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TESIS
PRESENTA:
Ing. Juan Aguila Muoz
DIRECTOR DE TESIS:
tengan que ir
Abstract.
In this thesis a new DGS filter implemented with two rectangular defects joined by a
diagonal slot in the ground plane is presented. The filter dimensions are 12mm x 13mm
and it was built on a commercial two-layer printed circuit board with a dielectric FR4. The
cutoff frequency obtained was at 2.56GHz with a resonance frequency of 3.5GHz, using a
pair of defects of 3mm x 9mm joined by a gap with a width of 1.7mm at the ends. An
analysis is presented where the defected areas and the gap dimensions were modified. An
electric equivalent circuit which represents the filters performance is also presented.
ii
diferentes tipos de filtros que utilizan diversas geometras en los defectos en el plano de
retorno de seal, sin embargo, la mayora de ellos son de dimensiones grandes para poder
obtener una frecuencia de corte cercana a los 2.4GHz que es la frecuencia en la que
actualmente operan los sistemas de comunicacin inalmbricos. Por esta razn en este
trabajo de tesis se presenta un nuevo diseo de un filtro tipo DGS de dimensiones 12mm
x13 mm con una ranura en forma de diagonal, la cual hace que la frecuencia de corte del
filtro se presente a frecuencias cercanas a 2.4GHz.
iii
iv
Resumen.
ii
Abstract.
ii
Objetivo.
iii
Justificacin.
iii
Organizacin de la tesis.
iv
ndice.
ndice de tablas.
vii
ndice de figuras.
viii
Glosario
xii
Acrnimos
xii
ndice.
Captulo 1. Filtros para microondas.
1.1.
Introduccin.
1.2.
11
13
15
19
20
22
23
24
25
29
30
32
32
37
37
38
38
39
39
40
vi
41
42
43
45
49
52
57
60
Bibliografa.
61
64
66
67
ndice de tablas.
Captulo 2.
Tabla 2.1. Tipos de ondas presentes en una microcinta.
14
Captulo 3.
Tabla 3.1. Extraccin de parmetros para una celda DGS unidad
presentada en [13].
25
26
31
Captulo 4.
Tabla 4.1. Condiciones en las paredes de frontera.
40
Captulo 5.
Tabla 5.1. Datos obtenidos por simulacin, para distintos anchos d, del
defecto rectangular.
46
49
55
55
Captulo 6.
Tabla 6.1 Resumen del comportamiento de la respuesta en frecuencia
respecto a las dimensiones dominantes dy g.
58
ndice de figuras.
Captulo 1.
Figura 1.1. Ejemplo de estructuras peridicas; (a) lnea de microcinta
en un segmento de lnea (stubs) peridica, (b) diafragma en una gua
de onda peridica.
viii
11
12
15
16
16
17
18
18
19
20
21
Captulo 3.
Figura 3.1. Estructura DGS propuesta en [13].
24
25
26
27
27
28
29
29
31
Captulo 4.
Figura 4.1. Una celda Vi , j ,k 1 de la celda compleja G con la asignacin
34
35
36
39
Captulo 5.
Figura 5.1a. Vista superior, donde se puede apreciar la pista
de seal del filtro.
41
42
Figura 5.2. Sistema de medicin para las prdidas por insercin S21,
del filtro DGS desarrollado.
43
x
43
44
44
45
46
47
48
48
50
50
51
52
53
53
54
xi
54
56
56
Glosario.
IEEE802.11. Es un estndar de redes inalmbricas (WLAN), que define el control de acceso
al medio (MAC) y las caractersticas de la Capa Fsica.
Acrnimos.
MHz. Megahertz.
GHz. Gigahertz.
pF. Picofarads.
nH. Nanohenrys.
Fc. Frecuencia de corte tomada a -3dB.
Fres. Frecuencia de Resonancia.
dB. Decibeles.
S11. Prdidas por insercin.
S21. Prdidas por retorno.
DGS. Defectos en el plano de tierra (Defected Ground Structures).
EBG. Banda prohibida electromagnticamente (Electromagnetic Band Gap).
Z 0 . Impedancia caracterstica.
re . Dielctrico efectivo.
ps. Pico segundos.
RF. Radio frecuencia.
xii
Figura 1.1. Ejemplo de estructuras peridicas; (a) lnea de microcinta en un segmento de lnea
(stubs) peridica, (b) diafragmas en una gua de onda peridica.
Z1 = j L , Z 2 = 1/ jC y R0 = L / C .
Z iT = R0 1 +
2
c2
(1.1).
Donde:
c : es la frecuencia de corte.
Sustituyendo los valores de Z1 y Z 2 en la ecuacin del factor de propagacin mostrado
en la tabla A1 del apndice A se tiene:
e = 1
2 2
c2
2
1
c c2
(1.2).
La impedancia y el factor de propagacin permiten describir al filtro diseado como pasabanda o rechaza-banda como se indica a continuacin:
1. Para < c . Esta es la seccin del filtro pasa-banda que presenta una impedancia
de imagen real y es imaginario, en donde la magnitud del factor de propagacin
es 1.
2. Para > c . Esta seccin es del filtro rechaza-banda, donde la impedancia imagen
es imaginaria y es real,
Escalamiento
y conversin.
Realizacin.
Figura 1.2. Proceso de diseo de un filtro por el mtodo de prdidas por insercin.
(1.3).
Donde:
IL( ) = 10log
P( )fuente
P( )carga
[dB]
(1.4).
Donde
PLR = 1 + k
c
2N
(1.5).
Donde
c : es la frecuencia de corte.
k : con un valor de 2.
PLR = 1 + k T
c
2
2N
2
N
(1.6).
Donde:
TN2 : es el polinomio de chebyshev de orden N .
c : es la frecuencia de corte.
1.2.3.1
En el diseo del filtro prototipo se utilizan elementos que presenten impedancia reactiva
pura, de parmetros concentrados, inductores o capacitores, como se indica en la figura
1.3, donde los elementos se encuentran desde g0 hasta g N +1 .
Para que el diseo del prototipo tenga una respuesta plana mxima, primero debe
considerarse el orden del filtro dependiendo del nmero de elementos que contenga, los
valores de las impedancias g k estn tabulados para diferentes tipos de respuesta, en la
tabla A2 del apndice A. Los elementos se acomodan intercalando conexiones en serie y
en paralelo, tenido los siguientes significados:
Es importante mencionar que los valores de los elementos del prototipo que se proponen
en la figura 1.3 se encuentran normalizados a una frecuencia de corte c = 1 y una
impedancia de fuente Rs = 1 Ohm [1].
1.2.3.2.
El procedimiento para normalizar las reactancias del filtro consiste en multiplicar o dividir
el valor de las reactancias por el valor deseado R0 haciendo uso de las siguientes
expresiones:
L = R0 L
C =
C
R0
(1.7).
(1.8).
R0 = R0
(1.9).
RL = R0 RL
(1.10).
Como se puede observar de las ecuaciones anteriores L y C son los valores del filtro antes
de normalizar.
Si el filtro prototipo tiene escalada la frecuencia a 1, se puede cambiar hasta una c
deseada aplicando las siguientes ecuaciones:
(1.11).
( ) = PLR
PLR
c
(1.12).
Por lo tanto, los elementos reactivos deben cambiarse a la frecuencia de corte deseada,
como se muestra en las siguientes ecuaciones:
L = R0
C =
(1.13).
C
R0c
(1.14).
Z0 =
1
C
7
Figura 1.4. Transformacin de Richard, (a) bobina por un segmento de lnea en corto circuito: S.C.
= short circuit, (b) capacitor por un segmento de lnea en circuito abierto: O.C.= Open Circuit.
= tan( ) = tan
v
p
(1.15).
vp
= 2 .
jX L = jL = j tan( ) L
(1.16).
jBc = jC = j tan( )C
(1.17).
c = 1 = tan( ) =
(1.18).
En otras palabras, los segmentos de lnea deben tener la misma longitud, que debe de ser:
(1.19).
Donde
. En frecuencias
4c .
El filtro obtenido de la transformacin de Richard puede aprovecharse mejor si aplicamos
las identidades de Kuroda [1].
a la
10
Como parte de la microcinta se encuentra expuesta, algunas de las lneas de campo en los
perfiles se dispersan en el aire y otras inciden en el sustrato, ver figura 2.2, esto permite
asumir a la microcinta como una estructura con dielctrico homogneo y de permitividad
dielctrica total mayor a la del aire, pero menor a la del sustrato. Debido a que la mayora
de las lneas de campo residen en el sustrato, la constante dielctrica efectiva re tendr
un valor ms cercano al valor del sustrato que al del aire [4]y[5].
11
Figura 2.2. Distribucin de los campos: Elctrico y Magntico, sobre una microcinta.
W
[6].
h
120
W
8h
ln + 0.25
para (W / h 1)
h
2 re W
Z0 =
1
120 W + 1.393 + 0.667 ln W + 1.444
para
h
h
re
(2.1a).
(W / h 1)
(2.1b).
El dielctrico efectivo del sustrato para una microcinta, se calcula por la siguiente serie de
ecuaciones:
2
12h 1/ 2
W
1 +
+ 0.0411 para (W / h 1)
W
h
W
F =
h 12h 1/ 2
para (W / h 1)
1 + W
re =
r + 1 r 1 W
2
F
h
(2.3).
12
(2.2a).
(2.2b).
13
= 1 , 2 ...... n
Condiciones
fsicas en que
se genera
Sustrato
delgado de
alta
permitividad
Modo
discreto de
propagacin
Depende de
la geometra
del circuito y
de la fuente
Lneas,
circuitos y
filtros
Antenas de
parche
(disminuyen
su
)
Conduccin
de la onda
Propagacin
Intensidad de
la onda
Aplicaciones
Indeseable en:
Efectos:
Ondas Radiadas
Onda
Ondas de fuga
espaciales
0 < < /2
arcsen 1/ r < <
Ondas superficiales
Sustrato
grueso baja
permitividad
Interferencia entre
dielctricos
Sustrato grueso de
alta permitividad
Radiacin
Parcialmente radiada
y reflejada
Reflexin
Decrece en
En ciertas regiones
decrece, en otras
aumenta
1
r
(r=distancia de
la fuente )
Antenas
Decrece en
1
r
(r=distancia de la
fuente)
Arreglos acoplados
Lneas y
circuitos
Lneas , circuitos y
antenas
Lneas , circuitos y
antenas
Fugas espurias
Radiacin
Acoplamientos
14
z =0 y
Figura 2.3. (a) Dipolo Hertziano (fuente). Tipos de ondas presentes en una microcinta: (b) ondas
radiadas, (c) ondas superficiales (b) ondas de fuga y (e) ondas guiadas.
15
Figura 2.4. (a) Flujo de corriente hacia la carga, (b) retorno de corriente a baja frecuencia y (c)
retorno de corriente de alta frecuencia.
LTotal = L1 + L2 + 2 LM
(2.4a).
Y cuando los inductores estn desfasados 1800, entonces la inductancia total es:
LTotal = L1 + L2 2 LM
(2.4b).
16
I0
x 2
h 1 +
h
(2.5).
Donde:
2
Io
J ( z )dz =
tan 1 ( x)
(2.6).
Donde
I N ( x) : es la corriente normalizada.
J ( z ) : es la densidad de distribucin de corriente en el espesor del sustrato h.
En la grfica figura 2.7, se observa que el alrededor de 70% del total del flujo de corriente
sobre el plano de retorno se hace por una seccin de ancho 4h del plano x. Como de igual
forma de aprecia en la figura 2.8.
Figura 2.8. El 70% del total de flujo de corriente de retorno, se hace por una seccin de ancho 4h
del plano de retorno de seal.
18
La corriente que suministra el generador no vara con el tiempo (incluso cuando el pulso
todava no ha llegado a la carga), ya que la corriente necesaria para cargar en cualquier
instante la capacitancia parsita de la lnea (impedancia caracterstica) es la misma que se
va a necesitar cuando el pulso llegue al final, para mantener la corriente en la carga. Al
mantener la geometra constante, la inductancia distribuida tampoco se ve alterada y se
mantiene constate en toda la longitud de la lnea [3].
Ya que la microcinta presenta una geometra constante en todas sus longitudes, la onda
que viajar tambin tendr una amplitud constante, puesto que cada unidad de longitud
necesitar la misma corriente para cargar la capacitancia parasita que la unidad de
longitud anterior.
Un buen acoplamiento de impedancia entre la lnea y su carga, hace que las seales de
alta frecuencia y los flancos de las seales digitales, aunque sea de baja frecuencia, pasen
por una lnea sin distorsin ni atenuacin. Las seales de muy baja frecuencia y las
corrientes continuas no quedan afectadas por la impedancia de la microcinta [3].
19
20
(2.4).
Donde
Figura 2.11. Respuesta en frecuencia esperada para una microcinta que tiene una ranura en el
plano de retorno de seal.
21
22
Figura 3.2. Resultados de la simulacin de tres estructuras DGS con diferentes dimensiones en la
celda unidad, en cada una de ellas se fijo un gap g=0.2mm.
En la tabla 3.1 se presentan los valores de inductancia y capacitancia efectiva para cada
una de las celdas DGS simuladas, obtenidas a travs del mtodo descrito en [18], y
tambin se presentan los valores de frecuencia de corte y de resonancia para cada una de
las celdas simuladas [13].
Tabla 3.1. Extraccin de parmetros para una celda DGS unidad presentada en [13].
Inductancia (nH).
Capacitancia (pF).
Frecuencia de corte (GHz).
Frecuencia de resonancia (GHz).
Figura 3.3. (a) Seccin DGS, (b) sub-seccin DGS-I, (c) sub-seccin DGS-II y (d) sub-seccin DGS-III.
Los valores de cada una de las dimensiones fsicas de las geometras de los defectos se
muestran a continuacin en la tabla 3.2.
Tabla 3.2. Dimensiones de los parmetros para la celda DGS propuesta en [19] longitud en
milmetros y ngulo en grados.
26
Figura 3.4 Celda base con la caracterstica de un filtro pasa-bajas, (a) Vista en 3-D y (b) parmetros
S11 y S21 obtenidos.
Figura 3.5. Parmetro S21 obtenido para la celda base con un corte sobre la pista de seal y tres
diferentes valores de b y d.
27
(a)
(b)
Figura 3.6 Fotografas del filtro DGS pasa-banda publicado en [19]. (a) Pista de seal y (b) plano de
retorno de seal.
28
Figura 3.7. Comparacin de las respuestas; medida y simulada para el filtro DGS pasa-banda
presentado en [19].
29
C=
L=
1
g1Z 0r r c
c r
1
r2C
(3.1a).
(3.1b).
Donde
C : es la capacitancia equivalente.
L : es la inductancia equivalente.
Z 0 : es la impedancia de acoplo.
g1 : es el valor para el prototipo del filtro Butterworth.
12
1.7
13
2.8
1.6
2.65
0.035
2.8
r = 4.7
31
Captulo
4.-
Simulacin
de
estructuras
electromagnticas.
4.1 Introduccin.
La simulacin es un parte muy importante dentro del proceso de diseo de cualquier
sistema electrnico, debido a que ayuda a percibir el comportamiento del sistema bajo
prueba en condiciones controladas. Para la simulacin de estructuras electromagnticas
se han desarrollado diversas tcnicas numricas, que resuelven los modelos matemticos
que describen el comportamiento del sistema. Los mtodos ms comunes son: diferencia
finita el dominio del tiempo (FDTD), elemento finito (FEM), mtodo de momentos (MoM),
matriz de lneas de transmisin (TLM) y tcnica de integracin finita (FIT). Existen en el
mercado diversos programas que emplean stos mtodos numricos como: XFDTD,
Ansoft HFSS, Momentum, Sonnet, CST Microwave Studio, etc.
Para la simulacin del filtro desarrollado, en este trabajo de tesis, se utiliz el software
CST Microwave Studio, que utiliza tcnica de integracin finita con aproximacin perfecta
en las fronteras. Este software est enfocado al diseo electromagntico de altas
frecuencias y ofrece una gran variedad de herramientas que permiten tener simulaciones
ms reales [22].
4.2 Descripcin del mtodo de la integracin finita.
Los fenmenos electromagnticos macroscpicos que ocurren en la prctica pueden ser
descritos de una forma matemtica mediante las ecuaciones de Maxwell. La tcnica de
integracin finita [23], FIT (de las siglas en ingles: Finite Integration Technique), fue
desarrollada por Weiland en 1977, donde propone una reformulacin de las ecuaciones
de Maxwell en su forma integral, las cuales se pueden resolver ms fcilmente con el
empleo de computadoras.
32
(4.1).
Donde los nodos ( xi , y j , zk ) estn numerados con las coordenadas i, j y k a travs de los
ejes x, y y z . Esto resulta un nmero total, Np = I J k de nodos de malla para
( I 1) ( J 1) (k 1) celdas de malla.
Despus de definir la celda compleja G la teora del FIT se puede restringir a una sola
celda Vn . Iniciando con la ley de Faraday en forma integral.
E
(
r
,
t
)
d
s
=
B
(
r
,
t
)
d
A
A
t
A R 3
(4.2).
La ecuacin 4.2 puede volverse a escribir en una nueva forma Az (i, j , k ) de Vn como una
ecuacin diferencial ordinaria.
d
(4.3).
xi +1, y j , zk
bz (i, j , k ) =
B d A representa el flujo magntico.
Az ( i . j . k )
33
3N
e = (ex , n | e y , n | ex , n )Tn =1....., N p R p
(4.3)
3N
b = (bx ,n | by , n | bx , n )Tn =1....., N p R p
(4.4)
Figura 4.1. Una celda Vi , j , k 1 de la celda compleja G con la asignacin de las tenciones de la red de
La ecuacin 4.3 para todas las celdas complejas G puede ser reescrita en forma matricial
de la siguiente forma:
(4.5).
34
B
(
r
,
t
)
d
A = 0 V R3
(4.6).
Figura 4.2. Asignacin de seis fases del flujo magntico, la cuales deben de ser consideradas en la
evaluacin de la superficie cerrada de integracin para la no existencia de cargas magnticas o
polos, dentro del volumen de la celda.
(4.7).
Esta ecuacin es para una simple celda, pero puede ser expandida para todas las celdas de
35
(4.8).
La discretizacin de las dos ecuaciones de Maxwell restantes, requieren la introduccin de
y viceversa.
bordes de las celdas de G cortando a travs de las superficies de las celdas G
d
s
=
D
(
r
,
t
)
+
J (r , t ) d A
A
A t
A R 3
(4.8).
Finalmente la ley de Gauss en su forma integral se puede integrar a las celdas de la malla
dual. Ambas integraciones para la malla dual de la celda compleja resultarn en
ecuaciones matriciales con caractersticas de operador de malla topolgico; C para el
rotor discreto y S para la divergencia discreta.
Para el par de las celdas complejas
{G, G } el
discretas matriciales, llamadas ecuaciones de malla de Maxwell (MGE), estn dadas por
[24]:
(4.9).
4.3 Simulacin de estructuras electromagnticas utilizando el programa CST
Microwave Studio.
Uno del los programas de simulacin electromagntico ms utilizado, para el caso de
estructuras volumtricas es el CST Microwave Studio, el cual est basado en el mtodo de
integracin finita, descrito en la seccin 4.2. A continuacin en las siguientes secciones se
mencionan los parmetros ms importantes que se requieren para poder implementar el
filtro en la interface grfica del programa de simulacin electromagntica.
4.3.1 Especificacin de unidades.
Antes que nada es importante definir que unidades de medicin son necesarias para que
el mallado en forma de tetraedro o hexaedro que se utilice, tenga la suficiente densidad
de celdas para obtener resultados ms exactos. En el caso de este trabajo de tesis, debido
a que las dimensiones fsicas del filtro son del orden de unidades milimtricas, se ha
utilizado unidades de milsimas de metro. Es posible que en vez de utilizar unidades
37
Figura 4.4. Estructura DGS implementada en el programa de simulacin comercial, con sus
respectivos puertos.
39
Xmin
H(t)=0
Xmax
H(t)=0
Ymin
Abierto
Ymax
Abierto
Zmin
E(t)=0
Zmax
E(t)=0
40
Figura 5.1a. Vista superior, donde se puede apreciar la pista de seal del filtro.
41
Como puede observarse en las fotografas de las figuras 5.1 (a) y (b), el tamao del filtro
es tan pequeo como una moneda de 10 centavos.
5.2 Medicin de las prdidas por insercin y prdidas por retorno.
El rendimiento elctrico de cualquier filtro se evala por las prdidas por insercin y
perdidas por retorno que presente, estos parmetros tambin son conocidos como
parmetros de dispersin y se miden con un analizador de redes vectorial.
Las mediciones del filtro DGS desarrollado en este trabajo de tesis, se realizaron con un
analizador de redes vectorial HP 8510A, cuya calibracin se describe en el apndice C.
Bajo los esquemas mostrados en la figura 5.2 y 5.3, estas mediciones se realizaron para
una banda de frecuencia de inters de 50MHz a 12GHz en escala lineal y para la magnitud
se seleccionaron unidades en dB. La interconexin, filtro DGS y Analizador de redes, se
hizo con un cable coaxial que tiene en los extremos conectores, N-macho y SMA-macho, y
presenta una frecuencia de trabajo de hasta 18 GHz.
42
Figura 5.2. Sistema de medicin para las prdidas por insercin S21, del filtro DGS desarrollado.
Figura 5.3. Sistema de medicin para las prdidas por retorno S11, del filtro DGS desarrollado.
Figura 5.4. Comparacin de los resultados obtenidos del parmetro S21 mediante simulacin con
los obtenidos de la medicin.
Figura 5.5. Comparacin de los resultados obtenidos del parmetro S11 mediante simulacin con
los obtenidos de la medicin.
45
d (mm)
0.318
0.636
0.954
1.272
1.590
1.908
2.226
2.544
2.862
3.180
3.400
3.718
4.036
4.354
g (mm)
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
Fc (GHz)
4.7
4.2
3.8
3.5
3.2
3
2.8
2.7
2.5
2.3
2.2
2
1.9
1.8
Fres (GHz)
5.1
4.6
4.3
4.1
3.9
3.8
3.6
3.5
3.4
3.3
3.2
3.1
3
2.9
Figura 5.7. Grficas de las Frecuencias de corte y de resonancia para diferentes valores en el ancho
del defecto rectangular.
46
Figura 5.8. Desplazamiento de la respuesta en frecuencia del filtro en funcin del ancho del
defecto rectangular.
La figura 5.8 muestra cmo cambia la pendiente de las prdidas por insercin del filtro
DGS, cuando se tienen diferentes anchos, en el defecto rectangular, as como tambin el
intervalo de supresin de frecuencias del filtro.
Utilizando la formula 3.1a, se calcul la capacitancia para cada uno de los filtros DGS
simulados. En la figura 5.9, se graficaron los valores de capacitancia correspondientes a
cada valor del ancho del defecto rectangular, donde podemos observar que el valor de la
capacitancia decrece al aumentar el valor de d.
47
Figura 5.9. Grfica para la variacin de la capacitancia para diferentes anchos del defecto
rectangular.
Figura 5.10. Grfica para la variacin de la inductancia para diferentes ancho del defecto
rectangular.
48
dimensiones con los valores que se presentan en la tabla 3.3, en la tabla 5.2 se muestran
la frecuencia de corte y de resonancia, para cada uno de los filtros DGS simulados.
Tabla 5.2. Datos obtenidos por simulacin, para distintos anchos g, de la ranura diagonal.
d (mm)
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
g (mm)
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
2.7
2.9
3.1
3.3
3.5
3.7
Fc (GHz)
2.1
2.3
2.5
2.6
2.7
2.9
3
3.1
3.2
3.4
3.4
3.5
3.6
3.7
Fres (GHz)
2.7
3
3.2
3.5
3.6
3.9
4.2
4.4
4.6
4.9
5
5
5
6
En la figura 5.11 se muestran las grficas de las frecuencias de corte y de resonancia para
cada valor de g (ancho de la ranura). Donde se observa que existe un corrimiento en
ambas frecuencias, cuando su valor aumenta.
49
Figura 5.13. Grfica del valor de la capacitancia para diferentes anchos de la ranura diagonal.
El clculo de la inductancia se hace con la ecuacin 3.1b para cada valor de g mostrado en
la tabla 5.2. Los valores que se obtuvieron se muestran en la figura 5.14, donde se
observan pequeas variaciones del valor de la inductancia, cuando el ancho de la ranura
diagonal se hace ms grande.
51
Figura 5.14. Grfica del valor de la inductancia para diferentes anchos de la ranura diagonal.
52
Figura 5.15. Circuito elctrico equivalente para la primera seccin del filtro DGS.
La segunda seccin del filtro DGS considera toda el rea que contiene el defecto
rectangular y ranura diagonal y se represent con el circuito elctrico que se muestra en
la figura 5.16. La ranura diagonal se model elctricamente mediante una capacitancia Ca
que se forma entre las caras del corte ms un elemento parsito inductivo La. Cc2
corresponde a la capacitancia que se forma entre el rea de cobre, de la pista de seal y
la ranura diagonal. Finalmente Lp es la inductancia de la seccin correspondiente a la pista
de seal en esa zona.
Figura 5.16. Circuito elctrico equivalente para la segunda seccin del filtro DGS.
53
Figura 5.17. Circuito elctrico equivalente para la tercera seccin del filtro DGS.
El acoplo de los tres circuitos equivalentes correspondientes a cada una de las secciones
del filtro DGS se hace mediante las capacitancias Cc1 y Cc2. En la figura 5.18 se muestra el
circuito elctrico equivalente propuesto para un filtro DGS con defectos rectangulares y
ranura diagonal sobre el plano de retorno de seal. El valor para la capacitancia Cc es la
suma de Cc1 y Cc2. Como el filtro DGS presenta una geometra simtrica, el circuito
elctrico equivalente debe de cumplir con esa condicin.
Figura 5.18. Circuito elctrico equivalente propuesto para el filtro DGS desarrollado.
54
Elemento
pF
Cp
0.14
Cc
0.45
Ca
1.64
nH
Lp
0.28
Lb
2.18
La
0.58
Figura 5.19. Comparacin de las prdidas por insercin del circuito elctrico equivalente con las
obtenidas por medicin.
Figura 5.20. Comparacin de las prdidas por retorno del circuito elctrico equivalente con las
obtenidas por medicin.
56
57
Dimensin.
Efecto.
desarrollado en este trabajo de tesis, resulta ser una novedosa propuesta ya que
ajustando algunas dimensiones, se pueden conseguir frecuencias de corte cercanas a los 2
GHz con dimensiones ms pequeas de lo que se ha reportado en la literatura. Los filtros
DGS estudiados recientemente, contienen defectos con diferentes geometras como lo
son: doble campana, punta de flecha, espiral, doble H, forma de T y forma de E, sin
embargo, ninguna de estas configuraciones reportadas puede aproximarse a una
frecuencia de corte de 2.56GHz. Se ha demostrado que utilizando una ranura diagonal es
posible reducir el tamao total del filtro DGS para frecuencias en el intervalo de 2GHz a
4GHz. Para comprender el funcionamiento del mismo, en este trabajo de tesis se propuso
un circuito elctrico equivalente, que representa el comportamiento del filtro DGS
desarrollado en este trabajo de tesis, en un intervalo de frecuencia de 50MHz a 12GHz, a
partir de la solucin del circuito elctrico utilizando las teora clsica de anlisis de circuito
pueden encontrarse las ecuaciones matemticas que describen el comportamiento de la
seal elctrica que se propaga sobre la estructuras del filtro DGS propuesto.
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60
62
63
Apndice A.
microondas.
Tabla A.1. Parmetros imagen para redes tipo T y .
64
g1
g2
g10
2.0000
1.0000
1.4142
1.4142
1.0000
1.0000
2.0000
1.0000
1.0000
0.7654
1.8478
1.8478
0.7654
1.0000
0.6180
1.6180
2.0000
1.6180
0.6180
1.0000
0.5176
1.4142
1.9318
1.9318
1.4142
0.5176
1.0000
0.4450
1.2470
1.8019
2.0000
1.8019
1.2470
0.4450
1.0000
0.3902
1.1111
1.6629
1.9615
1.9615
1.6629
1.1111
0.3902
1.0000
0.3473
1.0000
1.5321
1.8794
2.0000
1.8794
1.5321
1.0000
0.3473
1.0000
0.3129
0.9080
1.4142
1.7820
1.9754
1.9754
1.7820
1.4142
0.9080
0.3129
g11
1.0000
65
d2 - d1
(Fx - F1 ) +d1 =x
F2 - F1
Donde
x: el ancho en milmetros del defecto rectangular para una frecuencia de corte
deseada Fx.
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