Transistores IGBT

Los IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) constituyen, desde el punto de vista de su
empleo, un hbrido entre los transistores bipolares y los MOSFET para aprovechar tanto la
sencillez de ataque de los ltimos, como la capacidad para conducir altas corrientes y baja
resistencia en conduccin de los primeros.
La estructura bsica, as como el circuito equivalente se muestra en la siguiente figura:

La estructura recuerda mucho la de un transistor MOSFET de potencia donde se utilizan obleas

dopadas de Tipo N sobre las que se deposita una fina capa epitaxial. El IGBT est construido
de forma casi idntica. La capa epitaxial presenta el mismo espesor y se dopa igual que en un
FET. Sin embargo, existe una importante diferencia: el material de partida es una oblea dopada
Tipo P en lugar de Tipo N. La unin PN adicional, as creada, inyecta portadores (huecos) en la
regin epitaxial Tipo N reduciendo su resistividad y rebajando la cada de tensin en
conduccin.
A este proceso se le conoce tambin por "Modulacin de la Conductividad" y puede contribuir
a incrementar la capacidad de conduccin de corriente hasta 10 veces ms.
Por otro lado, la adicin de esta capa Tipo P, introduce un nuevo transistor parsito que con el
NPN inherente a la estructura de un MOSFET, conforma un Tiristor parsito, el cul en caso de
ser activado puede destruir al IGBT.
Desde el punto de vista econmico, los IGBT, al utilizar el principio de los FET tan slo para
el circuito de ataque y no el de potencia, dejando ste en manos de una estructura bipolar,
reducen sustancialmente los requerimientos en cuanto a superficie de Silicio necesaria.

Tenemos entonces que, para tensiones superiores a los 400V, la superficie de un IGBT es
tpicamente un tercio de la del MOSFET comparable.
El techo de frecuencia se sita alrededor de los 75kHz, debido a que la corriente principal se
controla con un transistor bipolar. En estos dispositivos sin embargo, se han conseguido
tiempos de conmutacin de 0,2 ms con muy bajas cadas de tensin, lo que les hace muy tiles
en conmutaciones rpidas.
La facilidad de control, similar a la de un MOSFET, unida a sus prdidas relativamente bajas,
les convierten en la eleccin idnea para aplicaciones de control de motores conectados
directamente a la red (hasta 480 V). Para tensiones de 400 a 1200 V, los IGBT ofrecen ventajas
sustanciales frente a los transistores bipolares de potencia, por lo que estn sustituyendo a stos
en un amplio campo de aplicaciones.
Actualmente, con la aparicin de la 2 generacin de IGBTs, los fabricantes ofrecen una amplia
gama de estos dispositivos, y se pueden elegir bien por su rapidez o bien por su cada de
tensin en conduccin; esto es muy interesante ya que permite optimizar la utilizacin de stos
dispositivos en funcin de las distintas aplicaciones. Se encuentran ya dispositivos capaces de
soportar 1200 V y 400 A.