CIRCUITOS ELECTRNICOS-I

CAPITULO-I: CIRCUITOS CON DIODOS

1.1 Introduccin
1.2 Propiedades no lineales: diodos Ideales, diodos reales
1.3Anlisis de circuitos simples con diodos, recta de carga de
corriente continua
1.4 Anlisis de seal dbil; concepto de resistencia dinmica
1.5 Anlisis de seal dbil; recta de carga de corriente alterna
1.6 El sistema de diodos
1.7 Capacidad del diodo
1.8 Diodos Schottky
1.9 Diodos Zener
1.10 Otros tipos de diodos
1.11 Efectos de la temperatura
1.12 Caractersticas de los fabricantes

1.1 Introduccin
El diodo es el ms simple de los dispositivos electrnicos , por
lo que, en ste captulo estudiaremos las caractersticas del
circuito y las aplicaciones del diodo de unin, Zener, Scottky,
etc. En todo el captulo de pondr ms nfasis en las tcnicas
grficas ya que proporcionan una visin de conjunto del
funcionamiento del circuito y a menudo una percepcin ntima
de su propia naturaleza no fcilmente obtenible por
tratamientos puramente algebraicos. Estas tcnicas grficas
incluyen un tratamiento de las rectas de carga de c.c. y c.a.
aplicadas a ambas seales dbiles y fuertes.

1.2 PROPIEDADES NO LINEALES

a) El diodo ideal
I

Pendiente = I/V = 1/R

+
V

Figura (1)

Normalmente el estudio de los circuitos empiezan tomando en

consideracin modelos de los elementos lineales, siendo el
resistor el ms sencillo de ellos.
La caracterstica tensin-corriente (vi) del resistor ideal sigue
una relacin tan simple Ley de Ohm que a veces se pierde
de vista su interpretacin grfica.

La caracterstica vi del diodo ideal es

iD

ri
+
vi

+
vD
-

Terminal p

Terminal n

id

vd

Cuando vi > 0
iD > 0, diodo conduce
vD = 0, el
diodo se reemplaza por un corto circuito Cuando vi < 0
iD = 0, diodo no conduce
vD = vi , el
diodo se reemplaza por un circuito abierto
El diodo puede considerarse como un interruptor controlado
por la polaridad de la tensin de alimentacin
El interruptor est cerrado para tensiones positivas y abierto
para tensiones negativas de la alimentacin.

b) DIODO REAL: Actualmente el material bsico utilizado en la

fabricacin de la mayor parte de diodos y transistores es el silicio
Energa

Electrn
Banda de conduccin

Silicio
E

Regin Prohibida
Banda de valencia

Hueco

Energa

+ V -

Banda de conduccin
E

A 0K (cero absoluto) todos los electrnes estn en los niveles de energa ms

bajos.

Banda de valencia
Figura (2)

A temperatura ambiente algn electrn tiene ocasionalmente la

suficiente energa para escapar de la banda de valencia y pasar a
la banda de conduccin
Energa

Energa
Silicio tipo P

Silicio tipo N
Banda de conduccin
Espacio donador
del fsforo
Espacio aceptor
del boro
Banda de valencia

El diodo consiste en materiales tipo p y tipo n unidos tal como indica la figura
p

Smbolo del diodo

iD + vD -

+ V -

+ V -

Figura (3)

a)Diodo polarizado en sentido directo

Vr
b) Dodo polarizado en sentido inverso

Unos clculos muy sencillos (sin tener en cuenta la regin zener) muestran que la corriente
y la tensin estn relacionadas por
..

(1)

Donde

iD = corriente a travs del diodo, A

D = tensin en bornes del diodo, V
I0 = corriente inversa de saturacin, A
q = carga del electrn, 1.602x10-19 C
k = constante de Boltzman, 1.38 x 10-23 J/ K
T = temperatura absoluta, K
m = constante emprica que varia entre 1 y 2
A la temperatura ambiente (300 K)
.

(2)

La ec. (1) establece que si D < 0 con una magnitud mucho mayor que kT/q, la
corriente iD es la corriente inversa de saturacin I0. Esta corriente inversa es una
funcin del material, de su forma geomtrica y de la temperatura. Sin embargo si D
> 0 y excede en mucho a kT/q, la corriente directa es
..

(3)

Representando grficamente la ecuacin (1), tenemos

Ge

Si

Caracterstica
inversa

Si

Caracterstica
directa
D , V

0.2 0.7

Ge
Regin de
avalancha

iD , mA
Ge Si

vD , V
0

0.2 0.7

Caracterstica lineal por trozos o segmentos

Figura (4)

1.2.2 OTRA FORMA DE CONSIDERAR LA CARACTERSTICA vi

La ecuacin (3) describe la caracterstica directa del diodo. Mediante esta ecuacin se puede hallar una relacin til considerando las corrientes y las tensiones en dos
puntos diferentes de funcionamiento. Supongamos que fluya la corriente iD1 con la
correspondiente tensin del diodo vD1. Si la corriente vara hasta iD2 , deseamos hallar la
nueva tensin del diodo vD2 . Suponiendo que vD kT/q:

(4)

(5)

Dividiendo entre s estas dos ecuaciones obtenemos

.

(6)

Tomando logaritmos naturales de ambos miembros obtenemos la relacin que

buscamos:

(7)

La utilidad de esta ec. Se puede ver considerando la relacin de corrientes iD1 /iD2 = 10

1.2.3 CIRCUITO EQUIVALENTE LINEAL POR TROZOS

En muchas aplicaciones la caracterstica real del diodo puede ser representada
aproximadamente por otra lineal por trozos, como se aprecia en la figura (a) adjunta.
Cuando este es el caso, el diodo puede ser sustituido por un circuito equivalente
consistente en una batera VF en serie con un diodo ideal, como se aprecia en la fig.(b)
iD =
0
ri
vi

Vim cos 0 < VF

+ vD iD

RL

iD
+
vL
_

Diodo
ideal

VF

vD
VF
(a)

Circuito rectificador de media onda

Figura (5)

(b)

iD

1.2.1 COEFICIENTE DE TEMPERATURA (TC)

Se define el coeficiente de temperatura (TC) de un diodo como la variacin
de su tensin directa por grado centgrado de temperatura, es decir:

(4)

donde To= 25C. Valores tpicos de TC son, por ejemplo, -2,0 mV/C
(silicio), -2,5 mV/C (germanio) -1,5 mV/C (Schottky).

Figura (6) Curvas I-V para polarizacin directa con TC negativo.

1.3 ANLISIS DE CIRCUITOS SIMPLES CON DIODOS, RECTA DE CARGA DE

CORRIENTE CONTINUA
Equivalente Thevenin de la
porcin lineal del circuito

ri

a + vD - iD
RL

vi

+
vL
_

+
Diodo u otro
elemento no lineal

iD

vD
_

RT
+
vT
_

b
a) Rectificador de media onda

b) Circuito general que contiene un elemento no lineal

Figura (7)

La filosofa del anlisis grfico se basa en dos hechos:

1. El comportamiento del diodo est completamente determinado a bajas frecuencias por su caracterstica vi, que generalmente existe en forma grfica
en las especificaciones de los fabricantes o puede ser medida fcilmente.
2. Los otros elementos del circuito, siendo lineales, pueden ser reemplazados
por el circuito equivalente de Thevenin, visto desde los terminales del diodo.
Las relaciones de las magnitudes en sus terminales para las dos partes
pueden escribirse:
Elemento no lineal
Equivalente Thevenin

..

(8)

(9)

Debido a que la ec. (8) es de naturaleza exponencial, resulta evidente que no ser un
clculo de rutina, y puede, en efecto, implicar un trabajo considerable. En algunos casos
este puede ser justificable, pero en la mayor parte no lo es, por dos razones: la exactitud
requerida en la mayor parte de los casos no es grande, de este modo queda justificada la
utilizacin de mtodos ms sencillos o aproximados; y la exactitud que puede alcanzarse
con un clculo detallado a menudo no queda justificada ya que la mayor parte de los
diodos difieren de la caracterstica terica dada por la ec. (1), y pueden encontrarse
grandes variaciones en lotes de diodos del mismo tipo. Los problemas de este tipo se
resuelven grficamente la mayor parte de las veces trazando (8) y (9) en el mismo sistema
de ejes de coordenadas.

iD , mA
Caracterstica del diodo

40

30
Q2

20

Recta de carga de corriente continua

Pendiente = -1/50 A/V = - 1/RT

Q1

10
0

0.5
vD

1.0

1.5

vT vD
Figura (8)

2.0

vD , V

Si vT es senoidal, es decir vT = VTm sen t, la forma de onda de la corriente puede

hallarse tomando algunos puntos de la onda senoidal y trazando las correspondientes
rectas de carga para encontrar las corrientes resultantes, como se ve en la figura:

iD , mA

iD , mA

Recta de carga en
la regin directa

30
20

15

10
-1.5
a

Recta de carga en la
regin de polarizacin
inversa

-1.0

-0.5

0.5

1.0

1.5

vD , V

t1t2t3

t4

t5

t6

vT , V

t1
t2
t3

vT = 1.5 sen t
t4
t5
t6

i
Figura (9) solucin grfica para la corriente cuando es aplicada una tensin senoidal

1.4 ANLISIS DE SEAL DEBIL; CONCEPTO DE RESISTENCIA

DINMICA
Si la variacin total cresta a cresta (excursin) de la seal es una pequea fraccin
de su componente de corriente continua, esta recibe el nombre de seal dbil. Cuando se
presenta esta condicin puede utilizarse un mtodo aproximado de anlisis grficoanaltico que simplifica mucho el clculo. Este mtodo se ilustra utilizando el siguiente
circuito con una tensin de corriente continua aadida a vi , por lo que
(10)
vT = Vdc + vi = Vdc + Vim sen t
donde
Vim Vdc
La tensin Vdc se suele denominar tensin de polarizacin.
a + vD La tcnica utilizada se basa en el hecho de que la
ri
desigualdad de (10) hace que el circuito opere en
+
iD
RL vL una regin muy pequea de su zona de trabajo. En la
vT
_ prctica la caracterstica del diodo puede
considerarse lineal en esta regin, y el diodo reemb
plazado por una resistencia. El circuito lineal
resultante puede trazarse con tcnicas de anlisis de
Figura (10)
circuito.
Teniendo presente que el circuito debe ser lineal, se determina primero el punto de
trabajo para vT = Vdc (o sea Vim = 0). Este es el punto de reposo (Q).

iD , mA i
d

iD , mA

30
b

20
IDQ

vd
Q

10
0

0.5 VDQ 1.0

Recta de carga de
corriente continua

1.5
Vdc

IDQ

vD , V

vT , V
Vim

sen t

Vdc - Vim
Vdc + Vim

t
Figura (11) Determinacin grfica de la corriente de carga

Para enfocar la atencin en la respuesta a la corriente alterna, construiremos un nuevo

par de ejes con origen en el punto Q. Las variables asociadas con estos ejes son:
Corriente:
Tensin:

(11)

(12)

id , mA

id , mA

b
Rectas de carga de c.c.

Zona de trabajo
0

vd , V
a

vi , V
Vim sen t

t
Figura (12)Interpretacin grfica de las variables auxiliares

La zona de trabajo ab se supone lineal, y en ella se encuentra el origen. Esto es equivalente a reemplazar el diodo por una resistencia de valor igual a la inversa de la pendiente de la lnea ab. Esta se llama resistencia dinmica rd del diodo, y puede hallarse calcuLando la inversa de la pendiente de la caracterstica del diodo en el punto Q. Es decir
Punto Q

..

(13)

Una vez determinado rd , cualquiera de las variables del circuito (funcionando slo para
seales dbiles de c.a.) puede calcularse aplicando la ley de Ohm.
Por consiguiente el circuito original puede considerarse formado por dos circuitos, tal
como se indica en la fig. siguiente
+ VDQ ri
ri
rd
IDQ
Vdc

RL

a) Circuito para calcular el punto de

trabajo funcionamiento en c.c.

id
RL

Vim sen t

+
vL
_

b) Circuito para calcular la componente de

c.a. de seal dbil

Figura (13) Circuito de diodo considerado como dos circuitos separados

El desarrollo que conduce a los circuitos equivalentes anteriores, puede hacerse tambin
analticamente, utilizando un desarrollo en serie de Taylor de la caracterstica vi del diodo
en el punto Q. La caracterstica vi del diodo viene dada por
..

(14)

Para seales dbiles en ausencia de distorsin

..

(15)

..

(16)

(17)

donde

la ec. (14) se convierte en

, dado

La serie de Taylor a partir de la cual puede hallarse

es

(18)

Despreciando los trminos de orden superior e identificando von VDQ y con vd ,

se tiene

Punto Q

(19)

, se simplifica y queda

Teniendo en cuenta que

punto Q

..

(20)

..

(21)

y finalmente
punto Q

punto Q

Aplicando la ley de Kirchoff a las tensiones del circuito de la Figura (10) se tiene
..

(22)

Sustituyendo las definiciones de seal dbil (10) y (15) en (22) se obtiene

(23)
Para las condiciones de seal dbil sin distorsin,
son todas ellas seales
variables con el tiempo con el valor medio igual a cero y
son constantes, la
ec. (23) puede separarse en una ecuacin para corriente continua y una para corriente
alterna
.
(24)
.

(25)

(26)

Finalmente, sustituyendo (21) en (25), tenemos

1.4.1 CALCULO DE
.- Diferenciando la ec. (1) del diodo, invirtiendo el resultado, y
calculando
en el punto de trabajo, determinaremos una expresin analtica de la
resistencia dinmica de un diodo de silicio en sentido directo, es decir:

punto Q

a T = 300 K
IDQ en mA

(27)

(28)

Normalmente la resistencia dinmica de un diodo de unin trabajando con una corriente

continua de 1mA es de 25.
Los resultados finales de la corriente y de la tensin de carga se hallan superponiendo las
respuestas de los circuitos de las Figuras (13-a) y (13-b), de donde:

1.4.2. ELEMENTOS REACTIVOS.- Cuando se cumplen las condiciones de seal dbil, es

sencillo tener en cuenta los elementos reactivos tales como el filtro RC representado en la
Figura (14)
C

Figura (14) Circuito del diodo con un elemento reactivo

El condensador no afecta al punto de trabajo por lo que los clculos para corriente
continua son inalterables, as como, la pendiente de la caracterstica del diodo
en el
punto Q no cambia, para determinar la corriente alterna y la tensin del diodo puede
utilizarse la ley de Ohm para obtener
.

(29)

donde
indican la corriente de cresta y la amplitud de la tensin, y
una impedancia compleja. Esto queda ilustrado en el ejemplo que sigue.

es

1.5. ANLISIS DE SEAL DBIL; RECTA DE CARGA DE CORRIENTE ALTERNA

Suponiendo que el condensador acta como un cortocircuito para las frecuencias
consideradas, la resistencia efectiva vista por el diodo es
que es la inversa de
la pendiente de la recta de carga de corriente alterna cambiada de signo. Para trazar sta
recta de c.a. es preciso conocer un solo punto de paso, ya que la pendiente es conocida. El
punto donde la seal de c.a. es cero es el ms fcil de obtener, que viene a ser el punto de
reposo Q, por lo que trazaremos la recta de carga de c.a. pasando por Q con una pendiente
tal como se v en la Figura (15)
Recta de carga de
Recta de carga de
c.a., pendiente
c.a, pendiente

15
b

10

Q
t
a

5
0.5

de carg.
RectaRecta
de carga
de
pendiente
c.c. pendiente

1.0

1.5

1.25

Figura (15) Solucin grfica del circuito de la Figura (14)

La zona de funcionamiento del diodo es el segmento a b de la caracterstica del diodo. Este

procedimiento dar resultados idnticos a los resultados analticos obtenidos en la ec. (29)
siempre que el segmento a b sea aproximadamente lineal.
Se pueden obtener simultneamente las ecuaciones correspondientes a las rectas de carga
de c.c. y c.a. mediante el circuito de Figura (14) utilizando la segunda ley de Kirchoff o ley
de tensiones. Es decir:

..
Haciendo
de que se aplica la superposicin, se tiene

(30)

y admitiendo la suposicin razonable

ecuacin de la recta de carga de c.c.

(31)

ecuacin de la recta de carga de c.a.

(32)

1.6. EL SISTEMA DE DIODOS

El sistema diodos tiene muchas aplicaciones, entre ellas el conmutador analgico, el
multiplicador y el detector de fase. La Figura (16) un esquema de un sistema de diodos que
se pueden adquirir en el comercio (LM3019).
vC = VON Voff
RC
Cuadrete de
diodos

ri

vi
Dos diodos aislados

iD1

c
D1 D3
a

D2 D4
d

iD4
RL

+
vL
_

RC
a) Sistema de diodos

-vC = -VON -Voff

b) Conmutador analgico con cuatro diodos

Figura (16)
La funcin del conmutador analgico de la Figura (16-b) es producir una tensin de salida
vL proporcional a la tensin de entrada analgica vi cuando la tensin de control vC = VON
(conduccin) y tener vL = 0 cuando vC = Voff (corte). VON se ajusta de manera que todos los
diodos se mantengan en conduccin, incluso cuando vi 0. Si ri = 0 es evidente que vL = vi
cuando vC = VON. La tensin Voff se elige de modo que cuando vC = Voff los cuatro diodos
estn en corte, corriente en RL es cero y vL = 0 independientemente de vi .

Analisis cuantitativo.- En la prctica el conmutador analgico es activado por un

amplificador operacional que tiene una impedancia de salida mucho menor que 1, por lo
que es razonable admitir que ri = 0.
El anlisis cuantitativo del conmutador analgico de la Figura (16-b) es complicado a
no ser que se considere sustituido aproximadamente cada diodo por un circuito equivalente
lineal por trozos del diodo ideal descrito anteriormente.
Si ahora vC = VON , la cada de tensin en cada diodo es cero y el circuito resultante es el
representado en la Figura (17). Observemos que los puntos a, b, c yd de la Figura (16) se
confunden en un solo punto p y
vL = vi
.
(33)
VON

RC

p
RC

vi

RL

+
vL
_

-VON
Figura (17)

Circuito equivalente cuando vC = VON

Clculo de mxima tensin de entrada permisible Vim .- El circuito deja de funcionar

correctamente cuando vi aumenta hasta el punto en que vi = Vim , tensin suficientemente
positiva para que D1 y D4 se bloquen de modo que iD1 e iD4 sean cero. Esto da por resultado
la completa apertura del puente de diodos con la consiguiente desconexin de la entrada vi
de la carga RL , como se muestra en la Figura (18). Como D1 = D4 = corte, las tensiones vac =
vbd = 0, entonces considerando las cadas de tensin con respecto a masa tenemos.
..
(34)
.
VON

Rc
c
a

iD1 = 0

iD4 = 0
d
Rc

RL

+
vL
_

-VON
Figura (18) Circuito equivalente cuando vi = Vim y los diodos D1 y D4 estn en el punto de corte

(35)

Haciendo vac = va vc igual a cero tenemos

(36)

Recordemos que este es el valor de Vim en que los diodos D1 y D4 se bloquean. Si Rc RL

(36) se reduce a:
.
(37)
Sin embargo, si se conecta el cuadrete de diodos a la entrada de un amplificador operacional
no inversor cuya impedancia de entrada RL es mucho mayor que Rc , tendremos
.

(38)

Determinacin de Voff .- La tensin de control Voff se selecciona para que los diodos
funcionen en la regin inversa (de modo que no conduzcan) pero no ms all de su ruptura
Zener. Los diodos que se utilizan en los circuitos integrados tienen tpicamente una ruptura
Zener cuando la tensin inversa es aproximadamente VZB = 6 V.
Con el fin de determinar el margen permisible de vc = Voff observamos que para mantener
en corte los diodos D3 y D4 debemos tener Vcd = Vc Vd < 2(0.7) = 1.4 V. En este modo de
funcionamiento no circula corriente en ningn resistor Rc ; de aqu que 2Voff = Vcd < 1.4 V y
Voff < 0.7 V .
Cuando los dos diodos estn en corte existe la posibilidad de que puedan estar expuestos a
una ruptura Zener si vi = Vim es demasiado grande. Como no pasa corriente por ri cuando los
diodos estn en corte, Va = Vim , de modo que Vac = Vim Voff . Para que no se produzca el
corte en los diodos ajustamos Voff > Vim VZB , donde VZB es la tensin de ruptura Zener.

Por tanto, Voff debe estar comprendido en el margen:

(39)

Ejemplo: Conmutador analgico con seis diodos

+6 V
Rc = 4.7k

D5
+

vc

1:1
vc = VON Voff

D1
a

_
+
vc

D3
b
+

D2

vi

D4
d

RL = 4.7k

vL
_

D6
Rc = 4.7k
-6 V
En la figura est representado un conmutador analgico con seis diodos, utilizando el circuito el sistema completo de
seis diodos. La funcin de este circuito es la misma que la del conmutador analgico de cuatro diodos. Es decir, cuando
vc = V ON , la tensin de carga vL es proporcional a vi , mientras que cuando vc = V off , la tensin en la carga vL es
cero. Hallar (a) vL en funcin de vi cuando vc = V ON , (b) la mxima Vim permisible, y (c) el mnimo valor V ON y el
margen permisible de V off .

Solucin. (a y b) El transformador proporciona el medio de conmutar vc desde V ON hasta

Voff y viceversa. El circuito est diseado para que cuando vc = V ON los diodos D5 y D6
estn en corte y los diodos D1 a D4 conduzcan haciendo que vi sea menor que el valor Vim
dado por ec. (36) que con VON = 6V, Vim = 3V, y para Ivi I < Vim
vL vi
(c) Observamos que vL nunca exceder de VLm = Vim = 3V , la tensin en el punto c no
exceder de 3 + 0.7 3.7V, y, los diodos D5 y D6 estarn en corte siempre que vc = V ON >
3.7 0.7 = 3V. Los diodos D1 a D4 estarn en corte siempre que la caida de tensin desde c
hasta d sea menor que 1.4V. Por la LTK tenemos
Suponiendo que VF5 = VF6 = 0.7V, los diodos D1 a D4 estarn en corte si vc = V off < 0V.
Como no se desea que los diodos D1 a D4 se polaricen inversamente por una tensin mayor
que la de ruptura Zener VZB , tenemos:
De donde

Por lo que el margen permisible de V

off

es:

1.7. CAPACIDAD DEL DIODO

A continuacin describimos ciertos efectos que ocurren en los diodos y que conducen a
elementos de capacidad en el modelo de circuito para el diodo. Los valores de estas
capacidades dependen de la magnitud y de la polaridad de la tensin aplicada al diodo, as
como del tipo de unin formada durante el proceso de fabricacin. La capacidad no es lineal,
pero usualmente se la considera en una primera aproximacin como elemento lineal.
Polarizacin inversa, capacidad de transicin.- En el modo de funcionamiento con
polarizacin inversa del diodo, los huecos de la regin P y los electrones de la regin N se
mueven separndose de la unin, formando por tanto una regin de empobrecimiento en la
cual han sido sustrados los portadores de carga. La longitud efectiva L de la regin de
empobrecimiento se hace ms ancha cuando la tensin inversa VR aumenta puesto que el
campo elctrico tambin aumenta proporcionalmente a VR , como se ve en la Figura(19)
CR

CC + C 0

+
+
+

Unin

VR
(a)

(b)

VR , V

Figura (19) Capacidad del diodo, polarizacin inversa: (a) representacin grfica; (b) variacin tpica de la capacidad
con la tensin inversa aplicada

La unin con polarizacin inversa se comporta como un condensador cuya capacidad vara
tericamente de modo inversamente proporcional a la diferencia de potencial VR . La
capacidad de transicin CR es inversamente proporcional a la potencia 1/3 de VR ,
dependiendo de si el dispositivo tiene una unin de aleacin o una unin de crecimiento. En
un diodo de alta velocidad esta capacidad es mas pequea, usualmente < 5pF. En los diodos
rectificadores para alta corriente puede ser tan grande como 500pF.
Una ecuacin que relaciona la capacidad de transicin en paralelo con un diodo
inversamente polarizado y la tensin del diodo VR es:

..

(39)

Donde CC = capacidad debida a la cpsula del diodo

C0 = capacidad del diodo cuando VR = 0
n = 1/3
La Figura (19-b) es no lineal. La naturaleza no lineal de CR se desprecia ordinariamente en
los clculos y se utiliza un valor constante.
Polarizacin directa, capacidad de almacenamiento.- Cuando el diodo est
polarizado en sentido directo, la anchura de la regin de empobrecimiento L disminuye y la
capacidad de transicin aumenta con respecto al valor de la capacidad hallado en un diodo
inversamente polarizado.
En el tem 1.2, Figura (2) describimos el mecanismo del flujo de corriente como electrones
que se mueven desde un hueco (vacante) a otro. Supongamos que el tiempo promedio que
tarda un electrn en moverse entre dos huecos es segundos ( es el tiempo medio
considerando ambos flujos de electrones en la banda de conduccin y en la banda de
valencia).

El flujo medio de corriente es ID = Q/, donde Q es la carga media. Sin embargo por la
ecuacin del diodo (3) tenemos

(40)

Si definimos la capacidad de almacenamiento Cj como Cj = dQ/dVD , hallamos fcilmente

que
..
(41)
Se observa que la capacidad de almacenamiento es directamente proporcional a la corriente
directa del diodo y puede ser muy grande. Por ejemplo, si = 1 ns e ID = 1 mA, Cj = 40 pF.
Esta es la capacidad que limita la velocidad de conmutacin en circuitos lgicos que
utilizan dispositivos de unin.
1.7.1. Modelos de circuito equivalente de diodo.- Cuando se aproxima la curva
caracterstica vi como lineal a tramos, se desarrolla un modelo simple para el diodo.
Rr

Rf
iD

CR

Cj

0.7 V

CR
Diodo ideal

a) Modelo para cd (directo como inverso)

iD

Rr

b) Modelo para ca. Simple, diodo

polarizado inversamente

Figura (20) Modelos del diodo

iD

rd

c) Modelo para ca. Diodo polarizado

directamente

El resistor, Rr , representa la resistencia de polarizacin inversa del diodo, y es igual al

inverso de la pendiente de la porcin (casi) horizontal de las curvas de operacin. Los
valores comunes corresponden a varios megaohms.
El resistor, Rf , es la resistencia directa, y es igual al inverso de la pendiente de la porcin
(casi) vertical de las curvas de operacin. Existe debido a la resistencia de contacto y de
bloque del diodo y los valores ms comunes son menores que 50.
Cuando el diodo se polariza directamente en el modelo, la resistencia entre terminales es
la combinacin en paralelo de los dos resistores:
Rr // Rf
.. (42)
1.8. DIODOS SCHOTTKY
El diodo Schottky, est formado por un metal de unin, tal como platino, con silicio
tipo N. Estos dispositivos tienen un almacenamiento de carga despreciable y cada ves se
utiliza ms en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad.
Cuando el diodo Schottky funciona en el modo directo, la corriente es debida a los
electrones que se mueven desde el silicio de tipo N a travs de la unin y a travs del metal.
Como los electrones se mueven relativamente libres a travs del metal, el tiempo de
recombinacin es muy pequeo, tpicamente del orden de 10 ps, y el de varios rdenes de
magnitud menos que los que corresponde a los diodos de silicio de unin PN. Por ejemplo
utilizando la ec. (41), hallamos, con ID = 1mA que Cj = 0.4 pF.
El smbolo de circuito del diodo Schottky es el que aparece en la Figura (21-d). El diodo
tiene una caracterstica vi similar a la de un diodo ordinario de silicio PN excepto que la
tensin directa de ruptura del diodo es VF 0.3 V.

Electrn

VX

R
Silicio N

Metal, ej. platino

Tensin

Tensin

(a)
VR

(b)

Tensin

vD

iD

(d)
(c)
Figura (21) Diodos Schottky: (a) distribucin de potencial despus de la difusin inicial; (b) distribucin de potencial
despus de aplicar una tensin positiva; (c) distribucin de potencial despus de aplicar una tensin negativa; (d)
smbolo del circuito.

1.9. DIODOS ZENER

Es un dispositivo cuya contaminacin se realiza de un modo que hace que la
caracterstica de voltaje de avalancha o ruptura sea muy inclinada. Si el voltaje inverso
supera al voltaje de ruptura, el diodo Zener normalmente no ser destruido. Esto se cumple
siempre que la corriente no exceda un valor mximo predeterminado y el dispositivo no se
sobrecaliente.
iD
Regin polarizada
inversamente

Regin polarizada
directamente

VZ
Izmin = 10% Izmx

vD

Codo

Izmx
Diodo
ordinario
Figura (22) Diodo Zener

Diodo
Zener

Dado que el efecto Zener (avalancha)

ocurre en un punto predecible, el diodo
puede usarse como una referencia de
voltaje. La corriente inversa mxima,
Izmax , que el diodo Zener puede
soportar depende del diseo y
construccin del diodo. Se emplear la
relacin emprica de que la corriente
Zener mnima en la que la curva
caracterstica permanece en VZ (cerca
del codo de la curva) es 0.1IZmax. La
cantidad de potencia que el diodo Zener
puede soportar (VZ Izmx ) es un factor
lmite en el diseo de fuentes de
potencia.

1.9.1 Regulador con Zener

Un diodo Zener puede usarse como un regulador de voltaje en la configuracin que se
muestra en la Figura (23). El circuito se disea de modo que el diodo opere en la regin de
ruptura, de manera que este se aproxima a una fuente de voltaje ideal. El reto de diseo es
elegir un valor de Ri que permita al diodo mantener un voltaje de salida relativamente
constante an cuando cambien tanto el voltaje de la fuente de entrada como la corriente de
carga.
iL
El circuito se analizar para determinar la
Ri
+
eleccin apropiada de Ri . Se emplea la
i
Z
iR +
ecuacin de nodo para encontrar iZ :
VL
Vs
VZ

(43)
Figura (23) Regulador con Zener

(44)

Las cantidades variables en la ecuacin (44) son Vs e iL. Con el fin de asegurar que el diodo
permanece en la regin de voltaje (ruptura) constante, se examinan los dos extremos de las
condiciones de entrada/salida, como sigue:
(1) La corriente a travs del diodo, iZ , es un mnimo (Izmn ) cuando la corriente de carga, iL
es mxima (ILmx ) y el voltaje de fuente, Vs , en un mnimo (Vsmn ) .
(2) La corriente que circula por el diodo, iZ , es un mximo (Izmx ) cuando la corriente de
carga, iL , es un mnimo (ILmn ) y el voltaje de fuente, Vs , es mximo (Vsmx ) .

Cuando estas caractersticas de los dos extremos se insertan en la ecuacin (43), se tiene:
..

(45)

..

(46)

La ecuacin (46) contiene dos incgnitas: las corrientes Zener mxima y mnima. En la
Figura (22) observamos que para evitar la porcin no constante de la curva caracterstica, se
usa la regla prctica (emprica) aceptada de que la corriente Zener mnima debe ser 0.1
veces la corriente mxima, es decir:
.

(47)

Reemplazando (47) en (46) y resolviendo con respecto a Izmx , tenemos:

..

(48)

Una vez determinado el valor de Izmx utilizando la ecuacin (48) , el valor de Ri se calcula a
partir de la ecuacin (45)

Ejemplo. DISEO DEL REGULADOR CON ZENER

Disee un regulador con Zener de 10V para las siguientes condiciones: (a) La corriente
de carga varia de 100 a 200 mA y el voltaje de la fuente varia de 14 a 20V, (b) Repita el
problema de diseo para las siguientes condiciones: la corriente de carga varia de 20 a 200
mA y la fuente voltaje cambia entre 10.2 y 14 V. Emplee un diodo Zener de 10 V en ambos
casos.

iL

Ri
iR

Vs

iZ

RL

+
VZ
_

Solucin: (a) El diseo consiste en elegir el

valor de resistencia apropiado, Ri , y la
potencia nominal del Zener.
De la ecuacin (48)
Izmx = 0.533 A

El valor de Ri , lo determinaremos utilizando la ecuacin (45), del modo siguiente:

No es suficiente especificar slo el valor de resistencia Ri . Tambin debe seleccionarse el

valor adecuado de potencia nominal del resistor. La potencia mxima en el resistor est
dada por el producto del voltaje con la corriente, donde se emplea el mximo para cada
valor

Finalmente debe determinarse la potencia nominal del diodo Zener. La potencia mxima
disipada en el Zener est dada por el producto entre el voltaje y la corriente.

(b) La repeticin de los pasos con respecto a los parmetros de la parte (b) produce Izmx =
-4 A. El valor negativo de Izmx indica que el margen entre Vsmn y VZ no es suficientemente
grande para permitir la variacin en la corriente de carga. Esto es, bajo la condicin del peor
caso de una entrada de 10.2 V y una corriente de carga de 200 mA, es posible que el Zener
no pueda resistir 10 V en sus terminales. Por tanto el regulador no operar de modo correcto
para cualquier eleccin de resistencia. Tendr que elevarse el voltaje de la fuente o reducir
los requerimientos de la corriente de salida.

1.10. OTROS TIPOS DE DIODOS

1.10.1. Diodos emisores de luz (LED)
En un LED con polarizacin directa los electrones libres atraviesan la unin y caen
en os huecos. Como caen de niveles energticos altos a niveles bajos, emiten energa. En
los diodos normales esta energa se disipa en forma de calor , pero en un LED lo hace en
forma de luz.
Empleando elementos como el galio, arsnico y fsforo se
Rs
pueden producir LEDs de luz roja, verde, amarilla, azul,
naranja e infrarroja (invisible). Los LEDs que producen
Is
+
radiacin visible son tiles en los instrumentos,
VD
Vs
calculadoras, etc., mientras que los de luz infrarroja tienen
_
aplicaciones en sistemas de alarmas antirrobos,
reproductores de CD y otros dispositivos en los que se
requiera luz invisible.
La mejor manera de controlar la luminosidad es excitar
el LED con una fuente de corriente.
+

a
f

b
c

Indicador de siete
segmentos

Los LED tienen tensiones de ruptura bajas,

tpicamente entre 3 y 5 V.
En la mayor parte de los LED disponibles
comercialmente, la cada de tensin tpica
es de 1.5 a 2.5 V para corrientes que
fluctan entre 10 y 50 mA, dependiendo
este del color, tolerancia, etc. Y de la
corriente que atraviesa.

1.10.2. Fotodiodo
R
+
V
-

Cuando la energa luminosa se proyecta sobre una unin PN,

puede desligar electrones de valencia. Cuanta mayor intensidad
de luz incida sobre la unin, mayor ser la corriente inversa en el
diodo. Un fotodiodo es un diodo cuya sensibilidad a la luz es
mxima. En este tipo de diodos, una ventana permite que la luz
pase por el encapsulado hasta la unin.

La luz incidente produce electrones libres y huecos. Cuanto ms intensa sea la luz, mayor
ser el nmero de portadores minoritarios y mayor ser la corriente inversa.
1.10.3. Optoacoplador
Un optoacoplador (llamado tambin optoaislador
R1
- R2 +
o aislador acoplado pticamente) combina un LED
+
+
+ y un fotodiodo en un solo encapsulado. Si la
+
Vint
V1
V2 tensin de entrada vara, la cantidad de luz
Vout
tambin lo har, lo que significa que la tensin de
salida cambia de acuerdo con la tensin de
El optoacoplador combina un LED y un fotodiodo
entrada. Por ello, la combinacin de un LED y un
fotodiodo recibe el nombre de optoacoplador. El dispositivo puede acoplar una seal de
entrada con el circuito de salida.
La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento elctrico entre los circuitos
de entrada y de salida. Mediante el optoacoplador , el nico contacto que hay entre la
entrada y la salida es un haz de luz.

1-10.4. El varicap

+ + +
+ + +
+ + +

ZONA DE DEPLEXIN
(a)

(b)

(c)
CT

V
(d)
(a) Forma fsica
(b) Circuito
equivalente
en
corriente alterna
(c) Smbolo esquemtico
(d) Curva de capacidad en
funcin de la tensin inversa

Los diodos varicap o varactor estn fabricados

especficamente para funcionar en el modo inverso.
Pueden ser proyectados para una capacidad de
hasta varios centenares de picofaradios si as se
requiere. Una aplicacin del uso de tales diodos es
la de los circuitos de modulacin de frecuencia
(FM), donde se conecta un diodo inversamente
polarizado en paralelo con un inductor. La
frecuencia resonante del circuito sintonizado
resultante se puede cambiar variando VR . Por tanto,
si VR es una seal vocal, por ejemplo, la frecuencia
resonante ser proporcional a la amplitud de la
seal vocal; es decir, la frecuencia estar modulada.
Se construyen muchos sistemas de FM utilizando
este principio.

1.10.5. Diodos Tnel. I

IP
IV
VP VV

(a)

(b)

Diodos Tnel, (a) La ruptura

ocurre a 0 V, (b) Smbolo
esquemtico

Aumentando el nivel de dopaje de un diodo opuesto se

puede hacer que la ruptura se produzca a los 0 V. Adems, el
dopaje ms fuerte distorsiona la curva de polarizacin
directa. Un diodo como este recibe el nombre de diodo tnel
En este tipo de diodos se presenta un fenmeno conocido
como resistencia negativa . Esto significa que un aumento de
la tensin de polarizacin directa produce una disminucin
en la corriente directa en la parte de la curva entre VP y VV .
La resistencia negativa de los diodos tnel es til en
determinados circuitos de alta frecuencia llamados
osciladores .

Estos circuitos osciladores pueden generar una seal sinusoidal similar a la producida por
un generador de alterna. Pero a diferencia del generador de alterna, que convierte
energa mecnica en energa elctrica sinusoidal, un oscilador convierte energa continua
en una seal sinusoidal.
1.11. EFECTO DE LA DISIPACIN DE CALOR SOBRE EL FUNCIONAMIENTO DEL DIODO
La disipacin de potencia elctrica como calor en el diodo hace que la temperatura
de la unin aumente, por lo que consideraremos el problema prctico para hallar la
mxima disipacin de calor permisible en un diodo de unin PN. Este aumento de
temperatura se debe mantener dentro de lmites aceptables, o de los contrario el diodo se
deteriorar.

El calor es transmitido de
la unin a la cpsula
Temperatura de la unin Tj

Temperatura del aislante

elctrico Ti

Temperatura de la cpsula Tc

Temperatura del
radiador de calor Ts

Temperatura ambiente Ta

V
R

Figura (24) Diodo montado sobre radiador de calor

El problema trmico se trata de una manera fcil por una simple analoga trmica de la ley
de Ohm, en que la corriente es sustituida por la potencia, la tensin por la temperatura y
la resistencia elctrica por la resistencia trmica .
Si la potencia disipada en la unin es constante y no excede de la capacidad de potencia
del diodo, despus de transcurrido un tiempo suficiente, el sistema alcanzar un estado
de equilibrio trmico. En general, cada uno de los elementos estar a una temperatura
diferente. Una buena aproximacin es considerar que el aumento de temperatura ser
proporcional a la potencia disipada en la unin. La constante de proporcionalidad es lo
que se llama resistencia trmica

Un aumento de la temperatura de la unin por encima de la temperatura de la cpsula

est relacionado con la potencia disipada por la ecuacin
.
(49)

Donde

= aumento de la temperatura de la unin por encima de la temperatura de la

cpsula, C
= potencia elctrica disipada en la unin, W
= resistencia trmica entre la unin y la cpsula, C/W
La resistencia trmica es funcin de la construccin del diodo y de la cpsula y
ordinariamente est especificada por el fabricante.
Consideremos un diodo alojado en una cpsula sin montura alguna, como muestra la
Figura (25)
Temperatura de la cpsula Tc
Temperatura de
la unin Tj

Temperatura ambiente Ta

(a)

(b)

Figura (25) Diodo y analoga elctrica del sistema trmico: (a) diodo sin montura; (b) analoga elctrica

El aumento de la temperatura de la cpsula por encima de la temperatura ambiente viene

dado por
.
(50)
El circuito de la Figura (25-b) representa una analoga elctrica del sistema trmico de
la Figura (25-a), con las siguientes analogas derivadas de ecs. (49) y (50):
Sistema trmico
Anlogo Elctrico
Disminucin de temperatura
Cada de tensin
Disipacin de potencia
Generador de corriente constante
Resistencia trmica
Resistencia elctrica
En la Figura (25) y en las ecuaciones (49) y (50) se ve que:

(51)

Este resultado se puede extender inmediatamente al sistema de conduccin de calor de

la Figura (24)

(52)
Aqu las resistencias trmicas no definidas antes son
= resistencia trmica cpsula-radiador de calor (incluyendo el aislador)
= resistencia trmica radiador de calor-ambiente
En un problema prctico de diseo el uso de esta ecuacin se basa en las siguientes
condiciones:

1. La mxima temperatura permisible en la unin la da el fabricante. Los valores tpicos

son aproximadamente 100C para diodos de germanio y 150 a 200C para diodos de
silicio.
2. La temperatura ambiente es una variable no controlada que depende del ambiente en
que deba funcionar el equipo.
3. La potencia disipada en al unin depende del sistema elctrico y para corrientes y
tensiones variables con el tiempo viene dada por:

(53)
para funcionamiento en corriente continua es simplemente

(54)
4. Una vez elegido el diodo particular que satisfaga las especificaciones elctricas, se debe
fijar su resistencia trmica
. sta la dar ordinariamente el fabricante.
Observando estas condiciones y de la ec. (51) se aprecia que la resistencia trmica
cpsula-ambiente es la nica variable de la que se dispone para el ajuste a fin de
mantener la temperatura de la unin en un valor de seguridad. La resolucin de ec.(51)
tenemos.

(55)
Esta expresin se utiliza para determinar la mxima
, cuando son conocidos todos
los factores del segundo miembro. La ec. (52) se puede utilizar, naturalmente, para
determinar cualquiera de las variables implicadas.

1.11.1 Curvas de degradacin.- La potencia nominal de un diodo se especifica

usualmente para una temperatura ambiente de 25C. La mxima potencia que el diodo
puede disipar est determinada por la temperatura de la unin. Por lo que la potencia
nominal debe ser disminuida cuando la temperatura ambiente aumenta, con el fin de
mantener la temperatura de la unin en un lmite se seguridad. Ordinariamente el
fabricante suministra las curvas de degradacin que se pueden utilizar para determinar la
mxima disipacin de potencia admisible para una temperatura de cpsula dada.

ec. (56)

= Temperatura de la
cpsula a la cual
empieza la reduccin
Figura (26) Curva de degradacin del diodo

utilizando la ec. (49) vemos que la tasa de disminucin de potencia cuando aumenta la
temperatura de la cpsula es
. En la Figura (26) apreciamos que cuando
Refirindonos a la ec. (49) y sustituyendo
, tenemos:
..

(56)

La ec. (56) representa la pendiente de la porcin de la curva de degradacin. Refirindonos

nuevamente a la Figura (26) vemos que cuando
, sustituyendo en (56) y
despejando
, tenemos

(57)

La resistencia trmica entre la cpsula y el ambiente

se puede determinar grficamente
utilizando la ec. (50) y la curva de degradacin de la Figura (26) como se explica en el
siguiente ejemplo.

Ejemplo: Un diodo Zener de 8W (curva de degradacin de la Figura (27) debe disipar 3.5W
en un circuito particular. La temperatura ambiente es 100C. (a) Hallar
para que el
diodo no se sobrecaliente. (b) Hallar
para estas condiciones. (c) Si se dispusiera de un
radiador de calor infinito, cunta potencia podra disipar este diodo?
Solucin. (a) Comenzaremos representado la ec. (50) sobre la curva de degradacin. Los
dos puntos conocidos en ec. (50) son
cuando
y el punto formado por
sobre la curva de degradacin. Refirindonos a ec. (50) vemos que cuando

Por la Figura (27) tenemos

, por tanto

ec. (50) ,
ec. (50) ,
6,2
3.5

ec (56)

Figura (27) Tcnica grfica para hallar

. Estn representados dos valores de

(b) La interseccin de ec. (50) y la curva de degradacin en la potencia de funcionamiento

de 3.5W da la mxima temperatura de la cpsula permisible para evitar el
sobrecalentamiento. Por la Figura (27),
.
(c) Si
y
(un radiador infinito), la ec. (50) se puede dibujar como si
fuese una recta vertical, como muestra la Figura (27). La interseccin de esta recta con la
curva de degradacin da la mxima disipacin de potencia permisible. Por la Figura (27),
esta es

1.12. CARACTERSTICAS DE LOS FABRICANTES

a) E diodo rectificador
Las caractersticas del diodo que normalmente suministran los fabricantes son las
siguientes:
Tipo: Diodo de silicio 1N566 (los valores sern para 25C)
1. Tensin inversa de cresta (PIV) = -400 V
2. Mxima corriente inversa I0 (para la PIV) = 1.5 A
3. Mxima tensin directa de cc. = 1.2 V para 500 mA
4. Corriente directa media rectificada en media onda, IFR = 1.5 A
5. Temperatura mxima de la unin Tj,mx = 175C
6. Curva de degradacin o del factor de reduccin de la corriente nominal [Figura (28)].
Las caractersticas 1 a 3 se explican fcilmente considerando la Figura (29)
IFR Corriente directa media
iD
rectificada en media onda, A

1.5

500 mA

- 400 V
0

60

175

1.2 V
I0 = -1.5 A

Ta , C

Figura (28) Curva de degradacin o reduccin de

la corriente nominal para un diodo de silicio
1N566

Trazada a diferente
escala que la
caracterstica directa

Figura (29) Caracterstica directa e inversa del diodo

VD

Caracterstica 1. La tensin inversa de cresta (PIV) es la tensin negativa mxima

admisible que puede aplicarse al diodo antes de la ruptura. Esta tensin es algo menor que
la tensin Zener , pero en la prctica no hacemos referencia a la tensin Zener de un diodo
que est destinado a ser utilizado como rectificador.
Caracterstica 2. La corriente inversa mxima de saturacin I0 es 1.5 A. Lo que significa
que cuando el diodo se utilice en un circuito rectificador, la corriente negativa mxima a
travs de el ser de 1.5 A.
Caracterstica 3. Cuando el diodo es atravesado por una corriente continua de 500 mA,
la cada de tensin mxima en el ser de 1.2 V.
Las caractersticas de 4 a 6 pueden explicarse por medio de la Figura (30) y Figura (28)
Caracterstica 4. Cuando la tensin de entrada i es
R
senoidal [Figura (30)] la corriente media en sentido
iD
directo rectificada en media onda es
= V sen t
i

im

Figura (30) Rectificador de media onda

Caracterstica 5 y 6. La Figura (28) indica que si la

temperatura ambiente es menos de 60C:

Para temperaturas mayores de 60C, esta corriente mxima debe reducirse linealmente
hasta que la temperatura ambiente se a la mxima que la mxima de la unin de 175C, en
cuyo punto IFR = 0.

1.13. RECORTADORES Y FIJADORES.

Los diodos pueden emplearse para recortar la seal de entrada o limitar partes de la
misma. Tambin se utilizan para restaurar un nivel de cd para una seal de entrada
1.13.1. RECORTADORES
Los recortadores se emplean para eliminar una parte de la forma de onda que se
ubica arriba o debajo de algn nivel de referencia. Los circuitos recortadores algunas veces
se denominan limitadores, selectores de amplitud o rebanadores.
o

i
+
i
t _

+ VB
VB

o
_

+
i
_

VB

+
o
_ - VB

+
i
_

VB

+ B
o
_

+
i
_

VB

+
o
_-VB

Figura (31) Circuitos recortadores ideales

Las formas de onda de salida indicadas en la Figura (31) suponen que los diodos son
ideales

Considerando diodo reales, en los circuitos anteriores los diodos se reemplazarn por su
circuito equivalente, donde se supone que debe superarse un voltaje VON antes de que el
diodo conduzca, y, cuando el diodo est conduciendo se incluye una resistencia directa Rf. La
Figura (32-a) muestra el circuito modificado.
DIODO
o
o
FORMA DE ONDA
CONDUCIENDO
R
DISTORCIONADA
+

DIODO
IDEAL

DIODO SIN
CONDUCIR

Rf
o

VB + VON

VON
VB _

(a)

(b)

Figura (32) Recortador que usa un diodo real

La salida resultante se ilustra en la Figura (32-b) i se calcula: Para i < VB + VON , o = i . Para
i > VB + VON ,
..
(58)

El recorte positivo y negativo se efecta de modo simultneo. El resultado es un recortador

polarizado en paralelo que se disea empleando dos diodos y dos fuentes de voltaje
orientadas en direcciones opuestas
o
i
R
+

+
VB1

VB1 + VON

VB2

VB2 + VON

Figura (33) Recortador polarizado en paralelo

Otro tipo de recortador es el polarizado en serie el cual se muestra en la Figura (34)

0 , (V)
i , (V)
0 , (V)
VB1 = 1 V
i , (V)
VB1 = 1 V
R

t
-2

+
i
_

DIODO
IDEAL

+ 0
o -1
_ -2
-3

(a)

t i
_

DIODO
IDEAL

-2

+
o
_

1
0
-1
-2
-3

(b)

i , (V)

VB1 = 1 V

0 , (V)
R

+
i
_

DIODO
IDEAL

-2

+
o
_

3
2

i , (V)
2

1
-1

0 , (V)

VB1 = 1 V

+
t i
_

DIODO
IDEAL

-2

(c)

3
2

+
o 1
_ -1

(d)
Figura (34) Recortador polarizado en serie

1.13.2. SUJETADORES (FIJADORES)

Luego de analizar diversas configuraciones de diodos que recortaban una parte de la
seal aplicada sin cambiar la parte restante de la forma de onda, a continuacin
investigaremos otro tipo de circuito con diodos que solamente desplaza la seal aplicada a
un nivel diferente sin cambiar la forma de seal de entrada.
Un sujetador es una red compuesta de un diodo, un resistor y un capacitor que desplaza una
forma de onda a un nivel de cd. Diferente sin cambiar la apariencia de la seal aplicada.
El resistor y el capacitor de la red deben elegidos de modo que la constante de tiempo
determinada por
sea bastante grande para garantizar que el voltaje a travs del
capacitor no se descargue significativamente durante el intervalo en que el diodo no
conduce. A lo largo del anlisis suponemos que en la prctica el capacitor se carga o
descarga por completo en cinco constantes de tiempo.

Las redes sujetadoras tienen un capacitor conectado directamente desde la entrada hasta la
salida con un elemento resistivo en paralelo con la seal de salida. El diodo tambin est en
paralelo con la seal de salida pero puede o no tener una fuente de cd. En serie como un
elemento agregado.
El procedimiento de anlisis de un sujetador lo realizaremos a partir del circuito de la
Figura(35)
i

T/2

+
i
_

+
o
_

-V
Figura (35) Sujetador

C
+

+
V
-

+VR

o
-

+
V
+

(a) Diodo encendido y el capacitor

cargndose a V voltios

+VR

o
-

(b) Determinacin de o con el diodo

apagado
Figura (36)

Paso 1: Inicie el anlisis examinando la respuesta de la parte de la seal de entrada que

polarizar en directa el diodo.
Paso 2: Durante el periodo en que el diodo est encendido, suponga que el capacitor se
cargar instantaneamente a un nivel de voltaje determinado por la red circundante, Figura
(36-a), ( = RC 0)
Paso 3: Suponga que durante el perodo en que el diodo est apagado el capacitor se
mantiene a un nivel de voltaje establecido, Figura (36-b), ( = RC T/2).
Paso 4: A lo largo del anlisis, no pierda de vista la ubicacin y la polaridad definida para o ,
para garantizar que se obtenga los niveles apropiados.
Aplicando la segunda ley de Kirchoff alrededor de la malla de entrada se obtiene:
-V - V o = 0
o = - 2V
i
V
0

T/2

t
Paso 5: Compruebe que la oscilacin total de la salida
coincide con la de la entrada

-V

o
0

-2V

T/2

Figura (37) Trazo de vo para

red de la Figura (36-b)

Esta es una propiedad que se aplica a todas las redes

sujetadoras y constituye una excelente comprobacin de
los resultados obtenidos.

1.14. CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE VOLTAJE

Estos circuitos multiplicadores de voltaje se emplean para mantener un valor pico del
voltaje de transformador relativamente bajo al mismo tiempo que eleva el valor pico del
voltaje de salida a dos, tres, cuatro o ms veces el voltaje pico rectificado.
(a) Duplicador de voltaje.
C1

+V _
+ m
Vm

D2
D1

2Vm

C2 2V
m

+
Duplicador de voltaje de media onda

Vm

Diodo D2 no
conduce

C1

D1

Vm

D2
C2

Sumando los voltajes alrededor de la

malla externa (vea Figura (38-b))
-Vm VC1 + VC2 = 0
-Vm Vm + VC2 = 0
De donde obtiene
VC2 = 2Vm

+
_

Vm

Diodo D2
conduce

_
D2

C1

D1

Vm

+
(a)

Diodo D1
conduce

_
2Vm

C2 2Vm

+
(b)

Diodo D1 no
conduce

Figura (38) Operacin doble, que muestra cada semiciclo de operacin: (a) semiciclo positivo; (b) semiciclo negativo

Otro circuito duplicador es el de onda completa que se muestra en la Figura (39)

Conduce
Vm

D1

Vm
_

Vm
_

No conduce

C1

D1
C1

Vm
_
2Vm

+
V
_m

_
Vm
+

C2

C2

D2
Duplicador de voltaje de onda completa

C1

+
V
_m
+

Vm
_

C2

D2

No conduce

D1

Conduce

V
_m

D2

Medios ciclos de operacin alternos del duplicador de voltaje de media onda

Figura (39) Medios ciclos de operacin alternos del duplicador de voltaje de media onda

Triplicador y cuadruplicador de voltaje.

Triplicador (3Vm )
C3

C1

Vm
_

Vm

+
D1

_
2Vm

D2

D3

D4

C2
_
2Vm
Duplicador (2Vm )
Cuadruplicador (4Vm )
+

C4
+

_
2Vm

Figura (40) Triplicador

y multiplicador de
voltaje