Teora de semiconductores.

Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede

considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados
en orden creciente
Los semiconductores ms conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido
a que, como veremos ms adelante, el comportamiento del siliceo es ms estable
que el germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que puden variar su
respuesta normal, ser el primero (Si) el elemento semiconductor ms utilizado en
la fabricacin de los componentes electrnicos de estado solido. A l nos
referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es
absolutamente similar.
Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el
ncleo, como electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este
nmero es de 14). El inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar
lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que haya un movimiento de
electrones. Como es de todos conocido, un electrn se siente ms ligado al ncleo
cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen
menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la
misma, son los electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos
electrnes pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una
pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar
el modelo completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representacin
simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.

La
zona
sombreada
de
la
figura
2
manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1

representa

de

una

SEMICONDUCTOR INTRNSECO
Cuando el silicio se encuentra formado por tomos del tipo explicado en el
apartado anterior, se dice que se encuentra en estado puro o ms usualmente que
es un semiconductor intrnseco
Una barra de silicio puro est formada por un conjunto de tomos en lazados unos
con otros segn una determinada estructura geomtrica que se conoce como red
cristalina
Si en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos
electrones de los rbitas externas dejarn de estar enlazados y podrn moverse.
Lgicamente si un electrn se desprende del tomo, este ya no est completo,
decimos que est cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o
que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o
al sitio que ocupaba el electrn.
El tomo siempre tendr la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus
cargas, por lo tanto en nuestro caso, intentar atraer un electrn de otro tomo
para rellenar el hueco que tiene.
Toda inyeccin de energa exterior produce pues un proceso continuo que
podemos concretar en dos puntos:
Electrones que se quedan libres y se desplazan de un tomo a otro a lo largo de la
barra del material semiconductor de silicio.
Aparicin y desaparicin de huecos en los diversos tomos del semiconductor.
Queda as claro que el nico movimiento real existente dentro de un
semiconductores el de electrones. Lo que sucede es que al aparecer y
desaparecer huecos, "cargas positivas", en puntos diferentes del semiconductor,
parece que estos se mueven dando lugar a una corriente de cargas positivas. Este
hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso,. Los huecos no se
mueven, slo parece que lo hacen.
Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores hablaremos de
corriente de huecos (cargas positivas), pues nos resulta ms cmodo y los
resultados obtenidos son los mismos que los reales.

SEMICONDUCTOR DOPADO
Si aplicamos una tensin al cristal de silicio, el positivo de la pila intentar atraer
los electrones y el negativo los huecos favoreciendo as la aparicin de una
corriente a travs del circuito

Sentido del movimiento de un electrn y un hueco en el silicio

Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor, pues son pocos
los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los tomos de silicio.
Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posiblidades:
Aplicar una tensin de valor superior
Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior
La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de la
tensin aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin
elegida es la segunda.
En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado".
El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros
elementos. A estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas.
Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o
intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.
Semiconductor tipo P
Semiconductor tipo N

Semiconductor tipo P
En una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo

comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos
.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su
capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su
capa exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el
resto de los tomos de la red y el quinto queda libre.

Semiconductor dopado tipo N

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio
tipo N"
En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos
ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los
electrones
Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el
antimonio y el fsforo
Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus bornas,
las posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las
del caso de la aplicacin de la misma tensin sobre un semiconductor intrnseco o
puro.
SEMICONDUCTOR TIPO P
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte

cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos
.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su
capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su
capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron los
electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por
ocupar. Osea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la apricin
de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios"
sern los huecos y los electrones los portadores minoritarios.

A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio
tipo P"

Semiconductor dopado tipo P

Se tienen dos tipos de semiconductores los puros y los extrnsecos como se

muestra a continuacin
Los Semiconductores Puros Intrnsecos tienen enlaces covalentes pero difciles
de romper y su conduccin de corriente se lleva acabo por los portadores de
carga (hueco y electrn) producidos en el momento que cierta energa externa
excita los tomos del material y produce pares electrn-hueco.
Los mejores semiconductores que son el silicio y el germanio, cada uno con 4
electrones en su ultima capa de energa.
Los Semiconductores Extrnsecos son materiales como el silicio y el germanio
solo que cuando a estos materiales se les aaden impurezas como lo son tomos
de fsforo, arsnico, antimonio, el Semiconductor resultante de denomina Tipo N
y las impurezas se denominan donantes.
Estos donantes proporcionan electrones de sobra al semiconductor, ya que tienen
5 electrones en su ultima capa.
Por otra parte si las impurezas con las que es bombardeado el material son
aluminio, galio, indio, el Semiconductor se denomina Tipo P y las impurezas se
denominan aceptantes.

Los tomos de estos materiales poseen en su ultima capa 3 electrones que aaden
huecos positivos al semiconductor.
Los ndices de contaminacin tpicos son de partes por Milln (PPM).
De aqu que los tipos tambin se les conozca como portadores mayoritarios pues
es aquel que resulta despus de la contaminacin ya sea hueco electrn
deducindose la formula para calcular el portador mayoritario.

Donde:
densidad de portadores intrnsecos
= Carga del electrn

= Movilidad del hueco

= Movilidad del electrn
=densidad de portadores donadores
la ecuacin anterior proviene de la movilidad electrnica definida
por
, la movilidad del electrn es mas alta que la del hueco y es
por esto que en la electrnica se prefiere el uso de los materiales Tipo N los
cuales tienen como portador mayoritario al electrn ya que por su alta movilidad
tienen aplicaciones en los circuitos de alta frecuencia o de alta velocidad de
conmutacin dando origen ala recombinacin que es el proceso por el cual se
ocupa el espacio de un hueco por un electrn y viceversa tambin proviene de la
densidad de portadores de carga en funcin de la temperatura que es:

Donde:
= Densidad de portadores intrnsecos
= temperatura
= energa requerida para romper enlaces covalentes que a su
vez
donde
=a
la energa necesaria para romper enlaces covalentes a una temperatura de
referencia y c es un

coeficiente de variacin de rompimiento para los enlaces covalentes.

A = Constante
e = 2.1717
Los ndices de contaminacin tpicos son de partes por Milln (PPM).
De aqu que los tipos tambin se les conozca como portadores mayoritarios pues
es aquel que resulta despus de la contaminacin ya sea hueco electrn
deducindose la formula para calcular el portador mayoritario.
Donde:
densidad de portadores intrnsecos y
= Carga del electrn
= Movilidad del hueco
= Movilidad del electrn
=densidad de portadores donadores
la ecuacin anterior proviene de la movilidad electrnica definida por , la
movilidad del electrn es mas alta que la del hueco y es por esto que en la
electrnica se prefiere el uso de los materiales Tipo N los cuales tienen como
portador mayoritario al electrn ya que por su alta movilidad tienen aplicaciones
en los circuitos de alta frecuencia o de alta velocidad de conmutacin dando
origen ala recombinacin que es el proceso por el cual se ocupa el espacio de un
hueco por un electrn y viceversa tambin proviene de la densidad de portadores
de carga en funcin de la temperatura que es:
Donde:
= Densidad de portadores intrnsecos
= temperatura
= energa requerida para romper enlaces covalentes que a su vez donde =
A la energa necesaria para romper enlaces covalentes a una temperatura de
referencia y c es un

coeficiente de variacin de rompimiento para los enlaces covalentes.

A = Constante
e = 2.1717
Que es la constante de Boltzman .
Boltzman

Que es la constante de

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar

una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. 1 Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia).
Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de
uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares,
entre otros.

Tipos de transistor

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain.
Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido
que la combinacincobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre
de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da.
Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda
desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin

(W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha

desaparecido.

Transistor de unin bipolar

Artculo principal: Transistor de unin bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls Bipolar Junction
Transistor) se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio
o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado
intermedio entre conductores como los metalesy los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas,
dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos
uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P
de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como
elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N
al Arsnico (As) o Fsforo(P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN,
donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el
emisor est mucho ms contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de

dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de
contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de
la unin.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto
de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico,
tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor
y al otro drenador. Aplicando tensinpositiva entre el drenador y el surtidor y
conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial
negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la
conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la
corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una

unin PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la

compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-

xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada

del canal semiconductor por una capa de xido.
Fototransistor
Artculo principal: Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).