Fotovoltaick lnky

(historie, souasn stav a trendy)

Prof. Ing. Vitzslav Benda, CSc

VUT Praha, Fakulta elektrotechnick
katedra elektrotechnologie

Fotovoltaika pm pemna energie

slunenho zen na elektrickou energii

1839 - objev fotovoltaickho jevu (A. E. Becquerel )

1877 prvn selnov FV lnek (W. G. Adams a R. E. Day)
1954 kemkov FV lnek (D. M. Chapin, C. S. Fuller a G. L. Pearson)

1970 prvn FV lnek na bzi GaAs heterostruktury (Alferov, Andreev a kol.)

1976 prvn FV lnek na bzi amorfnho Si ( D.Carlson and C. Wronski)

2008 instalovan vkon FV elektrren pekroil 14 GWp

2009 instalovan vkon FV elektrren pekroil 21 GWp

Generace volnch nosi nboje v materilech s kovalentn vazbou

Ve vzdlenosti x pod povrchem je generovno za

Gtot ( x) G(; x)d ( ) ( ) 0 exp ( )x d
jednotku asu Gtot pr elektron-dra
0

Je-li koncentrace nerovnovnch nosi Dn, za

jednotku au rekombinuje R pr elektron-dra
V ustlenm stavu je dynamick rovnovha

Dn
dDn
R

dt rec

st slunen energie se vyuila na generaci volnch nosi

nanokrystalick Si

V homogennm materilu je Dn = Dp (elektroneutralita)

Polovodiov fotovoltaick lnky

Pro vytvoen potebnho

rozdlu potencilu je mono
vyut struktury
s vestavnm elektrickm
polem
Vhodn struktury jsou:

pechod PN
heteropechod (kontakt
dvou rznch materil).
Generovan
proudov hustota

J PV ( ) q G( )dx q

Dn

dx J sr (0) J sr ( H )

V-A charakteristika fotovoltaickch lnk

V-A charakteristika pechodu PN
D 1
D 1

J 01 ni2 e n
p
L p

n p0 Lp nn0

J 02

Rs

eU j
J J 01 exp
kT

eU j

1
1 J 02 exp
2kT

eni d

sc

Paraleln odpor Rp
Sriov odpor RS

Aill ozen plocha

A - celkov plocha

IPV

Rp

RL

Napt na lnku U = Uj- RsI

U Rs I
U Rs I U Rs I
I Aill J PV I 01 exp e

I
exp
02
e
1
kT
Rp

2kT

V-A charakteristika fotovoltaickho lnku a jej dleit body

Parametry zvisej na intenzit
dopadajcho zen

Parametry
UOC, ISC, Ump, Imp, Pm= UmpImp
( STC: 25C , 1 kW/m2, AM= 1,5)

initel plnn

U mp I mp
Pin

FF

U mp I mp
U OC I SC

innost lnku

Vliv teploty na V-A charakteristiku

a na innost
U OC
T

3,5
3

I (A)

2,5
2
1,5
1
0,5
0
0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

U (V)
25 C

35 C

45 C

55 C

65 C

75C

85 C

95 C

U FV lnk z c-Si
1 U OC
0,4% / K
U OC T

1
0.5% / K
T

S rostouc teplotou roste Rs a kles Rp

Zkladn typy lnk

Krystalick Si
Tenkovrstv lnky
CuInSe2
amorfn kemk
amorfn SiGe
CdTe/CdS

Materily a technologie pro fotovoltaick lnky

Nov materily
Gratzel, DSSC

polymery
nanotechnologie

88%

12%

R&D

lnky z krystalickho kemku vvoj technologie

FV lnky a moduly z krystalickho Si (c-Si)

FV lnky jsou realizovny z destiek krystalickho Si o tlouce 0,15 0,3 mm
a hran 100 a 200 mm

(43,4%)

c-Si mono
Ztrty materilu pi ezn cca 40%

c-Si multi

c-Si ribbon

(46,5%)

(2,6%)

Polykrystalick psky o ce 100 a 150 mm a dlce a 7 m jsou rozezny

laserem - minimln ztrty

Vroba FV lnk z c-Si

Vroba fotovoltaickch lnk (c-Si)

textura povrchu leptnm
SiN(H) antireflexn vrstva
a pasivace

kontakty realizovny
pomoc stotisku (Ag a
Al/Ag pasty)

15%

17%

FV lnek~0.5 V, ~30 mA/cm2

Pro praktick pouit je teba
lnky spojovat do srie do
modul

FV moduly mus bt odoln proti

vlhkosti, vtru, deti, krupobit
(kroupy o prmru 25 mm),
teplotnm zmnm (od -40 do
+85C) psku a mechanickmu
namhn.
Odolnost vi napt > 600 V
Poadovan ivotnost: 20 30 let

Sriov zapojen FV lnky: vemi lnky tee stejn proud

Rs

Rs
Rp

Rs

Rs
Rp

Optimln situace:

Rp

Rp

n lnk

n+1
lnk

Vechny lnky maj stejn Imp

Pokud lnky maj rzn Imp,
pracuj mimo bod maximlnho
vkonu a inost kles
U

Technologie modul z c-Si

pjen

tsnn

tvrzen
sklo
kryc folie
(tedlar)

EVA

Al rm

kryc folie
(tedlar)

FV lnky

tvrzen sklo

EVA

Provozn teplota FV lnk a modul

Provozn teplota FV lnk v modulu
zvis na teplot okol. Intenzit
dopadajcho zen na konstrukci
modulu

NOCT (Nominal Operating Cell

Temperature) je definovna jako
teplota lnk Tc pi teplot okol
Ta= 20C. intenzit slunenho
zen G = 0.8 kWm2 a rychlosti
vtru 1 ms1.

Tc Ta rthcaGab
rthcab

db

1
hb

rthcaf

df

1
hf

Na zadn stran modulu je mono

mit teplotu modulu Tmod

rthca

rthcaf rthcab
rthcaf rthcab

Tc Tmod DT

G
GSCT

Stav vroby FV lnk a modul

Vvojov trendy

Terrawattov ra:

Sov parita . 2,5 EUR/Wp

Podstatn snen ceny Si:

2008
2010

Snen ceny modul

z krystalickho kemku

> 500 USD/kg

..

54 USD/kg

Dal cl EU:
V roce 2020 doshnout vroby 10% celkov
elektrick energie pomoc fotovoltaiky pi
cen ni ne 0,1 /kWh