CAPACITOR, DIODO

Energa almacenada en un capacitor (parte 2) Para cargar un capacitor debe

realizarse un trabajo para transportar electrones de una placa a la otra. Como
dicho trabajo se desarrolla en un tiempo dado, se desarrolla energa cintica que
es almacenada en el capacitor como energa potencial La carga de un capacitor
puede compararse con la energa cintica desarrollada al comprimir un resorte,
este al ser comprimido almacena esa energa como energa potencial que
devolver como energa cintica cuando sea liberado. La energa almacenada en
un capacitor puede calcularse por la siguiente expresin: La energa elctrica que
puede ser almacenada en un capacitor es pequea, por lo que difcilmente puede
ser utilizado como fuente de energa. A pesar de este inconveniente, otras
propiedades que posee posibilitan mltiples aplicaciones de este componente en
circuitos electrnicos. Como se vio en la expresin, la energa almacenada en un
capacitor es directamente proporcional al cuadrado de la tensin aplicada V.
Esta condicin parece indicar que, para un capacitor dado conseguiramos
almacenar mucha energa con el solo hecho de aumentar indefinidamente la
tensin aplicada al mismo. Esto es verdad hasta un lmite dado, es real que si se
va aumentando el nivel de la tensin aplicada a las placas del capacitor la energa
almacenada en l se incrementar exponencialmente, es obvio sino no tendra
sentido la expresin matemtica
La energa almacenada en el capacitor est representada por la zona grisada de
la figura (Fig. 6), vemos que al incrementarse la tensin aumenta la carga
almacenada y como consecuencia aumenta la superficie que representa la
energa almacenada. En este punto volvemos a pensar que si siguiramos
aumentando la tensin aplicada indefinidamente conseguiramos almacenar cada
vez ms energa, ya vimos que este aumento es verdad pero tiene un lmite y ese
lmite es impuesto por el material utilizado en el dielctrico. Cuando la tensin
(diferencia de potencial) aplicada a las placas de un capacitor llega a tomar un
nivel suficientemente alto, su dielctrico se perfora y conduce. En este caso al
cortocircuitarse las placas el capacitor queda inutilizado. La tensin de
perforacin del dielctrico depende del material utilizado en l y de su espesor.
La mxima tensin que puede resistir un dielctrico sin perforarse es llamada
RIGIDEZ DIELECTRICA, est tabulada por materiales y se expresa en volts o
kilovolts por mm. o por cm.
Para que un capacitor trabaje dentro de lmites seguros, no debe soportar
tensiones superiores en forma continua a la denominada Tensin de Trabajo, que
normalmente es indicada de alguna forma por el fabricante en las especificaciones
impresas en su cuerpo. S puede soportar picos algo mayores (aproximadamente
un 40% de la tensin de trabajo) por breves instantes, siempre que estos picos no
sean continuos y repetitivos.

BARRERA DE POTENCIAL
En mecnica cuntica, la barrera de potencial finita es un problema modelo
mono-dimensional que permite demostrar el fenmeno del efecto tnel. Para ello
se resuelve la ecuacin de Schrdinger independiente del tiempo para una
partcula que incide sobre una barrera de potencial.
Desde el punto de vista clsico, si la energa de la partcula es menor que la
barrera siempre ser reflejada, es decir, rebotada. Mientras que si la energa es
mayor que la de la barrera siempre la pasar.
El comportamiento cuntico esperado es muy diferente del clsico. De hecho
sucede que cunticamente hay siempre una probabilidad finita de que la partcula
"penetre" la barrera y contine viajando hacia el otro lado, incluso cuando la
energa de la partcula es menor que la de la barrera. La probabilidad de que la
partcula pase a travs de la barrera viene dada por el coeficiente de transmisin,
mientras que la probabilidad de que la partcula sea reflejada viene dada por
el coeficiente de reflexin.
El coeficiente de transmisin se define como la relacin entre el flujo o densidad
de corriente de la onda transmitida y el flujo de la onda incidente. Se utiliza
habitualmente para obtener la probabilidad de que una partcula pase a travs de
una barrera por efecto tnel. As.

Donde jincidente es la densidad de corriente en la onda que incide antes de alcanzar

la barrera y jtransmitida la densidad de corriente en la onda transmitida al otro lado de
la barrera.
La densidad de corriente asociada con la onda plana incidente es

Mientras que la asociada con la onda plana transmitida

De esta forma, el coeficiente de transmisin se obtiene de la relacin entre los

cuadrados de las amplitudes de las ondas incidente y transmitida

Es interesante presentar una expresin aproximada para el coeficiente de

transmisin para el caso en el que la energa de la partcula
es menor que la de
la barrera . Para ello consideremos una barrera con una anchura grande.
Si
, el coeficiente
tender a cero para compensar que la
exponencial
tiende a infinito. As, la condicin de continuidad de la funcin de
onda en
se expresa en este caso simplificado como

De esta manera, si
, el coeficiente de transmisin depende de la anchura
de la barrera de forma exponencial

Para obtener la dependencia con la energa, tenemos que resolver el sistema de

ecuaciones (5), con el fin de relacionar
con
.

As,

POLARIZACIN INVERSA Y DIRECTA

Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el
terminal negativo de la batera conectado al lado p y el positivo al n, esta conexin
se denomina "Polarizacin Inversa".
En la siguiente figura se muestra una conexin en inversa:

El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a

los electrones libres, as los huecos y los electrones libres se alejan de la unin y
la z.c.e. se ensancha.
A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de deplexin
deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensin inversa
aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de la unin.
A mayor la tensin inversa aplicada mayor ser la z.c.e.

Existe una pequea corriente en polarizacin inversa, porque la energa trmica

crea continuamente pares electrn-hueco, lo que hace que haya pequeas
concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados, la mayor parte se
recombina con los mayoritarios pero los que estn en la z.c.e. pueden vivir lo
suficiente para cruzar la unin y tenemos as una pequea corriente.
La zona de deplexin empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la
izquierda, se crea as una la "Corriente Inversa de Saturacin"(I S) que depende de
la temperatura.

Adems hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por las
impurezas del cristal y las imperfecciones en su estructura interna. Esta corriente
depende de la tensin de la pila (V VP).

Entonces la corriente en inversa (I IR) ser la suma de esas dos corrientes:

Directa
Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el terminal
negativo de la fuente est conectado al material tipo n, diremos que estamos en
"Polarizacin Directa".
La conexin en polarizacin directa tendra esta forma:

En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la
fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin. Al moverse
los electrones libres hacia la unin, se crean iones positivos en el extremo derecho
de la unin que atraern a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo.

As los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir

hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos
siempre contrario al del electrn.

Lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente

entra por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a travs de la zona n como
electrn libre.
En la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn de valencia. Se
desplaza a travs de la zona p como electrn de valencia. Tras abandonar el
extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.

CURVA CARACTERSTICA
Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin llamada
barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la
zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo,
la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente
ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin
externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma
que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la
intensidad de corriente.
Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede
conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la
cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del
mismo.
Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al
polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a
la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 C en la
temperatura.
Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la
superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la
tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente
superficial de fugas.
Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede
soportar antes de darse el efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente
inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto

avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan
pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin
inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica
de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la
banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto
de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El
resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este
fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor
es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede
expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo
est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del
orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de
arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se
produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como
los Zener, se puede producir por ambos efectos.