Popis formula

Naboj elektrona q = 1, 602.1019 C

Masa slobodnog elektrona m0 = 9, 1085.1031 kg
Planckova konstanta h = 6, 625.1034 Js = 4, 135.1015 eV s
Boltzmannova konstanta k = 1, 380.1023 J/K
Brzina svjetlosti: c = 2, 998.108m/s
Apsolutna dielektrika konstanta 0 = 8, 854.1014 F/cm
Relativna dielektrika konstanta R (Si) = 11, 7
Naponski ekvivalent temperature UT =

kT
q

T
11605

Energetski ekvivalent temperature ET = kT =

T
11605

eV

Zakon termodinamike ravnotee:

n p = n2i
Zakon elektrine neutralnosti:
n + NA = p + ND
Intrinsina koncentracija:
ni = C T





0
EG (T )
EG0
0
3/2
exp
=C T
exp
2 ET
2 ET

3/2

C
Si
GaAs
Ge

K 3/2
cm3
16

3.07 10
4.00 1015
1.51 1016

K 3/2
cm3
15

0
(eV )
EG0

7.07 10
2.88 1014
1.61 1015

1.196
1.556
0.776

Koncentracija upljina:

p0 = Nv exp

Wv WF
ET

WF WS
ET


= ni exp

W F i WF
ET

WF WF i
ET

Koncentracija elektrona:

n0 = Nc exp

Efektivne gustoe kvantnih stanja: NC = NV = CT 3/2

Gustina struje elektrona: Jn = qnn + qDn dn
dx
dp
Gustina struje upljina: Jp = qpp + qDp dx

Einsteinova jednaina D = UT
Diode
Kontaktni potencijal UK = UT ln
r
irina barijere db =

2
q

1
NA

non pop
n2i

1
ND

(UK U )



n
pon
Struja zasienja IS = ISn + ISp = qS Dn Lop
+
D
p
L
n
p


n
pon
IS = ISn + ISp = qS Dn wop
+
D
p wp
n


= ni exp

 Difuzijska duina D =

Difuzijski kapacitet Cd = gd 2
Kapacitet barijere CB =  dSB
U
Shockley-eva jednaina ID = Is exp( mU
1)
T