1.

- MARCO TEORICO

Diodo semiconductor


Formacin de la regin de agotamiento, en la grfica z.c.e.
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con
impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de carga negativa (electrones),
llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de
carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a
cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde
la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado
n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente
convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (J
e
). Al
establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su
anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la
acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo
elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza
de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las
zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V
D
) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los
cristales de germanio.
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de
0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de
carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est
polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

Polarizacin directa de un diodo

Polarizacin directa del diodo pn.
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la
batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos
observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia
de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la
energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han
desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se
desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce
en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el
final.
Polarizacin inversa de un diodo

Polarizacin inversa del diodo pn.
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona
n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se
alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del
cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital
de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia,
ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en
iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez
que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7
electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que
cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de
estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su
orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de
la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la
unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa
de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la
cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del
diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos
para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que
los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su
orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No
obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es
despreciable.
Curva caracterstica del diodo

Curva caracterstica del diodo.
Tensin umbral, de codo o de partida (V

).
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide
en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la
corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin
externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para
pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de
corriente.
Corriente mxima (I
max
).
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por
el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (I
s
).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica
por cada incremento de 10 C en la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa),
esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin,
aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (V
r
).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de
saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normalo
de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos,
como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares
electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al
chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con
ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de
la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como
cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto
d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 310
5
V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener,
se puede producir por ambos efectos.

2.- COMPETENCIAS

El estudiante:
Conocer el comportamiento de un diodo de silicio real al obtener su curva
caracterstica.






3.- MATERIALES Y EQUIPOS

- Fuente de alimentacin.
- Multmetro.
- BreadBoard.
- Diodo de silicio 1N4001.
- Resistencia de 1K
- Potencimetro de 1K.

4.- PROCEDIMIENTO



Parte 1
Sobre el circuito de la fig.1, emplear el potencimetro Rv de modo que el voltaje
de entrada al circuito constituido por el diodo y la resistencia R1: Vi vare desde 0V
hasta 1V cada 0.1V, de 1,2V a 3V cada 0,2 V y luego cada 0,5 volts hasta llegar a
los 12 volts con el objetivo de tomar N diferentes muestras. Con estos voltajes de
entrada, medir el voltaje y la corriente sobre el diodo (VD y iD) para construir una
tabla.

Parte 2
Repetir la 1ra. Parte con la polaridad del diodo invertida.

Parte 3
Empleando los datos obtenidos anteriormente, realizar una grfica de la curva
caracterstica del diodo empleando papel milimetrado.








5.- RESULTADOS DE LABORATORIO, GRAFICOS Y CALCULOS.

Vin Experiencia 1 Experiencia 2
ID VD ID VD
0.0 [v] 0 0 0 0
0.1 [v] 0 0.10 0 0.10
0.2 [v] 0 0.20 0 0.20
0.3 [v] 0 0.30 0 0.30
0.4 [v] 0 0.38 0 0.40
0.5 [v] 0 0.44 0 0.50
0.6 [v] 0.1 0.47 0 0.60
0.7 [v] 0.21 0.49 0 0.70
0.8 [v] 0.29 0.50 0 0.80
0.9 [v] 0.38 0.52 0 0.90
1.0 [v] 0.47 0.53 0 1.00
1.2 [v] 0.65 0.54 0 1.20
1.4 [v] 0.84 0.55 0 1.40
1.6 [v] 1.04 0.56 0 1.60
1.8 [v] 1.23 0.57 0 1.80
2.0 [v] 1.42 0.58 0 2.00
2.2 [v] 1.61 0.58 0 2.20
2.4 [v] 1.81 0.59 0 2.40
2.6 [v] 2.00 0.59 0 2.60
2.8 [v] 2.20 0.60 0 2.80
3.0 [v] 2.39 0.60 0 3.00
3.5 [v] 2.89 0.61 0 3.50
4.0 [v] 3.38 0.62 0 4.00
4.5 [v] 3.87 0.62 0 4.50
5.0 [v] 4.39 0.63 0 5.00
5.5 [v] 4.87 0.64 0 5.50
6.0 [v] 5.36 0.64 0 6.00
6.5 [v] 5.86 0.65 0 6.50
7.0 [v] 6.36 0.65 0 7.00
7.5 [v] 6.85 0.65 0 7.50
8.0 [v] 7.36 0.65 0 8.00
8.5 [v] 7.85 0.66 0 8.50
9.0 [v] 8.36 0.66 0 9.00
9.5 [v] 8.86 0.66 0 9.51
10.0 [v] 9.39 0.67 0 10.01
10.5 [v] 9.87 0.67 0 10.51
11.0 [v] 10.37 0.67 0 11.01
11.5 [v] 10.86 0.67 0 11.51
12.0 [v] 11.37 0.68 0 12.01
Experiencia 3:














































5.- CUESTIONARIO

1.- Cul es la relacin tensin corriente en el diodo de unin?

La relacin es exponencial y est determinada por la ecuacin:
donde:

ID = corriente en el diodo
Vd = diferencia de potencial a travs del diodo
I0 = corriente de fuga
q = carga del electrn: 1.6 x 10-19 coulombs
k = constante de Boltzman 1.38 x 10-23 J/ k
T = temperatura absoluta en grados kelvin
n = constante emprica entre 1 y 2

2.- Cul es la diferencia entre un diodo de Silicio y uno de Germanio en
cuanto a la corriente de fugas?

La corriente de saturacin (fuga) en el Diodo de silicio es ms pequea as por
ejemplo a cierta temperatura la Irs para el silicio es de 1nA y para el Germanio es
1uA

3.- La cada de voltaje en un diodo en conduccin aumenta o disminuye
cuando aumenta la temperatura?

Debido a que el diodo presenta una resistencia interna y por el efecto Joule y la
ley de ohm se puede concluir que si aumenta la temperatura entonces la cada de
tensin disminuye.

5.- CONCLUSIONES

Se logr las correctas mediciones de voltaje y corriente del diodo, para su
posterior anlisis y grafica de la curva caracterstica del diodo de silicio y as poder
entender cmo se comporta un diodo real.