas en lments distribus, form
dune inductance srie et dune capacit parallle. Il a t dimensionn pour laisser passer le
signal 2.45 GHz et bloquer tous les autres signaux harmoniques. Sa frquence de coupure
est comprise entre la frquence fondamentale et le premier harmonique. Le filtre DC est
constitu dune capacit CMS (Composant Mont en Surface) de 33 pF appuye par un stub
radial de 14.2 mm qui stoppe la frquence 2.45 GHz.
Un stub quart donde en court circuit (paragraphe 2.2.3) est introduit juste avant le
filtre HF, il ramne un circuit ouvert 2.45 GHz sur la ligne dalimentation de 50 . Cela
assure un circuit ferm pour la composante DC du courant, tant donn quelle ne peut passer
travers le gnrateur.
Dans un premier temps, la simulation et loptimisation du circuit srie ont t
effectues avec le simulateur harmonic balance, comme le montre la figure III.1. Des
lments circuit comme des sections de lignes, des transitions, des gaps, des vias, ont t
utiliss. Les couplages possibles entre les diffrents lments ne sont pas pris en compte.
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Lobjectif principal du processus doptimisation est le rendement de conversion. Les autres
objectifs comme ladaptation, la rjection des harmoniques, lisolation de la charge, sont
lis au rendement de conversion, ils sont pris en compte de manire automatique. Deux
mthodes doptimisation ont t introduites : une mthode alatoire Random suivie dune
mthode itrative Gradient. Les paramtres importants optimiser sont : la charge R
L
, le
filtre dentre HF et le tronon de ligne entre la diode et la capacit CMS du filtre DC.
Dans un second temps, la partie distribue du circuit optimis est simule sous
momentum. Laccs dalimentation 50 ainsi que les points de connexion des composants
localiss et des vias sont remplacs par des ports dexcitation. Un modle en paramtre S est
ensuite gnr et export. HB utilise le modle en matrice S de la partie distribue et les
modles lectriques des composants localiss afin deffectuer une analyse globale
lectromagntique-circuit (figure III.2). Le passage de HB vers HB+Momentum se traduit
souvent par une diminution du rendement, qui peut tre considrable selon les cas. Pour tenter
dy remdier, certains paramtres ncessitent dtre r-optimiss.

(a) : Simulation du circuit srie sous Harmonic Balance

(b) : Schma quivalent du circuit srie
Figure III. 1 : Circuit de conversion srie
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Paramtre Unit Valeur
Tension inverse de claquage B
V
V 7
Capacit de jonction polarisation nulle C
j0
pF 0.18
Courant de saturation I
S
A 5 10
-8

E
g
eV 0,69
Coefficient dmission N 1.08
Rsistance srie R
s
5
Potentiel de jonction P
b
V 0.65
P
t
2
Coefficient de variation de jonction M 0.5

Tableau III. 1 : Paramtres lectriques de la diode HSMS 2860

Figure III. 2 : Co-simulation HB + Momentum du circuit srie

2.1. Etude du filtre dentre HF
Le filtre passe bas [III.4] lentre du circuit srie est constitu dune inductance srie
L et dune capacit parallle C. Sa frquence de coupure f
c
est dfinie par:

1
2
c
f
LC
= (III.1)

Le rle de ce filtre est double, il bloque les harmoniques gnrs par la diode et il
assure ladaptation entre le circuit de conversion et le gnrateur RF (antenne). La frquence
de coupure -3 dB du filtre doit tre comprise entre les frquences 2.45 et 4.9 GHz, elle est
de 3.7 GHz. Elle est choisie de telle sorte ne pas introduire dattnuation 2.45 GHz.
La figure III.3 nous expose le schma dadaptation du circuit de conversion. Pour
transfrer le maximum de puissance entre le gnrateur (antenne) et la diode, il est impratif
dassurer une adaptation conjugue des impdances de part et dautres du filtre.
Mathmatiquement, cela se traduit par le systme dquations (III.2).
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*
1 2
*
3 4

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e e
Z Z
Z Z
=
(III.2)

Figure III. 3 : Schma dadaptation dun circuit de conversion srie

Le filtre HF peut tre conu et optimis avec des accs adapts sur une impdance
relle Z
c
(50 par exemple). Dans ce cas, le circuit de conversion, sans le filtre, doit dj tre
adapt sur Z
c
(50 ). Cette solution est contraignante, elle ncessite lintroduction dun
dispositif dadaptation supplmentaire entre le circuit et le filtre. La solution que nous avons
retenue pour ce circuit consiste inclure le filtre HF dans le processus doptimisation du
circuit global, il est directement adapt sur limpdance dentre (gnralement complexe) du
dispositif diode.
Pour raliser ce filtre, des lments localiss ou distribus peuvent tre utiliss, la
technologie distribue a t retenue. Le passage des valeurs des lments localiss L et C aux
sections de lignes quivalentes sera dcrit dans cette partie. Les lments quasi-localiss les
plus utiliss seront prsents.

2.2. Elments quasi-localiss en technologie micro-ruban
Pour approcher les lments localiss des filtres [III.4], des sections de lignes de
longueurs infrieures au quart donde et des stubs en circuit ouvert ou en court circuit sont le
plus souvent utiliss.

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2.2.1. Section de ligne forte impdance
Une petite section de ligne sans pertes ( = 0 Np/m) et forte impdance Z
c
, termine
ses extrmits par deux lignes dimpdance caractristique Z
0
, peut tre reprsente par une
cellule en comme le montre la figure III.4.

Figure III. 4 : Modle lectrique quivalent dune ligne forte impdance [daprs III.4]

Le modle lectrique quivalent du tronon de ligne forte impdance Z
c
est dcrit par :

2
sin
c
g
x Z l
| |
=
|
|
\
(III.3)
1
tan
2
c g
B
l
Z
| |
=
|
|
\
(III.4)

avec l = longueur du tronon de ligne (m)

g
= longueur donde guide (m)

Dans le cas o l <
g
/ 8, nous pouvons effectuer les approximations (III.5) et (III.6) suivantes:

2
c
g
x Z l
| |
|
|
\
(III.5)
1
2
c g
B
l
Z
| |
|
|
\
(III.6)

Si Z
c
>> Z
0
, alors les deux capacits parallles peuvent tre ngliges et la cellule en se
rsume une inductance srie.
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2.2.2. Section de ligne faible impdance
Cest le cas dual dune ligne forte impdance. Une section de ligne faible
impdance Z
c
termine par deux lignes dimpdance caractristique Z
0
peut tre reprsente
par une cellule en T comme le montre la figure III.5.

Figure III. 5 : Modle lectrique quivalent dune ligne faible impdance [daprs III.4]

Le circuit lectrique quivalent est constitu dune capacit parallle et de deux inductances
srie. Elles sont dfinies par :

1 2
sin
c g
B l
Z
| |
=
|
|
\
(III.7)
tan
2
c
g
x
Z l
| |
=
|
|
\
(III.8)

Pour une longueur l <
g
/ 8, les approximations (III.9) et (III.10) peuvent tre effectues.

1 2
c g
B l
Z
| |
|
|
\
(III.9)
2
c
g
x
Z l
| |
|
|
\
(III.10)

De la mme manire que pour une ligne forte impdance, si Z
c
<< Z
0
la cellule en T se
rsume une capacit parallle. Les deux inductances srie peuvent, dans ce cas, tre
ngliges.

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2.2.3. Stubs ouvert et en court circuit
Un stub ouvert en ligne micro-ruban sans pertes est quivalent une capacit monte
en parallle. De manire similaire, un stub en court circuit est quivalent une inductance en
parallle comme lexpose la figure III.6.

(a) (b)
Figure III. 6 : Modle lectrique quivalent dun: (a) stub ouvert. (b) stub en court circuit. [daprs III.4]

Daprs la thorie des lignes de transmission, ladmittance dentre Y
in
dun stub
ouvert est donne par lquation (III.11).

2
tan
in c
g
Y jY l
| |
=
|
|
\
(III.11)

avec l = longueur du stub (m)
Y
c
= admittance caractristique de la ligne (
-1
)

Pour une longueur l <
g
/ 8, lapproximation (III.12) peut tre utilise.

2
in c
g
Y jY l
| |
|
|
\
(III.12)

Pour le cas dual, limpdance dentre Z
in
dun stub en court circuit est dfinit
par lquation (III.13).

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2
tan
in c
g
Z jZ l
| |
=
|
|
\
(III.13)

Cette impdance dentre est inductive si l <
g
/ 4, et dans le cas o l <
g
/ 8,
lapproximation (III.14) peut tre effectue.
2
in c
g
Z jZ l
| |
|
|
\
(III.14)

2.3. Circuit final optimis
Le circuit srie final optimis est montr sur la figure III.7 et ses dimensions sont
donnes dans le tableau III.2.

Figure III. 7 : Circuit srie final optimis

L
1
L
2
L
3
L
4
L
5
L
6
L
7
W
1
Longueur Largeur
19.0 10.8 5.95 6.40 5.0 10.4 14.2 4.8 82 95.0 47.0

Tableau III. 2 : Dimensions du circuit srie (en mm)

2.4. Simulations ADS et tudes paramtriques
Nous prsentons dans cette partie les rsultats obtenus par simulation. Linfluence de
certains paramtres du circuit sur le rendement de conversion sera dtermine travers des
tudes paramtriques. Il est noter que lorsquun paramtre varie, tous les autres paramtres
sont optimaux (R
L
= 1050, C = 33 pF, L
6
= 10.4 mm, R
S
= 5 et C
j0
= 0.18 pF).
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La complexit du circuit de conversion vient du fait que tous ses blocs constitutifs sont
lis. Loptimisation dun tel circuit doit tre considre dans son ensemble. Des tudes sur la
sensibilit du rendement vis--vis de certains paramtres ont t effectues afin de pouvoir
faire des choix sur les composants et rduire les temps doptimisation.
Lefficacit de la diode change en fonction de la tension applique ses bornes, donc
en fonction de la puissance dentre P
RF
. Cependant, cette efficacit est limite par la
gnration dharmoniques dordre suprieur. Elle dcroit rapidement ds que la tension aux
bornes de la diode atteint la tension inverse de claquage B
V
. La puissance P
RF
critique, partir
de laquelle la tension de sortie DC est limite, est donne par lquation (III.15).

2
4
critique
V
RF
L
B
P
R
= (III.15)

Le rendement de conversion RF-DC () est dfini comme tant le rapport entre la
puissance DC prleve aux bornes de la charge R
L
et la puissance P
RF
maximale que le
gnrateur dbite sur une charge adapte (50 ).

2

DC L
RF L RF
P U
P R P
= = (III.16)

avec P
DC
= puissance DC aux bornes de la charge R
L

U
L
= tension DC de la charge

Les principaux paramtres tudis sont : la charge R
L
, la capacit du filtre DC, la
section de ligne entre la diode et la capacit CMS du filtre DC, la rsistance srie R
S
et la
capacit de jonction C
j0
de la diode.

2.4.1. La charge R
L

La figure III.8 montre la variation du rendement en fonction de la charge pour des
puissances dentre allant de -10 10 dBm par pas de 5 dBm. La charge varie de 100 20
k. Les rsultats montrent que le rendement est maximal autour dune valeur de charge
optimale qui est de 1 k. La charge R
L
modifie limpdance de la diode et contribue
ladaptation du circuit. Pour des valeurs de charge importantes, la puissance dentre atteint
une valeur critique partir de laquelle les effets de B
V
commencent se manifester, selon
lquation (III.15), et le rendement diminue.
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20
30
40
50
60
70
80
Charge (K)
R
e
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d
e
m
e
n
t

(
%
)
10 dBm
5 dBm
0 dBm
5 dBm
10 dBm

L

2.4.2. La capacit CMS du filtre DC
Linfluence de la capacit du filtre DC sur le rendement de conversion est expose sur
la figure III.9. Ltude a t effectue sur la plage de puissance de -10 10 dBm. Dans cette
partie de ltude, les simulations ont t effectues sans le stub radial (L
7
, ). Nous avons
gard seulement la capacit localise CMS. Les rsultats montrent qu partir dune certaine
valeur de la capacit, le rendement demeure constant. Pour des valeurs de capacit trs
faibles, la charge R
L
nest pas correctement isole et des harmoniques plus au moins
importants apparaissent ses bornes, ce qui augmente les pertes et dgrade le rendement.

0 20 40 60
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Capacit DC (pF)
R
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n
d
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m
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n
t

(
%
)
10 dBm
5 dBm
0 dBm
5 dBm
10 dBm

Figure III. 9 : Rendement en fonction de la capacit du filtre DC
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
100
2.4.3. La ligne L
6
entre la diode et le filtre DC
La figure III.10 nous montre linfluence sur le rendement de la ligne L
6
entre la diode
et la capacit CMS du filtre DC. Ltude a t effectue pour les puissances RF de -10, 0, 10
et 12 dBm. Les courbes obtenues montrent quil existe une longueur optimale pour laquelle le
rendement atteint son maximum. Cette longueur optimale est de 10.4 mm 10 dBm, elle ne
dpend pas de la puissance P
RF
. Cette section de ligne L
6
contribue ladaptation du circuit
srie, elle ramne une impdance imaginaire au niveau de la diode et compense sa ractance.

2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
L (mm)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

d
e

c
o
n
v
e
r
s
i
o
n

(
%
)
10 dBm
0 dBm
10 dBm
12 dBm

Figure III. 10 : Rendement en fonction de la ligne L
6

2.4.4. La rsistance srie R
s
de la diode HSMS 2860
La rsistance srie R
s
de la diode modlise les pertes par effet Joule. Son influence sur
le rendement du circuit srie est montre sur la figure III.11. Les courbes obtenues pour les
puissances comprises entre -10 et 10 dBm montrent que les pertes dans R
s
se rpercutent
directement sur le rendement. Pour obtenir un bon rendement, la diode doit prsenter la
rsistance srie la plus faible possible.

2.4.5. La capacit C
j0
de la diode HSMS 2860
Intressons nous maintenant la capacit de jonction polarisation nulle C
j0
de la
diode. La figure III.12 montre la variation du rendement en fonction de C
j0
sur la plage allant
de 0 pF 1 pF. Nous remarquons que le rendement diminue lorsque C
j0
augmente. En effet,
lefficacit de la diode augmente avec la tension directe ses bornes et atteint son maximum
lorsque cette tension est proche de B
V
. Daprs lquation (II.50), cela correspond une
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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n

1

-

9

F
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b

2
0
1
1
101
capacit de jonction C
d
proche de zro. Cela montre limportance de choisir une diode qui
prsente une surface de jonction (C
j0
) la plus petite possible.
La diode HSMS 2860 a t choisie, en partie, sur la base des tudes menes sur R
s
et
C
j0
. Elle prsente une faible rsistance srie R
s
(5 ) et une faible capacit de jonction C
j0

(0.18 pF) et son cot est faible.

0 5 10 15 20 25 30
10
20
30
40
50
60
70
80
Rs ()
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
10 dBm
5 dBm
0 dBm
5 dBm
10 dBm

Figure III. 11 : Rendement en fonction de la rsistance srie (R
s
) de la diode

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Cj0 (pF)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
10 dBm
5 dBm
0 dBm
5 dBm
10 dBm

Figure III. 12 : Rendement en fonction de la capacit de jonction (C
j0
) de la diode

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
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2
0
1
1
102
2.4.6. Adaptation du circuit (S
11
)
Le paramtre S
11
du circuit srie a t simul avec LSSP (Large Signal S-Parameter).
Ce simulateur tient compte des non linarits de la diode, il combine HB et SP (S-Parameter).
La figure III.13 montre le niveau dadaptation du circuit sur la bande de frquence allant de 2
3 GHz, pour les quatre puissances : -10, 0, 10 et 12 dBm. Les rsultats montrent une bonne
adaptation du circuit sur une bande troite. En fonction de P
RF
, la meilleure adaptation nest
pas obtenue tout le temps la mme frquence de 2.45 GHz. Cela sexplique par limpdance
de la diode qui dpend de la tension ses bornes, donc de P
RF
, et qui modifie par consquent
ladaptation, ce qui complique davantage la conception et loptimisation de ce type de
circuits.

2 2.2 2.4 2.6 2.8 3
35
30
25
20
15
10
5
0
Frquence (GHz)
S
1
1

(
d
B
)
10 dBm
0 dBm
10 dBm
12 dBm

Figure III. 13 : S
11
du circuit srie en fonction de la frquence

2.4.7. Bilan de puissance
Pour tenter damliorer les performances des circuits de conversion RF-DC, il nous
parait important de dterminer les diffrentes sources de pertes existantes et dessayer de les
minimiser. Les sources de pertes dans un circuit de conversion sont les suivantes: les pertes
dans la ou les diodes, les pertes par dsadaptation, les pertes dans le substrat, les pertes par
conduction dans les lignes de transmission, les pertes dans les lments localiss CMS, les
pertes par couplage et par rayonnement,
Le bilan de puissance qui suit sera limit ltude de la puissance continue transmise
la charge, des pertes dans la diode ainsi que des pertes par dsadaptation. Les pertes sur les
harmoniques gnrs par la diode seront galement dtermines et analyses. Elles sont lies
t
e
l
-
0
0
5
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4
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9
6
,

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r
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9

F
e
b

2
0
1
1
103
la qualit des deux filtres HF et DC. Les autres sources de pertes sont supposes tre faibles
et restent difficiles valuer pour la plupart dentres elles.

Pertes dans la diode
Les pertes dans la diode P
diode
seront dtermines partir des grandeurs tension-
courant. Elles peuvent tre calcules dans le domaine temporel par lquation (III.17).

0
1
( ) ( )
T
diode d d
P v t i t dt
T
=
(III.17)

avec v
d
= tension aux bornes de la diode (V)
i
d
= courant qui traverse la diode (A)
T = priode (s)

Comme harmonic balance est une mthode frquentielle, laccs aux grandeurs spectrales est
plus naturel. Les pertes peuvent tre calcules en utilisant lquation (III.18).

( )
0 0
1
1
cos
2
N
V I
diode j j j j
j
P V I V I
=
= +
(III.18)

avec N = nombre dharmoniques considrs
V
j
= amplitude maximale de lharmonique j de la tension
I
j
= amplitude maximale de lharmonique j du courant

j
V
= phase de lharmonique j de la tension

j
I
= phase de lharmonique j du courant

Les pertes par dsadaptation sont calcules directement partir du paramtre S
11
,
simul par LSSP. Le rendement de conversion est donn par lquation (III.16).

Niveaux des harmoniques
Le niveau des harmoniques lentre du circuit et aux bornes de la charge traduisent
la capacit des deux filtres HF et DC confiner ces harmoniques autour de la diode. Le
t
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0
0
5
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9
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2
0
1
1
104
tableau III.3 montre le niveau de ces harmoniques, normalis par rapport la puissance
dentre.
Les premiers harmoniques sont correctement filtrs lentre du circuit avec un
niveau infrieur -22 dB par rapport la puissance P
RF
2.45 GHz. Ltude sera restreinte
aux trois premiers harmoniques. Les rsultats obtenus montrent que la charge R
L
est
correctement isole, avec des harmoniques infrieurs -33 dB.

Entre du circuit Aux bornes de R
L

Harmonique (GHz) 4.9 7.35 9.8 2.45 4.9 7.35 9.8
Puissance (dB) -22 -24 -24 -33 -34 -37 -46

Tableau III. 3 : Niveau des harmoniques lentre et aux bornes de la charge

Le bilan de puissance du circuit srie est trac sur la figure III.14. Ltude a t faite
2.45 GHz avec une charge optimale de 1050 , et toutes les donnes sont exprimes sous
forme dun pourcentage de la puissance dentre.

10 5 0 5 10 15
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Puissance RF (dBm)
(
%
)
Rendement
Pertes diode
S11

Figure III. 14 : Bilan de puissance rendement et pertes

Les pertes dues la dsadaptation par rapport au port dexcitation sont infrieures
3% entre -5 dBm et 10 dBm. Les pertes dans la diode sont les plus importantes, elles sont
inversement proportionnelles la puissance continue transfre la charge. Le rendement
augmente en fonction de la puissance pour atteindre 72 % 10 dBm. Pour des puissances
t
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0
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2
0
1
1
105
suprieures, leffet de B
V
apparat, ce qui explique en partie le changement dallure de la
courbe. La gnration dharmoniques dordre suprieur accentue davantage ce phnomne.

2.5. Ralisation et mesures - comparaison avec les simulations ADS
Dans un premier temps, le banc de mesure en conduit sera prsent. Ensuite, les
rsultats mesurs du circuit srie seront exposs et compars ceux obtenus par simulation.

Banc de mesure en conduit
Le banc de mesure en conduit que montre la figure III.15 a t utilis pour la
caractrisation exprimentale des circuits de conversion. Il contient une source de puissance
RF (E8251A dAgilent), une charge rsistive variable R
L
, un voltmtre et un bolomtre
(E4418A de HEWLETT PACKARD). La mesure se fait en deux temps. Tout dabord, la
puissance RF de rfrence que le gnrateur dbite sur une charge de 50 est mesure
laide du bolomtre. Ensuite, le circuit de conversion est connect la source RF et la tension
DC est mesure par le voltmtre.

Figure III. 15 : Banc de mesure en conduit

Rsultats de mesures
Deux types de mesures ont t effectus, des mesures de tension continue en fonction
de la frquence et en fonction de la charge. Les courbes de la figure III.16 comparent les
tensions mesures avec celles simules, en fonction de la frquence, pour des puissances de -
10, 0, 10 et 12 dBm. Les tensions maximales sont obtenues autour de 2.45 GHz. En scartant
de cette frquence, la tension DC commence diminuer graduellement. La charge R
L
est fixe
1050 pour les simulations comme pour les mesures. Une tension maximale simule de
t
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0
0
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2
0
1
1
106
2.75 V contre 2.67 V mesure ont t obtenue 2.45 GHz avec 10 dBm de puissance RF. A
12 dBm, la tension DC commence tre limite. Les mesures effectues dans les mmes
conditions ne montrent pas le mme phnomne. La tension B
V
relle de la diode est
probablement suprieure celle donne par le fabricant.
A partir des tensions DC obtenues, les rendements simul et mesur ont t calculs et
tracs sur la figure III.17. Comme pour le niveau dadaptation (S
11
), le rendement dpend et
de la frquence et de la puissance du signal dentre. Un rendement simul de 72% contre
68% mesur ont t obtenus 2.45 GHz avec 10 dBm. Les allures des courbes simules et
mesures pour -10, 0 et 10 dBm sont similaires et il y a une bonne concordance entre les deux
rsultats.
Passons maintenant aux mesures effectues en fonction de la charge R
L
. La figure
III.18 compare les tensions simules et mesures pour trois puissances : 0, 10 et 12 dBm. Une
tension simule maximale de 3.35 V a t obtenue aux bornes dune charge de 10 k. La
mesure effectue avec les mmes donnes dlivre une tension de 4.5 V. Comme a t dj
expliqu, cela est d la tension B
V
relle qui est suprieure celle utilise dans le modle
lectrique quivalent de la diode. Pour des valeurs de R
L
faibles, les diffrences entre les
rsultats simuls et mesurs sont faibles. La figure III.19 compare les rendements simuls et
mesurs, le rendement est optimal autour de 1 k.

2 2.2 2.4 2.6 2.8 3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Frquence (GHz)
T
e
n
s
i
o
n

D
C

(
V
)
simulation
10 dBm
0 dBm
10 dBm
12 dBm

2 2.2 2.4 2.6 2.8 3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Frquence (GHz)
T
e
n
s
i
o
n

D
C

(
V
)
mesure
10 dBm
0 dBm
10 dBm
12 dBm

Figure III. 16 : Tension DC en fonction de la frquence

t
e
l
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0
0
5
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4
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9
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0
1
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2 2.2 2.4 2.6 2.8 3
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Frquence (GHz)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
simulation
10 dBm
0 dBm
10 dBm
12 dBm

2 2.2 2.4 2.6 2.8 3
0
10
20
30
40
50
60
70
80
mesure
Frquence (GHz)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
10 dBm
0 dBm
10 dBm
12 dBm

Figure III. 17 : Rendement en fonction de la frquence

0 0.1 1 10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Charge (K)
T
e
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D
C

(
V
)
simulation
10 dBm
12 dBm
0 dBm

0 0.1 1 10
0
1
2
3
4
5
mesure
Charge (K)
T
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n
s
i
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n

D
C

(
V
)
10 dBm
12 dBm
0 dBm

Figure III. 18 : Tension DC en fonction de la charge R
L

0 0.1 1 10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
R
e
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d
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m
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(
%
)
Charge (K)
simulation
10 dBm
0 dBm
12 dBm

0 0.1 1 10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Charge (K)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
mesure
10 dBm
0 dBm
12 dBm

L

Dans la premire partie de ce troisime chapitre, nous avons prsent le circuit de
conversion RF-DC en topologie srie. Les diffrentes tapes de simulation et doptimisation
t
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0
0
5
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4
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0
1
1
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effectues sous ADS ont t rappeles. Un banc de mesure en conduit a, par la suite, t
mont au laboratoire et utilis pour une caractrisation exprimentale du circuit ralis. Les
rsultats de mesures ont t prsents, analyss et compars avec ceux obtenus par simulation.
Les difficults rencontres lors de la conception de ce circuit et limportance dune
modlisation rigoureuse des diffrentes parties du circuit de conversion ont t soulignes.
Nous passons maintenant au circuit en pont modifi quatre diodes. Les mmes tapes
de simulation et doptimisation ont t suivies. Les avantages de ce circuit par rapport aux
circuits conventionnels seront prsents et discuts.

t
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3. Circuit de conversion en pont modifi 4 diodes
Nous prsentons dans cette deuxime partie un circuit de conversion innovant (figure
III.20) sous forme dun pont modifi 4 diodes Agilent [III.5]. Le circuit est en technologie
micro-ruban [III.6], [III.7] et il fonctionne 2.45 GHz. Pour avoir une structure compacte,
deux botiers SOT 23 renfermant deux diodes chacun, lun anode commune HSMS 2863 et
lautre cathode commune HSMS 2864, ont t utiliss. Le circuit est imprim sur un
substrat RT/Rogers Duroid 5880 (
r
= 2.2, h = 1.575 mm, tan = 0.0009), il est aliment par
une ligne micro-ruban dimpdance caractristique 50 (W
1
= 4.8 mm). Les diffrentes
sections de ligne et la valeur de la charge R
L
ont t optimises, avec une puissance P
RF
de 10
dBm, afin dassurer une bonne adaptation lentre et pour maximiser le rendement de
conversion du circuit. Mis part la ligne dexcitation, tous les autres tronons de ligne ont une
largeur (W
2
) de 1 mm.

Figure III. 20 : Circuit de conversion en pont de diodes modifi

De par la symtrie du circuit, les diodes D
1
et D
3
prsentent la mme impdance. La
puissance P
RF
dlivre au circuit est rpartie en deux entits gales qui se propagent en phase
sur les lignes symtriques L
1
+L
2
+L
3
jusquaux diodes D
1
et D
3
. Chacune de ces diodes
convertit la moiti de P
RF
en puissance DC et engendre des harmoniques, qui sont
indsirables. Les diodes internes D
2
et D
4
, toutes deux en srie, sont connectes en parallle
avec R
L
, elles se trouvent polarises en inverse et ne participent donc pas au processus de
conversion. Deux stubs quarts donde ont t utiliss de part et dautre de R
L
afin de stopper
la puissance incidente 2.45 GHz, lors de la procdure de mesure. La tension DC est prleve
t
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0
1
1
110
aux bornes dune charge optimale de 1.05 k sans contact avec le plan de masse, aucun via
nest utilis. De plus, ce circuit ne contient pas de filtre dentre HF. Cela rduit
considrablement ses dimensions et permet davoir une structure compacte (37 mm par 42
mm). En effet, la surface de ce circuit reprsente un tiers de celle du circuit srie (95 mm par
47 mm).
Une variante de ce circuit en pont modifi a t prsente dans [III.1], [III.2]. Le
circuit contient une capacit CMS de 33 pF place en parallle avec R
L
et les stubs quarts
donde sont remplacs par des stubs radiaux 2.45 GHz. Le tableau III.4 montre les
principales dimensions du circuit en pont tudi (figure III.20).

L
1
L
2
L
3
L
4
L
5
L
6
L
7
L
8
W
1
W
2
Longueur Largeur
16.0 14.6 10.0 13.0 14.8 10.5 10.5 5.7 4.8 1.0 37 42

Tableau III. 4 : Dimensions du circuit en pont modifi (en mm)

3.1. Simulations ADS et tudes paramtriques
3.1.1. Influence de la ligne L
5

Les deux lignes symtriques L
5
entre les stubs quarts donde et les diodes permettent
de compenser les parties ractives des impdances des diodes et contribuent ladaptation du
circuit. La figure III.21 nous montre linfluence de L
5
sur le rendement du circuit, pour des
puissances RF allant de -10 15 dBm par pas de 5 dBm. Les courbes de rendement montrent
que la valeur optimale de L
5
ne dpend pratiquement pas de P
RF
, elle est gale 14.8 mm 10
dBm.
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
L5 (mm)
R
e
n
d
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m
e
n
t

(
%
)
10 dBm
5 dBm
0 dBm
5 dBm
10 dBm
15 dBm

Figure III. 21 : Influence de la ligne L
5
sur le rendement
t
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l
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0
0
5
6
4
5
9
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0
1
1
111
3.1.2. Influence de la charge R
L

Intressons nous maintenant linfluence de R
L
sur le rendement et la variation de
sa valeur optimale en fonction de P
RF
. La figure III.22 prsente la variation du rendement,
2.45 GHz, pour des valeurs de charge allant de 100 10 k. Les rsultats montrent bien
que la charge optimale est autour de 1 k et quelle ne dpend que faiblement de P
RF
sur toute
la plage de puissance jusqu 15 dBm.
0 2 4 6 8 10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Charge (K)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
10 dBm
5 dBm
0 dBm
5 dBm
10 dBm
15 dBm

Figure III. 22 : Influence de la charge R
L
sur le rendement

3.1.3. Niveau dadaptation
La figure III.23 montre le S
11
du circuit, simul avec LSSP, sur la bande 2-3 GHz pour
des puissances RF de -10 15 dBm. Le circuit en pont prsente un bon niveau dadaptation
2.45 GHz, pour des puissances suprieures 0 dBm (S
11
< -16 dB). On remarque que sur
toute la plage de puissance comprise entre -10 dBm et 15 dBm, et contrairement au circuit en
topologie srie, le maximum dadaptation est toujours obtenu 2.45 GHz.

2 2.2 2.4 2.6 2.8 3
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Frquence (GHz)
S
1
1

(
d
B
)
10 dBm
5 dBm
0 dBm
5 dBm
10 dBm
15 dBm

Figure III. 23 : S
11
calcul avec LSSP pour diffrentes valeurs de P
RF

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
112
3.1.4. Bilan de puissance
De la mme manire que pour le circuit srie, nous valuerons le rendement, les pertes
dans les diodes ainsi que les pertes dues la dsadaptation lentre du circuit. Commenons
tout dabord par les pertes dans les diodes D
1
D
4
(figure III.20). La symtrie du circuit
impose un fonctionnement identique pour les deux diodes externes D
1
et D
3
et galement pour
les deux diodes internes D
2
et D
4
. Les pertes totales dans les diodes sont le double des pertes
dans chacun des botiers SOT 23. La figure III.24 montre la variation du pourcentage des
pertes dans les diodes en fonction de la puissance RF entre -10 et 20 dBm. Les pertes dans D
2

et D
4
sont constantes, elles sont de lordre de 5 %. Ces deux diodes se comportent comme des
rsistances o les pertes sont proportionnelles la puissance P
RF
. Les pertes dans D
1
et D
3

varient en fonction de la puissance et elles sont minimales autour de 15 dBm. Entre 10 dBm et
15 dBm, les pertes dans D
1
, D
3
sont infrieures celles de D
2
, D
4
.

10 5 0 5 10 15 20
0
5
10
15
20
25
Puissance RF (dBm)
P
e
r
t
e
s

(
%
)
D1, D3
D2, D4

Figure III. 24 : Pertes dans les diodes D
1
-D
4

Le bilan de puissance dtermin 2.45 GHz, pour des puissances allant de -10 dBm
20 dBm, est prsent sur le tableau III.5. Les pertes dans les diodes et la puissance continue
transmise R
L
sont exprimes la fois en mW et sous forme dun pourcentage de la
puissance dentre. Les pertes par dsadaptation (S
11
) sont exprimes en dB, puis exprim
sous forme dun pourcentage de P
RF
.
Les pertes totales dans D
1
-D
4
restent comparables celles du circuit srie. De plus,
elles sont rparties sur les quatre diodes, ce qui rduit de 75 % les pertes moyennes par diode.
Les pertes dans les diodes sont les plus importantes et elles sont inversement proportionnelles
la puissance DC transmise la charge. Les pertes qui sont dues la dsadaptation par
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
113
rapport au gnrateur RF (50 ) sont faibles, elles reprsentent moins de 1.25 % de P
RF
entre
2 dBm et 16 dBm. Le rendement optimis 10 dBm est de 70 % et le rendement maximum
est obtenu 15 dBm, il est de 77 %. La dernire colonne du tableau III.5 montre la somme de
toutes les pertes restantes. Ces pertes varient autour de 7 %, elles sont dissipes dans le
substrat, les lignes de transmission, les harmoniques gnres par les diodes, par
rayonnement,

P
RF

(dBm)
P
DC

(mW)
Pertes
D
1
, D
3

(mW)
Pertes
D
2
, D
4

(mW)
Pertes
diodes
(mW)
S
11

(dB)
(%) Pertes
diodes
(%)
Pertes
S
11
(%)
Autres
pertes
(%)

-10.00 0.0095 0.0227 0.0041 0.0535 -5.34 9.51 53.49 29.24 7.75
-8.00 0.0258 0.0384 0.0071 0.0911 -7.24 16.14 57.50 18.89 7.48
-6.00 0.0587 0.0598 0.0121 0.1439 -9.28 23.48 57.27 11.81 7.44
-4.00 0.1241 0.0880 0.0201 0.2161 -11.44 31.02 54.29 7.18 7.51
-2.00 0.2424 0.1243 0.0327 0.3140 -13.74 38.48 49.77 4.23 7.52
0.00 0.4562 0.1703 0.0527 0.4460 -16.26 45.62 44.60 2.37 7.42
2.00 0.8245 0.2273 0.0844 0.6233 -19.15 52.19 39.33 1.22 7.27
4.00 1.4542 0.2966 0.1342 0.8617 -22.71 57.94 34.30 0.54 7.22
6.00 2.4974 0.3785 0.2132 1.1834 -27.26 62.75 29.73 0.19 7.34
8.00 4.2067 0.4714 0.3383 1.6194 -30.78 66.67 25.67 0.08 7.58
10.00 7.0054 0.5679 0.5345 2.2050 -27.33 70.05 22.05 0.18 7.71
12.00 11.6206 0.6511 0.8384 2.9789 -23.45 73.32 18.80 0.45 7.44
14.00 19.1298 0.6960 1.3122 4.0164 -20.82 76.15 15.99 0.83 7.03
16.00 29.3898 1.6421 2.0435 7.3713 -19.78 73.83 18.52 1.05 6.60
18.00 31.6948 9.5847 3.0700 25.309 -15.12 50.23 40.12 3.07 6.58
20.00 34.5379 20.404 4.5189 49.845 -10.46 34.54 49.85 9.00 6.62

Tableau III. 5 : Bilan de puissance rendement et pertes

3.1.5. Niveau des harmoniques
Le tableau III.6 montre le niveau des harmoniques, lentre du circuit et aux bornes
de R
L
, normalis par rapport la puissance dentre. Les premiers harmoniques pairs 4.9 et
9.8 GHz sont fortement attnus avec des niveaux de -50 dB. Lharmonique 7.35 GHz est
correctement attnu avec un niveau infrieur -20 dB. Du ct DC, la charge R
L
est isole,
la frquence fondamentale ainsi que les harmoniques sont infrieurs -31 dB.

Entre du circuit Aux bornes de R
L

Harmonique (GHz) 4.9 7.35 9.8 2.45 4.9 7.35 9.8
Puissance (dB) -50 -20 -50 -88 -31 -108 -45

Tableau III. 6 : Niveau des harmoniques dans le circuit en pont modifi

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
114
3.2. Analyse du fonctionnement du circuit en pont
Nous allons tenter, dans cette partie de ltude, danalyser le fonctionnement du circuit
en pont (figure III.25) et de dfinir des rgles de conception et doptimisation qui nous
permettront, par la suite, damliorer les performances du circuit de conversion en termes de
rendement et dencombrement.

Figure III. 25 : Circuit de conversion RF-DC

Lanalyse de la caractristique IV de la diode Schottky peut contribuer lexplication
du fonctionnement du circuit en pont modifi. Il est important de rappeler que ce circuit est
auto-polaris, aucune source extrieure dnergie DC nest utilise pour polariser les diodes
D
1
-D
4
. La figure III.26 montre la caractristique IV de la diode HSMS 2860. Sur la mme
figure, nous avons superpos la tension aux bornes de la diode D
1
pour une puissance dentre
de 10 dBm. Trois tensions y sont traces, elles correspondent la source de courant non
linaire I
d
(diode sans lments parasites), la diode sans botier SOT 23 et enfin la diode
avec son botier. Cette tension V
d
peut tre dcompose sous la forme donne par lquation
(III.19).

( )
1
cos
2
n N
DC
d n n
n
V
V V nwt
=
=
= + +
(III.19)

Avec V
DC
la tension continue aux bornes de R
L
, w la frquence,
n
les phases des diffrentes
composantes frquentielles et N le nombre dharmoniques considrs.
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
115
Pour simplifier ltude et pouvoir exploiter dans une premire approche les grandeurs
tension et courant dans le domaine temporel, uniquement la source de courant non-linaire
(I
d
) sera considre dans le modle lectrique quivalent de la diode Schottky. Tous les autres
lments seront ngligs. Lorsque la tension applique aux bornes de la diode est suprieure
la tension de seuil (~ 300 mV), la diode Schottky est passante. Dans le cas contraire, la diode
est bloque et le courant qui la traverse est quasi-nul.
5
5
10
15
20
Tension (V)
C
o
u
r
a
n
t

(
m
A
)
8 7 6 5 4 3 2 1 1

8 7 6 5 4 3 2 1 0 1
0
0.3
0.6
diode sans botier SOT 23
diode sans lments parasites
diode avec botier SOT 23
0.85
(ns)

Figure III. 26 : Caractristique IV de la diode HSMS 2860 et tension ses bornes

La figure III.27 montre les tensions aux bornes des diodes D
1
-D
4
pour une puissance
P
RF
de 10 dBm. La figure III.28 prsente les courants qui traversent ces mmes diodes. Les
rsultats montrent que les deux diodes D
1
et D
3
sont passantes (courant non nul) durant les
priodes o la tension est suprieure la tension de seuil, et bloques durant le reste du temps.
Les deux diodes D
2
et D
4
, quand elles, sont tout le temps bloques et ne gnrent pas de
puissance DC. Une analyse spectrale des tensions et courants des deux diodes D
1
et D
3
(D
2
et
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
116
D
4
) montre que les composantes frquentielles impaires (2.45 GHz, 9.8 GHz, ) sont en
opposition de phase, alors que les composantes frquentielles paires (DC, 4.9 GHz, ) sont
en phase.

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0.5
1
Temps (ns)
T
e
n
s
i
o
n

(
V
)
D1
D3
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0.5
1
Temps (ns)
T
e
n
s
i
o
n

(
V
)
D2
D4

Figure III. 27 : Tensions aux bornes des diodes D
1
-D
4
pour P
RF
= 10 dBm

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
0
1
2
3
4
5
6
7
Temps (ns)
C
o
u
r
a
n
t

(
m
A
)
D1
D3
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
0
1
2
3
4
5
6
7
Temps (ns)
C
o
u
r
a
n
t

(
m
A
)
D2
D4

Figure III. 28 : Courants des diodes D
1
-D
4
pour P
RF
= 10 dBm

Nous allons maintenant approfondir lanalyse du circuit en pont modifi en se basant
sur les impdances des diodes D
1
et D
3
. Les deux autres diodes D
2
et D
4
tant bloques, elles
ne participent pas au processus de conversion RF-DC. Les impdances Z
d1
et Z
d3
sont
dtermines dans un premier temps en fonction de la charge R
L
, puis en fonction de la
puissance dentre P
RF
.
Pour une puissance dentre de 10 dBm, la variation de limpdance (rsistance et
ractance) des diodes D
1
et D
3
sur la plage 0-3 k, 2.45 GHz, est expose sur la figure
III.29 (a). La charge R
L
affecte le courant DC et modifie limpdance des diodes. La charge
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
117
optimale du circuit est de 1.05 k et limpdance des deux diodes dans ces conditions est Z
d1,
3
= (100-j179) .
Si on se place charge constante (1.05 k), et on fait varier la puissance dentre, on
obtient les rsultats que montre la figure III.29 (b). Limpdance des diodes varie en fonction
de la puissance, et plus particulirement sa partie relle. En effet, elle varie de 30 110 sur
la plage de -10 15 dBm, alors que sa ractance varie uniquement entre -j200 et j180 . La
diode HSMS 2860 prsente des non-linarits, son impdance dpend de la tension ses
bornes, et elle est affecte la fois par R
L
et P
RF
.

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
60
70
80
90
100
110
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
300
250
200
150
100
50
Charge (K)
R
a
c
t
a
n
c
e

(
)
R
s
i
s
t
a
n
c
e

(
)
10 5 0 5 10 15 20
20
40
60
80
100
120
140
10 5 0 5 10 15 20
220
200
180
160
140
120
100
Puissance dentre (dBm)
R
a
c
t
a
n
c
e

(
)
R
s
i
s
t
a
n
c
e

(
)

(a) (b)
Figure III. 29 : Impdance des diodes D
1
et D
3
. (a) vs charge. (b) vs P
RF

Pour maximiser le rendement de conversion RF-DC, il faut transfrer le maximum de
puissance P
RF
aux diodes D
1
et D
3
. Il faut assurer une adaptation dimpdance, soit au niveau
des points P
4
et P
5
, soit directement lentre RF (figure III.25). Les deux diodes D
1
et D
3

sont symtriques, elles sont traverses par le mme courant DC et prsentent la mme
impdance 2.45 GHz. Les diodes D
2
et D
4
ont galement la mme impdance dynamique. A
2.45 GHz, la ligne L
5
(figure III.20) termine par un court circuit au point P
10
ramne une
impdance imaginaire inductive au point P
8
(Z
8
+j148 ), et rduit la capacitance de D
1
. La
longueur donde effective (
eff
) sur la ligne L
5
est de 92.8 mm et limpdance ramene sur
cette ligne est imaginaire (capacitive ou inductive).
La figure III.30 montre la disposition des impdances des diodes D
1
-D
4
et celles aux
points de connections des deux botiers SOT 23. Z
d1
, Z
d2
, Z
d3
et Z
d4
sont les impdances srie
des diodes D
1
-D
4
, respectivement. Z
4
, Z
5
, Z
6
, Z
7
, Z
8
et Z
9
sont les impdances aux points P
4
-
P
9
par rapport au plan de masse du circuit.

P
RF
= 10 dBm
R
L
= 1050
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
118

Figure III. 30 : Schma des impdances des diodes D
1
-D
4

Le tableau III.7 montre les impdances des diodes D
1
, D
2
et celles aux points P
4
, P
6
et
P
8
, 2.45 GHz et pour une puissance dentre de 10 dBm. Toutes les impdances ont t
dtermines avec le logiciel ADS, en utilisant des sondes de tension et de courant. Le calcul
des impdances a t effectu dans le domaine frquentiel, en utilisant les amplitudes et les
phases des grandeurs tension et courant 2.45 GHz. Limpdance Z
4
est gale (111+j19) .
La largeur des lignes L
1
- L
2
- L
3
(W
1
= 1 mm, Z
c
= 114 ) a t choisie de telle sorte
assurer ladaptation au niveau de lentre RF. Limpdance dentre (Z
in
) est gale (51-j4)
et le niveau dadaptation 2.45 GHz est de -27 dB.

Impdance Partie relle () Partie imaginaire ()
Z
d1
100 -j179
Z
d2
96 -j354
Z
4
111 +j19
Z
6
2 -j221
Z
8
0.6 +j148

Tableau III. 7 : Impdances des diodes 2.45 GHz (P
RF
= 10 dBm)

Limpdance Z
4
est traduite mathmatiquement par les quations (III.20) et (III.21).

[ ] ( ) [ ]
4 d1 8 d2 6
Reel Z Reel Z Z // Z +Z = + (III.20)

[ ] ( ) [ ]
4 d1 8 d2 6
Imag Z Imag Z Z // Z +Z = + (III.21)

Les mmes quations peuvent tre dfinies pour la diode D
3
au point P
5
. Limpdance
Z
5
est donne par les deux quations (III.22) et (III.23).
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
119
[ ] ( ) [ ]
5 d3 9 d4 7
Reel Z Reel Z Z // Z +Z = + (III.22)

[ ] ( ) [ ]
5 d3 9 d4 7
Imag Z Imag Z Z // Z +Z = + (III.23)

Limpdance Z
6
10 dBm est gale (2-j221) , elle est quasiment imaginaire.
Comme le circuit est symtrique, les courants 2.45 GHz arrivent au point P
0
(figure III.25)
en opposition de phase et engendre un circuit ouvert. Par consquent, limpdance au point P
6

est imaginaire.
Pour assurer une adaptation dimpdance directement au niveau des diodes D
1
et D
3
, et
en ngligeant les parties relles de Z
6
, Z
7
, Z
8
et Z
9
, les quations (III.20) (III.23)
deviennent :

[ ] [ ]
4 d1 1 0
Reel Z Reel Z = Z 2 Z = = (III.24)

( ) [ ]
d1 8 d2 6
Imag Z Z // Z +Z 0 + = (III.25)

[ ] [ ]
5 d3 1 0
Reel Z Reel Z = Z 2 Z = = (III.26)

( ) [ ]
d3 9 d4 7
Imag Z Z // Z +Z 0 + = (III.27)

O Z
0
et Z
1
sont les impdances caractristiques des lignes de largeurs W
1
et W
2
,
respectivement.
Passons maintenant lharmonique dordre 2 4.9 GHz. Lobjectif tant de dfinir les
conditions qui permettront de confiner la puissance gnre par D
1
et D
3
lintrieur de la
boucle (P
1
, P
2
, P
0
, P
3
, P
1
). La symtrie du circuit impose des courts circuits aux points P
1
et
P
0
, 4.9 GHz. Les deux points P
2
et P
3
(milieux des deux lignes L
2
) sont situs une demi-
longueur donde de P
1
, ils agissent comme des courts circuits. Ses rsultats seront par la suite
illustrs par la cartographie du courant surfacique (figures III.34). La longueur totale de la
boucle (P
1
, P
2
, P
0
, P
3
, P
1
) est de deux fois la longueur donde 4.9 GHz. Limpdance des
diodes D
1
et D
3
, calcule par ADS, est de (+j190) et celle des diodes D
2
et D
4
est de (-j175)
. La somme des impdances des quatre diodes reste faible, elle est de (+j30) . La quasi-
totalit de la puissance gnre 4.9 GHz par D
1
et D
3
est dissipe dans les diodes D
2
et D
4
.
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
120
La longueur totale (L
tot
) de la boucle (P
1
, P
2
, P
0
, P
3
, P
1
) peut tre formule par lquation
(III.28), (n) tant un entier suprieur zro et (
eff
) la longueur donde effective 4.9 GHz
(
eff
= 46.3 mm).

.
tot eff
L n = (III.28)

3.3. Simulations FDTD
Pour introduire et valider loutil de simulation global bas sur la FDTD, le circuit en
pont modifi (figure III.20) a t simul et son rendement de conversion, en fonction de P
RF
,
dtermin. Les rsultats obtenus seront compars avec ceux dADS et valids par des mesures
en conduit. Dans toutes les simulations FDTD, le nombre de couches absorbantes UPML est
de 10 dans chacune des directions et lordre de la variation polynomiale de la conductivit ()
est m = 3. De plus, pour discrtiser toutes les parties du circuit par un nombre entier de
mailles et avoir plus de prcision, le maillage non uniforme a t utilis. Les plus petites
mailles dans les trois directions x, y et z sont dx = 0.457 mm, dy = 0.4667 mm et dz = 0.7875
mm. Le pas dz a t choisi pour modliser correctement le substrat (h=1.575 mm) avec deux
mailles. Le nombre de mailles dans les trois directions x, y et z sont de 168, 172 et 49,
respectivement. Le pas temporel dt utilis est de 0.9551 ps et le nombre total ditrations est
de 30000. Les simulations ont t effectues sur une machine deux processeurs, de quatre
curs chacun (3 GHz de vitesse et 24 Go de RAM). Le code FDTD dvelopp a t
paralllis sur la totalit des processeurs. La dure moyenne dune simulation est de 30 40
minutes.

3.3.1. Rendement de conversion RF-DC
Le circuit est aliment par un gnrateur de tension (V
s
) 2.45 GHz, muni dune
rsistance interne R
s
= 50 . La tension du gnrateur varie de 0.5 3 V et la puissance
thorique maximale injecte dans le circuit varie dans la plage 0.6 - 22.5 mW. La charge R
L

est fixe 1.05 k. Le tableau III.8 montre les rsultats de la simulation FDTD du circuit en
pont, une comparaison avec les mesures sera effectue dans le paragraphe 3.4. On voit que la
puissance de sortie varie de 0.3 mW 15 mW et le rendement () passe de 43% 67%.

t
e
l
-
0
0
5
6
4
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v
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n

1

-

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b

2
0
1
1
121
V
S
(V) P
RF
(mW) V
DC
(V) P
DC
(mW) (%)
0.5 0.625 0.529 0.267 42.64
1 2.5 1.2144 1.41 56.18
1.5 5.625 1.915 3.49 62.10
1.6 6.4 2.055 4.02 62.84
1.7 7.225 2.1954 4.59 63.53
1.8 8.1 2.3338 5.19 64.04
1.9 9.025 2.4753 5.84 64.66
2 10 2.61 6.49 64.88
2.1 11.025 2.7512 7.21 65.39
2.2 12.1 2.8888 7.95 65.68
2.3 13.225 3.0264 8.72 65.96
2.4 14.4 3.1641 9.54 66.21
2.5 15.625 3.2988 10.36 66.33
2.6 16.9 3.4356 11.24 66.52
2.7 18.225 3.5701 12.14 66.60
2.8 19.6 3.7047 13.07 66.69
2.9 21.025 3.8357 14.01 66.64
3 22.5 3.9678 14.99 66.64

Tableau III. 8 : Rendement du circuit de conversion (simulation FDTD)

3.3.2. Influence dune onde plane incidente sur le rendement
Avant deffectuer les mesures en rayonn de la rectenna complte, nous avons essay
au travers des simulations FDTD de voir linfluence dune onde plane incidente sur le
fonctionnement du circuit de conversion. Dans un premier temps, le circuit de conversion a
t aliment par une tension V
s
de 2 V dlivre par un gnrateur de tension, muni dune
rsistance interne de 50 . Par la suite, nous avons effectu un autre type de simulation qui
consiste alimenter le circuit par la mme tension V
s
et de lexposer une onde plane dune
intensit de 25 V/m (0.166 mW/cm), en incidence normale.
Les tensions DC aux bornes de la charge optimale (1.05 k), avec et sans onde plane,
sont traces sur la figure III.31. Des tensions de 2.58 et 2.61 V ont t obtenues avec et sans
onde plane. Les rendements de conversion correspondants sont de 63.35 et 64.9 %,
respectivement. Cette diffrence de 30 mV se traduit par une diffrence de moins de 2 % sur
le rendement du circuit.

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0 5 10 15 20 25 30
0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
FDTD simulation sans onde plane
Temps (ns)
V
d
c

(
V
)
0 5 10 15 20 25 30
0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Temps (ns)
V
d
c

(
V
)
FDTD simulation avec onde plane

a- sans onde plane b- avec onde plane
Figure III. 31 : Variation temporelle de la tension de sortie aux bornes de R
L

Intressons nous maintenant la distribution du courant surfacique sur le circuit
tudi, avec et sans exposition une onde plane incidente. Les cartographies du courant
surfacique dans le domaine temporel sont difficilement exploitables cause de la
caractristique non linaire du circuit de conversion. En effet, le spectre du champ
lectromagntique contient la fois une composante DC, la frquence fondamentale et des
harmoniques dordre suprieur. Pour passer dans le domaine frquentiel et obtenir les
cartographies du courant surfacique pour chacune des composantes frquentielles, la
Transforme de Fourier Discrte (TFD) t utilise. Ltude sera limite aux premires
composantes frquentielles jusqu 7.35 GHz. Pour les composantes frquentielles dordre
suprieur, leurs niveaux sont faibles et peuvent par consquent tre ngliges. Lamplitude de
la densit de courant surfacique J
s
(A/m) est calcule partir des composantes tangentielles
H
x
et H
y
du champ magntique, elle est donne par lquation (III.29).

2 2
s x y
J H H = + (III.29)

Les cartographies du courant surfacique des 4 premires composantes frquentielles
ont t dtermines. Les figures III.32 (a) III.35 (a) montrent les cartographies de courant
surfacique sans onde plane et celles de gauche reprsentent les cartographies avec onde plane.
Pour chacune des composantes frquentielles, la mme chelle est utilise. Les rsultats
montrent que les cartographies avec et sans onde plane sont similaires. Les diffrences
ventuelles entre ces cartographies sont difficilement perceptibles.
10 10.5 11 11.5 12
2
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3
t
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0
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1
1
123
Ces rsultats montrent que lexposition du circuit de conversion un champ
lectromagntique modifie trs peu la tension DC.

Figure III. 32 : Distribution du courant DC

Figure III. 33 : Distribution du courant 2.45 GHz

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1
1
124


3.4. Ralisation et mesures - comparaison avec les simulations
Le circuit en pont a t ralis et mesur en conduit (figure III.36), la tension DC et le
rendement mesurs sont compars avec les simulations ADS et FDTD et les rsultats sont
exposs sur la figure III.37.

Figure III. 36 : Banc exprimental pour mesurer le circuit en pont modifi

t
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4
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0
1
1
125
On remarque que les allures des courbes simules et mesure sont similaires. Les
tensions obtenues 16 mW par ADS, FDTD et la mesure sont de 3.5, 3.34 et 3.16 V,
respectivement. Les rendements correspondants ces tensions sont de 73, 66.5 et 60 %. Sur la
totalit de la plage 0-16 mW, les diffrences entre les rendements mesurs et ceux obtenus
avec la FDTD sont infrieures 7 %. Compare avec le logiciel ADS, la mthode FDTD est
capable de mieux prdire la sortie DC du circuit. Ces rsultats permettent de valider loutil de
simulation globale FDTD dvelopp dans le cadre de ce travail de thse.

0 2 4 6 8 10 12 14 16
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Puissance dentre(mW)
T
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n
s
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n

D
C

(
V
)
ADS
Mesure
FDTD
0 2 4 6 8 10 12 14 16
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Puissance dentre (mW)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
ADS
FDTD
Mesure

Figure III. 37 : Tension DC et rendement - comparaison entre simulations et mesures

Dans cette deuxime partie de ce chapitre, un circuit de conversion original sous forme
dun pont modifi quatre diodes Schottky a t conu, ralis et mesur. Le circuit ne
contient ni filtre dentre HF ni vias de retour la masse, cela rduit considrablement ses
dimensions et permet davoir une structure compacte et faible cot.
Dans ce circuit, uniquement les deux diodes externes D
1
et D
3
participent au processus
de conversion et de gnration de la puissance DC. Les deux diodes internes D
2
et D
4
sont
polarises en inverse et se comportent comme des lments linaires passifs.
Loutil de simulation global bas sur la mthode FDTD a t introduit. Les rsultats
obtenus montrent que cette mthode prdit mieux la sortie DC (tension et rendement) du
circuit de conversion que le logiciel ADS.
Limpact dune onde plane incidente sur le rendement de conversion du circuit a t
tudi et des cartographies de courant surfacique, avec et sans onde plane, ont t traces et
t
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0
5
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5
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2
0
1
1
126
compares. Nous avons pu constater quun champ lectromagntique incident modifie la
sortie DC du circuit, mais son impact reste limit.
Nous proposons dans la suite de ce chapitre une structure de conversion symtrique,
base de deux diodes, plus compacte et plus simple.

t
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0
5
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5
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2
0
1
1
127
4. Circuit de conversion double diode
La troisime structure dveloppe (figure III.38) est base dun circuit de
conversion simple et compact [III.8], contenant deux diodes Schottky D
1
et D
2
. Le circuit de
conversion fonctionne 2.45 GHz, il est aliment par une ligne micro-ruban dimpdance
caractristique gale 50 . Au point P
0
, la puissance incidente 2.45 GHz est divise en
deux entits de mme puissance et en phase. Vu la symtrie du circuit, les diodes D
1
et D
2
ont
la mme impdance. Par consquent, chacune de ces diodes convertit la moiti de la
puissance incidente en puissance DC. Toutefois, ce processus de conversion engendre des
harmoniques dordre suprieur. Deux stubs quarts donde ont t utiliss pour filtrer la
puissance 2 .45 GHz et isoler ainsi la charge R
L
. La ligne (L) entre les stubs et les diodes a
t optimise pour compenser la ractance des diodes D
1
et D
2
et assurer, en partie,
ladaptation. La largeur des deux lignes symtriques entre P
0
et D
1
, D
2
a t optimise pour
avoir une impdance caractristique gale la rsistance des diodes D
1
et D
2
et assurer
ladaptation. La symtrie du circuit impose une faible impdance au point P
0
(court circuit)
4.9 GHz. A la mme frquence, les diodes D
1
et D
2
sont places sur des circuits ouverts, ce
qui permet de confiner toute la puissance entre P
0
et les diodes D
1
et D
2
. La mesure de la
tension de sortie V
dc
= V
1
- V
2
se fait sur la face avant du circuit sans contact avec le plan de
masse. Ce circuit ne contient ni filtre HF ni vias de retour la masse, ce qui rend la structure
plus compacte et faible cot.

Figure III. 38 : Circuit de conversion double diode

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
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1

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b

2
0
1
1
128
4.1. Rsultats des simulations ADS
Le substrat RT/Rogers Duroid 5880 (
r
= 2.2, h = 1.575 mm, tan = 0.0009) est le
seul substrat utilis dans les prcdentes ralisations. Dans cette tude, quatre circuits ont t
tudis (tableau III.9). Deux substrats et deux types de diodes ont t utiliss. Notre objectif
est daboutir une structure plus compacte, plus performante et moindre cot. Les substrats
FR4 (
r
= 4.4, h = 1.58 mm, tan = 0.02) et Arlon 25N (
r
= 3.38, h = 1.524 mm, tan =
0.0025) seront utiliss dans cette tude, qui se veut comparative. Ces deux substrats sont
faibles cot et prsentent des pertes suprieures celle du premier substrat. Nous
dterminerons jusqu quel point le rendement de conversion sera affect par ces pertes. Les
deux diodes Schottky HSMS 2860 et HSMS 2820 [III.3] ont t utilises. Leurs principales
caractristiques sont rappeles et compares dans le tableau III.10. La diode 2820 est
particulirement adapte pour des puissances RF importantes (B
V
= 15 V). Toutefois, elle
prsente une capacit de jonction C
j0
plus importante que celle de la 2860. Les rsistances
srie R
s
des deux diodes sont comparables (5 et 6 ).
Les quatre circuits du tableau III.9 ont la mme topologie, ils ont t optimiss
2.45 GHz pour des puissances dentre de 10 dBm (circuits 1 et 3) et 13 dBm (circuits 2 et 4)
et ils prsentent des charges optimales et des dimensions diffrentes les uns des autres.

Circuit Type de diode Substrat Charge optimale ()
1 HSMS 2860 Arlon 25N 500
2 HSMS 2820 Arlon 25N 1050
3 HSMS 2860 FR4 750
4 HSMS 2820 FR4 1100

Tableau III. 9 : Paramtres des circuits de conversion dvelopps

HSMS 2860 HSMS 2820
B
V
(V) 7 15
C
j0
(pF) 0.18 0.7
I
S
(A) 5E-8 2.2E-8
R
S
() 5 6

Tableau III. 10 : Principaux paramtres des diodes HSMS 2860 et 2820

4.1.1. Niveau dadaptation (S
11
)
La figure III.39 montre les pertes par rflexion (S
11
), des circuits 1 4, sur la bande de
puissance de -10 30 dBm. La frquence est fixe 2.45 GHz et la charge R
L
est optimale.
Les rsultats montrent une bonne adaptation (S
11
< -20 dB) des quatre circuits autour du
niveau de puissance pour lequel ils ont t optimiss.
t
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0
0
5
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5
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b

2
0
1
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129
10 5 0 5 10 15 20 25 30
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
S
1
1

(
d
B
)
Circuit 1
Circuit 2
Circuit 3
Circuit 4

Figure III. 39 : S
11
en fonction de la puissance P
RF

4.1.2. Niveau des harmoniques
Le tableau III.11 prsente le niveau de puissance normalis des harmoniques lentre
du circuit et aux bornes de R
L
. On peut noter que les premiers harmoniques lentre sont
suffisamment faibles pour ne pas utiliser un filtre HF. Toutefois, pour les circuits 2 et 4 qui
sont base des diodes 2820, les harmoniques sont mieux attnus. Cela peut tre expliqu par
une tension B
V
importante des diodes HSMS 2820 qui fait que les harmoniques commencent
apparatre des puissances beaucoup plus importantes. La mme situation est observe du
ct DC, o R
L
est correctement isole.

Entre (dB) Charge R
L
(dB)
frquence (GHz) 4.9 7.35 9.8 2.45 4.9 7.35 9.8
1 -75 -20 -70 -85 -24 -80 -27
2 -100 -40 -120 -68 -40 -115 -35
3 -100 -20 -105 -100 -27 -105 -35

Circuit n
4 -88 -28 -85 -66 -28 -83 -43

Tableau III. 11 : Niveaux des harmoniques lentre du circuit et aux bornes de R
L

4.1.3. Rendement de conversion RF-DC
Sur la figure III.40, nous prsentons le rendement de conversion simul, 2.45 GHz,
sur la bande de -10 30 dBm. Les deux circuits 2 et 4 permettent de convertir des puissances
RF plus importantes compars au deux circuits 1 et 3. Cela est d essentiellement aux
tensions B
V
des deux diodes. On note aussi que le rendement des circuits 2 et 4 varie peu dans
la bande de puissance allant de 10 27 dBm.
t
e
l
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0
0
5
6
4
5
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b

2
0
1
1
130
10 5 0 5 10 15 20 25 30
0
10
20
30
40
50
60
70
80
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
Circuit 1
Circuit 2
Circuit 3
Circuit 4

Figure III. 40 : Rendement en fonction de P
RF

Pour expliquer ce rsultat, nous avons calcul les impdances des diodes 2860 et 2820,
avec ADS, en utilisant le circuit que montre la figure III.41. La tension (V
d
) aux bornes de la
diode ainsi que le courant (I
d
) qui la traverse sont dtermins laide de sondes. Limpdance
de la diode est calcule en utilisant les spectres (amplitude et phase) de V
d
et I
d
2.45 GHz.
Les parties relles et imaginaires de ces impdances, en fonction de P
RF
, sont exposes sur la
figure III.42. La charge R
L
est la mme dans les deux cas, elle est fixe 1.05 k. Les
rsultats montrent que la partie relle de limpdance de la diode 2820, contrairement celle
de la 2860, varie peu en fonction de la puissance. Les ractances de ces deux diodes, quand
elles, prsentent la mme variation. Le changement dallure de limpdance de la diode 2860,
17 dBm, est d sa tension inverse de claquage (B
v
= 7 V). Limpdance dentre des
circuits 2 et 4 est moins affecte par la variation des impdances des diodes HSMS 2820 que
celle des circuits 1 et 3.

Figure III. 41 : Calcul de limpdance des diodes HSMS 2860 et 2820
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
131
Les circuits 3 et 4 imprims sur le substrat FR4 exhibent des rendements infrieurs
ceux des deux circuits 1 et 2. Contrairement au substrat Arlon, le FR4 prsente une tangente
de pertes (tan) de 0.02, qui affecte directement le rendement.

10 5 0 5 10 15 20 25 30
0
50
100
150
200
250
R
s
i
s
t
a
n
c
e

(
)
HSMS 2860
HSMS 2820
10 5 0 5 10 15 20 25 30
300
250
200
150
100
50
0
50
R
a
c
t
a
n
c
e

(
)
HSMS 2860
HSMS 2820

Figure III. 42 : Impdances des deux diodes HSMS 2860 et 2820

4.2. Ralisations et mesures - comparaison avec les simulations
Les deux circuits 1 et 2 ont t raliss (figure III.43) et caractriss
exprimentalement. Les rsultats seront prsents et compars avec les simulations ADS. La
figure III.44 (a) montre une comparaison entre les tensions DC et les rendements mesurs et
simuls du circuit 1. Il a une longueur L = 32 mm et une largeur W = 35 mm. Des tensions
simule et mesure de 1.8 et 1.7 V ont t obtenues aux bornes dune charge optimale de 500
, avec une puissance dentre de 10 mW. Les diffrences entre les rsultats de simulation et
de mesure sont faibles. Avec la mme puissance P
RF
, le rendement simul est de 65 % et celui
mesur est de 58 %.

(a) (b)
Figure III. 43 : Circuits de conversion raliss et mesurs. (a) Circuit 1. (b) Circuit 2.

R
L
= 1.05 K
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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r
s
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n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
132
La figure III.44 (b) prsente les tensions DC et les rendements simuls et mesurs, du
circuit 2, sur la bande 0-16 mW. La longueur du circuit L = 44 mm et sa largeur W = 40 mm.
A 10 mW, la diffrence entre les rendements simul et mesur est infrieure 2% (59.6 %
simul contre 58.1 % mesur). A 16 mW, une tension DC suprieure 3 V a t mesure aux
bornes dune charge optimale de 1.05 k.

0
10
20
30
40
50
60
70
0
1
2
3
4
5
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
0
1
2
3
4
5
Puissance RF (mW)
T
e
n
s
i
o
n

D
C

(
V
)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
simulation
mesure
0 2 4 6 8 10 12 14 16
0
10
20
30
40
50
60
70
0 2 4 6 8 10 12 14 16
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
Puissance RF (mW)
T
e
n
s
i
o
n

D
C

(
V
)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
simulation
mesure

(a) (b)
Figure III. 44 : Comparaison entre simulations et mesures. (a) Circuit 1. (b) Circuit 2.

Nous avons prsent, dans cette dernire partie du chapitre, un circuit de conversion
compact double diode. Le circuit ne contient ni filtre HF lentre ni vias de retour la
masse.
Des tudes comparatives ont t effectues dans la perspective dobtenir une structure
compacte, efficace et faible cot. Ces tudes ont port sur le substrat et le type de diodes
utiliss. Deux types de substrat (FR4 et Arlon 25N) et deux diodes Schottky (HSMS 2860 et
2820) ont t utiliss et compars. Nous avons pu voir que les pertes dans le substrat se
rpercutent directement sur lefficacit du circuit. De plus, la diode 2820 prsente une
impdance qui varie peu en fonction de la puissance et qui permet davoir des efficacits
stables sur une large plage de puissance RF. Toutefois, cette diode prsente une tension
inverse de claquage importante (B
V
= 15 V), elle est ddie pour des niveaux de puissance
assez levs.

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5. Conclusion
Dans ce chapitre, les diffrentes tapes de simulation et doptimisation des circuits de
conversion sous ADS ont t expliques. Trois structures ont t dveloppes et analyses, un
circuit conventionnel en topologie srie et deux autres circuits symtrique plus innovant,
base de quatre et de deux diodes. Ces derniers circuits sont plus compacts et prsentent plus
davantages. En effet, aucun filtre HF ni vias de retour la masse nest utilis.
Dans le chapitre suivant, des rectennas base de ces circuits de conversion seront,
ralises et caractrises exprimentalement lintrieur dune chambre anchoque.
Afin de pouvoir analyser ces rectenna dans le mme environnement de simulation,
loutil danalyse globale bas sur la mthode FDTD sera utilis. Des cartographies de champ
lectrique et de courant surfacique seront prsentes et exploites pour mieux expliquer le
fonctionnement de ces circuits.

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134

[III.1] H. Takhedmit, B. Merabet, L. Cirio, B. Allard, F. Costa, C. Vollaire and O. Picon,
Design of a 2.45 GHz Rectenna using a global analysis technique, Proc. 3
rd

European Conference on Antennas and Propagation, EuCAP 2009, March 23-27,
2009, Berlin, pp 2321-2325.

Analyse et conception de rectennas 2.45 GHz par une technique danalyse globale,
Journes Nationales Micro-ondes, JNM 2009, 27-29 Mai 2009, Grenoble.

[III.3] Hewlett Packard, Technical Data Surface Mount Microwave Schottky Detector
Diodes.

[III.4] J-S. Hong and M.J. Lancaster, Microstrip Filters for RF/Microwave Applications,
John Wiley & Sons, Inc., 2001.

A 2.45 GHz Low Cost and Efficient Rectenna, 4
th
European Conference on
Antennas and Propagation, EuCAP 2010, 12-16 April, Barcelona.

[III.6] K.C. Gupta, R. Garg, I. Bahl and P. Bhartia, Microstrip Lines and Slotlines, Artech
House Inc., Second Edition, 1996.

[III.7] D.M. Pozar, Microwave Engineering, John Wiley & Sons, Inc., Second Edition,
1998.

[III.8] H. Takhedmit, B. Merabet, L. Cirio, B. Allard, F. Costa, C. Vollaire and O. Picon, A
2.45-GHz Dual-Diode RF-to-dc Rectifier for Rectenna Applications, European
Microwave Conference, EuMC2010, 26 Sep.- 01 Oct. 2010, Paris.

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Chapitre IV
Application de la mthode danalyse
globale FDTD ltude de circuits
rectennas
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Chapitre IV Application de la mthode danalyse globale FDTD ltude de circuits rectennas
137
Chapitre IV
Application de la mthode danalyse globale
FDTD ltude de circuits rectennas

1. Introduction
Nous proposons dans ce dernier chapitre la conception et lanalyse de trois circuits
rectennas 2.45 GHz, en technologie micro-ruban. Le premier circuit est form dune antenne
patch rectangulaire polarisation linaire et du circuit de conversion en pont modifi 4
diodes Schottky. Le second circuit est base dun redresseur RF-DC deux accs
symtriques contenant 4 diodes. Sur chacun des deux accs, une antenne patch polarise
linairement est connecte. Le troisime et dernier circuit est bas sur le redresseur double
diodes, prsent prcdemment.
Pour pouvoir reconstituer le scnario de la mesure dune rectenna complte illumine
par une onde plane incidente lintrieur dune chambre anchoque, loutil de simulation
globale FDTD a t utilis. Les trois rectennas ont t simules et analyses. Les distributions
du champ lectrique et du courant surfacique des premires composantes frquentielles (DC,
2.45, 4.9 et 7.35 GHz), ont t calcules. Elles seront prsentes et exploites afin de montrer
le comportement des premires composantes frquentielles et damliorer les performances
des circuits rectennas en termes de rendement et de compacit. Les rectennas dveloppes ont
t fabriques et mesures en rayonn, et le banc de mesure employ sera prsent. Les
rsultats obtenus par mesure seront systmatiquement compars aux simulations FDTD.
Afin daugmenter la puissance et/ou la tension DC, des associations de rectennas en
parallle et en srie ont t introduites. Quatre rseaux 2 et 4 rectennas double diodes ont
t raliss et caractriss exprimentalement. Les rsultats obtenus seront compars ceux
dune rectennas simple. Pour montrer la linarit des rseaux de rectennas dvelopps, les
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rapports des tensions entre les diffrents rseaux et la rectenna simple seront prsents et
discuts.

2. Rectenna en pont de diodes modifi mono-antenne
La premire rectenna que nous avons dveloppe est montre sur la figure IV.1. Elle
est compose dune antenne patch rectangulaire polarisation linaire et du circuit de
conversion en pont de diodes modifi [IV.1] prsent dans le chapitre III. Les deux parties de
la rectenna ont t adaptes sur des impdances de 50 . De plus, la ligne dalimentation
entre lantenne et le circuit de conversion a une largeur W
1
= 4.8 mm et prsente une
impdance caractristique de 50 .
La rectenna a t imprime sur un substrat RT/Rogers Duroid 5880 (
r
= 2.2, h = 1.575
mm, tan = 0.0009). Le plan de masse du circuit a une longueur de 115 mm et une largeur de
93 mm.

L
1
= 48.4mm, L
2
= 40.5mm, L
3
= 18.8mm, L
4
= 12.1mm, L
5
= 15.0mm, W
1
= 4.8mm, R
L
= 1050
Figure IV. 1 : Rectenna en pont de diodes modifi mono-antenne

2.1. Procdure de conception dune antenne patch micro-ruban
Pour concevoir une antenne patch rectangulaire polarisation linaire, une procdure
de calcul simplifie a t utilise [IV.2]. Cela suppose la connaissance de la constante
dilectrique du substrat (
r
), sa hauteur (h) ainsi que la frquence de rsonnance (f
r
). Lobjectif
est de calculer la largeur W et la longueur L de lantenne, elles sont donnes par les quations
(IV.1) et (IV.2) suivantes :

Plan H
Plan E
x
y
z
t
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0
0
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2
2 1
r r
c
W
f
=
+
(IV.1)

2
2
r eff
c
L L
f
= (IV.2)

o c est la vitesse de la lumire dans le vide,
eff
est la permittivit effective donne par
lquation (IV.3) et L modlise les effets de bords ou le dbordement du champ sur les bords
rayonnants du patch, il est dfini par lquation (IV.4).

1
2
1 1
1 12
2 2
r r
eff
h
W

+
(
= + +
(

, avec 1
W
h
(IV.3)

( )
( )
0.3 0.264
0.412
0.258 0.8
eff
eff
W
L
h
W
h
h
| |
+ +
|
\
=
| |
+
|
\
(IV.4)

Lantenne est alimente par une ligne micro-ruban (figure IV.2). Limpdance
dentre du patch au centre des bords rayonnants est gnralement suprieure 50 .

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
y0/L
Z
i
n

(
y
=
y
0
)
/
Z
i
n

(
y
=
0
)

Figure IV. 2 : Variation de limpdance normalise lentre dune antenne patch avec encoches [daprs
IV.2]
t
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Pour pouvoir ramener limpdance dentre de lantenne sur 50 , plusieurs solutions
sont possibles. Lune delles consiste introduire deux encoches pour rapprocher le point
dexcitation du centre du patch et diminuer ainsi son impdance dentre (figure IV.2). La
variation de limpdance dentre en fonction de la profondeur des encoches est donne par
lquation (IV.5), elle montre que limpdance dentre est maximale sur les bords rayonnant
et nulle au centre du patch [IV.2]-[IV.3].

2
0 0
( ) ( 0).cos
in in
Z y y Z y y
L
| |
= = =
|
\
(IV.5)

La directivit (D) dune antenne dcrit sa capacit rayonner dans une direction
privilgie au dtriment des autres. Elle ne tient pas compte des pertes dans lantenne.
Le gain (G) dune antenne est une donne trs importante dans notre travail sur la
conversion dnergie lectromagntique, il est directement li la directivit et aux pertes
dans lantenne. Dans une direction donne, il est dfini comme tant le rapport entre la
puissance rayonne dans cette direction et la puissance qui serait rayonne par une antenne
isotrope sans pertes, dans la mme direction et avec la mme puissance dalimentation.
En plus du gain, il y a lefficacit de lantenne qui est galement un paramtre
important. Elle traduit les pertes sur laccs dalimentation et dans lantenne. Elle englobe les
pertes par dsadaptation, les pertes par conduction et les pertes dilectriques dans le substrat.
Lefficacit globale e
0
est dfinie par lquation (IV.6).

0 r c d r cd
e e e e e e = = (IV.6)

avec e
r
: efficacit due la dsadaptation (sans dimension)
e
c
: efficacit de conduction (sans dimension)
e
d
: efficacit dilectrique (sans dimension)

Lantenne de rception de la rectenna est conue 2.45 GHz sur un substrat
RT/Rogers Duroid 5880. Les dimensions du patch calcules par les deux quations (IV.1) et
(IV.2) sont : L = 40.5 mm et W = 48.4 mm. Lantenne est alimente par une ligne micro-
ruban dimpdance caractristique 50 , et des encoches de 12.1 mm ont t introduites afin
dassurer ladaptation. Les simulations ont t effectues sous HFSS (High Frequency
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Structure Simulator). Limpdance dentre (parties relle et imaginaire) au point dexcitation
et le niveau dadaptation (S
11
) sur la bande 2.3-2.5 GHz sont exposs sur la figure IV.3. On
remarque une rsonance et un niveau dadaptation de -30 dB 2.45 GHz. Lantenne prsente
un gain maximum simul de 7 dB, dans la direction normale. Elle a t ralise et son niveau
dadaptation a t mesur par lanalyseur de rseau E8361C dAgilent Technologies. Le S
11

mesur est directement superpos sur la figure IV.3 (a), les S
11
simul et mesur sont en
bonne concordance.

2.3 2.35 2.4 2.45 2.5
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5
Frquence (GHz)
S
1
1

(
d
B
)
HFSS
Mesure

2.3 2.35 2.4 2.45 2.5
20
10
0
10
20
30
40
50
60
Frquence (GHz)

I
m
p
d
a
n
c
e

(
)
Partie relle
Partie imaginaire

(a) (b)
Figure IV. 3 : Antenne patch micro-ruban 2.45 GHz. (a) S
11
. (b) Impdance dentre.

2.2. Analyse de la rectenna avec la mthode FDTD
La rectenna complte expose par la figure IV.1 a t analyse par la mthode FDTD.
Dans toutes les simulations, des conditions absorbantes de type UPML ont t utilises, 10
couches dans chacune des directions. Lordre de la variation polynomiale de la conductivit
est pris gal 3. Le maillage non uniforme a t utilis et les plus petites mailles dans les trois
directions sont dx = 0.457 mm, dy = 0.4667 mm et dz = 0.7875 mm. Le nombre total de
mailles dans les directions x, y et z sont de 168, 172 et 49, respectivement. Le pas temporel dt
est de 0.9551 ps et les simulations ont t effectues sur 30000 itrations.
Lantenne de rception est modlise par 42 mailles en longueur et 84 mailles en
largeur. La largeur de la ligne dalimentation 50 est modlise par 10 mailles et toutes les
autres lignes dimpdance caractristique 114 sont modlises par 4 mailles en largeur. La
charge R
L
est rpartie sur deux mailles de 0.48 mm. Les diodes D
1
-D
4
ont t introduites dans
le volume de calcul FDTD en utilisant les quations (II.53) (II.56) dveloppes dans le
chapitre II. Chacune des 4 diodes occupe trois mailles, lune pour la diode sans botier (R
s
, I
d

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et C
d
) et les deux autres pour les lments parasites du botier SOT 23, modlis par une
inductance en srie L
p
et une capacit en parallle C
p
(figure II.11).
Pour dterminer le rendement total de la rectenna par la mthode FDTD, il faut
lilluminer par une onde plane. Pour cela, le formalisme du champ total/champ diffract dcrit
dans le chapitre II a t utilis. Deux types de simulation ont t effectus pour dterminer la
variation du rendement en fonction de la densit surfacique de puissance et en fonction de
langle dincidence de londe plane dans les deux plans E ( = 90) et H ( = 0) de
lantenne (figure IV.1). Les rsultats obtenus seront prsents et compars avec les mesures.
Intressons nous maintenant la distribution du champ lectrique (V/m) et du courant
surfacique (A/m) sur la rectenna. Il est prciser que pour les distributions du champ
lectrique, uniquement la composante normale E
z
est considre.
Commenons tout dabord par les cartographies DC que montre la figure IV.4. La
cartographie (a) montre que le courant qui traverse les diodes internes D
2
et D
4
(figure IV.1)
est nul. Ces diodes ne gnrent pas de puissance continue. Les diodes externes D
1
et D
3
sont
traverses par le mme courant et elles prsentent la mme impdance. Elles gnrent
chacune la moiti de la puissance DC et se comportent comme deux sources continues
connectes en srie avec R
L
. Le courant circule lintrieur de la boucle principale (P
1
, P
2
, P
4
,
D
1
, P
8
, P
12
, R
L
, P
13
, P
9
, D
3
, P
5
, P
3
, P
1
) et prsente la mme intensit.

(a) (b)
Figure IV. 4 : Cartographies DC. (a) Courant surfacique. (b) Champ lectrique.

La figure IV.5 montre les cartographies du courant surfacique et du champ lectrique,
sur la face suprieure de la rectenna, 2.45 GHz. Les bords rayonnants de lantenne patch
prsentent un minimum de courant et un maximum de champ lectrique. Les rsultats
montrent aussi que les stubs quarts donde de part et dautre de R
L
ramnent des courts
t
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circuits aux points P
10
et P
11
(figure IV.1) et empchent la puissance P
RF
dtre transmise la
charge et de perturber les mesures. On voit que la puissance reue par lantenne est convertie
uniquement par D
1
et D
3
. Les deux diodes D
2
et D
4
ne participent pas au processus de
conversion RF-DC.

(a) (b)
Figure IV. 5 : Cartographies 2.45 GHz. (a) Courant surfacique. (b) Champ lectrique.

La figure IV.6 nous expose les cartographies obtenues 4.9 GHz. Les rsultats
montrent que la quasi-totalit de la puissance gnre par les diodes D
1
et D
3
cette frquence
est pige lintrieure de la boucle (P
1
, P
2
, P
4
, D
1
, D
2
, P
6
, P
0
, P
7
, D
4
, D
3
, P
5
, P
3
, P
1
), avec une
succession de courts circuits et de circuits ouverts (ventres et nuds).

(a) (b)

A 4.9 GHz, lnergie ne se propage pas, on observe un phnomne dondes
stationnaires lintrieur de la boucle. Les deux courts circuits prsents aux points P
0
et P
1

sont dus la symtrie du circuit, et ne dpendent daucun autre paramtre. Le court circuit au
point P
1
permet disoler lantenne du circuit de conversion 4.9 GHz. Les deux points P
2
et
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P
3
(figure IV.1) sont situs exactement une demi-longueur donde de P
1
, cela explique la
prsence dun maximum de courant et dun minimum de tension en ces deux points.
Les cartographies du courant surfacique et du champ lectrique 7.35 GHz sont
montres sur la figure IV.7. Les rsultats montrent que la charge R
L
est correctement isole,
grce aux stubs quarts donde. Toutefois, il y a une partie de la puissance gnre cette
frquence qui est renvoye vers lantenne, mais dont le niveau reste faible (J
s
< 0.1 A/m et E
z

< 20 V/m).

(a) (b)

2.3. Ralisation et mesures - comparaison avec la FDTD
La rectenna en pont dveloppe a t fabrique et mesure, elle est expose sur la
figure IV.8. Les dimensions du plan de masse sont de 115 mm de longueur et de 93 mm de
largeur.

Banc de mesure en rayonn
Le banc de mesure que montre la figure IV.9 a t utilis pour caractriser
exprimentalement la rectenna dveloppe.
Des mesures de tension de sortie en fonction de la densit surfacique de puissance
(DSP) ont t effectues lintrieure dune chambre anchoque. La partie dmission
contient un gnrateur RF (E8251A dAgilent), qui dlivre une puissance allant de -20 16
dBm, et une antenne cornet de 12 dB de gain 2.45 GHz. De plus, pour augmenter la densit
de puissance au niveau de la rectenna, un amplificateur de puissance a t insr entre la
source RF et le cornet. Pour dterminer avec prcision la puissance (P
t
) transmise au cornet,
les pertes dans les cbles coaxiaux RF qui relient le gnrateur lantenne cornet et le gain de
lamplificateur ont t mesurs. Les pertes dans les cbles ont t estimes 1.6 dB. Le gain
t
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de lamplificateur (G
a
) et la puissance transmise au cornet (P
t
) en fonction de la puissance (P
g
)
dlivre par le gnrateur sont tracs sur la figure IV.10. Le gain G
a
est plus au moins stable
(37 dB) pour des puissances P
g
infrieures -7 dBm. Au del de -7 dBm, G
a
commence
diminuer progressivement pour atteindre 32.5 dB P
g
= 0 dBm.

Figure IV. 8 : Rectenna complte ralise et mesure

Figure IV. 9 : Banc de mesure en rayonn

A la rception, le banc de mesure contient la rectenna caractriser, une charge
variable et un voltmtre conventionnel connect en parallle avec la charge R
L
. Comme la
puissance RF rellement capte par la rectenna est difficile dterminer, nous avons utilis
t
e
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lquation de Friis (IV.7) pour dterminer la puissance P
r
que lantenne, toute seule, est
capable de rcuprer dans le meilleur des cas. Le rendement () de la rectenna est calcul par
lquation (IV.8).

2

4
r t t r
P P G G
d
| |
=
|
\
(IV.7)

Avec P
r
: puissance RF que la rectenna est susceptible de capter (W)
P
t
: puissance transmise lantenne cornet (W)
G
t
: gain de lantenne cornet
G
r
: gain de lantenne de rception (la rectenna)
: longueur donde dans lespace libre (m)
d : distance entre le cornet et la rectenna (m)

2

dc dc
r r L
P V
P P R
= = (IV.8)

Le rendement () peut galement tre calcul partir de la densit surfacique de
puissance [IV.4]. A une distance (d) de lantenne dmission, la densit surfacique de
puissance est dfinie par lquation (IV.9).

2
4
t t
PG
DSP
d
=
(IV.9)

Connaissant le gain de lantenne de rception, sa surface effective A
e
peut tre
dtermine par lquation (IV.10). La puissance P
r
est dfinie, dans ce cas, comme tant le
produit entre A
e
et la densit de puissance (DSP).

2
4
e r
A G

= (IV.10)
t
e
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0
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20 15 10 5 0
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
Pg (dBm)
G
a
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n

a
m
p
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c
a
t
e
u
r

(
d
B
)

20 15 10 5 0
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
Pg (dBm)
P
t

(
d
B
m
)

(a) (b)
Figure IV. 10 : Caractrisation de lamplificateur de puissance. (a) Gain. (b) Puissance transmise au
cornet.

Passons maintenant la caractrisation exprimentale de la rectenna. Les rsultats
seront compars avec ceux obtenus par les simulations FDTD. La tension de sortie et le
rendement mesurs de la rectenna, pour des densits de puissance allant de 0 0.527 mW/cm
(E = 44.57 V/m), sont tracs sur la figure IV.11. La rectenna est, dans un premier temps,
place une distance (d) de 1 m de lantenne dmission. Le gain mesur de lantenne patch
est de 6.2 dB (A
e
= 49.76 cm). Comme nous pouvons le voir sur la figure IV.11, cette
distance (d) du cornet, la densit surfacique de puissance est infrieure 0.2 mW/cm. Pour
tester la rectenna avec des densits de puissance un peu plus leves, une autre srie de
mesures a t effectue avec d = 0.6 m (figure IV.11). Il est prciser que la zone du champ
lointain de lantenne cornet est partir de 48 cm. Afin de pouvoir superposer les courbes
simules et mesures, la densit surfacique de puissance a t normalise par rapport au gain
mesur de lantenne patch. Toutefois, la puissance P
r
que reoit lantenne reste inchange. Les
rsultats simuls par la FDTD sont tracs sur la mme figure IV.11.
A 0.527 mW/cm (P
r
= 26.22 mW), des tensions et puissances DC respectives de 3.95
V (14.86 mW) et 3.6 V (12.34 mW) ont t obtenues par la FDTD et la mesure, aux bornes
dune charge optimale de 1.05 k. Le rendement maximal mesur est obtenu 0.26 mW/cm
(31.3 V/m), il est de 51 %. Le rendement simul augmente avec la DSP pour atteindre 57 %
0.58 mW/cm. Une diffrence de 6 % est observe entre les rendements simul et mesur.
Toutefois, si on compare ces rendements avec ceux du circuit de conversion tout seul, il y a
plus de 10 % de diffrence. Cela peut sexpliquer, priori, par une dsadaptation entre
lantenne et le circuit de conversion.

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
148
0
1
2
3
4
5
V
d
c

(
V
)
FDTD
Mesure (d=1.0m)
Mesure (d=0.6m)
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0
20
40
60
DSP (mW/cm)

(
%
)

Figure IV. 11 : Rendement et tension DC- simulations FDTD et mesures

Les variations de la tension DC simule par FDTD de la rectenna en fonction de langle
dlvation () dans les deux plans E et H (figure IV.1) sont prsentes par la figure IV.12. La
densit surfacique de puissance de londe incidente est de 0.227 mW/cm (29.25 V/m) et la
charge est de 1.05 k. Dans le plan H, la tension maximale est obtenue dans la direction
normale ( = 0). Toutefois, dans le plan E on remarque que le maximum de tension est
lgrement dcal vers la droite. Cela sexplique par la prsence du circuit de conversion sur
lun des bords rayonnants de lantenne. En scartant de la direction normale, la tension DC
se dgrade parce que le gain du patch et la puissance P
r
diminuent. La puissance de sortie
dans les deux plans E et H est trace sur la mme figure droite. Les courbes de puissance
reprennent lallure du diagramme de rayonnement dune antenne patch simple.

100 50 0 50 100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Angle dlvation ()
T
e
n
s
i
o
n

D
C

(
V
)
Plan E
Plan H
100 50 0 50 100
0
1
2
3
4
5
6
7
Angle dlvation ()
P
u
i
s
s
a
n
c
e

D
C

(
m
W
)
Plan E
Plan H

(a) (b)
Figure IV. 12 : Simulation FDTD de la sortie DC dans les plans E et H. (a) Tension DC. (b) Puissance DC.

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
149
Des mesures de tension de sortie dans le plan H ont t effectues pour deux valeurs
de DSP : 0.098 et 0.135 mW/cm. Les rsultats de tension et de puissance DC sont tracs sur
la figure IV.13. Les allures des courbes sont les mmes que celles obtenues par la FDTD,
dans le plan H. La largeur de bande de la rectenna -3 dB dans le plan H est de 65.

100 50 0 50 100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
Angle dlevation ()
T
e
n
s
i
o
n

D
C

(
V
)
0.099 mW/cm
0.135 mW/cm
100 50 0 50 100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Angle dlvation ()
P
u
i
s
s
a
n
c
e

D
C

(
m
W
)
0.099 mW/cm
0.135 mW/cm

(a) (b)
Figure IV. 13 : Mesure de la sortie DC dans le plan H. (a) Tension DC. (b) Puissance DC.

3. Rectenna symtrique double antenne
La deuxime rectenna dveloppe fonctionne 2.45 GHz, elle est base dun pont de
diodes modifi deux accs micro-rubans symtriques (figure IV.14). Il contient quatre
diodes Schottky regroupes par paires dans deux botiers SOT 23, lun anode commune
HSMS 2863 et lautre cathode commune HSMS 2864. chacun des deux accs du circuit
de conversion, est associe une antenne patch rectangulaire polarisation linaire. Elle
prsente une largeur de 39.3 mm et une longueur de 48.4 mm. Afin de ladapter sur une
charge de 50 , la ligne dalimentation est dcale de 6.85 mm du centre du patch. De plus,
pour que le rseau des deux antennes prsente un maximum de rayonnement dans la direction
normale = 0, le couplage des deux antennes dans le plan H a t choisi [IV.2]. Le circuit
de conversion RF-DC a t optimis pour une puissance RF de 7 dBm sur chacun des accs.
La charge optimale R
L
utilise est de 1200 . Les valeurs de longueurs et largeurs des
diffrentes sections de lignes sont exposes dans le tableau IV.1. Pour une puissance RF totale
de 10 dBm la frquence de 2.45 GHz, les diodes D
1
-D
4
prsentent une impdance de (78-
j256) . Contrairement la rectenna prsente prcdemment, les quatre diodes partagent le
processus de conversion et de la gnration de puissance DC et prsentent galement les
mmes pertes. Pour isoler la charge du ct RF durant les mesures, deux stubs quarts dondes
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
150
ont t utiliss de part et dautre de R
L
. Lassociation dun stub avec la ligne L
8
ramne une
impdance inductive de (j117) aux points P
5
et P
6
. Cela permet de rduire la capacitance
des diodes D
1
-D
4
. Limpdance aux points P
1
, P
2
, P
3
et P
4
, par rapport au plan de masse, est
de (78-j22) . Les lignes L
5
(Z
c
= 58 ) et L
6
-L
7
(Z
c
= 95 ) permettent dassurer, en partie,
ladaptation des diodes avec les deux accs 50 . Limpdance ramene au niveau des deux
antennes est de (47-j4.5) , ce qui correspond -25 dB dadaptation sur chacun des deux
accs.
La tension DC est prleve aux bornes de la charge R
L
sans rfrence avec le plan de
masse. Ce circuit, comme pour le prcdent, ne contient ni filtre HF ni vias de retour la
masse. La rectenna est imprime sur un substrat RT/Rogers Duroid 5880 (
r
= 2.2, h =1.575
mm et tan = 0.0009).
Etant donn que les tapes de conception et doptimisation sont les mmes pour tous
les circuits rectennas dvelopps, nous mettons laccent plus particulirement sur les rsultats
de lanalyse globale FDTD ainsi que ceux des mesures.

Figure IV. 14 : Rectenna symtrique double antenne

L
1
L
2
L
3
L
4
L
5
L
6
L
7
L
8
L
9
L
10
W
1
W
2
W
3
W
4

39.3 48.4 24.1 10.0 10.0 17.6 17.9 11.5 10.8 13.7 4.8 3.8 1.53 0.95

Tableau IV. 1 : Dimensions de la rectenna en mm

x
y
z
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
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o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
151
3.1. Circuit de conversion symtrique deux accs
Avant de prsenter les rsultats de la rectenna, commenons tout dabord par quelques
rsultats de simulations ADS du circuit de conversion tout seul.
Le niveau des trois premiers harmoniques au niveau de lun des accs est expos sur la
figure IV.15 (a). Les puissances ont t normalises par rapport la puissance RF sur un des
accs. Les harmoniques paires dordre 2 et 4 sont extrmement faibles sur toute la bande de
puissance. Cela est d, comme on va le voir par la suite, la prsence dun court circuit au
point P
0
. Cela permet de bloquer tous les harmoniques pairs et dviter quils ne soient
rayonns par lantenne. Lharmonique impair 7.35 GHz est suffisamment faible, il prsente
une attnuation suprieure 25 dB.
La figure IV.15 (b) montre le niveau de la frquence fondamentale (2.45 GHz) et celui
des trois premiers harmoniques aux bornes de R
L
. Les frquences de 2.45 et 7.35 GHz sont
extrmement faibles grce la symtrie du circuit et la prsence des deux stubs quarts
dondes. Lharmonique dordre 4 9.8 GHz est trs faible, il est infrieure -35 dB sur toute
la bande de puissance. Des rsidus de lharmonique 4.9 GHz apparaissent aux bornes de R
L
.
Toutefois, son niveau reste faible (< -20 dB) par rapport la puissance dentre. Les rsultats
obtenus montrent bien que la charge de sortie est correctement isole.

10 5 0 5 10 15 20
70
60
50
40
30
20
10
0
Puissance RF (dBm)
N
i
v
e
a
u

d
e
s

h
a
r
m
o
n
i
q
u
e
s

(
d
B
)
4.9 GHz
7.35 GHz
9.8 GHz
10 5 0 5 10 15 20
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Puissance RF (dBm)
N
i
v
e
a
u
x

d
e
s

h
a
r
m
o
n
i
q
u
e
s

(
d
B
)
2.45 GHz
4.9 GHz
7.35 GHz
9.8 GHz

(a) (b)
Figure IV. 15 : Niveau des harmoniques. (a) Sur un des accs du circuit. (b) Aux bornes de R
L
.

La figure IV.16 montre linfluence du dphasage entre les deux accs sur le rendement
du circuit de conversion. Grce la symtrie du circuit, ltude est rduite lintervalle 0-
180. Le rendement est maximal 0, lorsque les deux accs sont en phase. Il diminue ensuite
progressivement en fonction du dphasage pour atteindre sa valeur minimale lorsque les deux
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
152
accs sont en opposition de phase. Les rsultats montrent que le circuit est sensible au
dphasage entre les deux accs. En effet, comme les deux parties, droite et gauche, du circuit
ne sont pas isoles lune de lautre, lintroduction dune dissymtrie sur lun des deux cts
affecte invitablement le fonctionnement de tout le circuit.
Les deux antennes qui seront connectes sur les deux accs sont identiques. Elles
reoivent la mme puissance RF, quelque soit la direction de londe incidente. Pour cette
raison, linfluence dun dsquilibre en puissance entre les deux accs ne sera pas tudie.

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Dphasage ()
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
10 dBm
5 dBm
0 dBm
5 dBm
10 dBm

Figure IV. 16 : Influence du dphasage entre les deux accs du circuit sur le rendement

3.2. Simulation FDTD de la rectenna
Une fois que le circuit de conversion et le rseau des deux antennes conus et
optimiss, la rectenna a t analyse avec la mthode FDTD. Les conditions absorbantes de
type UPML, avec 10 couches dans chacune des directions, ont t utilises. Lordre de la
variation polynomiale de la conductivit est m = 3. Afin de minimiser les erreurs de
discrtisation, le maillage non-uniforme a t utilis. Les plus petites mailles suivant les axes
de cordonnes x, y et z sont dx = 0.7665 mm, dy = 0.4666 mm et dz = 0.7875 mm, et le
nombre de mailles est de 227 x 137 x 49. Le pas temporel dt est gal 1.1261 ps et les
simulations sont effectues sur 25000 itrations temporelles (une dure de 28.15 ns).

3.2.1. Tension DC dans les plans E et H de la rectenna
Les variations des tensions et puissances de sortie en fonction de langle dlvation
(), dans les deux plans E ( = 90) et H ( = 0) (voir figure IV.14), sont traces sur la
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
153
figure IV.17. On remarque que la tension maximale est obtenue dans la direction normale ( =
0). En scartant de cette direction, la tension et la puissance DC diminuent. Toutefois, dans
les deux plans E et H, la symtrie par rapport au plan = 0 est conserve.
Pour expliquer lallure des courbes obtenues, nous traons sur la figure IV.18 le
diagramme de rayonnement normalis du rseau des deux antennes seules simul sous HFSS.
Dans le plan H, le diagramme comprend un lobe principal = 0 et deux lobes secondaires
-53 et 53. Les courbes de puissance DC dans les deux plans E et H ont la mme allure que
celles du diagramme de rayonnement du rseau. Cela permet dexpliquer la diminution de la
tension DC aux bornes de R
L
, en scartant de la normale. En effet, la tension DC diminue
cause du gain des antennes de rception qui se dgrade. Louverture -3 dB de la rectenna est
de 75 (73 pour le rseau) dans le plans E et de 23 (20 pour le rseau) dans le plan H.

100 50 0 50 100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Angle dlvation ()
T
e
n
s
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o
n

D
C

(
V
)

Plan E
Plan H
100 50 0 50 100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Angle dlvation ()
P
u
i
s
s
a
n
c
e

D
C

(
m
W
)
Plan E
Plan H

Figure IV. 17 : Tension et puissance DC dans les plans E et H (simulation FDTD)

100 50 0 50 100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
Angle dlvation ()
D
i
a
g
r
a
m
m
e

d
e

r
a
y
o
n
n
e
m
e
n
t

Plan E
Plan H

Figure IV. 18 : Diagramme de rayonnement du rseau des deux antennes
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

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n

1

-

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F
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b

2
0
1
1
154
3.2.2. Cartographies du champ lectrique et du courant surfacique
Passons maintenant aux cartographies du champ lectrique et du courant surfacique.
Langle dincidence est = 0 et lintensit du champ lectrique incident est de 20 V/m
(0.106 mW/cm). Ltude sera limite aux premires composantes frquentielles jusqu 7.35
GHz. Au del de cette frquence, la puissance des autres composantes harmoniques dordre
suprieur reste ngligeable.
La figure IV.19 montre les cartographies du champ lectrique et du courant surfacique
DC. Les diodes D
1
-D
4
sont parcourues par le mme courant DC. Elles ont la mme
impdance dynamique 2.45 GHz. Le courant DC de la charge R
L
est le double du courant
des diodes. Cela est conforme la loi des nuds (loi de Kirchhoff). Le champ lectrique
normal prsente une lgre dissymtrie, cela est probablement d aux lignes dalimentation
qui sont dcales par rapport aux centres des antennes patchs.

(a) : Courant surfacique (b) : Champ lectrique
Figure IV. 19 : Cartographies DC

Les cartographies 2.45 GHz sont exposes sur la figure IV.20. La charge R
L
est
isole grce aux stubs quarts donde qui ramnent deux courts circuits de part et dautre de
R
L
. Sur les deux antennes, on remarque que le champ lectrique est trs important sur les
bords rayonnants, tandis que le courant surfacique varie de manire sinusodale sur les bords
non rayonnants. Comme pour la composante DC, on remarque aussi une lgre dissymtrie
sur la distribution du champ lectrique normal (E
z
) 2.45 GHz.

t
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l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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r
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n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
155

Figure IV. 20 : Cartographies 2.45 GHz

La figure IV.21 nous expose les cartographies 4.9 GHz. La quasi-totalit de la
puissance gnre, par D
1
-D
4
cette frquence est confine lintrieure de la boucle
principale contenant les quatre diodes D
1
-D
4
. On observe une succession de points forte et
faible impdance, espacs dun quart donde (/4 = 11.46 mm). A 4.9 GHz, il ny a pas de
propagation dnergie, mais un phnomne dondes stationnaires. Deux courts circuits (point
P
0
) sont prsents sur les deux lignes daccs 58 . Ils empchent la puissance 4.9 GHz
dtre rayonne par les deux antennes. Les deux diodes D
1
et D
2
sont places une distance
de trois quarts donde du point P
0
, ce qui implique une forte impdance au niveau des points
P
1
et P
2
(figure IV.14). Cela est galement valable pour les diodes D
3
et D
4
. La longueur totale
de la boucle est de trois fois la longueur donde 4.9 GHz. Ces fortes impdances au niveau
des diodes attnuent la puissance 4.9 GHz dans la branche P
5
-P
6
contenant la charge R
L
et
les stubs.

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
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,

v
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r
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1

-

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F
e
b

2
0
1
1
156
Les cartographies 7.35 GHz sont exposes sur la figure IV.22. Les rsultats montrent
que cette composante frquentielle est faible, la quasi-totalit de la puissance gnre est
confine entre les points P
5
et P
6
. Sur les deux accs du circuit, le courant surfacique et le
champ lectrique sont nuls.


3.3. Caractrisation exprimentale de la rectenna et comparaison avec la FDTD
La rectenna dveloppe a t ralise et caractrise. Le plan de masse du circuit a une
longueur de 218 mm et une largeur de 84 mm. Les deux plans E et H de la rectenna sont
montrs sur la figure IV.23. Le gain maximum mesur du rseau dantennes G
r
= 8.7 dB et sa
surface effective A
e
= 88.5 cm. La rectenna est place 1 mtre de distance de lantenne
dmission et la charge R
L
est fixe 1.2 k.

Figure IV. 23 : Rectenna ralise et mesure

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

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n

1

-

9

F
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b

2
0
1
1
157
La figure IV.24 montre une comparaison entre les rsultats simul (FDTD) et mesur.
La tension DC et le rendement de la rectenna y sont prsents. La densit surfacique de
puissance varie de 0.004 mW/cm (3.88 V/m) 0.13 mW/cm (22.14 V/m) et la puissance RF,
suppose tre reue, varie de 0.35 11.5 mW. On remarque que les rsultats prdits par la
FDTD concordent avec ceux obtenus par la mesure. Un rendement de 67 % a t mesur
lorsque la densit de puissance est gale 0.06 mW/cm (E =15 V/m). Dans les mmes
conditions, le rendement simul est de 65 %. Les tensions DC maximales simule et mesure
0.126 mW/cm sont de 2.879 et 2.86 V, respectivement.

0
1
2
3
V
d
c

(
V
)
FDTD
Mesure
0 0.05 0.1 0.15
0
10
20
30
40
50
60
70
DSP (mW/cm)

(
%
)

Figure IV. 24 : Rendement et tension DC. (a) FDTD. (b) Mesure.

La figure IV.25 montre la variation de la tension de sortie et du rendement en fonction
de la charge, avec les densits de puissance de 0.04 et 0.13 mW/cm. Les rsultats montrent
que le rendement est optimal autour de 1.2 k, ce qui concorde avec les rsultats de
simulations o une rsistance optimale de 1.2 k avait t obtenue.

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
158
0.1 1 10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Charge (K)
T
e
n
s
i
o
n

D
C

(
V
)
0.013 mW/cm
0.04 mW/cm
0.1 1 10
0
20
40
60
80
Charge(K)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
0.013 mW/cm
0.04 mW/cm

(a) (b)
Figure IV. 25 : Sortie DC en fonction de R
L
. (a) Tension. (b) Rendement

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
159
4. Rectenna double diode
La rectenna double diode [IV.5] que montre la figure IV.26 fonctionne la frquence
de 2.45 GHz, elle est imprime sur un substrat Arlon 25N de permittivit
r
= 3.38, de hauteur
h = 1.524 mm et dune tangente de pertes tan = 0.0025. La structure est compose dun
circuit de conversion double diode, prsent dans le chapitre III, et dune antenne patch
rectangulaire polarise linairement. Lantenne de rception fait 32.38 mm de largeur et 41.28
mm de longueur. Elle est alimente par une ligne micro-ruban de 0.85 mm de largeur et elle
est adapte sur une impdance de 100 . Le circuit de conversion contient deux diodes
HSMS 2860 avec botiers SOT 23. Ce circuit a t optimis pour un niveau de puissance P
RF

de lordre de 10 mW. Dans ces conditions, limpdance srie des diodes D
1
et D
2
2.45 GHz
est de (95-j200) . Les deux lignes L
7
, termines par des courts circuits aux points P
5
et P
6
,
ramnent une impdance inductive de +j273 aux points P
3
et P
4
. Cela permet de compenser
une partie de la capacitance des deux diodes et davoir une impdance de (94+j73) aux
points P
1
et P
2
, par rapport au plan de masse. La largeur des deux lignes L
5
et L
6
est de 1.2
mm, elle a t choisie pour ramener une impdance de 100 au point P
0
et assurer
ladaptation avec lantenne de rception. Le niveau normalis de la composante harmonique
7.35 GHz au niveau de la ligne dalimentation (L
4
) est de -30 dB. Toutes les sections de ligne
du redresseur prsentent une impdance caractristique de 87 except la ligne
dalimentation qui a une impdance caractristique de 100 .

Figure IV. 26 : Rectenna avec le circuit de conversion double diode

x
y
z
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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r
s
i
o
n

1

-

9

F
e
b

2
0
1
1
160
4.1. Simulations numrique (FDTD)
Nous proposons dans cette partie de ltude de simuler et danalyser la rectenna
double diode avec la mthode FDTD. Dans toutes les simulations, des conditions absorbantes
de type UPML, avec 10 couches dans chacune des directions, ont t utilises. Lordre de la
variation polynomiale de la conductivit est gal 3. Un pas spatial de 0.2 mm est utilis dans
les directions x et y, tandis que dans la direction z, la plus petite maille est gale 0.762 mm.
Le nombre de mailles sur les trois axes x, y et z est de 229 x 250 x 50. Le pas temporel est
gal 0.4403 ps et les simulations ont t effectues sur 100000 itrations. Pour minimiser les
erreurs de discrtisation, lantenne patch a t modlise par 64 mailles en longueur et 146
mailles en largeur. De plus, les largeurs de la ligne L
4
et des autres sections de ligne (L
5
, L
6
,
L
7
, L
8
et L
9
) du circuit de conversion ont t modlises par 4 et 6 mailles, respectivement.
Nous avons calcul les distributions du courant surfacique et du champ lectrique
normal (E
z
), des premires composantes frquentielles jusqu 7.35 GHz. La rectenna est
illumine par une onde plane, en incidence normale, dune intensit de 20 V/m (0.106
mW/cm).
La figure IV.27 montre les cartographies DC de la rectenna. Les diodes D
1
et D
2
sont
traverses par le mme courant continu, elles ont le mme point de fonctionnement et
prsentent la mme impdance dynamique 2.45 GHz.

(a) (b)
Figure IV. 27 : Cartographies DC. (a) Courant surfacique. (b) Champ lectrique.

Les cartographies 2.45 GHz sont exposes sur la figure IV.28. Les stubs quarts
donde ramnent des courts circuits aux points P
5
et P
6
et permettent disoler R
L
. Les rsultats
montrent que les distributions du courant et du champ sont symtriques. La puissance P
RF

capte par lantenne est divise, au point P
0
, en deux composantes en phase et dgale
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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-

9

F
e
b

2
0
1
1
161
puissance jusquaux diodes D
1
et D
2
, chacune convertit en DC la moiti de P
RF
et engendre
des harmoniques.

(a) (b)

La figure IV.29 prsente les cartographies de la rectenna 4.9 GHz. La puissance
gnre par les diodes D
1
et D
2
, cette frquence, est confine dans la branche P
1
-P
0
-P
2
. En
effet, les points P
1
et P
2
prsentent des impdances assez importantes (circuits ouverts) car ils
sont situs une distance dun quart donde de P
0
. 4.9 GHz et tous les harmoniques pairs,
le filtre HF nest pas ncessaire.

(a) (b)

Les cartographies du champ lectrique et de la densit du courant surfacique 7.35
GHz sont exposes sur la figure IV.30. La quasi-totalit de la puissance cette frquence se
trouve confine entre les diodes D
1
et D
2
et les points P
5
et P
6
. La puissance gnre par les
diodes nest pas renvoye vers lantenne de rception.
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
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b

2
0
1
1
162

(a) (b)

4.1.1. Etude paramtrique en fonction de la ligne dalimentation L
4

Dans les simulations effectues sous ADS, le gnrateur de puissance prsente la
mme impdance interne quelque soit la composante harmonique (2.45 GHz, 4.9 GHz, 7.35
GHz, ). Lantenne de rception, quand elle, ne prsente pas la mme impdance dentre
toutes ces frquences. Comme le circuit double diode ne contient pas de filtre HF, lorsque
lantenne est associe au circuit de conversion, elle modifie limpdance des diodes aux
diffrents harmoniques, et plus particulirement 7.35 GHz, et risque par consquent
daltrer la fois le niveau dadaptation et le rendement total de la rectenna.
Pour mieux cerner ce problme, nous avons trac les cartographies du courant
surfacique de la rectenna pour diffrentes valeurs de L
4
, la longueur de la ligne
dalimentation. En effet, cette ligne permet de faire varier limpdance ramenes 7.35 GHz
aux points P
1
et P
2
et modifie par consquent limpdance de diodes.
La figure IV.31 montre les cartographies du courant 2.45, 4.9 et 7.35 GHz pour
diffrentes valeurs de L
4
, entre 16.9 mm et 30.9 mm. La rectenna est illumine par une onde
plane, en incidence normale, dune intensit de 20 V/m (0.106 mW/cm). Pour voir
linfluence de L
4
sur la rpartition et lintensit des courants surfaciques, les cartographies la
mme frquence ont t normalises. Les rsultats montrent qu 2.45 GHz, lintensit du
courant surfacique diminue lorsque L
4
augmente. Cela montre que la puissance P
RF
transmise
au circuit de conversion varie en fonction de L
4
. 4.9 GHz, lintensit du courant diminue en
fonction de L
4
. Toutefois, le courant cette frquence reste confin entre les points P
1
-P
0
-P
2
.
La rpartition du courant pour ces deux frquences reste la mme, elle ne change pas en
fonction de L
4
. 7.35 GHz, par contre, la rpartition et lintensit du courant surfacique
dpendent de L
4
.
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
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6
,

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b

2
0
1
1
163
2.45 GHz 4.90 GHz 7.35 GHz

L
4
= 16.9 mm

L
4
= 18.9 mm

L
4
= 22.9 mm

L
4
= 27.9 mm

L
4
= 30.9 mm

Figure IV. 31 : Distributions du courant surfacique pour diffrentes valeurs de L
4

t
e
l
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0
0
5
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5
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,

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0
1
1
164
A densit de puissance constante (0.106 mW/cm), et en faisant varier L
4
de 15.9 mm
51 mm, la tension DC et le rendement de la rectenna varient comme le montre la figure
IV.32. La tension de sortie varie entre 1.5 V et 2.28 V, avec un minimum L
4
= 31 mm.
Daprs lallure des courbes, on peut en dduire que le rendement est priodique. Sa priode
est dune demi-longueur donde 2.45 GHz, cela montre que la ligne L
4
permet de compenser
la dsadaptation entre lantenne et le circuit de conversion, et qui est engendre en partie par
labsence du filtre HF.

0
1
2
3
0 20 40 60
0
20
40
60
80
100
L4 (mm)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
T
e
n
s
i
o
n

D
C

(
V
)
rendement (FDTD)
tension DC (FDTD)

Figure IV. 32 : Tension DC et rendement en fonction de L
4
(FDTD)

La figure IV.33 montre lvolution temporelle de la tension DC pour trois valeurs de
L
4
: 15.9, 18.9 et 22.9 mm. Lintensit du champ lectrique incident est de 20 V/m et la
charge de sortie est gale la charge optimale (1.05 k).
Les spectres normaliss du courant et de la tension sur la ligne dalimentation, pour
trois valeurs de L
4
, sont exposs sur les figures IV.34 et IV.35, respectivement. Les rsultats
montrent bien que le niveau de la composante 7.35 GHz varie en fonction de la longueur de
la ligne dalimentation.

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

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b

2
0
1
1
165
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Temps (ns)
V
d
c

(
V
)
L4 = 15.9 mm
L4 = 18.9 mm
L4 = 22.9 mm

Figure IV. 33 : Variation temporelle de la tension DC pour trois valeurs de L
4
(FDTD)

0 2 4 6 8 10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
Frquence (GHz)
C
o
u
r
a
n
t

(
m
A
)
L4 = 15.9 mm
L4 = 18.9 mm
L4 = 22.9 mm
6 6.5 7 7.5 8
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0.04
0.045
0.05
Frquence (GHz)
C
o
u
r
a
n
t

(
m
A
)

Figure IV. 34 : Spectre normalis du courant sur la ligne L
4
(FDTD)

0 2 4 6 8 10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
Frquence (GHz)
T
e
n
s
i
o
n

(
V
)
L4 = 15.9 mm
L4 = 18.9 mm
L4 = 22.9 mm
6 6.5 7 7.5 8
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
Frquence (GHz)
T
e
n
s
i
o
n

(
V
)

Figure IV. 35 : Spectre normalis de la tension sur la ligne L
4
(FDTD)

38 38.5 39 39.5 40
2.2
2.22
2.24
2.26
2.28
2.3
2.32
2.34
2.36
2.38
2.4
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
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,

v
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b

2
0
1
1
166
4.2. Mesure de la rectenna comparaison avec la FDTD
Lantenne patch encoches t ralise et mesure. Elle prsente un niveau
dadaptation de -20 dB 2.45 GHz et un gain maximal de 4.7 dB dans la direction normale (
= 0). Par la suite, la rectenna double diode (figure IV.36) dveloppe a t ralise et
mesure lintrieur de la chambre anchoque. La longueur et la largeur du plan de masse
sont de 89.1 et 81.28 mm, respectivement. La rectenna est place une distance de 70 cm de
lantenne cornet et la densit surfacique de puissance la rception varie dans la plage 0-0.31
mW/cm. La puissance RF suppose tre reue par la rectenna varie de 0 jusqu 11 mW et la
charge optimale (1.05 k) a t utilise en simulations FDTD comme en mesures.

Figure IV. 36 : Prototype de la rectenna ralise et mesure

La figure IV.37 prsente la tension DC et le rendement mesurs et les compare avec
ceux obtenus par la FDTD. Les rsultats simuls sont en bonne concordance avec les mesures.
La tension et le rendement augmentent en fonction de la densit de puissance. Le rendement
mesur dpasse les 80 % partir dune densit de puissance gale 0.21 mW/cm (E = 28
V/m). Un rendement maximal de 83% a t obtenu lorsque la densit de puissance est de 0.3
mW/cm, la tension correspondante mesure aux bornes de R
L
est de 3.03 V.

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
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,

v
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0
1
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167
0
1
2
3
4
V
d
c

(
V
)
FDTD
Mesure
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
0
20
40
60
80
100
DSP (mW/cm)

(
%
)

Figure IV. 37 : Tension DC et rendement - simulation FDTD et mesure (L
4
=15.9mm)

Deux autres rectennas, avec des lignes dalimentation (L
4
) de 18.9 et 22.9 mm, ont t
galement ralises et mesures. Les rsultats obtenus sont compars aux simulations FDTD
et prsents sur la figure IV.38. On voit que la mthode FDTD prdit correctement la sortie
DC des circuits raliss. Le premier circuit avec L
4
= 18.9 mm prsente un rendement mesur
de 71.5 % 0.28 mW/cm, tandis que le second circuit (L
4
= 22.9 mm) montre un rendement
total mesur de seulement 52.4 % lorsque la densit de puissance est gale 0.21 mW/cm.

0
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2
3
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V
d
c

(
V
)
FDTD
Mesure
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
0
20
40
60
80
100
DSP (mW/cm)

(
%
)
0
1
2
3
4
V
d
c

(
V
)
FDTD
Mesure
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
0
20
40
60
80
100
DSP (mW/cm)

(
%
)

(a) (b)
Figure IV. 38 : Tension DC et rendement - simulation FDTD et mesure. (a) L
4
= 18.9mm. (b) L
4
= 22.9mm.

t
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0
0
5
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4
5
9
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,

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0
1
1
168
5. Rseaux de rectennas double diode
Pour augmenter la sortie DC, en termes de tension et/ou de puissance, des associations
de rectennas ont t introduites dans ce travail. Les deux types dinterconnexion srie et
parallle ont t tests. Des rseaux de 2 et de 4 rectennas (figure IV.39) ont t dvelopps,
raliss et caractriss au laboratoire. Pour constituer ces rseaux, la rectenna prsente sur la
figure IV.26 a t utilise. Les rseaux 2 et 4 lments prsentent une largeur de 90 mm et
des longueurs de 147 et 280 mm, respectivement.
Tout dabord, les lments du rseau ont t disposs de telle sorte que le couplage
entre les patchs rayonnants soit dans le plan H. En effet, il a t montr [IV.2] que pour le
mme espacement (s) entre les bords de deux antennes patchs, le couplage dans le plan H est
plus faible que dans le plan E. Dans les rseaux dvelopps, lespacement (s) est choisi gal
25 mm et le couplage, entre les deux antennes, dans ce cas est infrieur -25 dB [IV.2].

(a) (b)
Figure IV. 39 : Rseaux de rectennas. (a) 2 lments. (b) 4 lments.

Dans un premier temps, des mesures en fonction de la charge R
L
ont t effectues
afin de dterminer la charge optimale du rseau. Ensuite, nous avons procd aux mesures en
fonction de la densit surfacique de puissance tout en gardant la charge de sortie optimale.
Les rsultats mesurs seront compars ceux de la rectenna simple (figure IV.36).

5.1. Association des rectennas en parallle
Lassociation de rectennas en parallle permet, thoriquement, de multiplier par N (N
tant le nombre dlments du rseau) la puissance de sortie DC tout en gardant la tension DC
constante. La charge optimale thorique du rseau, dans ce cas, est le rapport entre la charge
optimale de la rectenna simple et N.
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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b

2
0
1
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169
La figure IV.40 montre la sortie DC des deux rseaux en fonction de la charge entre
100 et 10 k. Les mesures ont t effectues pour deux densits surfaciques de puissance :
0.027 et 0.28 mW/cm. Avec ces deux densits de puissance, chacun des lments des rseaux
reoit 1 et 10 mW de puissance. Les rsultats obtenus montrent que les charges optimales
mesures des deux rseaux 2 et 4 lments sont de 525 et 265 , alors que celle de la
rectenna simple est de 1050 . Ces rsultats concordent parfaitement bien avec la thorie.
Pour des valeurs importantes de R
L
, et lorsque la densit de puissance est de 0.28 mW/cm, la
tension de sortie est limite 5 V.
La figure IV.41 prsente la tension DC et le rendement, des deux rseaux 2 et 4
lments, en fonction de la densit surfacique de puissance qui varie de 0 0.31 mW/cm. Les
rsultats de la rectenna simple sont tracs sur la mme figure pour la comparaison. Les
surfaces quivalentes des deux rseaux (N = 2 et 4) sont de 70.46 et 140.92 cm,
respectivement. Les charges optimales utilises sont de 525 et 265 . Les rsultats des trois
circuits sont comparables. Toutefois, on remarque que le rseau de 2 lments parallles
dlivre une tension DC lgrement suprieure celle dun lment simple. Le rseau de 4
lments produit une tension maximale de 3 V, compare au 3.1 V du circuit un lment,
lorsque la densit de puissance est maximale (0.31 mW/cm). Les maximums de rendement
des trois circuits (N=1, 2 et 4) sont de 83, 88 et 78%, respectivement.

0.1 1 10
0
1
2
3
4
5
6
Charge (K)
V
d
c

(
V
)
2 lments (0.027 mW/cm)
0.1 1 10
0
20
40
60
80
100
Charge (K)

(
%
)

(a) (b)
Figure IV. 40 : Association parallle - mesure en fonction de R
L
. (a) Tension DC. (b) Rendement.

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
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,

v
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2
0
1
1
170
0
1
2
3
4
V
d
c

(
V
)
1 lment 1050
2 lments 525
4 lments 265
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
0
20
40
60
80
100
DSP (mW/cm)

(
%
)

Figure IV. 41 : Association de rectennas en parallle tensions et rendements mesurs

5.2. Association des rectennas en srie
Lassociation de rectennas en srie permet davoir des tensions DC suprieures celle
que dlivre lassociation en parallle.
La variation de la sortie DC (tension et rendement) en fonction de la charge R
L
, pour
les trois circuits (N = 1, 2 et 4), est montre sur la figure IV.42. Les rsultats montrent que la
charge optimale, pour les deux rseaux, est gale au produit de la charge optimale de la
rectenna simple par le nombre dlments du rseau (2.1 et 4.2 k). Cela montre que les
lments constitutifs des rseaux sont correctement isols, ils peuvent tre considrs comme
des gnrateurs de tensions DC connects en srie avec une charge R
L
en sortie. Aux bornes
dune charge de 10 k, et lorsque la densit de puissance est gale 0.28 mW/cm, nous
avons pu mesurer des tensions de 9.2 et 15.38 V avec les deux rseaux 2 et 4 lments.

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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n

1

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b

2
0
1
1
171
0.1 1 10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Charge (K)
V
d
c

(
V
)
0.1 1 10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Charge (K)

(
%
)

(a) (b)
Figure IV. 42 : Association srie - mesure en fonction de R
L
. (a) Tension DC. (b) Rendement.

La figure IV.43 prsente la sortie DC, des rseaux 2 et 4 lments connects en
srie, en fonction de la densit surfacique de puissance entre 0 et 0.31 mW/cm. Les rsultats
de la rectenna simple sont superposs sur la mme figure pour pouvoir les comparer. Des
tensions maximales de 3.1, 6.43 et 11.90 V ont t mesures 0.31 mW/cm pour les trois
circuits N = 1, 2 et 4, respectivement. Les charges utilises sont optimales, elles sont gales
1.05, 2.1 et 4.2 k, respectivement. Les maximums de rendement des trois circuits (N=1, 2 et
4) sont de 83, 88 et 78%, respectivement.

0
3
6
9
12
V
d
c

(
V
)
1 lment (1050 )
2 lments (2100 )
4 lments (4200 )
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
0
20
40
60
80
100
DSP (mW/cm)

(
%
)

Figure IV. 43 : Association de rectennas en srie tensions et rendements mesurs
t
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1
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172
5.3. Rapport des tensions DC entre les rseaux et la rectenna simple
La figure IV.44 prsente les rapports de tension des quatre rseaux par rapport la
rectenna unitaire. Les rectennas 2 lments en parallle et en srie produisent des tensions
DC approximativement 1.04 et 2.08 fois celle dune rectenna simple. Les rseaux 4
lments connects en parallle et srie, quand eux, prsentent des rapports de tension VR
(Voltage Ratio) de 0.97 et 3.84, respectivement. Les rsultats montrent que les rapports des
tensions des quatre rseaux dvelopps sont pratiquement constants.

0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
0
1
2
3
4
5
DSP (mW/cm)
R
a
p
p
o
r
t

d
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t
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n
s
i
o
n
s

D
C
2 lments parallle
4 lments parallle
2 lments srie
4 lments srie

Figure IV. 44 : Rapport (VR) entre les tensions des rseaux de rectennas et la tension de la rectenna
lmentaire

6. Conclusion
Dans ce chapitre, trois circuits rectennas ont t dvelopps, raliss et mesurs en
rayonn lintrieur dune chambre anchoque. Les rsultats mesurs ont t
systmatiquement compars avec ceux obtenus par la simulation globale FDTD, et une bonne
concordance entre les deux avait t constate.
La premire rectenna en pont de diodes modifi (paragraphe 2) prsente un rendement
total de 51 % lorsque la densit de puissance est de 0.15 mW/cm. Laltration du rendement
est due la dsadaptation de lantenne par rapport au circuit de conversion et qui est
engendre par labsence du filtre HF.
La rectenna symtrique double antenne, prsente dans le paragraphe 3, permet de
capter plus de puissance RF avec ses deux antennes connectes sur les deux accs du circuit
de conversion RF-DC. Ce circuit prsente un rendement total de 67 % 0.06 mW/cm.
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173
Toutefois, contrairement un rseau de deux rectennas connectes en parallle, lintroduction
dun dphasage entre les deux accs du circuit dgrade son rendement. En effet, les deux
parties droite et gauche de la rectenna ne sont pas compltement dcoupls de point de vue
RF.
Le dernier circuit dvelopp est la rectenna double diode. Elle prsente un rendement
suprieur 80 % partir dune densit de puissance de 0.21 mW/cm.
En utilisant la mthode FDTD, nous avons pu dterminer les distributions du champ
lectrique et de la densit du courant surfacique, des premires composantes harmoniques
jusqu 7.35 GHz. Ces cartographies nous ont aid, dans un premier temps, expliquer le
comportement des diffrentes composantes frquentielles. Par la suite, les rsultats obtenus
ont t exploits pour allger les procdures doptimisation et accroitre les performances des
circuits rectennas en termes de rendement et dencombrement.
Les performances des deux premires rectennas, et plus particulirement celles en pont
de diodes modifi mono-antenne, peuvent tre amliores la lumire des derniers rsultats
FDTD obtenus.
Afin daugmenter la puissance et/ou la tension de sortie DC de la rectenna, les
associations de rectennas double diode en srie et en parallle ont t introduite dans ce
travail de thse. Quatre rseaux 2 et 4 lments, connects en srie puis en parallle, ont
t dvelopps, raliss et caractriss exprimentalement. Avec des charges optimales, les
rseaux 2 et 4 lments connects en srie permettent de produire des tensions DC qui
sont 2.08 et 3.84 fois suprieures celle dune rectenna seule. Les rseaux de 2 et 4 lments
en parallle fournissent, quand eux, des puissances DC 2.16 et 3.76 fois suprieures celle
que peut produire la rectenna simple.

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1
1
174

[IV.1] H. Takhedmit, B. Merabet, L. Cirio, B. Allard, F. Costa, C. Vollaire and O. Picon,
A 2.45 GHz Low Cost and Efficient Rectenna, 4
th
Antennas and Propagation, EuCAP 2010, 12-16 April, Barcelona.

[IV.2] C. A. Balanis, Antenna Theory: Analysis and Design, John Wiley & Sons, Inc.,
Third Edition, 2005.

[IV.3] J. D. Kraus, R. J. Marhefka, Antennas for all applications, McGraw-Hill Edition,
Third Edition, 1997.

[IV.4] L.W. Epp, A.R. Khan, H.K. Smith and R.P. Smith, A Compact Dual-Polarized 8.51-
GHz Rectenna for High-Voltage (50 V) Actuator Applications, IEEE Trans. On
Microwave Theory and Techniques, vol. 48, no. 1
st
Jan. 2000, pp 111-120.

[IV.5] H. Takhedmit, L. Cirio, B. Merabet, B. Allard, F. Costa, C. Vollaire and O. Picon,
Efficient 2.45 GHz rectenna design including harmonic rejecting rectifier device,
Electronics Letters, vol. 46, no. 12, 10
th
June 2010, pp. 811-812.

t
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175

---------------------------------
Conclusion gnrale
-----------------------------------------------------------------------------------

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Conclusion gnrale
177
Conclusion gnrale
Nous avons montr travers les diffrents travaux dvelopps dans le cadre de cette
thse que lalimentation distance de dispositifs faible consommation est potentiellement
intressante, elle est en mesure de rpondre la fois aux problmes dautonomie et de
mobilit des capteurs, des rseaux de capteurs et des actionneurs sans fil.
La modlisation numrique a t tout au long de ce travail un outil trs important. Un
circuit rectenna contient la fois des lments distribus (lments rayonnants, lignes, ) et
des lments localiss linaires (rsistance, inductance et capacit) et non-linaires (diode).
Pour prendre en compte les deux aspects lectromagntique et circuit, les mthodes danalyse
globales sont plus que souhaitables. Deux mthodes de simulation complmentaires ont t
utilises. Dans un premier temps, le logiciel commercial ADS (co-simulation harmonic
balance + Momentum) a servi la simulation et loptimisation des circuits de conversion
RF-DC. Par la suite, nous avons dvelopp un outil de simulation bas sur la mthode FDTD
capable danalyser le systme rectenna dans sa totalit. En effet, le scnario dune mesure en
rayonn lintrieure dune chambre anchoque a pu tre reproduit. Cette mthode nous a
permis de prdire avec prcision les sorties DC (tension et rendement) des circuits
dvelopps.
Trois rectennas innovantes 2.45 GHz, sans filtre dentre HF ni vias de retour la
masse, ont pu tre dveloppes, ralises et mesures. Un banc de mesure en rayonn a t
mont et un protocole de mesure a t dfini. Les rsultats mesurs ont t systmatiquement
compars aux simulations FDTD et montrent une bonne concordance.
Le premier circuit est base dun pont modifi quatre diodes Schottky, prsentant
un rendement mesur de 51 % lorsque la densit surfacique de puissance (DSP) est de 0.15
mW/cm (23.8 V/m). Une tension continue de 3.6 V et une puissance de 12.3 mW ont pu tre
mesures aux bornes dune charge optimale de 1050 sous une DSP de 0.55 mW/cm (45.5
V/m). Des cartographies du champ lectrique et du courant surfacique ont t prsentes, elles
illustrent de manire simple le comportement du circuit vis--vis des diffrents harmoniques
et elles contribuent analyser le fonctionnement du circuit rectenna et dfinir des rgles de
conception et doptimisation.
Le deuxime circuit est une rectenna symtrique double antenne, contenant quatre
diodes Schottky. Un rendement de 67 % a pu tre obtenu avec une densit de puissance de
0.06 mW/cm (15 V/m) et une charge optimale de 1.2 k. Une tension DC mesure de 2.86V
a t obtenue lorsque la rectenna est expose une densit de puissance de 0.126 mW/cm
t
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Conclusion gnrale
178
(21.8 V/m).
Le troisime circuit dvelopp est une rectenna symtrique double diode. La structure
est compacte et faible cot, elle prsente un rendement mesur de 83 % et une tension DC
de 3.1 V 0.31 mW/cm (34 V/m). Nous avons montr que la ligne dalimentation entre
lantenne et le circuit de conversion modifie le niveau dadaptation du circuit, et par
consquent son rendement. En effet, comme le circuit ne contient pas de filtre HF, lantenne
dans ce cas modifie limpdance des diodes ainsi que ladaptation. De plus, le simulateur
ADS utilis pour loptimisation du circuit de conversion emploie une mthode frquentielle,
harmonic balance, qui nest pas aussi prcise quune mthode temporelle de type FDTD, pour
la modlisation de la diode.
Les associations srie et parallle des circuits rectennas ont t introduites et testes.
Des rseaux de deux et de quatre rectennas double diodes ont t dvelopps, raliss et
mesurs. Les associations en srie, deux et quatre lments, dlivrent des tensions DC qui
sont 2.08 et 3.85 fois suprieures celle dune rectenna lmentaire. Des tensions de 6.43 et
11.89 V ont t mesures la sortie des deux rseaux pour une DSP de 0.31 mW/cm. Dun
autre ct, la puissance DC a pu tre double et quadruple grce aux rseaux 2 et 4
lments connects en parallle.

Dans la continuit de ce travail, des amliorations peuvent tre envisages deux
niveaux de ltude en particulier. Cela concerne loutil de simulation globale FDTD et les
circuits rectennas dvelopps. Nous allons voquer quelques pistes de recherche portant sur la
modlisation globale FDTD et sur la partie conception et optimisation, lobjectif tant de
dvelopper des circuits de rception plus performants et moins encombrants.

Loutil de simulation globale FDTD
o Le premier point consiste modliser rigoureusement le botier SOT 23 de la diode
afin de prendre en compte les interactions avec le champ incident et avec les
diffrentes parties de la rectenna. Le botier SOT 23 a t, jusquau l, modlis par
une inductance srie (Lp) et une capacit parallle (Cp) et cela ne reflte pas de
manire rigoureuse la ralit. En effet, les rsultats prsents dans le paragraphe 3.3.2
du chapitre III montraient une faible influence dune onde plane sur le fonctionnement
du circuit de conversion en pont, alors que lexprimentation montrait linverse (cela
nous a amen protger les diodes avec des absorbants durant les mesures en
rayonn).
t
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2
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1
1
Conclusion gnrale
179
o Le second point consiste tenir compte des pertes dilectriques du substrat pour une
meilleure prdiction des performances.

Optimisation du circuit rectenna
o Miniaturiser llment rayonnant et introduire des formes dantennes plus originales.
o Placer le circuit de conversion sur une face diffrente que celle de lantenne et
lalimenter travers une fente de couplage. Cette technique permet tout dabord de
rduire les dimensions de la rectenna et dviter que le circuit de conversion ne soit
illumin pendant les mesures en rayonn.
o Selon lapplication, introduire des antennes polarisation circulaire pour passer outre
les problmes lis la rotation ventuelle de lmetteur ou du rcepteur (la rectenna).
o Dvelopper des circuits rectennas bi-bande (2.45 et 5.8 GHz) et large bande pour la
rcupration dnergie lectromagntique. La difficult tant de trouver un moyen
dadapter le circuit de conversion sur les deux bandes ou sur une large bande de
frquence et de garder un rendement plus au moins constant sur ces bandes.
o Dfinir une procdure de dimensionnement de rseaux de rectennas en fonction du
cahier des charges (charge R
L
et tension V
DC
requises, densit de puissance disponible,
.) et pouvoir choisir le type dassociation le plus adquat (srie et/ou parallle).
o Evaluer la faisabilit dun systme de contre raction pour stabiliser le rendement sur
une large plage de puissance RF. En effet, le rendement de conversion () et le niveau
dadaptation (S
11
) varient en fonction du niveau de puissance dentre (P
RF
). Lide
est dintroduire une boucle de contre raction qui permettrait de corriger lcart
observ par rapport une sortie DC optimale, lorsque P
RF
varie.
o Rsoudre le problme de la variation de la charge R
L
si la consommation du systme
(capteur, actionneur, ) aliment par la rectenna varie au cours du temps, en
introduisant les systmes MPPT (Maximum Power Point Tracking) qui permettraient
de prsenter une charge optimale constante la sortie de la rectenna et de rendre ainsi
limpdance dentre du systme alimenter transparente. Cette solution est
particulirement intressante lorsque les niveaux de puissance convertir sont
relativement importants, parce que les systmes MPPT sont des systmes actifs qui
ncessitent dtre aliments.
o Introduire un systme de stockage de type capacit ou batterie entre la rectenna et le
systme alimenter. Cette solution peut tre trs intressante, notamment lorsque le
dispositif alimenter fonctionne de manire priodique dans le temps.
t
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1
Conclusion gnrale
180
o Caractriser lenvironnement indoor en termes de niveaux de puissances ambiants
disponibles.

t
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181

---------------------------------
Annexes
-----------------------------------------------------------------------------------

t
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1
Annexe 1 Modlisation dune diode Schottky par la mthode FDTD
183
Annexe 1 : Modlisation dune diode Schottky par la mthode FDTD

Le modle lectrique quivalent de la diode Schottky sans botier SOT 23 est montr
sur la figure 1. Il contient une source de courant non linaire (I
d
), une capacit non linaire
(C
d
) et une rsistance srie (R
s
).

Figure 1 : Modle lectrique dune diode Schottky sans botier

Linsertion du modle lectrique tension-courant (VI) de la diode Schottky dans un
algorithme de calcul FDTD revient rsoudre les quations (1.1) (1.4). Ce modle ncessite
la connaissance de la rsistance srie (R
s
), la capacit (C
d
) calcule par les quations (II.50) et
(II.51) et le courant de saturation (I
s
). Ce modle ne tient pas compte de la tension inverse de
claquage (B
v
).

s d
V V R I = + (1.1)

d
d d
V
I I C
t
= +
(1.2)

exp 1
d
s
d
q V
N k T
I I
| |
| |
| |
\
\
= (1.3)

0
E
H J
t
= +
(1.4)

En considrant la diode oriente suivant laxe z, la densit de courant surfacique (J) est
dfinie par lquation (1.5).

I
J
dxdy
= (1.5)
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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n

1

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2
0
1
1
184
La discrtisation de lquation (1.4) donne (1.6).

( )
0
1/ 2
1/ 2 1
n
n n n
z z
I
E E
dt dxdy
H
+
+ +
= + (1.6)

Le courant I peut dans ce cas sexprimer comme suit :

( )
0 1/ 2 1/2 1 n n n n
z z
dxdy
dxdy
E E
dt
I H
+ + +
=
(1.7)

Dun autre ct, nous avons :

( )
1/2
1
n
n n d d
d d d
V
C V V
t
C
dt
+
+
| |
|
|
\
(1.8)

En discrtisant (1.1) et en la remplaant dans (1.8), on obtient (1.9).

( )
1 1
1/2
n n n n
s s
n
d d
d
R I R I
V
C V V
t
C
dt
+ +
+
| |
+
|
|
\
(1.9)

Le courant I est calcul aux instants (n+1/2). Pour pouvoir le calculer aux instants entiers (n)
et (n+1), on effectue la moyenne donne par lquation (1.10).

1
1/2
2
n n
n
I I
I
+
+
+
= (1.10)

En remplaant (1.7) dans (1.10), on obtient (1.11).

( )
0 1 1/2 1
2
n n n n n
z z
dxdy I
dxdy
E E
dt
I H
+ + +
=
(1.11)

En combinant les deux quations (1.11) et (1.9), on obtient (1.12).

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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r
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i
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1

-

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2
0
1
1
185
( )
0 1/ 2
2
1
1/2
2 2 2
n n n n s s s d d d d
z z
n
d
d
H
C dz R C dxdy R C R C dxdy
I
dt dt dt dt
V
C E E
t
+ +
+
| |
| |
| +
|
|
\
\

+

(1.12)
Dun autre ct, les deux quations (1.2) et (1.3) donnent :

exp
d d
d s s
q V
N k T
V
C
t
I I I
| |
|
\

+
= (1.13)

Aprs discrtisation de (1.13), on obtient (1.14).

1/ 2
1/ 2
1/ 2

exp
n
d
n
n d
d
s s
q V
N k T
V
C
t
I I I
+
+
+
| |
| |
|
|
|
\
\
= (1.14)

La tension V
d
linstant (n+1/2) sexprime sous la forme suivante :

( )
1
1
1/ 2 1/ 2 1/ 2
2 2
n n
n n
z z
n n n
d s s
E E
V R I R I
dz
V V
+
+
+ + +
+
=
+
= (1.15)

Les deux quations (1.14) et (1.15) donnent :

( )
( )
1
1/ 2 1 0
2
1/ 2
1/ 2
2
2
2 2

exp
n n
z z
n n n d s d
s z z
n n s d s d
n
s s
dz E E
C dz R C dxdy q
R I E E
N k T dt dt
R C R C dxdy
I H
dt dt
I I I
+
+ +
+
+
| | | |
+
| |
| | +
|
| |
\
\ \
+
+ =
(1.16)

Remplacer (1.7) dans (1.16) donne lquation (1.17).

( )
( )
( )
1
1/ 2 1 0
1 1/ 2 0
2
1/ 2
2
2 2 2

exp
n n
z z
n n n s
s z z
n n n n d s d s d s d
z z
n
s s
dz E E
R dxdy q
R dxdy H E E
N k T dt
C dz R C dxdy R C R C dxdy
E E I H
dt dt dt dt
I I I
+
+ +
+ +
+
| | | |
+

| |
| |
\ \
| |
+ +
|
\
+ =
(1.17)
t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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i
o
n

1

-

9

F
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b

2
0
1
1
186
En simplifiant lquation (1.17), on aboutit une quation de type :

( )
1 1
1 2 3
. exp .
n n
z z
E E
+ +
= + (1.18)

Les coefficients
1
,
2
et
3
sont dfinis par les quations (1.19) (1.21).

1/2 2
1
0
(2 ) 2
(2 )
n n
n
d s s s d
z
d d s
dtdxdy C R dt H dt I dtR C I
E
C dzdt dxdy C R dt
+
+ +
= +
+ +
(1.19)

( )
1/2
0
2
2
0
2

2
exp
(2 )
n n
s
z s s
s d d
q dtdz R dxdy
E R dxdy H
N k T dt
dt I
C dzdt dxdy C R dt
+
| |
| |
| |

| | |
\
\
\
=
+ +
(1.20)

0
3
2

2
s
q dzdt R dxdy
N k T dt
+
| |
=
|
\
(1.21)

Lquation (1.18) est rsolue numriquement chaque itration temporelle en utilisant
une mthode numrique de type Newton Raphson (annexe 2).

t
e
l
-
0
0
5
6
4
5
9
6
,

v
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n

1

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2
0
1
1
Annexe 2 Mthode de rsolution dquations non-linaires de Newton-Raphson
187
Annexe 2 : Mthode de rsolution dquations non-linaires de Newton-
Raphson

La mthode de Newton-Raphson est largement utilise dans les problmes
dingnierie pour la rsolution des quations non-linaires. Soit f une fonction non linaire
qui admet au moins une racine x
0
(figure 2). Si on suppose initialement que la racine de f est
gale x
i
, alors une tangente () peut tre trace partir du point (x
i
, f(x
i
)) comme le montre
la figure 2. Gnralement, le point x
i+1
o la droite () coupe laxe des abscisses est une
solution plus proche de x
0
. La tangente de () est dfinie par lquation (2.1).

( )
( )
'
1
i
i
i i
f x
f x
x x
+
=
(2.1)

Cette quation peut se mettre sous la forme (1.2), elle est appele formule de Newton-
Raphson.

( )
( )
1 '
i
i i
i
f x
x x
f x
+
= (1.2)

Les termes x
i+1
sont calculs de manire itrative jusqu ce que lerreur (x
i
- x
i+1
)
entre deux itrations successives soit infrieure un seuil pralablement dfini.

Figure 2 : Principe de rsolution dune quation non linaire par la mthode de Newton-Raphson
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[1] Takhedmit, H. ; Cirio, L. ; Merabet, B. ; Allard, B. ; Costa, F. ; Vollaire, C. ; Picon,
O. : Efficient 2.45 GHz rectenna design including harmonic rejecting rectifier
device, Electronics Letters, vol. 46, no. 12, 10
th
June 2010, pp. 811-812.

[2] Takhedmit, H. ; Merabet, B. ; Cirio, L. ; Allard, B. ; Costa, F. ; Vollaire, C. ; Picon, O.
: Design of a 2.45 GHz rectenna using a global analysis technique, Proc. 3
rd

European Conference on Antennas and Propagation, EuCAP 2009. 23-27 March 2009,
Berlin, pp. 2321-2325.

: A 2.45-GHz low cost and efficient rectenna, Proc. 4
th
Antennas and Propagation, EuCAP 2010, 12-16 April 2010, Barcelona, pp. 1-5.

: A 2.45-GHz dual-diode RF-to-dc rectifier for rectenna applications, European
Microwave Conference, EuMC 2010, 26 Sep.- 01 Oct. 2010, Paris, pp. 37-40.

[5] H. Takhedmit ; B. Merabet ; L. Cirio ; B. Allard ; F. Costa ; C. Vollaire ; O. Picon :
Analyse et conception de rectennas 2.45 GHz par une technique danalyse globale,
Journes Nationales Micro-ondes, JNM 2009, 27-29 Mai 2009, Grenoble.

[6] Merabet, B. ; Cirio, L. ; Takhedmit, H. ; Costa, F. ; Vollaire, C. ; Allard, B. ; Picon, O.
: Low-cost converter for harvesting of microwave electromagnetic energy, Proc.
Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE 2009, 20-24 September 2009,
San Jose, pp. 2592-2599.

[7] Merabet, B. ; Costa, F. ; Takhedmit, H. ; Vollaire, C. ; Allard, B. ; Cirio, L. ; Picon, O.
: A 2.45-GHz localized elements rectenna, Proc. 3
rd
International Symposium on
Microwave, Antenna, Propagation and EMC Technologies for Wireless
Communications, 27-29 October 2009, Beijing, pp. 419-422.

[8] Merabet, B. ; Takhedmit, H. ; Allard, B. ; Cirio, L. ; Costa, F. ; Picon, O. ; Vollaire,
C.: Integrated rectenna circuits for microwave power scavenging, 6
th
International
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Conference on Integrated Power Electronic Systems, CIPS 2010, 16-18 March,
Nuremberg.

Analyse et conception dun circuit de conversion RF-DC en pont de diodes modifi
2.45 GHz, Journe des doctorants de lle de France, AREMIF 2009, 30 Avril, Paris.

[10] Takhedmit, H. ; Cirio, L. ; Merabet, B. ; Allard, B. ; Costa, F. ; Vollaire, C. ; Picon, O.
: A 2.45-GHz dual-diode rectenna and rectenna arrays, Journes Nationales sur la
Rcupration et le Stockage dnergie pour lAlimentation des Microsystmes
Autonomes, 14-15 Octobre 2010, ISIEE, Paris.

Analyse et conception dune rectenna en pont de diodes modifi 2.45 GHz, GDR
Ondes, 2-4 November 2009, CNAM, Paris.

[12] Takhedmit, H. ; Cirio, L. ; Merabet, B. ; Allard, B. ; Costa, F. ; Vollaire, C. ; Picon, O.
: A 2.45-GHz dual-diode rectenna and rectenna arrays for wireless remote supply
applications, International Journal of Microwave and Wireless Technologies,
(article soumis).

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Titre : Modlisation et Conception de Circuits de Rception Complexes pour
la Transmission dEnergie Sans Fil 2.45 GHz

Rsum :
Les travaux prsents dans ce mmoire sinscrivent dans la thmatique de la transmission dnergie
sans fil, applique lalimentation distance de capteurs, de rseaux de capteurs et dactionneurs faible
consommation. Cette tude porte sur la conception, loptimisation, la ralisation et la mesure de circuits
Rectennas (Rectifying antennas) compacts, faible cot et haut rendement de conversion RF-DC.
Un outil danalyse globale, bas sur la mthode des Diffrences Finies dans le Domaine Temporel
(FDTD), a t dvelopp et utilis pour prdire avec prcision la sortie DC des rectennas tudies. Les rsultats
numriques obtenus se sont avrs plus prcis et plus complets que ceux de simulations base doutils
commerciaux. La diode Schottky a t rigoureusement modlise, en tenant compte de ses lments parasites et
de son botier SOT 23, et introduite dans le calcul itratif FDTD.
Trois rectennas innovantes, en technologie micro-ruban, ont t dveloppes, optimises et caractrises
exprimentalement. Elles fonctionnent 2.45 GHz et elles ne contiennent ni filtre dentre HF ni vias de retour
la masse. Des rendements suprieurs 80 % ont pu tre mesurs avec une densit surfacique de puissance de
lordre de 0.21 mW/cm (E = 28 V/m). Une tension DC de 3.1 V a t mesure aux bornes dune charge
optimale de 1.05 k, lorsque le niveau du champ lectrique est gal 34 V/m (0.31 mW/cm).
Des rseaux de rectennas connectes en srie et en parallle ont t dvelopps. Les tensions et les
puissances DC ont t doubles et quadruples laide de deux et de quatre lments, respectivement.

Mots cls:
Transmission dEnergie Sans Fil (TESF); Rectenna; Mthode dAnalyse Globale; Rendement de Conversion
RF-DC; Caractristique non-linaire; Mthode des Diffrences Finies dans le Domaine Temporel (FDTD);
Diode Schottky; Association de rectennas; Technologie micro-ruban; Bande ISM et frquence de 2.45 GHz.

Title: Modeling and Design of Rectenna Circuits for Wireless Power
Transmission at 2.45 GHz

Abstract:
The work presented in this thesis is included within the theme of wireless power transmission, applied
to wireless powering of sensors, sensor nodes and actuators with low consumption. This study deals with the
design, optimization, fabrication and experimental characterization of compact, low cost and efficient Rectennas
(Rectifying antennas).
A global analysis tool, based on the Finite Difference Time Domain method (FDTD), has been
developed and used to predict with a good precision the DC output of studied rectennas. The packaged Schottky
diode has been rigorously modeled, taking into account the parasitic elements, and included in the iterative
FDTD calculation.
Three new rectennas, with microstrip technology, have been developed and measured. They operate at
2.45 GHz and they dont need neither input HF filter nor via hole connections. Efficiencies more than 80 % have
been measured when the power density is 0.21 mW/cm (E = 28 V/m). An output DC voltage of about 3.1 V has
been measured with an optimal load of 1.05 k, when the power density is equal to 0.31mW/cm (34 V/m).
Rectenna arrays, with series and parallel interconnections, have been developed and measured. Output
DC voltages and powers have been doubled and quadrupled using two and four rectenna elements, respectively.

Keywords:
Wireless Power Transmission; Rectenna; Global Analysis Technique; RF-to-dc Conversion Efficiency; Non-
linear characteristic; Finite Difference Time Domain Method (FDTD); Schottky Diode; Rectennas arrays;
Microstrip Technology; ISM Band and 2.45 GHz frequency.

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N dordre : 2010-25 Anne 2010

, quation de Maxwell-Faraday (II.1)

, quation de Maxwell-Gauss (II.3)

, quation de Maxwell sur la conservation du flux (II.4)

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