Professional Documents
Culture Documents
1. INTRODUCERE................................................................................................9
1.1. Conductivitatea electric. Clasificarea materialelor electrotehnice ..............9
1.2. Teorii utilizate n studiul materialelor electrotehnice..................................15
1.2.1. Legtura chimic i structura cristalin a materialelor
electrotehnice solide.........................................................................16
1.2.2. Nivelele de energie ale electronilor n materialele electrotehnice
solide ................................................................................................25
1.2.3. Efectul Hall i efectul magnetorezistiv.............................................29
1.2.4. Supraconductibilitatea ......................................................................31
1.2.5. Efectul Seebeck ................................................................................32
1.2.6. Efectul fotoelectric n semiconductori..............................................34
1.2.7. Efectul de redresare a unei jonciuni semiconductoare ....................36
2. MATERIALE ELECTROIZOLANTE .........................................................41
2.1. Generaliti. Clasificare, descriere i utilizare ............................................41
2.1.1. Materiale electroizolante gazoase ....................................................42
2.1.2. Materiale electroizolante lichide .....................................................44
2.1.3. Materiale electroizolante solide .......................................................48
2.1.3.1. Materiale organice micromoleculare ..................................48
2.1.3.2. Materiale organice macromoleculare .................................49
2.1.3.3. Celuloza i derivaii si ......................................................50
2.1.3.4. Cauciucuri i elastomeri .....................................................51
2.1.3.5. Materiale siliconice ............................................................51
2.1.3.6. Materiale anorganice ..........................................................52
2.1.3.7. Lacuri electroizolante .........................................................54
2.1.3.8. Compounduri ......................................................................55
2.1.3.9. Produse pe baz de rini sintetice .....................................56
2.2. Proprietile neelectrice ale materialelor electroizolante ...........................58
2.2.1. Proprieti fizice ..............................................................................59
2.2.2. Proprieti chimice ...........................................................................61
2.2.3. Proprieti termice ...........................................................................62
2.2.4. Proprieti mecanice ........................................................................63
2.3. Proprietile electrice ale materialelor electroizolante ...............................64
Capitolul 1
INTRODUCERE
1.1. Conductivitatea electric. Clasificarea materialelor
electrotehnice
Proprietatea corpurilor de a manifesta existena materiei prin transportul de
sarcini electrice, sub aciunea unui gradient de potenial (a unui cmp electric) se
constituie ca fenomen de conductibilitate electric.
Msura conductibilitii electrice este conductivitatea electric .
n conformitate cu legea conduciei electrice n form local pentru medii
izotrope i liniare conductivitatea electric este coeficientul de proporionalitate al
densitii de curent J cu intensitatea cmpului electric E .
J = E
(1.1)
E = J
(1.2)
Relaiile (1.1) i (1.2) se mai numesc n literatur i legea lui Ohm n form local.
n sistemul de uniti SI, unitile de msur pentru J , E , i sunt:
A
V
S
J : 2 ; E : ; : ; [ m] .
m
m
m
Valorile lui i pentru diverse materiale sunt date n fiele tehnice ale
acelor materiale sau n manuale de specialitate.
Conductivitatea electric este o mrime macroscopic, dar fenomenul de
conductibilitate are loc la nivelul sistemului de microparticule (atomi, molecule
etc.). Rezult de aici c n mrimea se nglobeaz mrimi fizice specifice sistemului
de microparticule din care este constituit corpul, cum ar fi: masa particulei
kg
m
m: 3 , viteza particulei v: , concentraia purttorilor de sarcin n: [m 3 ] ,
s
m
sarcina electric a purttorilor de sarcin q: [C].
n cele ce urmeaz vom stabili o expresie general a conductivitii electrice
cu ajutorul teoriei clasice a electronului. Expresia general a conductivitii
electrice este util pentru unele raionamente ce intervin n studiul proprietilor
materialelor [3, 14].
S considerm un purttor de sarcin electric q care se deplaseaz cu viteza
v ntr-un corp de volum V, sub aciunea unui cmp electric avnd intensitatea E .
q
Contribuia purttorului de sarcin la densitatea de curent este j = v .
V
Considernd c n volumul V exist i purttori de sarcin, avnd fiecare
aceeai sarcin electric medie q i viteza v i , rezult c densitatea total de curent
este:
q
J=
vi .
V
i
J=
q
v i0 + v id
V
(1.4)
v 0m =
(1.6)
J=
N
q v 0m
V
(1.7)
dv 0
= qE
dt
(1.8)
v oM =
m E dt =
0
q tr
E
m
(1.9)
tr =
lm
lm
=
vm
v 0m + v dm
(1.10)
n relaia (1.10) v0m este viteza ordonat medie (v0m = f(E)), iar vdm este
viteza dezordonat medie (vdm = f(T)).
m
m
La metale v0m 102 s i vdm 106 s . Prin urmare n cazul metalelor
lm
v dm
(1.11)
0 + v 0M
v 0M
q tr
E
(1.12)
2
2
2m
nlocuind expresia vitezei ordonate medii (1.12) n expresia densitii de
curent (1.7) rezult:
v 0m =
J=
N q2 t r
E
V 2m
(1.13)
2m V s
E
astfel nct expresia densitii de curent devine:
J = n qu E
(1.14)
N q2 t r
V 2m
(1.15)
= n q u
(1.16)
Din expresia explicit a conductivitii electrice rezult:
nu depinde de intensitatea E a cmpului electric i deci ea reprezint o
constant de material;
nu se observ explicit dependena lui de temperatur.
Modelul fizic al gazului electronic (sau astfel spus teoria clasic a electronului)
nu ofer posibilitatea s se explice n mod corect toate procesele care au loc n
materiale. De exemplu, nu este posibil explicarea apariiei supraconductibilitii
metalelor pure sau aliajelor supraconductoare la temperaturi apropiate de 0 [K].
Rezultatele obinute cu teoria clasic a electronului sunt totui utile pentru
aplicaiile practice ca i pentru reprezentri intuitive ale unor procese fizice.
Un model fizic mai adecvat studierii proceselor fizice din materiale care ofer
posibilitatea obinerii unor rezultate mai apropiate de realitate, are la baz
conceptele teoriei cuantice, la care se vor face referiri n paragraful 1.2 .
Dup valoarea conductivitii electrice , materialele utilizate n industria
electrotehnic se pot grupa n trei categorii: materiale neconductoare sau electroizolante, materiale semiconductoare i materiale conductoare.
Materialele electroizolante prezint o rezistivitate electric cu valori
cuprinse ntre 108 i 1018 [ cm]. Oricare dintre proprietile electrice i neelectrice
ale materialelor electroizolante poate servi drept criteriu de clasificare a acestora. Sau impus totui criteriile cu caracter general cum sunt: natura chimic; starea de
agregare; stabilitatea termic; forma i caracteristica esenial a materialelor componente la care se mai adaug eventual, starea final i transformrile necesare
pentru obinerea produsului finit.
Astfel, dup natura lor chimic, materialele electroizolante se pot clasifica n
materiale organice, anorganice i siliconice.
A (105 C)
E (120 C)
B (130 C)
Materiale electroizolante
Materiale textile pe baz de celuloz, fire poliamidice, hrtii
celulozice, cartoane - neimpregnate. Polietilen, polistiren,
PVC, cauciuc natural vulcanizat etc.
Materiale textile pe baz de celuloz, fire poliamidice, hrtii
celulozice, cartoane - impregnate cu lacuri uleioase,
oleorinoase, lichide electroizolante. Folii poliamidice, de
triacetat de celuloz, materiale combinate, folie prepan,
leteroid. Cauciuc pe baz de butadien cu acrilnitril i cauciuc
pe baz de clorbutadien etc.
Emailuri polivinilacetolice, poliuretanice sau epoxidice pentru
conductoare. Mase plastice fenolice cu umplutur organic,
stratificate pe baz de hrtie (de tip pertinax) i de esturi (de
tip textolit). Rini epoxidice, poliesterice, poliuretanice.
Materiale pe baz de mic sau hrtie de mic fr suport sau
cu suport din hrtie sau estur organic, precum i pe baz
de fire de sticl i azbest - impregnate cu lacuri
oleobituminoase, bachelitice, epoxidice, poliuretanice,
gliptalice. Mase plastice cu umplutur anorganic. Stratificate
pe baz de fire de sticl i azbest. Emailuri tereftalice pentru
conductoare.
Denumirea clasei
de izolaie
Materiale electroizolante
F (155 C)
H (180 C)
(10 3 10 10 ) [cm].
Caracteristicile de baz ale materialelor semiconductoare sunt urmtoarele:
rezistivitatea materialelor semiconductoare variaz neliniar cu temperatura;
rezistivitatea lor scade odat cu creterea temperaturii;
prin suprafaa de contact ntre 2 semiconductori sau un semiconductor cu un
metal, conducia electric este unilateral;
natura purttorilor de sarcin dintr-un semiconductor depinde de natura
impuritilor existente n semiconductor.
Materialele semiconductoare se pot clasifica, la rndul lor, dup mai multe
criterii. Astfel dup gradul de puritate distingem:
Semiconductori intrinseci. Acetia sunt perfect puri i au o reea cristalin
perfect simetric;
Semiconductori extrinseci. Acetia sunt impurificai i natura conductibilitii lor
depinde de natura impuritilor.
mari care conin un numr variabil de atomi, de la zeci la sute de mii, aceste
molecule (lanuri deschise sau nchise) fiind aezate n diferite poziii n spaiu. Se
poate introduce i o "ordine" ntr-un polimer solid, de exemplu, lanurile moleculare
s fie paralele, dar o asemenea stare difer de reeaua cristalin, care are structur
periodic pe cele trei direcii.
O celul elementar este caracterizat de lungimea laturilor (a, b, c,) numite
parametrii (constante) de reea i de unghiurile dintre ele (, , ) (vezi fig.1.l). n
funcie de relaiile ntre a, b, c, i , , sunt definite 7 sisteme cristalografice.
Astfel, dac a = b = c i = = = 90, avem de-a face cu sistemul cubic. n
fiecare sistem pot exista mai multe tipuri de celule. De exemplu, n sistemul cubic
exist celula cubic simpl (cs) (fig.1.2.a), celula cub cu volum centrat (cvc)
(fig.1.2.b) i celula cub cu fa centrat (cfc) (fig.1.2.c). n prima, particulele sunt
plasate n colurile unui cub, n a doua - n coluri i n centrul cubului, iar n celula
a treia particulele sunt plasate n coluri i n centrele fee1or. n natur nu se
nt1nete structura cs. n schimb, n celelalte structuri cristalizeaz multe
e1emente: n cfc - aluminiul, aurul, cuprul, calciul .a., iar n cvc - bariul, potasiul,
litiul, molibdenul, argintul etc.
O particul ocup o anumit poziie avnd n juru1 ei alte particule. Cele mai
apropiate poart numele de vecini de ordinul nti. Coordonatele particulelor sunt
date n funcie de parametrii de reea. Pentru exemplificare s lum o celul dreapt
( = = = 90) dar cu a b c i s plasm axele sistemului de coordonate n
lungul axelor celulei, adic:
a = a i , b = b j , c = c k
(1.17)
Vectorul de poziie al unei particule oarecare din reea va fi
r = x i + y j + z k = n1 a i + n2 b j + n3 c k = n1 a + n2 b + n3 c (1.18)
unde n1, n2, n3 sunt numere ntregi. Poziia unei particule este dat prin cele trei
numere (n1, n2, n3), care arat de cte ori sunt cuprini cei trei parametri n
proieciile vectorului de poziie pe cele trei direcii.
Fig.1.4. Molecula
clorurii de cesiu
1
2+
24+
6 = 3 ioni, astfel c pe celula elementar avem 1 Ba , 3 O i 1 Ti .
2
S ana1izm acum cristalele cu legtur covalent lund ca exemplu germaniul
(Ge) i siliciul (Si) care au cte 4 electroni pe ptura de valen. Dac cei 4 electroni
ar fi pui n comun numai ntre doi atomi de germaniu (Ge::::Ge), atunci n spaiul
dintre ei ar exista o densitate mare de sarcin negativ, care ar genera fore de
repu1sie. O astfel de molecul nu ar fi stabil. Este posibi1 ca n starea solid, un
atom de germaniu s se lege simetric cu ali 4 atomi prin punerea n comun a cte
unui electron formndu-se astfel 4 legturi covalente. Cea mai simpl aranjare
geometric care permite o asemenea configuraie este gruparea tetraedric
(fig.1.6.a) n care vecinii cei mai apropiai sunt plasai n colurile unui tetraedru.
Acest aranjament poate fi identificat n reeaua diamantului n care cristalizeaz
germaniul i siliciul (fig.1.6.b). Celula diamantului este de fapt un cub cu fee
centrate dar care mai conine 4 atomi n interior, plasai pe diagonalele de volum la
un sfert din lungimea lor de la vrfuri.
Fig.1.5. Molecula
titanatului de bariu
Fig.1.7. Explicativ
privind investigarea
structurii cristaline cu
radiaii X
= 1 + 2 = 2 1 = 2 d sin
Pentru a obine un maxim de difracie trebuie ca s fie un numr par de
= 2n
=> 2dsin = n
2
(1.19)
, deci
2
(1.20)
Fig.1.8. Difracia
radiaiei X pe cristale
(1.21)
(1.22)
F = ma = m
d2 x n
dt 2
= m
d 2 (n a + un )
dt 2
= m
d 2un
dt 2
(1.23)
de unde rezult:
d 2un
dt 2
(1.24)
(1.25)
d 2un
dt
= - 2 A sin ( t k xn ),
(1.26)
-m 2 A sin ( t - k n a) = A f [sin ( t - k (n + 1) a) +
+ sin ( t - k (n - 1) a) - 2 sin ( t - k n a)].
(1.27)
2 =
f
4f
k a
sin 2
,
[2 cos (k a) - 2] =
m
2
m
(1.28)
=2
f
f
k a
k a
= max sin
, cu max= 2
sin
.
2
2
m
m
(1.29)
Se observ c o und s-ar putea propaga prin lniorul nostru dac are
frecvenele situate ntre 0 i max care se obine pentru ka/2 = /2. Rezult de aici
lungimea de und minim, innd seama c k = /v = 2/(Tv) = 2/:
min = 2a
(1.30)
E a2
= Ea,
a
(1.31)
Ea
. Pentru o substan cu E = 2 1010 N/m2, a = 3 i masa
m
atomic egal cu 50 de mase protonice, frecvena maxim de oscilaie este de
ordinul a 1012 Hz. Dac nu vom avea de-a face cu unde generate de micarea
termic, ci de oscilaii provocate de unde venite din exterior, atunci ne putem imagina
propagarea undelor e1astice (sunete, ultrasunete) n so1ide prin intermediul
oscilaiilor particule1or din nodurile reelei cristaline.
deci max = 2
acestei legturi nu are analog clasic, ea este descris de mecanica cuantic astfel c
ne vom mrgini numai la sublinierea efectului ei asupra electronilor de valen. ntr-un
metal, electronii de valen se afl sub aciunea atractiv a nucleului atomului din
care provin, dar i sub aciunea nucleelor nvecinate. Aceast interaciune este att
de puternic nct electronii de valen ai unui atom pot schimba locul cu electronii
de valen ai atomilor vecini. Apare n felul acesta o interaciune fr analogie
clasic numit interaciune de schimb. Efectul ei const n schimbul de electroni
ntre atomi, schimb care se face fr aport de energie din exterior. Electronii de
valen ntr-un metal nu mai aparin deci unui singur atom, ei se pot mica de la un
atom la altul. Se justific astfel, ntre anumite limite, conceptul de electroni liberi.
Vom vedea care sunt aceste limite.
Deoarece ntr-un solid electronii sufer i influena atomilor vecini (atracia
nuclear i repulsia din partea celorlali electroni) se modific nivelele de energie pe
care le aveau n atomul izolat. Fizica atomic ne-a artat c n atomul izolat
electronii au la dispoziie o serie de nivele de energie corespunztoare numerelor
cuantice orbitale ( = 0, 1, 2,, n - 1) pentru fiecare numr cuantic principal
(n = 1, 2, ) numerotate n felul urmtor: 1s; 2s; 2p; 3s; 3p; 3d; 4s; .
Electronii pot efectua salturi ntre orbitele situate la diverse distane de nucleu,
salturi care sunt descrise prin tranziii ntre nivelele de energie prin absorbia sau
emisia de energie. Interaciunea de schimb conduce la amestecarea electronilor,
deci la formarea unui colectiv de electroni n care nu mai puteam deosebi electronii
unui atom de cei ai altui atom. n acest ansamblu, electronii care aparineau aceleiai
pturi n atomul izolat (acelai n i ) mai au oare aceeai energie? Cu alte cuvinte,
energia pe care o au electronii n atomul izolat rmne nemodificat n stare solid?
Rspunsul este negativ i este legat de aplicarea principiului de excluziune al lui
Pauli nu numai n atomul izolat ci i n cadrul unui solid. Dac pe fiecare nivel de
energie n atomul liber gsim maximum 2(2 +1) electroni, atunci prin formarea
unui solid prin condensarea a N atomi am avea 2(2 +1) N electroni cu aceeai
energie. Principiul lui Pauli se aplic i colectivului de electroni care provin din
aceeai ptur (n, ) n sensul c nu pot avea aceeai energie toi cei 2(2 +1) N
electroni ci maximum 2(2 +1) electroni. Din aceast cauz n locul fiecrui nivel
de energie (n, ) din atomul izolat apar N nivele (fig.1.10). Aceste nivele formeaz
o zon sau band de energie. Vom avea astfel o zon 1s n care pot sta maximum
2N electroni, o zon 2s cu acelai numr maxim de electroni, o zon 2p cu 6N
electroni .a.m.d., numrul maxim de electroni dintr-o zon fiind astfel egal cu
2(2 +1) N, dar care sunt distribuii pe N nivele. Teoria solidului arat c zonele
de energie corespunztoare nivelelor atomice au lrgimi din ce n ce mai mari odat
cu creterea numrului cuantic n i deoarece electronii cu numerele cuantice
principale cresctoare se afl tot mai departe de nucleu i simt mai puternic
influena celorlali atomi. Poziia zonelor de energie poate s fie modificat fa de
succesiunea nivelelor din atomul izolat. Astfel, n grupa fierului, nivelul 4s se
completeaz naintea lui 3d. n solid ns, deoarece electronii 3d sunt mai apropiai
de nucleu dect electronii 4s, zona 4s este mai larg dect zona 3d i n plus, este
situat deasupra celei din urm. Zona de energie corespunztoare electronilor de
valen se numete zon de valen, iar cea corespunztoare primului nivel complet
neocupat - zon de conducie. Astfel, la litiu, care are configuraia electronic 1s2,
2s1, zona de valen este 2s, iar zona de conducie este 2p. La metalele de tranziie
situaia este urmtoarea: zona 3d este mai ngust dect 4s, dar incomplet umplut;
urmeaz zona 4s - zon de valen, iar apoi zona 4p - zon de conducie.
Folosind modelul zonelor de energie vom face acum distincia ntre metale,
semiconductori i izolatori pornind de la efectul unui cmp electric de intensitate
E , care acionnd asupra unui electron i imprim o acceleraie (e E) / m. Dac
electronul se deplaseaz ntre dou puncte cu potenialele V1 i V2 (V1 > V2) el
ctig o energie egal cu e (V1 - V2). ntr-un atom izolat electronul rmne pe
aceeai orbit dac diferena de potenial nu asigur o energie suficient de mare
nct s poat sri pe un nivel liber. Aceste salturi devin posibile n solide deoarece
distana dintre nivele este mai mic. Este necesar ns s existe stri libere pe care
electronul s poat sri. ntruct zonele corespunztoare tuturor nivelelor cu
excepia celui de valen i a pturilor incomplete din grupele de tranziie sunt
complet umplute, vor putea efectua salturi numai electronii zonelor periferice.
Astfel, dac zona de valen este complet umplut pot face salturi pe nivelele libere
ale zonei de conducie dac primesc o energie corespunztoare diferenei dintre
energia ultimului nivel ocupat din zona de valen i primul nivel liber din zona de
conducie. Dac ntre cele dou zone exist un interval interzis, atunci aceste
excitri nu pot avea loc n cmpuri electrice de intensiti obinuite. Intervalul de
energie interzis corespunde intervalului existent ntre nivelele din atomul izolat
(fig.1.10.b). Un solid n care exist un interval interzis este un dielectric. Din acest
punct de vedere un dielectric nu se deosebete de un semiconductor. Deosebirea
provine din mrimea intervalului interzis: n dielectrici el este n general mai mare
de 5 eV. Semiconductorii uzuali, germaniu i siliciu, au intervalele egale cu 0,67 eV
pentru Ge i 1,14 eV pentru Si.
n semiconductori ca i n dielectrici electronii de valen sunt legai (n
legturile covalente sau ionice), iar la o temperatur diferit de 0 [K] devine
posibil excitarea lor n zona de conducie, adic ruperea lor din legturile de
valen. Numrul de excitri este proporional cu
E g /( 2kT )
(E dg E sg ) /( 2k T )
(1.32)
Calculul ordinului de mrime al lui VH este relativ uor de fcut, dac ne vom
plasa n starea de echilibru, adic atunci cnd cmpul E y (cmp Hall) echilibreaz
aciunea cmpului magnetic i n ipoteza c toate particulele s-ar mica cu aceeai
vitez v :
eEy = Bev => VH = Bv
(1.33)
Dar cum
I=
Ne
I
he
= nL
= n e h v => v =
t
t
ne h
(1.34)
rezult de aici
VH =
B I
B I
,
= RH
n e h
h
RH =
1
ne
(1.35)
1.2.4. Supraconductibilitatea
n 1911, Kammerlingh Onnes a gsit urmtoarele valori pentru rezistena
-6
unei coloane de mercur: 0,084 [] la 4,3 [K] i mai mic de 310 [] la 3 [K].
De la aceast dat, fenomenul de scdere brusc a rezistenei electrice la valori
neglijabile a fost pus n eviden pe multe metale i aliaje n domeniul temperaturilor joase. Starea de rezisten neglijabil a fost numit stare supraconductoare,
iar temperatura la care are loc trecerea de la starea normal la cea supraconductoare
se numete temperatur de tranziie sau temperatur critic (Tc). Variaia rezistenei electrice n jurul acestei temperaturi este redat n fig.1.12.
Vt = S (1 - 2) = S
(1.36)
contactul celor dou metale un cmp electric care se opune trecerii ulterioare, cmp
descris de o diferen de potenial de contact. Intensitatea acestui cmp nu difer la
cele dou suduri atunci cnd acestea au aceeai temperatur (fig.1.15.b). Atunci
cnd sudurile au temperaturi diferite, electronii de la sudura mai cald, care au
trecut n metalul (2), pot fi excitai pe nivelele superioare goale i au acum o energie
mai mare dect cei de la captul rece. Din aceast cauz exist acum tendina de
realizare a echilibrului termic ntre cele dou suduri ale metalului (2) prin migrarea
unui numr de electroni de la captul cald ctre cel rece, micare care are loc
mpotriva cmpului electric de contact. Deplasarea de sarcini de la o sudur la
cealalt face ca cele dou suduri s fie ncrcate diferit, aprnd astfel ntre ele o
diferen de potenial. O discuie analog poate fi efectuat i n cazul cnd nivelul
Fermi al metalului (2) este mai ridicat dect cel al metalului (1), dar diferena de
potenial dintre suduri va avea semn schimbat.
U0
R 0 (la lumin), unde Ri i Re reprezint rezistena la
R0 + Re
ntuneric , respectiv la lumin. Semnalul cules nu urmrete la fel de rapid variaiile
intensitii luminii: la nceputul fiecrui impuls tensiunea crete pn atinge o
saturaie, iar dup ncetarea iluminrii nu scade brusc la valoarea de ntuneric.
Fotorezistenele i-au gsit o sfer larg de aplicaii dintre care citm cteva:
detectoare de radiaii n infrarou (utilizate n spectroscopia n infrarou i n
scopuri militare), relee fotoelectrice (n care iau locul celu1elor fotoelectrice fiind
mai robuste, cu gabarit mai redus i mai ieftine).
ntuneric) i U e =
Din aceast cauz apare o tendin de scurgere spre metal, ceea ce duce la
acumularea de electroni pe suprafaa metalului. Prin plecarea acestor electroni,
semiconductorul rmne ncrcat pozitiv, astfel c la contactul M-S apare un cmp
electric numit cmp de baraj dirijat dinspre Sn spre metal. Metalul fiind neutru, nu
accept electroni n plus, astfel c electronii transferai rmn pe suprafaa metalului
n zona de contact. Datorit cmpului de baraj diagrama energetic se modific,
astfel c limita superioar a zonei de valen a semiconductorului se apropie de cea
a metalului, atingndu-se local un echilibru energetic.
Care este efectul unui cmp electric extern? Cnd cmpul electric extern
( E ext ) are acelai sens ca i cmpul de baraj (polul pozitiv pe semiconductor)
atunci electronii din metal sunt mpiedicai s treac spre semiconductor pentru c
ei ar trebui s fie excitai pe stri superioare de energie. Cnd ns cmpul extern are
sens contrar cmpului de baraj (polul negativ pe semiconductor), electronii se pot
mica dinspre semiconductor spre metal i curentul trece uor. n felul acesta un
contact metal-semiconductor acioneaz ca un redresor. Un raionament analog
poate fi efectuat pentru contactu1 metal-semiconductor de tip p. Trebuie menionat
ns c n acest caz cmpul de baraj are sens invers.
O jonciune semiconductoare p-n este un ansamblu format prin alipirea unui
semiconductor de tip p cu unul de tip n. Zona de separare ntre cele dou
semiconductoare Sn i Sp este de ordinul a 10-4 [cm] (fig.1.19). n regiunea Sn
exist donori neutri, donori ionizai i electroni, iar n Sp acceptori neutri, acceptori
ionizai i goluri (vezi i diagrama energetic din fig.1.19.b). ntre cele dou regiuni
exist o diferen de concentraie de electroni, respectiv de goluri, ceea ce genereaz
o tendin de egalare a lor prin difuzie de electroni n regiunea p i de goluri n
regiunea n. n felul acesta, apare n regiunea de separare un cmp electric, care are o
astfel de intensitate nct mpiedic difuzia ulterioar de purttori. Electronii care au
trecut n regiunea p sunt n minoritate fa de goluri, de aceea ei au fost numii
purttori minoritari, iar ultimii - purttori majoritari. Rolul lor este inversat n
regiunea n.
S vedem cum se poate fabrica o jonciune [4, 14]. Vom prezenta dou procedee:
a) jonciunea format prin aliere i b) jonciunea format prin difuzie. Pentru
jonciunea aliat se pune o bucic de metal trivalent (aluminiu de exemplu) pe o
lam de germaniu sau siliciu de tip n (fig.1.20.a). Se nclzete sistemul pn se
topete metalul, formndu-se o pictur care nu se mprtie datorit tensiunii
superficiale (fig.1.20.b). Din lichid, o parte din atomii metalului trivalent intr n
reeaua semiconductorului formnd un strat de tip p. Contactele sunt asigurate ntre
baza inferioar pe care s-a depus un strat metalic care asigur un contact ohmic i
metalul solidificat de pe suprafaa exterioar (fig.1.20.c). Pentru tipul al doilea se
depune prin evaporare n vid o impuritate trivalent pe suprafaa unui
semiconductor de tip n (fig.1.20.d). Prin nclzire, impuritatea difuzeaz formnd
jonciunea p-n (fig.1.20.e).
Ne putem imagina acum c o jonciune poate juca rolul unei diode n curent
alternativ, regiunea p fiind echivalentu1 anodului, iar regiunea n - rolul catodului.
Se pune problema dac prin aplicarea tensiunii n sens invers dioda poate suporta
orice tensiune. Rspunsul este negativ. S analizm caracteristica tensiune-curent a
unei diode semiconductoare (fig.1.22). Cnd V > 0 (polarizare direct), intensitatea
curentului crete rapid la variaii mici ale tensiunii. Astfel ntr-o jonciune p-n cu
germaniu, pentru o tensiune de 0,1 [V] pe jonciune, densitatea de curent atinge
100 [mA/cm2].
Cnd tensiunea are semnul schimbat (polarizare invers) curentul este slab,
atingnd o valoare de saturaie. Pentru aceeai diod, la 100 [V] densitatea de curent
este de 0,5 [mA/cm2]. La o anumit valoare a tensiunii are loc strpungerea diodei.
Deci o diod semiconductoare nu suport tensiuni inverse orict de mari am dori !
Capitolul 2
MATERIALE ELECTROIZOLANTE
2.1. Generaliti. Clasificare, descriere i utilizare
La realizarea unui produs electrotehnic se utilizeaz materiale electroizolante
pentru izolarea circuitelor electrice ntre ele, pentru izolarea circuitelor electrice fa
de cele magnetice, precum i a prilor magnetice i electrice fa de carcase.
n timpul funcionrii mainilor, aparatelor, instalaiilor electrice n general,
materialele electroizolante sunt supuse la solicitri: electrice, termice, mecanice,
chimice, fizice etc. Dac aceste solicitri depesc anumite limite ele determin
nrutirea proprietilor materialelor. Deoarece efectele solicitrilor sunt cumulative,
rezult c durata de funcionare a materialelor electroizolante i implicit a produsului n
componena cruia intr aceste materiale este limitat.
Avnd n vedere cele precizate anterior, putem afirma c materialele
electroizolante determin fiabilitatea oricrui produs electrotehnic. De asemenea,
prin nivelul proprietilor pe care le posed materialele electroizolante determin i
performanele produselor electrotehnice, reprezentnd prin urmare un factor de
importan tehnic i economic major.
Dei se cunosc foarte multe tipuri de materiale electroizolante, sunt relativ
puine cele care suport n mod corespunztor toate tipurile de solicitri.
Datorit acestui fapt, alegerea materialelor electroizolante, pentru un produs
electrotehnic, este n general o problem dificil cu largi implicaii tehnice i
economice. Alegerea materialelor electroizolante impune o cunoatere temeinic a
tuturor proprietilor lor, precum i a compatibilitii reuniunii lor ntr-un sistem de
izolaie dat.
Prin sistem de izolaie nelegem totalitatea materialelor electroizolante care
intr n componena unui produs electrotehnic.
Cteva clasificri ale materialelor electroizolante au fost prezentate n Cap.1.
Aceste clasificri au mai mult un caracter didactic (rareori izolaiile utilizate au un
singur component) i se vor utiliza n continuare pentru a scoate n eviden (ndeosebi
n cadrul materialelor solide) anumite proprieti specifice unor grupe de materiale [15].
Pe lng cele amintite anterior, se mai fac clasificri n funcie de componenta
principal a materialului finit (mica, rina sintetic, lacul etc.), de domeniul de
utilizare (izolaie de cresttur, ntre straturi, materiale de impregnare, de acoperire
etc.), dup anumite considerente practice (definite prin Enciclopedia materialelor electroizolante), dup comportarea la solicitri termice (n termoplasice i termorigide) etc.
Heliu
Hidrogen
Oxigen
Argon
Azot
Bioxid de carbon
Etilen
[]
Indicele de
refracie
Permitivitatea
relativ r la 293
[K] i 1 [atm]
1,12
1,35
1,82
1,83
1,91
2,30
2,78
1,000035
1,00014
1,00027
1,000275
1,00030
1,00050
1,00065
1,000072
1,00027
1,00055
1,00056
1,00060
1,00098
1,00138
Raza moleculei
mare, vscozitate mai redus i cldur specific apropiat de cea a aerului. Datorit
sulfului pe care-l conine, SF6 atac materialele active din instalaiile electrice (Cu,
Al, Fe).
Fig. 2.1 Variaia tensiunii de strpungere cu distana dintre electrozi pentru aer (1) i
hexaflorur de sulf (2) la frecven de 50 [Hz] i la temperatur de 20 [C].
Rigiditatea dielectric a SF6 este cuprins ntre 6,72 i 7,04 [MV/m] i variaz
mai puin cu distana dintre electrozi d dect n cazul aerului (fig.2.1). Pentru valori
ale lui d mai mari de 25 mm tensiunea de strpungere Ustr este mai mare n c.c.
dect la frecven industrial; n cmp uniform este proporional cu presiunea, iar
n cmp neuniform scade dac presiunea depete 1 atm. Tensiunea de apariie a
efectului Corona este mai mare dect n cazul aerului. Aceasta prezint o mare
importan, ntruct sub aciunea descrcrilor Corona ca, de altfel i sub aciunea
arcului electric - SF6 se descompune parial, aprnd produse toxice i corozive. Se
utilizeaz ca izolant i ca mediu de stingere a arcului electric n ntreruptoare de
.T., ca izolant i mediu de rcire n transformatoare, n construcia unor instalaii
speciale (condensatoare i transformatoare speciale, acceleratoare de particule,
microscoape electronice etc.).
Perfluorcarbonii sunt compui fluorurai ai metanului, etanului i propanului
de tipul perfluorpropan (C3F6), perfluorbutan (C4F10) sau octafluorciclobutan (cC4F8). Au stabilitate termic mai mare dect SF6 (200250 [C]) i nu atac
materialele active (Cu, Al, Fe). Se utilizeaz n aparatele de .T. care funcioneaz la
temperaturi ridicate.
Diclordifluormetanul (CCl2F2) este neinflamabil, netoxic i cu rigiditate
dielectric apropiat de cea a hexafluorurii de sulf. Atac cauciucul i unele mase
plastice. Are temperaturi de fierbere sczute (-28 [C]), motiv pentru care nu se folosete n instalaii exterioare. Se utilizeaz n construcia frigiderelor cu compresiune.
;
m
m
MV
MV
3-Emax= 12
; 4-Emax= 8
.
m
m
ULEIUL DE CABLU I DE CONDENSATOR. O caracteristic fundamental a uleiului de cablu o constituie vscozitatea. Astfel, vscozitatea sa
cinematic este apropiat de cea a uleiului de transformator n cazul cablurilor cu
ulei sub presiune i mult mai mare n cazul cablurilor cu gaz sub presiune sau a
celor izolate cu hrtie impregnat. Uleiul utilizat pentru impregnarea hrtiei trebuie
s fie foarte fluid la temperatura de impregnare (130[C] ) i s aib o vscozitate
mbtrnire rapid etc. Dup natura chimic, uleiurile sintetice se grupeaz n uleiuri
clorurate, fluorurate i siliconice.
Uleiurile clorurate sunt derivai ai hidrocarburilor aromatice de tipul
benzenului sau difenililor clorurai cel mai utilizat fiind pentaclordifenilul
(C6H3Cl2-C6H2Cl3) i poart diferite denumiri comerciale: askareli, sovol, clophen.
Sunt substane polare, neinflamabile, cu stabilitate chimic mare i care nu se
oxideaz. Se descompun sub aciunea arcului electric, dezvoltnd carbon i gaze
neinflamabile, dar toxice i corosive (HCl). Atac lacurile pe baz de uleiuri vegetale,
dar sunt compatibile cu rinile fenolice, poliuretanice, epoxidice, celulozice etc. Au
vscozitatea superioar celei a uleiului mineral, dar absorbie de ap mai redus.
Proprietile uleiurilor clorurate depind, n mare msur, de numrul atomilor
de Cl din molecule. Astfel, creterea coninutului de Cl determin nu numai o
cretere a temperaturii de congelare pn la +12 [C] (i deci, a vscoziti uleiului)
ci i o variaie important a caracteristicilor sale dielectrice, ndeosebi a permitivitii i factorului de pierderi. Factorul de pierderi depinde, de asemenea, de
coninutul substanelor dizolvate n ulei i de temperatur. Se utilizeaz n construcia transformatoarelor (fiind neinflamabile i cu Estr mare), condensatoarelor cu
hrtie (avnd r mare) etc.
Uleiurile fluorurate (hidrocarburi fluorurate, perfluoramine, eteri ciclici i
esteri fluorurai, derivai vinilici fluorurai etc.) au temperatura de fierbere mai
sczut dect a uleiurilor clorurate, caracteristici dielectrice superioare i absorbie
de ap redus. Nu ard i nu prezint pericol de explozie. Nu produc gaze toxice i
nu atac izolanii cu care vin n contact. Fiind foarte scumpe se utilizeaz doar n
ntreruptoare i transformatoare care funcioneaz n condiii speciale.
Uleiurile siliconice (dimetilsiloxani liniari nereticulai) au proprieti
dielectrice asemntoare uleiului mineral, absorbie de ap redus i temperatur de
inflamabilitate ridicat (350475[C]). Permitivitatea lor crete cu vscozitatea i
scade cu temperatura, iar tg crete cu vscozitatea, temperatura i frecvena. Se
utilizeaz n construcia transformatoarelor speciale, pentru ungerea mecanismelor
din mase plastice, a matrielor pentru turnarea rinilor sintetice etc.
Rini
sintetice
Rini de
polimerizare
Rini de
policondensare
Termoplaste
Termoplaste
Polistiren
Polietilen
Polipropilen
Rini vinilice
Fluoroplaste
Rini acrilice
Poliamide
Poliesteri cu
molecule
liniare
Policarbonai
Poliesteri
nesaturai
(devin
termorigizi
prin adaos de
stiren)
Termorigide
Fenoplaste
Aminoplaste
Poliesteri cu
molecule
spaiale
(rini
alchidice)
Rini de
poliadiie
Termoplaste
Termorigide
Poliuretani cu
molecule
liniare
Poliuretani cu
molecule
spaiale
Rini
epoxidice
Formula chimic
Coninut [%]
Bioxid de siliciu
SiO2
72
Oxid de calciu
CaO
10,3
Oxid de aluminiu
Al2O3
Oxid de magneziu
MgO
2,8
Oxid de sodiu
Na2O
13,5
Trioxid de sulf
SO3
0,4
Bioxid de siliciu
SiO2
55
Oxid de aluminiu
Al2O3
25
Oxid de fier
Fe2O3
<0,05
Oxid de calciu
CaO
foarte redus
Oxid de bor
B2O3
foarte redus
Oxid de bariu
BaO
foarte redus
Oxid de bariu
BaO
32
Oxid de bor
B2O3
30
Oxid de aluminiu
Al2O3
25
Oxid de sodiu
Na2O
foarte redus
Oxid de potasiu
K2O
foarte redus
Bioxid de siliciu
SiO2
>70
B2O3
15
Bioxid de siliciu
SiO2
54,5
Oxid de aluminiu
Al2O3
14,5
Oxid de calciu
CaO
22
Oxid de bor
B2O3
8,5
Oxid de sodiu
Na2O
0,5
Utilizri
Izolatori de nalt
tensiune
Lmpi cu vapori
de mercur
Lmpi cu vapori
de sodiu
Redresoare cu
vapori mercur,
tuburi catodice
Fibre de sticl,
esturi
Alte materiale anorganice. Azbestul. Cel mai utilizat material de azbest este
crizolitul. Are fibre de lungimi variabile (pn la zeci de [mm]), dar flexibile i la
temperaturi mai ridicate. La 350 400[C] i pierde apa de cristalizare, la 800[C]
devine pulverulent, iar la 1521[C] se topete. Rezistena la traciune a azbestului
este cuprins ntre 30 i 40 [MN/m2] , dar scade considerabil cu coninutul de
impuriti. Este foarte higroscopic, rezistivitatea sa (103 ... 1011 [m]) variind foarte
mult cu coninutul de umiditate i cu temperatura. Avnd rigiditatea dielectric
redus (circa 3,5 [MV/m]) i pierderi dielectrice mari, azbestul neimpregnat se
utilizeaz doar la tensiuni joase i frecvene industriale. Se obin fire (pentru
izolarea conductoarelor), esturi (pentru stratificate), benzi i hrtii (pentru izolarea
nfurrilor mainilor electrice, ca izolaie de cresttur etc.). Azbocimentul,
obinut din fire scurte de azbest i ciment, are rezisten mare la aciunea arcului
electric i a curenilor de scurgere pe suprafa i se utilizeaz pentru confecionarea
camerelor de stingere, a plcilor separatoare, a tablourilor de distribuie etc.
Roci electroizolante. Din grupa rocilor electroizolante fac parte marmura, ardezia
i talcul. Au o structur poroas, sunt higroscopice, casante i cu proprieti dielectrice
reduse. Prezint rezisten redus la aciunea acizilor i la ocuri termice. Au
temperatura de utilizare relativ redus (marmura: 110[C] ). Se utilizeaz doar la
tensiuni i frecvene joase: pentru confecionarea unor tablouri de distribuie, plci
de borne, suporturi pentru ntreruptoare sau reostate, la izolarea cablurilor (talcul) etc.
Oxizi metalici. Materialele electroizolante obinute prin sinterizarea oxizilor
de aluminiu (Al2O3) sau de magneziu (MgO) au structur cristalin, proprieti
mecanice i electrice foarte bune, conductivitate termic ridicat, rezisten la
temperaturi nalte (2000-3000[C]). Se prelucreaz ns foarte greu i sunt foarte
scumpe. Se utilizeaz ca dielectrici pentru condensatoare, la izolarea conductoarelor
electrice, la fabricarea bujiilor, a cuptoarelor electrice pentru temperaturi ridicate etc.
Materiale refractare. Rezist la temperaturi foarte nalte fr a se oxida sau ai modifica proprietile electrice i mecanice. Din aceast grup fac parte oxizii
metalici polivaleni, carburi, nitruri, boruri, sulfuri etc. Se utilizeaz la fabricarea
micei sintetice, a circuitelor integrate monolitice NMOS (nitrura de Si), a varistoarelor
(carbura de Si), a cermeilor (carbura de W, Ti, Cr), pentru reactorii nucleari (carbura de
B) etc.
2.1.3.7. Lacuri electroizolante
Lacurile sunt soluii coloidale ale rinilor sau uleiurilor n solveni organici.
Dup uscare ele formeaz, pe suprafaa materialelor pe care se aplic, pelicule
electroizolante. ntrirea are loc ca urmare a evaporrii solvenilor sau a unor
procese fizico-chimice (evaporarea solvenilor fiind urmat de reacii de oxidare, de
policondensare sau poliadiie).
Un lac este constituit dintr-o baz (substana care formeaz pelicula), un solvent
volatil (benzin, white-spirt, hidrocarburi aromatice, alcooli mono- i dihidroxilici,
eteri, esteri etc.) i materiale de adaos (sicativi, plastifiani, colorani etc.). n procesul
hrtiei pentru cabluri de tensiuni medii: colofoniul absoarbe hidrogenul (produs prin
descrcri pariale) din izolaia cablului, mpiedicnd apariia unor presiuni mari,
care ar mri volumul cavitilor i ar intensifica procesul de degradare a izolaiei.
Compoundurile bituminoase sunt nehigroscopice, au proprieti electrice foarte
bune i cost redus. Se utilizeaz amestecuri de bitum cu petrol sau asfalturi, bitum
cu colofoniu i ulei mineral etc. n domeniul frecvenelor nalte se utilizeaz
amestecuri de polietilen, cerezin, parafin, poliizobutilen etc.
Ulei
mineral
colofoniu,
parafin,
ozocherit
Bitum,
colofoniu
i ulei de
in
Vscozitatea
cinematic [E]
la 130[C] 6
Indicele de
aciditate [mg
KOH/g]
Materialul
Mas izolant
nebituminoas
Colofoniu
i ulei
mineral
Compound
bituminos de
impregnare
Compoziia
Mas izolant
nebituminoas
Utilizri
> 12
Umplerea
manoanelor
cablurilor de
tensiuni pn la
20 [kV]
Umplerea
manoanelor
la 120[C] 2
max. 15
> 12
> 20
i acoperire a
cablurilor de
cureni slabi;
impregnarea hrtiei
de cablu etc.
Impregnarea
nfurrilor
mainilor i
aparatelor electrice,
la cabluri,
condensatoare etc.
(p ) =
Vp
100 [%]
(2.2)
V
i poate atinge pn la 50% la materiale cu porozitate mare cum sunt hrtiile i
esturile. Se deosebesc, dup form, trei feluri de pori: deschii ; seminchii i
nchii ca n fig. 2.8. Primele dou forme de pori prezint avantajul c pot fi umplute cu
lacuri electroizolante prin impregnarea dielectricului (eventual dup o prealabil
vidare). Ca urmare calitile dielectricului poros se pot mbunti corespunztor lacului
de impregnare.
G G0
G
[%]
(2.3)
t [h]
Fig. 2.9 Variaia n timp a umiditii relative a dielectricilor higroscopici
Dielectricii nehigroscopici (impermeabili) se umezesc n atmosfer prin
adsorbie. Adsorbia const n condensarea vaporilor la suprafaa dielectricului sub
form de straturi moleculare de ap (sticl, mic, unele rini sintetice). Att
adsorbia ct i absorbia (ptrunderea umezelii n masa corpului) se determin prin
msurarea unghiului marginal ( ) pe care l formeaz suprafaa corpului cu
suprafaa unei picturi de ap cu vrful pe linia de contur a ariei de contact ca n fig.
2.10. Dac unghiul marginal < 90o ca n fig. 2.10.a, materialul se ud (la sticl i
mic este practic nul). Dac >90o, ca n fig. 2.10.b, dielectricul nu se ud
(parafina, folii sintetice, siliconi). Adsorbia materialelor impermeabile este foarte
pronunat la umiditi relative ale atmosferei ce depesc umiditatea normal ( r =
65%) ca n fig. 2.11 i prezint neajunsul c reduc n foarte mare msur
rezistivitatea de suprafa a dielectricului.
[%]
Ulei de
transformator
Hrtia impregnat
Pertinax
Textolit
Mica
PCV
Sticla
Porelanul tare
Steatita
Coeficientul de
dilataie termic
x 10-6 [oC-1]
1,67
0,130,16
750
1,252,50
1,261,68
1,261,68
0,86
1,352,15
0,700,85
0,92
1,05
0,150,20
0,200,30
0,34
0,36
0,150,29
0,801,05
0,801,85
1,95
1560
30 ... 50
3
4,5
8,5
3
Fig.2.12 Metoda Martens de
determinare a stabilitii termice
Fig.2.13
Determinarea
duritii
lacurilor electroizolante
Rv =
U
i c( V )
(2.4)
unde U este tensiunea aplicat probei msurat cu voltmetru V, iar ic(V) este curentul
de conducie care trece prin volumul probei msurat cu miliampermetrul mA.
Cunoscnd RV i dimensiunile A i d ale probei rezult rezistivitatea de
volum cu relaia:
R A
(2.5)
V = V
d
Dac este determinat n condiii date, V constituie o constant de material
i are valori cuprinse ntre 108 i 1018 [cm] .
Rezistivitatea de suprafa S se definete ca fiind rezistena electric
determinat n curent continuu la o tensiune U = 1000 [V], ntre 2 electrozi de
form lamelar avnd fiecare lungimea L = 100 [mm] i fiind aezai paralel pe
suprafaa dielectricului la o distan d = 10 [mm]. Se admite convenional c
adncimea de ptrundere a curentului n suprafaa probei este egal cu unitatea.
Schema electric cu care se determin experimental S este prezentat n fig.2.15.
RS =
U
i c(S)
(2.6)
n care U este tensiunea aplicat probei, iar ic(S) reprezint curentul de conducie de
suprafa.
Cunoscnd RS i dimensiunile suprafeei L i d se obine rezistivitatea de suprafa:
L
(2.7)
S = R s = 10 R S
d
Rezistivitatea S determinat n condiii date constituie i ea o constant de
material cu valori ntre 108 i 1018 [].
C
= d =
r =
o A 0
C0
d
unde 0 =
(2.8)
F
12 F
m = 8,854 10 m reprezint permitivitatea absolut a
4 9 10
1
vidului.
Permitivitatea unui dielectric determinat n condiii date este o constant de
material i are valori apropiate de unitate pentru gaze, de cteva uniti pentru
solide, zeci de uniti pentru unele lichide i sute sau mii de uniti pentru materiale
feroelectrice.
Es =
Us kVefectiv
d m
(2.9)
kV
pentru lichide i solide i de mii de
pentru unele solide impregnate cu lacuri
cm
tehnice.
Fenomenul de pierderi de energie electric activ n dielectrici. Cnd un
dielectric este supus unui cmp electric invariabil (constant) n timp n acesta au loc
pierderi de energie numai prin cureni de conducie.
Dac ns dielectricul este supus aciunii unui cmp electric alternativ (deci
variabil n timp), n dielectric au loc pierderi de energie att prin cureni de
conducie ct i prin cureni de deplasare (de polarizaie electric).
n curent alternativ, puterea electric activ absorbit de la reea de un
dielectric este P = U I cos . n diagrama fazorial (din fig. 2.36) curentul total
prin dielectric este decalat naintea tensiuni U cu unghiul . Cosinusul unghiului
se numete factor de putere, Ia = I cos reprezint componenta activ a curentului
(deci cea care determin pierderile de energie electric activ), iar Ic este componenta capacitiv a curentului.
zint o constant de material i are valori cuprinse ntre 101 i 104. Cu ct valoarea
sa este mai mic cu att pierderile de energie electric activ n dielectric sunt mai
mici i evident un tg mare nseamn pierderi de energie electric activ mari.
= A eB E
(2.10)
Fig. 2.19 Diagrama i =f (t) pentru un dielectric plasat n cmp electric continuu.
Din fig. 2.19 rezult c dup un timp t2 componenta curenilor de polarizare
este complet atenuat i dielectricul este parcurs numai de componenta de conducie
a curentului (ic). Prin urmare la determinarea rezistivitilor de volum (V) i
respectiv de suprafaa (S) ale dielectricilor, curentul se citete pe aparatul de
msur dup aplicarea tensiunii, la (13) minute, pentru a se obine numai componenta de conducie.
J = E
(2.11)
J = nqd
(2.12)
Difuzia termic
Difuzia constituie procesul de micare dezordonat a moleculelor n lichide n
absena cmpurilor electrice exterioare.
n lichide aceast micare se caracterizeaz prin aceea c dup realizarea unei
ciocniri, molecula efectueaz, pe parcursul unui durate , o oscilaie n jurul unui
punct fix, cu o frecven = 10121013 [s1], i numai apoi i schimb poziia.
Trecerea dintr-o poziie n alta are loc prin escaladarea barierei de potenial de
energie (U), datorat moleculelor vecine. Durata () se numete timp de relaxare i
are expresia:
U
= 0 e kT
(2.13)
a 2 a 2 kT
P=
=
e
(2.14)
(2.15)
unde (0) este perioada oscilaiei termice a moleculei, iar () este o mrime care ine
seama de alte condiii care influeneaz difuzia, rezult:
2
P = a e
U
kT
(2.16)
dn
(2.17)
dx
n relaia (2.17) q este sarcina ionului, iar D constituie coeficientul de difuzie,
avnd o expresie de forma:
JD = q D
D = P = a e
U
kT
(2.18)
Dac difuzia este izotrop n tot lichidul, cum saltul moleculei se face numai
1
dup unul din cele ase sensuri posibile, se poate considera = .
6
Fig. 2.21 Explicativ
privind difuzia electric n
lichidele electroizolante
La nivel macroscopic dielectricul este neutru din punct de vedere electric i
prin urmare suma curenilor de difuzie este nul:
JD = 0
(2.19)
JE = n q u E
(2.20)
Mobilitatea (u) a purttorilor de sarcin (q) se obine din relaia lui Einstein,
care are forma:
ukT = qD
(2.21)
Din relaiile (2.18) i (2.21) rezult:
U
u=
q D q a 2 kT
=
e
k T
6k T
(2.22)
n q 2 a 2 kT
JE =
e
E = E
6k T
(2.23)
unde:
U
n q 2 a 2 kT
=
e
= 0 e kT
6k T
(2.24)
n expresia (2.24) 0 este o constant. Din aceast ultim relaie (2.24) rezult c:
Dielectricii solizi pot avea structur amorf sau structur cristalin. Conductibilitatea dielectricilor solizi depinde de structura lor. Astfel, dielectricii solizi cu
structur amorf au conductibilitate de natur ionic. Ei pot fi considerai ca i nite
lichide suprarcite. Din acest motiv, expresia conductivitii electrice stabilit
pentru dielectrici lichizi i pstreaz valabilitatea i n cazul dielectricilor solizi cu
structur amorf.
n cazul dielectricilor solizi cu structur cristalin, conductibilitatea este de
natur ionic la cmpuri mici i mijlocii i temperaturi uzuale, iar la cmpuri foarte
intense apare o conductibilitate de natur electronic care se suprapune peste prima.
Conductibilitatea ionic este cauzat de ionii care primesc n decursul timpului o
energie suficient, generat de vibraiile reelei, astfel nct prsesc nodul reelei i
migreaz fie ntr-un interstiiu, fie ntr-un alt nod vacant. Ali purttorii de sarcin
provin de la ionii impuritilor care formeaz defecte ale reelei cristaline. Defectele
de reea sunt de dou feluri:
Defecte interstiiale (de tip Frenkel). Acestea constau n faptul c n interstiiul
dintre atomii din 4 noduri vecine se poate situa atomul unei impuriti care
deformeaz reeaua. Atomul impuritii este foarte slab legat de reea.
Defecte de substituie (de tip Schottky). Acestea apar n timpul procesului tehnologic de elaborare a dielectricului solid, fie prin migrarea unui ion dintr-un
nod spre periferia reelei atomice, fie prin situarea unui atom de impuritate
ntr-un nod al reelei de baz. i n acest caz defectele sunt slab legate de reea.
Ionii care formeaz defecte fiind mai slab legaii de reeaua cristalin, se deplaseaz local prin difuzie n absena unui cmp electric exterior, iar n prezena unui cmp
electric exterior ei au i o component ordonat i particip la conducia electric.
Expresia general a conductivitii dielectricilor solizi este de forma:
= 0 e
W
kT
(2.25)
unde 0 este o constant, iar energia W este constituit din energia corespunztoare
barierei de potenial (numit i energie de activare) U i energia necesar formrii
defectelor Wdefect. Deci avem:
W = U + Wdefect
(2.26)
Fig.
2.22
Dependena
conductivitii electrice
de temperatur n cazul
dielectricilor solizi
p = E [C m]
(2.27)
Fie un volum (V) considerat egal cu unitatea, n care exist (n) particule
polarizabile avnd fiecare o valoare medie ( p ) a vectorului elementar de
polarizaie. n acest caz vectorul total de polarizaie va fi:
P = lim
V 0
pi
i
= np = n E
(2.28)
C
P = P t + Pp 2
m
(2.29)
ntr-un punct al unui mediu polarizat exist o relaie de legtur general ntre
C
vectorul total de polarizaie P , vectorul induciei electric D 2 i
m
intensitatea cmpului electric E :
D = 0 E + P
(2.30)
D = 0 E + Pt
(2.31)
Pt = 0 e E = P
Din relaiile (2.31) i (2.32) rezult:
(2.32)
D = 0 (1 + e ) E = 0 r E = E
(2.33)
e = r 1
(2.34)
P t = P = 0 ( r 1) E
(2.35)
n E = 0 ( r 1) E
(2.36)
de unde rezult:
r =
n
+1
0
(2.37)
n
0
(2.38)
i:
e =
1
este egal cu numrul lui Avogado N Av = 6,02 10 23
, se poate calcula cu
mol
aproximaie polarizabilitatea n cazul fiecrei specii de polarizare electric.
Speciile de polarizare electric sunt urmtoarele: polarizarea electronic,
polarizarea ionic, polarizarea dipolic i polarizare de relaxare (interfacil).
Deoarece mecanismele de polarizare difer de la o specie la alta, acestea vor fi
studiate separat.
2.3.2.1. Polarizarea electronic
Pe = 0 ( r 1) E
(2.41)
r =
ne e
+1
0
(2.42)
ne e
0
(2.43)
i respectiv:
e =
'
'
pi = p 21 + p 23 = 0
(2.45)
Sub aciunea unui cmp electric exterior, ionii pozitivi sufer o deplasare n
sensul cmpului electric, iar ionii negativi n sens invers cmpului electric. Prin
urmare (conform fig. 2.24):
p 23 > p 21 i pi = p 21 + p 23 0
(2.46)
(2.49)
r =
ni i
+1
0
(2.50)
i respectiv:
e =
ni i
0
(2.51)
(2.52)
cu axa OX dup care este aplicat un cmp electric exterior E . Asupra acestui dipol
acioneaz forele F = q E i F = q E (vezi fig. 2.27).
(2.53)
(2.54)
L (a) este:
1 a
1 1 a a 3
=
+
...
a 3
a a 3 45
L (a)
= cth a
P0 = n 0 p p
a
E
= n 0 p p2
3
3k T
(2.58)
(2.59)
(2.60)
P 0 = n 0 0 E = n 0 p p2
E
3 k T
(2.61)
p p2
1 C0
=
3k T
T
(2.62)
n0 C0
0 T
(2.64)
1
1
=
T0 2 t r 0
(2.65)
= ' j ''
(2.66)
(2.67)
i se numete factor de pierderi ( de energie n dielectric). n relaia (2.67) ' i ' '
sunt valori relative, iar indicele h sa introdus pentru a sugera c la dielectricii
feroelectrici pierderile de energie sunt determinate de suprafaa ciclului de isterezis
electric, iar aceasta este proporional cu tg .
u = Um sin t
(2.68)
Cazul condensatorului ideal. Acesta are ntre armturile metalice vid sau aer
i este un condensator fr pierderi (fig. 2.35).
n faa tensiunii
2
(2.69)
naintea tensiuni
2
(2.70)
Ia =
unde sa notat cu R =
U
= UG
R
(2.71)
d
rezistena dielectricului, iar cu G conductana dielecA
tricului.
Componenta capacitiv a curentului este defazat cu
naintea tensiunii i
2
(2.72)
C
= d =
= r = '
0 A 0
C0
d
(2.73)
= U G + j U C0 ' = j C0 U
+ ' =
j C0
= j C 0 U ' j
C 0
(2.74)
rezult c:
G
= ''
C0
(2.75)
(2.76)
'' =
=
=
=
= const. ,
(2.77)
C0 R C0 d C0 0
adic o msur a conductivitii a dielectricului.
''
'
'
= tg
(2.78)
(2.80)
A
iar Ph este puterea activ datorat isterezisului i se obine cu relaia:
Pj =
Ph = U 2 C tg h
(2.81)
(2.82)
(2.83)
(2.84)
U2
Rp
(2.85)
U
+ j U Cp
Rp
(2.86)
(2.87)
'' =
(2.88)
C0 Rp
' =
Cp
(2.89)
C0
''
'
1
Cp R p
1
Tp
(2.90)
I
1
=
+ j Cp
U Rp
(2.91)
U2
= U 2 C p tg p
Rp
(2.92)
U
=
Zs
U
1
Rs +
j Cs
(2.93)
Ys =
1
1
Rs +
j Cs
R s 2 C 2s
1 + R 2s
C 2s
1
j
Rs
Cs
Cs
R Cs + j
s
=
R s Cs j R s Cs + j
j Cs
1 + R 2s 2 C 2s
(2.94)
Y = C 0 '' + j C 0 '
Din (2.94)i din (2.95) rezult c:
(2.95)
'' =
' =
Cs
Rs Cs
C0
1+
R 2s
C 2s
Cs
Co
1+
R 2s
C 2s
r Ts
1 + 2 Ts2
r
1 + 2 Ts2
(2.96)
(2.97)
''
= R s C s = Ts
'
Puterea activ absorbit de dielectric de la reea este:
tg s =
Ps = U I cos = U
(2.98)
U2 R s
U2 2 C 2s R s
U R s U2
=
= 2 Rs =
=
2
2
2
1
Z Z
2
1
R
C
+
Z
s
s
Rs + 2 2
Cs
U2 C s tg s
1 + tg 2 s
(2.99)
Y = Y1 + Y2
(2.100)
Y1 = j C1
(2.101)
unde:
i
Y2 =
1
R2
1
C2
C 2 ( R 2 C 2 + j)
(2.102)
1 + 2 R 22 C 22
2 R 22 C 22
1 + 2 R 22 C 22
+ j ( C1 +
C2
1 + 2 R 22 C 22
(2.103)
C2
C0
T2
1 + 2 T22
C 2 T2
' '
=
' C1 (1 + 2 T22 ) + C 2
(2.105)
(2.106)
C1 + C2
C0
(2.107)
C1
C0
(2.108)
i
, =
Din (2.107) rezult c la frecvene foarte mici, cele dou capaciti apar ca
fiind conectate n derivaie, (deci R2=0) adic pierderile sunt nule. La fel rezult din
(2.108) c la frecvene foarte mari dielectricul prezint numai capacitatea C1 i
pierderile de asemenea nule.
Din (2.104), (2.105) i (2.106), observnd c C 2 / C 0 = ,s C1 / C 0 = ,s ,
se obine:
, = +
,s ,
(2.109)
1 + 2 T22
i
' ' =
( ,s , ) T2
(2.110)
1 + 2 T22
respectiv:
tg =
,
,
' ' ( s ) T2
= ,
' s + , 2 T22
(2.111)
'
'
(2.112)
,s , 2 T22 = 0
i deci:
,s
1
T2
(2.113)
( ,s , )
2
,s
(2.114)
R1 R 2
( C1 + C 2 )
R1 + R 2
(2.115)
deoarece tensiunea (U1) ce revine primului circuit are aceeai form de variaie n
timp cu (U2) ce revine celui de-al doilea circuit, n cazul n care (U) ar fi o tensiune
continu aplicat la cele dou borne ale ansamblului. Deci i constantele de timp
(T1) i (T2) sunt egale i fiecare reprezint constanta de timp (T) a circuitului
echivalent. nlocuind n (2.115) pe (R) i (C) cu valorile lor corespunztoare lui ()
i () se obine:
T=
d 2 1 + d1 2
d 2 1 + d1 2
(2.116)
Y1 Y2
(2.117)
Y1 + Y2
1 2 ( T1 T2 T T1 T T2 )
(1 + 2 T 2 ) (R1 + R 2 )
+ j
(T1 + T2 T + 2 T T1 T2 )
(1 + 2 T 2 ) (R1 + R 2 )
(2.118)
Identificnd termenii din (2.118) cu admitana dielectricului real (2.95) rezult:
, =
T1 + T2 T + 2 T T1 T2
(1 + 2 T 2 ) (R1 + R 2 ) C 0
(2.119)
i:
,, =
1 2 (T1 T2 T T1 T T2 )
(1 + 2 T 2 ) (R1 + R 2 ) C 0
(2.120)
(2.121)
T1 T
C 0 (R1 + R 2 ) T
(2.122)
s, =
i
, =
,s ,
1 + 2 T 2
(2.123)
i
,, =
(,s , ) T
(1 + 2 T 2 )
, T
T1 T2
(2.124)
(2.125)
1
=
=
T1 T2 C 0 (R1 + R 2 )
(2.126)
1 + 2 T 2
astfel c factorul de pierderi rezult:
tg =
,,
,
( ,s , ) T
,s + , 2 T 2
+
,
( ,s , )
(2.128)
1 + 2 T 2
Fig.
2.44
Variaia
factorului de pierderi cu
frecvena pentru un dielectric
neomogen sau stratificat
care pierderile sunt minime este cea potrivit pentru exploatarea dielectricului. La
aceast frecven nclzirea dielectricului este minim, iar durata sa de via este
maxim (vezi fig. 2.44).
Pentru fiecare dielectric este necesar s se adopte schema electric echivalent cu
care s se poat obine prin calcul aceeai variaie cu frecvena a permitivitii
relative, a coeficientului de pierderi i a factorului de pierderi ca i la determinrile
experimentale.
Reprezentarea dielectricilor prin scheme electrice echivalente sporete
eficiena i corectitudinea alegerii i utilizrii lor n proiectarea i construcia
mainilor i aparatelor electrice.
2.3.3.4. Pierderile de energie electric activ prin incluziuni de gaze
Pierderile de energie n dielectrici nu sunt datorate numai conduciei electrice
i polarizrilor electrice ci i descrcrilor ce au loc n incluziunile de gaze.
Dac un dielectric prezint incluziuni de gaze, n aceste incluziuni ionii de
gaz bombardeaz repetat pereii cavitii i datorit acestui fapt apare att o eroziune a
pereilor cavitii ct i o nclzire local excesiv. Aceast nclzire suplimentar
reprezint o pierdere de energie ce poate fi exprimat empiric sub forma:
Pi = B1 f (U U0 )
(2.129)
Fig.
2.45
Variaia
factorului de pierderi cu
tensiunea
aplicat
unui
dielectric cu incluziuni de gaze.
B1 f (U U0 )2 = U02 C tg
de unde:
(2.130)
tg =
B1 f
U02
(U U0 ) = B 2 (U U0 )
2
(2.131)
Fig.
2.46
Variaia
curentului electric printr-un
dielectric n raport cu tensiunea
aplicat acestuia.
Pentru tensiuni (U < Uc) unghiul () format de tangenta la curba I = f(U) este
constant.
Pentru tensiuni (U > Uc) unghiul () crete, astfel nct la (U = Us) se obine
( = ) iar (tg = ).
2
I
1
= = const.
U R
(2.132)
m v2
= E e a
2
(2.134)
Us = f(pd)
(2.136)
Fig.
2.48
Variaia
rigiditii dielectrice a gazelor
n funcie de presiune
Factorii menionai sunt cei care n exploatare accelereaz mbtrnirea dielectricului lichid.
Fe = q E
(2.137)
q2
(2.139)
4 0 r 2
fa
r
a)
B q2
4 0 r 10
(2.140)
F = fa + fr = 0
(2.141)
a)
b)
Fig. 2.52 Explicativ privind strpungerea termic a dielectricilor solizi
Admitem c toat cldura dezvoltat n volumul canalului n unitatea de timp
Q = B1 E2 ea(m 0 )
(2.142)
este egal cu cldura disipat spre mediul exterior prin suprafeele frontale ale
canalului aflate n contact cu electrozii metalici.
Q' = B2 (m 0 )
(2.143)
(2.144)
B1 E2 a ea( m 0 ) = B2
(2.145)
(2.146)
rezult c:
a=
1
m 0
(2.147)
(2.148)
B2 =
d +
(2.149)
i deci
U2st
4 d2
a e = B2
U2st
4 d2
rezult c:
(2.150)
Ust =
=
4 d2
4 d2 B 2
d + =
=
B1 a e
0,24 d 0 a e
d
=
0,6 0 a e (d + )
0,6 0 a e (1 +
(2.151)
)
d
A
B (1 +
(2.152)
C
)
d
unde (A), (B) i (C) sunt constante, iar (d) este grosimea dielectricului.
Pe baza relaiei (2.152) se poate reprezenta grafic variaia tensiunii de
strpungere termic n funcie de grosimea dielectricului (vezi fig. 2.53.a).
Din grafic se observ c tensiunea de strpungere termic tinde spre o valoare
constant cnd grosimea dielectricului crete. n consecin cnd grosimea
U
dielectricului crete rigiditatea dielectric Es = s scade (vezi fig. 2.53.b).
d
Deci n aplicaiile practice ntrirea izolaiilor nu trebuie s se fac prin
creterea grosimii acestora ci prin schimbarea i alegerea corespunztoare a
dielectricului.
Dac dielectricul este alimentat cu tensiune alternativ influena grosimii
asupra tensiunii de strpungere Ust rmne aceeai, iar n plus mai apare i influena
frecvenei. Ust scade puin cu creterea frecvenei.
a)
b)
Capitolul 3
MATERIALE SEMICONDUCTOARE
3.1. Semiconductori intrinseci
Principalele elemente semiconductoare sunt Si i Ge (ambele tetravalente).
Ele pot fi obinute cu un nalt grad de puritate. Cu toate c puritatea nu este total
este posibil realizarea strii de semiconductor intrinsec. Pentru aceasta concentraia
impuritilor donoare se compenseaz printr-o concentraie egal de impuriti
acceptoare.
n cazul semiconductorilor intrinseci, conform teoriei zonelor de energie ale
electronilor dintr-un corp solid, zona de valen (A) este complet ocupat de
electroni la 0 [K], nivelul limit Fermi se afl la jumtatea zonei interzise (B), iar
zona de conducie (C) este complet liber de electroni (vezi fig. 3.1.a).
b)
a)
n figura 3.1.a (WF) este energia nivelului limit Fermi, (WC) este energia
primului nivel al zonei de conducie, (WV) este energia ultimului nivel al zonei de
valen, iar (Wb) este energia de activare. n zona de valen conform principiului
lui Pauli pe fiecare nivel de energie exist doi electroni de spini opui.
valen a acestui atom devine astfel incomplet. Sub aciunea unui cmp electric
exterior, locul vacant este ocupat de ctre un electron din zona de valen de pe un
nivel inferior acesta lsnd alt gol n urma sa .a.m.d. Se realizeaz astfel conducia
electric prin goluri. i n cazul semiconductorilor acceptori se manifest efectul
intrinsec. ntr-un semiconductor acceptor electronii constituie purttorii minoritari
iar golurile purttorii majoritari.
a)
Fig.3.2 Reeaua cristalin i
structura zonelor de energie
la 0 [K] n cazul unui
semiconductor extrinsec
acceptor
b)
a)
Fig. 3.3. Reeaua cristalin
i structura zonelor de
energie la 0 [K] n cazul
unui semiconductor
extrinsec donor
b)
dVD
i = ED
dx
(3.2)
4 me
h3
(K T ) e 0
2
eVD
KT
(3.4)
J
unde: h = 6,6231034 [Js] este constanta lui Planck, k = 1,381023
este
grad
constanta lui Boltzmann, e = 1,6011019 [C] este sarcina electric a electronului,
m = 9,1021031 [Kg] este masa electronului, T este temperatura absolut, iar e0
este baza logaritmilor neperieni.
Dac se aplic jonciunii un cmp electric exterior ( E 0 ) n sens invers
cmpului de difuzie ( ED ), cu potenialul pe semiconductor i + pe metal,
atunci nlimea barierei de potenial se reduce la valoarea (e VD e V ) , unde (V)
4 me
h3
(K T ) e 0
2
e( VD V )
KT
(3.6)
4 me
h3
(K T ) e 0
2
e( VD + V )
K T
(3.8)
Fig.3.7
diodei
cu
punctiform.
Formarea
contact
prin difuzia donorilor din stratul masiv n stratul depus (fig. 3.10). Stratul depus este
apoi protejat cu un strat subire de SiO2 n care se realizeaz mici orificii (fig.3.10.b)
unde se introduc prin difuzie impuriti acceptoare p. n final se depun pelicule de
contact ohmic att pe o parte ct i pe cealalt (fig.3.10.c) a jonciunii formate.
Trecerea lent de la concentraia mare de impuriti donoare la stratul cu impuriti
acceptoare p se reflect n stratul de inversie i determin caracteristici
avantajoase ale jonciunii.
ca Si, Ge, Se, sulfuri, seleniuri, teluri sunt sensibile la radiaii luminoase, la radiaii
infraroii sau ultraviolete ceea ce le face utile pentru msurri pe cale electric a
mrimilor nelectrice, sau ca elemente detectoare i de comand.
Alte materiale avnd la baz mai ales crbunele i negrul de fum, se
utilizeaz n domeniul curenilor tari. Astfel cu diverse sorturi de crbune, negru de
fum, liani gudronai, se fabric periile de maini electrice, electrozii pentru cuptoare
cu arc electric, electrozi pentru elemente galvanice uscate, electrozi pentru redresoare cu vapori de mercur etc. Din carburi de siliciu n amestec cu crbuni se
fabric electrozi pentru cuptoare cu nclzire prin radiaie, superior electrozilor de
grafit deoarece nu formeaz cenu la suprafaa de contact cu aerul, evitndu-se
astfel impurificarea metalului topit.
3.4.1. Tranzistorul
De cnd Bardeen, Brattain i Shockley au inventat tranzistoru1 n 1948, s-a
dezvoltat furtunos o nou ramur n electronic - electronica semiconductore. Au
fost create de atunci zeci de tipuri de tranzistori, astfel ca n rndurile de fa, ne
vom mrgini n a expune doar principiile de funcionare ale unui tranzistor, (p-n-p),
obinut prin montarea a dou diode semiconductoare n opoziie (fig.3.11): o diod
este polarizat n sens direct (emiterul), iar cealalt n sens invers (colectorul).
Regiunea din mijloc a tranzistorului (baza) este legat n circuit printr-un contact
fcut cu un strat metalic. S analizm pe scurt mersul curenilor. n prima diod are
loc o injecie de goluri din regiunea p n n (Iep) i o injecie de electroni din n
n p (Ien) fiind generai doi cureni care se adun.
Ie = Ien + Iep
(3.9)
(3.10)
(3.11)
Senzorii pe baza oxizilor semiconductori ai unor metale sunt cei mai utilizai
pentru detectarea gazelor combustibile. Materialul cel mai des folosit este SnO2
sinterizat sub form de mici sfere. Se mai utilizeaz i ali oxizi de metale cum ar fi
ZnO, Fe2O3, WO3, Co3O4, fie sub forma unor pelicule subiri depuse pe un strat
ceramic, fie sub forma de mici sfere sinterizate. Materialele prezentate mai sus sunt
semiconductore datorit defectelor din reeaua cristalin provocate, de obicei, de
absena oxigenului.
Funcionarea senzorilor pe baz de oxizi semiconductori ai unor metale se
explic prin prezena sau absena oxigenului la suprafaa oxidului metalic. Astfel
dac oxigenul din aer este absorbit chimic de oxidul din metal, conductivitatea
suprafeei sale devine forte mic. n aceste condiii rezistena total a sferei sinterizate
sau a peliculei depuse este foarte mare, ea fiind puternic influenat de rezistena de
contact, n care un rol esenial l are rezistena electric a stratului superficial. Dac
la contactul cu un anumit gaz oxigenul absorbit chimic la suprafaa oxidului se
combin cu gazul, rezistena peliculei superficiale precum i rezistena de contact
scad. Fenomenul de scdere a rezistenei superficiale este mai rapid i reversibil,
dac temperatura la care are loc contactul cu gazul este mare (de ordinul sutelor de
grade Celsius). Temperatura de funcionare ridicat se obine cu ajutorul unor elemente
de nclzire plasate fie n interiorul fie n exteriorul sferelor semiconductoare sau pe
faa materialului ceramic opus celei cu pelicul de semiconductor.
Deoarece numrul gazelor care reacioneaz cu oxigenul de la suprafaa
oxidului metalic este mare, capacitatea de selectare a acestor senzori este mic.
Capacitatea de selectare poate fi mrit dac se adaug n structura senzorului
substane catalitice (metale nobile, oxizi ai metalelor nobile sau diverse tipuri de sruri).
n prezent se efectueaz cercetri privind realizarea senzorilor pe baz de cristale
de SnO2 i ZnO. Sa demonstrat c senzorii pe baz de monocristale se comport
diferit fa de senzorii obinui prin sinterizare, n sensul c n funcionarea lor,
temperatura are o influen deosebit, nu numai asupra mrimii timpului de rspuns
i asupra reversibilitii ci i asupra selectivitii lor.
Senzorii pe baz de oxizi semiconductori ai unor metale pot fi folosii, n
special, pentru depistarea gazelor dar nu i pentru controlul cantitativ al
concentraiei lor, deoarece pe lng selectivitate redus ei au i un efect diferit de
lung durat care apare la contactul cu gazul.
3.4.2.2. Senzori pentru controlul combustiei
sensibilitate destul de mare (detectarea gazului cnd concentraia lui este sub
100 ppm);
vitez mare de rspuns;
selectivitate medie (senzorul este sensibil i la etan, propan, butan, hidrogen,
Fig.3.14.
Fig.3.15
n fig. 3.16 este indicat, pentru diferite tipuri de gaze, variaia rezistenei
senzorului cu concentraia gazului. Cu linie punct a fost prezentat nivelul rezistenei
senzorului cnd el se gsete plasat n aer curat (fr gaze).
Fig.3.16
Variaia raportului: RA/RG (unde RA este rezistena senzorului n aer curat iar
RG reprezint rezistena senzorului n aer contaminat) n funcie de temperatura de
lucru a senzorului, cnd concentraia gazului este constant, este prezentat n fig.
3.17. Au fost trasate caracteristicile pentru un senzor avnd raportul ntre masele
componentelor SnO2 i TiO2 de 2:1.
Fig.3.17
ale sale. Se observ c la 2000C, practic, umiditatea relativ nu are nici un fel de
influen asupra rezistenei senzorului, deci a funcionrii lui.
3.4.2.4. Senzori de umiditate pe baz de oxizi semiconductori
ai unor metale
Fig.3.18.
Fig.3.19.
Variaiile rezistenei electrice n funcie de umiditatea relativ a senzorului tratat
sau netratat cu KOH sunt prezentate n fig. 3.21. Timpul de rspuns al senzorului la
schimbarea brusc a umiditii relative a mediului n care este el plasat rezult din
diagrama artat n fig. 3.22. n fig. 3.23 este prezentat dependena rezistenei
electrice de frecven, cnd umiditatea relativ i temperatura de lucru rmn
constante. Rezultatele testului de degradare a senzorului sunt sintetizate n fig. 3.24.
Curba A, a fost ridicat pentru senzorul martor; curba B, a fost ridicat pentru un
senzor care a funcionat 100 de zile n atmosfer obinuit, iar curba C corespunde
unui senzor care a funcionat 100 de zile ntr-o atmosfer cu temperatura de 400C i
umiditate relativ de 95%.
Fig.3.20.
Fig.3.21
Fig.3.22
Fig.3.23.
Fig.3.24.
Fig.3.25
(3.12)
2
Zon de
saturaie
En
EN
EC
Cureni mari
III
Cureni mici
JN
Zon
ohmic
Zon neliniar
Jn
II
qe (U)
k T
(3.14)
U
qe
k
T
(U)
A(U)
ln I2 ln I1
ln U2 ln U1
(3.16)
n aceast poriune conducia se realizeaz prin efect de tunel, conform [3, 4] sau
prin generalizarea mecanismului termoelectronic.
III Zona de saturaie
Corespunde curenilor foarte ridicai, de civa kA.
Aici se situeaz curentul de descrcare nominal In (respectiv densitile de curent
corespunztoare Jn), precum i curentul maxim al varistorului (Imax), n regim de
oc, dincolo de care se produce distrugerea iremediabil a elementului. Caracteristica devine din nou ohmic, curentul este limitat doar de rezistena linear a
granulelor de ZnO, rezistivitatea materialului n aceast zon fiind de ordinul
0,5 10-2 [m]. Aici varistorul poate fi asimilat cu un material conductor
electric.
Se pot introduce relaiile 3.17 i 3.18 ntre tensiunea U i curentul I (respectiv
intensitatea cmpului electric E i densitatea de curent J), pentru descrierea
conductivitii n acest domeniu:
U = Rg I
(3.17)
sau:
E = g J
(3.18)
Unde mrimile reprezint: Rg rezistena electric a granulelor de ZnO;
g rezistivitatea electric a granulelor de ZnO;
Calitile de element de protecie ale varistorului sunt asigurate n zonele II i III.
n zonele de funcionare normal a varistorului (I i II), repartiia potenialului la nivel
microscopic, pe varistoarele elementare din structura sa, depinde esenial de
rezistivitatea fiecrei granule.
Dup cum vom detalia i n capitolele urmtoare, caracteristica curent-tensiune a
varistoarelor depinde de toate barierele de potenial care se stabilesc ntre dou
granule de ZnO nvecinate, deci fiecare jonciune constituie un microvaristor
elementar care poate fi caracterizat individual, lucru ce poate fi fcut cu ajutorul
unor tehnici speciale.
3.4.3.2. Tehnologia de fabricaie a varistoarelor pe baz de ZnO i
influena tehnologiei folosite asupra calitii acestora
La ora actual exist diverse procedee fizico-chimice de fabricare a varistoarelor pe baz de ZnO. Pentru exemplificare, toate referirile se vor face la procedeul
practicat i utilizat de ctre autori, n timpul stagiului efectuat n 1998 la Laboratorul
Gnie Electrique al Universitii PAUL SABATIER din Toulouse. Scopul
ntregului demers a fost familiarizarea cu tehnologia de fabricaie i producerea unei
serii de varistoare cu capacitate mrit de absorbie n energie, utilizate pentru
experimentele ulterioare.
Proprietile pe care trebuie s le asigure varistoarele sunt:
Tensiune de prag suficient de ridicat pentru un rspuns excelent la toate
tipurile de solicitri;
O bun comportare la solicitrile electrice, termice, chimice i mecanice sau
combinate;
Elaborarea reetei i
procurarea materiilor prime
Cntrirea procentual
Mcinarea i amestecul n
faz lichid
Uscarea
nclzire uoar
Uscare
nclzire la 700 C
Mcinarea uscat
Cernerea
Presarea
nclzire pentru eliminarea
total a apei
Sinterizarea la 1250 C
Metalizare
(depunerea electrozilor)
Acoperirea suprafeei laterale
cu rin i polmerizarea ei
Procentaj [%]
ZnO
82,25
411,28
MnO2
0,75
3,75
Cr2O3
1,32
6,601
Co3O4
2,09
10,457
NiO
0,648
3,244
Bi2O3
4,047
20,235
Sb2O3
8,862
44,345
B2O3
0,0756
0,378
MgO
0,0438
0,219
Al(NO3)9
0,0260
0,130
Mcinarea
Dup cntrire, oxizii sunt mcinai ntr-un cilindru cu bile. Aceast operaie de
amestecare se face mult mai uor n faz lichid, prin adugarea de ap distilat
i agent de polimerizare organic. Aceast operaie dureaz n jur de 30 de ore.
erizare;
oacere.
Recoacerea varistorului
Pentru ca pasta de pe suprafeele frontale s devin metalic i deci s aib loc
formarea electrozilor pastilei, este necesar un tratament termic de recoacere la
peste 600 C, tratament prezentat n figura 3.28.b).
Acoperirea suprafeei laterale cu rin
Pe periferia eantionului se depune o rin epoxidic izolant. Aceast cptuire se
face cu scopul de a proteja varistorul contra aciunii mediului ambiant, a
agresiunilor chimice, dar mai ales pentru a evita conturnrile care pot aprea la
aplicarea unor ocuri de curent i tensiune de mare amplitudine.
n prealabil varistorul se nclzete la 220 C timp de 2-3 ore pentru ca rina s
adere perfect i s polimerizeze pe suprafaa lateral.
Dup aceast operaie varistoarele vor fi supuse testelor de caracterizare i
verificare a calitii, teste care vor fi ulterior prezentate.
B. Microstructura i proprietile fizice ale varistoarelor pe baz de ZnO
Varistoarele sunt n esen nite ceramici policristaline cu proprieti
semiconductoare.
Structura este relativ simpl, format din granule de ZnO separate prin spaii
intergranulare. Figura 3.29. prezint ceramica policristalin, aa cum este observabil ea la microscopul electronic.
Ri
L
Rg
Ci
Granule de ZnO
Jonciuni
intergranulare
Cantitate la 10 g
produs [g]
Masa molar
[g]
Densitatea
[g/cm3]
97,0
9,117
81,37
5,70
Bi2O3
0,5
0,269
496,96
8,90
MnO2
0,5
0,050
86,94
5,03
Co3O2
0,5
0,139
240,80
6,07
Cr2O3
0,5
0,088
151,99
5,21
Sb2O3
1,0
0,337
291,50
5,20
Hexagonal
Alb
Romboedric
Galben
Romboedric
Neagr
Cubic
Neagr
Hexagonal
Verde
Cubic
Alb
Temperatura de
topire [C]
Compoziia
procentual
[% molare]
ZnO
Tipul reelei
cristaline i
culoarea la 25C
Componenta
2000
820
535
1935
2435
656
Tensiunea de prag (UN) a varistorului depinde de numrul de straturi intergranulare i deci de dimensiunile granulelor de ZnO. De asemenea, coeficientul de
neliniaritate i curentul de scurgere la tensiunea de serviciu (If) sunt influenai de
proporia oxizilor suplimentari folosii ca liani sau ca dopani.
n esen chiar conducia electric a varistorului este determinat de barierele
de potenial care se formeaz la nivelul spaiilor intergranulare.
Aditivii cei mai importani sunt cei precizai n tabelul 3.3., mpreun cu rolul
jucat de fiecare n ansamblul varistorului. Pe lng acetia, n structura varistoarelor
se introduc i o serie de dopani, cum ar fi: Cr, Sb, Ba, Ni, Ti, Al, Li, care sunt
prezentai n tabelul 3.4.
Bi2O3
Co3O4 MnO2
Sb2O3
Utilitatea
Tabelul 3.4. Influena unor elemente chimice asupra proprietilor fizicochimice ale varistoarelor, sau asupra celor electrice.
Elementul Proprieti fizico-chimice specifice
Permite sinterizarea n faz
lichid;
Bi Concentraie ridicat a dopanilor
n spaiul intergranular;
Aderena la oxizii de Al.
Co
Mn
Limiteaz dimensiunea granulelor
Cr
de ZnO.
Limiteaz dimensiunea granulelor
Sb
de ZnO.
Crete dimensiunea granulelor de
Ti
ZnO
Crete dimensiunea granulelor de
Si
ZnO
B
Ni
Al
Ga, In,
Scad rezistivitatea electric
Zr
Li, K,
Cresc rezistivitatea electric
Na, Cu
Aluminiul, prin nitraii i oxizii si diminueaz rezistivitatea materialului, pe
cnd Li are un efect contrar. O sistematizare a influenei fiecrui component asupra
proprietilor fizico-chimice i a celor electrice este prezentat n tabelul 3.4.
Ameliorarea proprietilor electrice ale varistoarelor se poate face att prin
optimizarea concentraiei fiecrui constituent, ct i prin modificarea parametrilor
ciclului termic de sinterizare.
M. Matsuoka [34] a realizat nc de la nceputul anilor `70 un material varistor
care pe lng ZnO mai are doar 5 oxizi aditivi. Acest material este considerat de
referin, fiind admirabil prin simplicitatea compoziiei chimice i performanele
electrice obinute (avnd un coeficient de neliniaritate = 50, determinat ntre 1 i
10 mA. Tabelul 3.5. rezum evoluia coeficientului de neliniaritate n funcie de
numrul de aditivi i temperatura de sinterizare a ciclului termic.
Bi2O3
1150
10
Bi2O3 Sb2O3
1150
65
Bi2O3 CoO
1250
30
13
Bi2O3 MnO
1350
50
18
1350
30
22
1250
48
21
1350
135
50
(3.19)
VN = n uN =
H
H
H
uN =
Ubi =
3 [V]
dg
dg
dg
(3.21)
Dup cum se constat din aceast ecuaie, stabilind tensiunea de prag UN,
necesar varistorului i cunoscnd granulaia medie a granulelor de ZnO, putem
calcula cu aproximaie nlimea pe care va trebui s o aib pastila ceramic. Calculul
practic se face pornind de la constatarea c dimensiunea medie a granulelor de ZnO
este aproximativ 20 m.
n figura 3.32 prezentm o seciune de principiu, realizat printr-un varistor
gata fabricat, de grosime micrometric.
Granule de impuriti
dg
Jonciuni
intergranulare
dg
Granule de
ZnO
Diametrul varistorului
(uniti relative)
1,5
1,0
Diametru ideal
0,5
1
2
3
nlimea varistorului (uniti relative)
Fig. 3.33. Alegerea diametrului varistorului
Se observ c pn la un raport ntre nlime i diametru de aproximativ 2
sau 2,1, se poate realiza o serie de varistoare de diametru constant, impus de prima
valoare a grosimii aleas.
Peste aceast valoare a grosimii (exprimat la fel ca i diametrul n uniti
relative), diametrul solicitat de un varistor de nalt tensiune, pentru a face fa ocurilor
violente i a putea absorbi energia acestora, este mai mare dect cel corespunztor
nceputului de serie. n consecin se impune trecerea la un nou diametru.
Se poate genera o serie nou cu acest diametru iniial Se realizeaz serii de
varistoare, care difer doar prin nlime (tensiune UN), diametrul fiind identic.
n Romnia se produc experimental doar varistoare destinate aplicaiilor la
joas tensiune, la I.C.P.E. Bucureti, conform S.F. 64/1996, pe baza unei tehnologii
asemntoare celei prezentate aici.
n figura 3.34 prezentm o serie de varistoare pentru medie tensiune.
Capitolul 4
MATERIALE CONDUCTOARE
4.1. Clasificare, descriere i utilizare
4.1.1. Cuprul i aliajele sale
Fiind materiale cu conductivitate electric i rezisten mecanic mare, rezistente
la coroziune, maleabile i ductile, sudabile, etc., cuprul i aliajele acestuia prezint
numeroase utilizri n industria electrotehnic.
Cuprul electrotehnic (CuE) se obine prin rafinare electrolitic i are puritatea
de peste 99,9%. Impuritile i pot modifica considerabil proprietile. Astfel
oxigenul reacioneaz - n timpul procesului de prelucrare a cuprului cu gazele din
mediul ambiant (H2, CO, CH4), dnd natere unor produse insolubile n cupru(ap,
CO2 etc.), care, ieind din metal, provoac fisuri n structura acestuia (fenomenul
numindu-se boala hidrogenului). Oxigenul afecteaz, de asemenea, conductivitatea
cuprului: aceasta scade cu aproape 4[%] pentru un coninut de oxigen de 0,15[%].
Cea mai duntoare impuritate o constituie ns bismutul. Insolubil n cupru,
bismutul formeaz pelicule foarte fragile i uor fuzibile n jurul grunilor cristalini
ai acestuia, mrindu-i fragilitatea. Alte impuriti, cum sunt fosforul, fierul, siliciul,
cromul etc. determin o reducere important a conductivitii, n timp ce argintul,
aurul, cadmiul, nichelul etc. au o influen mult mai mic.
Proprietile cuprului depind de structura sa (tab.4.1), precum i de solicitrile
mecanice i termice din exploatare.
Tabelul 4.1. Caracteristicile principale ale cuprului electrolitic
Caracteristica
Unitatea
de
msur
Densitatea
Kg/dm3
2
Cupru
recopt
(moale)
Cupru tras
la
rece(tare)
pn la 8,95
MN/m
200250
400490
Alungirea relativ
5030
42
Duritate Brinell
Modulul de elasticitate
MN/m
GN/m
400500 8001200
122
126
Caracteristica
Unitatea
de
msur
Cupru
recopt
(moale)
Cupru tras
la
rece(tare)
0.017241
0.0177
Coeficientul de temperatur al
rezistivitii, la 20[C]
K-1
3,39 10-3
Temperatura de topire
1083
Temperatura de recoacere
400...700
Temperatura de recristalizare
220300
K-1
1.77 10-6
W/mK
3.9398
Cldura specific
J/kgK
385
Astfel, rezistivitatea se determin cu relaia: ()=0,01724+0,0000681(T293) [m], adic un conductor din cupru i mrete rezistivitatea cu 0,0000681
[m] dac temperatura sa crete cu un grad. Avnd potenialul de electrod
standard pozitiv (+0,345[V]), cuprul este protejat de metalele uzuale cu care vine n
contact(Al, Fe, Zn etc.), acestea avnd potenial de electrod standard negativ. Este
atacat de oxigen, de oxizii de azot, de acidul azotic i acidul sulfuric, de clor,
amoniac, de sulful din cauciucul vulcanizat etc.
Cuprul se utilizeaz la fabricarea conductoarelor de bobinaj, a liniilor de
transport i distribuie a energiei electrice, a conductelor i cablurilor pentru nalt
frecven, a pieselor pentru tuburi cu vid, a redresoarelor cu Cu2O, aliajelor de mare
rezistivitate, magnetice.
Introducerea unui coninut foarte redus de Ag, Cd, Zn, Cr, Be etc. confer
cuprului proprieti termice i mecanice superioare. Astfel, un adaos mic de Ag
(0,030,1[%]) imprim aliajului stabilitate termic bun dup ecruisare, Cd
(0,061[%]) i mrete rezistena la solicitri dinamice, Zn (2[%]) i Cr
(0,50,9[%]) i mresc rezistena la rupere prin traciune, Be(0,52[%]) i mrete
duritatea etc. n schimb adaosurile care apar ca ,,impuriti n reeaua cristalin a
cuprului - mresc rezistivitatea electric a materialului.
Alamele sunt aliaje ale cuprului cu Zn. Se reprezint prin simbolul AmXY,
numrul XY reprezentnd coninutul de cupru (peste 50[%]) n procente.
Proprietile lor depind att de compoziia chimic, ct i de tratamentele mecanice
i termice la care au fost supuse n procesul de fabricaie. Sunt rezistente la
coroziune, se pot lamina i tana uor, dar au conductivitate electric mai redus
dect cea a cuprului. Adugndu-se i alte elemente, se confer alamelor rezisten
mrit la coroziune i oxidare (Si), proprieti mecanice superioare (Al, Sn, Fe, Mn)
eventual la temperaturi nalte (Ni) -, prelucrabilitate uoar (Pb) etc.
Densitatea
Kg/dm3
2.7
2.7
MN/m2
70110
150..250
3045
28
2.56
2.7
90..120 310320
1325
Duritatea Brinell
MN/m
Modulul de elasticitate
GN/m2
5866
72
65
Cldura specific
(0-100[C])
J/kgK
895
944
W/mK
la 20[C]: 217
la 20[C]: 199
Coeficientul de dilataie
liniar (de la 0 la 100[C])
K-1
23.9 10-6
32 10-6
Temperatura de recoacere
200450
Temperatura de
recristalizare
150
180
Rezistivitatea electric la
20[C]
0.028
0.0322
Coeficientul de
temperatur al rezistivitii
la 20[C]
K-1
4 10-3
3.6 10-3
Conductivitatea termic
Cu
Al Fe (n c.c.)
Densitatea [kg/dm3]
8,9
2,7
7,8
56 35,2
9,5
1,59
5,9
1,26
2,75
0,48
5,2
Prin adugarea unor mici cantiti de Si, Cu, Mg, Mn, Zn, Ni, Be etc. se obin
aliaje ale aluminiului proprieti mecanice superioare i conductivitate apropiat de
cea a aluminiului pur. Astfel, Aldrey-ul (98,45 Al;0,6 Si; 0,7 Mg; 0,2 Fe) are
rezistivitatea mai mic de 32 [m], rezistena la traciune mai mare de 320
[MN/m2] i temperatura de recristalizare cuprins ntre 180 i 200 [C]. Siluminiul
(1113,5[%] Si), n stare topit, are fluiditate mare i se utilizeaz la fabricarea
- prin turnare - a pieselor de grosimi reduse sau cu forme complicate. Tot ca aliaje
de turnare se utilizeaz i aliaje Al-Mn (pentru coliviile motoarelor asincrone), AlCu, Al-Cu-Ni, Al-Mn-Mg etc.
Unitatea
Fier armco (c.c) Oel (c.a.)
de msur
Densitatea
Kg/dm3
7.8
7.8
Rezistivitatea electric la 20 [ C]
105..108
130
Coeficientul de temperatur al
rezistivitii la 20 [ C]
K-1
0.0057
0.0057
Rezistena la rupere
Alungirea relativ
MN/m2
%
moale: 200300
700750
tare: 400...500
moale: 6040
tare: 61.5
58
temperatur al rezistivitii mic, cost redus etc. Materialele care ndeplinesc aceste
condiii sunt constantanul (60 Cu, 40 Ni) utilizat la fabricarea termocuplelor i a
reostatelor cu cursor, nichelina utilizat la construcia reostatelor de pornire i
reglaj, neusilberul (mai ieftin deoarece conine Zn ) utilizat pn la 200 [C] ,
fonta ( =1.41.5 [m]) utilizat la confecionarea reostatelor de sarcin etc.
Perii moi
Perii tari
Perii metal-grafit
Presiunea de contact pe
colector [MN/m2]
15
20
30
Rezistivitatea electric
[m]
10-40
60
0.05-30
40-60
10-15
20-30
10
6-8
15-20
Drept urmare, sub aciunea cldurii, ele prezint deformaii dinspre materialul
cu coeficient de dilataie liniar mai mare (1) spre cel cu coeficient de dilataie mai
redus (2). Sensibilitatea termobimetalelor creterea sgeii f cnd temperatura
crete cu 1 [K] este cu att mai mare, cu ct diferena (1-2) i lungimea
termobimetalului (l) este mai mare i grosimea (h) este mai redus. Ca materiale cu
coeficient de dilataie mic se utilizeaz aliajele Ni-Fe, cum este invarul (63,1 Fe;
36,1 Ni ; 0,4 Mn ; 0,4 Cu) care are 1,510-6 [K-1]. Cealalt component se realizeaz
din Fe, Ni, Cu, constantan, alam, etc., pentru care ia valori ntre 10-5 i 210-5 [K-1].
Se utilizeaz n construcia termometrelor pentru lichide i gaze, a termocompensatoarelor, pentru protecia instalaiilor electrice mpotriva suprasarcinilor etc.
Pentru construcia termocuplelor se folosesc astfel de materiale, nct t.t.e.m.
s aib valori mari (tab.4.6.), iar caracteristicile UT = f(T1) s fie liniare (fig.4.5.).
Dintre metale se utilizeaz Cu, Fe, Pt, iar dintre aliaje constantanul, copelul (56 Cu,
44 Ni), alumelul (95 Ni, 2 Al, 2 Mn, 1 Si), cromelul (90 Ni, 10 Cr), aliaje Pt-Rh (90
Pt, 10 Rh) etc. Temperaturile de utilizare a termocuplelor depind de natura componentelor: copel cupru intre -250 i 600 [C] , copel-fier ntre -200 i 1000 [C],
cromel-alumel ntre 0 i 1100 [C], platin platin + Rh pn la 1600 [C] etc.
Tabelul 4.6. Tensiuni termoelectromotoare fa de platin la o diferen de
temperatur de 100 [C] pentru diferite materiale.
Materialul
Constantan
Nichel
Paladiu
Platin
Platin 90%+Rhodiu 10%
Cupru
Argint
Aur
Manganin
Wolfram
Fier
Nichel-Crom
t.t.e.m.[mV]
-3,47
-1,94
-0,28
0,00
+0,65
+0,67
+0,79
+0,80
+0,82
+0,90
+1,89
+2,20
Se mpart n dou grupe :moi cu temperatur de topire Tt < 4000 [C] i rezisten
la traciune r =50-70 [MN/m2] - i tari cu Tt > 5000 [C] i r 500 [MN/m2].
Conductoarele din cupru i alame se lipesc cu aliaje St Pb ; pentru capetele
de bobine ale mainilor electrice se utilizeaz ns aliaje tari pe baz de Zn Cu sau
Cu Ag cu adaosuri de Cd. Pentru lipirea conductoarelor din aluminiu se utilizeaz,
printre altele, aliajele Sn-Cd-Zn (40 Sn, 20 Cd, 25 Zn, 15 Al) pentru lipiri moi i AlSi (86 Al, 10 Si, 4Cu) pentru lipiri tari.
N q2 m
1 n q2 m
=
V 2 m v dm 2 m v dm
(4.1)
b
=
n0 k T
E* a
2 n0 k T
c1
T
(4.2)
T temperatura absolut;
E* modulul de elasticitate;
a constanta reelei;
c1 factorul constant.
Din (4.1) i (4.2) rezult:
=
1 n q 2 c 1 const.
2 m v dm T
T
(4.3)
1
= const. T
(4.4)
const.
(4.5)
T5
m []
tr [s]
1 Energia nivelului
n 3
limit Fermi
m
WF[eV]
Argint
O,68 108
570
5,51
Cupru
0,64 108
420
7,04
(4.6)
unde (a), (m) i (n) sunt constante, iar (x) i (y) sunt funcii explicite de temperatur, adic:
x = g()
(4.7)
y = h()
(4.8)
def
1 df
= f d
(4.9)
Deoarece:
df
f dx f dy
dx
dy
=
= a m x m1 y n
+ a n x m y n1
(4.10)
d x d y d
d
d
dx
dy
a x m1 y n1 m y
+nx
d
d
ax y
1
(f ) = m
unde:
1 dx
1 dy
+n
= m ( x) + n ( y)
x d
y d
(x) =
1 dx
x d
(4.11)
(4.12)
1 dy
y d
(4.13)
1 d
(4.14)
(R) = () + (l) ( A )
(4.15)
(4.16)
(R) ()
(4.17)
1 = 0 1 + 0 () (1 0 )
(4.18)
R 1 = R 0 1 + 0 () (1 0 )
(4.19)
Ag
Cu
Al
Fe
TD [K]
215
315
398
420
(4.20)
(4.21)
Fig.4.6 Influena
temperaturii i a
coninutului de nichel
asupra rezistivitii
cuprului
(4.23)
a)
b)
Fig.4.8 Explicativa privind fenomenul termoelectric.
Fie 2 metale diferite (A) i (B). Considerm c metalul (A) are energia de
extracie a electronului din atom (A), iar metalul (B) are energia de extracie a
electronului din atom (B). La punerea n contact a celor dou metale dac (A < B),
are loc o difuzie a electronilor dinspre (B) spre (A). Difuzia are loc pn se atinge
echilibrul termodinamic cnd nivelele limit Fermi ale celor 2 metale coincid. La o
temperatur dat, la echilibru termodinamic, diferena de potenial care a aprut se
menine constant. Diferena energiilor de extracie este:
= B A = e(VB VA) = eUAB
(4.24)
U' ' AB =
n
K T
ln A
nB
e
(4.25)
(4.26)
Capitolul 5
MATERIALE MAGNETICE
5.1. Momentul dipolar magnetic
Dac un conductor prin care circul curent electric este situat mai nti n vid
apoi ntr-un mediu oarecare, se observ c n cele dou situaii cmpurile magnetice
nu sunt identice. Acest lucru se explic prin faptul c orice material are proprieti
magnetice, adic se magnetizeaz sub aciunea unui cmp magnetic.
Se poate stabili un paralelism ntre magnetizarea materialelor plasate n cmp
magnetic i polarizarea dielectricilor plasai n cmp electric.
n absena sarcinilor magnetice libere, magnetizarea materialelor este explicat
pe baza echivalenei dintre curenii nchii elementari i dipolii magnetici.
n acest fel magnetismul se consider c este produs de sarcinile electrice n
micare (de curentul electric).
Un contur circular de diametru mic, parcurs de un curent staionar I se
comport ca un mic magnet numit dipol magnetic. Plasat ntr-un cmp magnetic
uniform B se constat experimental c asupra lui acioneaz un cuplu de fore, unde
fiecare for este proporional cu curentul I din contur i cu aria S a conturului, dar
nu depinde de forma conturului. Pe aceast baz s-a definit momentul magnetic m
al dipolului prin relaia:
m = I S = I S n ,
(5.1)
(5.2)
Prin integrare:
Wp =
m B sin d = m B cos
adic, n final:
Wp = - m B
(5.3)
(5.4)
m
uv
Se constat experimental c:
(5.5)
M = m 0 H = m B ext ,
(5.6)
B
.
0
de unde se obine:
= 0 (1 + m ) .
(5.7)
(5.8)
e2
1
2 ,
4 0 r
(5.9)
de unde rezult:
e3
0 =
4 m 0 r 3
(5.10)
(5.11)
e2
4 0 r 2
e r B .
(5.12)
e2
e B
e B
.
+
3
2m
2m
4 0 m r
(5.13)
Dac se presupune c:
e B
<< 0 ,
2m
(5.14)
e B
.
2m
(5.15)
Semnul din faa lui 0 arat c acei electroni ai cror momente orbitale
erau paralele cu cmpul sunt ncetinii cu cantitatea:
L =
e B
,
2m
(5.16)
numit pulsaie Larmor, iar cei cu momentele antiparalele cu cmpul sunt accelerai cu
aceeai cantitate. Acest rezultat constituie teorema Larmor. Aceast schimbare de
frecven d natere la o polarizaie magnetic (magnetizaie). Drept urmare micarea
electronului este rezultanta a dou micri simultane:
micarea electronului n lipsa cmpului B ,
micarea de precesie a orbitei sale (deci a momentului cinetic orbital) n jurul
direciei cmpului, cu frecvena Larmor.
Dac atomul conine Z electroni, precesia acestora n jurul lui B este
echivalent unui curent electric circular avnd drept ax direcia lui B i care va da
natere unui moment magnetic:
md = I S = Z e S = Z e
L
Z e 2 R 2
R2 =
B .
2
4m
(5.17)
2 2
r ,
3
(5.18)
unde r 2 este distana ptratic medie a electronului, va rezulta, dac n este numrul
de atomi din unitatea de volum, expresia magnetizaiei materialului diamagnetic:
Md = n md =
n Z e2 r 2
B .
6m
(5.19)
Md Md n Z e 2 r 2
=
=
0 .
H
B
6m
(5.20)
Acesta este rezultatul clasic, obinut de Langevin. Teoria cuantic a diamagnetismului (Van Vleck, 1932) a condus la un rezultat asemntor.
Se observ c susceptibilitatea magnetic diamagnetic este independent de
temperatur. n plus, diamagnetismul este un fenomen cu caracter universal, n
sensul c el apare la toate corpurile. Faptul c el nu este observat dect la unele
materiale se explic prin aceea c n multe cazuri el este mascat de efectele para i
feromagnetice.
Wp = m B .
(5.21)
(5.22)
adic:
i=1
mi cos i =
1
m
V
cos i =
i=1
N
1
m
V
N
cos i ,
i=1
M = n m cos ,
(5.23)
unde cos este valoarea medie a lui cos , pentru toate unghiurile corespunztoare echilibrului (fig. 5.6).
cos =
Wp
cos d
kT
Wp
kT
(5.24)
se obine:
(5.25)
cos = cth x
1
= L( x ) ,
x
(5.26)
unde:
x=
m B
,
k T
(5.27)
iar funcia L(x) este funcia lui Langevin a crei reprezentare grafic este dat n
fig. 5.7. Din aceast reprezentare se constat c saturaia magnetizrii se obine la
cmpuri suficient de mari sau temperaturi joase.
(5.28)
Pentru x << 1, adic: mB << k T (cazul temperaturilor nalte), din dezvoltarea n serie a funciei cth x:
cth x =
1 x x3
+
+
x 3 45
(5.29)
este suficient s se rein primii doi termeni. n aceast situaie expresia lui L(x)
devine:
1 x 1 x
m B
L( x ) = + = =
(5.30)
x 3 x 3 3k T
i corespunztor:
M=
n m2 B
.
3k T
(5.31)
M
, rezult mai departe:
B
p = n 0 m 2
1
C
= ,
3k T T
(5.32)
unde:
C = n 0 m2
1
3k
(5.33)
reprezint constanta Curie, iar relaia (5.32) constituie legea lui Curie, care se aplic la
temperaturi nalte. Rezultatele experimentale pentru dependena susceptibilitii
paramagnetice de temperatur sunt n bun concordan cu legea lui Curie.
La temperaturi joase, pentru care: m B >> k T , magnetizarea M tinde la
saturaie, fapt confirmat experimental.
Capitolul 6
(6.1)
Ionii SF6 au mas mare i mobilitate foarte redus. Din punct de vedere
practic, ionii SF6 se caracterizeaz printr-o probabilitate neglijabil de a produce
noi ionizri prin oc.
Caracterul electronegativ al hexafluorurii de sulf se pstreaz pn la cteva
mii de grade Kelvin. Aceast proprietate a hexafluorurii de sulf determin tensiuni
de strpungere mult superioare celor n aer, la aceeai presiune. Astfel, n fig.6.2
sunt prezentate curbele de variaie ale tensiunii de strpungere n funcie de
presiune, pentru cazurile solicitrii cu tensiune de frecven industrial i respectiv
cu impuls normal de 1,2/50 [s].
r0
2,4 a
(6.2)
unde r0 reprezint raza coloanei arcului electric, iar a este difuzivitatea cldurii n
mediul de stingere.
Din relaia (6.2) rezult c, pentru a avea o constant de timp Ta redus, arcul
electric trebuie s fie de diametru ct mai mic, iar gazul trebuie s aib o difuzivitate a
cldurii ct mai mare. Deoarece difuzivitatea cldurii este dat de relaia:
a =
c d
(6.3)
0,10
0,15
0,14
0,12
0,13
valoarea
aleas
eh2
er2
ef2
1,06
0,93
0,91
1,05
0,90
0,90
1,05
0,91
0,90
1,05
0,92
0,91
1,05
0,92
0,90
Esi
Es063
Esn63
EsM63
m
[kV/cm] [kV/cm] [kV/cm] [kV/cm]
89,0
1,5
75,5
1,5
73,7
1,5
133,5
2
107,5
2
105,2
2
124,6
1,8
102,6
1,8
106.8
1,6
115,7
1,70
Us63
u
[kV]
Us 02(2)
[kV]
77,8
1,8
427,1
8,8
392
110,2
2,1
605
11,5
558,6
100,2
1,8
105,5
1,9
579,2
10,4
537,5
89
1,6
87,2
1,6
91,8
1,7
504
9,2
466,9
95,6
1,7
93,7
1,7
98,6
1,8
541,3
9,8
502
= 1,7 kV/cm
a)
b)
d4
[cm]
9,00
US 63
ESM63
M
u
[KV/cm] [KV]
US02(4)
[KV[
F4
eh4
0,300
1,12
116,5
1,9
314,6
5,1
294,2
0,5
9,50
0,390
1,12
116,5
1,9
431,6
7,0
403,6
0,4
9,60
0,410
1,12
116,5
1,9
458,5
7,5
428,5
0,3
9,70
0,440
1,12
116,5
1,9
497,2
8,1
464,8
0,35
valoare aleas
9,65
0,425
1,12
116,5
1,9
477,8
7,8
446,6
La valorile alese p20 = 0,13 Mpa i h = 0,35 cm se obine US02 (2) = 502,0 kV>
> US02 (3) = 478,8 kV > US02(4) = 446,6 kV ; pe baza acestor date se poate construi
un model experimental al izolaiei respective (de comparat cu fig.6.10).
Mai rmne de controlat dac sistemul izolant complet posed tensiunea de
inere cerut:
U02m = US02(4) - u(4) In m = 466,6 kV 24,3 kV = 422,3 kV >UNS = 400 kV.
n calcule similare se poate verifica dac ar mai trebui alese alte valori pentru
i dac s se ia n consideraie i ali coeficieni de siguran.
Eventual se pot alege valori diferite pentru distanele de conturnare i
distanele de gaz ( (2) > (3) = (4))).
Cu coeficienii de siguran se pot lua n consideraie incertitudinile tehnologice. Valoarea lor poate fi apreciat din scderea tensiunii de strpungere datorit
defectelor fixe sau mobile atunci cnd mrimea defectelor, care depinde de metoda
tehnologic aleas, este suficient de bine cunoscut.
pentru rupere;
ntreruptoarele destinate a funciona n exterior la temperaturi foarte sczute nu mai
11
3
2
5
Spre deosebire de ntreruptoarele cu autocompresie, ntreruptoarele cu autoexpansiune sunt considerate ca aparate cu comutaie lin, energia necesar suflajului
fiind furnizat de arcul electric nsui.
Construcia unui ntreruptor cu hexafluorur de sulf funcionnd cu autoexpansiune i ghidare a arcului electric prin duz electroizolant este prezentat n
fig.6.14 [10, 17].
ntreruptorul din fig.6.14 este realizat n construcie tripolar i este destinat
instalaiilor de medie tensiune. Cele trei camere de stingere ale sale sunt nglobate n
anvelopa unic 14, din rin epoxidic.
Calea de curent a acestui ntreruptor n poziia nchis cuprinde: bornele de
conexiuni 3 i 12, contactul de lucru mobil 10. i contactul de lucru fix 11.
La deschiderea ntreruptorului, micarea se transmite de la axul 8 al
mecanismului de acionare cu resort 7, prin sistemul de prghii 6 i 5, la echipajul
mobil. Se deschid mai nti contactele de lucru 10 i 11, iar apoi se separ i
contactele de rupere 1 i 4. n momentul separrii contactelor de rupere 1 i 4, ntre
acestea se amorseaz arcul electric. Atta timp ct contactul mobil de rupere 4
obtureaz duza electroizolant 2, n camera de stingere 13 crete presiunea gazului
SF6, datorit temperaturii ridicate a arcului electric. Dup ce contactul 4 elibereaz
duza 2, coloana arcului electric este supus unui suflaj longitudinal cu hexafluorur
de sulf, dinspre camera 13 spre zona de aspiraie 9.
7
8
9
6
3
Legend:
zon legat
la pmnt
zon izolant
zon cu SF6
zon sub
tensiune
q2
ni
m e k T ni Q i + n s Q s + n 0 Q 0
(6.4)
a)
b)
Fig.6.16. Explicativ privind
generatoarele magnetohidrodinamice.
c)
curent rezidual (de nsoire), care la frecvene reduse devine destul de important
pot opera i n curent continuu;
au o rezisten la poluare sporit.
Dispozitiv ideal
Eclator
Un
Un
DRV cu SiC
Un
DRV cu ZnO
Un
n
Proprieti
Curent de
scurgere la Un
Nivel de
protecie Np
nul
nul
ridicat
Sczut
redus
tensiune de
amorsare mare
nivel de
protecie ridicat
ridicat
Redus
ridicat
sczut
Ridicat
Capacitate de
absorbie a
ridicat
energiei
Timp de
rapid
rspuns
Gama de
capacitate
[pF]
determinat
ct mai mare
ntre
1 i 10 mA
Pre de cost ct mai sczut
lent ( 10-6 s)
1 - 10 pF
12 F - 50 F
3-6
25 - 70
sczut
Domenii de
aplicare
orice domeniu
de tensiune,
CC sau CA,
orice frecven
joas i medie
tensiune, cu
grad mare de
rspndire
Complexitate
medie ctre
redus
redus
mare
Mediu
medie i nalt
joas, medie i
tensiune, circunalt tensiune,
ite de for, cu
cu o arie de
domenii de
rspndire n
aplicare n
expansiune
restrngere
ridicat
Medie
Principalele avantaje
Principalele dezavantaje
capacitate de absorbie a
Carbur de siliciu (SiC) energiei important;
fiabilitate
pierderi considerabile n
serviciu permanent;
stabilitate termic redus;
element unipolar;
pierderi foarte mari n
serviciu permanent;
capacitate de absorbie a
Diode Zener cu seleniu
neliniaritate medie;
energiei medie;
instabile la nalt temperatur;
pre ridicat;
caracteristic foarte
neliniar;
element unipolar;
timp de rspuns extrem capacitate redus de absorbie
Diode Zener cu siliciu
de redus;
n energie;
pierderi slabe n regim
pre extrem de ridicat;
permanent;
capacitate important de
absorbie n energie;
neliniaritate mrit a
caracteristicii;
pierderile la tensiunea de
Ceramici bazate pe ZnO
timp de rspuns redus; serviciu cresc cu temperatura;
pierderi reduse n
serviciu permanent;
fiabilitate sporit;
Eclator cu gaz
Vecl = 600 V
Vst=Vs1+Vs2
Eclator cu gaz
Vecl = 300 V
Eclator cu gaz
Vecl = 600 V
Vs2
Vst
Vs1
Vs1
Vst
a).
b).
c).
d).
Fig.6.18. Variante de module de protecie la joas tensiune.
Vs1
de rezisten variabil, Vst modulul b). dintr-un varistor Vs1 asociat cu un eclator
cu gaz n serie, modulul c). este alctuit din dou varistoare Vs1 i Vs2, astfel nct
n orice moment se poate scrie relaia dintre rezistenele variabile Vst = Vs1 + Vs2.
Modulul d). reprezint punerea n paralel a lui a). i b).
n urma unor ncercri n regim tranzitoriu (ocuri care simuleaz supratensiuni
atmosferice) i permanent (polarizare la tensiunea de serviciu i teste la supratensiuni de
valori reduse dar durat mare de aplicare) s-au stabilit performanele fiecrui modul i
anume:
Modulul a
Un varistor singur, la joas tensiune nu poate rspunde urmtoarelor cerine:
s aib un nivel de protecie n regim tranzitoriu ct mai apropiat de tensiunea
de serviciu;
s suporte n regim permanent supratensiuni temporare;
s i menin tensiunea de deschidere constant n timp, datorit mbtrnirii;
n schimb are un timp de reacie foarte redus, de pn la 25 ns. Exist riscul
ca din cauza curentului care l parcurge n permanen, a masei relativ reduse, a
limitrii posibilitilor de disipare a cldurii, dat fiind c opereaz i n regiunea
slab nelinear a caracteristicii, ca varistorul s ajung n urma unor procese
tranzitorii n regim de ambalare termic. Varistorul are nevoie de un dispozitiv care
s l conecteze doar cnd e nevoie.
Modulul b
n acest montaj varistorul are rolul de a absorbi energia i a limita curentul de
nsoire. Amorsarea este dat de eclatorul cu gaz Rolul acestuia este:
n regim permanent fixeaz tensiunea de amorsare a modulului pentru
supratensiuni temporare i se comport ca un ntreruptor, deconectnd
varistorul n regimul de serviciu;
n regim tranzitoriu prezint un inconvenient major, datorit timpului de
rspuns mult mai mare dect al varistorului;
Modulul c
n regim permanent:
cele dou varistoare serie asigur o bun comportare la aplicarea unor
supratensiuni temporare i se reduce astfel curentul de pierdere;
Eclatorul montat n paralel pe varistorul 2 fixeaz tensiunea de amorsare i
rspunsul la supratensiuni temporare, amorsnd naintea varistorului;
n regim tranzitoriu:
Varistorul 1 asigur nivelul de protecie pentru un curent de scurgere de 5 kA;
Varistorul 2 preia tensiunile care apar la bornele eclatorului , fiind mai rapid n
aciune;
Dimensionarea modulului este foarte complicat, mai ales datorit corelrii
caracteristicilor eclatorului i varistorului, pentru a obine efectul prezentat anterior.
Modulul d
Are o comportare similar cu modulul c). Concluziile care se desprind sunt:
Este necesar asocierea varistorului cu un eclator cu gaz cu rol de ntreruptor
n regim permanent, astfel se ntrzie procesul de mbtrnire i riscul de
ambalare termic;
Modulele 3 i 4 au o comportare excelent la toate tipurile de solicitri;
O alt problem, specific instalaiilor electrice domestice la joas tensiune n
primul rnd, este coordonarea nivelului de protecie n diferitele puncte ale
instalaiei. Distingem, dup natura materialului electric care trebuie protejat i locul
de amplasare n instalaia electric domestic, 4 categorii de module de protecie
contra supratensiunilor, prezentate n tabelul 6.5, mpreun cu standardele internaionale sau europene care descriu modul de protecie:
n fig.6.19. prezentm o schem de principiu a locului de amplasare a
modulelor de protecie conform clasei fiecruia. S-au reprezentat i materialele din
categoria I de sensibilitate, cu un nivel de protecie de 1,5 kV, conform DIN VDE
01110-1, anume consumatorii casnici care se conecteaz n prize. Protecia fiecruia
din aceti consumatori este conceput de productorul aparatului i este integrat n
structura acestuia. n interiorul cldirilor legturile la pmnt se efectueaz prin
nulul de protecie.
IV 6 kV
Linie 220/380 Tablou
electric
CLDIRE
II 2,5 kV
III 4 kV
contor
Consumator
casnic
Priz
I 1,5 kV
Neutru protecie
Specificaii tehnice
Nivel de protecie
Nu necesit protecie
mpotriva contactului
direct;
Pot fi suprancrcate
A
sau distruse de
Conform IEC 99.1,
Utilizate de-a lungul
lovituri directe de
liniilor de JT pn la
tabelul 1
trznet; Sunt
intrarea n cldiri
concepute s opereze
n exterior n cele mai
grele condiii meteo i
de poluare.
B
Utilizate la intrarea n
cldiri n primul rnd
pentru protecia contra
supratensiunilor atmosferice. Protejeaz
materiale sensibile din
categoria IV.
C
Utilizate dup tabloul
electric general i
dup contor pentru
Necesit protecie
protecia contra
supratensiunilor de mpotriva contactului
direct;
durat. Protejeaz
materiale sensibile din Nu trebuie s prezinte
risc de defectare sau
categoria III.
incendiu n serviciu;
D
Utilizate n zona
prizelor, nainte de
intrarea n
consumatorii
domestici pentru
protecia mpotriva
supratensiunilor de
durat. Pot fi detaate
de ctre utilizator.
Protejeaz materiale
sensibile din categoria
II.
Np = 6 kV
Conform cat. IV din
DIN VDE 0110-1
i E DIN VDE
0675-6/A1/03-96
Tabelul 7
Curent de scurgere
nominal
Conform
E DIN VDE 06756/11-89, tabelul 6,
Isn = 5 kA (8/20)
Pn la 5 kA,
Conform
E DIN VDE 06756/A1/03-96 Tabelul 4
i conform DIN 48
810/08.86 Anexa A
Np = 4 kV
Conform cat. III din
DIN VDE 0110-1
i E DIN VDE
0675-6/A1/03-96
Tabelul 7 i
E DIN VDE 0675 6/11-89 Tabelul 4
Np = 2,5 kV
Conform cat. II din
DIN VDE 0110-1
i
E DIN VDE 06756/A1/03-96
Tabelul 7 i
E DIN VDE 0675 6/11-89 Tabelul 4
clasa A
a)
b)
c)
Fig.6.22. Module de protecie clasa B i C
a)
b)
c)
d)
Fig.6.24. Module de protecie clasa D.
Vom prezenta n continuare un modul de protecie contra supratensiunilor,
clasa D, produs de ctre S.C. PROTENERGO S.A. din Timioara.
Acest modul a fost conceput i proiectat integral de ctre autori, n cursul
anului 2001, fiind primul modul de protecie clasa D conceput i realizat n
Romnia. Este rezultatul direct al implementrii tehnologiei varistoarelor cu ZnO
ntr-un domeniu puin abordat de ctre fabricanii cu tradiie de la noi. Produsul este
omologat conform standardului de firm SF16/2001. A fost testat n cadrul
Laboratorului de nalt Tensiune al Facultii de Electrotehnic din Timioara i la
Laboratorul Gnie Electrique din Toulouse, fiind comercializat ncepnd cu luna
mai 2001. Pe piaa din Romnia exist la ora actual relativ puine produse similare,
din import, la preuri semnificativ mai mari. Produsul se numete Bloc Multipriz
protejat la Supratensiuni, BMS 01 i este prezentat n fig.6.25, n dou variante de
carcase. Asigur protecia contactului fi - priz, fiind localizat nainte de
consumator. Se prezint sub forma unui modul electronic de protecie nglobat ntrun bloc multipriz prelungitor, n execuie compact.
Setul de orificii A corespunde lmpii cu neon iar setul de orificii B rezistenei de 200 K. Fuzibilele F1, F2, F3 sunt realizate pe placa de cablaj prin
gravarea unor piste cu grosimea de 0,6 mm fa de 2 mm ct au celelalte trasee.
Elementele fuzibile sunt concepute s acioneze la un curent de 8,5 - 9 kA, n
valoare de vrf, curent care ar produce intrarea varistoarelor n regim de ambalare
termic, dup trecerea undei de supratensiune, ceea ce ar cauza un scurtcircuit faz pmnt i supranclzirea exagerat, urmat de deteriorarea modulului, cu risc sporit
de apariie de incendii.
Fuzibilele sunt nseriate cu varistoarele i plasate ntre:
neutru i faz;
neutru i neutru de protecie;
faz i neutru de protecie.
n condiii defectuoase de exploatare a instalaiilor electrice, este posibil ca
potenialul neutrului s nu fie egal cu cel al neutrului de protecie, ceea ce a impus
aceast soluie de conectare aparent fr justificare. n orificiile P, T i N se sudeaz
cabluri de legtur ntre modul i, respectiv faza, neutrul de protecie i neutrul
blocului multipriz. Lampa cu neon este destinat semnalizrii prezenei tensiunii la
bornele blocului multipriz. Tensiunea nominal de funcionare a lmpii este de 60
Vca, la un curent de maxim 1 mA. Se monteaz ntre faz i neutru. Se nseriaz cu
o rezisten de 200 k, pentru a asigura nivelul de tensiune de 60 Vca, la un curent
limitat la 0,8 mA.
Varistoarele utilizate sunt de tipul V250K20, produse de ctre ISKRA
Varistor Ljubljana , avnd dimensiunile de gabarit prezentate n fig.6.27.
Dimensiunea t este de 5,8 mm. Datele tehnice de catalog ale varistorului sunt
n concordan cu notaiile standardizate, valorile fiind msurate la o temperatur
ambiant de 25 0C, anume:
- tensiune maxim de operare n curent alternativ URMS:
250 V
- tensiune maxim de operare n curent continuu UDC:
320 V
- tensiunea de prag a varistorului (la un curent de 1 mA) UN:
389 V
- energia absorbit pentru form de und 10/1000 s:
130 J
- energia absorbit pentru form de und 8/20 s:
520 J
- energia absorbit la impuls treapt de 2 ms:
141 J
- puterea maxim disipat Pmax:
1W
- nivelul de protecie pentru form de und 8/20 s:
2500 V
- capacitatea electric (la 230 V, 1 kHz):
920 pF
- curent maxim absorbit pentru form de und 8/20 s Imax:
8000 A
- diametrul discului varistor:
20 mm
- curent de scurgere n regim permanent:
< 100 A
- timp de rspuns:
< 20 ns
650 V
- tensiunea rezidual UC, la un curent In = 100 A:
b)
6.30. Variante constructive pentru
descrctoare MT.
Se remarc diferena de gabarit ntre cele dou variante, ambele descrctoare
avnd aceleai performane.
n fig.6.31 prezentm o seciune printr-un descrctor XCL 24 S produs de
ctre ABB, destinat pentru funcionare la o tensiune nominal de 10 kV [16].
Acest descrctor are o anvelop de protecie din porelan nchis ermetic, n
care este introdus coloana de 6 varistoare cilindrice de ZnO, care constituie partea
activ. n interiorul descrctorului se afl aer la presiunea atmosferic. Aerul din
interior este meninut uscat, pentru a menine o rigiditate dielectric mrit, cu
ajutorul unor granule de silicagel introduse n corpul descrctorului.
Dispozitivele de etaneizare ale descrctorului se gsesc la ambele capete
ale descrctorului i sunt alctuite dintr-o membran pretensionat de oel
inoxidabil i o garnitur de cauciuc. Acest dispozitiv permite asigurarea unei bune
etaneiti, chiar dac ansamblul mbtrnete. Aceast membran joac i rolul
unui dispozitiv de egalare a presiunii. Pentru situaia unei avarii grave, cnd n
interiorul carcasei s-a depit presiunea de o atmosfer, aerul cu presiune este
evacuat prin distrugerea etaneitii membranei n zona interioar dintre porelan i
brid, fiind evacuat prin ajutajului de evacuare i supape. Este dizlocat i plcua de
a)
Racord superior
Brid
(aliaj de aluminiu)
Ajutaj de
evacuare
Etrier elastic
Supap
Blocuri ZnO
Rondel
Plcu
indicatoare de
defeciune
Distanor
Ecran termic
Anvelop de porelan
Ajutaj de evacuare
Resort de comprimare
Garnitur de cauciuc
Brid
Dispozitiv de
etaneitate
Dispozitiv de
prindere
Dispozitiv de
evacuare
presiunii n coloana de aer format de cele dou ajutaje poate contribui n unele
situaii la stingerea arcului electric format.
Ecranul termic cu care este cptuit interiorul descrctorului are rolul de a
menine cldura degajat n cazul unei astfel de avarii violente n interiorul
descrctorului i a evita nclzirea anvelopei de porelan. n momentul distrugerii
termice a acesteia, ar aprea riscul unor amorsri accidentale, conturnri sau chiar a
punerii liniei la pmnt. Distanoarele sunt puse pentru a corela gabaritul
descrctorului cu nivelul de izolaie necesar i pentru a asigura o mai bun
evacuare, prin convecie n aer, a cldurii de pe feele blocurilor varistoare.
Resortul de comprimare are rolul de a realiza o presiune de contact ct mai
mare ntre blocurile varistoare, distanoare i electrozi.
Descrctorul are o lungime de cca. 460 mm, un diametru de cca. 135 mm, la
o mas de 6 kg. n fig.6.32 prezentm o vedere lateral i o seciune real prin acest
tip de descrctor. n fig.6.33 este prezentat o seciune printr-un descrctor tip
3EG5, destinat ntrebuinrii la medie tensiune, fabricat de ctre firma SIEMENS.
Acest descrctor este realizat pentru o gam larg de tensiuni nominale, pe
principiul modularizrii, prin adugarea, conform dimensionrii, n coloana central a
unor varistoare i lungirea anvelopei de porelan corespunztor.
Fig.6.36. Descrctor
tip 3EP.
a)
b)
c)
Buon de umplere cu
gaz i etaneizare a
conexiunii la linie
Ajutaj + supap de
evacuare cu filtru
Resort de comprimare
Carcas
Electrod superior
Coloana de varistoare
Zon de montare
traductori pentru
monitorizarea strii
aparatului
Conexiunea
echipamentului de
monitorizare a presiunii
Resort de
comprimare
Carcas
Electrod acoperitor
Coloane de
varistoare
Tub suport al
coloanei
Manometru
Resort de comprimare
Carcas
Electrozi acoperitori
Coloan de varistoare
Tuburi de susinere
Conexiune echipamente de
monitorizare
BIBLIOGRAFIE
[1] ora, C., Bazele electrotehnicii, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti,
1982
[2] Mocanu C.I., Teoria cmpului electromagnetic, Editura Didactic i
Pedagogic, Bucureti, 1981
[3] Popescu I.M., Fizic I, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1982
[4] Bunget I., Burlacu L., Ciobotaru D., Costescu A., Florescu V., Georgescu L.,
Rusu M., Compendiu de fizic pentru admitere n nvmntul superior,
Editura tiinific, Bucureti, 1971
[5] Drnciulescu C., Electricitate i magnetism, Editura Didactic i Pedagogic,
Bucureti, 1995
[6] Drago L., Magntohidrodinamica fluidelor, Ed. Academiei, Bucureti, 1969
[7] Vtu D., Proiectarea dispozitivelor electromagnetice ale pompelor
magnetohidrodinamice de repulsie, Editura Eurobit, Timioara, 1999
[8] Stanciu D., Senzori. Prezent i perspectiv, Editura Tehnic, Bucureti, 1987
[9] Mosh W., Hauschild W., Izolaii de nalt tensiune n hexafluorur de sulf,
Editura Tehnic, Bucureti, 1984
[10] Moldovan, L., Vtu, D., Aparate electrice, Editura Eurobit, Timioara, 1999
[11] Moldovan, L., Vtu, D., Aplicaii i probleme de aparate i echipamente
electrice, Litografia U.P. Timioara, 1996
[12] Moldovan, L., Vtu, D., Elemente moderne n domeniul echipamentelor
electrice de comutaie, Editura AGIR, Bucureti, 2001
[13] Frigur-Iliasa M. Flaviu, Stabilitatea termic a varistoarelor pe baz de ZnO,
Editura Orizonturi Universitare, Timioara, 2002
[14] Chioreanu V., Materiale electrotehnice, Litografia I.P.T.V. Timoarara, 1982
[15] Ifrim A., Noingher P., Materiale electrotehnice, Editura Didactic i
Pedagogic, Bucureti, 1979