Captulo 11

FENOMENOS
NO LINEALES
Filamento de tungsteno, diodos y fuentes de poder.

11.1

INTRODUCCION

En todas las practicas realizadas hasta el presente han sido considerados elementos lineales, es decir, elementos donde la relacion voltaje-corriente esta descrita por una ecuacion lineal. Sin embargo, casi todos los circuitos dise
nados
para cualquier aplicacion especca llevan incorporados tambien elementos nolineales. Es ampliamente conocida la enorme importancia que los semiconductores tienen en la vida actual, y ellos son un ejemplo de elementos no-lineales.
En esta practica se estudiara la caracterizacion de elementos no-lineales, la
resolucion de circuitos con estos elementos, y las aplicaciones de un elemento
bastante sencillo: el diodo semiconductor.

11.2

SISTEMAS LINEALES

Considerese un sistema S sobre el cual se aplica una perturbaci

on o entrada
x(t) dependiente de una variable (por ej.: el tiempo) y del cual se recibe una
respuesta o salida y(t) dependiente de la misma variable:

x(t)

S
201

y(t)

Sean y1 (t) y y2 (t) las respuesta correspondiente a dos perturbaciones independientes x1 (t) y x2 (t) respectivamente. Se dice que el sistema S es lineal si
para una entrada de la forma:
x(t) = a1 x1 (t) + a2 x2 (t)
donde a1 y a2 son dos constantes cualesquiera, se tiene una salida de forma
similar:
y(t) = a1 y1 (t) + a2 y2 (t)
con los mismos coecientes de la entrada. Ejemplos de sistemas lineales son los
circuitos que contienen u
nicamente elementos como resistencias, condensadores e inductancias, con los cuales ya se ha trabajado. La linealidad de estos
circuitos es consecuencia directa del hecho de que la relacion voltaje-corriente
en cada elemento esta descrito por una ecuaci
on lineal:
VR = IR

11.2.1

VC =

1
C

Idt

VL = L

dI
dt

FUENTE IDEAL DE VOLTAJE

Toda fuente de energa capaz de mantener una diferencia de potencial V0

constante entre sus extremos, independientemente del valor de la corriente
I que la esta atravesando, es llamada fuente ideal de voltaje.

I
V0

11.2.2

V0

PRINCIPIO DE SUPERPOSICION

El Principio de Superposici
on ya ha sido usado por usted en otros topicos
de la fsica, por ejemplo:
i. Al expresar el movimiento de un cuerpo (posicion, velocidad, aceleracion)
como la suma vectorial de movimientos independientes en cada uno de los
tres ejes de un sistema apropiado de coordenadas.
202

ii. Al determinar el potencial y el campo electrico en un punto del espacio

como la superposicion escalar y vectorial respectivamente del potencial y
del campo electrico creado por cada una de las cargas que conforman una
distribucion de cargas.
iii. Al observar el fenomeno de interferencia (constructiva o destructiva) de la
luz, el cual es resultante de la superposicion de ondas armonicas coherentes
provenientes de distintas fuentes puntuales.
En el caso particular de circuitos el
ectricos el principio de superposicion establece que la respuesta de un circuito lineal a perturbaciones simultaneas por varias fuentes independientes de energa es la superposicion
de las respuestas separadas a cada una de las fuentes.
Como ejemplo, considerese el siguiente circuito lineal:
R1 = 2K

+
-

E1 = 8V

R2 = 1K

+
E
-

= 2V

De forma general, cuando existen varias fuentes de voltaje y se va a calcular la respuesta de una de ellas solamente, se procede a cortocircuitar las
restantes fuentes de voltaje.
Entonces para E1 se obtienen las corrientes indicadas:
R1 = 2K

E1 = 8V

+
-

I1 (E1 ) = 4mA
I2 (E1 ) = 0

I1 (E1 )
R2 = 1K

y para E2 se obtiene:
203

(E2
cortocircuitada!)

R1 = 2K

+E
-

I1 (E2 ) = 1mA

(E1
cortocircuitada!)

R2 = 1K

I2 (E2 ) = 2mA

= 2V

Haciendo la superposicion (suma algebraica) de las corrientes se consigue

el resultado nal:
R1 = 2K

+ I = 3mA
- I = 2mA
1

E1 = 8V

I3 = 1mA
R2 = 1K

+
E
-

= 2V

Se sugiere comprobar el resultado anterior realizando la resolucion usual

de las mallas.

11.3

CIRCUITOS DE UN PUERTO
O DIPOLOS

Todo circuito que posea dos terminales es denominado tambien circuito de

un puerto o dipolo, por ejemplo:

R
C

Si dentro del circuito existen fuentes de energa, se dice que el dipolo es

activo. En caso contrario (gura precedente) se dice que el dipolo es pasivo.
204

11.3.1

CURVAS CARACTERISTICAS
Y
EQUIVALENCIA DE DIPOLOS

La aplicacion de una diferencia de potencial externa a los terminales de un circuito produce una corriente a traves del mismo. Al graco de esta corriente en
funcion de la diferencia de potencial se le conoce como curva caracterstica
del dipolo.

Como un ejemplo sencillo considerese un circuito constituido por

una resistencia Rd en serie con una
fuente Vd (dipolo activo):

Para obtener la curva caracterstica de este dipolo se utiliza una fuente

externa de voltaje variable V :

a
R

Vd

a
R

Vd

b
(
La ecuacion del circuito es: V Vd = IRd , de donde I =
La representacion graca I(V ) es
entonces una recta de pendiente R1d ;
notese que para V < Vd , la corriente
es negativa, es decir, inversa al sentido
indicado en el circuito.

V Vd

Rd

I
1
Rd

V
Vd
R
d

Vd

Dos circuitos de un puerto son equivalentes si ambos presentan la misma

caracterstica I(V ).
205

TEOREMA DE THEVENIN

11.3.2

Es usual al tener una red activa el determinar el voltaje y/o la corriente

entre los dos terminales cuando se conecta una resistencia de carga RL .
Dipolo
activo

RL
(carga)

En particular si la red es lineal, existen teoremas que permiten simplicar

notablemente los calculos, y uno de ellos, el Teorema de Thevenin, establece que cualquier red resistiva de un puerto puede ser substituida por una
combinacion en serie de una fuente ideal de voltaje (VT ) y una resistencia (RT ):
el valor de VT es la diferencia de potencial que existe entre los terminales del
puerto cuando no hay carga aplicada (circuito abierto) y el valor de RT es
la resistencia equivalente del circuito vista desde los terminales del puerto con
todas las fuentes independientes de energa en cero (fuentes de voltaje cortocircuitadas). En caso de que el dipolo contenga bobinas y/o condensadores
debe entonces calcularse la impedancia equivalente ZT .
Como ejemplo, considerese el siguiente circuito:
Como no hay carga aplicada:

a
Ra

+V
-

Rb
V
Ra + Rb
As mismo, al cortocircuitar V ,
quedan simplemente dos resistencias
en paralelo por lo que:
VT = Vab = VRb =

Rb
b

RT =
a

+
- V

RT
T

Ra Rb
Ra +Rb

y el circuito equivalente de Thevenin resultante es el mostrado al lado

izquierdo, con los valores de VT y RT
ya calculados.

206

11.4

SISTEMAS NO LINEALES

La inclusion en un circuito de elementos no-lineales no permite la resolucion

analtica del circuito, ya que en general no se conoce la expresion analtica
de las caractersticas de los elementos no-lineales. Como estas caractersticas se conocen gracamente, resulta sencillo recurrir al m
etodo gr
afico para
resolver sistemas de ecuaciones, lo cual se discute a continuacion.

11.4.1

ANALISIS
DE CIRCUITOS CON UN
SOLO ELEMENTO NO LINEAL

Supongase que se tiene un elemento no-lineal cuya caracterstica I(V) es conocida, y que dicho elemento esta conectado a un sistema lineal activo.
Para calcular la corriente y el voltaje a traves del elemento no-lineal se
procede a representar en forma separada la parte lineal activa y el mencionado
elemento no-lineal.
I
a
Dipolo
Lineal

Caracterstica
del elemento
no-lineal

Elemento
no-lineal
b

De acuerdo al teorema de Thevenin, la red lineal activa es sustituible

por su dipolo equivalente:

+V R
-

Elemento V
no-lineal

de esta forma se cumple que:

VT = IRT + V I =

VT V
RT

donde el voltaje V en el puerto de salida debe ser compatible con la caracterstica del elemento no-lineal.
207

RECTA DE CARGA.

PUNTO DE OPERACION.

11.4.2

Para encontrar la condicion de compatibilidad anterior es necesario resolver un

sistema de dos ecuaciones con dos incognitas (I, V ), lo cual se puede hacer en
forma graca superponiendo la representacion de la ecuacion anterior I(V )
con la caracterstica del elemento no-lineal:
I
Caracterstica
no-lineal

VT
RT

Punto de trabajo

I0
Recta de carga: I =
V0

VT

VT
RT

V
RT

El punto Q que da la interseccion de las dos gracas, es la u

nica solucion
que satisface simult
aneamente a ambos elementos (lineal y no-lineal) y por
lo tanto indica los valores de corriente y voltaje (I0 , V0 ) del elemento no-lineal.
Este punto Q se llama punto de trabajo o de operaci
on.
La ecuacion I(V ) del dipolo lineal activo corresponde a una recta que se
denomina recta de carga.

11.5

FILAMENTO DE TUNGSTENO

Existen en la naturaleza ciertos materiales que al aplicarseles una diferencia

de potencial entre dos puntos de una muestra de ellos, se produce una circulacion de corriente electrica proporcional a la diferencia de potencial aplicada,
siendo la constante de proporcionalidad independiente de dicha diferencia
de potencial, por lo cual, la curva caracterstica I(V ) resulta una lnea recta
que pasa por el origen, y el inverso de cuya pendiente da la resistencia del
material.

208

Este tipo de materiales cuya graca I(V ) nos da una lnea recta se dice
que cumplen con la ley de Ohm. Algunos materiales cumplen con la ley de
Ohm solamente para un cierto intervalo de voltaje generalmente bajo.

En un conductor como el tungsteno, para corrientes sucientemente

bajas, se observa un comportamiento lineal en la relacion I(V ), pero al
aumentar la corriente que lo atraviesa
ocurre una desviacion de la linealidad.

1
R

Este efecto de no-linealidad puede ser explicado teniendo en cuenta que

el aumento de corriente y por lo tanto, de la potencia disipada en el conductor,
produce un aumento( de la temperatura de este conduciendo a una variacion
de la resistividad (T ) = 0 [1 +
(T T0 )] donde
para el tungsteno
)

8
3
1
(20 C)( = 5, 6 10) m y
= 4, 5 10 C , y por ende de la resisl
tencia R = (T ) A .

En el caso de conductores metalicos, como por ejemplo el tungsteno, la

resistividad aumenta con la temperatura, y la resistencia tambien lo hara, ya
no efecto de
que el incremento en la resistividad es dominante sobre el peque
dilatacion termica. Esto explica que la pendiente de la graca I(V ) disminuya
al aumentar la corriente.
209

Un elemento mal conductor como el carb

on, muestra una caracterstica
con una curvatura inversa, consecuencia de una disminuci
on de la resistividad con el incremento de la temperatura.
A pesar de que ocurra un comportamiento no-lineal, se dene la resistencia
mediante la relacion R = V /I, pero en este caso la resistencia no resulta constante, si no que depende de la corriente, R(I). A esta resistencia se le llama
resistencia est
atica y se le diferencia de la resistencia din
amica denida como la derivada R = dV /dI, la cual tambien depende de la corriente y describe
con mas presicion las variaciones que ocurren alrededor del punto de operacion.
Un lamento de tungsteno es
usualmente representado por el siguiente smbolo:

11.6

DIODO SEMICONDUCTOR

Otro elemento de circuito en el cual se encuentra un comportamiento no-lineal

es el llamado diodo semiconductor, cuya curva cararterstica no es una lnea
recta a
un a temperatura constante. La explicacion de la no-linealidad no
esta entonces en la variacion de la temperatura y para entender ese efecto hay
210

que realizar un estudio previo de los materiales semiconductores con los

cuales se construye el diodo.

11.6.1

SEMICONDUCTORES INTRINSECOS

En un material semiconductor, puro o intrnseco, por ejemplo el germanio o el silicio, los cuatro electrones de
valencia que posee cada atomo participan en enlaces covalentes con
los cuatro atomos vecinos, tal como
se simboliza en el siguiente modelo
bidimensional:
Este tipo de material sera aislante si no fuera porque, a
un a temperatura
ambiente, algunos de estos enlaces estan rotos y por lo tanto existen electrones libres capaces de moverse. El rompimiento de estos enlaces es debido
a la agitacion termica de electrones enlazantes.
La relaci
on de electrones libres ( 1013 cm3 ) a electrones enlazantes
23
3
( 10 cm ) es muy peque
na ( 1010 ) y esto diferencia a los semiconductores de los metales, donde en estos u
ltimos el n
umero de electrones libres o de
23
3
conduccion es ( 10 cm ).
Cuando un electron se libera de un enlace, deja tras de el un d
eficit de
carga negativa, es decir, una carga positiva virtual en la region del enlace roto.
A esta carga positiva se le llama hueco, debido a que resulta de una vacancia
electronica.
Un electron de un enlace vecino
puede igualmente escapar y llenar la
vacancia anterior, con lo cual se observa un desplazamiento del hueco en
direccion contraria a la del electron.

211

11.6.2

SEMICONDUCTORES DOPADOS

De lo descrito anteriormente se deduce que el n

umero de huecos y electrones
libres en un semiconductor intrnseco es el mismo. Esta situacion puede alterarse mediante la introduccion de atomos de otros elementos a manera de
impurezas en el semiconductor, las cuales pueden ser de dos clases: donadoras o aceptoras
Las impurezas donadoras estan constituidas por atomos con cinco electrones de valencia, por ejemplo arsenico o antimonio. Cuando un atomo de
una impureza donadora sustituye a un atomo del semiconductor, comparte
cuatro de sus electrones de valencia con sus respectivos cuatro atomos vecinos
y el quinto electron de valencia de la impureza no sera compartido y estara en
libertad de moverse, contribuyendo entonces a la conduccion del material.
Debido a esto habra en el material un exceso de portadores negativos,
por lo que los semiconductores as constituidos son llamados tipo-n.
Las impurezas aceptoras estan constituidas por atomos de valencia tres,
por ejemplo galio o indio. En este caso, al sustituir a un atomo de un semiconductor intrnseco por un atomo de una impureza aceptora, solo tres atomos
de la impureza pueden ser compartidos, quedando un enlace incompleto o
hueco, el cual puede ser ocupado por un electron de un enlace vecino, lo que
corresponde al movimiento de un hueco en direccion contraria al movimiento
del electron. Los responsables de la conduccion seran entonces estos huecos.
A los semiconductores con este tipo de impurezas se les llama de tipo-p ya
que hay un exceso de portadores positivos o huecos.
La gura a continuacion muestra una representacion bidimensional de
los dos tipos (n y p) de semiconductores dopados:

212

11.6.3

EL DIODO

Un diodo semiconductor se construye uniendo dos porciones de semiconductores con diferente dopado, uno tipo-n y otro tipo-p. En la region de la junta
ocurre inicialmente una recombinacion de electrones y huecos: electrones libres
del material tipo-n tenderan a llenar huecos del material tipo-p. Como consecuencia de esta recombinacion de electrones y huecos, aparecera un campo
que reducir
electrico E
a el n
umero de nuevas recombinaciones, alcanzandose

una condicion de equilibrio en la cual la porcion tipo-n de la junta presenta

un decit de electrones (polarizacion positiva) y la porcion tipo-p presenta un
(y su
decit de huecos (polarizacion negativa), creando un campo electrico E
diferencia de potencial asociada V ). Este efecto guarda alguna similitud con
lo que ocurre en el Efecto Hall y que da lugar al voltaje de Hall. La siguiente
gura muestra un esquema simplicado de las dos porciones antes y despues
de unirlas.
V

---

---

----

T ipo n

+++
+++
+++
+++
+++

---

T ipo p

---

----

+++
+++
+++
+++
+++

en la misma direccion de
Si se coloca externamente un campo electrico E
, el nuevo campo impedira a
E
un mas el paso de carga de la porcion tipo-n
a la tipo-p y la corriente sera nula, diciendose entonces que el diodo se halla
es
polarizado en paso difcil. Si en cambio, el campo electrico externo E
, habra tendencia a nuevas recombinaciones
aplicado en direccion opuesta a E
y por lo tanto circulara una cierta corriente por el diodo, diciendose en este
caso que el diodo se encuentra polarizado en paso f
acil.
Las guras a continuacion muestran las caractersticas para un diodo ideal
y un diodo real. Notese que en el caso real, la corriente en el paso difcil no es
estrictamente cero, sino que es muy peque
na, del orden de los microamperios.
Esta corriente es llamada corriente inversa de saturacion.
En el paso facil hay una peque
na limitacion al comienzo de la curva, originada por el potencial de barrera de la junta, el cual es alrededor de 0, 6 V
para diodos de silicio y 0, 2 V para diodos de germanio. Para voltajes exter213

nos superiores al potencial de barrera, el diodo comienza a conducir corrientes

grandes, en el orden de los miliamperios.
I(mA)

Vr
V

Ideal

Real
I(A)

El smbolo usado para representar gracamente al diodo semiconductor

donde la echa indica la direccion en que la corriente uye faciles
mente, es decir, del tipo-p hacia el tipo-n, correspondiente a la polarizacion en
paso facil (recuerdese que los electrones se mueven al contrario de la corriente).
De las curvas caractersticas resulta inmediato que la resistencia de un diodo es muy peque
na en paso f
acil (cero en el caso ideal) y muy grande en
paso difcil (innito en el caso ideal) por lo cual es sencillo reconocer el paso
facil con un tester.
Un aspecto adicional interesante de los diodos ocurre en el paso difcil:
cuando el voltaje inverso aplicado excede un cierto valor caracterstico del tipo
de diodo, la corriente inversa aumenta violentamente debido a la producci
on
de pares libres de electron-hueco que tienen movilidad y que son generados
por dos mecanismos: la ruptura de enlaces covalentes debida al campo electrico aplicado y/o el efecto de avalancha originado por portadores que ganan
suciente energa cinetica como para poder ionizar atomos con los cuales colidan. Los dos mecanismos pueden estar presentes en un mismo diodo y quien
domine depende del rango de voltaje donde ocurre la ruptura de acuerdo al
tipo de diodo.
I(mA)

Vr

I(A)

214

Los diodos normales al alcanzar el voltaje de ruptura (Vr ) se queman al no

poder disipar la potencia por efecto Joule causada por el violento incremento
de la corriente en paso inverso.
Existe otro tipo de diodo dise
nado para trabajar en esta condicion de polarizacion inversa, estos son conocidos como diodos Zener y su smbolo es:
Debido a que ese voltaje de ruptura, que ahora toma el nombre de voltaje
zener, es casi independiente de la corriente que atraviesa por el, se les usa como
reguladores de voltaje y son normalmente conseguidos en el rango de 2, 4 V a
200 V con valores predeterminados no continuos (por ejemplo 2,4 ; 2,8; 6,2;
9,1; 87; 175 V; etc. ) y son capaces de disipar potencias de 0, 5 W a 50 W .

11.7

FUENTES DE PODER

11.7.1

GENERALIDADES

Casi todos los instrumentos contienen circuitos que requieren corriente directa
para su funcionamiento. Muchos de estos circuitos funcionan con elementos
como transistores y circuitos integrados (chips) que operan con voltajes de
algunos volts. Estos voltajes pueden ser suministrados en algunos casos por
bateras, pero en la mayora de los casos se recurre a fuentes de poder, las
cuales usan la lnea domestica AC, y mediante diodos, resistencias, condensadores y otros dispositivos convierten el voltaje AC suministrado por la lnea
domestica en el voltaje DC requerido.
El proceso de conversion de AC a DC requiere de cuatro etapas:
i. Transformaci
on: mediante un transformador, ya estudiado en la practica anterior, se pasa del voltaje de la lnea (110 o 220 V ) a un voltaje AC
algo mayor que el voltaje DC requerido.
ii. Rectificaci
on: el uso de diodos permite cambiar una corriente alterna
sinusoidal (que va en dos direcciones) en una corriente directa pulsante
(no constante pero con una sola polaridad).
iii. Filtrado: con un condensador apropiado se suaviza la se
nal pulsante de
DC hasta lograr un valor constante en el tiempo.
215

iv. Regulaci
on: la estabilidad de la fuente ante variaciones de las condiciones
de los circuitos que va a alimentar, o del voltaje de la lnea, puede ser
lograda por diferentes metodos, uno de los cuales por ejemplo, utiliza un
diodo Zener para mantener constante el voltaje de salida de la fuente.

11.7.2

RECTIFICACION

Una de las aplicaciones mas importantes de los diodos es la rectificaci

on
de la corriente alterna, es decir, su cambio a corriente directa pulsante,
consecuencia de que el diodo conduzca efectivamente en una sola direccion. La
corriente en un circuito en serie con un diodo, como se muestra a continuacion,
no puede ser alterna sino directa pulsante:

En el circuito anterior puede notarse que, de acuerdo a la colocacion del

diodo, los medio ciclos positivos del voltaje alterno polarizan al diodo en paso
facil y por lo tanto habra una conduccion casi total de la corriente a traves
de la resistencia de carga, mientras que los medio ciclos negativos polarizan
al diodo en paso difcil y casi no hara conduccion. En terminos mas simples,
la corriente total resulta entonces con medios ciclos positivos y medios ciclos
nulos (recuerdese que la corriente en paso directo es del orden de miliamperios
mientras que en paso inverso es del orden de microamperios), por lo que su
valor medio es positivo (y no cero como en el caso de la corriente sinusoidal).
Se dice entonces que la onda ha sido recticada y el sistema se conoce como
recticador de media onda, ya que solo la mitad del voltaje alterno original
esta presente en la carga.
Una mejora en el proceso de recticacion se consigue utilizando un sistema de cuatro diodos dispuestos en forma de puente, orientados tal como se
muestra a continuacion:
216

+
D2

El esquema mostrado a la izquierda es

una manera mucho mas facil de recordar el montaje de un puente recticador de onda completa. El uso de los
puentes recticadores de onda completa es tan com
un que en la actualidad
se venden como un solo dispositivo

D3
RL

D1

D4
-

(redondo o rectangular) de cuatro terminales, dos de ellos marcados con una

onda sinusoidal (), correspondiente a la entrada, donde debe conectarse la
se
nal alterna (bien sea de un transformador o de un generador) y los otros
dos se
nalados con + y , que corresponden a las salidas positiva y negativa
respectivamente.
Se puede notar que durante los medios ciclos positivos conducen los diodos
D2 y D4, mientras que en los medios ciclos negativos lo hacen D1 y D3,
pero en cualquiera de los casos, la direccion de la corriente a traves de la
resistencia de carga, RL , es la misma. La onda resultante consta de sucesiones
de medios ciclos positivos, resultando su valor medio tambien positivo pero
mayor que en el caso del sistema de un solo diodo. Este sistema de cuatro
diodos es llamado recticador de onda completa. Notese que la frecuencia de
las variaciones de la onda recticada resulta el doble de la de la onda original.
Otro recticador de onda completa usado es el que se muestra a la derecha conformado por solo un par de
diodos y un transformador con derivacion central center tab (una salida
en el punto medio del secundario que

217

RL

nos permite tener dos salidas del mismo voltaje). Su desventaja es que los
diodos deben soportar un voltaje de pico inverso el doble del caso anterior.

11.7.3

FILTRADO

La se
nal de salida de un recticador de onda completa es una se
nal directa
pulsante, la cual vara alrededor de un valor promedio. Esta se
nal puede
ser considerada como constituida por la superposici
on de dos componentes:
una componente AC cuya forma es de media sinusoide y una componente
DC. La mayora de las aplicaciones requieren que la componente AC sea
mucho menor que la componente DC, es decir, que la se
nal sea lo mas constante posible. Esto puede lograrse usando la propiedad de carga y descarga de
un condensador de una capacidad lo sucientemente grande, conectado en
paralelo con la resistencia de carga:

En este circuito el condensador se carga hasta un valor cercano al voltaje

de pico del voltaje de entrada y luego comienza a descargarse lentamente
a traves de la resistencia hasta que la siguiente subida de voltaje lo vuelve
a cargar repitiendose el proceso cclicamente. El valor de la capacidad se
escoge de forma de conseguir un tiempo de descarga largo. De esta manera el
valor promedio de la se
nal aumenta respecto al caso del recticador de onda
completa solo y al mismo tiempo la componente AC disminuye fuertemente
respecto a la componente DC. El valor pico a pico de la componente AC recibe
el nombre de Voltaje de Rizo (en ingles Riple).
218

11.7.4

REGULACION

Una fuente de poder es un dipolo

activo que por el teorema de Thevenin
puede ser vista como se muestra en el
dibujo a la derecha, observandose que
al conectar una carga RL rige la ecuacion: V0 = VT IRT
Puede notarse que cualquier causa que cambie la corriente (por ejemplo
una resistencia de carga diferente) o que modique el voltaje equivalente de
Thevenin (por ejemplo uctuaciones en la lnea) tambien cambiara el voltaje
de salida de la fuente, haciendola por lo tanto no-estable. Para poder tener
una fuente de poder regulada es necesario compensar entonces los cambios
de corriente y/o del voltaje equivalente.
Uno de los dispositivos con el
cual se consigue una regulacion es el
diodo Zener, el cual es conectado en
paralelo a la salida y en paso difcil,
escogiendose un diodo cuyo voltaje zener corresponda al valor del voltaje
que se quiere estabilizar.
Como el voltaje inverso en el diodo es aproximadamente constante para
un amplio rango de corrientes inversas, la resistencia efectiva del Zener
RZ = V0 /IZ cambia para compensar las variaciones en corriente o voltaje y
mantener constante el valor de V0 .

11.7.5

EJEMPLO DE CALCULO
DE
CON ZENER
REGULACION

Supongase que se quiere construir una fuente regulada por Zener de V0 = 5 V

con una corriente maxima de carga de IL = 50 mA.
Al revisar los manuales nos damos cuenta que el voltaje de Zener que mas
se le aproxima es el que corresponde a un Zener de VZ = 5, 1 V . Como norma
escogeremos la corriente que pase por el Zener como el 10% de la corriente
maxima de carga o sea IZ = 0, 1 IL (max), por lo tanto en nuestro ejemplo
219

IZ = 0, 1 50 mA = 5 mA.
Por lo tanto, del dibujo anterior vemos que: I = IZ + IL = 55 mA, el voltaje VT se escoge de tal manera que 1, 4VZ 6 VT 6 1, 6VZ en nuestro ejemplo
7, 14V 6 VT 6 8, 16V en ese intervalo podemos escoger que VT = 8 V .
Para calcular el valor de la resistencia RT la cual limitara la corriente que
pase por el Zener debemos recorrer la malla interna del circuito con lo que
Z
= 85
K RT 54, 54.
encontramos VT IRT VZ = 0 RT = VT V
I
55
La potencia maxima disipada en la resistencia limitadora, RL , sera:
P = VRL I = 3 55 103 W = 165 mW .
Si se le quita la carga a la fuente (RL = ), el Zener debera disipar toda la
potencia y por lo tanto PZ (max) = I VZ = 55 5mW = 275mW ; los Zener
se fabrican normalmente con capacidades para disipar 0, 5; 1; 5; 10 y 50W
por lo tanto podemos escoger el mas peque
no y a
un as poseera una capacidad
para disipar una potencia muy superior a la calculada.

11.8

PARTE EXPERIMENTAL

11.8.1

CARACTERISTICA
DE UN
FILAMENTO DE TUNGSTENO

1.a Instale el circuito mostrado a la derecha, donde se utilizara una fuente

de poder variable de 0 30 V y un
peque
no bombillo.

V Tester

E
150
10W
V

Tester
Midiendo directamente el voltaje a traves del bombillo y calculando la
corriente a traves de la resistencia, proceda a hacer la graca I(V ) para el
bombillo. Si su fuente posee limitador de corriente este debe ser colocado
al maximo para poder realizar las medidas I(V ).
220

1.b Calcule la resistencia estatica R = V /I tanto en fro (para bajas corrientes)

como en caliente (bombillo encendido con la maxima tension aplicada).
1.c Utilizando el graco (T ) de la seccion 11.5, determine primero la resistividad en fro (temperatura ambiente) y luego estime la temperatura
del lamento cuando esta aplicada la maxima tension sobre el bombillo,
L
suponiendo que en la expresion R = A
permanece constante con la temperatura.

11.8.2

ANALISIS
DE UN CIRCUITO CON UN
FILAMENTO DE TUNGSTENO

2.a Considere la porcion lineal de la graca I(V ) obtenida con el circuito de

la parte anterior. Para E = 10 V , trace la recta de carga correspondiente
sobre el mismo graco de la caracterstica del bombillo. Determine las
coordenadas del punto de operacion.
2.b Coloque la fuente en 10 V y mida los valores de voltaje y corriente en el
bombillo. Compare con los valores dados por el punto de operacion.

11.8.3

CARACTERISTICA
DE UN DIODO

3.a Considere los siguientes montajes para medir voltajes y corrientes. Discuta
la presicion de las medidas en cada caso.

V
V
A

3.b Mediante el tester anal

ogico mida la resistencia de un diodo colocando
las puntas de prueba, primero de alguna manera y luego invirtiendolas.
Identique el paso facil y el paso difcil previo conocimiento de la polaridad
de las puntas de prueba.
221

3.c Haga la graca I(V ) para el diodo mediante el uso de los circuitos mostrados a continuacion:

A
E

V
360
10W

E
360

Paso Facil

10W

Paso Dicil

E es nuevamente una fuente entre 0 y 30 V . Haga sus medidas de 0 a 1 V

incrementando el voltaje de la fuente en intervalos de 0, 1 V y a partir de
1 V incremente el voltaje de 2 en 2 V , represente tanto el paso facil como
el paso difcil en un solo graco diferenciando los factores multiplicativos
para los ejes de corrientes positivos y negativos.

11.8.4

ANALISIS
DE UN CIRCUITO
CON UN DIODO

4.a Considere la parte lineal de la graca I(V ) del circuito anterior en paso facil. Para E = 10 V trace la recta de carga sobre el mismo graco
de la caracterstica del diodo. Determine las coordenadas del punto de
operacion.
4.b Coloque la fuente en 10 V y mida los valores de voltaje y corriente en el
diodo. Compare con los valores dados por el punto de operacion.
4.c Eval
ue de la graca las resistencias estatica y dinamica del diodo en el
punto de operacion. Compare con el valor medido directamente con el
tester.

11.8.5

DE MEDIA ONDA
RECTIFICACION

5.a En el mismo circuito en paso facil:

222

Vi

360
10W

V0

mida y graque el voltaje de salida V0 en la resistencia en funcion del

voltaje de entrada al circuito, Vi , utilizando la misma fuente variable, pero
ahora entre 0 y 20 V . Determine el potencial de barrera de la junta.
5.b Instale el siguiente circuito, usando los dos canales del osciloscopio en posicion DC. Dibuje y mida las dos se
nales de entrada y de salida (componente
AC y componente DC) para voltajes de entrada de 2, 5, 10 y 20 V de amplitud. Interprete los resultados en base al graco del punto anterior.
1
2
5KHz
(Rg = 600)

BLT
(R0 = 1M )

1K

Nota: en algunos casos el uso simultaneo de los dos canales del osciloscopio
para realizar las medidas en el circuito anterior causa una deformacion de
la se
nal, por ello en el circuito anterior se ha simbolizado el uso de un solo
canal para realizar las medidas del voltaje en la fuente y en la resistencia,
alternativamente.

11.8.6

DE ONDA COMPLETA,
RECTIFICACION

FILTRADO Y REGULACION

6.a Instale el siguiente circuito:

223

Dibuje y mida las se

nales de entrada y salida (componentes AC y DC) para
una entrada de 20 V de amplitud. Mida en el mismo canal, cambiando los
cables de el canal 1 y la tierra para cada se
nal (note que si conecta las
dos tierras mostradas en el esquema anterior al mismo tiempo uno de los
diodos no funcionara).
6.b En el mismo circuito anterior se va a agregar un condensador en paralelo
a la resistencia de carga de 1 K. Nuevamente dibuje y mida las se
nales
de entrada y salida para un voltaje de entrada de 20 V de amplitud y
para distintos condensadores C = 0, 001; 0, 01; 0, 1; 1 y 10f (debe tener
cuidado con la polaridad al conectar condensadores electrolticos).
6.c En el mismo circuito, con el condensador de 1f , proceda a desconectar
la resistencia de 1 K, de manera que la resistencia de carga sea la del
osciloscopio (1 M ). Compare los resultados con los del punto precedente.
6.d Coloque ahora un diodo Zener de 18 V en paralelo con el condensador y
en paso difcil (vea la gura de la pag 219) y observe la se
nal de salida.
Vuelva a conectar la resistencia de 1 K. Compare los resultados.
6.e En el mismo circuito anterior, proceda a variar la frecuencia utilizando
todo el rango disponible en el generador. Observe la se
nal de salida.

11.8.7

DE UNA FUENTE
CONSTRUCCION
DE PODER

7.a Ud. tiene ahora todos los elementos para construir una fuente de poder.
Como alimentacion usara la lnea domestica (110 V 60 Hz), pero por razones de seguridad esta no sera conectada directamente al transformador
sino a traves de un variac. Instale el circuito mostrado:

224

7.b Partiendo de un valor cero en el variac, vaya subiendo el voltaje hasta

llegar a 110 V , medidos con un tester. Observe y mida la se
nal de salida
en el osciloscopio.
7.c Desconecte la resistencia de 5, 6 K. Observe el resultado y comparelo
con el del punto anterior.

11.9

CONOCIMIENTOS PRELIMINARES

Antes de realizar la practica el estudiante debe tener claro los siguientes conceptos:
1 2 Sistema lineal: Entrada y salida.
2 2 Fuente ideal de voltaje.
3 2 Principio de superposicion.
4 2 Circuitos de un puerto (dipolos) activos y pasivos. Curva caracterstica.
Circuitos equivalentes.
5 2 Teorema de Thevenin.
6 2 Elementos lineales y no lineales.
7 2 Resolucion graca de circuitos con elementos lineales y no-lineales. Recta
de carga. Punto de operacion.
8 2 Dependencia de la resistividad y la resistencia con la temperatura. Casos
de lamentos de tungsteno y de carbon.
9 2 Resistencia estatica y resistencia dinamica.
10 2 Semiconductores intrnsecos: electrones libres y electrones enlazantes. Huecos.
11 2 Semiconductores dopados. Semiconductores tipo-n y conduccion por electrones libres. Semiconductores tipo-p y conduccion por huecos.
12 2 Diodo semiconductor. Recombinacion de electrones y huecos. Potencial
de barrera de la junta.
225

13 2 Polarizacion en paso facil y en paso difcil.

14 2 Curvas caractersticas para un diodo ideal y para un diodo real.
15 2 Corriente inversa de saturacion.
16 2 Resistencia de un diodo en paso facil y en paso difcil.
17 2 Diodos Zener. Mecanismos de conduccion. Condicion de operacion.
18 2 Fuentes de poder.
19 2 Recticacion de media onda y de onda completa.
20 2 Filtrado de una se
nal. Regulacion.

11.10

OBJETIVOS

Al nalizar la practica el estudiante debe estar en capacidad de:

1 2 Determinar las curvas caractersticas de un lamento de tungsteno y de
un diodo.
2 2 Estimar la temperatura de operacion de un lamento de tungsteno.
3 2 Resolver gracamente un circuito con un elemento no-lineal y obtener el
punto de operacion.
4 2 Identicar con ayuda de un tester el paso facil y el paso difcil de un diodo.
5 2 Determinar gracamente el potencial de barrera de la junta de un diodo.
6 2 Instalar un circuito recticador de media onda y de onda completa.
7 2 Mejorar un recticador de onda completa mediante el uso de un ltro
apropiado y de una regulacion.
8 2 Construir una peque
na fuente de poder.

IE/LC/DM/14-03-2002
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