LABORATORIO DE ELECTRONICA

III
PRACTICA No. 2
OBJETIVO
En esta segunda prctica, buscamos como objetivo principal, que el alumno
compruebe el tipo de compuertas que se pueden realizar con diodos
semiconductores, as como el funcionamiento de un inversor realizado con un
transistor bipolar. Se debern comprobar las caractersticas lgicas de estos
circuitos as como tambin sus caractersticas elctricas.
MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

EQUIPO:

Osciloscopio de doble canal, Generador de seales, Multmetro,

Fuente de voltaje, cables coaxiales para el osciloscopio (RG59,
perfectamente conectorizados), cables caimn-caimn y bananacaimn (perfectamente conectorizados).

Un transistor bipolar BC547 2N2222

Un capacitor de 1000 pF
DISPOSITIVOS: Una resistencia de 5.6K
Dos diodos 1N914
Dos resistencias (RB y RC) por determinar

CALCULOS Y ACTIVIDADES PREVIAS A LA PRACTICA

1. Para los circuitos que se muestran en la figura P2.1 y P2.2, encontrar su tabla
de verdad, determinar que tipo de compuerta son y a que familia lgica
pertenecen.

2. Suponer que los diodos tienen un VD=0.6V, rD=0 Ohms y rI infinito; llenar la
tabla de voltajes de las compuertas:

3. Empleando el circuito de la figura P2.5, realizar los clculos necesarios para

encontrar los valores de RB y RC de forma tal que se tenga un FSS=1.5 y una
corriente de colector en saturacin ICSAT=10mA. Tomar los valores comerciales
que ms convienen para este tipo de circuitos y calcular los valores nuevos de
FSS y ICSAT: RB= ___________; RC= ___________; FSS= ___________; ICSAT=
___________;

DESARROLLO
1. Usando los circuitos de la fig. P2.1 y P2.2, comprobar su tabla de verdad y
llenar las tablas de las figuras P2.6 y P2.7

2. Usando las configuraciones mostradas en los circuitos de la figura P2.8, medir

las corrientes de entrada en bajo y alto de las compuertas con diodos.

3. Aplicar una seal cuadrada de 0 a 5 V en la entrada A del circuito de la fig.

P2.9 y observar como es la forma de onda en la salida. Dibujar en la figura P2.10
stas formas de onda para cuando la seal de entrada es de 100 Hz, 10 KHz, 500
KHz y 1 MHz.

4. Usando el circuito de la figura P2.5, medir los voltajes y corrientes indicados

en la figura P2.11

5. Conectar el arreglo mostrado en la figura P2.12 y obtener la grfica de

transferencia del inversor, usando la caracterstica X-Y del osciloscopio.

De los puntos de inflexin de la grfica, determinar VILM= ___________; VIHm=

___________; VOL= ___________; VOH= ___________. Usando los datos
anteriores, determinar el margen de ruido inferior NML= V ILM - VOL=
___________ y el margen de ruido superior NMH= VOH - VIHm= ___________, y
de estos, el Margen de Ruido NM= ___________.
6. Cambiar la seal del generador a una onda cuadrada de 0 a 5 V y aumentar la
frecuencia de la seal de entrada, hasta que se pueda distinguir claramente en la
seal de salida VOH y VOL en el osciloscopio y poder medir el tiempo de elevacin

tr= __________ y el tiempo de caida tf= __________, as como la frecuencia

mxima de operacin fmax= __________.
7. Conectar un capacitor de 1000 pF en la salida del inversor de la figura P2.5 y
siguiendo los mismos pasos del inciso 6, volver a medir el tiempo de elevacin
tr= __________ y el tiempo de caida tf= __________, as como la frecuencia
mxima de operacin fmax= __________.
8. Usando la configuracin del inciso 6, mostrar en el osciloscopio, tanto la seal
de entrada, como la de salida, para poder medir los tiempos de propagacin de
bajo a alto TpLH= __________ y de alto a bajo tpHL= __________. Auxiliarse de la
figura P2.13.

9. Conectar el circuito de la figura P2.5 como se indica en la figura P2.14 y medir

ICCH= _______________ (interruptor en punto A), as como ICCL=
_______________ (interruptor en punto B)

10. Con los datos anteriores, determinar la potencia de disipacin con salida en
alto PDH= _______________ , la potencia de disipacin con salida en bajo PDL=
_______________ y la potencia de disipacin promedio PD= _______________

CUESTIONARIO
1. Como se podra implementar un inversor con lgica DL?
2. Que limita el comportamiento en alta frecuencia de los cicuitos de las figuras
P2.1 y P2.2?
3. Menciona ventajas y desventajas que encuentras en las compuertas de las
figuras P2.1 y P2.2
4. Como debemos interpretar el parmetro de Mrgen de Ruido?
5. Que nos dicen valores altos de tr y tf, es decir que parmetro de operacin del
inversor determinan principalmente?
6. Que significan los parmetros de tiempo de propagacin?
7. Explicar la diferencia en magnitudes de las corrientes ICCH y ICCL
PROBLEMAS
1. Usando los resultados obtenidos en la figura P2.11, encontrar el valor real de
FSS.
2. Considerando el circuito de la figura P2.5, dibujar y disear un inversor con un
transistor PNP.
3. Dibujar y disear un inversor simple, con un transistor NPN que tenga una
corriente de colector de saturacin de 10 mA, un voltaje de Base-Emisor en corte
de -0.5 V y un FSS de 2.