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FIEI - UNFV
EXPERIMENTO N 4
TRANSISTOR: POLARIZACION Y ESTABILIZACION
I.-OBJETIVO:
-Comprobar experimentalmente el funcionamiento de la polarizacin del transistor
bipolar para un punto de operacin (punto Q) determinado.
-Analizar el comportamiento para las variaciones del hfe con respecto a los cambios de
temperatura.
-Comprobar las especificaciones tcnicas del transistor dadas por el fabricante as como sus
respuestas y graficas respectivas. Y sus pruebas de funcionamiento.
NOTA:
El profesor debe realizar una breve introduccin del experimento y sus objetivos. As mismo debe permanecer durante toda la
sesin del experimento, para responder y formular las preguntas necesarias.
III.-DESCRIPCION BASICA:
Se entiende por polarizacin a la aplicacin de potenciales a un punto del circuito con
respecto a otro de referencia, con el objeto de satisfacer condiciones adecuadas de trabajo. Se le
conoce con el nombre de punto de trabajo del transistor o punto de reposo (punto Q).
El transistor como todos los dispositivos activos no lineales funciona en forma lineal cuando
esta operando en su regin activa normal. Para establecer un punto de operacin en esta regin
es necesario proporcionar un voltaje (VCEQ) y una corriente (ICQ) apropiados, usando fuentes
externas de CC.
La polarizacin es el procedimiento de diseo de un circuito para establecer y mantener un
punto de operacin predeterminado. l punto de operacin debe permanecer estable dentro de
ciertos lmites prescritos a pesar de las variaciones causadas por:
a.
Diversidad de produccin (tolerancias) en resistencias (0.01, 0.1, 1, 5, 10 y 20%);
transistores (hFEmx, hFEmn) y fuentes de poder (12V 5%).
b.
Efectos de temperatura en resistencias y en los transistores dados por variaciones de V BE,
hFE y ICBO. Las variaciones de temperatura hacen que el punto de operacin cambie a lo
largo de la lnea de carga de CC. Por lo general en amplificaciones de seal pequea, se
escoge el punto de operacin simtrica mxima en la corriente colector.
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LABORATORIO DE ELECTRONICA I
EXP.4
...
DIRECTA E INVERSA:
...
2.
Fig. 4-1
-Observe y mida los sgtes. Valores:
VE= ..
VBE= ..
IE=
VC=
VCE= .
IC= .
-Igualmente debe medir los valores exactos de las resistencias usadas en cada experiencia.
3.
Fig. 4-2
-Coloque el foco (Fig. 4-2) o CAUTIN cerca del transistor y transcurridos 30 seg. Vuelva a
observar y anote:
VCE= ..
IC= ..
Toque el transistor para apreciar su temperatura.
Arme el circuito de la Fig. 4-3 y repita las medidas del paso 2. Fig. 4-3
Fig. 4-3
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VII-CICLO
LABORTATORIO DE ELECTRONICA I
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VE= ..
VBE= ..
VC=
VCE= .
IE=
IC= .
con el foco :
VCE= ..
IC= ..
4.
Fig. 4-4
VE= ..
VBE= ..
IE=
VC=
VCE= .
IC= .
con el foco :
VCE= ..
IC= ..
5.
VE= ..
VBE= ..
IE=
Fig. 4-5
VC=
VCE= .
IC= .
con el foco :
VCE= ..
IC= ..
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LABORATORIO DE ELECTRONICA I
6.
EXP.4
Fig. 4-6
VE= ..
VBE= ..
IE=
VC=
VCE= .
IC= .
con el foco :
VCE= ..
IC= ..
7.
Fig. 4-7
VE= ..
VBE= ..
IE=
VC=
VCE= .
IC= .
con el foco :
VCE= ..
IC= .
8. Para la figura 4.6 adicione un parlante (RL) de w. en serie con 0.1 uF entre el colector y
tierra .En la entrada un condensador 0.1 uF y generador serie, 1Kh y 300 mVpp a la base del
transistor .Verifique la amplificacin. Dibuje la grfica.
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VII-CICLO
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Fig 4.8
CUESTIONARIO:
1
Haga el anlisis terico de la fig. 4-1 y compare con los valores experimentales y grafique
La recta de carga y los puntos Q.
2.
Repita el paso 1 para la fig. 4-3.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
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