Photodioda dibuat dari semikonduktor dengan bahan yang populer adalah
silicon ( Si) atau galium arsenida (GaAs), dan yang lain meliputi InSb, InAs, PbSe. Material ini menyerap cahaya dengan karakteristik panjang gelombang mencakup: 2500 - 11000 untuk silicon, 8000 20,000 untuk GaAs. Prinsip kerja dari photodiode secara umum ketika sebuah photon dari sumber cahaya diserap, hal tersebut membangkitkan suatu elektron dan menghasilkan sepasang pembawa muatan tunggal, sebuah elektron dan sebuah hole, di mana suatu hole adalah bagian dari kisi-kisi semikonduktor yang kehilangan elektron. Arah Arus yang melalui sebuah semikonduktor adalah kebalikan dengan gerak muatan pembawa. cara tersebut didalam sebuah photodioda digunakan untuk mengumpulkan photon - menyebabkan pembawa muatan (seperti arus atau tegangan) mengalir/terbentuk di bagian-bagian elektroda. Responsivitas dari suatu fotodioda silicon adalah ukuran dari sensitivitasnya terhadap cahaya, dan dapat diartikan sebagai rasio dari photocurrent Ip terhadap daya cahaya yang datang P pada suatu panjang gelombang: I R = P P
Gambar 2 Grafik Responsivitas dari Silikon Fotodioda
Pada Depletion Layer, medan listrik internal menggerakkan electron yang
terbentuk menuju sisi n dan hole yang terbentuk menuju sisi p. Drift current mengalir pada arah terbalik dari sisi n (katoda) menuju sisi p (anoda). Dalam satu daerah difusi (Diffusion Regions) pada ujung dari depletion layer, pembawa muatan minoritas ( hole pada n dan electron pada p) dapat mencapai depletion layer dengan difusi dan akan terbawa menuju sisi lainnya dikarenakan medan internal. Diffusion Current juga mengalir dengan arah terbalik. Pada p atau n daerah homogen, sejatinya tidak ada arus yang
tercipta dikarenakan tidak ada m edan internal yang tercipta yang
memisahkan muatan dan pembawa muatan minoritas.
Anonim. (n.d.). osioptoelectronics. Retrieved from www.osioptoelectronics.com
Jia-Ming. (n.d.). Retrieved from http://course.ee.ust.hk/elec509/notes/Lect12photodiode%20detectors.pdf