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materia.
a) Difusividad:
Se refiere al parmetro caracterstico de cada cristal semiconductor y de
cada portador, que expresa la proporcionalidad entre la densidad de corriente
y el gradiente de concentracin de portadores de carga segn la Ley de Fick
y debido al fenmeno de difusin. Como es caracterstico de la partcula que
se difunde, habr difusividad propia para electrones y para huecos.
Tabla:
Difusividad
Electrones
Ge
Si
10,110-3 m2/s
3,510-3 m2/s
4,910-3 m2/s
1,310-3 m2/s
Huecos
Difusividades
constante de
de electrones y huecos
Boltzmann
Carga de electrn
Temperatura total
Diferencias:
DIFUSIN
Expresa la
proporcionalidad
entre la
densidad de
corriente y el
gradiente de
concentracin.
Hay difusividad
propia para
electrones y
huecos.
VELOCIDAD
Expresa el
desplazamiento
de un objeto por
unidad de
tiempo.
Se consideran el
desplazamiento
y el mdulo para
definir la
velocidad.
DENSIDAD DE FLUJO
DE MATERIA
Representa
el
transporte
de
una especie que
atraviesa
la
unidad de rea
en la unidad de
tiempo.
Se refiere a ejes
estacionarios.
( S1 +S 2 ) f =( n1 +n2 ) RIn 2V
Ley de Fick:
Tambin conocido como la primera ley de Fick, como ley emprica que expresa
que el flujo de una sustancia resulta directamente proporcional al gradiente de
concentracin.
=D
dn
dx
Para gases:
D=435,7 T 2
1
Ma
+1
Mb
Va
Ca
Perfil de concentraciones
A / A x = -D
dca
dx
Difusin en lquidos:
CONCLUSIN
BIBLIOGRAFIA