APCVD

En el concepto de los reactores CVD ms simples son la presin atmosfrica,

reactores continuos, puesto que no hay sistemas de vaco para aadir
complejidad; no pueden, en general, sostener plasmas. Calefaccin del reactor
es resistiva y limpieza del reactor no se realiza con plasmas. En un reactor
continuo, la cmara de reaccin en s es en estado estacionario, con gases
reactivos y obleas se introducen y se retiran de la zona de reaccin de forma
continua.
Un ejemplo tpico de un reactor de presin atmosfrica es el sistema de APCVD
Watkins Johnson Modelo 999 WJ. Se utiliza principalmente para depositar
pelculas de SiO2 sobre sustratos de silicio. Muchas variaciones de SiO2 pueden
ser depositados de la fuente de hidruro de cojinete de silicio.

Figura 1. Horno de calentamiento dentro de los reactores de produccin: (a)

inductivo y (b) resistivo.
En lugar de colocar las obleas en una cmara, que es a su vez sellada y se
bombea para eliminar los gases atmosfricos (como con los sistemas LPCVD),
en el sistema de APCVD Watkins Johnson, las obleas simplemente pasan a
travs de la deposicin son a presin atmosfrica. Un flujo constante de
nitrgeno de alta pureza mantiene la zona de deposicin libre de
contaminantes. Un alto flujo de escape mantiene reaccin en fase gaseosa de
alcanzar el sustrato.
Obleas son transportadas a tres reas de deposicin en secuencia por una
cinta transportadora de carga y de la zona caliente por la cinta de descarga. El
cinturn se limpia continuamente de la SiO2 depositado sobre su superficie en
un limpiador de correa. Central para la deposicin es la entrega de los gases

reactivos. Esto se logra mediante un diseo nico inyector. Oxidantes y los

hidruros, que reaccionan para formar la pelcula, se mantienen separados
hasta que los gases salen del inyector sobre la superficie de la oblea.
el inyector crea una cortina de vapor qumico en virtud del cual las obleas son
transportadas por la correa. La cortina contiene un flujo trilineal de oxgeno en
N2, N2 y se aadi hidruro de N2. La deposicin se produce en una pequea
zona en la que el tiempo de residencia de los reactivos se reduce al mnimo los
volmenes de flujo de gas altos. Oblea Th se calienta a travs de un bloque de
calentamiento resistivo situado por debajo de la superficie de reaccin.
Las pelculas son producidas por las siguientes reacciones generales:

Dependiendo de la presencia de los dos ltimos hidruros de dopante, la

pelcula depositada es el xido sin dopar, fsforo vidrio dopado (PSG), o vidrio
borophosphosilicate (BPSG). La temperatura mxima deposicin est bajo 550
C. Los sustitutos para los hidruros en las tres reacciones incluyen orto-silicato
de tetraetilo (TEOS, Si (OC2H5) 4), borato de trimetilo (TMB B (OCH3) 3), y
fosfito de tetrametil (IGMP, P (OCH3) 3).
La reaccin de silano tiende a tener una conversin de silano de
aproximadamente 10%, acercndose a la de un reactor diferencial. Flujos en
general alta (del orden de 5 litros estndar por minuto) para mantener la
cortina qumica y para mantener los patrones de flujo deseados.
Concentraciones hidruro excesivas pueden conducir a la nucleacin en fase
gaseosa, la produccin de polvo de cuarzo blanco.
Otras caractersticas de la WJ reactor 999, no relacionados con la cmara de
reactivo, incluyen lavado segura de los gases pirofricos y txicos a travs de
un sistema de escape y un depurador de diseo adecuado. Economa del
reactor se realizan a travs de la oblea de alta rendimiento obtenido por el
reactor a presin atmosfrica. Para un espesor de pelcula de 5000 A la oblea
de rendimiento es mayor que 50 obleas por hora tanto para TEOS y pelculas a
base de silano. Limpieza continua de la cinta despus de que pasa a travs de
las asistencias cmara de deposicin en el mantenimiento de bajo tiempo de
inactividad del sistema y las partculas bajas.
https://books.google.com.mx/books?
id=M7_fBwAAQBAJ&pg=PA112&dq=atmospheric+pressure+chemical+vapor+

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