Transistor BJT

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el
emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede
ser de germanio o silicio.
En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el
colector.
Smbolos de los transistores bipolares NPN y PNP.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la
corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de
transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene
la flecha en el grfico de transistor.

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar
por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama
amplificacin.
Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin)
por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (+1) * Ib, pero se
redondea al mismo valor que Ic, slo que la corriente en un caso entra al transistor
y en el otro caso sale de l, o viceversa.
Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc.

El transistor bipolar o bjt es un dispositivo electrnico, mediante el cual se puede

controlar una cierta cantidad de corriente por medio de otra cantidad de corriente,
este dispositivo consta de 3 patitas, terminales o pines, cada uno de estos pines
tienen un nombre especial, es importante no olvidase de esos nombres, los cuales
son el colector, la base y el emisor, tal como se ve en la imagen, el orden de los
pines depende del transistor que se est utilizando, para ello ser necesario
recurrir a su hoja de datos, en la imagen se puede ver el orden de los pines
correspondientes para el transistor bipolar.
El transistor bipolar est formado por capas de material semiconductor tipo n y tipo
p, de acuerdo a la distribucin de los materiales semiconductores se tienen 2 tipos
de transistor bipolares, los que se conocen como transistor npn y transistor pnp, el
funcionamiento del transistor se basa en movimientos de electrones (negativos) y
de huecos (positivos), de all el nombre de transistor bipolar o bjt (transistor de
unin bipolar).
Para un mejor entendimiento, se puede imaginar interiormente el transistor bipolar
como se muestra en la figura, se ve que entre la base y el emisor hay un diodo, lo
mismo entre la base y el colector hay otro diodo, el transistor bipolar tiene 3 zonas
diferentes en los cuales puede operar, los cuales se conoces como regin activa,
regin de corte y regin de saturacin.
Para que opere en la regin de saturacin, el diodo base emisor tiene que estar
polarizado en forma directa y el diodo base colector tambin tendr que estar
polarizado en forma directa.
Para que opere en la regin de corte, el diodo base emisor tiene que estar
polarizado en forma inversa y el diodo base colector tambin tendr que estar
polarizado tambin forma inversa
Para que opere en la regin de activa, el diodo base emisor tiene que estar
polarizado en forma directa y el diodo base colector tendr que estar polarizado en
forma inversa; cuando el transistor bipolar se prepara para que opere en la regin
activa, se cumple que la corriente que ingrese por la base IB va a controlar la
cantidad de corriente que circular por el colector IC, este control es en forma
lineal, se cumple una relacin matemtica a la cual se le llama ganancia del
transistor y se le simboliza con , esto es =IC/IB, este valor en la hoja de datos
se le encuentra como hFE.
En un transistor bipolar siempre se va cumplir, que si se encuentra operando en la
regin de saturacin o en la regin activa, la tensin que existir entre la base y el

emisor VBE=0,7V ya que el diodo existente entre la base y el emisor est

polarizado en forma directa.
Los smbolos utilizados para representar el transistor bipolar o bjt tanto para el npn
y el pnp son los que se muestran, la flecha indica que el diodo base emisor se
tiene que polarizar en forma directa para hacer operar el transistor en la regin
activa.
Para hacer trabajar el transistor bipolar se dice que hay que polarizarlo, esto es lo
mismo que decir que hay que polarizar el diodo base emisor y el diodo base
colector, de acuerdo a la regin en la cual se quiere que opere.
Por ejemplo para polarizarlo en la regin activa, se tiene que hacer que la tensin
de la base VB sea mayor a la tensin del colector VC en al menos 0,7V, ya que el
diodo se activa a partir de esta tensin cuando se polariza en forma directa, esta
tensin quedar en forma constante entre la base y el emisor mientras el transistor
est polarizado en la regin activa, esto es VBE=0,7V para el caso del
transistor npn, ademas debe cumplirse que la VC tiene que ser mayor que la
tensin de la base VB, para que el diodo base colector se polarice en forma
inversa; mientras que para el pnp la tensin de la base VB tiene que ser menor en
al menos 0,7V a la tensin del emisor VE, para que el diodo emisor base est
polarizado correctamente es decir en forma directa, esto hace que VBE=-0,7V;
ademas debe cumplirse que la VC tiene que ser menor que la tensin de la base
VB, para que el diodo colector base se polarice en forma inversa,
En lo que sigue se comentar para el caso de el transistor bipolar npn, pero se
cumplir lo mismo para el pnp, con la diferencia que las tensiones y las corrientes
tendrn valores inversos con respecto al npn, en la imagen que sigue se aprecia
los sentidos de las tensiones y las corrientes en los transistores cuando estos se

polarizan

para

que

operen

en

la

regin

activa.

Aplicando ley de corrientes de Kirchoff, se tiene que:

IE=IC+IB,
La corriente de la base IB es pequea comparada con la corriente del colector IC,
por eso muchas veces se la puede ignorar, con lo cual la corriente del emisor IE se
puede asumir como:
IE=IC
esto se hace con el fin de no complicar los clculos, los resultados obtenidos al
hacer esto son muy prximos a los valores reales; la tensin entre la base emisor
VBE en el transistor bipolar npn es un valor positivo VB mayor en 0,7V a la VE, la
tensin colector emisor VCE es un valor positivo que depende del circuito en el
cual se encuentre el transistor; para el transistor bipolar pnp, la VBE es un valor
negativo, ya que la VE es mayor en 0,7V a la VB, la tensin colector emisor VCE
tambin es un negativo que depende del circuito en el cual se encuentre el
transistor; las medidas mas importantes que hay que tener una en el circuito de
polarizacin son IC y la VCE.
De la relacin de ganancia =IC/IB se puede despejar IC=*IB que es la forma en
que se utilizar mayormente, esto es muy importante tenerlo siempre presente ya
que indica cuantas veces es mayor la corriente que circula por el colector IC con
respecto a la corriente que est entrando por la base IB.
En la siguiente imagen se muestra un circuito en el cual se utiliza el transistor
bipolar, para el ejemplo se asume que el transistor est polarizado en la regin

activa, este tipo de polarizacin se le llama de emisor comn porque el emisor

est directamente conectado a tierra, la idea hasta aqu es ver como se pueden
utilizar las relaciones matemticas vistas hasta el momento, la forma en que se
procede ser muy similar en adelante, la resistencia RB es para limitar la corriente
que circula por la base IB hasta un valor adecuado para obtener IC, la corriente IC
depende de la corriente IB, RC es la carga en la que se utilizar IC.

De la malla 1:
VBB=RB*IB+VBE, de aqu
IB=(VBB-0,7)/RB

luego

IC=*IB
De la malla 2:
VCC=VCE+RC*IC de aqu
VCE=VCC-RC*IC
Las corrientes y las tensiones sobre el transistor bipolar tienen valores mximos
que no hay que sobrepasar, ya que de lo contrario se daarn; estos valores
mximos se encuentran en la hoja de datos del transistor que se este utilizando.