UNIVERSIDAD NACIONAL DE

INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA
MECNICA
PREVIO DE LABORATORIO DE ELECTRNICA INDUSTRIAL
N:02
AMPLIFICADOR BASICO A TRANSISTOR

INTEGRANTE:

NIETO JOAQUIN, Cristian Wilmer

20130468G

CDIGO DE CURSO Y SECCIN: ML837-A

PROFESOR:

Ing. HUAMANI HUAMANI, EDILBERTO

MARCO TEORICO

UNI, ciencia y tecnologa al servicio del pas

Sera imposible entender la evolucin de la electrnica digital en general, y de la

informctica en particular sin una buena comprensin de lo que es, y lo que ha
aportado el transistor a estas ciencias. El transistor vino a reemplazar a un
dispositivo denominado tubo de vaco (los tubos de vaco an se emplean en
electrnica de potencia, cuando son necesaras elevadsimas ganancias, por
ejemplo en amplificadores para trasmisin va satlite) con las siguientes ventajas:

Su consumo de corriente es mucho menor con lo que tambin es menor su

produccin de calor.

Su tamao es tambin mucho menor. Un transistor puede tener el tamao de

una lenteja mientras que un tubo de vaco tiene un tamao mayor que el de
un cartucho de escopeta de caza. Esto permite una drstica reduccin de
tamao.

Mientras que las tensiones de alimentacin de los tubos estaban alrededor de

los 300 voltios las de los transistores vienen a ser de 10 voltios con lo que los
dems elementos de circuito tambin pueden ser de menor tamao al tener
que disipar mucho menos calor y soportar tensiones mucho menores.

El transistor es un elemento constituido fundamentalmente por silicio o

germanio. Su vida media es prcticamente ilimitada y en cualquier caso muy
superior a la del tubo de vaco.

Como podemos ver el simple hecho de pasar del tubo de vaco al transistor supone
un gran paso en cuanto a reduccin de tamao y consumo y aumento de fiabilidad.
Es necesario destacar que el desarrollo del transistor se apoya en mltiples
disciplinas cientficas que abarcan la qumica, la fsica y la ingeniera de materiales
entre otras.
El Transistor Bipolar
Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en contraposicin.
Fsicamente, el transistor est consitutdo por tres regiones semiconductoras
denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los
denominados NPN y PNP:

Transistores Bipolares npn y pnp.

A partir de este punto nos centramos en el estudio de los transistores bipolares
NPN, siendo el comportamiento de los transistores PNP totalmente anlgolo.
El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora ms fuertemente dopada
con donadores de electrones, siendo su ancho intermedio entre el de la base y el
colector. Su funcin es la de emitir electrones a la base. La base es la zona ms
estrecha y se encuentra dbilmente dopada con aceptores de electrones. El colector
es la zona ms ancha, y se encuentra dopado con donadores de electrones en
cantidad intermedia entre el emisor y la base.
Condiciones de funcionamiento
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el
diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado
en inversa. En esta situacin gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la
base consiguen atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil dopado, y llegar al
colector.
El transistor posee tres zonas de funcionamiento:
1. Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y es
transistor se comporta como una pequea resistencia. En esta zona un
aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la
corriente de colector, sta depende exclusivamente de la tensin entre emisor
y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un
interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de
corriente , determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la

corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de

colector, de forma casi independiente de la tension entre emisor y colector.
Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa,
mientra que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a
mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente
de colector es prcticamente nula y por ello se puede considerar el transistor
en su circuito C-E como un interruptor abierto.

REGION DE SATURACION
Supongamos que tenemos un transistor polarizado en la RAN segn el circuito de la
Figura 7). En la tabla de resultados del ejemplo 2 queda claro que segn aumenta la
tensin EB (o bien la corriente IB) el valor absoluto de la tensin VBC disminuye.
Llegar un momento en el que, si IB crece lo suficiente VBC cambiar de signo y
pasar a ser positiva. En ese instante, la unin BC dejar de estar polarizada en
inversa, y entrar en polarizacin directa. La consecuencia es que el colector pierde
su capacidad de recolectar electrones, y la corriente IC resulta ser inferior al valor IB.

Figura 14: Transistor BJT polarizado en la regin de saturacin

Por otra parte, segn se muestra en la Figura 14, al estar las dos uniones
polarizadas en directa, la tensin entre el colector y el emisor en saturacin ser:
VCE SAT = VBE ON - VBC ON
Si los diodos BE y BC fueran idnticos, la tensin de conduccin de ambos sera
prcticamente igual, y entonces la tensin VCE SAT sera nula. Sin embargo, tal y
como se ha comentado anteriormente, el colector y el emisor se fabrican con
3

distintas caractersticas. Normalmente la tensin V BE ON es aproximadamente igual a

0,7 V, mientras que VBC ON se sita en torno a los 0,5 V. Ello conlleva una tensin
cercana a 0,2 V. Dado que la tensin de codo de los diodos permanece
prcticamente constante para las corrientes de operacin habituales, la tensin V CE
SAT es tambin independiente de las corrientes I B IC. Con ello el transistor pierde su
capacidad de gobierno sobre la corriente de colector, que ser controlada
nicamente por el circuito externo.
Anlogamente al resto de regiones de funcionamiento, tambin puede hallarse un
modelo simplificado para realizar clculos con un transistor polarizado en la regin
de saturacin:

Figura 15. Modelo simplificado del BJT en saturacin.

Como puede observarse, en este modelo se toma la tensin V CE SAT nula, pero podra
considerarse cualquier valor sin ms que incluir una fuente de tensin independiente
del valor deseado entre el colector y el emisor.
CARACTERISTICA VBE-IB
La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse
todo lo dicho cuando se estudi aqul.

Figura 17: Caracterstica IB-VBE.

La curva representada en la Figura 17 sigue la

expresin:

CARACTERISTICA VCE-IC
Segn lo explicado hasta ahora, la caracterstica V CE - IC debera ser la siguiente:

Figura 18: Caracterstica VCE -IC ideal.

Idealmente, en la RAN la corriente de colector depende exclusivamente de la de
base, a travs de la relacin
. Por lo tanto, en el plano
- , la
representacin estar formada por rectas horizontales (independientes de V CE) para
los diversos valores de IB (en este caso se ha representado el ejemplo
para

). Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de I B para no

emborronar el grfico. Para

, la corriente de colector tambin debe ser nula.
La regin de corte est representada por el eje de abscisas. Por contra,
para
el transistor entra en saturacin, luego esta regin queda representada
por el eje de ordenadas.
Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad
es un poco ms compleja (Figura 19):

Figura 19: Caracterstica

real.

Las diferencias son claras:

En la RAN la corriente de colector no es totalmente independiente de la

tensin colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia
la resistencia interna del transistor.

La regin de saturacin no aparece bruscamente para

, sino que hay
una transicin gradual. Tpicamente se suele considerar una tensin de
saturacin comprendida entre 0,1 V y 0,3 V.

SIMULACION DE LOS EXPERIMENTOS

ANALISIS EN DC PUNTO DE OPERACIN
CIRCUITO 01

CIRCUITO 02

VCE=0.5*VCC

ANALISIS EN AC GANANCIA DE TENSION