1 INTRODUCCION

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.
En la Figura 1 se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-intensidad del
funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

Figura 1: Smbolo y curva caracterstica tensin-corriente del diodo ideal.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al
paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto.
2 DIODO DE UNION PN
Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales semiconductores de
caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P.

Figura 2: Esquemas de diodos de unin PN

2.1 Formacin de la unin PN
Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una
frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de
tipo N (Figura 3). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo tomos
del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en
exceso, procedentes de tomos del grupo V (fsforo). En ambos casos se tienen tambin
portadores de signo contrario, aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud
inferior (portadores minoritarios).

Figura 3: Impurificacin del silicio para la obtencin de diodos PN

En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada
hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos elctricos
internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentracin de
portadores, entra en juego el mecanismo de la difusin. Como se recordar, este fenmeno
tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es que los
electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la
zona contraria, es decir:

Electrones de la zona N pasan a la zona P.

Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la regin de

la zona P cercana a la unin:
1.

El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga
negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula.

2.

Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la

zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa.

El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En
consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva
en la zona N y negativa en la zona P (Figura 4).

Figura 4: Formacin de la unin PN

La distribucin de cargas formada en la regin de la unin provoca un campo elctrico desde
la zona N a la zona P. Este campo elctrico se opone al movimiento de portadores segn la
difusin, y va creciendo conforme pasan ms cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de

la difusin y la del campo elctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese

momento est ya formado el diodo de unin PN, y como resultado del proceso se ha
obtenido:

Zona P, semiconductora, con una resistencia RP.

Zona N, semiconductora, con una resistencia

Zona de agotamiento (depleccin): No es conductora, puesto que no posee

portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los
extremos acta una barrera de potencial.

2.2 Polarizacin directa

El bloque PN en principio no permite el establecimiento de una corriente elctrica entre sus
terminales puesto que la zona de depleccin no es conductora.

Figura 5: Diodo PN durante la aplicacin de una tensin inferior a la de barrera

Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo elctrico
que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de
depleccin (Figura 6). Sin embargo, mientras sta exista no ser posible la conduccin.

Figura 6: Diodo PN bajo la accin de una tensin mayor que la de barrera

En resumen, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensin positiva a la zona P y
negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la
zona de depleccin.
2.3 Polarizacin inversa
Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensin positiva a la zona N y negativa
a la zona P, se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin. Estos portadores son

atrados hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de depleccin. Esto hace que
la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula (Figura 7).
Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo
est en directa para los minoritarios, que son atrados hacia la unin. El movimiento de estos
portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en
polarizacin directa para los mismos niveles de tensin.

Figura 7: Diodo PN polarizado en inversa

Al aumentar la tensin inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de
depleccin, al igual que sucede en un material aislante: el campo elctrico puede ser tan
elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los tomos de
silicio, originando un proceso de rotura por avalancha.
2.4 Caracterstica tensin-corriente
La Figura 8 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.

Figura 8: Caracterstica V-I de un diodo de unin PN.

En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento
explicadas en el apartado anterior:

Regin de conduccin en polarizacin directa (PD).

o

Regin de corte en polarizacin inversa (PI).

Regin de conduccin en polarizacin inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequea, hasta que no se alcanza la
tensin de barrera (VON). El paso de conduccin a corte no es instantneo: a partir de V ON la
resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente,
hasta quedar limitada slo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que
circula por la unin aumenta rpidamente. En el caso de los diodos de silicio, V ON se sita en
torno a 0,7 V.
Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que la
que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa, hasta llegar a la ruptura,
en la que de nuevo aumenta.
1.

Corriente mxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente

continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn
dao, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto
Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir tres lmites:
o

Corriente mxima continua (IFM)

Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se

especifica tambin el tiempo que dura el pico

Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se

especifica la frecuencia mxima del pico

1.

Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV;

Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de
ruptura por avalancha.

2.

Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse

Voltage): Es la tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar para una
operacin en inversa segura.

3.

Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para

diferentes valores de la tensin inversa

4.

Cada de tensin en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha sealado

anteriormente los 0.7V como valor tpico, en muchas ocasiones los
fabricantes aportan datos detallados de esta cada de tensin, mediante la
grfica I-V del dispositivo.

3 MODELOS DEL DIODO DE UNION PN

3.1 Modelo DC del diodo real
El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente expresin:

en donde:

n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2.

Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud
de la corriente directa y del valor de IS.

VT, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann

(K), la carga del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente
expresin permite el clculo de VT:

con

El potencial trmico a temperatura ambiente, T=25C, es V T=271mV.

R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la tensin

que se est aplicando en la unin PN, siendo I la intensidad que circula por el
componente y V la tensin entre terminales externos.

IS, es la corriente inversa de saturacin del diodo. Depende de la estructura, del

material, del dopado y fuertemente de la temperatura.

La representacin grfica de este modelo se muestra en la Figura 9:

Figura 9: Representacin grfica del modelo del diodo real.

Como puede apreciarse, este modelo no da cuenta de la tensin de ruptura en inversa.
3.1.1 Modelo ideal del diodo de unin PN.
El modelo ideal del diodo de unin PN se obtiene asumiendo las siguientes simplificaciones:

Se toma el factor de idealidad como la unidad, n=1.

Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequea y que, por lo tanto, la
cada de tensin en las zonas P y N es muy pequea, frente a la cada de tensin en
la unin PN.

Para V<0, el trmino exponencial es muy pequeo, despreciable frente a la unidad. Entonces
la intensidad tiende al valor I S, que como ya se haba indicado anteriormente, es la corriente
inversa del diodo. Para V>0, la exponencial crece rpidamente por encima de la unidad.
3.1.2 Modelo lineal por tramos
Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco prctico, dado su carcter no
lineal. El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximacin del modelo ideal del
diodo de unin PN, considerando las siguientes simplificaciones:

En inversa, la corriente a travs de la unin es nula.

En directa, la cada de tensin en la unin PN (V ON) es constante e independiente de

la intensidad que circule por el diodo.

Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unin PN de silicio con una I S= 85 fA a
una temperatura ambiente de T=25 C. El potencial trmico a esa temperatura es V T=27 mV.
Tomando como variable independiente la intensidad I, la ecuacin ideal del diodo queda:

A partir de esta expresin, se puede calcular la cada de tensin en el diodo para las
magnitudes de corriente habituales en los circuitos electrnicos. Por ejemplo, para un
intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.6 V <V DIODO< 0.77 V. Como se
puede apreciar, mientras que la corriente ha variado 3 rdenes de magnitud, la tensin
apenas ha experimentado un cambio de 200 mV, por lo que es posible aproximar la cada de
tensin en la unin PN a un valor constante de 0.7 V.
Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que complican
los clculos en la resolucin del circuito. Sin embargo, se divide el modelo en dos tramos
lineales denominados inversa y directa (o corte y conduccin), cada uno de los cuales
obedece a ecuaciones diferentes: el diodo queda convertido en un componente biestado.
El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla:

Estado

Modelo

Conduccin

Corte

La Figura 10 muestra la curva caracterstica V-I del modelo lineal

Condicin

Figura 10: Modelo lineal por tramos del diodo.

Conduccin o Polarizacin Directa "On", donde la tensin es V ON para cualquier valor

de la corriente.

Corte o Polarizacin Inversa "Off", donde la corriente es nula para cualquier valor de
tensin menor que VON.