ECUACIONES IMPORTANTES 1 Diodos semiconductores_ W = QV, 1 eV = 1.6% 109J, Jp = I(eHo —1), Rye Voy» Fy V/A, = 26 mV oy yy = AVAL ys P= Vols Te = AV,MV,(T, -T,)1* 100% 2. Aplicaciones de diodos Vz, = V, = 0.7 V; media onda: Vy, 0.318¥,,; onda completa: V,, = 0.636V,, 3. Transistores bipolares de unién Jp =Ie+ Ip lo@ lo. + [o® dy + Leggy Gye = Si /Al gy Nee = al \~ Oh Bg = Ig By B+ thy. Pose = Veale sTe= Ip Vag 0.7 Vs Oye = IM AUB +1), B= al ~ @), 1e= Bly ly 4 Poarcaionen AccBJT En genera: Vag= 07 Vdc = pte Bly pian I= (Veo Vapi Vos Vee=leRerIc,,= Vec!Re: establizada en emisor: ly = (Vee= Vya)(Ry + (B+ UR,), R,= (B+ DRp Veg ™ Veo = 1aRe+ Role. = Veg Re + Ry’: divisor de volta acto! Rr, = R, |i Ry. Ee = RyVchR, + Ry) Vap(Rry + (B> DIRE) Veg = Vee—IARe+ Ry), aproximado: Vp = RyVec!(R, + Ry), Akg 2 10K, Vp = Vy— Voge lem Ig = Ve/Rgs pot retroalimentacion de voltaje: fy = (Voc ~ VaeVIRy + B+ RI; base comtn: fy = (Vee VppRq: conmutacion de Aransstores oensaas™ fig = 1, extabiidad: S(Ve) = Al {Alo plarizaeion fe: Stlng) = B+ 1s polarizacign en emisor: Slee) = (Br IN + Ry/R, Cl + B+ Ry); divisor de volaie: Silea) = (B+ 1X1 + Rp/R, VC + B+ Rey/R,); polarizacin por retroalimeataciGn: Seg) = (B+ IX + Ry/R VI + B+ Ry/Re),5(Vgg)= Alc/AV poarizaci6n fit S{Vg_) = -BiRy: polarizacin en emisor: S(Vg,) =-AULR + (B+ 1)Rql divisor de voliaje: S(Vp,)= BUR, + (B-+ {Rj}; polarracion por reroalimentaci6n: S(V,) = “BR, + (B+ 1)R,), S(B) = AI ciSB, polarizacicn ij: S(B) = 1/8: polarizacién en emisor: S(B) = c,(1 + Ry/ReViB,(1 + Bz + RyRy I; divisor de voltaje: $(B) = I. (1 + Ry /R, VBL + Bt + R,)I: polatizacién por retroalimentaciGn: S(B) = Ic(Ry + ReMB\(Ry + Rll + Ba) Ale= SUleo) Aly + Spe) AVer S(B) 48 =(En- 5 Transstores de feta de campo, Jo =00s lp fut = Ves! fn ln Vas= Vell - Violate (51 Veg = Vpl2), Ip = Ipsg!2 (si Vos = 0.3Vp), Pr = Vostan ly = K(Wgg ~ Ve)?6 Polarizacién de FET Polarizaci6n fija: Vas = —Viig. Vos = Von ~ fpRp: amopolarizacién: Vos = Inky, Vpg = Vp ~ Ip{Ry + Rp), Ve= 1gRe: divisor de voltaje: Vig = RyVpy/(R, + Ry), Veg = Vq~ lpRe Vog* Von ~Ip(Rp + Rg: MOSFET ineremental: bos = kVes~ Voss)? = loyeneni Vester) ~ Vesrnw)*s Polarieacin por retoalimentacisa: Voc = Ves. Vos= V, 'p3 divisor de voltaje: Vz = RyVn/(R, + Ry). Vos = Vg ~ fpRgi curva universal: m= [Vp Uyge eM = mx vy iy Vp l(R, + Ry) Hy], =(V, VV Rea NZ,+R,),A,=-A,Z,/R,.7, = 26 m/l, base comin: Z, = 1,2, =e 2, = Boh, = Bry hy = = rly =O cr hy = Fas 8 Anélisis a pequefia sefal del transistor bipolar Emisor comin: A voltae: R’ = RyIR,.A, =-Re/r,.Z, = R’iBr,,Z, = Re: polarizacion en emisor: Z, = Ar, + Ry) = BR. A, =-BR-IZ, = -Rel (7, + Rp) = -ReiRg: emisor seguidor: Z, = fir, + Rp).A, = 1.Z, = 1, base comin: A, a Rei, Z,= Ryd, Z, = Re: retoali- mentacién en colector: A, = Re /r.sZ, = Prlip/|A|-Z, = Relilte retroalimentacién de dc en colector: A, = ~(Ry IReWr,, Z,= Ry, Ir,» Z, = RellRy ; pardimetros hibridos: A, = Ay(1 + h,R,).A, = hyR Mh, + (yh, ~ hh Ry), Z, = h,— hh Rl + Ry). Sy Uh, Ceph Mh + RY} =V,) Raa 2 Volley = Vid, itera, w=; oxsor coc bas 2) = Br ree Reg Z,= Ryle Z,= Revd, x Bi divisor de 9 Aniilisis a pequefia sefial del FET —g,, = g,.(1 ~ Vs/Vp): fu ® 2lpss/IVpk: configuracion biésica: A, =—2,.Ry resistencia de fuente sin desvio: A, = -g,Rp/(1 + fq); Seguidor de fuente: A, = g,Ry/(I + gR,): compuerta comin: A, = BnlRolird 10 Agcorimacin le slatamas ecto de R, By BIT:A,=R,A,,, (Ry + R,)eA, = -A,Z)IR,. V,= R VAR, +R): polarizacion fija: A, = ~(RelWR, Vir, ZAMZ, + R,),Z, = Br.Z, = Rei divisor de voltaje: A, = (RR, irvA, (Z +R), Z, = RNR Z, = Re polite enemisor: A, RAR, Re A, =ZANZ, +R) Z, RylBRyZ, = Rei retroalimentacién en colector: A, = -ARMR Yr. A, =Z,A, HZ, +R, 2% Se Be AR MA, MAS. Z,, ‘Rely: emisor seguidor: R= RMR, A, = RARE +1,),A, = REAR, + RIB): Z,= RAB, +R). Z, = ReliR B+ r,) base Comin: A, = (Rel). Arn ly 2, 0 t Z, 0 He, FET: con d6svio Ry A,'= ~B-(RGDR,).Z,= Roy 2, = Ry; sin esvio RA, =~2, (RR K1 + ERD. Z)m Re, Z, = Ry epsidor de fuente: A,= aah RU) + RaARGIR, IZ, = Roy Zy = Ral M83 Comppera coms A= b(R oR): Z,= Rl Ege Z,= Rp en cascada’A,,=A,,°A,,°A, 2A, AeA, Z, IR,