EJERCICIOS T.

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1).- En un telfono mvil se utiliza un transistor NMOS como conmutador
ON/OFF actuando sobre la tensin de puerta. Si la tensin de alimentacin
es VDD = 1.8V; nCox = 100A/V2 y VTH = 0.4V, determinar cul es la
mnima razn de aspecto, W/L, requerida del transistor. El transistor se
conecta a una antena cuya resistencia de entrada es 50.
2).- Las caractersticas del transistor de la figura son: nCox = 100A/V2,
W=2m, L=0.18m y VTH = 0.4V. Si la tensin de puerta aumenta 10mV,
cul ser el cambio en la tensin de drenador?

3).- En el problema anterior cul deber ser el factor de forma, W/L, para
que el transistor se encuentre justo en el comienzo de saturacin? Calcular
el cambio de la tensin de drenador si la tensin de puerta aumenta 10mV.
VTH=0.4V.
4).- Un transistor NMOS tiene una corriente de drenador, IDS=1mA, con
una tensin de drenador, VDS=0.5V. Determinar IDS si la tensin de
drenador aumenta a VDS=1V y =0.1V-1.Cul es la impedancia de salida?
5).- Un transistor NMOS est polarizado con una intensidad de drenador de
0.5mA. Si nCox=100A/V2; W=100m, L=10m y =0.1V-1, calcular los
parmetros de pequea seal.
6).- Un transistor NMOS tiene un k=50A/V2, VTH=0.8V y W/L=10.
Encontrar la corriente de drenador en los siguientes casos: a) VGS=5V;
VDS=1V; b) VGS=2V; VDS=1.2V; c) VGS=5V; VDS=0.2V; d) VGS=5V;
VDS=5V.
7).- Un transistor NMOS con W=100m, L=5m, nCox=20A/V2 y
VTH=1V se desea hacerlo funcionar a valores muy bajos de VDS para que se
comporte como una resistencia lineal. Para VGS variando entre 1.1V y 11V

qu mrgenes de valores de resistencia se pueden obtener? Cul es el

margen disponible si: a) la anchura W del dispositivo se reduce a la mitad;
b) la longitud del dispositivo L se reduce a la mitad; c) la anchura y la
longitud se reducen a la mitad?
8).- En un determinado proceso de fabricacin de un circuito integrado, el
parmetro de transconductancia resulta nCox=50A/V2 y VTH=1V. Para
una determinada aplicacin en la que VGS=VDS=Vfuente=5V se necesita una
corriente de drenador de IDS=0.8mA de un dispositivo con L=2m. Cul
debe ser la anchura W del canal?
9).- Un transistor NMOS trabajando en la regin de resistencia lineal con
VDS=0.1V, conduce 40A para VGS=2V y 80A para VGS=3V.a) Cul ser
la razn W/L del dispositivo?; b) Qu corriente se espera que circule para
VGS=2.5V?; c) A qu valor de VDS llegar a estrangularse el canal en el
extremos situado junto al drenador y cul ser la corriente para esa tensin?
10).- En un transistor NMOS trabajando en la regin de saturacin a VGS
constante, se encuentra IDS=2mA para VDS=4V e IDS=2.2mA para VDS=8V.
Cules son los valores de ro, VA y ?
11).- El transistor NMOS del circuito de la figura
tiene, k=1mA/V2, W/L=2 y VT=4V. La tensin
de alimentacin es, VDD=12V, VDS=4V,
RS=RD=2K, R1=100K y R2=300K.
a) Determinar ID y VDS
b) Calcular el nuevo valor de RS para mantener
el mismo valor de ID si el transistor se cambia
por otro con, W/L=4.

12).- En el circuito del ejercicio anterior sustituir el transistor por un PMOS

con: VT=-1V, W/L=1, y k=0.2mA/V2. La tensin de alimentacin es
VDD=-9V, R1=240K y R2=120 K.
a) Determinar RS para que sea VGS=-2V
b) Determinar RD para que sea VDS=-3V

c) Hallar el nuevo valor de R2para mantener el

mismo valor de ID si se cambia VDD=-15V y se
mantiene el resto de los parmetros del circuito.
13).- En el circuito de la figura los tres
transistores son idnticos con k=40A/V2,
W/L=5 y VT=1V. Determinar RD para que
Vo=3.5V
14).- El transistor NMOS del circuito de la
figura tiene: VT=0.5V, W=5m, L=0.18m y
=0. VDD=1.8V, R1=20K y R2=15K.
a) Determinar la corriente de drenador
b) Cul es el mximo valor de RD para que el
transistor permanezca en saturacin?.
15).- El transistor NMOS de la figura del
ejercicio (11) se cambia por otro con: VT=0.5V,
k=100A/V2, W=5m, L=0.18 m y =0.
R1=4K, R2=10 K y RS=1 K.
a) Determinar la corriente ID
b) Cul es el mximo valor de RD para que el
transistor permanezca en saturacin?.
16).- En el circuito de la figura, VDD=1.8V,
RG=20K, RD=1 K y RS=200. Las
caractersticas del transistor NMOS de la figura
son: k=100A/V2, VT=0.5V, W=5m,
L=0.18m y =0.
a) Calcular la corriente de drenador
b) Qu valor debera tener RD para que ID se
reduzca a la mitad?.

17).- En el circuito de la figura R1= 20K y

R2=1K. Las caractersticas del transistor PMOS
de la figura son: VT=-0.5V, k=50A/V2, W=5m,
L=0.18m y =0.
a) Calcular la corriente de drenador
18).- En el circuito de la figura del ejercicio (11)
sustituir en transistor NMOS por un PMOS. Las
caractersticas del transistor PMOS son VT=-0.5V,
k=50A/V2, W=5m, L=0.18m y =0.
R1=20K, RD=15K y VDD=1.8V. Calcular la
corriente de drenador.
b) Cul es el mximo valor de RD para que el
transistor permanezca en saturacin?.
19).- En el circuito de la figura del ejercicio (11)
VDD=1.8V, RD=500 y RS=100. Las
caractersticas del transistor NMOS son: VT=0.4V,
k=200A/V2 y =0. Se desea que la cada de
tensin en RS sea 200mV.
a) Calcular el mximo valor de W/L para que el
transistor permanezca en saturacin.
b) Qu valores deben tener R1 y R2 para que la
impedancia de entrada se 30K.
20).- En el circuito de la figura del ejercicio (11)
VDD=1.8V, RD=500 y RS=200. Las
caractersticas del transistor NMOS son: VT=0.4V,
k=200A/V2, W=20m, L=0.18 m y =0.
Suponiendo que la corriente que atraviesa R2 es la
dcima parte de ID, calcular los valores de R1 y R2
para que ID=0.5mA.