TABLA DE CONTENIDO

ÍNDICE DE CONTENIDO..................................................................................1
ÍNDICE DE FIGURAS........................................................................................2
1. INTRODUCCIÓN................................................................................................3
2. TEMA...................................................................................................................3
3. OBJETIVOS.........................................................................................................3
3.1.OBJETIVO GENERAL..................................................................................3
3.2.OBJETIVOS ESPECÍFICOS..........................................................................3
4. DIAGRAMA........................................................................................................4
4.1.DIAGRAMA CIRCUITAL............................................................................4
4.2.DIAGRAMA DE BLOQUE..........................................................................4
5. ALCANCE...........................................................................................................5
6. MARCO TEÓRICO.............................................................................................5
RESISTENCIA..............................................................................................5
CONDENSADORES....................................................................................6
DIODO.........................................................................................................11
TRANSISTORES.........................................................................................15
7. PROCESO DE INVESTIGACIÓN....................................................................24
8. SIMULACIONES...............................................................................................25
9. CÁLCULOS..................................................................................................... 26
10. LISTADO DE MATERIALES...........................................................................29
11. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES..................................................30
11.1. CONCLUSIONES……………………………………...........................30
11.2. RECOMENDACIONES………………………………………………30
12. BIBLIOGRAFÍA.................................................................................................31
13. ANEXOS.............................................................................................................31

1
 TABLA DE FIGURAS

FIG. 1 DIAGRAMA 1 ......................................................................................................................4

FIG. 2 DIAGRAMA 2 ......................................................................................................................4
FIG. 3 ESTRUCTURA DEL CONDENSADOR .....................................................................................6
FIG. 4 CARGA DE UN CONDENSADOR...........................................................................................8
FIG. 5 Vc e Ic en función de t ........................................................................................................9
FIG. 6 DESCARGA DE UN CONDENSADOR ..................................................................................10
FIG. 7 DESCARGA DE UN CONDENSADOR ..................................................................................11
FIG. 8 FORMACION DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL ...............................................................12
FIG. 9 CURVA CARACTERÌSTICA DEL DIODO ...............................................................................12
FIG. 10 EJEMPLO DE FUNCIONAMIENTO DEL DIODO IDEAL .......................................................13
FIG. 11 CARACTERÌSTICA V-I (tensión-corriente) .......................................................................14
FIG. 12 COMPUERTA NAND ........................................................................................................16
FIG. 13 ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR ......................................................................................18
FIG. 14 SIMBOLOGÌA NPN ..........................................................................................................19
FIG. 15 SIMBOLOGÌA PNP ..........................................................................................................19
FIG. 16 EMISOR COMÚN ............................................................................................................21
FIG. 17 BASE COMÚN .................................................................................................................23
FIG. 18 COLECTOR COMÚN ........................................................................................................23
FIG. 19 AMPLIFICADOR DE POTENCIA EN CONTRAFASE ............................................................24
FIG. 20 DIAGRAMA 3 ..................................................................................................................27
FIG. 21 DIAGRAMA 4 ..................................................................................................................27

2
 UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA ISRAEL

FACULTAD DE ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES

PROYECTO INTEGRADOR

1. INTRODUCCIÓN

El generador de melodías es un circuito que tiene como finalidad ser adaptado a un

carro a control remoto, el cual se activará cuando este de retro.

The melody generator is a circuit that is intended to be adapted to a remote control car,
which is activated when this retro.

2. TEMA: GENERADOR DE MELODIAS

3. OBJETIVOS
3.1 GENERAL

Demostrar conocimientos adquiridos en el montaje practico de

un circuito Analógico y Digital

3.2 ESPECÍFICOS
Demostrar el funcionamiento del circuito mediante
simuladores.
Comprender el funcionamiento de cada elemento electrónico
a ser utilizado.

Implementar el circuito en la placa

Realizar el montaje práctico del circuito.

3
4. DIAGRAMA

4.1 DIAGRAMA CIRCUITAL

FIG. 1 DIAGRAMA 1

4.2 DIAGRAMA DE BLOQUE

GENERADOR DE MELODIAS

ZONA CORTE ENTRADA AMPLICACION

SATURACION

SALIDA (PARLANTE)

FIG. 2 DIAGRAMA 2

4
 5. ALCANCE

Demostrar y comprobar de manera práctica y simulada como un generador

de melodías puede ser aplicado para diferentes aplicaciones como en carros
alarmas y puertas. En el caso del carro será implementado a uno de control
remoto y poder observar el funcionamiento del circuito.

6. MARCO TEORICO

Resistencia

Resistencia eléctrica es toda oposición que encuentra la corriente a su paso por un

circuito eléctrico cerrado, atenuando o frenando el libre flujo de circulación de las
cargas eléctricas o electrones. Cualquier dispositivo o consumidor conectado a un
circuito eléctrico representa en sí una carga, resistencia u obstáculo para la circulación
de la corriente eléctrica.

El ohm es la unidad de medida de la resistencia que oponen los materiales al paso de la

corriente eléctrica y se representa con el símbolo o letra griega " " (omega). La razón por la
cual se acordó utilizar esa letra griega en lugar de la “O” del alfabeto latino fue para evitar que
se confundiera con el número cero “0”.

El ohm se define como la resistencia que ofrece al paso de la corriente eléctrica una columna de
mercurio (Hg) de 106,3 cm de alto, con una sección transversal de 1 mm 2, a una temperatura de
0o Celsius.

De acuerdo con la “Ley de Ohm”, un ohm ( 1 ) es el valor que posee una resistencia eléctrica
cuando al conectarse a un circuito eléctrico de un volt ( 1 V ) de tensión provoca un flujo de
corriente de un Amper ( 1 A ). La fórmula general de la Ley de Ohm es la siguiente:

Ecuación 1

5
La resistencia eléctrica, por su parte, se identifica con el símbolo o letra ( R ) y la fórmula para
despejar su valor, derivada de la fórmula general de la Ley de Ohm, es la siguiente:.

Ecuación 1.1

Los Condensadores

Básicamente un condensador es un dispositivo capaz de almacenar energía en forma

de campo eléctrico. Está formado por dos armaduras metálicas paralelas
(generalmente de aluminio) separadas por un material dieléctrico.
Va a tener una serie de características tales como capacidad, tensión de trabajo,
tolerancia y polaridad, que deberemos aprender a distinguir

FIG. 3 ESTRUCTURA DEL CONDENSADOR1

1
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Condensador.php Fig.1

6
 Capacidad: Se mide en Faradios (F), aunque esta unidad resulta tan grande que
se suelen utilizar varios de los submúltiplos, tales como microfaradios (µF=10-6
F ), nano faradios (nF=10-9 F) y picofaradios (pF=10-12 F).
Tensión de trabajo: Es la máxima tensión que puede aguantar un condensador,
que depende del tipo y grosor del dieléctrico con que esté fabricado. Si se supera
dicha tensión, el condensador puede perforarse (quedar cortocircuitado) y/o
explotar. En este sentido hay que tener cuidado al elegir un condensador, de
forma que nunca trabaje a una tensión superior a la máxima.
Tolerancia: Igual que en las resistencias, se refiere al error máximo que puede
existir entre la capacidad real del condensador y la capacidad indicada sobre su
cuerpo.
Polaridad: Los condensadores electrolíticos y en general los de capacidad
superior a 1 µF tienen polaridad, eso es, que se les debe aplicar la tensión
prestando atención a sus terminales positivo y negativo. Al contrario que los
inferiores a 1µF, a los que se puede aplicar tensión en cualquier sentido, los que
tienen polaridad pueden explotar en caso de ser ésta la incorrecta.

TIPOS DE CONDENSADORES

Electrolíticos. Tienen el dieléctrico formado por papel impregnado en

electrólito. Siempre tienen polaridad, y una capacidad superior a 1 µF. Arriba
observamos claramente que el condensador nº 1 es de 2200 µF, con una tensión
máxima de trabajo de 25v.
Electrolíticos de tántalo o de gota. Emplean como dieléctrico una finísima
película de óxido de tantalio amorfo , que con un menor espesor tiene un poder
aislante mucho mayor. Tienen polaridad y una capacidad superior a 1 µF. Su
forma de gota les da muchas veces ese nombre.
De poliester metalizado MKT. Suelen tener capacidades inferiores a 1 µF y
tensiones de trabajo a partir de 63v. Más abajo vemos su estructura: dos láminas
de policarbonato recubierto por un depósito metálico que se bobinan juntas.
Aquí al lado vemos un detalle de un condensador plano de este tipo, donde se
observa que es de 0.033 µF y 250v. (Inscripción: 0.033 K/ 250 MKT).

7
 Cerámico "de lenteja" o "de disco". Son los cerámicos más corrientes. Sus
valores de capacidad están comprendidos entre 0.5 pF y 47 nF. En ocasiones
llevan sus datos impresos en forma de bandas de color

CARGA Y DESCARGA DE UN CONDENSADOR

Proceso de carga:

FIG. 4 CARGA DE UN CONDENSADOR2

Cuando el interruptor se mueve a A, la corriente I sube bruscamente (como un

cortocircuito) y tiene el valor de I = E / R amperios (como si el condensador no existiera
momentáneamente en este circuito serie RC), y poco a poco esta corriente va
disminuyendo hasta tener un valor de cero (ver el diagrama inferior).

El voltaje en el condensador no varía instantáneamente y sube desde 0 voltios hasta E

voltios (E es el valor de la fuente de corriente directa conectado en serie con R y C, ver
diagrama 1).

El tiempo que se tarda el voltaje en el condensador (Vc) en pasar de 0 voltios hasta el

63.2 % del voltaje de la fuente está dato por la fórmula T = R x C donde R está en
Ohmios y C en Milifaradios y el resultado estará en milisegundos.

Después de 5 x T (5 veces T) el voltaje ha subido hasta un 99.3 % de su valor final

Al valor de T se le llama "Constante de tiempo"

2
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Carga-descarga-condensador.php Fig. 2,3,4

8
Analizan los dos gráficos se puede ver que están divididos en una parte transitoria y una
parte estable. Los valores de Ic y Vc varían sus valores en la parte transitoria
(aproximadamente 5 veces la constante de tiempo T), pero no así en la parte estable.

Los valores de Vc e Ic en cualquier momento se pueden obtener con las siguientes

fórmulas:

Ecuación 2

Vc = E + ( Vo - E) x e-T/ t ,

Vo es el voltaje inicial del condensador (en muchos casos es 0 Voltios)

Ecuación 3

Ic = ( E - Vo ) x e-T/ t/ R

Vo es el voltaje inicial del condensador (en muchos casos es 0 Voltios)

Ecuación 4

VR = E x e-T/ t Donde : T = R x C

FIG. 5 Vc e Ic en función de t 3

Proceso descarga:

3
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Carga-descarga-condensador.php Fig. 2,3,4

9
 FIG. 6 DESCARGA DE UN CONDENSADOR

El interruptor está en B.

Entonces el voltaje en el condensador Vc empezará a descender desde Vo (voltaje

inicial en el condensador). La corriente tendrá un valor inicial de Vo / R y disminuirá
hasta llegar a 0 (cero voltios).

Los valores de Vc e I en cualquier momento se pueden obtener con las siguientes

fórmulas:

Ecuación 5

Vc = Vo x e-t / T I = -(Vo / R) e-t / T

Donde: T = RC es la constante de tiempo

NOTA: Si el condensador había sido previamente cargado hasta un valor E, hay que
reemplazar Vo en las fórmulas con E

10
 FIG. 7 DESCARGA DE UN CONDENSADOR4

DIODO

Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que permite el paso
de la corriente eléctrica en una única dirección con características similares a un
interruptor. De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de
dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito
abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia
eléctrica muy pequeña.

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son

dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial
para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de
funcionamiento está basado en los experimentos de Lee De Forest.

Diodo pn o Unión pn

Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n,
por lo que también reciben la denominación de unión pn. Hay que destacar que ninguno
de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en cada cristal, el número
de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales,
tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

4
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Carga-descarga-condensador.php Fig. 2,3,4

11
 FIG. 8 FORMACION DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL 5

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je).

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de deplexión, de vaciado, etc.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre
las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3
V si los cristales son de germanio.

Curva característica del diodo

FIG. 9 CURVA CARACTERÌSTICA DEL DIODO

5
http://es.wikipedia.org/wiki/Archivo:Diodo_pn_-_zona_de_carga_espacial.png Fig,5

12
Ecuación 6

presenta resistencia nula.

Ecuación 7

presenta resistencia infinita.

Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un diodo

en circuito sencillo.

FIG. 10 EJEMPLO DE FUNCIONAMIENTO DEL DIODO IDEAL 6

La Figura 9 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.

6
http://www.unicrom.com/Tut_compuertanand.asp Fig. 10

13
 FIG. 11 CARACTERÌSTICA V-I (tensión-corriente)

Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa

coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no
polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se
va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la
nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la
barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de
tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente máxima (Imax ).

Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse

por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede
disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.

Corriente inversa de saturación (Is ).

Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por

la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que
se duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.

Corriente superficial de fugas.

14
 Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización
inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensión de ruptura (Vr ).

Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el

efecto avalancha.

El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford

Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las
aplicaciones. La ecuación que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial
es:

Ecuación 8

Donde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo

VD es la diferencia de tensión entre sus extremos.
IS es la corriente de saturación (aproximadamente 10 − 12A)
q es la carga del electrón cuyo valor es 1.6 * 10 − 19
T es la temperatura absoluta de la unión
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo
y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el
silicio).
El término VT = kT/q = T/11600 (Ec.9). es la tensión debida a la temperatura,
del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K ó 27 °C).

Compuerta NAND

15
 Una compuerta NAND (NO Y) de dos entradas, se puede implementar con la
concatenación de una compuerta AND o "Y" de dos entradas y una compuerta NOT o
"No" o inversora. Ver la siguiente figura.

FIG. 12 COMPUERTA NAND7

Al igual que en el caso de la compuerta AND, ésta se puede encontrar en versiones de 2,

3 o más entradas.

Transistor de unión bipolar

El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT)
es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrónica analógica.
También en algunas aplicaciones de electrónica digital como la tecnología TTL o
BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.

7
http://www.unicrom.com/Tut_compuertanand.asp Fig. 10

16
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.

En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras

que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la
mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte,
estado de saturación y estado de actividad

La ganancia de corriente base común es aproximadamente la ganancia de corriente

desde emisor a colector en la región activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor
cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta están más
precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

Ecuación 10

Ecuación 11

Ecuación 4

Estructura

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la

región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.

17
 FIG. 13 ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR8

La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de

material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región
de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque
mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran β.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula

al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido
opuesto. La punta de la flecha del símbolo circuital, representada en la figura 1, indica
el sentido permitido de la corriente.

Tipos de Transistor de Unión Bipolar

NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a
que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la
base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.

8
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina2.htm

18
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.

FIG. 14 SIMBOLOGÌA NPN9

PNP

El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose
a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos
transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeño en la mayoría de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre
dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación
a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en

que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento
activo.

FIG. 15 SIMBOLOGÌA PNP10

9
http://es.wikipedia.org/wiki/Archivo:NPN_common_emitter.svg
10
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina2.htm

19
 MODELOS PARA SEÑALES FUERTES

El modelo Ebers-Moll

Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operación normal son

determinadas por:

Ecuación 13

Ecuación 5

La corriente interna de base es principalmente por difusión y

Ecuación 15

EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

El transistor como amplificador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-
Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión
igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y
unos 0,4 para el germanio.

Pero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional
a la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para
transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300.

20
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:

EMISOR COMÚN

11
FIG. 16 EMISOR COMÚN

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se

conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia tanto de tensión como de corriente y alta impedancia de
entrada. En caso de tener resistencia de emisor, R E > 50 Ω, y para frecuencias bajas, la
ganancia en tensión se aproxima bastante bien por la siguiente expresión y la
impedancia de salida, por RC

Ecuación 16

Como la base está conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos
suponer una tensión constante, Vg. También supondremos que β es constante. Entonces
tenemos que la tensión de emisor es: VE = VB − Vg

Y la corriente de emisor:

Ecuación 17 .

La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:

11
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina2.htm

21
Ecuación 18 .

Despejando

Ecuación 19

La tensión de salida, que es la de colector se calcula como:

Ecuación 20

Como β >> 1, se puede aproximar:

Ecuación 21

y, entonces,

Ecuación 22

Que podemos escribir como

Ecuación 23

22
 BASE COMÚN

12
FIG. 17 BASE COMÚN

La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a
las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene
ganaNcia sólo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente
algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si
añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la
fuente de señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común, nos da la
ganancia aproximada siguiente:

Ecuación 24

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos

COLECTOR COMÚN

FIG. 18 COLECTOR COMÚN13

12
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina2.htm

23
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se
conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente
inferior a la unidad. Esta configuración multiplica la impedancia de salida por 1/β

Amplificador de potencia en contrafase

En el montaje de la figura, la resistencia Re (resistencia de emisor) debe ser muy

pequeña (menor de 1 W); el valor de esta resistencia, junto con los valores de R1 y
R2, deben escogerse de forma que los transistores trabajen con las condiciones de
polarización correctas y que tengan una buena estabilidad térmica.

El condensador sirve para el desacoplo armónico; a veces, en paralelo con R2 se

coloca un diodo con el fin de mejorar la estabilidad térmica.

En este tipo de circuitos, el rendimiento de conversión suele estar cerca del 78%,
mientras que en los de clase A este rendimiento suele estar en torno al 36,4%
(aprovechamos la potencia de la fuente de alimentación más del doble, por eso se
recurre a este tipo de montaje).

FIG. 19 AMPLIFICADOR DE POTENCIA EN CONTRAFASE 14

En el esquema anterior hemos visto un montaje con dos transistores NPN, a veces se
recurre a montar dos transistores de tipo complementario (uno NPN y otro PNP), en
este caso el esquema lo vemos en el gráfico siguiente. Este montaje, además, tiene la

13
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina2.htm
14
Electronica de boleystad pag. 642

24
particularidad de ser un amplificador en clase B sin transformador de salida, recibe el
nombre de amplificador en contrafase simétrico complementario.

La señal de entrada se aplica simultáneamente a la base de los dos transistores, en el

semiciclo positivo el que conduce es el transistor PNP, mientras que el NPN está
bloqueado. En el semiciclo negativo el que conduce es el transistor NPN; el PNP, en
este caso, está bloqueado.

Voltaje de entrada Pico

Ecuacion 25

Ecuacion 26

Ecuacion 27

25
 7. PROCESO DE INVESTIGACION

Para desarrollar el proyecto se utilizó los siguientes métodos:

Método Deductivo, se utilizó para escoger el tema del proyecto a desarrollarse.

Método Documental, es de gran sustento para desarrollar todo lo referente al
marco teórico del presente proyecto, tomando en cuenta que este método sirve
de ayuda para ir de lo particular a lo complejo, es decir el método inductivo.
Método Experimental, debido a que se necesitó investigar fórmulas, realizar
prácticas, simulaciones; demostrando así el objetivo principal del generador de
melodías.

26
8. SIMULACIONES

FIG. 20 DIAGRAMA 3

FIG. 21 DIAGRAMA 4

27
9. CALCULOS

Malla de entrada:

-IbRb+Vbe

Malla de salida

28
 Cuando Vce=0
Ic.max

Voltaje de entrada Pico

Debido a que el Voltaje resultante a través de la carga es idealmente el mismo

al que el V.in (el amplificador tiene forma ideal una ganancia de voltaje
unitario)

29
Po generada a través de la carga

P. Máxima disipada por ambos transistores de salida

30
 10. LISTADO DE MATERIALES

CANTIDAD MATERIALES VALOR VALOR

UNITARIO TOTAL
1 PROTOBOARD 20 20
3 m. CABLE DE TIMBRE 0.25 0.75
1 MULTIMETRO 50 50
1 CARRO A CONTROL 15 15
REMOTO
10 RESISTENCIAS 0.07 0.70
8 CONDENSADORES 0.10 0.80
8 DIODOS 0.15 1.20
6 TRANSISTORES 0.10 0.60
2 COMPUERTAS 0.45 0.90
NAND
1 PLACA 2 2
2 ACIDO 0.25 0.50
1m. ESTAÑO 0.25 0.25
1 CAUTIN 5 5
33 IMPRESIONES 0.15 4.95
1 CD 075 0.75
INTERNET 0.8 10
TOTAL 103.50

31
11. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
11.1 CONCLUSIONES
Tomar en cuentas las características de cada elemento
electrónico a ser utilizado mediante el datasheet de cada uno
de estos.
Al ser reemplazado el switch por un relé tomar en cuenta la
polaridad del motor del carro y así invertirla correctamente al
circuito
Se ah logrado demostrar lograr conocimientos adquiridos en
el presente semestre mediante el desarrollo de este proyecto.

11.2 RECOMENDACIONES

Antes de armar el circuito en el protoboard se recomienda primero

simular el circuito a ser implementado para despejar cualquier falla y
comprobar su perfecto funcionamiento.

Aplicar conocimientos y entender cómo funciona cada elemento

electrónico.

32
12. BIBLIOGRAFIA

http://es.wikipedia.org/wiki/Resistencia_el%C3%A9ctrica

http://es.wikipedia.org/wiki/Impedancia

http://www.planetaelectronico.com/cursillo/tema2/tema2.3.html

http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Carga-descarga-condensador.php

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Condensador.php Fig.1

http://es.wikipedia.org/wiki/Archivo:Diodo_pn_-_zona_de_carga_espacial.png

http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina2.htm

http://www.unicrom.com/Tut_compuertanand.asp Fig. 10

http://es.wikipedia.org/wiki/Archivo:NPN_common_emitter.svg

http://es.wikipedia.org/wiki/Archivo:NPN_common_base.svg

http://www.unicrom.com/Tel_AmplifPotContrafaseClaseB.asp .

13. ANEXOS

Datasheet 2N3904
Datasheet BC557
Circuito montaje al carro de control remoto.

33
34