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ial
e
M
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er
FUNDAMENTOS DE MATERIALES
Ing. Luis Marcelo L
opez L
opez
Gr
up
o
de
Andescon 2012
GIMA (UPS)
Fundamentos de materiales
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ial
e
Introduccion
M
at
er
up
o
Defectos puntuales.
de
Gr
Defectos de superficie.
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GIMA (UPS)
Fundamentos de materiales
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ial
e
M
at
er
Las dislocaciones son imperfecciones lineales (planos de atomos) que generalmente se introducen en la red durante el proceso de solidificacion del
material o al deformarlo.
de
up
o
la dislocacion de borde
Gr
dislocaciones mixtas
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Fundamentos de materiales
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ial
e
Dislocacion de tornillo
Dislocaci
on de tornillo
Vector
de
Burgers
Gr
up
o
de
M
at
er
Dislocacin de
tornillo
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Fundamentos de materiales
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e
Dislocacion de borde
er
Dislocacin de borde
Gr
up
o
de
M
at
Dislocaci
on de borde
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Fundamentos de materiales
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Dislocaciones mixtas
Borde
Tornillo
Gr
up
o
de
M
at
er
ial
e
Dislocaciones mixtas
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Fundamentos de materiales
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ial
e
Deslizamiento
Gr
up
o
de
M
at
er
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Fundamentos de materiales
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e
Deslizamiento
er
M
at
= c(
donde:
(1)
de
up
o
d es la distancia interplanar.
b es el vector de Burgers.
Gr
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e
Gr
up
o
de
M
at
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Fundamentos de materiales
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ial
e
Ley de Schmid
Gr
up
o
de
M
at
Ley de Schmid
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Fundamentos de materiales
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(2)
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Fr = Fcos
ial
e
Ley de Schmid
M
at
donde:
de
Fr es la fuerza resultante
F la fuerza aplicada
es el angulo entre la direcci
on del desplazamiento y la fuerza aplicada
up
o
Gr
donde:
(3)
r esfuerzo cortante
esfuerzo
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(4)
F
= esfuerzo lineal aplicado
A0
(5)
de
M
at
Fr
= esfuerzo cortante
A
r =
=
er
ial
e
Ley de Schmid
donde:
Gr
up
o
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DEFECTOS PUNTUALES
M
at
er
de
up
o
Gr
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Defectos puntuales
Peque
no
atomo intersticial
Gr
up
o
de
M
at
er
Vacancia
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Defectos puntuales
Atomo
sustitucional grande
Gr
up
o
de
M
at
er
Atomo
sustitucional
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Defectos puntuales
Defecto Schottky
Gr
up
o
de
M
at
er
Defecto Frenkel
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e
DEFECTOS SUPERFICIALES
Lmites de grano
de
M
at
er
Los defectos superficiales son los lmites o los planos que separan un material
en regiones; cada region tiene la misma estructura cristalina, pero distinta
orientacion.
up
o
Lmites de macla
Gr
Lmites de dominio
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Defectos superficiales
M
at
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Los lmites de grano son regiones que separan a un grano o granos individuales
donde dentro de cada uno de ellos su estructura cristalina es identica y fuera
del grano la estructura cambia a otra o de direcci
on.
Lmites de grano
Gr
up
o
de
Muestra metalogr
afica
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Defectos superficiales
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Gr
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o
de
Macla o gemelaci
on
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Defectos superficiales
Lmites de dominio
Gr
up
o
de
Es una peque
na region del material que permanece igual, de
manera que se forman muchos
dominios peque
nos de manera
que minimiza la energa libre
total del material.
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Fundamentos de materiales
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e
Imperfecciones en el
arreglo at
omico
Gr
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o
de
Si la dislocaci
on en el punto
A se mueve hacia la izquierda es bloqueada por el defecto
puntual. Si la dislocacion A se
mueve a la derecha es bloqueada por la dislocaci
on B, y esta
por el lmite de grano.
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at
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GIMA (UPS)
Fundamentos de materiales
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Difusion de atomos
La difusion
Cementaci
on
En la fabricacion de botellas
de plastico
Oxidaci
on del aluminio
Recubrimientos de pelculas
delgadas
Gr
up
o
de
M
at
er
Ejemplos:
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GIMA (UPS)
Fundamentos de materiales
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e
Difusion de atomos
La difusion
Cementaci
on
En la fabricacion de botellas
de plastico
Oxidaci
on del aluminio
Recubrimientos de pelculas
delgadas
Gr
up
o
de
M
at
er
Ejemplos:
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Fundamentos de materiales
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Difusion de atomos
ial
e
M
at
er
de
(6)
up
o
donde:
Q
)
RT
C0 es una constante
Gr
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Fundamentos de materiales
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Difusion de atomos
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e
Mecanismos de difusion
M
at
er
Hay dos mecanismos importantes mediante los cuales se difunden los atomos:
de
Difusi
on por vacancia: En la autodifusion y en la difusion de atomos
sustitucionales, un atomo abandona un sitio de red para llenar una
vacancia, creando as una nueva vacancia.
Gr
up
o
Difusi
on intersticial: Cuando esta presente un peque
no atomo intersticial en la esructura, este atomo pasara de un sitio intersticial a otro,
para este mecaanismo no es necesario que existan vacancias. El n
umero
de sitios intersticiales es mayor por lo tanto se espera que la difusion
intersticial sea rapida.
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s
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de
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Difusi
on por vacancias y difusi
on intersticial
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Difusi
on de los
atomos de cobre en el nquel
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Difusion de atomos
Gr
up
o
de
La energa de activacion Q es
la barrera energetica a fin de
que un atomo pase a un nuevo
sitio. El calor proporciona al
atomo la energa que requiere
para vencer esta barrera.
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Energa de
activacion:
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GIMA (UPS)
Fundamentos de materiales
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Difusion de atomos
ial
e
Velocidad de difusion
M
at
er
J = D
(7)
up
o
donde:
c
x
de
J es el flujo
Gr
D la difusividad
c/x es el gradiente de
concentracion
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Ilustraci
on del gradiente de concentraci
on
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Fundamentos de materiales
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Difusion de atomos
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e
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Tipos de difusion:
Gr
Tiempo:
up
o
de
M
at
Difusi
on volum
etrica: Los atomos se mueven a traves del cristal de un
sitio de red, o de un sitio intersticial a otro, energa de activacion grande
y difusi
on relativamente lenta.
Difusi
on en los borde de grano: Los atomos se difunden a lo largo de
las fronteras o bordes, interfaces y superficies de material, los atomos
pueden pasar con mas facilidad a traves del borde de grano mal
organizado.
Difusi
on de superficies: Existen menos restricciones para los atomos a
difundirse.
Fundamentos de materiales
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Difusion de atomos
ial
e
Perfil de composicion
de
M
at
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up
o
Gr
x es la posicion
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Fundamentos de materiales
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Concentraci
on de
atomos
Gr
up
o
de
Ilustraci
on de la segunda ley de Fick
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Funci
on error correspondiente a la segunda ley de Fick
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Difusion de atomos
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Crecimiento de grano:
M
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de
up
o
Sinterizacion:
Gr
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Fundamentos de materiales
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o
de
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Crecimiento de grano
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Fundamentos de materiales
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s
ial
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Gr
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o
de
M
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Sinterizaci
on
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Fundamentos de materiales
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Fundamentos de materiales
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Trabajo en Clases
Trabajo 1
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de
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o
Trabajo 2
Gr
Ley de Hooke
Curva esfuerzo-deformaci
on
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Introduccion
El trabajo en fro:
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El trabajo en caliente:
Recocido:
de
Donde los efectos del endurecimiento causado por el trabajo en fro son
eliminados o modificados mediante tratamientos termicos.
Gr
up
o
GIMA (UPS)
Fundamentos de materiales
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e
Gr
up
o
de
M
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GIMA (UPS)
Fundamentos de materiales
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e
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de
% de trabajo en fro =
(9)
up
o
donde:
A0 Af
100
A0
Gr
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Fundamentos de materiales
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de
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Fundamentos de materiales
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Fundamentos de materiales
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e
Comportamiento
anisotr
opico
M
at
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Gr
up
o
de
En los diferentes procesos como el laminado se da una estructura foliada o laminar. Las
propiedades de una hoja o placa laminada dependeran de la
direccion en la cual se mida
dicha propiedad..
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Comportamiento isotr
opico
Estructura granular
Gr
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o
de
Estructura alargada
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Fundamentos de materiales
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de
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Angulo
entre la direcci
on del laminado y barra de ensayo
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Fundamentos de materiales
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de
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Comparaci
on del lmite el
astico y la conductividad el
ectrica por el
trabajo en fro entre el cobre y el zinc
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Fundamentos de materiales
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Temperatura de recristalizacion
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Temperatura de recristalizaci
on: Es cuando al elevar la tempereatura los
atomos comienzan a ordenarse en una estructura cristalina donde se elimian
los esfuerzos residuales.
La temperatura de recristalizaci
on es afectada por:
de
up
o
Gr
Fundamentos de materiales
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M
at
er
Gr
up
o
de
Recuperaci
on: Cuando se calienta el metal, la energa termica adicional
permite que las dislocaciones se muevan y formen los bordes de una
estructura subgranular poligonizada.
Recristalizaci
on: Ocurre debido a la nucleacion y crecimiento de nuevos
granos que contienen pocas dislocaciones. [Temperatura de recristalizacion].
Crecimiento granular: Cuando se calienta por encima de la temperatura de recocido, los granos empiezan a crecer, eliminando a los mas
peque
nos.
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Trabajo en caliente
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de
Fundamentos de materiales
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Efecto del trabajo en caliente y las tres etapas del recocido en la microestructura del material
Gr
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La nucleaci
on ocurre cuando se forma una peque
na porci
on s
olida dentro
del lquido.
ucleo ocurre cuando los atomos del lquido se van
El crecimiento del n
uniendo al solido hasta que se acabe el lquido.
Embri
on es el primer solido peque
no.
El subenfriamiento T es la temperatura de solidificacion al equilibrio,
menos la temperatura real del lquido.
Nucleaciones:
Gr
up
o
Nucleaci
on homog
enea: cuando el lquido se enfra por debajo de la
temperatura de solidificaci
on de equilibrio, se agrupan los atomos para
formar embriones grandes y la diferencia de energa libre de volumen
entre el solido y lquido reduce el tama
no del nucleo siendo este estable.
Nucleaci
on heterog
enea: cuando la nucleaci
on se da en la superficie
de impurezas, se da con mayor facilidad.
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Principios de solidificacion
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de
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Principios de solidificacion
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Principios de solidificacion
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Defectos de solidificacion
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Porosidad gaseosa
Defectos de solidificacion
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Fase
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de
Fase
up
o
Gr
Hay una interfase definida entre una fase y cualquier otra que la rodea
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Regla de Gibbs
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de
donde:
(10)
up
o
C es el n
umero de los componentes
Gr
F es el n
umero de grados de libertad, es decir el n
umero de variables
como: la temperatura, presion o composici
on que pueden modificarse
independientemente sin cambiar el n
umero de fases en equilibrio
P es el n
umero de fases presentes
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Fundamentos de materiales
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Soluciones y solubilidad
Solubilidad ilimitada
de
Suponga que se inicia con un vaso de agua y otro de alcohol, estos son
solubles entre s y forman una fase. Ademas tienen una solubilidad ilimitada,
es decir puedo mezclar cualquier cantidad del uno y del otro.
up
o
Solubilidad limitada
Gr
Suponga un vaso de agua con sal, estas dos sustancias se mezclaran hasta
que el agua se sature, el resto de sal se hundira en el fondo. Ahora tenemos
dos fases el agua salada y el s
olido depositado en el fondo.
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