INSTITUTO TECNOLOGICO DE MINATITLAN

AREA DE INGENIERIA
INGENIERIA ELECTRONICA (FNDAMENTOS DE LA INVESTIGACION)

TRABAJO DE INVESTIGACION
SENSOR Y CONTROL DE NIVEL
PRESENTADO POR:

JOSE ARMANDO VILLASECA COCOM

ALAN RAFAEL GARCIA GARCIA
DAVID DE JESUS BERNABE MEDINA
LEONARDO FRANCISCO OLA VALDIVIESO
ACADEMICO:
ING. GRACIELA DEL CARMEN SANTOS RUIZ

NOVIEMBRE 2015

SENSOR DE NIVEL
APLICACIN A SISTEMAS DE TANQUES EN PECERAS
TRABAJO DE INVESTIGACION
PROTOCOLO

PRESENTADA POR
JOSE ARMANDO VILLASECA COCOM
ALAN RAFAEL GARCIA GARCIA
DAVUD DE JESUS BERNABE MEDINA
LEONARDO FRANCISCO OALN VALDIVIESO

TECNOLOGICO DE MINATITLAN
AREA DE INGENIERIA
TRABAJO PROPUESTO PARA LA EXPERIENCIA EDUCATIVA FUNDAMENTOS DE LA
INVESTIGACION

3 DE NOVIEMBRE 2015

AGRADECIMIENTOS

A lo largo de la realizacin de esta investigacin hemos

contado con la colaboracin y apoyo de distintas personas.
Queremos agradecer la colaboracin de aquellos cuya ayuda ha resultado
esencial; a nuestro acadmico el Ing. Graciela del C. Santos Ruiz Por los
conocimientos aportados en cada una de las clases; al Ing. Vicente Vega Soto,
por su asesora en la elaboracin del sistema de sensor de nivel, cuya
colaboracin ha sido de gran importancia para seguir con la elaboracin de
nuestro prototipo; a nuestra familia y amigos por la motivacin y apoyo; as
como tambin reconocer el empeo y apoyo de cada uno de nosotros para que
este proyecto se pudiera realizar y llevar a cabo.
En este trabajo estn presentes conocimientos de distintos inventores, en los
que destaca Joseph Henry, el cual invent el relevador cuya funcin en este
prototipo es funcionar como un interruptor electromecnico. Estos
conocimientos sern de gran utilidad e importancia no solo en este trabajo
sino tambin a lo largo de nuestra vida profesional. Todo esto nos acompaar
y guiar de manera permanente en nuestra trayectoria acadmica y profesional
.
A ellos dedicamos este trabajo.

NDICE

INTRODUCCIN
Los sensores son tan diversos como los principios fsicos en los que se basan.
En la actualidad para medir cualquier variable fsica tenemos diversos tipos de sensores,
con sus ventajas y desventajas.
Estos estn formados por distintas piezas en las cuales se encuentran los microinterruptores son de muy diversas formas pero todos se basan en la operacin por medio de
un actuador mecnico. Este actuador mecnico mueve a su vez una lengeta metlica en
donde estn colocados los contactos elctricos, y los abre o cierra de acuerdo con la
disposicin fsica de estos contactos. Desde el punto de vista elctrico son extremadamente
simples, ya que consisten en uno o varios juegos de contactos con cierta capacidad de
conduccin a cierto voltaje. Estos contactos pueden ser de apertura instantnea ("snap") o
lenta, y de contactos de operacin traslapada o de abre y cierra.
Estos sensores funcionan por medio de controles:

Del nivel mximo del agua en un tanque de almacenamiento tienen la doble

funcin de garantizar la seguridad de las estructuras y de evitar el desperdicio de
agua. El control del nivel mximo se hace mediante un sensor de nivel conectado en
alguna forma, ya sea mecnica o electrnica con la operacin de una vlvula a la
entrada del tanque. Como todo mecanismo siempre puede fallar en el momento de
su operacin, es importante que el tanque disponga de un sistema de seguridad de
funcionamiento totalmente automtico como por ejemplo un vertedero libre,
eventualmente conectado con una alarma.

Del nivel mnimo del agua tiene la funcin de garantizar el buen funcionamiento
del sistema evitando la entrada de aire en la tubera que se encuentra aguas abajo
del tanque, como por ejemplo en la red de distribucin de agua, o en la succin de
la o las bombas. En este caso tambin el sistema est compuesto por un sensor de
nivel conectado a una alarma, para que el operador intervenga, o en sistemas ms
sofisticados, el sensor acta directamente, para aumentar la entrada de agua al
tanque

En la vida diaria, laboral, en la industria y en el mbito ecolgico se observa la necesidad

de controlar y automatizar el nivel de agua, la cual es esencial para nuestra supervivencia y
que da a da desperdiciamos.
En la actualidad se buscan medidas para que en su uso esta pueda tener un control y pueda
evitarse su desperdicio, un ejemplo basado en la vida diaria; cuando nos disponemos a
llenar la cisterna que nos abastece de agua, por descuido no verificamos el momento en que
esta llega a su mxima capacidad y provocamos que se desperdicien litros de la misma,
esto se puede controlar por medio de sensores que nos indican cuando llega a su punto
mximo y actan como tope para que no se desperdicie. Esta es una de las razones por las
que realizamos este prototipo, en esta ocasin lo ejemplificaremos en funcin de una
pecera.

OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL:
Utilizar un sensor para hacer funcionar por medio de sistemas, una bomba de agua
para controlar los niveles de llenado y vaciado, y lograr con esto

reducir el

desperdicio de la misma.
OBJETIVOS ESPECFICOS:
Modelar la dinmica del sistema de llenado; a travs de sensores de nivel.
Simular la dinmica del sistema de llenado y de vaciado utilizando de manera

prctica una pecera.

Implementar este sistema de control de nivel con los sensores, para poder hacerlo
autnomo y programable.

LISTA DE SMBOLOS, ABREVIATURAS Y FRMULAS

(B) Base

BJT.(Bipolar Junction Transistor).Transistor de unin bipolar

(C) Colector
(CI) Circuito integrado
(E) Emisor
HZ.

Hertz

(IRED). Diodos infrarrojos

LED (Light-EmittingDiode: Diodo Emisor de Luz)
MHz.Mega Hertz
(N.A)Normalmente abiertos
(N.C)Normalmente cerrados
PLD (Dispositivo Lgico Programable)
S.Salida
(ZnO). xido de Zinc
Zn. Zinc
. Ohm

LISTA DE FIGURAS
FIGURA 1. Relevador
FIGURA 2. Descripcin del relevador
FIGURA 3.Smbolo de relevador en diagrama, abierto
FIGURA 4. Smbolo de relevador en diagrama, cerrado
FIGURA 5. Smbolo de salida
FIGURA 6. Smbolo del LED
FIGURA 7. Estructura del LED
FIGURA 8-9. Diodo emisor de luz con la unin polarizada en sentido directo

FIGURA 10. Circuito bsico de polarizacin de un LED

FIGURA 11. Circuito bsico para polarizar de forma directa varios LED
FIGURA 12. Transistor
FIGURA 13. Transistor de unin bipolar
FIGURA 14. Diagrama de Transistor NPN
FIGURA 15-16. Estructura de un Transistor
FIGURA 17. Funcionamiento. Caracterstica idealizada de un Transistor bipolar
FIGURA 18. Modelo Ebers-Moll para transistores NPN
FIGURA 19.Modelo de parmetro h generalizado para un BJT NPN.
FIGURA 20. Circuito integrado
FIGURA 21. Tabla de lectura de valores de una resistencia
FIGURA 22. Ejemplo de resistencia de valor

ANTECEDENTES
En abril de 1949, el ingeniero alemn Werner Jacobi[] (Siemens AG) completa la primera
solicitud de patente para circuitos integrados con dispositivos amplificadores de
semiconductores. Jacobi realiz una tpica aplicacin industrial para su patente, la cual no
fue registrada.
Ms tarde, la integracin de circuitos fue conceptualizada por el cientfico de radares
Geoffrey W.A. Dummer (1909-2002), que estaba trabajando para la Royal Radar
Establishment del Ministerio de Defensa Britnico, a finales de la dcada de 1940 y
principios de la dcada de 1950. El primer circuito integrado fue desarrollado en 1959 por
el ingeniero Jack Kilby[1] (1923-2005) pocos meses despus de haber sido contratado por la
firma Texas Instruments. Se trataba de un dispositivo de germanio que integraba seis
transistores en una misma base semiconductora para formar un oscilador de rotacin de
fase.
En el ao 2000Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica por la enorme
contribucin de su invento al desarrollo de la tecnologa. Al mismo tiempo que Jack Kilby,
pero de forma independiente, Robert Noyce desarroll su propio circuito integrado, que

patent unos seis meses despus. Adems resolvi algunos problemas prcticos que posea
el circuito de Kilby, como el de la interconexin de todos los componentes; al simplificar la
estructura del chip mediante la adicin del metal en una capa final y la eliminacin de
algunas de las conexiones, el circuito integrado se hizo ms adecuado para la produccin
en masa. Adems de ser uno de los pioneros del circuito integrado, Robert Noyce tambin
fue uno de los co-fundadores de Intel, uno de los mayores fabricantes de circuitos
integrados del mundo.
El desarrollo de los circuitos integrados fue posible gracias a descubrimientos
experimentales que demostraron que los semiconductores pueden realizar algunas de las
funciones de las vlvulas de vaco. La integracin de grandes cantidades de diminutos
transistores en pequeos chips fue un enorme avance sobre el ensamblaje manual de los
tubos de vaco (vlvulas) y en la fabricacin de circuitos electrnicos utilizando
componentes discretos.

La capacidad de produccin masiva de circuitos integrados, su confiabilidad y la facilidad

de agregarles complejidad, llev a su estandarizacin, reemplazando diseos que utilizaban
transistores discretos, y que pronto dejaron obsoletas a las vlvulas o tubos de vaco.

VENTAJAS:
Las ms importantes que tienen los circuitos integrados sobre los circuitos electrnicos construidos
con componentes discretos:
o

Su menor costo; su mayor eficiencia energtica y su reducido tamao. El bajo costo

es debido a que los CI son fabricados siendo impresos como una sola pieza por
fotolitografa a partir de una oblea, generalmente de silicio, permitiendo la

produccin en cadena de grandes cantidades, con una muy baja tasa de defectos.
o La elevada eficiencia se debe a que, dada la miniaturizacin de todos sus
componentes, el consumo de energa es considerablemente menor, a iguales
condiciones de funcionamiento que un homlogo fabricado con componentes
discretos

o Su reducido tamao en relacin a los circuitos discretos; para ilustrar esto: un

circuito integrado puede contener desde miles hasta varios millones de transistores
en unos pocos milmetros cuadrados.

AVANCES EN LOS CIRCUITOS INTEGRADOS

Los avances que hicieron posible el circuito integrado han sido, fundamentalmente, los
desarrollos en la fabricacin de dispositivos semiconductores a mediados del siglo XX y
los descubrimientos experimentales que mostraron que estos dispositivos podan
reemplazar las funciones de las vlvulas o tubos de vaco, que se volvieron rpidamente
obsoletos al no poder competir con el pequeo tamao, el consumo de energa moderado,
los tiempos de conmutacin mnimos, la confiabilidad, la capacidad de produccin en masa
y la versatilidad de los CI.[]
Entre los circuitos integrados ms complejos y avanzados se encuentran los
microprocesadores, que controlan numerosos aparatos, desde telfonos mviles y hornos
microondas hasta computadoras . Los chips de memorias digitales son otra familia de
circuitos integrados, de importancia crucial para la moderna sociedad de la informacin.
Mientras que el costo de disear y desarrollar un circuito integrado complejo es bastante
alto, cuando se reparte entre millones de unidades de produccin, el costo individual de los
CIs por lo general se reduce al mnimo. La eficiencia de los CI es alta debido a que el
pequeo tamao de los chips permite cortas conexiones que posibilitan la utilizacin de
lgica de bajo consumo (como es el caso de CMOS), y con altas velocidades de
conmutacin.
A medida que transcurren los aos, los circuitos integrados van evolucionando: se fabrican
en tamaos cada vez ms pequeos, con mejores caractersticas y prestaciones, mejoran su

eficiencia y su eficacia, y se permite as que mayor cantidad de elementos sean

empaquetados (integrados) en un mismo chip (vase la ley de Moore). Al tiempo que el
tamao se reduce, otras cualidades tambin mejoran (el costo y el consumo de energa
disminuyen, y a la vez que aumenta el rendimiento). Aunque estas ganancias son
aparentemente para el usuario final, existe una feroz competencia entre los fabricantes para
utilizar geometras cada vez ms delgadas. Este proceso, y lo esperado para los prximos
aos, est muy bien descrito por la International TechnologyRoadmapforSemiconductors.[]

Popularidad
Slo ha trascurrido medio siglo desde que se inici su desarrollo y los circuitos integrados
se han vuelto casi omnipresentes. Computadoras, telfonos mviles y otras aplicaciones
digitales son ahora partes de las sociedades modernas. La informtica, las comunicaciones,
la manufactura y los sistemas de transporte, incluyendo Internet, todos dependen de la
existencia de los circuitos integrados. De hecho, muchos estudiosos piensan que la
revolucin digital causada por los circuitos integrados es uno de los sucesos ms
significativos de la historia de la humanidad.[6]
Tipos
Existen al menos tres tipos de circuitos integrados:

Circuitos monolticos: Estn fabricados en un solo monocristal, habitualmente de

silicio, pero tambin existen en germanio, arseniuro de galio, silicio-germanio, etc.

Circuitos hbridos de capa fina: Son muy similares a los circuitos monolticos,
pero, adems, contienen componentes difciles de fabricar con tecnologa
monoltica. Muchos conversores A/D y conversores D/A se fabricaron en
tecnologa hbrida hasta que los progresos en la tecnologa permitieron fabricar
resistores precisos.

Circuitos hbridos de capa gruesa: Se apartan bastante de los circuitos

monolticos. De hecho suelen contener circuitos monolticos sin cpsula,
transistores, diodos, etc, sobre un sustrato dielctrico, interconectados con pistas
conductoras. Los resistores se depositan por serigrafa y se ajustan hacindoles
cortes con lser. Todo ello se encapsula, en cpsulas plsticas o metlicas,
dependiendo de la disipacin de energa calrica requerida. En muchos casos, la
cpsula no est "moldeada", sino que simplemente se cubre el circuito con una
resina epoxi para protegerlo. En el mercado se encuentran circuitos hbridos para
aplicaciones en mdulos de radio frecuencia (RF), fuentes de alimentacin,
circuitos de encendido para automvil, etc.

Clasificacin
Atendiendo al nivel de integracin -nmero de componentes- los circuitos integrados se
pueden clasificar en:

SSI (Small ScaleIntegration) pequeo nivel: de 10 a 100 transistores

MSI (Medium ScaleIntegration) medio: 101 a 1.000 transistores

LSI (LargeScaleIntegration) grande: 1.001 a 10.000 transistores

VLSI (VeryLargeScaleIntegration) muy grande: 10.001 a 100.000 transistores

ULSI (Ultra LargeScaleIntegration) ultra grande: 100.001 a 1.000.000 transistores

GLSI (Giga LargeScaleIntegration) giga grande: ms de un milln de transistores

En cuanto a las funciones integradas, los circuitos se clasifican en dos grandes grupos:
Circuitos integrados analgicos.

Pueden constar desde simples transistores encapsulados juntos, sin unin entre
ellos, hasta circuitos completos y funcionales, como amplificadores, osciladores o
incluso receptores de radio completos.
Circuitos integrados digitales.
Pueden ser desde bsicas puertas lgicas (AND, OR, NOT) hasta los ms
complicados microprocesadores o microcontroladores.
Algunos son diseados y fabricados para cumplir una funcin especfica dentro de un
sistema mayor y ms complejo.
En general, la fabricacin de los CI es compleja ya que tienen una alta integracin de
componentes en un espacio muy reducido, de forma que llegan a ser microscpicos. Sin
embargo, permiten grandes simplificaciones con respecto a los antiguos circuitos, adems
de un montaje ms eficaz y rpido.

Limitaciones de los circuitos integrados

Existen ciertos lmites fsicos y econmicos al desarrollo de los circuitos integrados.
Bsicamente, son barreras que se van alejando al mejorar la tecnologa, pero no
desaparecen. Las principales son:
Disipacin de potencia
Los circuitos elctricos disipan potencia. Cuando el nmero de componentes integrados en
un volumen dado crece, las exigencias en cuanto a disipacin de esta potencia, tambin
crecen, calentando el sustrato y degradando el comportamiento del dispositivo. Adems, en
muchos casos es un sistema de realimentacin positiva, de modo que cuanto mayor sea la
temperatura, ms corriente conduce, fenmeno que se suele llamar "embalsamiento
trmico" y, que si no se evita, llega a destruir el dispositivo. Los amplificadores de audio y
los reguladores de tensin son proclives a este fenmeno, por lo que suelen incorporar
protecciones trmicas.

Los circuitos de potencia, evidentemente, son los que ms energa deben disipar. Para ello
su cpsula contiene partes metlicas, en contacto con la parte inferior del chip, que sirven
de conducto trmico para transferir el calor del chip al disipador o al ambiente. La
reduccin de resistividad trmica de este conducto, as como de las nuevas cpsulas de
compuestos de silicona, permiten mayores disipaciones con cpsulas ms pequeas.
Los circuitos digitales resuelven el problema reduciendo la tensin de alimentacin y
utilizando tecnologas de bajo consumo, como CMOS. Aun as en los circuitos con ms
densidad de integracin y elevadas velocidades, la disipacin es uno de los mayores
problemas, llegndose a utilizar experimentalmente ciertos tipos de criostatos.
Precisamente la alta resistividad trmica del arseniuro de galio es su taln de Aquiles para
realizar circuitos digitales con l.
Capacidades y autoinducciones parsitas
Este efecto se refiere principalmente a las conexiones elctricas entre el chip, la cpsula y
el circuito donde va montada, limitando su frecuencia de funcionamiento. Con pastillas
ms pequeas se reduce la capacidad y la autoinduccin de ellas. En los circuitos digitales
excitadores de buses, generadores de reloj, etc., es importante mantener la impedancia de
las lneas y, todava ms, en los circuitos de radio y de microondas.
Lmites en los componentes
Los componentes disponibles para integrar tienen ciertas limitaciones, que difieren de sus
contrapartidas discretas.

Resistores. Son indeseables por necesitar una gran cantidad de superficie. Por ello
slo se usan valores reducidos y en tecnologas MOS se eliminan casi totalmente.

Condensadores. Slo son posibles valores muy reducidos y a costa de mucha

superficie. Como ejemplo, en el amplificador operacional A741, el condensador
de estabilizacin viene a ocupar un cuarto del chip.

Inductores. Se usan comnmente en circuitos de radiofrecuencia, siendo hbridos

muchas veces. En general no se integran.

Densidad de integracin
Durante el proceso de fabricacin de los circuitos integrados se van acumulando los
defectos, de modo que cierto nmero de componentes del circuito final no funcionan
correctamente. Cuando el chip integra un nmero mayor de componentes, estos
componentes defectuosos disminuyen la proporcin de chips funcionales. Es por ello que
en circuitos de memorias, por ejemplo, donde existen millones de transistores, se fabrican
ms de los necesarios, de manera que se puede variar la interconexin final para obtener la
organizacin especificada.

CONCEPTOS GENERALES
1.1- El rel o relevador es un dispositivo electromecnico. Funciona como un interruptor
controlado por un circuito elctrico en el que, por medio de una bobina y un electroimn,
se acciona un juego de uno o varios contactos que permiten abrir o cerrar otros circuitos
elctricos independientes.
Dado que el rel es capaz de controlar un circuito de salida de mayor potencia que el de
entrada, puede considerarse, en un amplio sentido, como un amplificador elctrico. Como
tal se emplearon en telegrafa, haciendo la funcin de repetidores que generaban una nueva
seal con corriente procedente de pilas locales a partir de la seal dbil recibida por la
lnea. Se les llamaba "relevadores"
1.2 TIPOS DE RELS
1.2.1 Rels electromecnicos

1.2.2 Rels de tipo armadura: pese a ser los ms antiguos siguen siendo los ms
utilizados en multitud de aplicaciones. Un electroimn provoca la basculacin de una
armadura al ser excitado, cerrando o abriendo los contactos dependiendo de si es NA
(normalmente abierto) o NC (normalmente cerrado).
1.2.3 Rels de ncleo mvil: a diferencia del anterior modelo estos estn formados por un
mbolo en lugar de una armadura. Debido a su mayor fuerza de atraccin, se utiliza un
solenoide para cerrar sus contactos. Es muy utilizado cuando hay que controlar altas
corrientes
1.2.4

Rel tipo reed o de lengeta: estn constituidos por una ampolla de vidrio, con
contactos en su interior, montados sobre delgadas lminas de metal. Estos contactos
conmutan por la excitacin de una bobina, que se encuentra alrededor de la
mencionada ampolla.
Rels polarizados o biestables: se componen de una pequea armadura, solidaria a

1.2.5

un imn permanente. El extremo inferior gira dentro de los polos de un electroimn,

mientras que el otro lleva una cabeza de contacto. Al excitar el electroimn, se
mueve la armadura y provoca el cierre de los contactos. Si se polariza al revs, el
giro ser en sentido contrario, abriendo los contactos o cerrando otro circuito.
1.3Rel de estado slido
Se llama rel de estado slido a un circuito hbrido, normalmente compuesto por un
opto acoplador que asla la entrada, un circuito de disparo, que detecta el paso por
cero de la corriente de lnea y un triac o dispositivo similar que acta de interruptor de
potencia. Su nombre se debe a la similitud que presenta con un rel electromecnico;
este dispositivo es usado generalmente para aplicaciones donde se presenta un uso
continuo de los contactos del rel que en comparacin con un rel convencional
generara un serio desgaste mecnico, adems de poder conmutar altos amperajes que
en el caso del rel electromecnicodestruiran en poco tiempo los contactos. Estos
rels permiten una velocidad de conmutacin muy superior a la de los rels
electromecnicos.
1.3.1 Rel de corriente alterna

Cuando se excita la bobina de un rel con corriente alterna, el flujo magntico en el

circuito magntico, tambin es alterno, produciendo una fuerza pulsante, con
frecuencia doble, sobre los contactos. Es decir, los contactos de un rel conectado a la
red, en algunos lugares, como varios pases de Europa y Latinoamrica oscilarn a 50
Hz y en otros, como en Estados Unidos lo harn a 60 Hz. Este hecho se aprovecha en
algunos timbres y zumbadores, como un activador a distancia. En un rel de corriente
alterna se modifica la resonancia de los contactos para que no oscilen.
1.3.2 Rel de lminas
Este tipo de rel se utilizaba para discriminar distintas frecuencias. Consiste en un
electroimn excitado con la corriente alterna de entrada que atrae varias varillas
sintonizadas para resonar a sendas frecuencias de inters. La varilla que resuena
acciona su contacto, las dems no. Los rels de lminas se utilizaron en
aeromodelismo y otros sistemas de telecontrol.

PLANTEAMIENTO
QU ES UN SENSOR?
Se llama sensor al instrumento que produce una seal, usualmente elctrica (anteriormente
se utilizaban seales hidrulicas), que refleja el valor de una propiedad, mediante alguna
correlacin definida (su ganancia).
En trminos estrictos, un sensor es un instrumento que no altera la propiedad censada. Por
ejemplo, un sensor de temperatura sera un instrumento tal que no agrega ni cede calor a la
masa censada, es decir, en concreto, sera un instrumento de masa cero o que no contacta la
masa a la que se debe medir la temperatura (un termmetro de radiacin infrarroja).
2.1 SENSOR DE NIVEL DE AGUA

Los sensores de nivel de agua monitorean los niveles de agua que hay en los
tanques, acuarios y piscinas. Ya sea tan simple como un circuito que enciende una luz
cuando el nivel de agua desciende por debajo de un nivel predeterminado, o tan complejo
un controlador basado en un micro sistema, todos los sensores de nivel de agua tienen tres
caractersticas en comn: un dispositivo para detectar el nivel de agua, un circuito para
procesar la seal recibida desde el sensor y una forma de salida para la seal que indica el
nivel de agua.
Es el Circuito de un sistema que nos permitir mantener un control sobre el nivel de agua
de un tinaco, de tal manera que cuando este llegue a un nivel mnimo suba hasta un nivel
mximo ydetenga a la bomba para evitar el posible desperdicio del agua.
PASOS:

Conecta el sensor a un circuito.

El circuito tendr que recibir la seal desde el sensor y responder a esa seal. La
respuesta puede ser que encienda la luz cuando el nivel de agua es bajo, que
muestre en una pantalla el nivel de agua o la emisin de datos que representan el
nivel de agua.
Tu circuito puedes construirlo con componentes electrnicos discretos (por
ejemplo, resistencias y condensadores), circuitos integrados, tales como micro
controladores.

CONTROL DE NIVEL
Los controles de nivel son dispositivos o estructuras hidrulicas cuya finalidad es la de
garantizar el nivel del agua en un rango de variacin preestablecido. Existen algunas
diferencias en la concepcin de los controles de nivel, segn se trate de: canales; plantas de
tratamiento; tanques de almacenamiento de agua o un embalse.

RESISTENCIAS

RESISTENCIA ELCTRICA

Se le llama resistencia elctrica a la igualdad de oposicin que tienen los electrones para
desplazarse a travs de un conductor. La unidad de resistencia en el Sistema Internacional
es

el

ohmio,

que

se

representa

con

la

letra

griega

omega

().

La ley de Ohm la resistencia de un material puede definirse como la razn entre la

diferencia de potencial elctrico y la corriente en que atraviesa dicha resistencia, as:

Donde R es la resistencia en ohmios

V es la diferencia de potencial en voltios

I es la intensidad de corriente en amperios.

Tambin puede decirse que "la intensidad de la corriente que pasa por un conductor es
directamente proporcional a la longitud e inversamente proporcional a su resistencia

RESISTOR:
Se denomina resistor o bien resistencia al componente electrnico diseado para
introducir una resistencia elctrica determinada entre dos puntos de un circuito
elctrico. En el propio argot elctrico y electrnico, son conocidos simplemente
como resistencias.
Es un material formado por carbn y otros elementos resistivos para disminuir la
corriente que pasa. Se opone al paso de la corriente. La corrientemxima en un
resistor viene condicionada por la mxima potencia que pueda disipar su cuerpo.
Esta potencia se puede identificar visualmente a partir del dimetro sin que sea
necesaria

otra

indicacin.

Color de
la banda

Valor de la
1cifra
significativ
a

Valor de la
2cifra
significativ
a

Toleranci
a

Coeficiente
de
temperatur
a

Negro

Marrn

10

1%

100ppm/C

Rojo

100

2%

50ppm/C

Naranja

1 000

15ppm/C

Amarill
o

10 000

4%

25ppm/C

Verde

100 000

0,5%

20ppm/C

Azul

1 000 000

0,25%

10ppm/C

Morado

10000000

0,1%

5ppm/C

Gris

100000000

0.05%

1ppm/C

Blanco

1000000000

Dorado

0,1

5%

Plateado

0,01

10%

Ningun
o

20%

Multiplicado
r

Estos valores se indican con un conjunto de rayas de colores sobre el cuerpo del
elemento. Son tres, cuatro o cinco rayas; dejando la raya de tolerancia
(normalmente plateada o dorada) a la derecha, se leen de izquierda a derecha. La
ltima raya indica la tolerancia (precisin). De las restantes, la ltima es el
multiplicador y las otras indican las cifras significativas del valor de la resistencia.
El valor de la resistencia elctrica se obtiene leyendo las cifras como un nmero de una,
dos o tres cifras; se multiplica por el multiplicador y se obtiene el resultado en Ohmios ().

El coeficiente de temperatura nicamente se aplica en resistencias de alta precisin o

tolerancia

menor

del

1%.

COMO LEER EL VALOR DE UNA RESISTECIA

En una resistencia tenemos generalmente 4 lneas de colores, aunque podemos

encontrar algunas que contengan 5 lneas (4 de colores y 1 que indica tolerancia).
Vamos a tomar como ejemplo la ms general, las de 4 lneas. Con la banda
correspondiente a la tolerancia a la derecha, leemos las bandas restantes de izquierda a
derecha, como sigue: Las primeras dos bandas conforman un nmero entero de dos
cifras:

La primera lnea representa el dgito de las decenas.

La segunda lnea representa el dgito de las unidades.

Luego:

La tercera lnea representa la potencia de 10 por la cual se multiplica el nmero.

El resultado numrico se expresa en Ohms.

Por ejemplo:

observamos la primera lnea: verde= 5

Observamos la segunda lnea: amarillo= 4

Observamos la tercera lnea: rojo= 2 o 100

Unimos los valores de las primeras dos lneas y multiplicamos por el valor de la
tercera

54 X 102 = 5400 o 5,4 k y este es el valor de la resistencia expresada en Ohmios

Ejemplos

Figura 3: Resistencia de valor 2.700.000 y tolerancia de 10%.

La caracterizacin de una resistencia de 2.700.000 (2,7 M), con una tolerancia

de 10%, sera la representada en la figura 3:
1 cifra: rojo (2)
2 cifra: violeta (7)
Multiplicador: verde (100000)
Tolerancia: plateado (10%)

Figura

4:

Resistencia

de

valor

65

tolerancia

de

El valor de la resistencia de la figura 4 es de 65 y tolerancia de 2% dado que:

1 cifra: azul (6)
2 cifra: verde (5)
3 cifra: negro (0)
Multiplicador: dorado (10-1)
Tolerancia: rojo (2%)

2%.

EL RELEVADOR

Est formado por una bobina y dos contactos. Podemos considerar ala relevador como un
interruptor electromecnico

DESCRIPCION DEL RELEVADOR

El electroimn hace vascular la armadura al ser excitada, cerrando los contactos
dependiendo si es N.O o NC (normalmente abierto o normalmente cerrado). Si se le aplica

un voltaje a la bobina un campo magntico es generado haciendo que los contactos hagan
una conexin. Estos contactos pueden ser considerados como el interruptor, que permite
que la corriente fluya entre los dos puntos que cerraron el circuito.

Smbolos para representar a los relevadores con diagramas a escala:

Normalmente abiertos (N.O)

Interruptores normalmente cerrados (N.C)

Salida

VENTAJAS DEL USO DE RELES

La gran ventaja de los rels electromagnticos es la completa separacin elctrica entre

la corriente de accionamiento, la que circula por la bobina del electroimn, y los
circuitos controlados por los contactos, lo que hace que se puedan manejar altos
voltajes o elevadas potencias con pequeas tensiones de control. Tambin ofrecen la
posibilidad de control de un dispositivo a distancia mediante el uso de pequeas seales
de control. En el caso presentado podemos ver un grupo de rels en bases interfaces
que son controlado por mdulos digitales programables que permiten crear funciones
de temporizacin y contador como si de un mini PLD (Dispositivo Lgico
Programable) se tratase. Con estos modernos sistemas los rels pueden actuar de forma
programada e independiente lo que supone grandes ventajas en su aplicacin
aumentando su uso en aplicaciones sin necesidad de utilizar controles como PLD's u
otros medios para comandarlos (ver fig. 8). Se puede encender por ejemplo una
bombilla o motor y al encenderlo se apaga el otro motor o bombilla.

LEDS

El LED (Light-Emitting Diode: Diodo Emisor de Luz), es un dispositivo semiconductor

que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la
unin PN en la cual circula por l una corriente elctrica . Este fenmeno es una forma de
electroluminiscencia, el LED es un tipo especial de diodo que trabaja como un diodo
comn, pero que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz . Este dispositivo
semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta de plstico de mayor
resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las lmparas incandescentes.
Aunque el plstico puede estar coloreado, es slo por razones estticas, ya que ello no
influye en el color de la luz emitida. Usualmente un LED es una fuente de luz compuesta
con diferentes partes, razn por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida puede ser
bastante complejo.
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa
el LED y evitar que este se pueda daar; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de
operacin va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el
material de fabricacin y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe
circular por l vara segn su aplicacin. Los Valores tpicos de corriente directa de
polarizacin de un LED estn comprendidos entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los
diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LED. Los
diodos LED tienen enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como su
bajo consumo de energa, su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de
100,000 horas. Para la proteccin del LED en caso haya picos inesperados que puedan
daarlo. Se coloca en paralelo y en sentido opuesto un diodo de silicio comn.
En general, los LED suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula
por ellos, con lo cual, en su operacin de forma optimizada, se suele buscar un compromiso
entre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto ms grande es la intensidad que

circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por
ellos).

SMBOLO DEL LED

ESTRUCTURA DEL LED

COMPOSICION DE LOS LED`s

Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron
construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros.

LED rojo: Formado por GaP consiste en una unin p-n obtenida por el mtodo de
crecimiento epitaxial del cristal en su fase lquida, en un substrato.

La fuente luminosa est formada por una capa de cristal p junto con un complejo de ZnO,
cuya mxima concentracin est limitada, por lo que su luminosidad se satura a altas

densidades de corriente. Este tipo de LED funciona con baja densidades de corriente
ofreciendo una buena luminosidad, utilizndose como dispositivo de visualizacin en
equipos porttiles. El constituido por GaAsP consiste en una capa p obtenida por difusin
de Zn durante el crecimiento de un cristal n de GaAsP, formado en un substrato de GaAs,
por el mtodo de crecimiento epitaxial en fase gaseosa.
Actualmente se emplea los LED de GaAlAs debido a su mayor luminosidad.
El mximo de radiacin se halla en la longitud de onda 660 nm.

LED anaranjado y amarillo: Estn compuestos por GaAsP al igual que sus
hermanos los rojos pero en este caso para conseguir luz anaranjada y amarilla as
como luz de longitud de onda ms pequea, lo que hacemos es ampliar el ancho de
la "banda prohibida" mediante el aumento de fsforo en el semiconductor. Su
fabricacin es la misma que se utiliza para los diodos rojos, por crecimiento
epitaxial del cristal en fase gaseosa, la formacin de la unin p-n se realiza por
difusin de Zn.

Como novedad importante en estos LED se mezcla el rea emisora con una trampa
isoelectrnica de nitrgeno con el fin de mejorar el rendimiento.

LED verde: El LED verde est compuesto por GaP. Se utiliza el mtodo de
crecimiento epitaxial del cristal en fase lquida para formar la unin p-n.

Al igual que los LED amarillos, tambin se utiliza una trampa isoelectrnica de nitrgeno
para mejorar el rendimiento. Debido a que este tipo de LED posee una baja probabilidad de
transicin fotnica, es importante mejorar la cristalinidad de la capa n. La disminucin de
impurezas a larga la vida de los portadores, mejorando la cristalinidad.Su mxima emisin
se consigue en la longitud de onda 555 nm.
FUNCIONAMIENTO FISICO DEL LED
El funcionamiento fsico consiste en que, en los materialessemiconductores, un electrn al
pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta energa perdida se

puede manifestar en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una
fase aleatoria. El que esa energa se manifieste en (calor por ejemplo) va a depender
principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando Al polarizar directamente un
diodo LED conseguimos que por la unin PN sean inyectados huecos en el material tipo N
y electrones en el material tipo P; O sea los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n
y los electrones de la zona n hacia la zona p, producindose por consiguiente, una
inyeccin de portadores minoritarios.
Ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los
electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse, es decir, los electrones
pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel energtico superior a otro
inferior ms estable

Diodo emisor de luz con la unin polarizada en sentido directo

Cuando estos portadores se recombinan, se produce la liberacin de una cantidad de
energa proporcional al salto de banda de energa del material semiconductor. Una parte de

esta energa se libera en forma de luz, mientras que la parte restante lo hace en forma de
calor, estando determinadas las proporciones por la mezcla de los procesos de
recombinacin que se producen.
La energa contenida en un fotn de luz es proporcional a su frecuencia, es decir, su color.
Cuanto mayor sea el salto de banda de energa del material semiconductor que forma el
LED, ms elevada ser la frecuencia de la luz emitida.

DIODO EMISOR DE LUZ CON LA UNIN POLARIZADA EN SENTIDO DIRECTA

APLICACIONES DE LOS LED

Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a
distancia de televisores, habindose generalizado su uso en otros electrodomsticos como
equipos de aire acondicionado, equipos de msica, etc. y en general para aplicaciones de
control remoto, as como en dispositivos detectores.Los LED se emplean con profusin en
todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado) en dispositivos de sealizacin (de
trnsito, de emergencia, etc.) y en paneles informativos. Tambin se emplean en el

alumbrado de pantallas de cristal lquido de telfonos mviles, calculadoras, agendas

electrnicas, etc., as como en bicicletas y usos similares. Existen adems impresoras LED.
Tambin se usan los LED en el mbito de la iluminacin (incluyendo la sealizacin de
trfico) es moderado y es previsible que se incremente en el futuro, ya que sus prestaciones
son superiores a las de la lmpara incandescente y la lmpara fluorescente, desde diversos
puntos de vista. La iluminacin con LED presenta indudables
Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta situacin
especfica de funcionamiento y desplegar contadores
- Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente continua.
- Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna.
- En dispositivos de alarma.

VENTAJAS DEL LED

Fiabilidad, mayor eficiencia energtica, mayor resistencia a las vibraciones, mejor visin
ante diversas circunstancias de iluminacin, menor disipacin de energa, menor riesgo
para el medio ambiente, capacidad para operar de forma intermitente de modo continuo,
respuesta rpida, etc. Asmismo, con LED se pueden producir luces de diferentes colores
con un rendimiento luminoso elevado, a diferencia de muchas de las lmparas utilizadas
hasta ahora, que tienen filtros para lograr un efecto similar (lo que supone una reduccin de
su eficiencia energtica). Todo ello pone de manifiesto las numerosas ventajas que los LED
ofrecen.Tambin se utilizan en la emisin de seales de luz que se trasmiten a travs de
fibra ptica.

DESVENTAJAS DEL LED

Las desventajas del diodo LED son que su potencia de iluminacin es tan baja, que su luz
es invisible bajo una fuente de luz brillante y que su ngulo de visibilidad est entre los 30
y 60. Este ltimo problema se corrige con cubiertas difusores de luz.

CONEXIN DE LOS LED

Para conectar LED de modo que iluminen de forma continua, deben estar polarizados
directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de alimentacin conectada al nodo
y el polo negativo conectado al ctodo. Adems, la fuente de alimentacin debe
suministrarle una tensin o diferencia de potencial superior a su tensin umbral. Por otro
lado, se debe garantizar que la corriente que circula por ellos no excede los lmites
admisibles (Esto se puede hacer de forma sencilla con una resistencia R en serie con los

LED). Unos circuitos sencillos que muestran cmo polarizar directamente LED son los
siguientes:

PRINCIPIO FISICO
El fenmeno de emisin de luz est basado en la teora de bandas, por la cual, una tensin
externa aplicada a una unin p-n polarizada directamente, excita los electrones, de manera
que son capaces de atravesar la banda de energa que separa las dos regiones.Si la energa
es suficiente los electrones escapan del material en forma de fotones.
Cada material semiconductor tiene unas determinadas caractersticas que y por tanto una
longitud de onda de la luz emitida. A diferencia de la lmpara de incandescencia cuyo
funcionamiento es por una determinada tensin, los LED funcionan por la corriente que los
atraviesa. Su conexin a una fuente de tensin constante debe estar protegida por una
resistencia limitadora.

TEORIA DE BANDAS

En un tomo aislado los electrones pueden ocupar determinados niveles energticos pero
cuando los tomos se unen para formar un cristal, las interacciones entre ellos modifican su
energa, de tal manera que cada nivel inicial se desdobla en numerosos niveles, que
constituyen una banda, existiendo entre ellas huecos, llamados bandas energticas
prohibidas, que slo pueden salvar los electrones en caso de que se les comunique la
energa suficiente. En los aislantes la banda inferior menos energtica (banda de valencia)
est completa con los e- ms internos de los tomos, pero la superior (banda de
conduccin) est vaca y separada por una banda prohibida muy ancha (~ 10 eV),
imposible de atravesar por un e-. En el caso de los conductores las bandas de conduccin y
de valencia se encuentran superpuestas, por lo que cualquier aporte de energa es suficiente
para producir un desplazamiento de los electrones.
Entre ambos casos se encuentran los semiconductores, cuya estructura de bandas es muy
semejante a los aislantes, pero con la diferencia de que la anchura de la banda prohibida es
bastante pequea. Los semiconductores son, por lo tanto, aislantes en condiciones
normales, pero una elevacin de temperatura proporciona la suficiente energa a los
electrones para que, saltando la banda prohibida, pasen a la de conduccin, dejando en la
banda de valencia el hueco correspondiente. En el caso de los diodos LED los electrones
consiguen saltar fuera de la estructura en forma de radiacin que percibimos como luz
(fotones).

CARACTERISTICAS DEL LED

Dimensiones y color del diodo
Actualmente los LED tienen diferentes tamaos, formas y colores. Tenemos LED
redondos, cuadrados, rectangulares, triangulares y con diversas formas.Los colores bsicos
son rojo, verde y azul, aunque podemos encontrarlos naranjas, amarillos incluso hay un
LED de luz blanca.
Las dimensiones en los LED redondos son 3mm, 5mm, 10mm y uno gigante de 20mm. Los
de formas polidricas suelen tener unas dimensiones aproximadas de 5x5mm

TRANSISTORES

Un 2N2222A con su colector, emisor y base identificados por las letras "e","b" y "c"
respectivamente.El 2N2222, tambin identificado como PN2222, es un transistor bipolar
NPN de baja potencia de uso general.
Sirve tanto para aplicaciones de amplificacin como de conmutacin. Puede amplificar
pequeas corrientes a tensiones pequeas o medias; por lo tanto, slo puede tratar
potencias bajas (no mayores de medio Watts). Puede trabajar a frecuencias medianamente
altas.
Las hojas de especificaciones sealan como valores mximos garantizados 500
miliamperios, 50 voltios de tensin de colector, y hasta 500 milivatios de potencia. La
frecuencia de transicin es de 250 a 300 MHz, lo que permite utilizarlo en aplicaciones de
radio de alta frecuencia (hasta 300 MHz). La beta (factor de amplificacin, hFe) del
transistor es de por lo menos 100; valores de 150 son tpicos.
El 2N2222 es fabricado en diferentes formatos, los ms comunes son los TO-92, TO-18,
SOT-23, y SOT-223.Su complemento PNP es el 2N2907. El 2N3904 es un transistor de

caractersticas similares pero que slo puede transportar un dcimo de la corriente que el
2N2222 puede transportar; puede usarse como reemplazo del 2N2222 en caso de seales
pequeas.
Otro transistor de caractersticas similares, pero de mayor potencia es el 2N2219. Es un
transistor en formato TO-39, con una frecuencia de transicin de 300 MHz, por lo cual
puede ser usado en transmisores y amplificadores para HF, VHF y una cierta parte de UHF
(300 MHz) con una potencia de salida de 1 a 2 watts, sabiendo que la mxima potencia que
puede llevar a cabo es de 3 watts. Su complementario PNP es el 2N2905 al igual que el
2N2907. Tambin existe otro transistor que es de similares caractersticas, el cual es el
2N3053, pero su potencia es de 1w y es slo para aplicaciones entre 50 y 100 mhz.

TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR

DIAGRAMA DE TRANSISTOR NPN

El transistor de unin bipolar (del inglsBipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en
electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como
la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento

normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy
angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor
posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

ESTRUCTURA

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin

del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede

apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.

La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de

material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la
base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho
hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un
dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que
el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso.
Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar
en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en
modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo;
muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es
principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est
altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que
pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta
colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La
razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de
inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en
relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la
mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en
procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay
diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto
puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser
pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms
simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de
corriente, debido a la baja impedancia de la base.

Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT
modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los
transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente
utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
FUNCIONAMIENTO

CARACTERSTICA IDEALIZADA DE UN TRANSISTOR BIPOLAR.

En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la unin basecolector en inversa.[1] Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que
existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la
unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin
de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector.
Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est

dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la
base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor
al ancho de difusin de los electrones.

CONTROL DE TENSIN, CARGA Y CORRIENTE

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente
exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente
veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la
tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es
veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con
precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el
modelo Ebers-Moll.

TIPOS DE TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR

EL SMBOLO DE UN TRANSISTOR NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a
que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base
en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo..

PNP

El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a
las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la
mayora de las circunstancias.

EL SMBOLO DE UN

TRANSISTOR PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a
travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa:

Corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente
de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia
de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren
conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se
desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los
BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el
parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo
activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito (como no hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (Ic Ie = Imax)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver
Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el
emisor desciende por debajo del valor umbral V CE,sat. Cuando el transistor esta en
saturacin, la relacin lineal de amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin
Ie=(+1)Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un cable,
ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.

Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica analgica

(especialmente til para amplificacin de seal) y las regiones de corte y saturacin,
para la electrnica digital, representando el estado lgico alto y bajo,
respectivamente.

HISTORIA

RPLICA DEL PRIMER TRANSISTOR.

El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company

por John Bardeen y Walter Brattain bajo la direccin de William Shockley. La versin de
unin, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el dispositivo favorito en
diseo de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de BJT ha declinado en favor
de la tecnologa CMOS para el diseo de circuitos digitales integrados.

TEORA Y MODELOS MATEMTICOS

EL MODELO EBERS-MOLL
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son determinadas
por:

MODELO EBERS-MOLL PARA TRANSISTORES NPN

MODELO EBERS-MOLL PARA TRANSISTORES PNP

LA CORRIENTE INTERNA DE BASE ES PRINCIPALMENTE POR DIFUSIN

Dnde:

es la corriente de emisor.

es la corriente de colector.

es la ganancia de corriente directa en configuracin base comn. (de 0.98 a

0.998)

es la corriente de saturacin inversa del diodo base-emisor (en el orden de 10 15

a 1012 amperios)

es el voltaje trmico

(aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente

300 K).

es la tensin base emisor.

W es el ancho de la base.

La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el

valor de T es muy cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar una pequea variacin
de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-emisor. La
relacin entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia, o
hFE. Un valor de de 100 es tpico para pequeos transistores bipolares. En una
configuracin tpica, una seal de corriente muy dbil circula a travs de la unin baseemisor para controlar la corriente entre emisor-colector. est relacionada con a travs de
las siguientes relaciones:

Eficiencia del emisor:

Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del
transistor estn expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el modelo de
transporte de un transistor de unin bipolar.

Dnde:

es la corriente de colector.

es la corriente de base.

es la corriente de emisor.

es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a 500)

es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a 20)

es la corriente de saturacin inversa (en el orden de 1015 a 1012 amperios)

es el voltaje trmico

(aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente

300 K).

es la tensin base-emisor.

es la tensin base-colector.

MODELO EN PEQUEA SEAL

PARMETROS H

Modelo

de

parmetro

generalizado

para

un

BJT

NPN.

Reemplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC respectivamente.

Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parmetro
h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y permite un fcil
anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos ms
exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo representa el terminal del BJT
dependiendo de la topologa usada. Para el modo emisor-comn los varios smbolos de la
imagen toman los valores especficos de:

x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn.

Terminal 1 = Base

Terminal 2 = Colector

Terminal 3 = Emisor

iin = Corriente de Base (ib)

io = Corriente de Colector (ic)

Vin = Tensin Base-Emisor (VBE)

Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE)

Y los parmetros h estn dados por:

hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia

del emisor re).

hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en el

valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente
despreciado (se considera cero).

hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es

generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua
(DC) en las hojas de datos.

hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente

especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a
impedancia.

Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan que
las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones de
corriente continua estos subndices son expresados en maysculas. Para la topologa emisor
comn, un aproximado del modelo de parmetro h es comnmente utilizado ya que
simplifica el anlisis del circuito. Por esto los parmetros hoe y hre son ignorados (son
tomados como infinito y cero, respectivamente). Tambin debe notarse que el modelo de
parmetro h es slo aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas frecuencias. Para
anlisis de seales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las
capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.

CIRCUITO INTEGRADO

CIRCUITOS INTEGRADOS DE MEMORIA CON UNA VENTANA DE CRISTAL DE CUARZO

QUE POSIBILITA SU BORRADO MEDIANTE RADIACIN ULTRAVIOLETA.

Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip o microchip, es una pastilla
pequea de material semiconductor, de algunos milmetros cuadrados de rea, sobre la que
se fabrican circuitos electrnicos generalmente mediante fotolitografa y que est protegida
dentro de un encapsulado de plstico o cermica. El encapsulado posee conductores
metlicos apropiados para hacer conexin entre la pastilla y un circuito impreso.

Placa de pruebas

Un computador basado en el microprocesador Intel 8088, instalado en una

protoboard.
El "protoboard","breadboard" (en ingls)o "placa board" es un tablero con orificios
conectados elctricamente entre s, habitualmente siguiendo patrones de lneas, en el cual
se pueden insertar componentes electrnicos y cables para el armado y prototipado de
circuitos electrnicos y sistemas similares. Est hecho de dos materiales, un aislante,
generalmente un plstico, y un conductor que conecta los diversos orificios entre s. Uno de
sus usos principales es la creacin y comprobacin de prototipos de circuitos electrnicos
antes de llegar a la impresin mecnica del circuito en sistemas de produccin comercial.

DE USO TEMPORAL

Patrn tpico de disposicin de las lminas de material conductor en una placa de

pruebas.

Protoboard o breadboard: Es en la actualidad una de las placas de prueba ms

usadas. Est compuesta por bloques de plstico perforados y numerosas lminas
delgadas, de una aleacin de cobre, estao y fsforo, que unen dichas
perforaciones, creando una serie de lneas de conduccin paralelas. Las lneas se
cortan en la parte central del bloque para garantizar que dispositivos en circuitos
integrados

de

tipo

dual

in-line package

(DIP) puedan

ser insertados

perpendicularmente y sin ser tocados por el provedor a las lneas de conductores.

En la cara opuesta se coloca un forro con pegamento, que sirve para sellar y
mantener en su lugar las tiras metlicas.

Un computador basado en el Motorola 68000 con varios circuitos TTL montados

sobre un arreglo de protoboard.

Debido a las caractersticas de capacitancia (de 2 a 30 pF por punto de contacto) y

resistencia que suelen tener los protoboard estn confinados a trabajar a relativamente baja
frecuencia (inferior a 10 20 MHz, dependiendo del tipo y calidad de los componentes
electrnicos utilizados).
Los dems componentes electrnicos pueden ser montados sobre perforaciones adyacentes
que no compartan la tira o lnea conductora e interconectadas a otros dispositivos usando
cables, usualmente unifilares. Uniendo dos o ms protoboard es posible ensamblar
complejos prototipos electrnicos que cuenten con decenas o cientos de componentes.
El nombre ingls protoboard es una contraccin de los vocablos ingleses prototypeboard
y es el trmino que se ha difundido en los pases de habla hispana, aunque se suele emplear
tambin la traduccin al castellano placa de pruebas. Sin embargo, particularmente en
Estados Unidos e Inglaterra, se conoce como breadboard. Anteriormente un breadboard era
una tabla utilizada como base para cortar el pan, pero en los principios de la electrnica los
pioneros usaban dichas tablas para montar sus prototipos, compuestos por tubos de vaco,
clavijas, etc., los cuales eran asegurados por medio de tornillos e interconectados usando
cables.
De uso permanente o temporal

Una perfboard con material conductor alrededor de cada perforacin.

Perfboard: placa de circuito perforada cuyos huecos estn circundados por material
conductor, usualmente cobre, pero que no estn interconectados entre s. Este tipo
de placas requieren que cada componente est soldado a la placa y adems las
interconexiones entre ellos sea realizada a travs de cables o caminos de soldadura.

Una stripboard.

Stripboard: es un tipo especial de perfboard con patrn, en donde los agujeros estn
interconectados formando filas de material conductor.

Estos tipos de placas generalmente se fabrican uniendo una lmina de material conductor,
usualmente cobre o una aleacin de l, a una base de material plstico sinttico
denominado baquelita. Cuando este tipo de placas se usan para construir perfboards,
perfboards con patrn o stripboards, reciben el nombre genrico de baquelita universal.

MATERIAL Y PROCEDIMIENTO DE ARMADO DEL CENSOR DE

NIVEL

Materiales:

3 LED`s (diodos emisores de luz)

3 transistores BJT NPN 2N2222A
2 resistencias de 15 k
2 resistencias de 3k
1 resistencia de 1k
1 relevador 5vdc/ 5amp
1 circuito integrado 7404
1 pila de 9 volts
1 bomba para pecera de 110 vca
1 protoboard

PROCEDIMIENTO DE ARMADO:
Conectamos dos cables de positivo a positivo y negativo a negativo en el protoboard (lnea
roja a lnea roja y lnea azul a lnea azul) para mantener conectados ambos lados de las
pistas que estn separadas por el canal central.
Para empezar el desarrollo del circuito (censor de nivel) conectamos la resistencia N1 de
15k en el Buse positivo a cualquier parte de los orificios de las pistas (nodos), de ah,
conectamos un cable que salga de esta resistencia. Ahora, colocamos una resistencia N2 de
3k conectando de igual manera una de sus patillas al Buse positivo y la otra en los
orificios del protoboard, cuidando colocar la resistencia en la misma fila de los nodos que
la de 15k. Despus de haber colocado la segunda resistencia procedemos a insertar el
transistor N1 colocado la patilla (colector) en la misma columna de los nodos del

protoboard, en la que se encuentra la resistencia N2 del mismo transistor sacamos un cable

que vaya del emisor a tierra (Buse negativo), de ah un cable que salga de la base.
Posteriormente conectamos de la misma forma la resistencia N3 de 15k conectamos una
patilla al Buse positivo (lnea roja), cuidando seguir en la misma fila de las dems
resistencias. De la misma columna de la patilla de La resistencia sale un cable.
Ahora la resistencia N4 se coloca de la misma manera, despus insertamos el transistor
N2 el colector del transistor va conectada a la misma columna de la resistencia y del
mismo colector sale un cable que va conectado a la patilla 1 (1A) del circuito integrado y
de la patilla del emisor sale un cable que va a tierra y de la base un cable. Todos los cables
que no van conectados a alguna parte del protoboard son nuestros cables sensores.
De la patilla de la resistencia N2 y del colector del transistor N1 (van en la misma
columna) va un cable que llega hasta la patilla 3 (2A) del circuito integrado. De la patilla 4
(2Y) del circuito integrado va conectado un LED, que es nuestro indicador N1. La patilla
positiva del LED se conecta al nodo del protoboard, mientras que la negativa va a tierra. El
segundo LED va conectado a la patilla 2 (1Y), este es nuestro segundo indicador (N2). De
la patilla 7(GND) sale un cable que se conecta a tierra (Buse negativo), y de la patilla 14
(VCC) se conecta un cable al Buse positivo.
De la patilla 1 (1A) del circuito integrado sale un cable que va a la resistencia N4 en la
que se encuentra conectada una de las patillas del LED indicador de la bomba, la otra
patilla del LED se conecta al Buse negativo (tierra), mientras que la segunda patilla de la
resistencia est conectada a la base de nuestro transistor N3, de ese mismo transistor la
patilla del emisor se conecta un cable que va a tierra (Buse negativo), luego de la patilla
colector sale un cable que va directo a nuestro relevador,

en nuestra patilla de

normalmente abierto (N.O) y de nuestro normalmente cerrado (N.C) se coloca un cable que
va al Buse positivo o de alto voltaje. De nuestra patilla normalmente abierto (N.O) y de
nuestra patilla constante salen unos cables que van conectados a la bomba, esta funciona
con corriente directa de 110volts.

Ahora, del Buse negativo (tierra) y del positivo (alto voltaje) salen unos cables que van
conectados a la pila de 9volts, esta pila sirve de alimentacin para nuestra parte electrnica
que es nuestro circuito.
Con estos pasos tenemos terminado nuestro circuito, solo queda buscar un par de botellas.
La primera botella se cortara un poco ms arriba de la mitad, est la llenaremos con agua y
le colocaremos la bomba, en la segunda botella la cortaremos a la mitad, en esta botella
colocaremos nuestros censores a distintos niveles, el primer censor lo colocaremos un poco
antes de llegar al fondo y el segundo censor lo colocamos casi en la abertura de la botella.
Para que cuando conectemos la bomba al enchufe esta comience a funcionar y pase agua de
la primera botella a la segunda, cuando la segunda botella se empiece a llenar y llegue a
nuestro primer sensor nuestro indicador (LED N1) se encienda, pero aun as la bomba
contine trabajando y se siga llenando, hasta llegar a nuestro segundo censor y este
encienda nuestro indicador (LED N2) y la bomba se pagara automticamente.

EVIDENCIAS:

Conclusin:
Este proyecto es de mucha ayuda tanto para el hogar con en la industria ya que evita el
desperdicio de materiales lquidos.
Con su fcil armado y con materiales econmicos lo podemos reproducir de forma sencilla,
teniendo en consideracin cada uno de los pasos. En su momento de armado es necesario
contar con todos las precauciones ya que al ser conectada la bomba a la corriente directa
puede ocurrir un corto circuito y daar algunos aparatos electrnicos que estn conectados
a la corriente en ese momento.
Con la ayuda de este sistema de censor de nivel, adems de evitar la prdida de agua nos
ayuda a economizarla, una de sus ventajas es que su apagado es automtico y no es
necesario desconectarla, al igual que su encendido ya que cuando el nivel de agua o algn
otro material liquido baja y llega hasta cierto punto en donde cables censores no detecten la
presencia de este, la bomba comenzara a trabajar para volver a poner el contenido en sus
nivel adecuado.

Con este sistema no solo ayudamos a la mejora y al cuidado del medio ambiente, sino
tambin en la reduccin de gastos econmicos.
En conclusin este proyecto tiene demasiados usos y puede ser usado de distintas formas.

BIBLIOGRAFIA
Organizacin: Wikipedia
Ttulo de la pgina: http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar
Fecha de consulta: 23/ noviembre/ 2013
Organizacin: Wikipedia
Ttulo de la pgina:http://es.wikipedia.org/wiki/Rel%C3%A9
Fecha de consulta: 23/noviembre/2013
Organizacin:
Ttulo: http://es.wikipedia.org/wiki/Circuito_integrado
Fecha de consulta: 23/noviembre/2013
Organizacin: monografas
Ttulo de la pgina:http://www.monografias.com/trabajos60/diodo-led/diodo-led.shtml

Fecha de consulta: 23/noviembre/ 2013

Organizacin: iluminet
Ttulo de la pgina: http://www.iluminet.com/diodos-emisores-de-luz-de-alta-potencia-de1w/
Fecha de consulta: 23/noviembre/2013
Organizacin: Wikipedia
Ttulo de la pgina: http://es.wikipedia.org/wiki/2N2222
Fecha de consulta: 23/noviembre/2013
Organizacin: el rincn del vago
Ttulo de la pgina: http://www.elrinondelvago.com/transistores/
Fecha de consulta: 23/noviembre2013
Organizacin: monografas
Ttulo de la pgina: http://www.monografias.com/proto-bord/
Fecha de consulta: 23/noviembre/2013
Organizacin: universidad de costa rica
Ttulo de la pgina: http:// u.s.c-clasific-acion-circuito-integrado.com/
Fecha de consulta: 23/noviembre/2013
Organizacin: buenas tareas
Ttulo de la pgina http://buenastareas.com/relevador/
Fecha de consulta: 23/ noviembre/2013