Area de Electrnica, Electricidad y Telecomunicaciones

Av. C. Colon, Las Condes Santiago

Configuraciones del transistor

a) base comn.
La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es comn a los
lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal ms
cercana o en un potencial de tierra como se muestra en la figura 11 con transistores pnp y npn..
Esta figura indica adems los sentidos de la corriente convencional (Flujo de Huecos).

Figura #11 Configuracin de base comn.

De la figura #11, se puede observar que en cada caso

IE = IC + IB.

Tambin se nota que la

polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente en la

direccin indicada para cada rama. Es decir, comprese la direccin de

VEE para cada configuracin y la direccin de IC con la polaridad de VCC.

IE con la polaridad o

Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se

requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de entrada o punto de
manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base

comn, como se muestra en la figura 12, relacionar una corriente de entrada ( IE) con un
voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).

Como se observa en la figura #12, lo que se tiene es la curva equivalente a la zona directa de
un diodo, especialmente cuando la salida est polarizada muy inversamente, ( VCB > 10V).

El conjunto de salida relacionar una corriente de salida ( IC ) con un voltaje de salida

VCB

para diversos niveles de corriente de entrada ( IE). Esto es, corresponde a la zona inversa del
diodo y por tanto, corresponde a una corriente bsicamente constante sin importar el valor del
voltaje inverso. Esto quiere decir, sern lneas rectas a lo largo del Eje que partir de un valor
aproximado a 0,6V. Para un transistor de Silicio.

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Figura #12: Curva caracterstica de entrada

b) Configuracin de emisor comn.
La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestra en la
figura #13 para los transistores pnp y npn. Se denomina configuracin de emisor comn
porque el emisor es comn tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este
caso, es tambin comn a las terminales de la base y del colector).

Figura #13

De nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en forma completa el

comportamiento de la configuracin de emisor comn: una para la entrada o circuito de la base
y una para la salida o circuito del colector. Ambas se muestran en la figura 14.

Figura 14
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Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de comente

convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor ha cambiado, siguen siendo
aplicables las relaciones de corrientes desarrolladas antes para la configuracin de base
comn.
En la configuracin de emisor comn las caractersticas de la salida sern una grfica de la

corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de la
corriente de entrada (IB). Las caractersticas de la entrada son una grfica de la comente de
entrada (IB) versus el voltaje de entrada (VBE) para un rango de valores del voltaje de salida

(VCE). Obsrvese que en las caractersticas de la figura14 la magnitud de

IB es del orden de
microamperes comparada con los miliamperes de IC. Ntese tambin que las curvas de IB no
son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuracin de base comn, lo
que indica que el voltaje de colector a emisor afectar la magnitud de la corriente de colector.
La regin activa en la configuracin de emisor comn es aquella parte del cuadrante superior
derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la regin en la que las curvas correspondientes a

IB son casi lneas rectas y se encuentran igualmente espaciadas. 14 a esta regin se localiza a
la derecha de la lnea sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva para IB igual a cero.
La regin a la izquierda de VCEsat se denomina regin de saturacin. En la regin activa de un
amplificador emisor comn la unin colector-base est polarizada inversamente, en tanto que la
unin base-emisor est polarizada directamente. Se recordar que stas fueron las mismas
condiciones que existieron en la regin activa de la configuracin de base comn. La regin
activa de la configuracin de emisor comn puede emplearse en la amplificacin de voltaje,
corriente o potencia.
La regin de corte en la configuracin de emisor comn no est tan bien definida como en la
configuracin de base comn. Ntese, en las caractersticas de colector de la figura 14 que

IC

IB = 0. En la configuracin de base comn, cuando la corriente de

entrada IE = 0, la corriente de colector fue slo igual a la corriente de saturacin inversa ICO,
por lo que la curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos los propsitos prcticos) uno.
no es igual a cero cuando

La razn de esta diferencia en las caractersticas del colector puede obtenerse mediante la
manipulacin adecuada de las ecuaciones (1.2). Es decir, Ecuacin (1.2):
Sustituyendo se tiene:

IC = IE + ICBO

IC = (IC + IB) + ICBO Reordenando obtenemos:

Si consideramos el caso discutido: anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos un valor tpico

de tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:

Si ICBO fuera de 1 A, la corriente de colector resultante con IB = 0 A seria: 250 (1pA) =

0.25mA, como se refleja en las caractersticas de la figura 14. Para referencia futura, a la
corriente de colector definida por la condicin IB = 0 A se le asignar la notacin indicada por
la ecuacin
(1.9):

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En la figura 13 las condiciones que envuelven a esta corriente definida nuevamente se muestran
con su direccin de referencia asignada.
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin) el corte para la configuracin de

emisor comn se determinar mediante

IC = ICEO.

En otras palabras, la regin por debajo

de IB = 0 A deber evitarse si se requiere una seal de salida sin distorsin.

Cuando se emplea como interruptor en la circuitera lgica de una computadora, un transistor
tendr dos puntos de operacin de inters: uno en el corte y el otro en la regin de saturacin.
La condicin de corte, en el caso ideal, sera

IC = O A para el voltaje VCE elegido. Puesto que

ICEO es por lo general de pequea magnitud para los materiales de silicio, el corte existir
para propsitos de conmutacin cuando IB = O A o IC = ICEO nicamente en el caso de
transistores de silicio. En los transistores de germanio, sin embargo, el corte para propsitos

de conmutacin se definir como aquellas condiciones que existen cuando IC =ICBO. Esta
condicin puede obtenerse normalmente en los transistores de germanio polarizando
inversamente la unin de base emisor, polarizada por lo regular en forma directa a unos
cuantos dcimos de volt.
Recurdese para la configuracin de base comn que el conjunto de caractersticas de entrada
se aproxim por una lnea recta equivalente que result en

VBE = 0.7 V para cualquier nivel de

IE mayor de O A. Para la configuracin de emisor comn puede tomarse la misma aproximacin,

resultando en el equivalente aproximado. El resultado apoya nuestra anterior conclusin de que

para un transistor en la regin "activa" o de conduccin el voltaje de base a emisor es 0.7 V. En
este caso el voltaje se ajusta para cualquier nivel de la corriente de base.

c) Configuracin de colector comn.

La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn, mostrada en la figura

15 con las direcciones apropiadas de corriente y la notacin de voltaje. La configuracin de
colector comn se emplea fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya
que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto
a las configuraciones de base comn y de emisor comn.

Figura 15 Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn.

La configuracin del circuito de colector comn se muestra en la figura 16 con la resistencia de
carga del emisor a tierra. Ntese que el colector est conectado a tierra aun cuando el
transistor est conectado de manera similar a la configuracin de emisor comn. Desde el
punto de vista de diseo, no es necesario elegir para un conjunto de caractersticas de
colector comn, los parmetros del circuito de la figura 16. Pueden disearse empleando las
caractersticas de emisor comn. Para todos los propsitos prcticos, las caractersticas de
salida de la configuracin de colector comn son las mismas que las de la configuracin de
emisor comn. En la configuracin de colector comn las caractersticas de salida son una
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grfica de IE versus VEC para un intervalo de valores de IB. Por ellos, la corriente de entrada
es la misma tanto para las caractersticas de emisor comn como para las de colector comn. El
eje de voltaje para la configuracin de colector comn se obtiene cambiando simplemente el
signo de voltaje de colector a emisor de las caractersticas de emisor comn. Por ltimo, hay
un cambio casi imperceptible en la escala vertical de IC de las caractersticas de emisor comn
si IC se reemplaza por IE en las caractersticas de colector comn (puesto que = 1). En el
circuito de entrada de la configuracin de colector comn, las caractersticas de la base de
emisor comn son suficientes para obtener la informacin que se requiera.

Figura 16 Configuracin de colector comn

empleada para acoplamiento de impedancia

Lmites de operacin del transistor.

Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la cual asegurara
que los valores nominales mximos no sean excedidos y la seal de salida exhibe una distorsin
mnima. Una regin de este tipo, se ha definido para las caractersticas de transistor de la
figura 17. Todos los lmites de operacin se definen sobre una tpica hoja de especificaciones
de transistor.
Algunos de los lmites se explican por s mismos, como la corriente mxima de colector
(denominada, por lo general, en la hoja de especificaciones, como corriente continua de
colector) y el voltaje mximo de colector a emisor (abreviada a menudo como

IC y VCEO) Para

VCEO como de 20 V. La
linea vertical de las caractersticas definida como VCEsat especifica la mnima VCE que puede
el transistor de la figura 17, IC mx se especific como de 50 mA y

aplicarse sin caer en la regin no lineal denominada regin de saturacin.

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Figura 17: Limites del transistor

El nivel de VCEsat est regularmente en la vecindad de los 0.3 V especificado para este
transistor. El mximo nivel de disipacin se define por la siguiente ecuacin:

2.0)

PC mx = VCE * IC

Para el dispositivo de la figura 17, la disipacin de potencia de colector se especific como de

300 mW. Surge entonces la cuestin de cmo graficar la curva de disipacin de potencia de
colector especificada por el hecho de que PC mx = VCE * IC = 300 mW. En cualquier punto

VCE e IC debe ser igual a 300 mW. Si elegimos para

IC el valor mximo de 50 mA y lo sustituimos en la relacin anterior, obtenemos que VCE = 6 V.
sobre las caractersticas el producto de

Si las curvas de caractersticas no estn disponibles o no aparecen en la hoja de

especificaciones (como ocurre con frecuencia), uno simplemente debe estar seguro que IC ,

VCE y su producto caigan dentro del intervalo que aparece en la siguiente ecuacin:
ICEO IC ICmx; VCE sat VCE VCEmx y VCE * IC Pcmx.

Punto de operacin Q o punto Quiescente.

El anlisis o diseo de un amplificador de transistor requiere del conocimiento de la respuesta
del sistema, tanto de cd (Continuo) como de ca (Alterno). Con demasiada frecuencia se supone
que el transistor es un dispositivo mgico que puede alcanzar el nivel de la entrada aplicada de
ca sin la asistencia de una fuente de energa externa. En realidad, el nivel mejorado de
potencia de salida de ca es resultado de una transferencia de energa de las fuentes aplicadas
de cd. Por lo tanto, el anlisis o diseo de cualquier amplificador electrnico tiene dos
componentes: la parte de cd y la correspondiente de ca. Afortunadamente, el teorema de
superposicin es aplicable y la investigacin de las condiciones de cd puede separarse por
completo de la respuesta de ca. Sin embargo, hay que tener presente que durante el diseo o
etapa de sntesis, la seleccin de los parmetros para los niveles de cd requeridos afectarn la
respuesta de ca, y viceversa.
El trmino polarizacin es un vocablo que incluye todo lo referente a la aplicacin de voltajes
de cd para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores de transistor, el
voltaje y la corriente de cd resultantes establecen un punto de operacin sobre las curvas
caractersticas, el cual define la regin que se emplear para la amplificacin de la seal
aplicada. Ya que el punto de operacin es un punto fijo sobre las curvas caractersticas, se le
conoce tambin como punto quiesciente (abreviado punto Q). Por definicin, quiesciente
significa quieto, inmvil, inactivo.
El nivel de cd de operacin de un transistor se controla por varios factores, incluyendo el
rango de posibles puntos de operacin sobre las caractersticas del dispositivo. Una vez que se
han definido los niveles deseados de corriente y voltaje de cd, debe construirse una red o
circuito externo que establecer el punto de operacin deseado.
Cada diseo tambin
determinar la estabilidad del sistema, es decir, qu tan sensible es el sistema a las
variaciones de temperatura. Es deseable un circuito altamente estable y se comparar la
estabilidad de algunos circuitos de polarizacin bsicos. Para el BJT que se polarizar en su
regin de operacin lineal o activa debe cumplirse:

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a. La unin de base a emisor debe estar polarizada directamente (voltaje de la regin p ms

positivo) con un voltaje resultante de polarizacin directa entre la base y el emisor de
aproximadamente 0.6 a 0.7 V si el transistor es de Silicio.
b. La unin de base a colector debe estar polarizada inversamente (regin n ms positiva),
estando el voltaje de polarizacin inversa en cualquier valor dentro de los lmites mximos
del dispositivo.

[Ntese que en la polarizacin directa el voltaje en la unin p-n es p-positivo, en tanto que en la
polarizacin inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. El nfasis que se hace sobre la letra
inicial debe brindar un medio que ayude a memorizar la polaridad de voltaje necesaria.]
La operacin en las regiones de corte, de saturacin y lineal de la caractersticas del BJT se
obtienen de acuerdo con lo siguiente:
1.
Operacin en la regin lineal: Unin base-emisor con polarizacin directa, Unin basecolector con polarizacin inversa

2.

Operacin en la regin de corte: Unin base-emisor con polarizacin inversa.

3.

Operacin en la regin de saturacin: Unin base-emisor con polarizacin directa, Unin

base-colector con polarizacin directa.

Clculo del Punto de operacin Q

En general, lo importante es calcular los valores de voltajes y corrientes del transistor para
una polarizacin dada. Por tal motivo, se agregar la letra Q a cada una de los trminos que se

IBQ; la corriente de colector ICQ; la corriente

de emisor IEQ; el voltaje base-emisor VBEQ y el voltaje colector-emisor VCEQ. En la mayora
de los casos, la corriente de base IBQ es la primera cantidad que se determina junto con el
voltaje base emisor VBEQ, una vez que IBQ se conoce, las relaciones de las ecuaciones de malla
pueden aplicarse para encontrar las restantes variables como la corriente de colector ICQ,
desean obtener y que son: la corriente de base

etc.
Las similitudes en los anlisis sern inmediatamente obvias y las ecuaciones son tan
similares para diversas configuraciones que una ecuacin de malla puede derivarse de otra
quitando o agregando trminos.
Como se mencion con anterioridad, solo se requieren dos ecuaciones de malla para calcular el
punto Q del transistor y estas corresponden a las ecuaciones de entrada y salida del mismo, sin
embargo, tambin se necesitan las curvas del transistor o en su peor caso el valor del HFE del
transistor como mnimo. El siguiente ejemplo nos dar una idea muy clara de las ecuaciones de
malla.
Para el circuito de polarizacin dado y las curvas caractersticas del transistor, calcule el
punto Q.

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Figura #18: Polarizacin del transistor

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