UNION P-N

DIODO DE UNION PN POLARIZADO

Se dice que cuando la regin p se le aplica
unap o t e n c i a ma y o r l a u n i n P N
e s t a p o l a r i z a d a directamente.Par a que
l a pol ar i zaci n di r ect a s e r eal i ce s
edebe conectar el polo positivo de la
batera al nodo (zona p) y el polo negativo al
ctodo (zona).

La unin pn impulsa los !uecos desde el material tipo p a l a uni n y
l os electrones desde el material tipo n a la unin. Por lo tanto se reduce la zona de transicin.
"l cambo el#ctrico de la polarizacin se opone al de la unin reduci#ndose la barrera potencial.
LA LEY DE SHOCKLEY
"s un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables$
%e bloqueo o de alta impedancia
%e conduccin o ba&a impedancia.
"st 'ormado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P( dispuestas
alternadamente. es un tipo de tiristor.
La regin ) es la regin de alta impedancia y la )))( la regin de ba&a impedancia. Para
pasar del estado *+ a *N( se aumenta la tensin en el diodo !asta alcanzar ,S( tensin de
conmutacin.
La impedancia del diodo desciende bruscamente( -aciendo que la corriente que lo atraviese
se incremente y disminuya la tensin( !asta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin )))
(Punto .). Para volver al estado *++ se disminuye la corriente !asta )-( corriente de
mantenimiento. /!ora el diodo aumenta su impedancia( reduciendo( todava ms la
corriente( mientras aumenta la tensin en sus terminales( cruzando la regin ))( !asta que
alcanza el nuevo equilibrio en la regin ) (Punto / ).
CONMUTACION DEL DIODO
Se simula la conmutacin de un diodo( pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de
positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos 'uentes de
tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador( un circuito de polarizacin (que incluye una
resistencia) y un diodo de unin.
"ste esquema se sit0a en la parte superior derec!a del applet y se puede conmutar entre tensiones
!aciendo 1clic2 con el ratn en la zona entre las dos 'uentes de tensin. / l iniciar la aplicacin
aparecer un mensa&e y una 'lec!a que se3ala la mencionada zona sensible.
"l usuario puede modi'icar todos los parmetros del circuito presionando el botn del panel superior con el
te4to 1Parmetros circuito2. /l presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se
pueden introducir los valores num#ricos deseados para la tensin directa (,+) la tensin inversa (,5) y la
resistencia de polarizacin (5). 6ras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn 1/ceptar2 de
la ventana de los parmetros del circuito
para que tengan e'ecto los cambios.
%eba&o del circuito aparecen cuatro gr'icas
que varan en el tiempo y donde se
representan los parmetros ms importantes
que controlan el comportamiento del diodo.
La primera gr'ica representa la tensin
seleccionada en el circuito( la segunda la
corriente que circula por el diodo( la tercera
la carga acumulada en las zonas neutras del
diodo (aplicando la apro4imacin de diodo
asim#trico) y la 0ltima gr'ica es la tensin
que cae en bornas del diodo. "stas cuatro
gr'icas se van actualizando en el tiempo y
se irn desplazando !acia la derec!a
con'orme avance el tiempo.
"n la parte superior de la derec!a del
programa aparecen las ecuaciones que rigen
el comportamiento del diodo en el e7
permetro que se simula. Se muestran las
ecuaciones literales para la carga del diodo(
la tensin en bornas del diodo y para los
per'iles de los minoritarios en el nodo y al
ctodo. 8usto deba&o de cada una de estas
ecuaciones se muestran las mismas pero sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la
simulacin. /lgunos de los parmetros son constantes en el tiempo (-asta que se modi'ican por parte del
usuario)( pero otros se modi'ican instantneamente con'orme evoluciona el tiempo. 6ambi#n( a la derec!a
de las gr'icas( se muestran los valores instantneos para estas 'unciones temporales