TRANZISTOR CU EFECT DE CAMP

TEC sau FET ( Field-Effect-Tranzistor)

-sunt dispozitive unipolare- in functionarea lor intervine un singur tip de purtatori de sarcina.
-sunt comandate in tensiune (curentii de intrare sunt, practic, nuli); au impedanta mare de
intrare.
-se pot folosi ca rezistente comandate in tensiune.
-au o tehnologie mai simpla si permit o densitate mai mare de integrare (memorii,
microrocesoare)
TEC cu structura MOS (Metal-Oxid-Semiconductor) sunt foarte sensibile (pot fi distruse
prin atingere).
Clasificare:
- TEC-J (JFET) – tranzistoare cu poarta - jonctiune cu canal n sau cu canal p.
- TEC-MOS(MOSFET) – tranzistoare cu poarta izolata cu canal indus (n,p) sau initial
(n,p).

TEC-J CU CANAL “N”

G (gate = grila) – poarta;
D (drena) – colecteaza (dreneaza) purtatorii;
S (sursa) - furnizeaza purtatori de sarcina care in cazul canalului de tip n sunt electroni.

ID
D
RD


 Rp p p
ED 
E G
G

U GS
S

Deoarece grila este negativata fata de sursa (UGS 0) jonctiunile pn sunt polarizate invers si
in jurul lor se creaza zone saracite in purtatori. Deplasand cursorul potentiometrului R P in sus,
negativarea creste si canalul se ingusteaza pana la strangularea lui complete. Odata cu
negativarea tot mai puternica a portii, curentul de drena ID (care are sensul contrar deplasarii
electronilor) se tot micsoreaza pana la anulare. In felul acesta tensiunea de intrare U GS 0
controleaza curentul ID. pentru a atrage electroni, drena este la un potential mai mare decat sursa
(UDS 0).
 Simboluri de circuit
D D

U DS U DS
G G

U GS U GS
S S

Canal de tip n Canal de tip p

Sensul sagetii din symbol precizeaza tipul canalului (si al tranzistorului). Se observa ca
tensiunile UGS, UDS si curentul ID au semen contrare penteu cele doua tipuri de tranzistoare.
Deoarece jonctiunile sunt polarizate invers, curentii de grila sunt practice nuli.
Caracteristicile de drena. Caracteristica de transfer
ID=f(UDS, UGS)
UGS - se ia ca parametru, caracteristica de drena
I D [mA]

U DSsat U GS V P
U DS const

Ramura fizic imposibila

I D [mA]
10 U GS 0
I DSS
R.Lin R. Sat.
 1V

 2V
5 0
U DS  const
 3V

5 10 U DS [V ]  3V  2V  1V
VP VP U GS [V ]

R.Lin – regiunea lineara (ID≅k∙UDS)

R.SAT – regiunea de saturatie – caracteristicile sunt, practic orizontale (independente de
UDS)
De remarcat:
- La UGS=VP canalul este strangulat si ID=0
- La UGS=0 => ID=IDSS (valoarea maxima)

Caracteristica de transfer poate fi aproximata cu relatia:

∙( )
 Din punct de vedere matematic, relatia ID=f(UGS) (pentru UDS = constant si in regiunea de
saturatie) are doua ramuri. Doar ramura cu UGS intre 0 si VP este realizabila fizic.
Aplicatie:Amplificator cu TEC-J
ED
Parametrii tranzistorului: ID
VP=-4V; RD
IDSS=8mA; C2
D
Tensiuni si rezistente: C1
EP=30V; G
ES=-6V; uies
RG=10MΩ, S
RD=10kΩ; RG
RS
RS=4kΩ; uin

∗)In curent continuu: ES

Determinam PFS, adica ( , , ).
Presupunem ca tranzistorul lucreaza in regiunea de saturatie astfel ca putem folosi, ca o prima
ecuatie, expresia caracteristicii de transfer. A doua legatura intre ID si UGS, inlocuiesc tensiunile
in [V], curentii in [mA] si rezistentele in [kΩ]. se obtine sistemul:

∙( ) ∗
{
∙ ∙ ∗∗
Din rezolvarea sistemului se obtine o solutie corecta si una
falsa .
Solutia creata se recunoaste prin faptul ca VP UGS0 0. In schimb, la solutia falsa UGS0=6V-
3,1mA∙4kΩ ≅ - 6V VP.
Tensiunea UDS0 poate fi aflata din ecuatia:
=ED-RD∙ -RS∙ -ES=30V-10kΩ∙2mA-4kΩ∙2mA+6V=8V. solutia completa este (2mA, -
2V, 8V).
Verificam daca presupunerea ca tranzistorul lucreaza in regiunea de saturatie este corecta
(altfel calculele nu ar fi valabile). La limita regiunii de saturatie, UDSsat=UGS-VP. pentru
caracteristica pe care se afla PFS calculat, putem scrie UDSsat=-2-(-4)=2V. evident,
=8V UDSsat.Deci presupunerea initiala a fost justa si PFS este corect calculat.

(∗)In curent alternativ:

Comportarea la variatii a amplificatorului poate fi analizata pe baza schemei echivalente:
 Rin G D Ries

i*
uin RG U gs g m U gs RD uies

ie S
RS

Transconductanta gm se determina din expresia caracteristicii de transfer:

∙
gm ( ) ∙ ∙√ ∙ √ ∙

In exemplu, rezulta: gm ∙√ ∙ 2
Se obtin valorile: Rin=RG=10MΩ (foarte mare, acesta e principalul avantaj al
amplificatorului cu TEC).
Ries= ∗ |
∙ ∙ ∙ ∙
Au .
∙ ∙ ∙ ∙
Amplificarea de tensiune este mica deoarece gm este mica (in comparatie cu valorile uzuale
pentru tranzistor bipolar).

TEC MOS cu canal indus de tip “p”

Structura TEC MOS din figura arata ca intre zonele de tip p

G D
care formeaza suras (S) si drena (D) nu exista in momentul S
initial, un canal. Daca insa negativam grila, o parte din golurile
existente in substratul de tip n voor fi atrase pe cealalta parte a p p
Oxizi,
substratului de oxid izolator si canalul astfel indus va permite strat
trecerea curentului. Fiind un curent de goluri, ID are semnal de la izolator
n  substrat
sursa la drena.
B
D

B
U DS
G

U GS
S
 I D [mA]

U DSsat U GS V P
U DS const
I D [mA]
10 U GS 10V
Ramura fizic imposibila
R.Lin R. Sat.
 8V

5  6V 0
U DS  const

 4V

5  10 U DS [V ] VP  3V  2V  1V
U GS [V ]

Pentru a atrage golurile, drena trebuie sa fie negativizata fata de sursa (UDS 0). Cu cat
negativizarea grilei este mai puternica (UGS 0) cu atat canalul indus este mai larg si ID este mai
mare pentru UDS dat. Ca si la TEC-J, in planul caracteristicilor de drena se pot distinge doua
regiuni: o regiune liniara in care ID depinde si de UDS si de UGS, conform relatiei: ID=K[2 (UGS-
VP) – UDS – UDS2]
O regiune de saturatie in care curentul ID depinde, practic, doar de UGS conform relatiti:
ID=K(UG-VP)2 pentru |UGS| VP
Reprezentarea grafica a ultimei relatii este numita caracteristica de transfer. Deoarece pentru
inducerea canalului, trebuie indeplinita relatia
UGS VP (tensiunea de prag), numai una din cele D
doua ramuri ale parabolei este fizic realizabila.
Parametrul K este dependent de tehnologie: I D [mA] U DS  0
K=(1...10)mA/V2. B
Relatiile precedente sunt valabile si pentru un
TEC-MOS cu canal indus de tip ‘n’ cu precizarea G
ca tensiunile si curentii au sensuri schimbate. 0
U DS  const
Simbolul de circuit si caracteristica de transfer se U GS  0
prezinta alaturat. Ramura fizic realizabila a S
parabolei (pentru care se creaza canalul intre drena
si sursa corespunde pozitivizarii grilei peste nivelul 2 VP 6 U GS [V ]

tensiunii de praf: UGS VP.

Observatie: pentru TEC-MOS cu canal initial vezi pagina 119.

Aplicatie: aplificator cu TEC-MOS (p. 123 problema 4.2.1).
Parametrii tranzistorului VP=3V, k- nu se da, dar se stie ca la ∗ =6V, curentul de drena este
∗
=10mA. Rezistentele au valori din figura (remarcati valoarea intensa a lui R G – in scopul
cresterii rezistentei de intrare). Tensiunea de alimentare: ED=30V
 ED

RG1  19k RD 3k

C2
C1 D

G
RG  10M S
uin RG 2  11k RS 1k uies

In curent continuu:
Determinam PFS al tranzistorului ( , , ). Mai intai calcumal valoarea marametrului
∗
K ≅1,1 mA/V . Desi RG este foarte mare, pe ea nu apare cadere de tensiune
2

deoarece curentul de grila este nul.

Ca urmare,potentialul grilei, VG depinde doar de difuzorul de tensiune (RG1, RG2):
VG=ED Acum putem exprima tensiunea UGS=VG-VS=VG-ID∙RS.
Cea de-a doua ecuatie este reprezentata de caracteristica de transfer ID=k(UGS-VP)2. Daca se
elimina UGS intre cele doua ecuatii iar tensiunile se inlocuiesc I D [mA]
in [V] si rezistentele in [kΩ] rezulta o ecuatie pentru ID in E  I (R  R )  U
[mA]: 10 ID2-169ID+640=0. Solutia adevarata este
D D D S DS

Ecuatia dreptei de saracina

ID0=5,73mA (ID=11,17 este o falsa solutie deoarece pentru I D0  5,73mA

acest curent ar rezulta UGS=11V-1kΩ∙11,17mA=-

0,17V VP=3V). deci, =11V-1KΩ∙5,73Ma=5,27 =ED-
∗ U [V ] DS
(RD+RS)=7V. in figura alaturata este reprezentata dreapta 0
U DS  7V
de sarcina si PFS calculat.
Se verifica faptul ca =7V UDSsat=5,27V-3V=2,27.

In curent alternativ:
Comportarea amplificatorului la variatii se analizeaza pe baza schemei echivalente:
 Rin G D Ries

i*
uin RG U gs g m U gs RD uies

RG1 RG 2 S
RS

Ca si in cazul TEC-J, transconductanta gm se determina ca panta caracteristicii de transfer in

PFS:
gm 2K(UGS-VP)=2K∙√ =2√
cu valorile din acest exemplu, rezulta gm~5 mA/V. Acum, se poate calcula valoarea
amplificarii:
∙
Au =-2,5.
∙
Ca si pentru amplificatorul cu TEC-J, Au este mica.
Marele avantaj al acestui amplificator este rezistenta de intrare:
Rin= =RG+RG1||RG2=RG=10MΩ.
Aceasta inseamna ca pentru uin cu amplitudinea de 1V, curentul iin abia atinge amplitudinea
de 0,1µA..
∗ |
Ries RD=3kΩ