Professional Documents
Culture Documents
Elektronske Komponente-2011 PDF
Elektronske Komponente-2011 PDF
ELEKTRONSKE
KOMPONENTE
PREDAVANJA
Godina: I
Semestar: II
Elektronski fakultet Ni
2011.
SADRAJ
1. UVOD
3. OTPORNICI
3.1. OPTE O OTPONICIMA
3.1.1. Vrste otpornika
3.1.2. Osnovne karakteristike otpornika
3.1.3. Nizovi nazivnih vrednosti otpornosti i klase tanosti
3.1.4. Oznaavanje otpornika
3.1.5. Stabilnost karakteristika otpornika
3.1.6. Frekventna svojstva otpornika
3.2. NENAMOTANI OTPORNICI STALNE OTPORNOSTI
3.2.1. Ugljenini otpornici
3.2.2. Metalslojni otpornici
3.2.3. Slojni kompozitni otpornici
3.2.4. Maseni kompozitni otpornici
3.2.5. ip otpornici
3.2.6. Otporniki moduli (otpornike mree)
3.3. NAMOTANI OTPORNICI STALNE OTPORNOSTI
3.3.1. Temperaturna kompenzacija
3.4. OTPORNICI PROMENLJIVE OTPORNOSTI (POTENCIOMETRI)
3.4.1. Osnovne karakteristike potenciometara
3.4.2. Vrste potenciometara
3.4.3. Regulacioni otpornici (trimeri)
3.5. OTPORNICI SA NELINEARNOM PROMENOM OTPORNOSTI
3.5.1. NTC otpornici
3.5.2. PTC otpornici (pozistori)
3.5.3. Varistori
3.5.4. Fotootpornici
4. KONDENZATORI
4.1. OPTE O KONDENZATORIMA
4.1.1. Kapacitivnost kondenzatora
4.1.2. Klase tanosti; oznaavanje kondenzatora
4.1.3. Dielektrici i dielektrina konstanta
4.1.4. Otpornost izolacije i vremenska konstanta kondenzatora
3
9
10
13
18
25
25
25
26
28
29
31
33
35
37
38
39
40
40
41
42
43
44
44
46
47
48
48
52
53
55
58
58
58
60
61
61
5. KALEMOVI
5.1. OPTE O KALEMOVIMA
5.1.1. Induktivnost kalemova
5.1.2. Kalemska tela i vrste namotaja
5.1.3. Frekventna svojstva kalemova
5.1.4. Faktor dobrote kalemova
5.2. KALEMOVI BEZ JEZGRA
5.3. KALEMOVI SA JEZGROM
63
64
66
67
68
68
71
72
72
75
80
82
82
82
83
85
85
85
86
89
90
92
93
6. TRANSFORMATORI I PRIGUNICE
6.1. KONSTRUKCIJA I PRORAUN
6.1.1. Materijali za magnetna jezgra
6.1.2. Oblici magnetnih jezgara
6.1.3. Osnovne relacije kod transformatora
6.2. MRENI TRANSFORMATORI
6.2.1. Dimenzionisanje jezgra
6.2.2. Namotaji
6.3. PRIGUNICE
98
98
98
100
102
104
105
106
107
108
108
111
114
115
116
116
121
121
124
125
126
8. DIODE
127
127
131
135
136
139
141
141
142
143
144
9. BIPOLARNI TRANZISTORI
9.1. VRSTE TRANZISTORA
9.1.1. Nain rada tranzistora
9.2. KOEFICIJENT STRUJNOG POJAANJA
9.3. STATIKE STRUJNO-NAPONSKE KARAKTERISTIKE
9.3.1. Statike strujno-naponske karakteristike tranzistora sa uzemljenom bazom
9.3.2. Statike strujno-naponske karakteristike tranzistora sa uzemljenim emitorom
9.4. PRIMENA TRANZISTORA
9.5. ELEKTRINI MODEL TRANZISTORA
9.6. TESTIRANJE ISPRAVNOSTI TRANZISTORA
150
150
153
156
157
157
157
161
163
164
165
166
167
169
174
176
177
178
181
181
183
184
188
188
193
193
197
198
201
202
203
206
210
211
212
214
1. UVOD
Danas se ve pouzdano moe tvrditi da smo savremenici elektronske revolucije. Uvoenje pojma elektronska revolucija ima i stvarni smisao, s obzirom da se kod nje mogu izdvojiti
nekoliko faktora bitnih za svaku revoluciju. Prvi od njih je veliina i raspon promene: elektronska revolucija je iz osnova promenila drutvo, zahvatajui pojedinca, njegov dom i radno
mesto, obrazovanje, ivotni vek, pa ak i nain raanja i smrti. Druga osobina elektronske revolucije je brzina kojom je osvojen svet, iako vreme njenog najjaeg uticaja traje svega tridesetak
godina. Najzad, posle pokretanja, elektronsku revoluciju nita vie nije moglo zaustaviti.
Svake godine u elektronici nas impresionira sve ve}i broj tehnolo{kih inovacija, koje su,
prvenstveno, posledica intenzivnog razvoja elektronskih komponenata. Ipak, s pravom se mo`e
re}i da su ta teholo{ka ~uda veoma skromna u odnosu na ono {to tek dolazi. Pogled na samo
deo budu}nosti tehnologije izrade elektronskih komponenata i elektronskih naprava fascinira da
je, prakti~no, nezahvalno prognozirati {ta }e se sve i kako u budu}nosti proizvoditi.
Kada je re~ o elektronskim komponentama, osnovni cilj }e i dalje biti smanjivanje dimenzija istih, sve do nivoa molekula, pa, ~ak, i atoma. Elektronika bazirana na takvim komponentama ve} sada se zove molekularna elektronika. Pored znatno ve}eg stepena integracije,
odnosno izuzetno ve}eg broja komponenata po ~ipu, smanjivanje dimenzija komponenata dove{}e do daljeg pove}anja brzine njihovog rada. Naravno, postoje}i materijali bi}e zamenjeni
drugim, tako da }e i principi rada sada{njih komponenata biti druga~iji. Na sl. 1.1 prikazano je
kako su se tokom godina smanjivale dimenzije (konkretno du`ina) komponenata.
Sl. 1.1. Smanjivanje dimenzija komponenata tokom godina i predvi|anje do 2020. godine.
Elektronske komponente se mogu podeliti u dve osnovne grupe: pasivne i aktivne. Pod
pasivnim komponentama se podrazumevaju one komponente koje nisu u stanju da pojaavaju
neki elektrini signal; suprotno njima, komponente koje pojaavaju elektrini signal jesu aktivne
7
komponente. Treba napomenuti da se, pored toga to osnovu savremene elektronike ine poluprovodnike komponente i integrisana kola, pasivne elektronske komponente i dalje masovno
proizvode i ugrauju u elektronske ureaje, ali da je, zbog velikog broja i raznovrsnosti, praktino nemogue opisati sve postojee komponente. Na sl. 1.2 su prikazane osnovne pasivne i
aktivne elektronske komponente kojima e biti posveena panja u okviru ovoga predmeta, sa
naznakom glave u kojoj e biti razmatrane.
Sl. 1.2. Osnovne pasivne i aktivne elektronske komponente kojima e biti posveena panja
u okviru kursa koji sledi, sa naznakom glave u kojoj e biti razmatrane.
Otpornik
Keramiki kondenzator
Integrisana kola
Sl. 2.5. Komponente za povrinsko montiranje SMD.
Sl. 2.6. Jedno integrisano kolo u SMD izvedbi u poreenju sa vrhom prsta.
11
12
etvrta prednost je u poveanju nivoa pouzdanosti gotovih ploa, uz istovremeno njihovo krae testiranje i znaajno smanjeni kart. Izuzetno mali kart kod SMD tehnologoje posledica je nepostojanja otvora u tampanoj ploi, odnosno eliminacije otkaza koji nastaju prilikom
formiranja i korienja tih otvora, a takoe i nemogunosti pogrenog smetanja komponenata, s
obzirom da je montaa kontrolisana raunarom.
Peta dobra osobina SMD tehnologije jeste to su, zbog nepostojanja izvoda, odnosno
veoma kratkih izvoda, parametri parazitnih elemenata svedeni na minimalne vrednosti. To,
pak, znai da su takva kola sa boljim elektrinim karakteristikama i sa veom brzinom rada.
Bolje mehanike karakteristike, odnosno vea izdrljivost na udarce i vibracije jeste
esta prednost kola u SMD tehnologiji.
I konano, SMD mogu da imaju vei broj izvoda i kontaktnih zavretaka od klasinih
komponenata sa izvodima.
Nedostaci SMD tehnologije ogledaju se u sloenijim tehnolokim postupcima lemljenja
(posebno kada je re o runom lemljenju), teem ispitivanju usled slabije pristupanosti kontaktima, odnosno kontaktnim zavrecima komponenata, kao i u nepostojanju nekih (posebno pasivnih) komponenata sa izrazito visokim nazivnim vrednostima (otpornika veoma velikih otpornosti, kondenzatora sa velikim vrednostima kapacitivnosti).
2.3. KUITA
Velika veina komponenata, o kojima e nadalje biti rei, inkapsulirana je u odreena
kuita. Kuita su, prvenstveno, neophodna da bi se sama komponenta, odnosno njen funkcionalni deo pelet (ip) (sl. 2.9), zatitio od spoljanjih uticaja (vlage, temperature, mehanikih
oteenja). Pored toga, sama kuita su tako izvedena da se preko njih komponenta vezuje (lemi)
u odreeno elektronsko kolo; drugim reima, kuita omoguuju da se preko njih (sl. 2.9) privrste elektrini izvodi kojima se ostvaruje elektrina veza izmeu peleta i ostalog dela elektronskog kola, odnosno drugih komponenata. Elektrina veza izmeu peleta i izvoda ostvaruje se icom koja se sa jedne strane bondira za pelet, a sa druge strane na izvod (sl. 2.9).
esto se prema vizuelnom izgledu kuita moe prepoznati vrsta elektronske komponente; to se posebno moe rei za komponente sa izvodima, sl. 2.10. Meutim, kod SMD-a, kada
su komponente paralelopipednog (sl. 2.1a), odnosno cilindrinog oblika (sl. 2.11b), vrlo je teko
vizuelno razlikovati otpornik od kondenzatora, odnosno otpornik ili kondenzator od diode.
13
Najee korieni tipovi i kuita SMD-a prikazani su na sl. 2.11. Paralelopipedni oblik,
tkzv. ip-komponente (sl. 2.11a), imaju otpornici, kondenzatori, pa ak i neki kalemovi. Otpornici, takoe, mogu biti i cilindrinog oblika (sl. 2.11b). Cilindrini oblik kuita se koristi i za
diode, a oznaava se sa SOD (skraenica od Small Outline Diodes niskoprofilne diode). Kuita diskretnih poluprovodnikih komponenata, prvenstveno se misli na tranzistore (i bipolarne i
unipolarne), oznaavaju se sa SOT (od Small Outline Transistors niskoprofilni tranzistori), sl.
2.11c.
14
Integrisana kola u SMD izvedbi se pakuju na vie naina. Kuita SOIC (od Small Integrated Circuits niskoprofilna integrisana kola), sl. 2.11d, koriste se za integrisana kola sa relativno malo izvoda (od 6 do 28). Najea integrisana kola tipa CHIP CARRIER (nosa ipa),
sl. 2.11e, jesu PLLC (Plastic Leaded Chip Carrier, sl. 2.12); napominje se da je kod njih izvod sa
donje strane savijen ka unutranjosti kuita (u obliku slova J), sl. 2.13. Na sl. 2.11f VSO
oznaava kuita za veoma niskoprofilna integrisana kola (od Very Small Outline). U kuita
FLATPACK (ravna) sa sl. 2.11g spadaju veoma esto koriena kvadratna QFP (Quad Flat Pack,
sl. 2.12 i sl. 2.14a) i bezizvodna kvadratna QFN (Quad Flat Pack Non-lead, sl. 2.12 i 2.14b) kuita. MICROPACK (sl. 2.11h) ili TAB (od Tape Automated Bonding) interisana kola se koriste
za automatsko bondiranje sa trake.
Sl. 2.13. Izvodi (u obliku slova J) kod integrisanih kola sa kuitima tipa Chip carrier.
15
Sl. 2.14. a. Kvadratna QFP (Quad Flat Pack) kuita; (TQFP: Thin Quad Flat Pack;
PQFP: Plastic Quad Flat Pack; cifra iza QFP oznaava broj izvoda);
b bezizvodna kvadratna QFN (Quad Flat Pack Non-lead) kuita.
Na sl. 2.15 prikazana je tampana ploa jednog elektronskog ureaja sa povrinski montiranim komponentama, na kojoj se vide komponente u SOIC, SOT i QFP kuitima.
Sl. 2.15. Deo jednog elektronskog ureaja sa naznakom komponenata sa SOIC, SOT i QFP kuitima.
16
Za integrisana kola sa veoma velikim brojem izvoda (bolje rei kontaktnih zavretaka)
pokazalo se da su najpogodnija tkzv. BGA (od Ball Grid Array) kuita, sl. 2.12 i sl. 2.16. Prednosti BGA kuita ogledaju se u sledeem: imaju svojstvo samocentriranja, imaju krae elektrine veze (a to znai manje parazitne kapacitivnosti i induktivnosti, pa samim tim veu brzinu rada), imaju manju mehaniku osetljivost izvoda, imaju vei razmak izmeu lemnih taaka i imaju
bolja termika svojstva u odnosu na ostala SMD kuita.
17
Na ovom mestu interesantno je pomenuti da postoje, kao na sl. 2.17, vieipna kuita
koja u sebi sadre vie meusobno razdvojenih i naslaganih ipova, kao i dvojna kuita (sl.
2.18), gde se, praktino, jedno kuite nalazi u drugom.
Kod runog lemljenja komponenata sa izvodima (sl. 2.20), neophodno je prvo dobro oistiti sve delove koji e se lemiti, a zatim vrh lemilice nasloniti na lemno mesto tako da dodiruje i
provodni sloj na tampanoj ploi i metalni izvod komponente koji se lemi. Odmah potom treba
prisloniti tinol icu na taku koja predstavlja tromeu vrha lemilice, metalnog sloja ploice i
lemnog vrha komponente, sl. 2.21a. Ako je lemilica dobro zagrejana (na oko 300oC) i ako su
lemne povrine iste, vrh tinola e se trenutno istopiti i, zahvaljujui adheziji, poeti da obuhvata
sve metalne povrine. Bez prekida treba nastaviti da se uvodi tinol i, kad se proceni da ga je
dovoljno, skloniti tinol icu i nastaviti sa dranjem lemilice na istom mestu jo oko jedne sekunde, odnosno lem se ne sme dugo grejati moe doi do unitenja komponente ili odvajanja bakarne folije sa ploice. Posle toga se ukloni lemilica i procenjuje kvalitet uraenog lema. Ohlaeni i oformljeni tinol treba da ima oblik kupe kao na noici koja je na sl. 2.21b.
Treba napomenuti da, iako postoji posebna pasta za lemljenje, nju ne treba koristiti, s
obzirom da se u samoj tinol ici nalazi sredstvo koje pospeuje proces lemljenja. Meutim, to
sredstvo deluje samo u prvom trenutku, kad se tinol rastapa, a posle hlaenja postaje potpuno
neaktivno. Ovo sredstvo je neophodno, odnosno lemljenje je bez njega nemogue, ali ako
lemljenje nije uspelo iz prvog pokuaja (npr. ako tinol nije u celosti obuhvatio lemne povrine),
nita se nee popraviti samo lemilicom, bez novog tinola. Pored toga, kada delovi koji se leme
(bakarna folija na tampanoj ploi i izvodi komponente) nisu isti, ili je sam proces lemljenja
loe izveden, spojevi mogu da dobiju jedan od oblika kao na sl. 2.21c. U tom sluaju nije
preporuljivo dalje dodavanje tinola, iako se njegovim upornim nanoenjem mogu ostvariti spojevi koji lie na one sa sl. 2.21b to su tkzv. hladni spojevi, tj. spojevi koji vizuelno izgledaju
kao dobri, a u stvari su neispravni, jer ne obezbeuju elektrinu vezu na mestima lemljenja.
Tada, kao i u sluaju da tinola ima previe na lemnom mestu, bolje ga je ukloniti pomou
vakuum pumpice (sl. 2.22), ponovo dobro oistiti lemne povrine, pa ponoviti proces lemljenja
od poetka. Vrh lemilice potrebno je s vremena na vreme obrisati vlanim suneriem, da bi se
odrao uvek istim, ali se ne sme koristiti sintetiki suner (onaj koji se obino koristi u domainstvu za pranje), jer e se istopiti.
20
Pored opisanog naina lemljenja SMD-a, postoji i lemljenje selektivnim grejaem. Naime, posebno oblikovani zagrejani greja se postavlja samo na izvode komponenata, tako da se
svi izvodi (samo jedne komponente) istovremeno leme; ovaj nain lemljenja je posebno pogodan
za lemljenje integrisanih kola sa ravnim kuitima. Izvodi (ili kontaktni zavreci) ostaju pritisnuti
grejaem sve dok se mesto lemljenja ne ohladi. Nedostaci ovog lemljenja jesu to se na taj nain
ne mogu lemiti svi tipovi komponenata (npr. integrisana kola sa keramikim kuitima) i to se
istovremeno ne moe lemiti vie komponenata, ve samo jedna po jedna.
Pored tampanih ploa samo sa komponentama sa izvodima i iskljuivo sa komponentama za povrinsku montau, postoje i tampane ploe meovitog tipa, sl. 2.25a. Osnovni koraci
sklapanja (montae) tampanih ploa meovitog tipa prikazani su na sl. 2.25b. Prvo se ubacuju
komponente sa izvodima u otvore na ploi i krajevi privrste; zatim se ploa okree i nanosi lepak (adheziv) na plou ili na komponentu. Posle nanoenja adheziva postavljaju se SMD i, da bi
adheziv formirao dobru vezu pri lemljenju, ploa se sui. Nakon toga se komponente leme. Napominje se da je, takoe, mogue montiranje na istoj strani tampane ploe i SMD-a i komponenata sa izvodima.
Metode koje su nale iroku primenu pri lemljenju SMD komponenata, posebno pri
automatskoj montai SMD-a, jesu lemljenje razlivanjem i talasno lemljenje, sl. 2.26.
Za lemljenje razlivanjem neophodno je korienje paste za lemljenje. Pasta za lemljenje
je meavina osnovnog sredstva za lemljenje (obino srebro-paladijuma), vezivnog sredstva i
tenog materijala. Ova pasta se nanosi na tampanu plou, a zatim se komponente postavljaju
tako da se izvodi, odnosno kontaktni zavreci, praktino urone u pastu. Nakon toga se i tampana
ploa i komponente zagrevaju, pri emu se lem razliva i ostvaruje istovremeno lemljenje svih
komponenata; tipine temperature pri ovom nainu lemljenja su (215230)0C.
Kod talasnog lemljenja komponente se privruju za tampanu plou lepkom, odnosno
adhezivom i, nakon suenja, alje se velika koliina lema u obliku talasa preko ploe i komponenata. Za razliku od klasinog talasnog lemljenja koje se iroko primenjuje u konvencionalnoj
tehnici montae tampanih ploa sa komponentama sa izvodima, kod SMD talasnog lemljenja
se, najee, koristi dvostruki talas: najpre se turbulentnim talasom nanosi lem na sve kritine
21
take tampane ploe, a potom se laminarnim talasom sa tih mesta uklanja suvini lem. Nedostatak ovog naina lemljenja je potrebno relativno veliko rastojanje izmeu komponenata.
Sl. 2.25. a Meoviti tipovi tampanih ploa; b nain montae ploa meovitog tipa:
1. formiranje otvora (rupa) u ploi; 2. ubacivanje komponenata sa izvodima;
3. okretanje ploe i nanoenje adheziva; 4. nanoenje komponenta za povrinsko
montiranje; 5. gotove ploe, sa talasno zalemljenim komponentama.
Za ureaje automatske montae (sl. 2.27) komponente za povrinsko montiranje su najee pakovane u reljefne trake sa udubljenjima za smetaj komponenata, sl. 2.28. Reljefne trake
su od papira ili kartona i namotavaju se u koture, slino filmskim trakama (sl. 2.29). Sa ovih traka komponente se uzimaju pomou pipetnih jedinica. Pipetne jedinice za podizanje (uzimanje)
i postavljanje komponente predstavljaju osnovni deo ureaja za montau SMD-a na tampanu
plou. Njihova izvoenja mogu biti razliita, ali kod svih njih same pipete imaju par mehanikih
vilica i njima hvataju komponente iz leita u traci, a zatim ih kompjuterom upravljano sputaju
na odreena mesta na tanpanoj ploi.
22
Sl. 2.26. Prikaz osnovnih koraka pri lemljenju razlivanjem i talasnom lemljenju.
Sl. 2.29. Trake sa komponentama za povrinsko moniranje (na slici levo su prikazani
elektrolitski kondenzatori).
24
3. OTPORNICI
Pod otpornikom se podrazumeva komponenta koja poseduje tano odreenu vrednost
otpornosti, a koja se koristi za regulaciju raspodele elektrine energije izmeu komponenata
elektronskog kola.
Na sl. 3.1 su prikazani simboli kojima se oznaavaju otpornici u emama elektronskih
kola.
25
R=
l
,
S
(3.1)
pri emu je specifina otpornost otpornog materijala, koja se izraava u mm2/m, m ili cm.
Otpornost cilindrinog otpornika ija je zapremina od otporne mase prenika D, prikazanog na sl. 3.2a, iznosi:
R=
4l
.
D 2
(3.2)
S obzirom da kod slojnih otpornika (o kojima e vie biti rei u delu 3.2.2) debljina otpornog sloja moe biti veoma mala, esto znatno ispod 1 m, to je kod njih u velikoj meri poremeena idealna atomska struktura, usled ega je specifina otpornost h takvih slojeva vea od
zapreminske specifine otpornosti v . Stoga se za karakterizaciju tankog otpornog sloja koristi slojna otpornost RS jednaka odnosu specifine otpornosti tankog sloja h i njegove debljine
h:
RS =
h
h
(3.3)
Sl. 3.3. Zavisnost slojne otpornosti od debljine filma, uz specifinu otpornost filma h kao parametar.
26
Dakle, slojna otpornost RS zavisi od debljine filma i njegove specifine povrinske otpornosti. To znai, a to se i vidi sa sl. 3.3, da bi se, na primer, dobila slojna otpornost RS = 100 / ,
mogue je koristiti materijale specifinih otpornosti h = 0,1 mm2/m, h = 1 mm2/m, h = 10
mm2/m ili h = 100 mm2/m sa debljinama filma h = 0,001 m, h = 0,01 m, h = 0,1 m ili h
= 1 m, respektivno. Treba napomenuti da se vea stabilnost karakteristika osigurava debljim
otpornim slojevima, pa je bolje za istu vrednost slojne otpornosti koristiti materijal vee specifine otpornosti h.
Otpornost slojnih otpornika cilindrinog oblika (jedan od takvih je prikazan na sl. 3.2b),
kod kojih je debljina otpornog sloja h znatno manja od prenika tela otpornika (h << D), data je
izrazom:
R = h
l
l
l
.
= h
= RS
Dh
h D
D
(3.4)
Da bi se poveala otpornost tankoslojnog otpornika, otporni sloj je ponekad prorezan nizom neprovodnih crta (pruga) irine a, sl. 3.2c. Otpornost takvog otpornika odreena je irinom
neprovodne trake i njihovim brojem N i iznosi:
R=
Ro
,
Na
1
D
(3.5)
t 2 + 2 D 2
,
t (t a )
(3.6)
pri emu su: t korak narezane spirale (sl. 3.2d); a irina neprovodne trake; Ro otpornost
otpornika pre nego to su narezane neprovodne trake.
2. Nazivna (nominalna) snaga Pn. To je maksimalna dopustiva snaga koja se razvija na
otporniku u toku relativno dugog vremenskog perioda pri neprekidnom optereenju i odreenoj
temperaturi okolne sredine, pri emu parametri otpornika ostaju u odreenim granicama.
Pri optereenju otpornika snagama koje su iznad nazivne dolazi do razaranja otpornog
materijala, ime se smanjuje vek otpornika, ili, ak, do pregorevanja istog. Ova snaga se zasniva
na maksimalnoj temperaturi koju ne sme da pree nijedno mesto na otporniku. Nazivna snaga
zavisi od dimenzija otpornika i uslova hlaenja, kao i od uslova eksploatacije. Ovom snagom
odreena je i maksimalna vrednost struje kroz otpornik:
I max =
Pn
.
R
(3.7)
Vrednosti nazivnih snaga odreene su standardom. Na sl. 3.4 prikazani su, ako se to eli
posebno da naznai, nain obeleavanja nazivnih snaga otpornika snage od 0,25 W do 2 W i
dimenzije pojedinih otpornika zavisno od njihove nazivne snage.
27
Sl. 3.4. Obeleavanje nazivnih snaga otpornika (tamo gde se to eli da istakne)
i dimenzije pojedinih otpornika odgovarajue nazivne snage.
Nazivne vrednosti
1,0
1,0
1,2
1,0
1,1
1,2
1,3
1,5
1,5
1,8
1,5
1,6
1,8
2,0
2,2
2,2
2,7
2,2
2,4
2,7
3,0
3,3
3,3
3,9
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
4,7
5,6
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
6,8
8,2
6,8
7,5
8,2
9,1
Tolerancija
20%
10%
5%
Oznaavanje
jedinice merenja
Omi ()
E ili R
Kiloomi
(k)
Megaomi
(M)
Gigaomi
(G)
Teraomi
(T)
Primer
skraenog
oznaavanja
E47 ili R47
4E7 ili 4R7
47E ili 47R
K47
4K7
47K
M47
4M7
47M
G47
4G7
47G
T47
1T0
Odgovarajue
znaenje
0,47
4,7
47
0,47 k 470
4,7 k
47 k
0,47 M 470 k
4,7 M
47 M
0,47 G 470 M
4,7 G
47 G
0,47 T 470 G
1,0 T
Pored ovoga, prema publikaciji IEC 115-1 (klauzula 4.5), za otpornike kod kojih je bitna
mala temperaturna promena otpornosti, pri oznaavanju bojama mogu se koristiti i est traka; u
tom sluaju, esta traka, koja je dvostruko ira od ostalih, oznaava vrednost temperaturnog
koeficijenta otpornosti, T3.3.
T3.3. Oznaavanje otpornika bojama
Napomena: umesto 10-6 esto se koristi oznaka ppm, tako da je 10-6/ oC ppm/ oC.
R =
1 dR 1
.
R dT o C
(3.8)
Temperaturni koeficijent otpornosti, koji zavisi i od same vrednosti otpornosti, kod nenamotanih otpornika ima vrednosti R = (110)10-41/oC, a kod namotanih otpornika R = (0
2)10-4/oC.
Treba napomenuti da vrednost temperaturnog koeficijenata otpornosti h tankih slojeva
zavisi od debljine sloja, sastava legure, naina nanoenja filma, vrste podloge i temperature. Jedna tipina zavisnost temperaturnog koeficijenata otpornosti h nihromskog (nihrom legura nikla i hroma) tankog filma od debljine filma prikazana je na sl. 3.6. Sa slike se vidi da vrlo tanki
filmovi nihroma imaju h < 0, a da je kod odreene debljine sloja h = 0.
Za opseg radnih temperatura T otpornost otpornika stalne otpornosti na nekoj temperaturi T vrlo priblino jednaka je:
R = Ro (1 + R T ) ,
(3.9)
Zbog toga, za svaki tip otpornika postoji maksimalna temperatura okolne sredine pri kojoj se
sme otpornik da optereti nazivnom snagom. Kada otpornik treba da radi pri viim temperaturama, onda se mora opteretiti snagom koja je manja od nazivne, sl. 3.7.
(3.10)
pri emu je S spoljanja povrina otpornika (povrina hlaenja), a koeficijent prenoenja toplote, ija je vrednost = (12)10-3 W/oCcm2.
2. Vlanost. Otpornost otpornika moe biti izmenjena u sluaju da je on pod uticajem
vlage. Ova promena otpornosti nastupa zbog toga to se usled vlane povrine otpornika stvara
provodni most, te se antira otpornik (ova pojava je izraenija kod otpornika velike otpornosti), ili se usled oksidacije i elektrohemijskih procesa razara otporni sloj otpornika. Zbog toga se
vri zatita povrine otpornika kvalitetnim lakovima, emajlima ili, pak, ulaganjem u plastine
mase. Na taj nain se, pored zatite od vlage, otporni sloj titi i od mehanikih povreda. Savremeni otpornici mogu raditi u sredinama sa relativnom vlanou i do 98%.
3. Elektrino optereenje. Za razliku od metalnih provodnika, otpornost nenamotanih
otpornika ne ostaje konstantna kada su oni prikljueni na odreeni napon. Naime, kod otpornika,
ak i pri neznatno malom porastu napona na njemu, otpornost toga otpornika poinje da opada, a
sama pojava ima nelinearan karakter. Nelinearnost otpornosti otpornika sa zrnastom strukturom
uslovljena je promenom provodnosti kontakata izmeu estica, to je posledica neravnomernog
zagrevanja istih. Kod kompozitnih otpornika sa vrlo grubom krupnozrnastom strukturom moe
doi do lokalnog stapanja zrnaca, usled ega se menja otpornost otpornika; kod isto metalnih
slojeva se ne primeuje nelinearnost otpornosti.
Kao mera nelinearnosti otpornosti moe posluiti naponski koeficijent otpornosti. Ovaj
koeficijent, ija je vrednost negativna, oznaava promenu otpornosti otpornika kada se na njega
prikljui napon V i jednak je:
V =
1 R
100 (%/V).
V R
(3.11)
(3.12)
pri emu su: k = 1,3810-23 J/K Bolcmanova konstanta, T (K) apsolutna temperatura, R ()
otpornost otpornika, f (Hz) irina frekventnog podruja u kome se meri um.
Strujni um, koji je posebno izraen kod nenamotanih otpornika, javlja se samo kada
protie struja kroz otpornik. On je posledica promene povrine kontakata izmeu zrna otpornog
materijala pri proticanju struje kroz otpornik. Usled toga ovaj um zavisi od fizikih osobina materijala i naina izrade otpornika, te se ak menja od jednog do drugog uzorka iste vrste otpornika. Intenzitet strujnog uma, kao i termikog, izraen preko napona Vstr proporcionalan je kvadratnom korenu iz otpornosti otpornika, ali, za razliku od termikog uma, zavisi od struje koja
protie kroz otpornik i slabo zavisi od temperature. Nivo ovoga uma se smanjuje sa poveanjem
duine otpornika i sa smanjenjem veliine zrna otpornog materijala. Na sl. 3.8 prikazan je strujni
um (kao odnos Vstr/V) u funkciji vrednosti otpornosti tri tipa otpornika (videti odeljak 3.2). Vidi
se da slojni kompozitni otpornici imaju nivo uma priblino za dva reda veliine vei nego to ga
imaju metalslojni otpornici.
Ukupan napon uma (V = Vter + Vstr) definie nivo sopstvenih umova, izraen preko
V/V. Po nivou sopstvenih umova standardni otpornici se dele na dve grupe. Prvu grupu ine otpornici kod kojih nivo umova nije vei od 1 V/V, a drugu otpornici sa nivoom uma ne
veim od 5 V/V u frekventnom opsegu od (606000) Hz.
Kod otpornika velike otpornosti, kod kojih je R2 > Lp/Cp, moe se zanemariti induktivnost otpornika i ekvivalentna ema je predstavljena paralelnom vezom Rn i Cp, sl. 3.9a, tako da je
aktivna komponenta kompleksne otpornosti jednaka:
Ra =
Rn
,
1 + ( C p R n ) 2
(3.13)
pri emu je Rn nazivna otpornost otpornika. Iz (3.13) se vidi da se pri malim vrednostima CpRn
aktivna komponenta Ra malo razlikuje od Rn.
Smanjenje aktivne otpornosti otpornika na visokim frekvencijama zavisi, takoe, i od
povrinskih efekata, skin efekta i dielektrinih gubitaka (u telu otpornika, keramici, zatitnom
sloju, itd.). Uzimanje svih ovih efekata pri proraunu uticaja frekvencije na karakteristike otpornika je veoma kompleksno. Zbog toga se u praksi najee koriste zavisnosti promene otpornosti
od frekvencije dobijene eksperimentalnim putem, sl. 3.10. Iz ovih zavisnosti je evidentno da se
na visokim frekvencijama aktivna komponenta otpornika velike otpornosti moe da smanji i nekoliko puta, o emu se mora voditi rauna pri upotrebi odreenog otpornika.
34
Vdoz = Vmax
1 + (C p R p )
(3.14)
35
SMD
Nenamotani otpornici stalne otpornosti se mogu podeliti na nain prikazan na sl. 3.14.
Nadalje e ukratko biti date osnovne osobenosti razliitih tipova otpornika konstantne
otpornosti. Pre svega bie rei o slojnim otpornicima, koji se sastoje od otpornog sloja (filma)
nanetog na izolacionu podlogu, na primer na keramiki tapi ili cevicu na ijim su krajevima
uvreni kontakti. Ovi otpornici su stabilnih elektrinih karakteristika, malih dimenzija, dugog
veka eksploatacije, itd.
Za nanoenje otpornih materijala u obliku tankih slojeva (filmova) koristi se ili vakuumsko naparavanje ili katodno raspravanje. Vakuumsko naparavanje je metoda kod koje se, u
uslovima pritiska reda (10-710-4) Pa, otporni materijal zagreva do temperature isparenja i koji
se, zatim, naparava na izolatorsku podlogu. Sa druge strane, metoda katodnog raspravanja ne
zahteva vakuum, ve se to raspravanje odvija u uslovima niskog pritiska, reda (0,020,1) Pa i u
prisustvu nekog inertnog gasa, npr. argona. Kod ove metode egzistira jako elektrino polje izmeu katode i anode, ostvareno potencijalnom razlikom od (35) kV. Katoda je od materijala koji
treba da se nanese u tankom sloju na podlogu, dok je sama podloga u blizini anode. Pozitivni
joni, koji se generiu izmeu katode i anode, dobijaju dovoljnu kinetiku energiju da, udarivi u
katodu, izbacuju iz nje atome, odnosno jone materijala koji se naparava i koji se potom, pod
uticajem elektrinog polja, taloe na izolacionu podlogu.
36
Svaka od ovih metoda ima prednosti i nedostatke. Tako, katodnim raspravanjem se dobijaju homogeniji slojevi tekotopljivih, i po hemijskom sastavu, sloenijih materijala na veoj povrini. Istovrermeno, pri procesu katodnog raspravanja, nastaje reakcija rasprenog materijala sa
ostacima gasova u komori, to ozbiljno pogorava osnovna svojstva tako dobijenih slojeva. Vakuumskim naparavanjem se dobijaju najistiji slojevi. Stepen zagaenja slojeva se kontrolie
pritiskom zaostalih gasova; za snienje pritiska praktino nema ogranienja. Sa druge strane,
pak, vakuumskim naparavanjem se mogu dobiti samo otporni slojevi relativno prostog hemijskog sastava.
Metalslojni otpornici su 23 puta manjih dimenzija od odgovarajuih ugljeninih otpornika opte namene pri istoj nazivnoj snazi, sl. 3.18.
Metalslojni
Ugljenini
38
Metalizirani otpornici
Kod metalslojnih otpornika sa otpornim slojem od legura metala (metalizirani) legure su
obino sastavljene od vie metala; one mogu biti veome velike specifine otpornosti. Jedan od
esto upotrebljavanih otpornih materijala za metalizirane otpornike jeste legura hroma i nikla,
poznata i kao nihrom. Povrinska otpornost slojeva nihroma se regulie promenom odnosa hroma i nikla u leguri, a kada im se dodaju male koliine bakra i alumunijuma, dobija se materijal
koji ima vrednost temperaturnog koeficijenta otpornosti priblino jednak nuli na sobnoj temperaturi (videti sl. 3.6).
Uopte, metalizirani otpornici imaju neke bolje, a neke loije karakteristike od odgovarajuih ugljeninih otpornika opte namene pri istoj nazivnoj snazi. Naime, oni imaju bolje
temperaturne karakteristike i stabilniji su i otporniji na klimatske uslove (posebno vlagu), to se
postie dugotrajnom termikom i elektrinom stabilizacijom otpornog sloja. Nedostatak metaliziranih otpornika jeste manja pouzdanost pri veim disipacijama, posebno pri impulsnom radu,
to je posledica lokalnog pregrevanja nehomogenog otpornog sloja. Takoe, ovi otpornici imaju
loije frekventne osobine od ugljeninih otpornika.
Metaloksidni otpornici
Metaloksidni otpornici imaju otporni sloj od toplotnootpornih oksida metala, najee
dioksida kalaja ili oksida rutenijuma naneenih obino na staklenu podlogu (a ne na keramiku
kao kod metaliziranih otpornika). U poreenju sa metaliziranim otpornicima, proizvodnja metaloksidnih otpornika je prostija, karakteristike su im sline, dimenzije identine, imaju izrazito
nizak nivo uma, imaju vei temperaturni koeficijent otpornosti, ali su stabilniji pri impulsnim
optereenjima i mehanikim dejstvima.
Kermetni otpornici
Otpornici sa mikrokompozitnim filmovima od dielektrika i metala zovu se kermetni otpornici (naziv kermet potie od KERamika i METal). Kermetni slojevi se odlikuju vrlo velikom
slojnom otpornou. Za tankoslojne otpornike najbolje karakteristike od kermetnih materijala pokazuje smesa hroma i silicijum monoksida. Taj kermet je homogen, ima visoko atheziono svojstvo, visoku temperaturnu stabilnost i dobre mehanike osobine.
3.2.5. ip otpornici
ip otpornici, koji se koriste za povrinsko montiranje, mogu biti sa tankim (tankoslojni
SMD) i debelim (debeloslojni SMD) otpornim slojem. Na sl. 3.20 su prikazani osnovni delovi
jednog tankoslojnog ip otpornika za povrinsku montau: na supstrat, koji je od alumine, keramike ili stakla, naneen je tanak sloj otpornog materijala. Tipini otporni materijali su: nihrom,
legura hroma i kobalta i tantalnitrid. Otporni sloj i kontaktna elektroda (kontaktni zavretak) spojeni su metalnim filmom, odnosno spojnom elektrodom.
Pored ve klasinih ip otpornika za povrinski montirane tampane ploe, danas metalslojni otpornici poprimaju i drugaije oblike, posebno kada je re o veoma preciznim otpornicima (sl. 3.21).
40
Na sl. 3.24 prikazan je presek otpornikog modula sa jednostranim izvodima i zajednikim izvodom (tipa prvog modula na sl. 3.22). Sami otpornici u otpornikim modulima najee
su dobijeni ili tankoslojnom ili debeloslojnom tehnologijom.
41
ima negativan temperaturni koeficijent otpornosti R, kazma, evanom, itd). ice su razliitih
prenika. Izborom duine, prenika i legure od koje je otporna ica nainjena mogu se dobiti
otpornici od 0,1 do 1 M i snaga znatno iznad 10 W.
S obzirom da iani otpornici rade sa velikim snagama, razvijajui, pri tom, visoke temperature, neki od njih se ugrauju u keramika kuita sa ljebovima, koja omoguavaju da se na
njih relativno lako postave metalni hladanjaci, koji su ili slobodni, ili se, u cilju efikasnijeg
hlaenja, vezuju za same asije (sl. 3. 26). Na sl. 3.27 prikazan je spoljanji izgled ianih otpornika sa hladnjacima.
koeficijenata otpornosti. Neka su R1o i R2o otpornosti osnovnog i kompenzacionog namotaja pri
temperaturi To, a 1 i 2 odgovarajui temperaturni koeficijenti otpornosti. Otpornost ovakve
redne veze, pri promeni temperature za T, na osnovu (3.9) je:
R + 2 R2 o
R = Ro (1 + u T ) = ( R1o + R2o )1 + 1 1o
T .
R1o + R2 o
(3.15)
= 2 .
R2 o
1
(3.16)
44
b.
a.
Sl. 3.29. a Slojni kruni potenciometar: 1 otporni sloj; 2 zakivka; 3, 11, 12 izvodi;
4 osnova od plastine mase ili pertinaksa; 5 izvod struje; 6 kontaktna etkica; 7 dra etkice;
8 osovina; 9 nosa zavrtnja; 10 metalni poklopac. b Pravolinijski (iber) potenciometar.
Postojanost na habanje je okarakterisana sposobnou potenciometra da sauva nepromenjene karakteristike pri viestrukom korienju pokretnih delova potenciometra. Ona se ocenjuje brojem korienja tih pokretnih delova, a da pri tom karakteristike potenciometra ostanu u
dozvoljenim granicama. Ovaj broj korienja iznosi kod potenciometara opte namene do 50000,
a kod potenciometara za profesionalnu upotrebu 105107.
Dopunski kontaktni um nastaje izmeu otpornog elementa i pokretnog kontakta kako
pri pomeranju pokretnog sistema (um pomeranja), tako i pri fiksiranom poloaju istog. Nivo
uma pomeranja je znatno vei od nivoa termikog i strujnog uma.
Funkcionalna karakteristika otpornosti predstavlja zakon promene otpornosti izmeu
nepokretnog (12) i pokretnog (11) kontakta potenciometra (sl. 3.29a) pri pomeranju pokretnog
sistema, a zavisi od naina konstrukcije potenciometra. Najee se primenjuju potenciometri sa
linearnom (kriva 1 na sl. 3.30), logaritamskom (kriva 2) i inverzno-logaritamskom (kriva 3)
promenom otpornosti. Pored njih, postoje potenciometri i sa drugaijom promenom otpornosti,
na primer sa sinusnom, kosinusnom i drugim funkcionalnim zavisnostima.
Otpornost krunih potenciometara sa linearnom promenom otpornosti (linearnih potenciometara) zavisi od ugla obrtanja pokretnog sistema, tako da je:
R = Rmin +
( Rmax Rmin ) ,
m
(3.17)
.
=k
Rmin
m
(3.18)
b.
c.
46
Posebnu grupu motanih potenciometara ine vrlo precizni vieokretni (helikoidalni) potenciometri (sa tolerancijom otpornosti do 1%), sl. 3.31; kod njih, da bi se dobila maksimalna
vrednost otpornosti, kliza treba okrenuti (po 360o) 2-, 3-, 5- ili 10-puta. Mogu biti za direktnu ili
servo ugradnju (preko kainika, sl. 3.31c).
a.
b.
Direktno zagrevanje
Indirektno zagrevanje
oksida prelaznih metala (od titana do cinka u Mendeljejevom sistemu). Veliku primenu su nali
oksidi kobalta (Co2O3), titana (TiO2), aluminijuma (Al2O3), nikla (NiO), mangana (Mn2O3),
cinka (ZnO), bakra (CuO i Cu2O), hroma (Cr2O3), kalaja (SnO), itd. Obino se upotrebljavaju
smese nekoliko oksida, od kojih se, metodom keramike tehnologije, dobijaju NTC otpornici
razliitog oblika, sl. 3.36.
SMD
B
R = R exp ,
T
(3.19)
P=
V2 U2
= I 2 R = H (T Tos ) ,
R
R
50
(3.20)
Iz (3.19) i (3.20) mogue je dobiti jednainu strujno-naponske karakteristike NTC otpornika u parametarskom obliku:
B
V U = HR (T Tos ) exp ;
T
I=
H
(T Tos ) exp B .
R
T
(3.21)
(3.22)
Dakle, oblik statike strujno-naponske karakteristike NTC otpornika odreen je samo koeficijentom disipacije H, njegovom otpornou na temperaturi T i temperaturom okolne sredine.
Iz jedn. (3.21) i (3.22) mogue je odrediti ekstremume statike strujno-naponske karakteristike
uz uslov da su konstantni koeficijent temperaturne osetljivosti i koeficijent disipacije:
Teks =
B B(B 4Tos )
2
(3.23)
pri emu je Teks temperatura pri ekstremnoj vrednosti strujno-naponske karakteristike, tj. pri
dU/d I = 0. Iz jedn. (3.23) sledi:
statika strujno-naponska karakteristika NTC otpornika imae ekstremnu vrednost napona
samo ako je ispunjen uslov B > 4Tos;
temperatura, a to znai i otpornost NTC otpornika, pri ekstremnim vrednostima napona odreeni su samo vrednostima B i Tos. Temperatura NTC otpornika pri ekstremnim vrednostima
napona ne zavisi, na primer, od koeficijenta disipacije, a to znai da e maksimumi (i minimumi)
statikih strujno-naponskih karakteristika NTC otpornika biti tano pri jednoj te istoj vrednosti
otpornosti NTC otpornika, nezavisno od njegovog oblika i dimenzija.
51
SMD
(3.24)
gde su A, B i C konstante.
3.5.3. Varistori
Varistori ili VDR otpornici (sl. 3.42) su otpornici kod kojih se otpornost nelinearno menja sa promenom jaine elektrinog polja, odnosno napona na njima (sl. 3.43). Koriste se za naponsku stabilizaciju, posebno veih vrednosti napona.
Varistori se najee izrauju od cink oksida. Nelinearnost otpornosti od elektrinog polja uslovljava nelinearnost i naponsko-strujne karakteristike varistora, sl. 3.44. Strujno-naponska
karakteristika varistora data je izrazom:
I = K V K U ,
(3.25)
gde je K konstanta, a koeficijent nelinearnosti varistora, ija vrednost (npr. proizvodnje SIEMENS) iznosi = 3055.
53
log I 2 log I 1
log1 log10 3
0 (3)
3
=
=
=
38 .
log U 2 log U 1 log 470 log 390 2.67 2.59 0.08
54
3.5.4. Fotootpornici
Jedan tip fotootpornika prikazan je na sl. 3.46. Fotootpornici su poluprovodniki otpornici kod kojih se otpornost smanjuje pod uticajm svetlosti. Rad poluprovodnikih fotootpornika
zasnovan je na efektu fotoprovodnosti (unutranjem fotoelektrinom efektu). Izrauju se od kadmijum sulfida (CdS), kadmijum selenida (CdSe), kadmijum sulfoselenida (CdSSe), cink sulfida
(ZnS), a za oblast infracrvenog zraenja od olovo sulfida (PbS), indijum antimonida (InSb), kadmijum telurida (CdTe), itd. U najveem broju sluajeva otporni materijal se nanosi na izolacionu
podlogu, a preko toga se prekriva providnim materijalom, sl. 3.47.
Sl. 3.47. Konstruktivni izgled fotootpornika: aploica od steatita; bfotoosetljivi otporni sloj (CdS);
celektrode za kontakt (ovde su u obliku elja); dprovidno kuite od epoksidne smole; eizvodi.
2. Promena otpornosti sa osvetljajem, sl. 3.48b, meri se pri razliitom osvetljenju otpornika svetlou sloenog spektralnog sastava. Ova promena otpornosti iznosi 104105 puta.
3. Svetlosna karakteristika predstavlja zavisnost fotostruje IF od osvetljenosti E, pri
konstantnom naponu, sl. 3.49. U nekoj oblasti promene osvetljenosti za svetlosnu karakteristiku
se koristi zavisnost:
IF = A E ,
(3.26)
gde su: A konstanta koja zavisi od tipa fotootpornika; konstanta koja zavisi od talasne duine svetlosti i tipa fotootpornika; E osvetljenost.
56
4. Spektralna karakteristika (sl. 3.50) izraava relativnu promenu fotostruje u zavisnosti od talasne duine svetlosti koja pada na fotootpornik. Karakteristino je za sve fotootpornike
da postoji talasna duina opt, zavisno od materijala od koga je sainjen fotootpornik, pri kojoj je
najvea promena fotostruje. To je tzv. maksimalna spektralna osetljivost.
57
4. KONDENZATORI
Kondenzator predstavlja sistem od najmanje dva provodna tela (ploe, folije, metalizirane folije) razdvojena dielektrikom, a koji ima sposobnost akumulacije elektrine energije.
Na sl. 4.1 su prikazani simboli kojima se oznaavaju kondenzatori u emama elektronskih kola.
Q
.
V
(4.1)
= r o ,
(4.2)
58
a.
b.
C = or
S (N 1)
S ( N 1)
= 0,0885 r
,
d
d
(4.3)
bL
,
d
(4.5)
C ekv = C i ,
(4.6)
i =1
a kada je njih vie vezano na red, ukupna kapacitvnost se izraunava na osnovu izraza:
n
1
1
= .
C ekv i =1 C i
(4.5)
1000 pF = 1 nF 10%,
50 VDC
47 pF 20%,
C = 2200 ppm/oC
0,47 F,
100VDC
20 pF 20%,
50 VAC,
400VDC
O detaljnijem oznaavanju kondenzatora, kako slovima tako i bojama, videti u knjizi: Stojan Risti, RLC komponente, Prosveta, Ni, 2005.
60
V
.
I cu
(4.6)
Struja curenja Icu je vrlo mala, reda stotog ili hiljaditog dela mikroampera (izuzev kod
elektorlitskih kondenzatora) i raste sa temperaturom priblino po eksponencijalnom zakonu, tako
da otpornost izolacije jako zavisi od temperature i veoma je velika (izraava se u megaomima,
gigaomima, a takoe i u teraomima). Otpornost izolacije prvenstveno zavisi od specifine zapreminske otpornosti dielektrika i od njegovih dimenzija (debljine d i povrine S):
R=
d
.
S
(4.7)
Otpornost izolacije se meri pri normalnim klimatskim uslovima. Sa poveanjem temperature ova otpornost se eksponencijalno smanjuje (sl. 4.4).
Za N = 2, iz (4.3) i (4.7) sledi:
RC = o r = C .
(4.8)
Veliina C = RC se zove vremenska konstanta kondenzatora i izraava se u sekundama. Kao to se iz (4.8) vidi, vremenska konstanta ne zavisi od dimenzija kondenzatora, ve
61
t
vC (t ) = E 1 exp( ) .
C
(4.9)
Sl. 4.4. Otpornost izolacije razliitih vrsta dielektrika u funkciji temperature pri 500 V
jednosmernog napona na oblogama kondenzatora: 1 liskun zatopljen epoksidnom
smolom; 2 izolovana keramika; 3 neizolovana keramika; 4 namotan impregnisan papir;
5 liskun zatpoljen bakelitom; 6 metalizirani papir; 7 impregnisani papir.
Ako je, pak, kondenzator bio napunjen i na njegovim oblogama je bio napon E, pri
njegovom slobodnom pranjennju napon na kondenzatoru e se smanjivati po zakonu:
vC (t ) = E exp(
t
).
C
(4.10)
Vremenska konstanta
Nekoliko dana
Nekoliko sati
Jedan do dva sata
Nekoliko minuta
Nekoliko sekundi
Induktivnost kondenzatora obino je mala i ima vrednost reda nanohenrija. Otpornost gubitaka r, koja se sastoji od aktivnih otpornosti obloga kondenzatora i izvoda, za obine kondenzatore (ne elektrolitske), iznosi desetine delova oma. Otpornost R >> r u naznaenoj ekvivalentnoj emi jednaka je otpornosti izolacije kondenzatora (ova otpornost se obeleava i sa Rp paralelna otpornost).
Postojanje sopstvene induktivnosti uslovljava pojavu rezonance koja nastaje pri rezonantnoj frekvenciji:
fr =
1
2 LC C
(4.11)
To znai da e se kondenzator pri frekvencijama f > fr ponaati kao impedansa koja ima
induktivni karakter. Drugim reima, kondenzator treba koristiti pri frekvencijama f < fr, pri
kojima impedansa kondenzatora ima kapacitivni karakter. Najee se radni opseg frekvencija
bira tako da je najvia frekvencija 23 puta nia od rezonantne frekvencije kondenzatora. Na sl.
4.6 prikazane su tipine zavisnosti impedanse aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora i kondenzatora sa plastinim metaliziranim folijama od frekvencije.
Poveanje rezonantne frekvencije fr postie se smanjenjem parazitne kapacitivnosti LC.
Jedan od naina dobijanja malih vrednosti induktivnosti LC jeste primena kratkih izvodnica, ili
upotreba kondenzatora za povrinsko montiranje (SMD). Smanjenje induktivnosti LC kod namotanih tubastih kondenzatora postie se postavljanjem kontakata izvodnica to je mogue blie
jedan drugome.
Gubici u parazitnim kapacitivnostima, do kojih neminovno dolazi usled konstruktivnih
izvoenja kondenzatora (inkapsulacija, zalivanje ili presovanje u plastine mase, itd.), kao i
gubici na otpornosti izolacije (otpornosti R = Rp na ekvivalentnoj emi na sl. 4.5) odreuju donju
graninu frekvenciju kondenzatora. Slika 4.7 prikazuje opseg frekvencija pri kojima se kondenzatori sa razliitim dielektricima mogu koristiti. S obzirom da se konstrukcijom i tehnologijom
proizvodnje kondenzatora moe unekoliko da utie na frekventni opseg, to je dijagram na sl. 4.7
samo orijentacionog karaktera.
63
Sl. 4.6. Frekventna zavisnost modula impedanse: a aluminijumskih elektrolitiskih kondenzatora; b kondenzatora sa metaliziranim plastinim folijama.
Pa = P + Pm ,
(4.12)
Sl. 4.8. a Redna ekvivalentna ema kondenzatora; b fazorski dijagram napona i struja.
Re = r +
Rp
1 + (R p C ) 2
1
; C e = C 1 +
( R p C ) 2
C za (R p C ) 2 >> 1.
(4.13)
Ugao , koji dopunjuje ugao izmeu vektora struje I i napona V (sl. 4.8b) do 90o zove se
ugao gubitaka. Tangens tog ugla, ija je vrednost pri zadatoj kapacitivnosti kondenzatora C i
frekvenciji direktno proporcionalna otpornosti gubitaka Re, zove se tangens ugla gubitaka
kondenzatora:
tg =
V Re
R I
1
e = r C +
= tg m + tg ,
1
VCe
R p C
I
C
(4.14)
gde je tgm = rC tangens ugla gubitaka u metalnim delovima, a gubici u dielektriku su dati
uglom gubitaka i tangensom ugla gubitaka tg 1/(RpC).
Veliina inverzno proporcionalna tangensu ugla gubitaka (Q = 1/tg) jeste faktor dobrote kondenzatora (Q-faktor).
Kao to se iz jedn. (4.14) vidi, tangens ugla gubitaka jednak je zbiru tangensa ugla gubitaka u metalu (tgm) i dielektriku (tg). Treba naglasiti da je tg dominantan pri vrlo niskim
frekvencijama i da sa porastom frekvencije naglo opada. Sa druge strane, kao to je evidentno iz
jedn. (4.14), tgm raste sa frekvencijom, tako da se moe smatrati da je na visokim frekvencijama
tg tgm, sl. 4.9a,b. Tangens ugla gubitaka, meren za razliite tipove kondenzatora u njihovom
radnom opsegu frekvencije, iznosi a10-4, pri emu koeficijent a ima vrednosti od jedinice za
vazdune do a = 1000 3000 za elektrolitske kondenzatore.
65
(4.15)
1 dC
.
C dT
(4.16)
66
C =
C (T ) C (To )
100 (%).
C (To )
(4.17)
Uticaj vlage na karakteristike kondenzatora moe biti znatan u sluaju da vlaga prodre u
dielektrik, ime se menja dielektrina konstanta dielektrika (dielektrina konstanta vode iznosi r
= 80), a to znai da se menja i kapacitivnost kondenzatora. Pored toga, prisustvo vlage znatno
smanjuje otpornost izolacije. Kao rezultat smanjenja otpornosti izolacije rastu gubici, posebno
pri povienim temperaturama, a takoe se smanjuje i elektrina vrstoa usled porasta verovatnoe nastajanja toplotnog proboja. Pri konstantnom dejstvu vlage postoji mogunost nastajanja
elektrohemijskih pojava u dielektriku. Katastrofalne promene vrednosti parametara kondenzatora
najee se javljaju kod kondenzatora koji due vreme nezatieni rade pri visokoj vlanosti,
posebno u tropskim krajevima. Kondenzatori koji su zatopljeni u plastine mase mogu pouzdano
da rade pri relativnoj vlanosti vazduha do 90%, a hermetizovani do iznad 98%.
Kondenzatori stalne (konstantne) kapacitivnosti najee se dele prema vrsti upotrebljenog dielektrika, tako da se razlikuju: papirni kondenzatori, kondenzatori sa metaliziranim papirom, kondenzatori sa plastinim i metaliziranim plastinim folijama, liskunski kondenzatori, stakleni kondenzatori, keramiki kondenzatori, elektrolitski kondenzatori, itd. Vie informacija o
njima u odnosu na ono to e nadalje biti dato mogu se nai u knjizi navedenoj u fusnoti br. 1.
67
68
a.
b.
a.
b.
d.
c.
folije, respektivno. Po elektrinim karakteristikama i polikarbonatski i polipropilenski kondenzatori su veoma slini stirofleksnim kondenzatorima, ali za razliku od njih imaju 1015 puta manju zapreminu (manjih su dimenzija) i mogu se koristiti u irem temperaturnom opsegu.
po emu se kondenzatori razlikuju od keramikih kondenzatora tipa II i tipa III jeste to je kod
njih promena kapacitivnosti sa temperaturom linearna, sl. 4.21.
Sl. 4.22. Temperaturne zavisnosti kapacitivnosti keramikih kondenzatora tipa I; oznaka, npr.
N1500, znai da je temperaturni koeficijent kapacitivnosti negativan i da iznosi C = 150010-6 1/oC.
73
S
,
d
(4.18)
borne kiseline i amonijaka), a za dovod elektrine struje i kontakt sa elektrolitom koristi se druga
aluminijumska folija. Izmeu oksidisane aluminijumske folije i folije za dovod struje (katode)
nalazi se u elektrolitu uvijen (slino kao kod papirnih kondenzatora) papir. Papir ima ulogu
razdvajaa izmeu pozitivne folije (anode) i negativne folije (katode).
Ono o emu mora da se vodi rauna jeste da pri inverznoj polarizaciji polarizovanog
elektrolitskog kondenzatora, ve pri naponu od 2V, nastaje proces oksidacije katodne aluminijumske folije, to se oituje poveanjem struje, a sve to dovodi do pogoravanja karakteristika
kondenzatora (pri veim inverznim naponima nastupa proboj uz jako ujan prasak). Zbog toga su
polarizovani alumijumski elektrolitski kondenzatori namenjeni za rad pri jednosmernoj polarizaciji, a kada se jednosmernoj polarizaciji superponira naizmenini napon, mora se voditi rauna
da pri negativnoj poluperiodi naizmeninog napona inverzni napon ne bude vei od 2V.
Kod nepolarizovanih (bipolarnih) elektrolitskih kondenzatora katodna neoksidisana folija je zamenjena oksidisanom folijom. Zbog toga ovi kondenzatori mogu raditi i pri jednosmernoj i pri naizmeninoj polarizaciji. Svaki od slojeva dielektrika moe se u takvom kondenzatoru
76
nalaziti pod punim radnim naponom. Meutim, s obzirom da se debljina dielektrika udvostruila,
pri istom nazivnom naponu kapacitivnost nepolarizovanih kondenzatora je dva puta manja u
odnosu na kapacitivnost polarizovanih kondenzatora.
Ve je ranije napomenuto (sl. 4.6a) da impedansa aluminijumsih elektrolitskih kondenzatora jako zavisi od frekvencije i temperature (u cilju kompletnosti, na sl. 4.26 ponovo su prikazane zavisnosti modula impedanse od frekvencije i temperature za dva razliita kondenzatora).
Naime, pri viim frekvencijama ekvivalentna ema kondenzatora sa sl. 4.5, kada se zanemari
otpornost izolacije, koja je Ri > 100 M, svodi se na ekvivalentnu emu kao na sl. 4.27.
Niskonaponski
Visokonaponski
Lc .
Z = r +
C
(4.19)
U poslednjem izrazu r je, praktino, ekvivalentna redna ili serijska otpornost elektrolitskog kondenzatora, koja se esto obeleava sa ESR, i koja, za odreenu temperaturu, odgovara
minimalnoj vrednosti |Z| = f(f) sa sl. 4.26.
Pored modula impedanse, i tangens ugla gubitaka (sl. 4.28) jako zavisi od frekvencije i
temperature. Osim toga, vrednosti tg aluminijumskih elektrolitiskih kondenzatora nisu male.
Naprotiv. Upravo zbog tako velikih vrednosti tg, posebno na niskim temperaturama i relativno
niskim frekvencijama (sl. 4.28), preporuljivo je ove kondenzatore koristiti samo pri jednosmernim reimima, a ako je to neophodno, pri naizmeninim strujama vrlo niske frekvencije.
77
Kao to je u taki 4.1.4 napomenuto, kod elektrolitskih kondenzatora struja curenja nije mala i ovde se ona ee zove struja gubitaka, a predstavlja struju koja pri prikljuenju jednosmernog napona protie kroz kondenzator. Struja gubitaka raste sa temperaturom (sl. 4.29a).
Kada je re o zavisnosti ove struje od vremena, treba rei da je odmah po ukljuenju napona ona
velika i zatim opada, tako da posle izvesnog vremena dostie konstantnu vrednost, sl. 4.29b.
78
Sa tenim elektrolitom
Sa vrstim elektrolitom
Princip rada tantalnih kondenzatora je slian radu aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora. Sami kondenzatori su manjih dimenzija, ali skuplji od aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora. U poreenju sa aluminijumskim elektrolitskim kondenzatorima, pored vee zapreminske kapacitivnosti, imaju i sledea preimustva: poveano vreme uskladitenja (od 5 do 10 godina), s obzirom da je oksidni sloj na tantalu stabilniji nego na aluminijumu; manju struju gubitaka; manji tangens ugla gubitaka; due vreme ivota; mogunost rada pri znatno viim frekvencijama (do 100 kHz). Dobra osobina tantala je i to to ne reaguje sa drugim materijalima sa kojima
je u dodiru, to doputa upotrebu elektrolita visoke provodnosti, ime se obezbeuje niska redna
otpornost.
Na osnovu vrste elektrolita, tantalni kondenzatori se dele na kondenzatore sa tenim i sa
vrstim elektrolitom (sl. 4.30). Kod kondenzatora sa tenim elektrolitom anode su obino u obliku folija od tantala, koje se namotavaju slino kao kod aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora.
Mnogo eu primenu imaju tantalni kondenzatori sa vrstim elektrolitom. Anoda moe
biti u vidu sinterovanog otpreska tantalnog praha, ili od ice tantala (za kondenzatore manje kapacitivnosti), kao i u vidu tapia od tantala. Dielektrik sainjava tantal-oksidni sloj, a za elektrolit vrstih tantalnih elektrolitskih kondenzatora koristi se mangandioksid (MnO2, sl. 4.24b).
Provodnik za katodu je grafitna i srebrna prevlaka, koja se nanosi na sloj mangandioksida i na
nju lemi katodni izvod. S obzirom da MnO2 ima poluprovodnike osobine, ovi kondenzatori se
zovu i oksidno-poluprovodniki tantalni kondenzatori. Nedostatak im je to se, u sluaju proboja, ponaaju kao kratak spoj, a zamena pola dovodi do eksplozije samoga kondenzatora.
79
Kao i kod aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora, i kod tantalnih elektrolitskih kondenzatora impedansa jako zavisi od frekvencije. Meutim, kao to se vidi sa sl. 4.31, tantalni
kondenzatori zadravaju kapacitivne osobine do znatno viih frekvencija.
postizanje veih vrednosti napona oformljuju se moduli sa vie redno i paralelno vezanih ultraCap kondenzatora (sl. 4.33), ali se, da bi se temperatura odravala to niom, istovremno mora
obezbediti hlaenje tih modula, jer se jedino u tom sluaju moe garantovati njihov dug radni
vek.
Treba naglasiti da su, zbog specifinosti izrade, kao i zbog toga to to nisu kondenzatori u
klasinom smislu rei (nemaju fiziki dielektrik), ultraCap kondenzatori poznati i pod drugim
imenima: elektrohemijski dvoslojni kondenzator, pseudokondenzator, superkondenzator, itd.
81
Obrtni kondenzator
Trimer kondenzator
Varikap dioda
82
83
Co
V
1 + inv
Vk
(4.20)
gde je Vk tkzv. kontaktna razlika potencijala koja za silicijumske diode iznosi oko 0,9 V (videti
glavu 8), a C0 je kapacitivnost nepolarisane varikap diode.
Kada se varikap dioda sa promenom kapacitivnosti po (4.20) iskoristi za oscilatorno LC
kolo, onda je rezonantna frekvencija
fr =
1
2 LC
C 1 / 2 ((Vk + Vinv ) 2 )
1 / 2
84
(V k + Vinv ),
5. KALEMOVI
Kalem (sl. 5.1) je elektronska komponenta koja poseduje reaktivnu otpornost direktno
proporcionalnu frekvenciji dovedenog signala na tu komponentu; koeficijent proporcionalnosti
izmeu otpornosti i frekvencije predstavlja induktivnost tog kalema. Na sl. 5.2 su prikazani simboli kojima se oznaavaju kalemovi u emama elektronskih kola.
Kalem se jezgrom
Kalem sa jezgrom
induktivnosti L
dB
,
dt
(5.1)
Dakle, ako se na provodnik prikljui jednosmerni napon, to se jednosmerna struja u njemu odmah ne uspostavlja, s obzirom da se neposredno nakon prikljuenja napona stvara magnetno polje (sl. 5.3) koje ne dozvoljava trenutno uspostavljanje struje (zbog nastanka elektromotorne sile suprotnog znaka). Kada se magnento polje ustali (postane konstantno), to ono prestaje
da utie na proticanje jednosmerne struje.
Sl. 5.3. Nastanak magnetnog polja pri proticanju struje kroz provodnik.
(5.2)
Za poveanje induktivnosti provodnik se mota spiralno (sl. 5.3), tako da se svaki zavojak
ne nalazi samo u svom magnetnom polju, ve i u magnetnom polju susednog zavojka. Induktivnost takvog namotanog provodnika je mnogo vea od induktivnosti nenamotanog provodnika
iste duine.
sti unakrsno (sl. 5.9) i nasumino motanje (sl. 5.10), ime se postie da takvi kalemovi imaju
relativno veliki Q-faktor (Q = 80100) i neznatnu sopstvenu kapacitivnost. Pored toga, ovakav
nain motanja obezbeuje veliku mehaniku vrstou ak i bez kalemskog tela.
SMD
Sl. 5.4. Kalemska tela i presek jednog kalema za povrinsko montiranje (SMD).
87
Jedan od naina da se obrazuju zavojci jeste motanjem ice. Mogu se ostvariti motanjem
hladne zategnute ice (kalemovi sa stegnutim zavojcima) ili sa neznatno zategnutom icom koja
je zagrejana do (80120)oC i koja nakon hlaenja vrsto prijanja za kalemsko telo (kalemovi sa
vruim zavojcima). Drigi nain je taloenjem sloja metala na neko izolatorsko kalemsko telo.
Ovakvi kalemovi imaju neto nii Q-faktor od odgovarajuih kalemova dobijenih namotavanjem
ice, ali su zato znatno stabilniji.
Za namotaje se najee koriste lakom izolovane bakarne ice. Pored masivne ice,
koriste se i visokofrekventni (VF) gajtani. VF gajtan se sastoji od upredenih tankih, lakom izolovanih bakarnih ilica, debljine (0,05 0,1) mm. Upredanjem ilica se znatno smanjuje uticaj
skin efekta, s obzirom da je svaka ilica aktivna pri provoenju struje. Zbog toga je Q-faktor
kalema sa VF gajtanom pri visokim frekvencijama vei nekoliko puta od Q-faktora odgovarajueg kalema motanog masivnom icom.
Sl. 5.11. Ekvivalentna ema kalema (a), redna ekvivalentna ema (b)
i odgovarajui fazorski dijagram (c).
Iz ekvivalentnosti ema sa sl. 5.11a i sl. 5.11b dobijaju se sledei izrazi za ekvivalentnu
otpornost Re i ekvivalentnu induktivnost Le:
Re = R
(1 LC ) + (C R )
2
(5.3)
Co R 2
1 LC o
L
Le = L
.
2
2
2
1 LC o + (C o R )
2
89
(5.4)
R 2 + (L )
(1 LC ) + (C R )
2
(5.5)
a.
b.
Dakle, ako su gubici relativno mali, moduo umpedanse e se sa frekvencijom linearno poveavati samo do neke frekvencije, a zatim, kada se uticaj parazitne kapacitivnosti Co vie ne
moe da zanemari, poveanje modula impendanse je sa znatno veim nagibom (sl. 5.12). Parazitna kapacitivnost uslovljava nastanak rezonanse na nekoj frekvenciji, i tada moduo impedanse
dobija maksimalnu vrednost (sl. 5.12); iznad te frekvencije kalem gubi induktivne osobine,
odnosno tada dominantnu ulogu preuzima parazitna kapacitivnost, i kalem se ponaa kao
kondenzator. Ve je napomenuto da parazitna kapacitivnost zavisi od naina motanja kalema, to
ima posledice na vrednost modula impedanse, a to se najbolje vidi na sl. 5.12b.
Le
1
,
=
Re
tg
(5.6)
gde je ugao gubitaka izmeu pada napona na induktivnoj otpornosti VLe = LeI i napona na
kalemu, sl. 5.11c.
Kako i ekvivalentna otpornost kalema Re i ekvivalentna induktivnost Le zavise od frekvencije, to se Q-faktor nee u celom frekventnom opsegu linearno poveavati sa frekvencijom, to
na prvi pogled proizilazi iz jedn. (5.6), ve e, naprotiv, pri visokim frekvencijama opadati sa
poveanjem frekvencije. Naime, pri viim frekvencijama ekvivalentna otpornost Re, jedn. (5.3),
90
bre raste sa frekvencijom od induktivne otpornosti Le (Le po (5.4)), te Q-faktor dostie maksimum i sa daljim poveanjem frekvencije isti opada, sl. 5.13. Radni frekventni opseg kalema se
bira tako da Q-faktor ima maksimalnu vrednost u sredini tog opsega.
(5.7)
gde je i poetna relativna magnetna permeabilnost na krivoj magneenja (u taki P1 na sl. 5.14):
i =
B
1
lim
.
0
o
H
(5.8)
Kod kalema sa jezgrom zatvorenog tipa, Q-faktor se moe poveati 23 puta ubacivanjem nemagnetnog procepa meugvoa. To je zbog toga to se uvoenjem meugvoa
smanjuje magnetna permeabilnost, a to znai da su i manji gubici. Naime, ako su e i tge
magnetna permeabilnost jezgra sa meugvoem i tangens ugla gubitaka kalema sa tim jezgrom,
a tg tangens ugla gubitaka kalema sa jezgrom bez procepa, vai:
tg e tg
,
e
i
(5.9)
1
1 i
=Q i .
tg e tg e
e
(5.10)
L = 2
d o2 N 2
10 3 (H),
l
(5.11)
L = 2,26 10 2
do N 2
l
1 + 2,25
do
(H).
(5.12)
Induktivnost kratkih vieslojnih cilindrinih kalemova. Za izraunavanje induktivnosti kratkih vieslojnih cilindrinih kalemova, koji se najee motaju unakrsno ili nasumino,
koristi se Vilerov (Wheeler) obrazac (sve dimenzije su, prema sl. 5.8, u cm):
L = 78,7
d o2 N 2
10 3 (H).
3d o + 9l + 10h
92
(5.13)
Induktivnost ploastih kalemova. Ploasti kalem je onaj kod kojeg je duina kalema l
veoma mala i manja od visine namotaja h i srednjeg prenika do; kod njih se, sa dimenzijama u
cm, induktivnost rauna po:
L = 2
d o2 N 2
10 3 (H).
h
(5.14)
Za poveanje induktivnosti kalemova koriste se magnetna jezgra. Iako jezgra za kalemove mogu biti i od magnetodielektrika (metalnog magnetnog praha), znatno ee se prave od ferita, sl. 5.16. To je stoga to pri vrlo visokim frekvencijama jezgra od magnetodielektrika imaju
prevelike gubitke usled vihornih struja, te je u tom sluaju neophodno koristiti feritna jezgra, kod
kojih su ti gubici znatno manji.
Feriti su jedinjenja oksida gvoa (Fe2O3) i dvovalentnih oksida metala (ZnO, MnO,
NiO, BaO, CuO i dr.) koji poseduju ferimagnetne osobine; to su tkzv. meki feriti. Dobijaju se
sinterovanjem u inertnoj atmosferi i strogo kontrolisanim temperaturnim ciklusima, a dobijena
jezgra su vrlo tvrda i otporna na vodu, slino kao keramike sinterovane mase.
S obzirom da se jezgra razlikuju po konstrukciji, to se ona mogu podeliti na otvorena,
poluzatvorena i zatvorena. Najmanje iskorienje magnetnih osobina je kod jezgara otvorenog
tipa u obliku tapia ili cevica (sl. 5.17), s obzirom da kod njih magnetni fluks dobrim delom
protie kroz vazduh.
L = app Lo ,
94
(5.15)
pri emu je Lo induktivnost kalema bez jezgra, a app prividna permeabilnost. Prividna permeabilnost zavisi od oblika jezgra i kalema, poloaja kalema na jezgru, itd. Na sl. 5.18 je prikazana
zavisnost prividne permeabilnosti od odnosa duine l i prenika d feritnih tapia za razliite
vrednosti poetne permeabilnosti i (definicija poetne permeabilnosti je data sa (5.8)).
Najbolje iskorienje magnetnih osobina pruaju torusna jezgra, sl. 5.19. Kalemovi sa
torusnim jezgrima praktino nemaju rasipanje magnetnog fluksa i imaju relativno velike vrednosti Q-faktora i magnetne permeabilnosti koja se obeleava sa tor (tor je torusna permeabilnost
snima se na torusnom jezgru na poetku krive magneenja). Ovi kalemovi se ne moraju da
oklopljavaju. Jezgra su kompaktna, tako da se induktivnost kalemova sa torusnim jezgrima ne
moe da menja.
Ako su L0, Q0 i R0 induktivnost, Q-faktor i gubici torusnog kalema bez jezgra, a Rj gubici
u jezgru, onda je induktivnost i Q-faktor torusnog kalema sa jezgrom, respektivno:
L j ( tor ) = tor L0
(5.16)
i
Q j ( tor ) =
tor Q0
.
Rj
1+
R0
(5.17)
I kod kalemova sa jezgrima zatvorenog tipa (sl. 5.20) se osigurava veoma dobro iskorienje magnetnih osobina materijala. To su tzv. lonasta jezgra, RM i PM jezgra (sl. 5.21).
Kod njih je magnetno kolo zatvoreno, usled ega kalemovi imaju vei Q-faktor, manju zavisnost
parametara od frekvencije i spoljanjeg magnetnog polja, te mogu raditi na viim frekvencijama.
Induktivnost kalema sa jezgrom zatvorenog tipa moe da se izrauna na osnovu sledeeg
izraza:
L = oe
Se 2
N ,
le
(5.18)
96
L = AL N 2 .
(5.19)
Faktor induktivnosti (ili, prosto, AL vrednost) predstavlja konstantu jezgra koju daje
proizvoa za svaki tip jezgra i za odgovarajui materijal i izraava se u nH. Iako je AL u nH,
uobiajeno je da se ta vrednost daje samo brojano, npr. AL = 1340 (to znai da AL = 1340 nH).
Uporeujui (5.18) i (5.19), sledi da je efektivna magnetna permeabilnost:
le
.
o Se
e = AL
(5.20)
+ .
e i le
(5.21)
Se
.
le + i
97
(5.22)
6. TRANSFORMATORI I PRIGUNICE
Transformatori se sastoje od najmanje dva induktivno spregnuta kalema, primara i sekundara. U sekundaru se indukuje napon koji moe biti jednak, manji ili vei od napona dovedenog na primarni namotaj. Za bolji prenos snage, sa to manjim gubicima, potrebno je da je
induktivna sprega izmeu namotaja to jaa; zbog toga se kod transformatora koriste magnetna
jezgra.
Na sl. 6.1 su prikazani simboli kojima se oznaavaju transformatori u emama elektronskih kola, a na sl. 6.2 spoljanji izgled nekih transformatora.
Gubici usled vihornih struja zavise od specifine otpornosti materijala jezgra i od frekvencije magnetnog polja. Zato se, za smanjenje ovih gubitaka, za jezgra klasinih transformatora koriste limovi (ili trake) koji moraju biti meusobno izolovani, a s obzirom da se sa kvadratom frekvencije poveavaju gubici usled vihornih struja, to se za jezgra transformatora koji
rade na viim frekvencijama koriste tanji limovi. Upravo iz tog razloga se, na visokim frekvencijama, a posebno pri visokofrekventnim impulsnim signalima, umesto limova za transformatore
koriste feritna jezgra.
Od limova se koriste silicijumom legirani gvozdeni lim (Fe-Si) i niklom legirani gvozdeni lim (Fe-Ni). Silicijumom legirani gvozdeni lim iskljuivo se koristi pri mrenoj frekvenciji
(50Hz ili 60Hz), a ponekad i za transformatore za 400Hz; niklom legirani gvozdeni lim je naao
primenu u podruju audio frekvencija.
1. Vrue valjani silicijumom legirani gvozdeni lim. Silicijum se dodaje gvou da bi se
poveala njegova omska otpornost, odnosno da bi se smanjili gubici, s obzirom da se oni smanjuju sa poveavanjem procenta silicijuma; meutim, istovremeno se smanjuje vrednost magnetne indukcije u zasienju i poveava krtost materijala. Kako je, s druge strane, magnetna indukcija merilo za optereenost namotaja i jainu struje u praznom hodu transformatora (vee
vrednosti indukcije omoguavaju manji broj zavojaka i vee optereenje transformatora i prigunica), to se silicijum ne moe dodavati u veim koliinama (najvie do 4%), tako da se dobiju
indukcije u zasienju Bm izmeu 1 T i 1,2 T. Pri proraunu transformatora i prigunica sa vrue
valjanim silicijumom legiranim gvozdenim limovima uzima se Bm = 1,2 T.
2. Hladno valjani silicijumom legirani gvozdeni lim. Ovi limovi, u poreenju sa vrue
valjanim Fe-Si limovima, ali samo ako je smer indukcije u istom smeru sa smerom valjanja lima,
maju sledee osnovne prednosti: manje gubitke, veu vrednost magnetne indukcije i veu magnetnu propustljivost; meutim, ako je indukcija sa smerom normalnim na smer valjanja, gubici
mogu biti i do tri puta vei. Stoga se prednosti orijentisanog lima mogu iskoristiti jedino kod
transformatora kod kojih je indukcija u magnetnom jezgru uvek u smeru valjanja lima (trake).
Taj neophodan uslov se obezbeuje kada se od traka oforme torusna i prereza C-jezgra. Zbog
toga transformatori sa ovakvim jezgrima imaju znatno manje gubitke i veu vrednost magnetne
indukcije (do Bm = 1,85 T), a samim tim i manje dimenzije i manju teinu od odgovarajuih
transformatora od vrue valjanih limova.
3. Niklom legirani gvozdeni lim. Iako se kod silicijumom legiranih gvozdenih limova
gubici pri frekvencijama viim od 50 Hz donekle mogu smanjiti izborom tankih limova, ipak su
ti gubici nedopustivo veliki, tako da su takvi limovi praktino neupotrebljivi u oblasti viih frekvencija. Pored toga, pomenuti limovi imaju relativno male vrednosti i poetne i maksimalne
magnetne permeabilnosti, koje su nedovoljne za precizne merne transformatore ili transformatore koji e raditi u podruju audio frekvencija (20Hz 20kHz). Zbog toga se, u sluajevima
kada su dozvoljeni samo mali gubici i kada se trai velika relativna magnetna propustljivost,
upotrebljavaju niklom legirani gvozdeni limovi.
4. Feritna jezgra. Pored namene za transformisanje visokofrekventnih sinusoidalnih signala, feritna jezgra se najvie koriste za transformatore u visokofrekventnim prekidakim izvorima
napajanja (SMPS Switched-Mode Power Supply), koji rade na frekvencijama viim od 15 kHz,
a ponekad i iznad 100 kHz. Naime, za napajanje elektronskih ureaja, kao to su TV prijemnici,
raunari, avionski ureaji, itd., gde svaki milivat utede znai mnogo u ukupnom energetskom
bilansu, i svuda tamo gde se tolerie malo vei napon brujanja (oko 1% od ulaznog napona),
SMPS sa transformatorima sa feritnim jezgrima imaju nekoliko prednosti u odnosu na klasine
izvore napajanja, a to su prvenstveno vrlo visok stepen iskorienja i to nisu vie potrebni
klasini mreni transformatori, tako da se postie uteda u teini i zapremini ureaja. Obino se
pri proraunu za magnentnu indukciju u zasienju uzima Bm = (0,2 0,3) T.
99
2. Jezgra od limova UI profila. Kao i kod jezgara od limova EI profila, i kod jezgara UI
profila se u ve namotane kalemove umeu listovi magnetnih jezgara, sl. 6.6. Meutim, u ovom
sluaju se koriste (najee) dva odvojena kalema, ime se poveava povrina preko koje se zrai
toplota i poboljava toplotni reim namotaja, te se transformatori sa jezgrima od limova UI
profila obino koriste za vee snage.
100
3. Trakasta torusna jezgra. Da bi se iskoristile dobre osobine hladno valjanog silicijumom legiranog lima, od traka tog lima se namotavaju torusna, kompaktna, jezgra. Najvie se
koriste za mrene transformatore (sl. 6.7) sa i bez kalemskog tela, a u poreenju sa odgovarajuim transformatorima sa jezgrima EI profila (za istu snagu) su oko 50% manje mase.
4. Prerezana trakasta jezgra (C-jezgra). Od traka orijentisanog lima izrauju se gotova, kompaktna jezgra, sl. 6.8, tako da pri gradnji transformatora nema dugotrajnog slaganja
limova jezgra. Naime, montaa takvih jezgara je vrlo jednostavna: dve polovine jezgra umetnu
se sa jedne i druge strane u kalemsko telo, a onda se stisnu (stegnu) trakom, sl. 6.9.
101
Sl. 6.8. Prerezana trakasta C-jezgra (sa oznakama koje se koriste pri
proraunu transformatora) i izgled transformatora.
e1 = 4,44 10 4 fN 1 Bm S e
(6.1)
e2 = 4,44 10 4 fN 2 Bm S e ,
(6.2)
pri emu su: f frekvencija primarnog napona u Hz; N1 i N2 broj zavojaka primarnog i sekundarnog sekundarnog namotaja, respektivno; magnetna indukcija u zasienju u T; Se efektivni
presek jezgra (sl. 6.11) u cm2.
Naponi na krajevima transformatora se razlikuju od indukovanih elektromotornih sila
zbog pada napona na namotajima (U1 > e1 i U2 < e2). Ako se, u prvoj aproksimaciji, ovi padovi
napona zanemare, moe se smatrati da je e1 U1 i e2 U2, tako da iz (6.1) i (6.2) sledi odnos
transformacije napona n:
102
a.
b.
Sl. 6.10. Uz indukovanje elektromotornih sila u transformatoru:
a sekundar otvoren (u praznom hodu); b sekudar opereen impedansom Z.
U2 N2
=
.
U 1 N1
(6.3)
Kada se na sekundarni namotaj prikljui potroa (sl. 6.10b), to e kroz njega proticati
struja I2, koja ima tendenciju da promeni prvobitni magnetni fluks. Na taj nain bi se poremetila
naponska ravnotea u primarnom namotaju; meutim, to nije sluaj, s obzirom da primarni namotaj povue dodatnu struju iz izvora pobude, koja u svakom trenutku dri magnetnu ravnoteu struji u sekundaru, tako da prvobitni magnetni fluks ostaje nepromenjen. Ovo je ispunjeno
samo kada je I1N1 = I2N2, odakle sledi:
I 2 N1 1
=
= .
I1 N 2 n
(6.4)
transformator, pored oznaka za primar i sekundar, stavljaju se dve take sa iste strane (sl. 6.12a);
meutim, kada je sekundarni namotaj motan suprotno od primarnog, naponi U1 i U2 e biti u
protivfazi i to se naznaava takama sa razliitih strana primara i sekundara, sl. 6.11b.
a.
b.
Sl. 6.12. Naponi U1 i U2 u fazi (a) i protivfazi (b).
PCu = R1 I 12 + Ri 2 I i22 ,
(6.5)
i =1
(6.6)
u kojem su A konstanta koja zavisi od vrste i debljine lima, a mFe masa magnetnog jezgra.
3. Koeficijent korisnog dejstva. Koeficijent korisnog dejstva transformatora je definisan
odnosom izlazne Pi(=P2) i ulazne Pu snage:
=
Pi
P2
100 (%).
=
Pu P2 + PFe + PCu
(6.7)
indukcije u zasienju Bm, tj. N 1/Bm, to e za istu nazivnu snagu broj zavojaka svih namotaja, a
samim tim i masa transformatora, biti manji ukoliko je vrednost indukcije Bm vea. S obzirom da
hladno valjani silicijumom legirani gvozdeni limovi (tj. trake koje se od njih prave, a potom
prerezana C-jezgra) imaju indukciju Bm reda 1,8 T, to e mreni transformatori od ovih limova
(traka) imati manju masu od odgovarajuih transformatora sa vrue valjanim silicijumom legiranim limovima, kod kojih je Bm = 1,2 T.
Ovde e, ukratko, biti opisan postupak prorauna mrenog transformatora sa EI jezgrima2, koristei oznaavanje sa sl. 6.5.
6.2.1. Dimenzionisanje jezgra
Izmeu standardizovanih dimenzija EI limova (videti fusnotu br. 2) treba izabrati najpodesniji profil sa gledita potronje, magnetnog materijala i bakra (ice za namotavanje). U tu
svrhu, osnovni koraci pri proraunu mrenih transformatora su:
1. Odreivanje efektivnog preseka jezgra: Veliina efektivnog preseka jezgra se priblino moe izraunati iz izraza:
S e P2 (cm2),
(6.8)
Se .
(6.9)
Kako je od standardizovanih veliina limova mogue izabrati samo ogranien broj onih
sa kvadratnim presekom, to se mora pribei i pravougaonim presecima jezgra. Minimalna irina
stuba lima odreena je uslovom da je visina limenog paketa h 1,5, odakle je:
(6.10)
Dakle, bira se veliina lima kod kojeg irina stuba odgovara uslovu:
min < < max .
je:
(6.11)
Znajui efektivni presek jezgra Se, irinu stuba i debljinu lima , potreban broj limova
nL =
Se
.
(6.12)
Proraun mrenog transformatora sa C-jezgrima, kao i svi podaci za EI jezgra, mogu se nai u knjizi: Stojan Risti,
RLC komponente, Prosveta, Ni, 2005
105
4.2.2. Namotaji
Namotaji se uvek motaju na kalemsko telo (sem kod torusnih transformatora). Kalemska
tela se izrauju na vie naina i od razliitih izolacionih materijala, to zavisi od toga da li je re
o individualnoj ili serijskoj proizvodnji transformatora. Najvie se koriste kalemska tela od prepana i vetakih smola (bakelita), sa takvim dimenzijama da se u njih normalno mogu da umeu
limovi.
1. Odreivanje broja zavojaka. Pri odreivanju broja zavojaka namotaja transformatora
polazi se od jedn. (6.1), uz pretpostavku da se pad napona na primaru moe da zanemari i da e
se njegov uticaj uzeti sa sekundarne strane, tako da je e1 U1, odakle sledi (jedinice su kao u
(6.1)):
N1 =
U1
10 4 .
4,44 fS e Bm
(6.13)
Na slian nain, tj. na osnovu (6.2) mogao bi da se odredi i broj zavojaka sekundarnog
namotaja kod neoptereenih transformatora. Meutim, pri optereenju se mora uzeti u obzir
omski i induktivni pad napona u primarnom i sekundarnom namotaju, zbog ega broj zavojaka u
sekundaru treba poveati; to poveanje je izraeno preko koeficijenta sekundarnih gubitaka 2,
sl. 6.13. Stoga se broj zavojaka sekundarnog namotaja N2 ne rauna iz odnosa transformacije n
U2/U1 N2/N1, ve iz izraza:
N 2 = 2 N1
U2
.
U1
(6.14)
Na isti nain se izraunava broj zavojaka i kada transformator ima vie sekundarnih namotaja, s tim da se koeficijent gubitaka 2 odreuje u odnosu na ukupno optereenje, tj. pri istovremenom optereenju svih namotaja.
I1 =
P2
,
U 1
(6.15)
pri emu se za koeficijent korisnog dejstva uzima pretpostavljena vrednost (npr. = 0,9).
Dakle, znajui struje I1 i I2 i koristei
I = S J =
d 2
J,
4
(6.16)
d =
4I
.
J
(6.17)
Iz poslednjeg izraza sledi da prenik ice namotaja zavisi od gustine struje. Za mrene
transformatore snaga do 150 W sa EI jezgrima esto se uzima da je J = 2,55 A/mm2, tako da je iz
poslednjeg izraza, ako je struja I u amperima,
d = 0,5I (mm).
(6.18)
6.3. PRIGUNICE
Prigunice se koriste u sluajevima kada je potrebno imati to vee induktivno optereenje, a to znai da one treba da imaju to veu induktivnost (da bi L bilo to vee). Prigunice sa
jezgrima od silicijumom legiranih gvozdenih limova za 50 Hz koriste ista jezgra kao mreni
transformatori (na primer, EI jezgra kao na sl. 6.14) i proraunavaju se na isti nain kao i mreni
transformatori. Kako one najee imaju veliki broj zavojaka, a napon na njima je relativno mali,
to je i indukcija u magnetnim jezgrima mala, reda Bm = (0,40,5) T. Zbog toga su gubici u
prigunicama mali, te se pri proraunu o njima ne mora mnogo voditi rauna.
107
Svi poluprovodnici, i elementarni i poluprovodnika jedinjenja, imaju kristalnu strukturu. Elementarni poluprovodnici imaju kristalnu reetku dijamantskog tipa, dok je reetka
poluprovodnikih jedinjenja modifikovana dijamantska struktura, tkzv. struktura sfalerita, sl.
7.1. Reetke dijamantskog tipa ine kovalentne veze, tj. atomi u teitu tetraedra povezani su sa
etiri atoma na vrhovima tetraedra, sl. 7.1a. Struktura sfalerita je ista kao dijamantska, ali atomi
109
u reetki nisu isti, sl. 7.1b. Dakle, kod reetki sa dijamantskom strukturom svaki atom je vezan sa
etiri oblinja atoma, tako da su ovi od njega podjednako udaljeni i meusobno se nalaze na
jednakim rastojanjima, poznatim pod nazivom tetraedralni radijus. Tetraedralni radijus se
kod dijamantske strukture izraunava na osnovu ( 3 / 8)a , pri emu je a konstanta reetke. Na
primer, kod silicijuma je a = 0,543072 nm, tako da je tetraedralni radijus 0,118 nm.
Poluprovodniki materijal od koga se proizvode komponente treba da ima pravilnu kristalnu strukturu po celoj zapremini; to je, takozvani, monokristal. Meutim, monokristal nije
izotropan, s obzirom da njegove osobine zavise od pravca. To uslovljava da i karakteristike poluprovodnikih komponenata u znatnoj meri zavise od orijentacije povrine monokristala. Zbog
toga se kristali seku po odreenoj ravni. Naime, poloaj svake ravni kristalne reetke moe se
odrediti sa tri cela uzajamno prosta broja, ako se kao koordinatne ose izaberu pravci koje imaju
tri ivice kristalne reetke. Jedinice merenja su odseci na izabranim koordinatnim osama koje
odseca jedna od kristalografskih ravni u kristalnoj reetki. Obino se u kristalografiji koristi desni koordinatni sistem, a merna jedinica na x-osi se oznaava sa a, na y-osi sa b i na z-osi sa c.
Jedinina duina za svaku osu se odreuje izborom jedinine kristalografske ravni u kristalnoj
reetki. Svaka ravan u kristalnoj reetki se smatra moguom kristalografskom ravni ako joj
pripadaju tri srazmerno postavljene take na koordinatnim osama u odnosu na koordinatni poetak. Ravan u kristalnoj reetki kojoj ne pripadaju srazmerno postavljene take na koordinatnim
osama moe se premestiti translacijom u poloaj da joj pripadaju srazmerno postavljene take na
koordinatnim osama. Shodno tome, odnos odseaka OA, OB i OC koje ravan ABC odseca na
koordinatnim osama x, y i z pravouglog koordinatnog sistema, moe se napisati u sledeem obliku:
OA:OB:OC = ma:nb:pc,
gde su a, b i c odseci jedininih duina na odgovarajuim koordinatnim osama, a m, n i p celi
brojevi. Ovako izabrana ravan predstavlja jedininu ravan.
(020)
(110)
(111)
Sl. 7.2. Prikaz orijentacije tri karakteristine ravni sa Milerovim indeksima (020), (110) i (111).
a.
b.
Sl. 7.3. ematski prikaz atoma silicijuma u prostoru (a) i u ravni (b).
Zbog toga se silicijumov atom moe ematski da predstavi jezgrom sa pozitivnim naelektrisanjem od etiri elektronske jedinice (+4) koje je okrueno sa etiri elektrona iz spoljanje orbite, sl. 7.3b. etiri elektrona iz spoljanje orbite, zbog toga to ulaze u hemijske veze, nazivaju
se valentnim elektronima. U savrenom kristalu silicijuma, odnosno germanijuma, koji su,
dakle, etvorovalentni, svaki od ova etiri elektrona obrazuje po jednu valentnu vezu sa po
jednim elektronom iz spoljanje orbite oblinjeg atoma.
111
Prema tome, potpuno ist kristal poluprovodnika, kod koga su svi elektroni povezani
valentnim vezama, ponaao bi se kao izolator, s obzirom da kod njega nema slobodnih nosilaca
naelektrisanja. Meutim, pri normalnoj sobnoj temperaturi, usled termikih vibracija kristalne
reetke, izvesni valentni elektroni poveavaju svoju energiju do te mere da mogu da se oslobode
valentnih veza i postaju slobodni elektroni, sl. 7.4a. Oslobaanjem svakog elektrona po jedna valentna veza ostala je nepopunjena. Atom, koji je izgubio elektron, postaje elektrino pozitivan sa
naelektrisanjem jednakim naelektrisanju elektrona po apsolutnom iznosu (pre gubitka valentnog
elektrona atom je bio elektrino neutralan). Na taj nain se stvara pozitivno opterereenje ija se
prava priroda moe protumaiti tek pomou kvantne fizike, ali koje se po mnogim svojstvima
ponaa kao estica sa pozitivnim naelektrisanjem jednakim naelektrisanju elektrona. Njemu se
moe pripisati odreena efektivna masa, brzina u kretanju i energija, to znai da se moe tretirati kao estica. Ova estica se, zbog naina postanka, naziva upljinom. Eksperimentalnim rezultatima pokazana je opravdanost ovako uproene koncepcije upljina.
a.
b.
Sl. 7.4. Prikaz generacije para elektron-upljina (a) i rekombinacije elektrona sa upljinom (b).
112
Proces raskidanja valentnih veza, kao i obrnuti proces ponovnog vezivanja slobodnih
elektrona i upljina u valentne veze, zavisi u znatnoj meri i od postojanja izvesnih strukturnih
nesavrenosti kristala (defekata). Ove nesavrenosti postoje, na primer, kod kristala kod kojih se
poneki atomi nalaze u kristalnoj reetki na mestima koja bi zauzimali kada bi kristal bio savren.
I povrinski sloj kristala moe imati slian uticaj kao i strukturne nesavrenosti, to je posliedica
nepotpunosti valentnih veza u povrinskom sloju. Prisustvo strukturnih nesavrenosti, meutim,
ne menja koncentraciju sopstvenih nosilaca naelektrisanja, jer strukturne nesavrenosti u istoj
meri potpomau razbijanje valentnih veza i njihovo ponovno uspostavljanje. Ove nesavrenosti,
dakle, samo smanjuju vreme ivota slobodnih elektrona, odnosno upljina.
113
mestima u kristalnoj reetki poluprovodnika, na kojima se kod istog kristala nalaze atomi poluprovodnika, nego sami atomi poluprovodnika. Zbog toga e, dodavanjem primesa poluprovodniku u istopljenom stanju, posle ovravanja primesni atomi zameniti na pojedinim mestima
atome poluprovodnika.
se elektroni u izolovanom atomu nalaze na razliitim energetskim nivoima, koji su jednaki celim
umnocima kvanta energije. Napominje se da su ovi energetski nivoi, koji odgovaraju energijama elektrona na pojedinim orbitama, meusobno razdvojeni energetskim procepima (zabranjenim zonama), sl. 7.9a, ime se ukazuje na injenicu da ne postoji nijedan elektron koji bi imao
energiju unutar zabranjene zone. Ako se dva atoma sa jednakim energetskim nivoima elektrona
priblie jedan drugome, doi e do cepanja svakog pojedinog energetskog nivoa u dva nova nivoa koji su jedan prema drugome malo pomereni, sl. 7.9b. S obzirom da se u kristalnoj reetki
veliki broj atoma (reda 1022 cm-3) nalazi u meusobnoj sprezi, svaki energetski nivo se cepa u
vei broj novih, meusobno malo pomerenih nivoa, koji obrazuju energetske zone, sl. 7.9c.
Za utvrivanje elektrinih svojstava poluprovodnika od vanog interesa je da se poznaju
energetska stanja u dva najvia energetska opsega. Kod idealnog kristala poluprovodnika najvia
energetska zona je skoro prazna, s obzirom da sadri veoma mali broj elektrona (jednak koncentraciji sopstvenih nosilaca naelektrisanja ni, dok je prva nia energetska zona potpuno popunjena.
Ova druga energetska zona popunjena je elektronima iz spoljanje orbite atoma poluprovodnika,
tj. valentnim elektronima. Zbog toga se ona naziva valentnom zonom, za razliku od prve zone
(najvie zone), koja predstavlja provodnu zonu, sl. 7.10.
Sl. 7.9. Energetski nivoi atoma (a), dva atoma (b) i kristala (c) silicijuma.
Provodna zona je od valentne zone razdvojena nizom energetskih nivoa koje elektroni ne
mogu da zauzimaju i koji se zbog toga naziva zabranjenom zonom. irina zabranjene zone Eg
kod poluprovodnika relativno je mala i na sobnoj temperaturi (300K) iznosi Eg = 0,66 eV za germanijum, Eg = 1,1 eV za silicijum i Eg = 1,42 eV za galijum-arsenid. Ove vrednosti predstavljaju
najmanje iznose energije koje je potrebno dovesti elektronu u valentnoj zoni da bi mogao da
pree u provodnu zonu i uestvuje u provoenju elektrine struje kroz poluprovodnik (ovo ne
znai da elektron, u fizikom smislu, prelazi iz valentne u provodnu zonu, ve da je elektron na
energetskim nivoima koji odgovaraju pomenutim zonama). Treba naglasiti da se irina zabranjene zone poluprovodnika smanjuje sa poveanjem temperature, sl. 7.11.
117
Sl. 7.10. Energetske zone du jednog pravca u istom (sopstvenom) kristalu silicijuma pri T = 0 K.
Usled toga to kod poluprovodnika irine zabranjenih zona nisu velike, izvestan broj valentnih elektrona ak i na relativno niskim temperaturama raspolae dovoljnom energijom da se
oslobodi valentnih veza i iz valentne zone pree u provodnu zonu, ostavljajui za sobom upljine
u valentnoj zoni. Treba napomenuti da je valentna zona prelaskom izvesnog broja valentnih
elektrona u provodnu zonu ostala nepopunjena, tako da i u njoj moe da doe do kretanja naelektrisanja pod dejstvom stranog elektrinog polja.
Prema irini zabranjene zone, materijali se dele na provodnike, poluprovodnike i izo1atore, sl. 7.12. Kod metala, sa napomenom da oni nemaju zabranjenu zonu (provodna i valentna zona se dodiruju ili preklapaju), najvia energetska zona, koja sadri valentne elektrone, nije popunjena, sl. 7.12a. Zbog toga kod metala elektroni mogu lako prelaziti u energetske nivoe iznad
Fermijevog i slobodno se kretati pod uticajem elektrinog polja (Fermijev nivo kod metala se
definie kao onaj energetski nivo ispod koga su na temperaturi apsolutne nule svi nivoi popunjeni, a iznad njega svi nivoi prazni, pri emu verovatnoa da e taj nivo biti popunjen na temperaturi T>0 iznosi 50%). Kod izolatora je zabranjena zona iroka, sl. 7.12c, obino nekoliko elektronvolti, ili vie. Zbog toga pri normalnim uslovima samo zanemarljivo mali broj elektrona moe da pree u provodni opseg, to objanjava izolaciona svojstva ovakvih materijala. Bitne razlike izmeu izolatora i poluprovodnika nema, niti je granica izmeu njih otra. Ako je irina zabranjene zone do oko 3 eV, smatra se da je to poluprovodnik, a ako je vea od 3 eV moe se
govoriti o izolatoru. I dok su metali dobri provodnici sa otpornou oko 10-4 cm, a izolatori
izuzetno loi provodnici elektrine struje, jer imaju otpornost reda 1012 cm, dotle poluprovodnici mogu imati otpornost u vrlo velikom opsegu, od male, kada se ponaaju kao provodnici, do
velike, koja se pribliava otpornosti izolatora. Bitna razlika izmeu provodnika i poluprovodnika
ogleda se u tome to je provodnost kod provodnika ostvarena uglavnom pomou elektrona, a kod
poluprovodnika jo i pomou upljina.
118
SI. 7.11. irina zabranjene zone germanijuma, silicijuma i galijum-arsenida u funkciji temperature.
Sl. 7.12. Energetske zone provodnika (a), poluprovodnika (b) i izolatora (c)
(EV vrh valentne zone; EC dno provodne zone).
podlee raspodela elektrona i upljina. Pokazuje se da se kod sopstvenog poluprovodnika Fermijev nivo nalazi na sredini zabranjene zone (sl. 7.13a), a kod n-tipa poluprovodnika u gornjoj
polovoni zabranjene zone (sl. 7.13b), i to to je koncentracija donorskih primesa vea, to je Fermijev nivo blii dnu provodne zone; kod p-tipa poluprovodnika (sl. 7.13c) je obrnuto: Fermijev
nivo je u donjoj polovini zabranjene zone i to je utoliko blii vrhu valentne zone ukoliko je
koncentracija akceptorskih primesa vea.
(7.1)
120
Kretanje elektrona moe se, u odsustvu spoljanjeg elektrinog polja, prikazati kao na sl.
7.14a, na kojoj je prikazano sedam uzastopnih sudara elektrona sa fononima ili drugim uzronicima. Rastojanja izmeu sudara su razliita, ali se moe definisati srednji slobodan put l, koji se
kree u granicama od 10-5 cm do 10-4 cm, to je je oko 2 do 3 reda veliine puta vee od rastojanja izmeu atoma poluprovodnika. Brzine kojima se nosioci kreu izmeu sudara su statistiki
rasporeene, a u proseku pri sobnoj temperaturi iznose oko 107 cm/s. Srednje vreme izmeu dva
sudara iznosi oko 10-12 s do 10-11 s.
stalno poveavati, ve e postii jednu srednju vrednost, koja se za elektrina polja K koja nisu
suvie velika, moe izraziti u obliku:
vn = n K ,
(7.2)
(7.3)
Za velike vrednosti elektrinog polja prestaje da vai linearna zavisnost izmeu brzine
kretanja nosilaca i elektrinog polja data jedn. (7.2) i (7.3). Pri tim poljima se poveava broj
sudara nosilaca, te brzina usmerenog kretanja sve manje zavisi od polja. Postoji granina brzina
kojom se nosioci mogu kretati kroz kristal, sl. 7.15. Kada nosioci dostignu graninu brzinu, dalje
poveanje elektrinog polja ne poveava brzinu usmerenog kretanja nosilaca, ve samo njihovu
kinetiku energiju. Na sl. 7.15 su prikazane eksperimentaine zavisnosti driftovske brzine od
elektrinog polja za Ge, Si i GaAs. Kao to se vidi sa slike, granina brzina za sva tri poluprovodnika iznosi oko 107 cm/s.
Pokretljivost nosilaca naelektrisanja jako zavisi od temperature i koncentracije primesa.
Zbog toga su na sl. 7.16 prikazane eksperimentalne zavisnosti pokretljivosti elektrona i upljina
u Ge, Si i GaAs od koncentracije primesa na sobnoj temperaturi, a na sl. 7.17 zavisnosti pokretljivosti u Si od temperature pri razliitim vrednostima koncentracije primesa. Sa slika 7.16 i 7.17
moe se videti da je pri sobnoj temperaturi pokretljivost elektrona priblino dva puta vea od
pokretljivosti upljina.
122
Sl. 7.16. Zavisnost pokretljivosti elektrona i upljina od koncentracije primesa u Ge, Si i GaAs.
123
(7.4)
Ova veliina je inverzno proporcionalna specifinoj provodnosti, tj. = 1/, tako da je:
J = K .
(7.5)
Kada su poznate pokretljivosti upljina p i slobodnih elektrona n, kao i njihova koncentracija u poluprovodniku (uz napomenu da se, kada kroz poluprovodnik protie struja, koncentracija upljina oznaava sa p, a koncentracja elektrona sa n), specifina otpornost se izraunava
prema izrazu:
1
1
=
.
q( n n + p p)
(7.6)
1
1
.
=
i qni ( n + p )
(7.7)
1
1
.
q n n q n N D
(7.8)
1
1
.
q p p q p N A
(7.9)
Izmerene vrednosti specifine otpornosti (pri T = 300K) za silicijum dopiran borom (ptip) i fosforom (n-tip) u zavisnosti od koncentracije primesa prikazane su na sl. 7.18.
Driftovska struja. Struja koja nastaje kretanjem elektrona i upljina pod uticajem elektrinog polja predstavlja driftovsku struju. Gustina struje usled kretanja elektrona (gustina struje
elektrona) jeste:
J ndrift = qnv n = qn n K = n K ,
(7.10)
gde je vn brzina elektrona prema jedn. (7.2), a n provodnost poluprovodnika usled postojanja pokretnih elektrona.
124
Sl. 7.18. Specifina otpornost silicijuma pri T = 300K u zavisnosti od koncentracije primesa.
Gustina struje nastala kretanjem upljina pod uticajem elektrinog polja (gustina struje
upljina) je:
J pdrift = qpv p = qp p K = p K ,
(7.11)
(7.12)
125
J pdiff J pd = qD p
dp
.
dx
(7.13)
dn
.
dx
(7.14)
126
(7.17)
8. DIODE
Rad poluprovodnikih dioda zasniva se na usmerakim osobinama p-n spojeva. Zbog toga e prvi deo ove glave biti posveen karakteristikama p-n spojeva. U praksi je skoro iskljuivo
jedna oblast p-n spoja male specifine otpornosti, to znai da je u njoj velika koncentracija primesa; drugim reima, jedna oblast p-n (ili n-p) spoja je najee jako dopirana (NA,D > 1017 cm3
). Prema tome, re je o p+-n ili n+-p spojevima, ali, da se ta injenica ne bi stalno isticala, nadalje
e se umesto oznaka spojeva p+-n i n+-p koristiti oznake p-n i n-p, respektivno.
127
Iako diode sa epitaksijalnim slojem imaju bolje karakteristike od dioda bez takvog sloja
(prvenstveno manju rednu otpornost i vei probojni napon), nadalje e se, u cilju jednostavnosti,
razmatrati samo diode koje ne sadre epitaksijalni sloj, sl. 8.2, kao i diode sa tkz. skokovitim p-n
spojem kada sa p-tipa na n-tip postoji nagla promena koncentracije primesa, sl. 8.6.
Sl. 8.2. Ilustracija diode bez epitaksijalnog sloja; velikim krugovima u prelaznoj
oblasti p-n spoja oznaene su jonizovane primese (pozitivni donorski i negativni
akceptorski joni), a kruii sa znakom + oznaavaju upljine kao veinske nosioce u p-oblasti, dok je za veinske elektrone u n-oblasti iskoriena oznaka .
Dakle, p-n spoj se sastoji od intimnog spoja poluprovodnika p-tipa i poluprovodnika n-tipa. Mesto na kome se prelazi sa jednog na drugi tip poluprovodnika zove se metalurki spoj, sl.
8.3a; to je, praktino, povrina dodira poluprovodnika p- i n-tipa. Kao to je u sedmoj glavi
reeno, moe se smatrati da su na sobnoj temperaturi skoro sve primese jonizovane. Zbog toga
e u p-oblasti veinski nosioci biti upljine, ija je koncentracija ppo NA, a u n-tipu elektroni,
sa koncentracijom nno ND. Manjinski nosioci u p-oblasti su elektroni (sa koncentracijom npo), a
u n-oblasti upljine, sa koncentracijom pno. S obzirom da je u p-oblasti koncentracija upljina
za nekoliko redova veliine vea nego u n-oblasti, to e iz p-oblasti ka n-oblasti nastati difuzija
upljina. Na mestu uz metalurski spoj, odakle su difuzijom otile upljine, ostaju nekompenzovani akceptorski joni (sl. 8.2 i sl. 8.3a) i, kako su oni negativno naelektrisani, u p-oblasti ostaje
negativna koliina naelektrisanja (Q). Isto tako, sa strane n-oblasti difuzijom kroz metalurki
spoj odlaze elektroni u p-oblast, te u n-oblasti ostaju nekompenzovani donorski joni (sl. 8.2 i sl.
8.3a), odnosno pozitivna koliina naelektrisanja (+Q). Ta oblast sa nekompenzovanim primesama, tj. sa prostornim naelektrisanjem vrsto vezanim za kristalnu reetku, zove se prelazna
oblast p-n spoja (sl. 8.2 i sl. 8.3a). U njoj, usled prostornog naelektrisanja postoji elektrino
polje K (sl. 8.3a), odnosno tolika potencijalna razlika Vbi da u ravnotei zaustavlja dalje difuziono kretanje nosilaca naelektrisanja. Zbog postojanja naelektrisanja, prelazna oblast p-n spoja
zove se i barijerna oblast ili oblast prostornog naelektrisanja.
128
Sl. 8.3. p-n spoj sa izvodima bez polarizacije (a), pri direktnoj (b) i inverznoj polarizaciji (c).
129
Sl. 8.4. Uz objanjenje proticanja struje kroz direktno polarisan p-n spoj.
irina prelazne oblasti, ili barijera, moe se menjati prikljuenjem spoljanjeg napona.
Smanjenje irine barijere postie se kada se na p-oblast prikljui pozitivan, a na n-oblast negativan pol spoljanjeg napona, sl. 8.3b; takav napon V zove se direktan napon. U suprotnom
sluaju, tj. prikljuenjem inverznog napona VR, irina prelazne oblasti se poveava, sl. 8.3c.
Neka se na p-n spoj dovede napon tako da se barijera smanji, sl. 8.3b. Usled smanjenja
barijere difuziona struja kroz p-n spoj postaje vea od driftovske i kroz p-n spoj e proticati
struja. Na sl. 8.4 simbolino je prikazano kretanje elektrona i upljina koje ine struju kroz p-n
spoj, odnosno kroz diodu. U n-oblasti veinski nosioci su elektroni i oni se kreu sdesna u levo,
inei driftovsku struju elektrona Indrift, koja je suprotnog smera od smera kretanja elektrona
znai, u desno. Injektovane upljine iz p-oblasti u n-oblast predstavljaju manjinske nosioce u toj
oblasti (na sl. 8.4a su one predstavljene belim kruiima). Njihova koncentracija je najvea neposredno uz prelaznu oblast, tj. na poetku n-oblasti. upljine se kroz n-tip poluprovodnika (noblast) kreu difuzijom sleva u desno, usled ega, takoe sleva u desno, nastaje difuziona struja
upljina Ipdiff. U bilo kojoj taki u n-oblasti ukupna struja koja protie kroz direktno polarisanu
diodu bie jednaka zbiru driftovske struje elektrona i difuzione struje upljina, tj. ID = Indrift + Ipdiff
(ovo je razlog zbog kojeg dioda spada u tkzv. bipolarne komponente komponente kod kojih
struju ine oba tipa naelektrisanja, i elektroni i upljine). S druge strane, u p-oblasti veinski
nosioci su upljine i one se kreu sleva u desno, od kojih nastaje driftovska struja upljina Ipdrift,
koja je istog smera sa smerom kretanja upljina znai, u desno. Injektovani elektroni iz noblasti u p-oblast predstavljaju manjinske nosioce u toj oblasti. Kako je njihova koncentracija
najvea neposredno uz prelaznu oblast, oni se kroz p-tip poluprovodnika (p-oblast) kreu
difuzijom sdesna u levo, inei difuzionu struju elektrona Indiff, sa smerom suprotnim od difuzionog kretanja elektrona. I ovde, u bilo kojoj taki u p-oblasti ukupna struja koja protie kroz
direktno polarisanu diodu je jednaka zbiru driftovske struje upljina i difuzione struje elektrona.
130
Sl. 8.5. Simbolina predstava nastanka veoma male struje pri inverznoj polarizaciji diode.
Kada se, pak, na diodu dovede inverzan napon (sl. 8.3c), barijera se povea. U tom sluaju difuziona struja veinskih nosilaca kroz barijeru prestaje, a driftovska struja ne moe da
poraste iznad ravnotene, jer u prelaznoj oblasti nema odgovarajuih nosilaca. Na primer, difuzionoj struji upljina, koju ine veinski nosioci iz p-oblasti, dri ravnoteu driftovska struja istih
nosilaca koji su uli u prelaznu oblast. Prema tome, driftovska komponenta struje kroz p-n spoj
ne moe biti vea od difuzione. Da bi ona porasla, potrebno je da iz n-oblasti dou upljine.
upljine su u n-oblasti manjinski nosioci; njih ima vrlo malo, te e i struja u ovom smeru biti
vrlo mala, sl. 8.5. Zbog toga se p-n spoj zove i usmeraki spoj, jer on u jednom smeru proputa,
a u drugom ne proputa elektrinu struju.
Na sl. 8.8a nacrtana je prelazna oblast p-n spoja. Kako je ovaj crte u linearnoj razmeri,
to slika ne prua pravi odnos veliina. Sa leve strane metalurkog spoja, usled odlaska upljina,
ostali su nekompenzovani akceptorski joni. Sa desne strane, odlaskom elektrona, ostali su nekompenzovani donorski joni. Kako u ravnotei p-n spoj mora biti elektroneutralan (+Q = |Q|),
to je broj nekompenzovanih donora sa jedne strane jednak broju nekompenzovanih akceptora sa
druge strane. Prema tome, prelazna oblast e biti ira sa one strane sa koje je koncentracija
primesa manja (u ovom sluaju u n-oblasti (xn >> xp)).
Koncentracija veinskih nosilaca kroz prelaznu oblast opada za nekoliko redova veliine
(sl. 8.7), te je u odnosu na koncentraciju primesnih jona zanemarljivo mala. To daje mogunost
da se u razmatranjima pretpostavi da postoji totalno osiromaenje nosilaca naelektrisanja u
prelaznoj oblasti (sl. 8.8b). Drugim reima, aproksimacija totalnim osiromaenjem prelazne
oblasti, koja se, kao to je reeno, jo zove i barijera i oblast prostornog naelektrisanja, kazuje da je u toj oblasti koncentracija nekompenzovanih primesa jednaka ukupnoj koncentraciji primesa. Totalno osiromaenje se posebno moe prihvatiti u sluaju kada se prikljui takav spoljanji napon na p-n spoj da se barijera povea (pri inverznoj polarizaciji, sl. 8.3c).
Sl. 8.8. Prelazna oblast skokovitog p-n spoja (nije u pravoj razmeri): (a) p-n spoj sa naznakom
prelaznih oblasti; (b) aproksimacija totalnog osiromaenja.
U p-tipu poluprovodnika Fermijev nivo je blizu vrha valentne zone, a u n-tipu blizu dna
provodne zone. Kako je u ravnotei Fermijev nivo u celom poluprovodniku konstantan, to e
nastati krivljenje zona, sl. 8.9. Na osnovu sl. 8.9 moe se pokazati da se za kontaktnu razliku
potencijala Vbi p-n spoja dobija:
Vbip n Vbi =
N N
kT p po
U T ln A 2 D ,
ln
q
p no
ni
(8.1)
pri emu su k Bolcmanova konstanta, a UT = kT/q tkzv. termiki potencijal i na sobnoj temperaturi (T = 300K) je UT 0,026 V.
Analogno, kontaktna razlika potencijala n-p spoja data je izrazom:
Vbin p =
N N
kT nno
U T ln A 2 D .
ln
q
n po
ni
133
(8.2)
Prikljuenjem spoljanjeg napona napon na barijeri se menja. Drugim reima, usled direktnog napona V, napon barijere VB, koji je u ravnotei bio jednak kontaktnoj razlici potencijala
(VB = Vbi), smanjuje se na VB = Vbi V; ukoliko se prikljui inverzni spoljanji napon ( Vinv ),
napon barijere se poveava i iznosi VB = Vbi ( Vinv ) = Vbi + Vinv .
S
w
(8.3)
135
Injektovane upljine, kao manjinski nosioci u n-oblasti, kreui se du x-ose u desno ine
difuzionu struju upljina (ija je gustina Jpdif). Te upljine se rekombinuju sa veinskim nosiocima elektronima, sl. 8.13; istovremeno, usled prikljuenog napona elektroni se du n-oblasti
kreu u suprotnom smeru od kretanja upljina, tj. sdesna u levo i to njihovo kretanje definie
driftovsku struju elektrona, ija je gustina Jndrift. Drugim reima, kako gustina difuzione struje
upljina Jpdif opada, tako gustina driftovske struje elektrona Jndrift raste (sl. 8.13). Smer difuzione
struje upljina je u smeru kretanja upljina, a ovo kretanje je u smeru opadanja njihove kon136
centracije, tj. u desno. Elektroni se, pak, kreu u susret upljinama, u levo, te je i smer struje
elektrona u desno. U p-oblasti je situacija obrnuta: injektovani elektroni se difuziono kreu u
levo (od njih potie difuziona struja elektrona gustine Jndif Jnd). Ovi elektroni se u p-oblasti
rekombinuju sa veinskim upljinama (sl. 8.12), koje se, pak, kreu sleva na desno, usled kojih
nastaje driftovska gustina struje Jpdrift.
V
V
,
I = I s exp
1 I s exp
UT
UT
(8.4)
gde je V spoljanji napon na diodi, UT termiki potencijal (UT = 0,026 V pri T = 300K), a Is je inverzna struja zasienja diode.
Struja Is je nazvana inverznom zbog toga to bi, na osnovu srednjeg lana u (8.4), ta
struja tekla pri inverznoj polarizaciji. Naime, pri inverznoj polarizaciji (na n-tip pozitivan a na ptip negativan pol napona, sl. 8.3c) je u jedn. (8.4) exp(-V/UT) << 1 ve pri naponima V = 0,2V,
tako da iz (8.4) sledi da je tada I = Is. Inverzna struja zasienja je veoma mala (kod silicijumskih dioda reda pA do nA), s obzirom da nju odreuju koncentracije manjinskih nosilaca naelektrisanja, a one su, kao to je pokazano, male.
Pri direktnoj polarizaciji p-n spoja eksponencijalna funkcija u jedn. (8.4) brzo raste i ve
pri naponu veem od 0,2V je exp(V/UT) >> 1. Prema tome, p-n spoj ukljuen u kolo elektrine
struje, proputa struju kada je direktno polarisan, a praktino je ne proputa pri inverznoj polarizaciji; drugim reima, p-n spoj (dioda) ima usmerake karakteristike, sl. 8.14. Kao to se sa
sl. 8.14a vidi, struja silicijumske diode naglo poinje da raste oko 0,6V, ali se kao napon voenja diode uvek uzima V = 0,7 V.
Izraz (8.4) daje izuzetno dobro slaganje teorijskih i eksperimentalnih vrednosti struja pri
direktnoj polarizaciji diode za napone V 0,4 V, a to su upavo oni naponi pri kojima se dioda i
koristi. Pri niim direktnim naponima, a posebno pri inverznoj polarizaciji izmerene vrednosti
inverznih struja Ir su znatno vee od Is (obino je Ir 1000Is). Stoga, pri inverznoj polarizaciji
ne treba raunati sa strujom Is, ve sa sa inverznom strujom Ir >> Is.
137
Ako to nije posebno naglaeno, za struju diode se koristi desni lan u izrazu (8.4). Kao
to se i sa sl. 8.14 vidi, a ve je to i pomenuto, struja koja protie kroz diodu pri inverznoj polarizaciji je veoma mala, reda nA. Zbog tako izuzetno male struje inverzne polarizacije, a relativno
velike struje kada je dioda direktno polarisana, dioda se, u prvoj aproksimaciji, moe smatrati
elektrinim ventilom, tj. komponentom koja u jednom smeru (direktna polarizacija) proputa, a u
suprotnom (inverzna polarizacija) ne proputa struju.
Stoga je mogue uvesti tkzv. praktian model diode, koji je za silicijumsku diodu dat
na sl. 8.15. Naime, u ovom modelu se dioda pri direktnoj polarizaciji u kolu prikazuje kao
kratkospojeni prekida P sa padom napona izmeu katode i anode Vd = 0,7 V (sl. 8.15a); pri
inverznoj polarizaciji prekida P je otvoren, a zbog Iinv = 0 napon izmeu anode i katode je jednak naponu izvora napajanja Vbat (sl. 8.15b). Pri tom, strujno-naponska karakteristika se smatra
idealnom (sl. 8.15c), sa naponom voenja kod silicijuskih dioda Vd = 0,7 V.
139
Sl. 8.17. Test kojim se pokazuje da je dioda neispravna: (a) kod otvorene diode i pri
direktnoj i pri inverznoj polarizaciji je ista identifikacija (kod nekih multimetara pie OL);
(b) kod kratkospojene diode i pri direktnoj i pri inverznoj polarizaciji na displeju pie ista
cifra: ili 0 ili napon znatno manji od napona baterije u instrumentu.
140
Sl. 8.18. Strujno-naponske karakteristike dve diode u lin-lin razmeri: kod jedne diode proboj
nastaje usled tunelovanja a kod druge usled lavinskog umnoavanja nosilaca naelektrisanja.
141
Diode na bazi m-s kontakta zovu se otkijeve diode. Osnovna razlika izmeu otkijevih
dioda i dioda sa p-n spojevima je u tome to je kod prvih struja uglavnom posledica kretanja
143
veinskih nosilaca naelektrisanja, dok je kod p-n spojeva struja najveim delom uslovljena difuzionim kretanjem manjinskih nosilaca nalektrisanja. Stoga su otkijeve diode znatno bre od
dioda sa p-n spojevima, s obzirom da kod njih nema nagomilavanja manjinskih nosilaca naelektrisanja.
Razlika u strujno-naponskoj karakteristici otkijevih dioda i silicijumskih dioda sa p-n
spojevima najbolje se moe uoiti sa sl. 8.21. Tipine vrednosti napona pri kojima u direktnom
smeru struja naglo poinje da raste su kod Si dioda oko 0,6 V, dok je ta vrednost kod otkijevih
dioda oko 0,3 V. Istovremeno, inverzna struja otkijevih dioda je oko tri do etiri reda veliine
vea od inverzne struje Si diode. Ali, sa druge strane, kao to je pomenuto, otkijeve diode su
bre od silicijumskih dioda, te su, stoga, pogodnije za tad na visokim frekvencijama.
Sl. 8.22. Princip dobijanja jednosmernog (ispravljenog) napona od naizmeninog mrenog napona.
144
Princip na kome se zasniva dobijanje jednosmernog od naizmeninog napona pomou jedne diode prikazan je na sl. 8.23. Kada na anodu diode naie pozitivna poluperioda ulaznog
napona Vin (od trenutka t0 do trenutka t1, sl. 8.23a), dioda proputa struju i na potroau (otporniku RL) stvara pad napona Vout istog oblika sa ulaznim naponom (sl. 8.23a). Meutim, kada na
anodu u vremenskom periodu od t1 do t2 (sl. 8.23b) naie negativna poluperioda ulaznog napona
Vin, dioda ne proputa struju i na potroau je izlazni napon Vout jednak nuli. Nailaskom sledee
pozitivne poluperiode ulaznog napona dioda ponovo provede, a zatim sa negativnom poluperiodom napon na izlazu ponovo biva jednak nuli, sl. 8.23c. Nedostatak ovog naina ispravljanja
jeste to struja protie kroz potroa samo za vreme jedne poluperiode naizmeninog napona,
dok je za vreme od t1 do t2 struja kroz potroa jednaka nuli.
Bolji nain dobijanja ispravljenog napona dobija se pomou dve diode, sl. 8.24. Na istoj
slici je prikazan i transformator koji mreni napon od 220 V sniava na eljenu vrednost, i tako
snieni naizmenini napon se sa sekundarnog namotaja (sekundara) transformatora dovodi na
diode D1 i D2. Za vreme pozitivne poluperiode naizmeninog napona vodi dioda D1 (sl. 8.25a), a
dioda D2 je tada inverzno polarisana i kroz nju ne protie struja (dioda D2 je zakoena). Situacija je potpuno izmenjena kad na diodu D2 naie negativna poluperioda napona sa sekundara:
tada ona vodi (sl. 8.25b), a dioda D1 je tada zakoena. Kao posledica, kroz potroa sve vreme
protie struja, koja na njemu stvara pad napona Vout kao na sl. 8.25b.
Sl. 8.25. Prikaz voenja i zakoenja pojedinih dioda u ispravljau sa dve diode.
Najei i najbolji nain dobijanja ispravljenog napona postie se pomou etiri diode vezane na nain prikazan na sl. 8.26 (tako vezane diode ine tkzv. Grecov spoj). Naime, za vreme
pozitivne poluperiode naizmeninog napona koji se dovodi sa sekundara transformatora provede
dioda D1; struja prolazi kroz potroa RL i strujni krug se zavrava preko diode D2 (sl. 8.26a).
Drugim reima, tada vode diode D1 i D2, a diode D3 i D4 su tada zakoene. Meutim, kada na
diodu D3 naie negativna poluperioda napona sa sekundara, uloge dioda su izmenjene: tada vode
diode D3 i D4 (sl. 8.26b), a diode D1 i D2 su tada zakoene. Na taj nain kroz potroa sve vreme
protie struja, koja na njemu stvara pad napona kao na sl. 8.26b. Na sl. 8.27 je prikazano nekoliko razliitih Grecovih spojeva, na kojima se vidi gde se prikljuuje naizmenini napon, a sa
kojih izvoda se uzima + i ispravljenog napona (to je, takoe, naznaeno i na sl. 8.26).
Do sada je bilo rei o nainima ispravljanja napona. Meutim, tako dobijeni su i kod punotalasnog (sl.8. 28b), a posebno kod polutalasnog ispravljanja (sl. 8.28a), takvi da su talasni oblici napona na izlazu neprihvatljivi za praktinu primenu (na primer kod audio ureaja bi bio jako ujan nedozvoljeni brum). Stoga se posle ispravljakih dioda koristi kondenzator velike kapacitivnosti (obino su to elektrolitski kondenzatori kapacitivnosti nekoliko stotina F), sl. 8.29.
146
Uloga kondenzatora (sl. 8.28 i sl. 8.29) se ogleda u sledeem: u prvom trenutku kada
dioda provede, kondenzator se napuni (sl. 8.39a) i napon na njemu je VC = Vp(in) 0,7 V, gde je
Vp(in) maksimalna vrednost ulaznog napona. Odmah nakon toga kondenzator poinje da se prazni
preko potroaa RL (sl. 8.29b) i to pranjenje kondenzatora traje sve do trenutka kada, pri pozitivnoj poluperiodi naizmeninog napona, struja koja protie kroz diodu ne dopuni kondenzator
(na sl. 8.29c je to trenutak koji je iznad t2). Na taj nain se dobija prilino ispeglan napon na
potroau, sl. 8.28. Oigledno je, stoga, da e to peglanje ispravljenog napona biti bolje ukoliko je kapacitivnost kondenzatora vea, s obzirom da je vreme pranjena kondenzatora srazmerno
kapacitivnosti istog.
Na kraju, na sl. 8.30 dat je izgled jednog ispravljaa sa etiri diode, a na sl. 8.31 je prikazano nekoliko vrsta dioda, sa naznakom na kom je izvodu katoda.
147
149
9. BIPOLARNI TRANZISTORI
9.1. VRSTE TRANZISTORA
Sama re tranzistor nastala je saimanjem rei TRANSfer-resISTOR, koje na engleskom jeziku znae prenosna otpornost. Moe se, s pravom, rei da je elektronska revolucija
zapoela pronalaskom bipolarnih tranzistora 1947. godine. Do tada su se poluprovodnici koristili
samo za termistore, fotodiode i ispravljae. 1949. godine okli je publikovao teoriju o radu poluprovodnikih dioda i bipolarnih tranzistora i od tog trenutka poinje nagli razvoj kako teorijskih
istraivanja, tako i industrijske proizvodnje ovih komponenata. Zahvaljujui intenzivnom napretku tehnologije poveala se, znatno, pouzdanost, snaga, granina frekvencija i primena bipolarnih
tranzistora.
Za razliku od dioda, koje su, kao to je pokazano, elektronske komponente sa dva izvoda,
tranzistori su komponente sa tri izvoda, sl. 9.1. Ti izvodi su kontaktirani za tri oblasti: oblast
tranzistora iz koje se injektuju nosioci naelektrisanja zove se emitor, oblast u koju se injektuju ti
nosioci je baza, a oblast u koju ekstrakcijom iz baze dolaze nosioci zove se kolektor, sl. 9.1a.
Osnovna karateristika bipolarnog tranzistora jeste da je to komponenta koja ima pojaavaka
svojstva, tj. da signal koji se dovodi na ulaz tranzistora biva pojaan na njegovom izlazu, to je
figurativno prikazano na sl. 9.1b.
Sl. 9.1. Bipolarni tranzistor komponenta sa tri izvoda (a) i kao pojaavaka kompoenta (b).
Bipolarni tranzistor se sastoji od dva p-n spoja, sl. 9.2. Meutim, naglaava se da ti p-n
spojevi moraju da budu u jednoj poluprovodnikoj komponenti tranzistor se ne moe, dakle,
dobiti jednostavnim spajanjem dva p-n spoja (dve diode); osnovno svojstvo tranzistora sastoji se
ba u tome da izmeu tih p-n spojeva postoji uzajamno dejstvo strujom jednog spoja moe se
upravljati struja drugog p-n spoja. Kao to se sa sl. 9.2 vidi, u zavisnosti od toga koga je tipa
srednja oblast, koja se, kao to je reeno, zove baza, razlikuju se p-n-p (nadalje e se oznaavati
sa PNP) i n-p-n (NPN) tranzistori.
150
Sl. 9.2. Ilustrativni i ematski prikazi PNP (a) i NPN (b) tranzistora.
Sl. 9.3. NPN tranzistor kao diskretna komponena i u okviru integrisanih kola.
151
Sl. 9.5. Fotografija diskretnog tranzistorskog ipa (a) i njegova montaa u metalno kuite TO 18.
152
Ne ulazei u tehnoloki niz proizvodnje bipolarnih tranzistora, na sl. 9.3 su prikazana dva
NPN tranzistora: jedan se odnosi na diskretnu komponentu (svaki tranzistor je pojedinana komponenta), a drugi je izdvojen iz jednog integrisanog kola. Osnovna razlika izmeu njih ogleda se
u tome to se kod diskretnog tranzistora kolektorski i emitorski kontakt nalaze sa suprotnih strana, a kod tranzistora u integrisanim kolima su svi kontakti sa jedne strane, sl. 9.3. Stoga kolektorska struja kod diskretnog tranzistora protie vertikalno kroz komponentu, a kod integrisanog
tranzistora ona je najveim delom planparalelna.
Slika 9.5 prikazuje fotografiju ipa jednog diskretnog bipolarnog tranzistora i figurativni
odnos veliina samoga ipa i kuita.
Kako tranzistor ima tri izvoda, to se on moe ukljuiti na 6 razliitih naina u dva elektrina kola, pri emu je jedan kraj zajedniki za oba kola. Meutim, u praksi se koriste samo 3
naina vezivanja; to su: spoj sa uzemljenom (zajednikom) bazom (sl. 9.6a), spoj sa uzemljenim
emitorom (sl. 9.6b) i spoj sa uzemljenim kolektorom (sl. 9.6c).
Sl. 9.6. Tri naina vezivanja PNP tranzistora: (a) sa uzemljenom bazom; (b) sa uzemljenim emitorom; (c) sa uzemljenim kolektorom.
u podruje emitora, inei emitorsku struju elektrona InE. Kako su elektroni i upljine nosioci
naelektrisanja suprotnog znaka, to je i emitorska struja elektrona InE istog smera kao i emitorska
struja upljina IpE, tako da je emitorska struja IE jednaka zbiru ovih dveju struja. Meutim, samo
komponenta struje koja nastaje prolaskom upljina kroz emitorski spoj doprinosi pojaavakom
svojstvu tranzistora, s obzirom da ona efektivno uestvuje u formiranju kolektorske struje. Otuda
se u konstrukciji tranzistora tei da se emitorska struja elektrona InE kroz emitorski spoj to vie
smanji (ne treba zaboraviti da je ovde re o PNP tranzistoru; kod NPN tranzistora je upravo obrnuto). Prema tome, emitorska struja IE je:
I E = I pE + I nE .
Sl. 9.7. Figurativna predstava kretanja elektrona u normalno polarisanom NPN tranzistoru.
154
(9.1)
Injektovane upljine e se, usled njihove poveane koncentracije u bazi uz emitorski spoj,
difuziono kretati kroz bazu ka kolektorskom spoju, sa napomenom da su u bazi upljine manjinski nosioci naelektrisanja. Kreui se ka kolektoru, jedan manji broj upljina se rekombinuje sa
elektronima u bazi; ta komponenta struje upljina obeleena je sa IpB = InB (sl. 9.8). Meutim,
daleko najvei broj upljina injektovanih iz emitora stie do prelazne oblasti kolektorskog spoja.
Kako je, zbog inverzne polarizacije, elektrino polje u prelaznoj oblasti kolektorskog spoja takvog smera da pomae kretanje manjinskih nosilaca naelektrisanja (u ovom sluaju upljina), to,
praktino, sve upljine koje su stigle do kolektorskog spoja prelaze u kolektor, inei kolektorsku
struju upljina IpC. Kroz inverzno polarisani kolektorski spoj protie i struja ICB0, koja se sastoji
od tri komponente: inverzne struje upljina kao posledice prelaska ravnotenih manjinskih
nosilaca (pno) iz baze, struje zasienja elektrona koja potie od ravnotenih manjinskih nosilaca
u kolektoru (npo) i generaciono-rekombinacione struje usled generacije nosilaca u kolektorskoj
prelaznoj oblasti, ali, zbog toga to je ICB0 << IpC, o struji ICB0 nadalje se nee voditi rauna.
Prema tome, bazna struja IB e biti:
I B = I pB + I nE ,
(9.2)
I C I pC .
(9.3)
(9.4)
I B = I E I C = I pE + I nE I pC .
(9.5)
Bazna struja je vrlo priblino jednaka razlici emitorske struje upljina IpE i kolektorske
struje upljina IpC, s obzirom da je struja InE znatno manja u poreenju sa strujama IpE i IpC.
Kolektorska struja upljina IpC je vrlo malo manja od emitorske struje upljina IpE, jer se samo
neznatan broj upljina gubi rekombinacijom sa elektronima u toku difuzionog kretanja kroz bazu; stoga je bazna struja relativno mala. (Napominje se da je bazna struja vrlo mala samo kod
tranzistora male snage; naprotiv, kod tranzistora velike snage bazna struja moe iznositi i nekoliko ampera, to je osnovni nedostatak takvih bipolarnih tranzistora snage.)
Ako se na red sa izvorom VBE (sl. 9.2a) prikljui izvor naizmenine struje, polarizacija
emitorskog spoja menjae se u ritmu pobudnog naizmeninog napona. Oigledno je da e se u
istom ritmu menjati i emitorska i kolektorska struja i da e, s obzirom na reeno, i naizmenine
komponente emitorske i kolektorske struje biti priblino jednake. Sa druge strane, otpornost
direktno polarisanog emitorskog spoja je mala, dok je otpornost inverzno polarisanog kolektorskog spoja vrlo velika. Drugim reima, tranzistor se ponaa u odnosu na spoljanji kolektorski
prikljuak kao izvor konstantne struje. To omoguava da se na otporniku vezanom na red u
kolektorskom kolu dobije znatno vea snaga i napon od onih kojim se tranzistor pobuuje, to je
osnovno svojstvo tranzistora (tranzistorski efekat) kao pojaavake komponente. Napominje se
da je do sada bilo rei o tranzistoru sa uzemljenom bazom, koji ne moe da slui kao strujni
pojaava, jer je kolektorska struja manja od emitorske; meutim, kao to e kasnije biti pokazano, znatno strujno pojaanje se moe dobiti kod tranzistora sa uzemljenim emitorom.
IC
za VEB = const.
IE
(9.6)
Ovde, zapravo, nije re o strujnom pojaanju, s obzirom da je < 1; ovaj termin koeficijent strujnog pojaanja ima pravo znaenje kod tranzistora sa uzemljenim emitorom, gde
predstavlja odnos kolektorske (izlazne) i bazne (ulazne) struje:
=
IC
za VBE = const.
IB
(9.7)
.
= C =
=
=
IC 1
I B I E IC
1
IE
Iz poslednjeg izraza, takoe, sledi:
156
(9.8)
.
1+
(9.9)
Treba napomenuti da su vrednosti koeficijenta strujnog pojaanja kod svih tipova tranzistora 1 (ali uvek < 1), a vrednosti koeficijenta strujnog pojaanja kod tranzistora male
snage su 100300, dok su kod tranzistora snage te vrednosti znatno manje ( 2060). Koeficijent strujnog pojaanja se esto obeleava i sa hFE.
157
lektorskog p-n spoja. Sa sl. 9.11 se, takoe, vidi da su, desno od isprekidane krive (aktivna oblast emitorski spoj direktno a kolektorski spoj inverzno polarisan), izlazne karakteristike paralelne (to je samo teorijski, dok su u praksi one nagnute sa pozitivnim koeficijentom nagiba, sl.
9.12); isprekidana kriva oznaava granicu oblasti zasienja (saturacije) i njome je odreen
napon zasienja VCEsat izmeu emitora i kolektora nakon kojeg je kolektorska struja praktino
konstantna i jednaka ICsat. Levo od isprekidane krive (za napone 0 < VCE VCEsat i struje 0 < IC <
ICsat) je i kolektorski p-n spoj direkno polarisan i ta oblast se ne koristi u pojaavake svrhe.
158
VCE 0 =
VCB 0
,
(1 + )1 / m
Sl. 9.13. Izlazne karakteristike NPN tranzistora sa uzemljenim emitorom u oblasti proboja.
160
(9.10)
IC =
VCC
1
VCE .
RC RC
161
(9.11)
Poslednji izraz (IC = f(VCE)) u koordinatnom sistemu IC VCE, u kojem su i izlazne karakteristike tranzistora, predstavlja radnu pravu, sl. 9.14b (za primer na sl. 9.14, ako se eli da u
radnoj taki M, u kojoj je bazna struja IB = 40 A, kolektorska struja pri naponu VCE = 3,5 V bude IC = 8 mA, iz (9.11) se dobija da otpornost otpornika RC iznosi RC = 375 ).
Kada se na bazu dovede i naizmenini signal Vin (sl. 9.14a), jednosmernoj baznoj struji IB
se superponira naizmenina komponenta ib(t) = Ibmsin(t) (u primeru na sl. 9.14 je amplituda
naizmenine bazne struje Ibm = 35 A). Pri pozitivnoj poluperiodi naizmeninog signala poveava se i kolektorska struja (od take M u levo po radnoj pravoj, sl. 9.14b; za primer na sl. 9.14
pri maksimalnoj vrednosti Ibm = 35 A promena kolektorske struje je do take A, u kojoj je Icm =
Ibm = 200 35 A = 7 mA, odnosno u taki A kolektorska struja je ICA = ICM + Icm = 8 + 7 = 15
mA). Isto tako, pri negativnoj promeni naizmenine komponente bazne struje, kolektorska struja
se po radnoj pravoj od jednosmerne radne take M smanjuje u desno (za primer na sl. 9.14
promena kolektorske struje je do take B, u kojoj je kolektorska struja je ICB = ICM Icm = 8 7
= 1 mA). Dakle, ako je promena bazne struje IB, promena kolektorske struje je IC = IB (za
primer na sl. 9.14 je IB = 70 A, tako da je IC = 20070 A = 14 mA). Drugim reima, malom
promenom ulazne struje mogue je ostvariti relativno veliku promenu izlazne struje, koja na
otporniku RC stvara pad napona koji se dalje, na isti nain, moe poveavati; treba napomenuti
da je naizmenina komponenta napona na otporniku RC, usled vc(t) = RCic(t) = RCib(t) =
RCIbmsin(t) u protivfazi sa baznom strujom kad se bazna struja poveava napon na kolektoru se smanjuje i obrnuto (kao to je i naznaeno na sl. 9.14a).
Kao to je i pokazano na sl. 9.14, radna taka na radnoj pravoj pomerala se do dake A,
odnosno do take B. To je, stoga, da ne bi dolo do deformacije signala. Naime, na sl. 9.15a su
ponovo prikazane izlazne karakteristike jednog NPN tranzistora sa naznakom dozvoljenog pomeranja radne take Q po radnoj pravoj; na pomenutoj slici ta oblast se kree od saturacije (za
dati primer je VCEsat 0,5 V) do prekidne oblasti, kada je IB = 0 (VCEprekid 9,5 V na sl. 9.15a). U
suprotnom, ako je ulazni signal relativno veliki, odnosno takav da radna taka na radnoj pravoj
zalazi bilo u oblast saturacije, bilo u prekidnu oblast, dolazi do deformacije izlaznog signala
bilo u pogledu izlazne struje Ic, bilo u pogledu izlaznog napona Vce, sl. 9.15b (napominje se de su
jednosmerne komponente napona i struje oznaene u indeksu velikim, a naizmenine malim slovom).
162
VBE
.
UT
(9.12)
Stoga se izrazom (9.12) moe predstaviti strujni izvor kolektorskog spoja, to je prikazano na sl.
9.17.
Sa druge strane, direktno polarisani emitor-bazni spoj se na uproenom Ebers-Molovom
modelu predstavlja diodom (sl. 9.17), sa strujom IB = IC/(+1).
163
Sl. 9.16. Uproeni Ebers-Molov model NPN i PNP tranzistora za rad u aktivnom reimu.
(a)
(b)
(c)
(d)
164
Na sl. 10.1 je predstavljena principijelna struktura MOS tranzistora. Praktino, u silicijumski supstrat (osnovu) koji, kao to e kasnije biti pokazano, moe biti ili p- ili n-tipa, difunduju se dve oblasti suprotnog tipa provodnosti (u p-supstrat difunduju se n-oblasti, a u n-supstrat
p-oblasti). Prva difundovana oblast zove se sors, a druga drejn. Na povrini supstrata naini se
165
vrlo tanak sloj oksida (SiO2, Si3N4), a preko njega (ali obavezno da zahvata oblasti sorsa i
drejna) sloj metala koji slui kao upravljaka elektroda. Ova upravljaka elektroda zove se gejt.
Sl. 10.3. n-kanalni MOS tranzistor pre (a) i posle (b) uspostavljanja (indukovanja) kanala.
166
Sl. 10.4. p-kamalni MOS tranzistor pre (a) i posle (b) uspostavljanja (indukovanja) kanala.
Kanal moe biti ugraen (na primer difuzijom ili implantacijom primesa) ili, to je mnogo ei sluaj, indukovan. Kod MOS tranzistora sa indukovanim kanalom, kanal se formira
elektrinim poljem koje nastaje usled primene odgovarajueg napona na gejtu.
MOS tranzistor je osnovna komponenta integrisanih kola (IC) vrlo visoke gustine pakovanja. U praktinim izvoenjima danas dominiraju CMOS IC. CMOS kao osnovnu jedinicu
imaju komplementarni par sastavljen od po jednog n- kanalnog i p-kanalnog MOS tranzistora.
Na sl. 10.5 prikazano je oznaavanje MOS tranzistora u elektrinim emama. Napominje
se da se srednje oznake na pomenutoj slici koriste kod tranzistora kod kojih supstrat nije na potencijalu sorsa, ve se on prikljuuje na poseban izvor napona.
Sl. 10.6. n-kanalni MOS tranzistor sa relevantnim podacima za analizu njegovog rada.
Sl. 10.7. Prikljuivanjem pozitivnog napona na gejt u odnosu na p-supstrat indukuje se n-kanal.
Kao to je ve pomenuto, na povrini, izmeu sorsa i drejna a jednim delom i iznad njih,
nalazi se tanak sloj oksida (SiO2, Si3N4), koji slui kao dielektrik, sl. 10.6. Preko oksida nalazi se
gejt (upravljaka elektroda), kojeg ini tanak sloj aluminijuma (kod MOS tranzistora sa aluminijumskim gejtom) ili polikristalnog silicijuma (kod tranzistora sa polisilicijumskim gejtom). S
obzirom da su i sors i drejn oblasti suprotne provodnosti od provodnosti supstrata, to se u oblasti
sorsa i drejna u supstratu (zato to je koncentracija primesa u supstratu znatno nia nego u sorsu i
drejnu) formiraju prelazne oblasti p-n spojeva, koje se, zbog toga to su sors i drejn veoma blizu
(L je reda m), spajaju (sl. 10.7). U daljem razmatranju naina rada MOS tranzistora ove prelazne oblasti se nee analizirati, a bie pomenute samo kada je to neophodno.
168
MOS tranzistori koriste efekat poprenog polja (normalnog na povrinu), kojim se ostvaruje inverzija tipa provodnosti povrinskog sloja poluprovodnika ispod gejta i na taj nain formira kanal izmeu sorsa i drejna. Naime, ako se, na primer, kod n-kanalnog MOS tranzistora gejt
prikljui na pozitivan napon u odnosu na p-supstrat, pri emu su i sors i drejn uzemljeni, sl. 10.7,
u supstratu e se neposredno ispod oksida na njegovoj povri, usled Kulonove sile, indukovati
negativno naelektrisanje i to tako to e se upljine iz povrinskog sloja udaljiti i ostaviti nekompenzovane negativno naelektrisane akceptorske jone. Poveavanjem pozitivnog napona na gejtu
sve vie se udaljavaju upljine, a iz zapreminskog dela supstrata ka povini kreu manjinski elektroni sve dok, pri odreenom naponu na gejtu, ne nastupi inverzija tipa provodnosti supstrata.
Drugim reima, pri jednoj vrednosti napona na gejtu, koji se zove napon praga i obeleava sa
VT, povrinski sloj p-supstrata ispod oksida gejta, a izmeu sorsa i drejna, ponaa se kao n-tip
poluprovodnika. Stoga se ta oblast ponaa kao kanal od sorsa do drejna (sors i drejn su istog tipa
provodnosti kao indukovani kanal, sl. 10.7), tj. ako se u tim uslovima dovede pozitivan napon na
drejn u odnosu na sors, elektroni iz sorsa kroz kanal mogu driftovski da dou do drejna, odnosno
u tom sluaju izmeu sorsa i drejna e proticati struja drejna, sl. 10.3. Ukoliko je napon na gejtu
vei, utoliko je jaa inverzija tipa, odnosno utoliko je vei broj elektrona u kanalu. Kada je re
o p-kanalnom MOS tranzistoru inverzija tipa n-supstrata ostvaruje se negativnim naponom na
gejtu u odnosu na supstrat, a u indukovanom kanalu se skupljaju upljine, sl. 10.4.
Kao to je reeno, napon na gejtu VT potreban da se stvori kanal od sorsa do drejna je napon praga. Tano definisanje napona praga je veoma teko. Zbog toga se za napon praga uslovno
moe prihvatiti definicija da je to onaj napon izmeu upravljake elektrode (gejta) i supstrata pri
kome koncentracija manjinskih nosilaca na povrini postaje jednaka koncentraciji veinskih nosilaca u unutranjosti supstrata.
Sl. 10.8. Proticanje struje drejna u n-kanalnom MOS tranzistoru pri malim naponima na drejnu.
169
Pri veoma malim naponina na drejnu kanal se moe predstaviti kao otpornik, tako da je
struja drejna u jednom delu ID-VD karakteristike priblino linearno proporcionalna naponu na
drejnu; to je tkzv. linearna oblast rada MOS tranzistora (sl. 10.10). Nakon linearne oblasti, a pri
naponima |VD| < |VG VT|, struja drejna sporije raste sa poveavanjem napona na drejnu, sl.
10.11. To je, stoga, to se kanal u okolini drejna suava, sl. 10.9a, kao posledica poveavnja
irine prelazne oblasti p-n spoja drejn-supstrat (sl. 10.7), koji je inverzno polarisan. Ta oblast,
zajedno sa linearnom oblau, sve do napona na drejnu |VD| = |VG VT| zove se triodna oblast,
sl. 10.11 (zato to podsea na slinu oblast na strujno-naponskoj karateristici triode).
Sl. 10.9. n-kanalni MOS tranzistor u: (a) linearnoj oblasti rada (mali napon na drejnu);
(b) na ivici zasienja i (c) u zasienju.
Sl. 10.10. ID-VD karakteristike n-kanalnog MOS tranzistora u linearnoj oblasti rada.
Kada u taki y = L debljina kanala postane jednaka nuli, dolazi do prekida kanala (sl.
10.9b) i to se deava pri naponu na drejnu |VD| = |VG VT|. Napon drejna pri kome nastaje prekid
kanala zove se napon zasienja (saturacije) VDsat. Sa daljim poveanjem napona na drejnu (sl.
10.8), tj. pri |VD| > |VG VT|, duina kanala se smanjuje sa L na L' (sl. 10.9c). Na prvi pogled
moe se pomisliti da e struja drejna prestati da tee. Meutim, ona i dalje protie i sa
170
poveanjem napona na drejnu ostaje konstantna, sl. 10.11. To znai da broj nosilaca
naelektrisanja koji sa sorsa stiu u taku y = L' ostaje nepromenjen, a s obzirom da su oni
zahvaeni poljem osiromaene oblasti drejna, bivaju prebaeni u drejn, tako da struja drejna
ostaje, takoe, nepromenjena i konstantna. Zbog toga se oblast rada MOS tranzistora pri
naponima VD VDsat zove oblast zasienja (sl. 10.11).
Sl. 10.12. Struja izmeu sorsa i drejna ne prestaje i kada se kanal prekine, jer se MOS
tranzistor ponaa kao bipolarni tranzistor u stanju prodiranja.
Da struja drejna ostaje konstantna nakon prekida kanala moe se protumaiti i uz pomo
sl. 10.12. Naime, u pogledu rasporeda p- i n-oblasti n-kanalni MOS odgovara strukturi NPN
tranzistora (za p-kanalni MOS ova struktura e biti PNP tranzistor). Sors sa kanalom je emitor,
drejn je kolektor, a supstrat MOS tranzistora je baza. Prelazna oblast irine w prostire se od drej171
na do kanala (sl. 10.12). Ovo u potpunosti odgovara sluaju kod bipolarnog tranzistora kada se
prelazna oblast kolektorskog spoja prostire od kolektora do emitora, pa kod bipolarnog tranzistora nastaje proboj (dostignut je tkzv. napon prodiranja). Dakle, kod MOS tranzistora proboj nastaje izmeu kanala i drejna i struju drejna ograniava samo otpornost preostalog dela kanala L'.
Da bismo izveli zavisnost struje drejna od napona na njemu, kao i od napona na gejtu,
posmatrajmo ponovo sliku 10.6, sa naznaenim koordinatnim sistemom na njoj.
Na osnovu izraza za gustinu driftovske struje
J = qnv = qn n K y ,
(10.1)
I D = J S = q n K yW ndx ,
(10.2)
gde su: S povrina kanala normalna na smer struje, Ky elektrino polje u smeru y, W irina
kanala (sl. 10.6), a n efektivna pokretljivost elektrona u kanalu.
Kako koncentracija elektrona opada sa udaljavanjem od povrine po sloenom zakonu,
integral u (10.2) relativno je teko izraunati. Stoga se vri aproksimacija kojom se vrednost pomenutog integrala izjednaava sa ukupnom koliinom naelektrisanja po jedinici povrine kanala
(povrine gejta), koja zavisi od elektrinog polja u oksidu:
x
q ndx =
0
dQ
= D x = ox K x ,
dS x
(10.3)
(10.4)
dV y
dy
(10.5)
Elektrino polje u oksidu, koje utie na provodnost kanala, zavisi od efektivnog napona
na gejtu (VGeff = VG VT) i potencijala take y na kanalu. Smatrajui da je oksid homogen i bez
prostornog naelektrisanja, debljine tox, bie:
Kx =
VGeff V y
t ox
VG VT V y
t ox
(10.6)
n oxW
t ox
(VG VT V y )
172
dV y
dy
(10.7)
I D dy =
0
n oxW
t ox
VD
(V
VT V y )dV y .
(10.8)
Granice za promenljivu y su poetak (0) i kraj (L) kanala, a za promenljivu Vy napon kod
sorsa, Vy(0) = 0, i napon kod drejna, Vy(L) = VD. Posle integraljenja i sreivanja dobija se:
ID =
n oxW
2(VG VT )VD VD2 = n 2(VG VT )VD VD2 ,
2t ox L
(10.9)
n oxW
.
2t ox L
(10.10)
gde je
n =
Jednaina (10.9) za struju drejna vai samo za |VG VT| |VD|, odnosno u triodnoj oblasti,
sl. 10.11. Za male napone na drejnu drugi lan u srednjim zagradama u (10.9) se moe zanemariti u odnosu na prvi lan, pa je tada struja drejna:
I D 2 n (VG VT )V D =
VD
,
Ron
(10.11)
1
.
2 n (VG VT )
(10.12)
Iz (10.11) vidi se da za vrlo mele napone na drejnu struja drejna linearno zavisi od
napona drejna, tj. tada se MOS tranzistor nalazi u linearnoj (omskoj) oblasti rada, sl. 10.10.
Drugim reima, tada se MOS tranzistor ponaa kao otpornik ija je otpornost kontrolisana
naponom izmeu gejta i sorsa.
Sa druge strane, kada se u (10.9) uvrsti |VG VT| = |VD|, dobija se izraz za struju drejna
I D = n (VG VT ) ,
2
(10.13)
koji reprezentuje parabolu koja deli triodnu oblast od oblasti zasienja na izlaznim karakteristikama MOS tranzistora, sl. 10.11.
Realna struja drejna e, ipak, rasti sa porastom napona na drejnu, posebno kod MOS tranzistora sa kratkim kanalima. Ovaj efekat se najjednostavnije moe opisati izrazom:
V
2
I D = n (VG VT ) 1 + D ,
VA
173
(10.14)
Sl. 10.12. Realna struja drejna ipak raste sa porastom napona na drejnu.
Drugi nain dobijanja prenosnih karakteristika je grafiki, sl. 10.14. Izabere se vrednost
napona VD = const. na izlaznim karakteristikama MOS tranzistora i povue vertikala, koja preseca karakteristike VG = const. u takama A, B, C, D, E. U koordinatnom sistemu ID-VG koji se
nacrta levo od izlaznih karakteristika povuku se vertikalne prave za odgovarajue VG. Horizontalne linije povuene iz taaka A, B, C, D i E su odgovarajue struje drejna za napone VG = 3 V,
4 V, 5 V, 6 V i 7 V na sl. 10.14. Na preseku odgovarajuih horizontalnih i vertikalnih linija dobijamo take A', B', C', D' i E', koje lee na prenosnoj karakteristici. Kada ih spojimo, dobijamo
prenosnu karakteristiku MOS tranzistora za izabranu vrednost napona na drejnu. Presek ove karakteristike sa VG-osom daje vrednost napona praga VT (na sl. 10.14 je VT = 3 V).
175
(11.1)
176
11.1. FOTODIODA
Na sl. 11.2 prikazan je presek fotodiode. To je planarna dioda kod koje je anodni kontakt
izveden samo na delu difundovane povrine, tako da je samo mali deo povrine p-tipa zaklonjen
kontaktom. Svetlost koja pada na povrinu prodire u silicijum. Struja inverzno polarisane diode
pri osvetljavanju poraste usled poveanja koncentracije manjinskih nosilaca u p-oblasti, koja je
vrlo tanka, i u n-oblasti u dubini ispod prelazne oblasti. Osim toga, inverzna struja poraste i usled
generacije nosilaca u prelaznoj oblasti. Stvoreni elektroni odlaze iz prelazne oblasti u n-oblast, a
upljine u p-oblast.
I = K ,
(11.2)
Struja nastala usled foftoefekta, a koja protie kroz neki potroa, kao to je reeno kod
fotodiode, proporcionalna je svetlosnom fluksu:
178
I = KF .
(11.3)
Na sl. 11.6a prikazana je ekvivalentna ema fotogeneratora. Idealnoj diodi, kroz koju
protie difuziona struja usled promene barijere, na red je vezana otpornost Rs, a paralelno otpornost Rp i strujni generator fotoelektrine struje I. Za razliku od redne otpornosti, paralelna
otpornost Rp se uglavnom moe zanemariti. Ekvivalentna ema fotogeneratora kod koga su zanemarene i redna i paralelna otpornost prikazana je na sl. 11.7a, a radni deo njegove statike
karakteristike na sl. 11.7b.
Sa sl. 11.7 vidi se da se fotostruja I deli na jednu kroz otpornost potroaa Rp to je
spoljanja struja I i drugu I1 to je difuziona struja kroz diodu. Reim rada fotogeneratora se
bira tako da korisna snaga bude najvea. Kako je korisna snaga
179
PK = UI ,
(11.4)
180
11.3. FOTOTRANZISTOR
Dalje poveanje osetljivosti fotoelemenata postie se fototranzistorima. Na sl. 11.9a prikazan je presek fototranzistora. Kao to se vidi, fotodiodi je dodat jo mali emitor, te je dobijen
tranzistor, koji ima veliku povrinu kolektorskog spoja. Svetlost deluje uglavnom na kolektorski
spoj. Ovaj tranzistor je zatvoren u providno kuite kako bi svetlost prodire do tranzistorske
strukture. S obzirom da je najveim delom osvetljen kolektorski p-n spoj, to je kao da je kolektor-baznom spoju paralelno vezana fotodioda, sl. 11.9c, a kako je bazna struja praktino jednaka
fotostruji I, to znai da je kolektorska struja IC = I. Drugim reima, fototranzistor je puta
osetljiviji od fotodiode koja ima istu efektivnu povrinu.
Od irine zabranjene zone zavisie energija fotona, odnosno talasna duina svetlosti. Prema tome, izborom poluprovodnika moemo dobiti eljenu talasnu duinu svetlosti, sl. 11.12. Odmah treba istai da se LED ne realizuju u silicijumskoj tehnologiji, tako da je njihov napon pri
182
direktnoj polarizaciji znatno vei od 0.7 V. Drugim reima, LED se izrauju od poluprovodnikih materijala ije su vrednosti energetskih procepa vee nego u sluaju silicijuma. Na primer,
trokomponentno jedinjenje galijum-arsenid-fosfid (GaAsP) zrai vidljivu crvenu svetlost, dok se
LED od galijum-arsenida (GaAs) koristi za infracrveno (nevidljivo) podruje spektra, sl. 11.13.
Veina laserskih dioda male snage inkapsulirana su u kuita tranzistorskog tipa (sl.
11.15 a, b i c), a manji deo ima kuita drugih oblika, sa razliitim talasnim duinama svetla koje
emituju (npr. oko 670 nm za crveno podruje spektra). Laserske diode koje se koriste u optikim
komunikacijskim sistemima ugrauju se u kuita koja na prozoru imaju ugraen (nalepljen)
svetlovod (sl. 11.15 d i e).
Na sl. 11.16 ilustrativno je prikazano poreenje veliine laserskih dioda sa drugim predmetima.
Slika 11.17 prikazuje delove diodnog lasera. Okruglo kuite zatvoreno je hermetiki. Sa
prednje strane (gore) ima tanki stakleni prozor kroz koji prolazi laserska svetlost, a sa zadnje
strane tri elektrina kontakta (noice). U kuitu se nalazi ne samo laserski ip mikronskih dimenzija, priblino 0,5 5 300 m (desni gornji uago na slici, strelice oznaavaju snopove
svetlosti), nego i jedna integrisana fotodioda, takoe mikronskih dimenzija. Ona slui za praenje intenziteta svetla lasera koje dolazi iz zadnjeg ogledala laserske diode. Ova fotodioda, u principu, omoguuje kontrolu snage i talasne duine zraenja lasera optoelektronskom povratnom
vezom, preko odgovarajueg sklopa koji je deo elektronike za napajanje diode.
185
Bitna karakteristika lasera, koja ga izdvaja od ostalih izvora svetlosti, jeste emisija strogo
definisanih (uzanih) snopova monohromatske svetlosti. Sam princip rada laserske diode je slian
radu svetlee diode, sl. 11.18, ali za razliku od LED kod koje svetlost nastaje usled spontane
emisije, kod laserskih dioda svetlost je rezultat procesa stimulisane emisije. Drugim reima, kod
lasera se sreemo sa terminom stimulisana emisija, jer i sam naziv laser potie od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, to znai: pojaanje svetlosti stimulisanom emisijom zraenja. Stimulisana emisija nastaje kada kod direktno polarisane diode pored emisije fotona (spontana emisija) dolazi do stvaranja fotonske lavine, tj. kada svaki ovako stvoreni foton uzrokuje stvaranje drugih fotona koji imaju iste optike osobine (istu frekvenciju, smer, stanje polarizacije).
Kod laserske diode se p-n spoj nalazi u optikoj upljini (rezonatoru) koju ine kristalne
ravni po kojima je kristal seen, tako da fotoni nastali stimulisanom emisijom doivljavaju viestruke refleksije unutar ovog rezonatora. Ako pojaanje emisije svetlosti (kao posledica stimulisane emisije) uspe da kompenzuje gubitak fotona usled apsorpcije i difuzije iz p-n spoja, moe se
pojaviti laserski efekt, odnosno laserska emisija, sl. 11.19.
Laserski efekat se javlja u ravni p-n spoja ako kroz njega protie struja elektrona dovoljno velike gustine. Poluprovodniki diodni laser nema spoljanjih ogledala. Viestruka refleksija
186
unutar rezonatora lasera odvija se na izlaznim ravnima kristala poluprovodnika (sl. 11.20) ija je
prirodna refleksivnost samo oko 30%. Meutim, veliko pojaanje kojim se odlikuje laserska
dioda ipak, i sa ogledalima tako niske refleksije, omoguava lasersku emisiju. Treba napomenuti
da je laserski efekat u smeru normalnom na osu laserskog zraenja uguen time to se dve bone ravni naprave da budu hrapave, ime se onemogui refleksija svetla u tom smeru koja bi,
inae, dovela do dodatnih gubitka i smanjenja efikasnosti laserske diode.
a.
b.
Sl. 11.21. Realna struktura InGaAsP poluprovodnikog lasera (a) i skica iste strukture (b).
187
Broj izvoda zavisi od tipa integrisanog kola, tj. od njegove funkcije i moe se rei da je
taj broj standardizovan za razliite funkcije. Upravo funkcija koju obavlja uslovljava osnovnu
podelu integrisanih kola na: analogna (na primer, operacioni pojaava, sl. 12.2), digitalna (na
primer, procesor, sl. 12.3) i meovita na primer, A/D i D/A konvertori ona koja obrauju i
analogni i digitalni signal na istom ipu (ip poluprovodnika ploica s monolitnim sklopom).
188
broja komponenata u njima, a novi modeli raznovrsne raunarske opreme pojavljuju se takvom
brzinom da ih s potekoama prate i najbolje upueni poznavaoci. Da se, na primer, automobilska industrija razvijala istim tempom, automobil bi danas prelazio milion kilometara s potronjom od jednog litra goriva, razvijao bi brzinu veu od milion km/h, kotao bi svega nekoliko
evra, imao bi teinu manju od 100 g, a vreme eksploatacije bi mu bilo preko 10000 godina.
Sl. 12.4. Prikaz poveanja broja tranzistora u Intelovim procesorima tokom godina.
VLSI (od Very Large Scale Integration) kola vrlo visokog stepena integracije (sl.
12.6), koja u sebi sadre 10000 do 100000 tranzistora;
ULSI (od Ultra Large Scale Integration) kola izuzetno visokog stepena integracije (sl.
12.7), sa preko milion tranzistora po integrisanom kolu ili ipu;
190
U2LSI3 (od Ultra-Ultra Large Scale Integration) kola izuzetno-izuzetno visokog stepena integracije (sl. 12.8), sa preko milijardu tranzistora po integrisanom kolu ili ipu (sa preko
milion tranzistora po mm2).
Dakle, broj tranzistora u procesorima koji se sada ugrauju u raunare vei je od milijarde. Stoga je disipacija na njima izuzetno velika. Kao primer kako se poveava snaga disipacije
Intelovih procesora sa smanjivanjem duine kanala MOS tranzistora, na sl. 12.9 je prikazan dijagram koji u budunosti predvia snage za koje je komentar izlian. (Napominje se da su ve sada
napajanja naponima od 0.8 V, tako da za snagu od npr. 80 W, struja iznosi 100 A!). Iz tog razloga je ULSI i U2LSI kola potrebno dodatno hladiti. Hlaenje moe biti pasivno dodavanjem
3
Ovaj termin nije zvanian, ve je autor ovog teksta dao sebi za pravo da ga uvede.
191
masivnih hladnjaka koji odaju toplotu, ili aktivno ugradnjom ventilatora (to je danas redovan
sluaj kod procesora).
193
Sl. 12.12. Planarna tehnologija omoguuje istovremenu proizvodnju velikog broja istovetnih integrisanih kola na jednoj poluprovodnikoj ploici (svaki kvadrat predstavlja jedno integrisano kolo).
Sl. 12.13. Uveana slika dva istovetna ipa dobijena planarnom tehnologijom.
194
a.
b.
Sl. 12.14. Poreenje ipa sa veliinom nokta (a) i minijaturnog SMD operacionog
pojaavaa sa vrhom prsta (b).
Osnovni element unipolarnih integrisanih kola je MOS tranzistor, odnosno komplementaran par n-kanalnog i p-kanalanog MOS tranzistora CMOS (s obzirom da su digitalna CMOS
integrisana kola od veoma velike vanosti u savremenoj elektronici, nadalje e vie rei biti o
CMOS invertoru, sl. 12.15).
Od bipolarnih i unipolarnih elemenata mogue je realizovati i kombinovana integrisana
kola (BiMOS i BiCMOS, sl. 12.11). U sutini, kod njih je osnova bipolarna ili MOS tehnologija,
pri emu se drugi osnovni element (npr. MOS tranzistor u bipolarnoj tehnologiji) radi komplementarnim postupkom.
CMOS invertor
Osnovna elija digitalnih CMOS integrisanih kola jeste CMOS invertor, u kojem se koristi par MOS tranzistora sastavljen od jednog n-kanalnog i jednog komplementarnog p-kanalnog
tranzistora, sl. 12.15. Korienje komplementarnog para MOS tranzistora omoguava projektovanje digitalnih kola sa minimalnom potronjom energije. Karakteristika CMOS kola da imaju
nisku potronju energije enormno je proirila primenu digitalnih kola, koja se kree od dejih
igraaka do mobilnih telefona i kompjutera koje sada poznajemo. Prekidaka brzina, odnosno
maksimalna radna frekvencija, bila je u poetku nedostatak CMOS kola, ali je savremenim tehnolokim postupcima postugnuto izuzetno smanjivanje dimenzija MOS tranzistora, to je dovelo
do veoma velikog porasta brzine. Smanjivanje dimenzija je, takoe, omoguilo porast nivoa
integracije, dovodei do realizacije digitalnih integrisanih kola velikih operativnih mogunosti.
Stoga je CMOS tehnologija danas postala dominantna elektronska tehnologija.
CMOS invertor redovno se formira u supstratu n-tipa koji je istovremeno podloga integrisanog kola kao celine i podloga p-kanalnog tranzistora. Da bi se formirao n-kanalni tranzistor,
potrebno je u zajednikom n-supstratu oformiti lokalnu p-podlogu. Ona se dobija difuzijom bora.
U tako dobijeno p-podruje difunduju se n+-podruja sorsa S1 i drejna D1 n-kanalnog tranzistora,
sl. 12.15b. p-kanalni tranzistor dobija se difuzijom bora direktno u n-podlogu, ime se formiraju
p+-podruja sorsa S2 i drejna D2.
U CMOS invertoru upravljake elektrode G1 i G2 n-kanalnog i p-kanalnog tranzistora
meusobno su spojene i slue kao ulazna elektroda invertora. Drejn D1 n-kanalnog i drejn D2 p195
kanalnog tranzistora su takoe meusobno spojeni i oni su izlazna elektroda invertora, sl. 12.15.
Sors S1 n-kanalnog tranzistora je uzemljen, a sors S2 p-kanalnog tranzistora je spojen na napajanje VDD.
Uz pretpostavku da su p-kanalni i n-kanalni tranzistori komplementarni po karakteristikama i da su im naponi praga suprotni po predznaku i jednaki po apsolutnom iznosu, princip rada
CMOS invertora moe se objasniti pomou slika 12.15 i 12.16. Naime, kad se na ulaz G CMOS
invertora dovede napon logike nule, to odgovara naponu VGS1 = 0, tada n-kanalni MOS ne
vodi. Istovremeno je napon izmeu kontrolne elektrode G2 i sorsa S2 p-kanalnog MOS
tranzistora negativan i priblino jednak VDD. Zato to je napon praga tog tranzistora negativan,
p-kanalni MOS tranzistor vodi. Meutim, kako je n-kanalni tranzistor zatvoren, p-kanalni MOS
radi s vrlo malom strujom drejna Is n-kanalnog MOS tranzistora, te se nalazi na samom poetku
triodnog podruja. Zato je napon VDS1 = Viz VDD, pa logikoj nuli na ulazu odgovara logika
jedinica na izlazu. Taj sluaj ilustrovan je na sl. 12.16a. Radna taka T1 odgovara izlaznom
naponu VDD i struji drejna ID = IS. Pri tome se menjanjem napona napajanja VDD moe menjati po
elji napon logike jedinice.
a.
b.
Sl. 12.15. Presek (a) i ematski prikaz (b) MOS invertora.
196
Ukoliko se na ulaz CMOS invertora dovede napon logike jedinice, tj. napon +VDD, tada
n-kanalni MOS tranzistor vodi. Istovremeno je napon kontrolne elektrode G2 prema sorsu S2 jednak nuli, pa p-kanalni tranzistor ne vodi. Zato n-kanalni MOS tranzistor vodi vrlo malu struju
drejna p-kanalonog MOS tranzistora, te se nalazi na samom poetku triodnog podruja karakteristika. Taj sluaj je predstavljen na sl. 12.16b, gde je oznaena taka T2 koja odgovara stanju
logike nule na izlazu.
Dakle, i pri voenju n-kanalnog i pri voenju p-kanalnog MOS tranzistora troi se veoma
malo energije, s obzirom da u oba sluaja protie izuzetno mala struja drejna jednog od tranzistora.
U tehnologiji tankog filma se za nanoenje odgovarajuih slojeva koristi tehnika vakuumskog naparavanja ili tehnika katodnog (jonskog) raspravanja. Ovom tehnologijom, kao i
debeloslojnom, mogu se dobiti dovoljno kvalitetne pasivne komponente, sl. 12.18. Mada je
ovom tehnikom mogue dobiti i pojedine aktivne komponente, one se u praksi, ipak, dodaju kao
diskretne. Na sl. 12.19 prikazano je nekoliko razliitih tankoslojnih inetgrisanih kola.
Sl. 12.18. Otponiki modul u tehnici debelog ili tankog filma (sloja).
Kombinovanjem svih raspoloivih tehnika koje omoguuju hibridno udruivanje komponenata (sl. 12.21) dobijaju se integrisana kola optimalnih karakteristika. Tako, na primer,
tankoslojni otpornici imaju manje tolerancije otpornosti, a tehnika debelog filma omoguuje vei
raspon vrednosti otpornosti otpornika. Ako u jednom hibridnom integrisanom kolu postoje oba
zahteva, kolo e se uraditi u debeloslojnoj tehnologiji, pri emu e se otpornici, kod kojih se trae uske tolerancije otpornosti, realizovati kao ip komponenta tankoslojnom tehnologijom.
Ovde je neophodno istaknuti da se hibridna integrisana kola neuporedivo manje koriste
od monolitnih integrisanih kola. To je, stoga, to je monolitna tehnologija znatno univerzalnija, s
obzirom da omoguuje realizaciju i aktivnih i pasivnih komponenata veoma irokog raspona
vrednosti osnovnih parametara, i to, takoe, omoguuje za nekoliko redova veliine veu gustinu pakovanja, kao i znanto veu pouzdanost. Sa druge strane, hibridnom tehnikom se prvenstveno realizuju pasivne komponente. Dodue, tankoslojna tehnologija omoguuje realizaciju
tranzistora koji su slini MOS-u, ali se, po pravilu, u hibridnoj tehnici, kao to je pomenuto,
199
aktivne komponente dodaju u obliku ipa napravljenog planarnom tehnologijom. Moe se rei da
e se korisnik opredeliti za hibridnu tehniku u sledeim sluajevima:
kod maloserijske proizvodnje, jer je hibridna tehnologija, zbog nie cene, prihvatljivija;
za izradu kola specijalne namene;
kada se monolitnom tehnikom ne mogu ostvariti potrebne performanse (npr. vee kapacitivnosti kondenzatora);
kada je potrebno smanjiti dimenzije sistema realizovanog na tampanoj ploi sa diskretnim komponentama (sl. 12.22).
200
Sl. 13.1. Deo tampane ploe za komponente sa izvodima; komponente su sa suprotne strane.
Primer sa sl. 13.6 i slike oznaene sa *, kao i dobar deo objanjenja vezan za njih, uz saglasnost autora Miomira
D. Filipovia i izdavaa Mikoelektronika (Beograd, 2008) preuzet je iz knjige Komponente i praktina realizacija
elektronskih ure|aja.
203
Dobro
Loe
Dobro
Loe
Postupak crtanja je prikazan na sl. 13.8. Prvo su, sl. 13.8a, nacrtana dva kruia prenika
2 mm do 3 mm, na meusobnom rastojanju od oko 13 mm. To su stopice u koje e biti zalemljene noice elektrolitskog kondenzatora C1 (sa sl. 13.7b). Ispod ovih stopica, a na osnovu dimenzija sa sl. 13.7a, nacrtane su etiri stopice na meusobnom rastojanju od oko 5 mm u koje e
se zalemiti noice Grecovog spoja (usmeraa). Prema sl. 13.6, noica usmeraa koja je obeleena
sa +, spojena je sa + noicom kondenzatora C1, a noica obeleena sa , spojena je sa
noicom kondenzatora. Te dve veze su na sl. 13.8a nacrtane u obliku dve izlomljene prave linije.
Pri tome, treba se truditi da te linije budu, kao to je ve reeno, to krae i da se dobro pazi da se
ne dodirnu meusobno ili sa nekom od stopica pored kojih prolaze. Na sl. 13.8a su nacrtani i
kondenzator C1 i Grecov usmera onako kako izgledaju gledani sa donje strane (gde su im
noice), mada oni ne mogu da se vide, jer se nalaze sa suprotne strane ploice. Zgodno ih je,
ipak, crtati, da bi se lake snalazili i pri crtanju i pri kasnijoj montai komponenata na ploicu.
205
Sl. 13.9*. Drugaiji oblik (u odnosu na sl. 13.8f) tampanih veza ispravljaa sa sl. 13.6.
od programa za projektovanje tampanih kola (primer jednog takvog tampanog kola prikazan je
na sl. 13.10b). Najpoznatiji su TANGO, OrCAD PCB, PROTEL, EAGLE, itd. U takvim sluajevima se za prenoenje crtea koristi fotopostupak.
Za prenoenje crtea fotopostupkom potreban je fotolak u obliku spreja, a postupak je
sledei:
1. tampano kolo se nacrta rukom (npr. kao na sl. 13.10a), ili odtampa visokokontrastno na
printeru sa raunara na poluprovidnoj hartiji (pausu) ili nekom drugom propustljivom materijalu
za ultraljubiastu (UV) svetlost (fotografski film, prozirna folija visoke stabilnosti i sl.). Kako
odtapani sloj treba da prijanja uz bakarni sloj na ploici, to je crtanje, odnosno printanje crtea
neophodno izvesti u Mirror (kao lik u ogledalu) opciji, sl. 13.10. Sam nacrt mora biti izraen
tako da budui elektrino provodni putevi budu potpuno neprozirni za UV deo spektra, a da
delovi koji e odgovarati nagrienim povrinama bakarne folije budu potpuno prozirni.
a.
b.
Sl. 13..10. Crtei koji se prenose fotopostupkom mora du budu u Mirror opciji (kao lik u ogledalu).
2. Bakarna povrina treba da bude savreno ista. Najbolje ienje mogue je postii nekim prakom koji sadri sitan pesak (npr. VIM), a zatim je prebrisati suvom istom tkaninom
(povrina mora biti sjajna, bez otisaka prstiju, a posle ienja se bakarni sloj ne sme dodirivati
prstima).
3. Bakarna strana ploice se ravnomerno isprska lakom (sl. 13.11) u tankom sloju. Nanoenje laka je potrebno izvesti u (cik-cak) horizontalnoj i zatim vertikalnoj osnovi, koso drei
sprej na udaljenosti oko 20 cm. Lak je, neto manje nego fotografski film, osetljiv na svetlost, pa
se prskanje obavlja u nekoj polutamnoj prostoriji. Osim toga, lak je osetljiv i na prainu, pa i o
tome treba voditi rauna. Sloj laka treba da je vrlo tanak i ravnomerno preliven preko cele povrine.
4. Suenje laka na ploici na sobnoj temperaturi moe da potraje itava 24 sata. Ovo vreme
se skrauje na samo oko 15 minuta ako se suenje obavlja u penici tednjaka, na temperaturi
oko 70C. Pri suenju lak promeni boju, odnosno postane malo svetliji. Hlaenje ploice traje
nekoliko minuta. I suenje i hlaenje treba obavljati u polumraku, titei ploicu od svetlosti.
5. Za dalji rad potrebni su ravno staklo i komad ravne drvene podloge istih dimenzija, koje
su vee od dimenzija tampane ploice koja se pravi. Prema sl. 13.12, na drvenu podlogu se stavi
207
ploica. Bakarna strana, koja je isprskana lakom, mora da bude gore. Na nju se stavi paus sa
crteom kola. Strana na kojoj je crte mora da bude sa donje strane, tako da boja kojom je crte
pravljen lei na bakru. Preko pausa se stavi staklo. Staklo se pritisne i komadima lepljive trake
spoji po uglovima za drvenu podlogu (tako je dobijen tkzv. sendvi). Sve ovo se radi u polumraku sa to manje svetlosti koja bi mogla da oteti fotolak.
Sl. 13.12*. Sendvi: drvena podloga, ploica sa lakiranim bakrom na gore, paus sa slikom na dole, staklo.
a.
b.
Sl. 13.14. a Uz proces razvijanja; b razvijena ploica.
Pre nego to bude rei o zavrnom delu u dobijanju tampane ploice, a to je nagrizanje,
odnosno odstranjivanje vika bakra sa ploice koji nije bio zatien crteom, ovde e se navesti
jo jedan nain prenoenja crtea na ploicu, koji po kvalitetu daje tampane veze skoro kao i
fotografska tehnika, ali je znatno jednostavniji (jer se preskau koraci od 3 do 7 opisani u okviru
fotopostupka). Naime, postoji posebna plastina folija koja se zove Press and Peel Blue (PnP
Blue). To je tanka plastina folija presvuena specijalnim plavim premazom. Spoj izmeu premaza i plastine podloge je veoma slab. ema tampane veze se otiskuje na PnP Blue, a zatim se
peglanjem prenosi na istu bakarnu povrinu ploice. Zagrejana pegla topi toner, usled ega se
on lepi za bakar. Zatim se PnP Blue skida sa ploice, a toner ostaje na bakru.
209
U trgovini se ferihlorid (FeCl3) moe nabaviti ili kao tenost crveno-smee boje, ili u
vrstom stanju u obliku grumenova kristala. Da bi se dobila tenost, u plastinu posudu u kojoj
0,5 kg grumenja treba naliti jedan litar vode i saekati da se grumenovi otope.
Za nagrizanje ploice je potreban neki plitak sud, najbolje pravougaonog oblika, izraen
od plastike, stakla ili keramike. Ferihlorid se sipa u sud tako da dubina tenosti bude nekoliko
centimetara. Ploica, sa bakrom na dole, stavlja se tako da pliva po povrini tenosti (sl.
13.15). Ploicu treba povremeno vaditi iz rastvora i proveravati kako se proces razvija, jer ako
ploica suvie dugo ostane u rastvoru, on e poeti da unitava i bakar ispod boje. Vaenje ploice se vri iskljuivo nemetalnim pomagalima (plastinom pincetom ili, kao na sl. 13.15, pomou selotejpa zalepljenog u obliku malog draa za gornji deo ploice). Pored toga, potrebno je
pomerati ploicu, naroito ako je veih dimenzija, nekoliko puta levo-desno da bi se bilo sigurno
da se ispod nje nisu zadrali mehuri od vazduha.
Tenost e poeti da nagriza i rastvara bakar koji nije zastien flomasterom ili lakom i
posle izvesnog vremena, oko 15 minuta, sav ovaj bakar e nestati i ploica e izgledati kao na sl.
13.16a. Kada je nagrizanje zavreno i na ploici nema vie nezatienog bakra, treba je prvo dobro oprati u vodi, a zatim skinuti boju koja je titila tampane veze. Na ploici e se pojaviti
sjajne bakarne linije i stopice kao na sl. 13.16b.
Nagrizanje pomou H2O + HCl + H2O2
210
a.
b.
Sl. 13.16. Izgled ploica posle nagrizanja (a) i posle uklanjanja zatitnog sloja (b).
Na dno plitkog plastinog ili nekog drugog nemetalnog suda stavi se ploica sa bakrom
na gore i sipa sona kiselina tako da tenost prekrije ploicu (sl. 13.17). Zatim se u nju dodaje
hidrogen, koji se sipa direktno iznad ploice. Koliina hidrogena koji se dodaje zavisi od njegove
koncentracije, kao i od koncentracije sone kiseline. To znai da treba iznad ploice sipati malo
hidrogena, podii malo levi pa desni kraj suda, da se tenosti izmeaju, i posmatrati ploicu.
Smea je potpuno providna, i ako bakar posle desetak sekundi pone da menja boju, nagrizanje
je poelo. Pri tome, iz tenosti izlaze mehurii, a ako i nema ili ih je malo, dodaje se jo malo hidrogena. Pri dodavanju hidorogena se pazi da se ne pretera, jer ako mehuria ima previe, tenost e poeti da se zagreva i moe da uniti boju.
Proces nagrizanja se lako prati, jer je tenost providna. Nagrizanje je zavreno kada na
ploici nema vie nezatienog bakra (sl. 13.16a). Nju treba izvaditi i dobro oprati u vodi, a boju
koja je titila tampane veze treba skinuti (sl. 13.16b) trljanjem vlanom krpicom, zamoenom u
neko od prakastih sredstava za ienje.
Zavrena ploica, sa prethodno izbuenim rupicama (obino prenika 1 mm) za komponente i dve rupe od 3 mm za zavrtnje kojima se ploica montira u kutiju u koju je smeten ispravlja sa slike 13.6, prikazana je na sl. 13.18a.
praktinoj realizaciji elektronskih kola koja imaju mnogo linija kojima se spajaju komponente,
dovode i odvode signali, itd.
a.
b.
c.
Sl. 13.18*. a Zavrena tampana ploica ispravljaa sa sl. 13.6; b crte tampane
ploice (sl. 13.8b); c tampana ploa sa komponentama.
Komponente se montiraju na jednoj strani strani komponenata, a veina veza, sve koje mogu da se ostvare, su na suprotnoj strani, kao i kod obinih (jednostranih) tampanih ploa.
Preostale veze se crtaju na strani komponenata. Spojevi izmeu bakarnih linija (veza) sa jedne i
sa druge strane ostvaruju se na taj nain to se te linije crtaju tako da se ukrtaju, a na mestu
ukrtanja se bui rupica kao za komponentu. U fabrikoj proizvodnji te rupe se metalizuju (obloe metalom), ime se ostvaruje potreban spoj. U kunoj izvedbi spoj se ostvaruje tako to se
kroz rupicu provue komad ice koji se zalemi za obe bakarne linije. Moe i kolo da se tako projektuje, da kroz tu rupicu prolazi prikljuak neke komponente koji se zalemi za obe bakarne linije.
Ako se crte tampanih veza koji se realizuje na jednostrano kairanom pertinaksu po
precrtavanju na bakarnu stranu ploice pomeri malo levo ili desno, to nema velikog znaaja. Ali
u sluaju dvostrane tampe, ak i vrlo malo pomeranje moe da dovede do toga da je vrlo teko,
esto i nemogue, ostvariti potrebne veze izmeu jedne i druge strane. Zato je najbolje nacrtati
samo jednu stranu, izvriti nagrizanje bakra i izbuiti rape. Rupe kroz koje prolaze provodnici
kojima se ostvaruje spoj izmeu veza sa suprotnih strana, omoguuju da se veze sa druge strane
nacrtaju tano na potrebnim mestima. Naravno, te veze ne smeju da prelaze preko ostalih rupa,
jer su one zauzete. Zatim se izvri nagrizanje bakra i sa te strane.
Dok se nagriza jedna strana, druga mora biti zatiena. To se najlake ostvaruje tako to
se na nju, pomou lepljive trake, privrsti komad neke plastine folije otporne na kiseline.
212
tako velikim serijama. Drugu veliku grupu proizvoaa vieslojnih tampanih ploa ine tkzv.
proizvoai zatvorenog tipa, koji proizvode ove ploe iskljuivo za ugradnju u svoje sopstvene
proizvode (Hewlett Packard, Texas Instruments, IBM).
Sl. 13.20. Blok ema tipinog tehnolokog niza za proizvodnju vieslojnih tampanih ploa.
Kao to je ve reeno, vieslojne tampane ploe se sastoje od naizmenino rasporeenih slojeva provodnog i izolacionog materijala spojenih zajedno (sl. 13.4 i sl. 13.19). Provodni slojevi su povezani preko metaliziranih otvora koji se koriste kako za montiranje, tako i
213
Metalizirana rupa
Sl. 13.21. Deo vieslojne tampane ploe za povrinsku montau komponenata.
Na sl. 13.22 je prikazana fotografija (sa uveanjem 16 puta) dela tampane ploe sa povrinski montiranim komponentama, a sl. 13.23 se, takoe, odnosi na deo takve ploe, snimljenom
odozgo.
214
Sl. 13.22. Fotografija (sa uveanjem 16 puta) dela tampane ploe sa povrinski
montiranim komponentama.
Sl. 13.23. Snimak odozgo dela tampane ploe sa povrinski montiranim komponentama.
215
216