SISTEMUL $THNTEI MATERIALELOR. 17 Rew vw 6. reducerea procentului de rebuturi; cresterea reproductibilitatii parametrilor care caracterizeazi materialul; analiza si micsorarea concentratiei de defecte si impuritati; cresterea competitivitatii produselor si materialelor pe piata intemd si pe piata externa. 1.9. Programe de calcul electronic pentru SM ALLOYDATA - Chart T. G., Dinsdale A. T., Putland F. H. - National Physical Laboratory, Teddington, Middlesex, Anglia, 1978. BINFKT - Program LUKAS pentru sisteme binare. BINGSS - Program LUKAS pentru sisteme binare. CHEMOPT - Kénigsberger E., Eriksson G., 1995. Royal Institute of Technology, Stockholm. CHEMSAGE - Eriksson G., Hack K., 1990. Royal Institute of Technology, Stockholm, GTT, Herzogenrath, Germania. DICTRA - Agren J., 1992. Royal Institute of Technology, Stockholm si Max Planck Institute for Iron Research, Diisseldorf. F*A*C*T - (Facility for Analysis of Chemical Thermodynamics) - Bale C. W., Pelton A. D. McGill University, Centre for Research in Computational Thermochemistry, Ecole Polytechnique, Montreal, 1979. FITBIN - Thompson W. T., Eriksson G., Pelton A. D., Bale C. W., 1988. Royal Institute of Technology, Stockholm. HSC Chemistry - Programul Gibbs pentru DEF - Outokumpu Research Oy, Pori, Finlanda. LCRSE (Line Compound Regular Solution Equilibria) - Program ManLabs. LUKAS - Lukas H. L., Henig E. Th., Zimmerman B., 1977. Institut fur Werkstoffwissenschaft, Max Planck Institut fiir Metallforschung, Stuttgart. MANLABS - Kaufman L. ManLabs - Brochure on ManLabs - NPL Materials Data Bank, 1974. ManLabs Inc., Cambridge, Massachusetts, SUA. Programe: TRSE, LCRSE, TERNRY, MIGAP, TERCP. MIGAP (Miscibility Gap) - Program ManLabs pentru diagrame de echilibru ternare cu lacuna de solubilitate. MSIT - (Materials Science International Team) Materials Science Intemational Services, Stuttgart. MTDATA - Davies R. H., Dinsdale A. T. s.a. Division of Materials Metrology, National Physical Laboratory, Teddington, Middlesex, Anglia, 1991. NANCYUN - Université de Nancy 1, Franta. PARROT - Jansson B., Royal Institute of Technology, Stockholm, 1984. PHACOMP - (Phase Computing), 1977. PMLFKT - Lukas H. L., Weiss J., Henig E. Th., 1982. Institut fiir Werkstoffwissenschafi, Max Planck Institut fiir Metallforschung, Stuttgart. POLY - Jansson B., Royal Institute of Technology, Stockholm, 1984. PROCAST - Samonds M., Waite D., 1993. SOLGAS - Eriksson G., 197]. Royal Institute of Technology, Stockholm.18 TRATAT DE STIINTA SI INGINERIA MATERIALELOR METALICE 23. SOLGASMIX - Eriksson G., 1975. Royal Institute of Technology, Stockholm. 24. | TERCP (Ternary Compound - Solution Phase Equilibria) - Program ManLabs, 25. TERGSS - Program LUKAS pentru sisteme ternare. 26. TERM - Udovski A. L., 1996. Institut Metalurghii Baikov A. A., Moscova. 27. TERNRY (Program ManLabs pentru diagrame de echilibru ternare). 28. TERQUAT - Technische Universitat, Clausthal, Germania. 29. THERMO-CALC - Sundman B., 1991. Royal Institute of Technology, Stockholm. Division of Computational Thermodynamics, Department of Materials Science and Engineering. 30. ©THERMODATA - Domaine Universitaire de Grenoble. Saint Martin d'Heres. Cedex, Franta. 31. | TRSE (Two Regular Solution Equilibria) - Program ManLabs. 32, UNIFAC - 1975, Uniquac Functional - group Activity Coefficients. 33. UNIQUAC - 1975, Universal Quasi — Chemical. Mentionam denumirile altor Programe de calcul: BETA, CONTESY, EXTXD, GEMINI, QUASI, REGSOL, TBANK, TERNGAP. 1.10. Centre si baze de date computerizate pentru SM si Metalurgie 1. British Engineering Data Sciences Unit. Anglia. 2. CHEMICAL ABSTRACTS - Database. Chemical Abstract Service, Columbus, Ohio. 3. CINDAS - Center for Information and Numerical Data Analysis and Synthesis. Purdue University, West Lafayette, Indiana, SUA. 4. CSD - Cambridge Structure Database. 5. CURRENT CONTENTS (CC). Bibliographic Database. Institute for Scientific Information (IS]) - Philadelphia, Pennsylvania, SUA; datele pot fi objinute pe dischete, CD- ROM si pe INTERNET - File Transfer Protocol (FTP). 6. DIALOG Information Retrieval Service. DIALOG Information Service Inc., Palo Alto, California (Contine 160 baze de date). 7. GFDB - GMELIN Factual Database, Frankfurt. 8. ICDD - International Centre for Diffraction Data. The Powder Diffraction File on CD-ROM. Newtown Square, Pennsylvania. 9. ICSD - Inorganic Crystal Structure Database. Initiat in 1978 de Institute for Inorganic Chemistry Ia Universitatea din Bonn; din 1989 ICSD a format o societate mixta cu GMELIN INSTITUTE (Frankfurt) si FACHINFORMATIONSZENTRUM (Karlsruhe). 10. Mechanical Properties Data Center. Battelle Columbus Laboratories, Ohio, SUA. 11. METADEX - Bazi de date pentru metale gi aliaje la ASM, Materials Park, Ohio. 12. MIDAS - Metals Information Datafile on Alloys and Specifications. Santa Monica, California. 13. NONFERROUS METALS ABSTRACTS - Database. British Nonferrous Metals Technology Center. Wantage, Oxfordshire, Anglia, 14. US Library of Congress Database. 16. WELDSEARCH - Database. The Welding Institute, Cambridge, Anglia, 17. Werkstoffedatenbank Verein Deutscher Eisenhitienleute, Germania,28 TRATAT DE STHNTA SI INGINERIA MATERIALELOR METALICE Metale cu densitate mica Metal Densitate [eyem}__| [__Densitate [een] Metal Mz_| 1.22. Pretul relatiy al metalelor Metal Pret Metal Pret Metal Pret Fe 1 Cr 25 Ta 1500 Pb 25 Co 35 Rb 2200 Zn 3 Bi 30 i Pd 5000 Al 6 FE Hg 65 I Au 11000 ‘Sb 5 Ti 90 | Re 12 000 Cu iS W 120 E Ir 25000 | Me, 8 — Mo 170 Os 25000 | Mn 10 + Ag 500 | Pr 27000 | Ni 17 Vv 750 | _—Rh 45000 | Sn 22 Nb 300 wn 1.23. Reviste romanesti de SZ si Metalurgie = g g 8 a a ° z a > o o Ea oy i wo g 5 g g S.A. - CIDMET, Bucuresti). 4. Revista de Tratamente Termice si ngineria Suprafejelor (Asociatia Romana de Tratamente Termice, Cluj. ‘apoca). 5. Revista de Turndtorie (Asociatia Tehnica de Tumitorie din Romania, Bucuresti). 6. Cercetri Metalurgice side Noi Materiale (ICEM, Bucuresti), 7. Prelucréri la Cald (INTEC Ss. Bucuresti). 8. Buletinul Stiintific al UPB -seria B- Chimie si Stiinta Materialelor (Universitatea Politehnica din Bucuresti), Lista Materials Pa 1. Acta Cryst 1.24. Reviste straine de SM si Metalurgie completa se poate gasi in lucrarea: ,,Source Journals in Metals and Materials”, tk, Ohio, ASM International, 1993, tallographica 4. Advanced Materials and Processes 2. Acta Materialia (fosta Acta Metallurgica 5. Advanced Performance Materials et Material 3. Advanced lia) 6, Annual Review of Materials Science Composites Bulletin 7. Applied Composite MaterialsSISTEMUL STIINTEI MATERIALELOR, 29 8. Applied Physics A. Materials Science and Processing 9, Bulletin of Alloy Phase Diagrams 10. Calphad 11. Composites Science and Technology 12. Composites 13. Corrosion Science 14. Critical Reviews in Solid State and Materials Science 15.Crystal Properties and Preparation 16. Crystallography Reviews 17. Defect and Diffusion Forum 18. Electronic Materials and Processing 19. Ferroelectrics 20. Ferroelectrics Reviews 21. Glass and Ceramics 22. Glass Physics and Chemistry 23. Granular Matter 24, Integrated Ferroelectrics 25. Interface Science 26. International Journal of Fracture 27. Intemational Journal of Materials and Product Technology 28. Intemational Journal of Nanotechnology Intemational Materials Reviews Journal of Alloys and Compounds Joumal of Applied Crystallography . Journal of Chemical Thermodynamics - Journal of Crystal Growth - Joumal of Electroceramics Joumal of Electronic Materials Journal of Low Temperature Physics Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Journal of Materials Engineering and Performance 39. Journal of Materials Science Letters 40. Journal of Materials Science 41, Journal of Materials Science: Materials in Electronics 42. Journal of Materials Science: Materials in Medicine 43. Journal of Materials Synthesis and Processing 44, Journal of Nanoparticle Research 45. Journal of Non-Crystalline Solids 46. Journal of Nuclear Materials FOCLS We WW Wo Wa Le We W to SIR w oo 47, 48. 62. 63. 64. 65. 66. 67. 68. 6 70. 7 Ss 73. 74. 75. 77. 78. 79, 80. 82. 83. 84. 85. 86. 87. Journal of Phase Equilibria Journal of Physics and Chemistry of Solids . Journal of Porous Materials . Journal of Solid State Electrochemistry Journal of Superconductivity Journal of the American Ceramic Society - Journal of the Less-Common Metals . Key Engineering Materials Materials and Society . Materials Characterization . Materials Chemistry and Physics - Materials Letters . Materials Research Bulletin . Materials Research Innovations - Materials Science - Materials Science and Engineering Materials Science and Technology Materials Science Forum Materials Science Reports Materials Science Research International Materiaux et Techniques Metal Physics and Advanced Technologies . Metal Science and Heat Treatment Metals and Materials Metallurgical and Materials Transactions . Microsystem Technologies (Micro- and Nanosystems) Molecular Material Nanostructured Materials New Materials Japan . Non-Ferrous Metals Abstracts Oxidation of Metals . Phase Transitions . Powder Diffraction Powder Metallurgy and Metal Ceramics . Powder Technology Probe Microscopy Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials Progress in Materials Science Progress in Solid State Chemistry Protection of Metals Revue de Metallurgie30 TRATAT DE $TINTA SI INGINERIA MATERIALELOR METALICE 88. Science and Technology of Advanced Materials 89. Scripta Metallurgica et Materialia 90. Smart Materials Bulletin 91. Solar Energy Materials 92. Solid State Phenomena 93. Solid State Technology 94. Superconductivity Review 95. Surface Investigation 96. Synthetic Metals 97. The European Physical Joumal B. Condensed Matter 98. The European Physical Journal E. Soft Matter 99. The Physics of Metals and Metallography 100. Thermochimica Acta 101. Thin Solid Films 102. Ultramicroscopy 103. Zeitschrift fiir Kristallographie 104, Zeitschrift fiir Metallkunde 1.25. Reviste-de referate (rezumate) pentru SM si Metalurgie . Advanced Materials Abstracts . Aeroplus Access . Alloys Index . Aluminum Industry Abstracts 5. Cambridge Scientific Abstracts 6.Ceramic Abstracts 7. Chemical Abstracts 8. Chemical Titles 9. Chemistry Citation Index 10. COMPENDEX Chemistry Database 11. COMPENDEX Plus 12. COMPUMATH Citation Index 13. Copper Abstracts 14. Corrosion Abstracts 15. Current Contents 16. Engineered Materials Abstracts 17. Engineering Index 18. Engineering Information Rune 19. Engineering Society Library 20. Ferroelectricity Newsletter 21. INSPEC Information Services 22. Materials Information ys a . Materials Science Citation Index Metals Abstracts (METADEX) Metals Abstracts Index Non-Ferrous Metals Abstracts . PASCAL . Physics Abstracts Polymer Abstracts Rapra Abstracts Database Referativnai Jurnal p SAaE 2 wey RVD SS 0 we ons Science Citation Index Science Citation Index Expanded Solid State Abstracts Journal . The ISI Alerting Services World Aluminum Abstracts. wo ww aca a 1.26. Enciclopedii, dictionare, tezaure de SM si Metalurgie 1.*** ASM Materials engineering dictionary. Materials Park, Ohio, ASM International, 1992, 555 p. 2.*** ASM Thesaurus of metallurgical terms. Materials Park, Ohio, ASM International. 3. *** Compilation of ASTM standard definitions. Philadelphia, ASTM, 1994, 600 p. 4. *** Dictionary of inorganic compounds. Vol. 1-5. Londra, Chapman and Hall, 1992, 6000 p.SISTEMUL STUNTEI MATERIALELOR 31 5. *** Glossary of metallurgical terms and engineering tables. Metals Park, Ohio, 1979, 93 p. 6. *** Materials and technology: a systematic encyclopedia. Vol. 1-8, New York, Longmans, 1968-1975. 7, *** Mica enciclopedie de metalurgie. Bucuresti, Editura Stiintifica si Enciclopedica, 1980, 590 p. 8. *** The encyclopedia of materials science and technology. Vol. 1-11. Amsterdam, Elsevier (Pergamon), 2001. (Se actualizeazi in fiecare an cu 100 articole noi sau revizuite). 9.*** Thesaurus of terms on aluminum technology. New York, Aluminum Association. 10. *** Thesaurus of terms on copper technology. New York, Copper Development Association. 11. BADER O., THERET M. Dictionnaire de metallurgie. Paris, Editions Eyrolles, 1962, 717 p. 12. BEVER M.B. (Ed.) Encyclopedia of materials science and engineering. Vol. 1-8 plus 3 vol. supplements. Oxford, Pergamon Press, 1986-1991. 13. BIRCHON D. A dictionary of metallurgy. New York, Philosophical Library, 1965. 14. BROOK RJ. (Ed.) Concise encyclopedia of advanced ceramic materials. Oxford, Pergamon Press, 1991, 588 p. 15. BRUNDLE AR. 5. Encyclopedia of surface and microanalysis. Londra, Butterworths, 1992, 700 p. 16. CAHN R.W. $.a. (Eds.) Encyclopedia of advanced materials. Vol. 1-4, Oxford, Pergamon Press, 1993 17. CAHN R.W., LIFSHIN E. (Eds.) Concise encyclopedia of materials characterization. Oxford, Pergamon Press, 1990. 18. EVETTS J.E. (Ed.) Concise encyclopedia of magnetic and superconducting materials. Oxford, Pergamon Press, 1991. 19. GRAYSON M. (Ed.) Encyclopedia of composite materials and components. New York, Wiley, 1983, 1161 p. 20. HOWARD P.H., NEAL M.W. Dictionary of chemical names and synonyms. Boca Raton, Florida, CRC Press, 1992, 2544 p. 21. KELLY A. (Ed.) Concise encyclopedia of composite materials. Oxford, Pergamon Press, 1989, 316 p. 22. LEE S.M. (Ed.) Intemational encyclopedia of composites. Vol. 1-6. New York, VCH, 1990-1991. 23. MAHAJAN S., KIMERLING L.C. (Eds.) Concise encyclopedia of semiconducting materials and related technologies. Oxford, Pergamon Press, 1992. 24. MERRIMAN A.D. A dictionary of metallurgy. Londra, Maccdonald and Evans, 1958, 401 p. 25. SIMONS E. N. A dictionary of alloys. New York, Hart, 1970. 26. TOTTLE C.R. Encyclopedia of metallurgy and materials, Londra, Macdonald and Evans, 1984, 488 p. 27. TYRKIEL E-F. Dictionary of physical metallurgy. Amsterdam, Elsevier, 1977, 402 Pp. 28. WILLIAMS D. (Ed.) Concise encyclopedia of medical and dental materials. Oxford, Pergamon Press, 1993.SISTEMUL STIINTEI MATERIALELOR | 33 1.28. Indrumare de informare si documentare in SM si Metalurgie 1. *** ASM Guide to materials engineering data and information. Metals Park, Ohio, ASM, 1986, 401 p. 2. *** Source Journals in Metals and Materials. Materials Park, Ohio, ASM, 1993. 3. BOODSON K. Nonferrous metals: a bibliographical guide. Londra, Macdonald, 1972, 650 p. 4. GIBSON E. G., TAPIA E. W. Guide to metallurgical information. New York, Special Libraries Association, 1965, 222 p. 5. HYSLOP MR. A brief guide to sources of metals information. Washington DC, Information Resources Press, 1973, 180 p. 6. MARVIN R.S., SHERWOOD GB. A guide to sources of information on materials. in: LYNCH HT. (Ed.). ,,CRC Handbook of materials science”, vol. 3, Boca Raton, Florida, CRC Press, 1980, p. 603-627. 7. WESTBROOK J.H., DESAI J.D. Data sources for materials scientists and engineers. Annual Review of Materials Science, v. 8, p. 359-422, 1978. 8. WILCOX V.L. Guide to literature on metals and metallurgical engineering. Washington DC, American Society for Engineering Education, 1977. 1.29, Corespondente internationale pentru metale, aliaje si materiale 1. *** Handbook of international alloy compositions and designations. Vol. 1-3. Columbus, Ohio, Battelle Metals and Ceramics Information Center. 2.*** Unified numbering system for metals and alloys. Society of Automotive Engineers (SAE) si ASTM, 1998, 475 p. 3. *** Worldwide guide to equivalent irons and steels. Materials Park, Ohio, ASM, 1999, 1132 p. 4. *** Worldwide guide to equivalent nonferrous metals and alloys. Materials Park, Ohio, ASM, 1995, 500 p. 5.ARCURI J.V., POTTS D.L. Intemational metallic materials cross reference. Schenectady, New York, General Electric Company. 6. DATTA J. Aluminium Schliissel. Berlin, 1997, 304 p. 7. MELILLI A.S. Handbook of comparative world steel standards. Philadelphia, ASTM, 1996, 552 p. 8. ROSS R.B. Metallic materials specification handbook. Londra, Spon, 1972, 833 p. 9. WEGST C.W. Stahlschliissel. Marbach, Verlag Stahlschliissel, 2001, 736 p. Bibliografie selectiva [!] *** Alloy digest sourcebook: stainless steels. Materials Park, Ohio, ASM, 2000, 584 p. (2] *** Alloy Digest. Vol. 1-13. Materials Park, Ohio, ASM, 1996. [3] *** Alloy Finder on CD-ROM. Materials Park, Ohio, ASM, 1997.34 TRATAT DE STIINTA $I INGINERIA MATERIALELOR METALICE [4] *** ASM Engineered Materials Handbook. Desk Edition. Materials Park, Ohio, ASM, 1995, 1300 p. [5] *** ASM Engineered Materials Reference Book. Metals Park, Ohio, ASM, 1994, 580 p. [6] *** ASM Handbook. Vol. 1-20. Materials Park, Ohio, ASM, 1990-1997. [7] *** ASM Materials Reference Book. Materials Park, Ohio, ASM, 1993, 650 p. [8] *** ASM Metals Reference Book. Materials Park, Ohio, ASM, 1993, 614 p. [9] *** ASM Ready Reference: Electrical and magnetic properties of metals, Materials Park, Ohio, ASM, 2000, 300 p. [10] *** ASM Ready Reference: Properties and Units for Engineering Alloys. Materials Park, Ohio, ASM, 1997, 225 Pp. [11] *** ASM Specialty Handbooks. Materials Park, Ohio, ASM. 1, Aluminum and Aluminum Alloys. 1993, 784 p. 2. Stainless Steels. 1994, 576 p. 3. Tool Materials. 1995, 450 p. 4. Carbon and Alloy Steels. 1995, 731 p. 5. Cast Irons. 1996, 494 p. 6. Heat - Resistant Materials. 1997, 591 p. 7. - Magnesium and Magnesium Alloys. 1998, 314 p. 8. Nickel, Cobalt and their Alloys. 2000, 425 Pp. 9. Copper and Copper Alloys. 2001, 600 p. 12] *** Atlas of fatigue curves. Materials Park, Ohio, ASM, 1985, 518 p. 13] *** Atlas of stress-strain curves. Materials Park, Ohio, ASM, 1986, 640 p. 14] *** Case hardening of steel. Materials Park, Ohio, ASM, 1987, 319 p. 15] *** Corrosion: understanding the basics. Materials Park, Ohio, ASM, 2000, 563 p. 16] *** Engineered Materials Handbook. Vol. 1-4. Materials Park, Ohio, ASM, 1987-1991. 17] *** Handbook of case histories in failure analysis. Materials Park, Ohio, ASM. Vol. 1, 1992, 504 p. Vol. 2, 1993, 583 Pp. 18] *** Handbook of corrosion data. Materials park, Ohio, ASM, 1995, 1998 p. 19] *** Handbook of gas diffusion in solids and melts. Materials Park, Ohio, ASM, 1996, 240 p. [20] *** Hardness testing. Materials Park, Ohio, ASM, 1999, 192 p. [21] *** Heat treater’s guide. Irons and steels. Materials Park, Ohio, ASM, 1995, 904 p. [22] *** Heat treater’s guide. Nonferrous alloys. Materials Park, Ohio, ASM, 1996, 669 p. [23] *** Intemational tables for crystallography. Vol. A. Space-group symmetry. Dordrecht, Kluwer, 1995, 878 p. [24] *** Intemational tables for crystallography. Vol.B. Reciprocal space. Dordrecht, Kluwer, 1993, 535 p. [25] *** International tables for crystallography. Vol. C. Mathematical, physical and chemical tables. Dordrecht, Kluwer, 1995, 883 Pp. [26] *#* Materials Science Monographs. Zeci de volume, Amsterdam, Elsevier. [27] *** Materials Properties Handbook: Stainless Steels. Materials Park, Ohio, ASM, 1997, 500 p. 28] *** Materials Properties Handbook: Titanium Alloys. Materials Park, Ohio, ASM, 1993, 800 p. [29] *** Materials Research Society Symposia Proceedings. Zeci de volume. Amsterdam, Elsevier. 30] *** Materials Science Research. Zeci de volume. New York, Plenum Press. 31] *** Metals Handbook. Desk Edition. Metals Park, Ohio, ASM, 1998, 1521 p.‘SISTEMUL STINTEI MATERIALELOR 35 32] *** Microelectronic failure analysis. Desk reference. Materials Park, Ohio, ASM, 1999, 643 p. 1996, 220 p. Pennsy 33] *** Modern crystallography. Vol. 1-4. Berlin, Springer, 1994-1998, 2200 p. 34] *** Modern spectrochemical analysis of metals. Materials Park, Ohio, ASM, 35] *** Powder diffraction file, Data book. Inorganic. Sets 1-43, Newtown Square, Ivania, International Centre for Diffraction Data (ICDD), 1993. [36] *** Practical guide to image analysis. Materials Park, Ohio, ASM, 2000, 300 p. 37] *** Principles of the heat treatment of plain carbon and low alloy steels. Materials Park, Ohio, ASM, 1996, 490 p. 38] *** Properties of aluminum alloys. Materials Park, Ohio, ASM, 1999, 300 p. 39] *** Steel: A Handbook for Materials Research and Engineering. Vol. 1-2. Diisseldorf, Verlag Stahleisen, 1992, 1600 p. 40] *** Techniques de l'Ingenieur. Metallurgie. Vol. M1-M8. Paris, Techniques de l'Ingenieur, 1986. 41] *** The Metals Black Book. Ferrous Metals. Edmonton, Canada, CASTI PUBLISHING Inc., 1997, 478 p. [42] *** The Metals Blue Book. Welding Filler Metals. Edmonton, Canada, CASTI Publishing Inc., 1997, 417 p, [43] *** Titanium. A technical guide. Materials Park, Ohio, ASM, 2000, 320 p. [44] *** Tool steels. Materials Park, Ohio, ASM, 1998, 364 p. 45] *** Treatise on Materials Science and Technology. Zeci de volume. New York, Academic Press. [46] *** Woldman’s engineering alloys. Materials Park, Ohio, ASM, 2000, 1363 p. [47] ASKELAND D. R. The science and engineering of materials. Londra, Chapman and Hall, 1995, 876 p. 48} ALOMAN A. Stiinta materialelor. indrumar pentru lucrari de cercetare, de masterat $i doctorat. Bucuresti, Matrix Rom, 1997, 62 p. Matrix 49] ALOMAN A. Statistica si probabilitate in experimentul stiintific. Bucuresti, Rom, 1998, 167 p. 50] ALOMAN A. Echilibre fazice in sisteme unare, binare, ternare si cuaternare. Bucuresti, Printech, 1999, 292 p, 597 p. 31] ALOMAN A. Stiinta materialelor semiconductoare. Bucuresti, Printech, 1999, 52] ALOMAN A. Teoria diagramelor de echilibru fazic. Bucuresti, Editura Academiei Romane, 1999, 1044 Pp. 53] ALOMAN A. Structura materialelor. Microstructura si imperfectiunile structurale. Bucuresti, Printech, 1999, 133 p. 54] ALOMAN A. Structura materialelor. Structura cristalina si cristalizarea. Bucuresti, Editura AGIR, 2000, 850 p. 55] ALOMAN A. Structura materialelor. Structura electronica si legtura chimica. Bucuresti, SEMNE, 2000, 476 p. BREN, Editura 56] ALOMAN A. Fazele si compozitia chimica a materialelor. Bucuresti, Editura 2001, 452 p. 57] ALOMAN A. Introducere in suiinja materialelor supraconductoare. Bucuresti, BREN, 2002, 218 Pp. 58] ALOMAN A. Sistemul stiintei materialelor. Bucuresti, MAN-DELY, 2002, 184p. 59] ALOMAN A. Bazele stiinfei materialelor. Printech, 2003, 1595p 60] BAI C. Scanning tunneling microscopy and its application, Berlin, Springer, 2000, 369 p.36 TRATAT DE STINTA SI INGINERIA MATERIALELOR METALICE 61] BANOIAN R. Corrosion tests and standards: applications and interpretation. Philadelphia, ASTM, 2000, 525 p. 62] BHADESHIA H.K.D.H. Bainite in steels. Transformations, microstructure and properties. Londra, The Institute of Materials, 1992, 451 p. Dordre: 63] BLACK J..HASTINGS G. (Eds.) Handbook of biomaterial properties. cht, Kluwer, 1998, 616 p. 64] BLUMICH B., KUHN W. (Eds.) Magnetic resonance microscopy. Weinheim VCH, 1992, 604 p. 360p. Press, 1 Londra, [65] BORG RJ. An introduction to solid state diffusion. New York, Academic Press, 1988, 66] BORG R.J.,DIENES G.I. Physical chemistry of solids. New York,Academic 991, 592 p. 67] BRADY G. S. s.a. Materials handbook. New York, McGraw-Hill, 1996, 1072 p. 68] BRANDES E. A., BROOK G. B. Smithells’ metals reference book. 7th edition. , Butterworth, 1992, 1700 p. 69] BRIGGS D. (Ed.). Practical surface analysis. Vol. 1-2. New York, Wiley,1990- 1992, 674 +756 p. 70] BROOKS C.R. Heat treatment, structure and Properties of nonferrous alloys. Materials Park, Ohio, ASM, 2000, 250 p. 71] BUCH A. Pure metals properties: a scientific technical handbook, Matcrials Park, Ohio, ASM, 1999, 307 p. VCH, 1 72] CAHN R. W. s.a. (Eds.). Materials Science and Technology. Vol. 1-18. Weinheim, 990-1997. 73] CAHN R. W., HAASEN P. (Eds,). Physical metallurgy. Vol. 1-3. Amsterdam,North- Holland, 1996, 2984 p. 1995. 3 4] CAHN R.W. The coming of materials science. Amsterdam, Elsevier, 2001, 584 p. 5] CALLISTER W. D. Jr. Materials science and engineering. New York, Wiley, 76] CARDARELLI F. Materials handbook. Berlin, Springer, 2001, 595 p. 77) CARLSSON L.A., PIPES R.B. Experimental characterization of advanced composite materials. Materials Park, Ohio, ASM, 1996, 193 P- 2001, 6¢ [78] CHANDRA N. (Ed.) Superplasticity in advanced materials, Zurich, Trans Tech, 60 p. 79] CHAWLA K.K. Composite materials. Berlin, Springer, 2001, 483 p. [80] CHEETHAM A.K., DAY P. (Eds.) Solid state chemistry: compounds. Oxford, Clarendon Press, 1992, 318 p. Press, 1 81] CHEETHAM A.K., DAY P. (Eds.). Solid state chemistry. Oxford, Clarendon 988, 416 p. 82] CHEUNG N.W., NICOLET M.A. (Eds.) Materials characterization. West Molesey, Surrey, Anglia, Materials Research Society, 1986, 420 p. technol 83] CHOW G.M., NOSKOVA N.I. (Eds.) Nanostructured materials science and logy. Dordrecht, Kluwer, 1998, 468 p. 84] CLOOTS R. s.a. (Eds.) Supermaterials. Dodrecht, Kluwer, 2001, 244 p. 85] COHEN S.H., LIGHTBODY MLL. (Eds.) Atomic force microscopy/scanning tunneling microscopy. Dordrecht, Kluwer, 2000, 218 p. 86] COMBE E. s.2. Dental biomaterials. Dordrecht, Kluwer, 1999, 496 p. 87] DAAMS J. L. C., VILLARS P., VAN VUCHT J. H. N. Atlas of crystal structure types for intermetallic phases. Vol.1-4. Materials Park, Ohio, ASM, 1991, 7026 p.SISTEMUL STINTEI MATERIALELOR ; 37 88] DAVID D.J., MISRA A, Relating materials properties to structure. Materials Park, Ohio, ASM, 1999, 544 p- 89] DE STEFANIS A., TOMLINSON A.AG. Scanning probe microscopies. Ziirich, Trans Tech, 2000, 284 p, 90] DONTH E. The glass transition. Berlin, Springer, 2001, 420 p. 91] DRESSELHAUS M.S. $.a. Eds.) Carbon nanotubes. Berlin, Springer, 2001, 447 p. [92] EBERHART J.P. Structural and chemical analysis of materials. New York, Wiley, 1991, 576 p. 93] FARCHIONI R., GROSSO G. (Eds.) Organic electronic materials, Berlin, Springer, 2001, 448 p. 94] FISHER D.J. (Ed.) Defects and difussion in metals. Ziirich, Trans Tech, 2001, 510 p. 95] FISHER D.J. (Ed.) Dislocation theory. Ztirich, Trans Tech, 2000, 352 p. 96] FUCHS E. s.a. Particle beam microanalysis. Weinheim, VCH, 1990, 507 Pp. 97] FULTZ B., HOWE JM. Transmission electron microscopy and difractometry of materials. Berlin, Springer, 2002, 750 p. 98] GMELIN. Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry. Serie. Berlin, Springer. 99] GOGOTSI Y.G., ANDRIEVSKI R.A. (Eds.) Materials science of carbides, nitrides and borides, Dordrecht, Kluwer, 1999, 376 p. 100] GOLDMAN a. Handbook of modem ferromagnetic materials. Dodrecht, Kluwer, 1999, 672 p. 101] GOLDSTEIN JI. s.a. Scanning electron microscopy and X-ray microanalysis, New York, Plenum Press, 1992, §38 Pp. 102] GONIS A. s.a. (Eds.) Electron correlations and materials properties. Dordrecht, Kluwer, 1999, 366 p. 103 ‘THERODT H.J., BECK H. (Eds.) Glassy metals. I. Berlin, Springer, 1981. 104] GUNTHERODT H.J., WIESENDANGER R. (Eds.) Scanning tunelling microscopy I. Berlin, Springer, 1992, 246 p. 105] GUSEV ALI. $.a. Disorder and order in strongly nonstoichiometic compounds. Transition metal carbides, nitrides and oxides. Berlin, Springer, 2001, 607 p. 106] HAFNER J. $.a. The structure of binary compounds. Amsterdam, Elsevier, 1990, 107] HAUPT P. Continuum mechanics and theory of materials, Berlin, Springer, 2002, 701 p. 108] HO P.S. s.a. (Eds.) Low dielectire constant materials for IC applications, Berlin, Springer, 2002, 320 p. 109] HOFFMAN K.H. (Ed.) Smart materials. Berlin, Springer, 2001, 165 p. 110] HOLLOWAY P.H » VAIDYANATHAN PN. (Eds.) Characterisation of metals and alloys. Londra, Butterworth-Heinemann, 1993, 309 p. 111) HOLT D.B., JOY D.c. (Eds.). SEM microcharacterization of semiconductors. New York, Academic Press, 1989, 464 p. 112) HUBERT A., SCHAFER R. Magnetic domains. Berlin, Springer, 2000, 696 p. 113] HUMMEL RE. Electronic properties of materials. Berlin, Springer, 2001, 438 p. 114 EL R.E. Understanding materials science. Berlin, Springer, 1999, 407 Pp. 115] HURLE D. T. J. (Ed.). Handbook of crystal growth. Vol.la, Ib, 2a, 2b, 3a, 3b. Amsterdam, Elsevier (North-Holland), 1993-1994, 3700 p. NG}IDA T, GUTHRIE RIL. The physical properties of liquid metals. Oxford, Clarendon Press, 1993, 306 Pp. 117] INOUE A., HASHIMOTO K. (Eds.) Amorphous and Nanocrystalline materials. Berlin, Springer, 2001, 206 p,38 Springer ASTM, TRATAT DE STHNTA $I INGINERIA MATERIALELOR METALICE 118] ISHIZAKI. s.2. Porous materials. Dordrecht, Kluwer, 1998, 256p. UI9] JANSEN M.A. (Ed) High performance non-oxide ceramics’ Vol 1-2. Berlin, T, 2002, 204 + 176 p, 120] JERINA K.L., PARIS P.C. (Eds, fatigue and fracture mechanics, Philadelphia, 2000, 485 p. II]KAMINS T. Polycrystalline silicon for integrated circuits and displays, Dordrecht, Kluwer, 1998, 400 p. 122] KATZ W., WILLIAMS P. (Eds.) Applied materials characterization. West Molesey, Surrey, Anglia, Materials Research Society, 1985, 482 Pp. 123] KAUFMAN J.G. Introduction to aluminum alloys and tempers. Materials Park, Ohio, ASM, 2000, 250 Pp. 345p. 474 p. 124] KAWAZOE Y, s.a. (Eds.) Clusters and nanomaterials. Berlin, Springer, 2002, 125] KIM D.J. New perspectives in magnetism of metals. Dordrecht, Kluwer, 1999, 126] KLEMAN M., LAVRENTOVICH O.D. Order and disorder in soft matter physics. Berlin, Springer, 2002, 600 p. 127] KRAUSS G. (Ed.) Carburizing: processing and performance. Materials Park, Ohio, ASM, 1989, 456 p. 128] KRAUSS G. (Ed.) Heat treatment and surface engineering. Materials Park, Ohio, ASM, 1988, 416 p. 129] KRAUSS G. Steels: heat treatment and processing Principles. Materials Park, Ohio, ASM, 1990, 497 p. 130] KRISHNAN R., ANANTHARAMAN T.R. (Eds.). Advanced techniques for microstructural characterization. Z rich, Trans Tech, 1989, 300 p. 131] KUZMANY K. s.a. (Eds.) Electronic Properties of molecular nanostructures. Berlin, Springer, 2001, 633 p. science 1998, 4 132] LANDOLT-BORNSTEIN. Numerical data and functional relationships in and technology. Serie pe grupe, volume si subvolume. Berlin, Springer, 133] LEE S.M. (Ed.) Handbook of composite reinforcements, New York, VCH, 1993, 715 p. 134] LEVY L.P. Magnetism and superconductivity. Berlin, Springer, 2000, 467 p. 135) LIU A-F. Structural life assesment methods. Materials Park, Ohio, ASM, 19 p. [136] LUBORSKY F.E. (Ed.) Amorphous metallic alloys. Londra, Butterworths, 1983, 496 p. 137] LUTH H. Solid surfaces, interfaces and thin films, Berlin, Springer, 2001, 559 p. 138] LYNCH H. T. (Ed.). CRC Handbook of materials science. Vol. 1-4. Boca Raton, Florida, CRC Press. 1974-1980. 139] MEYER E. Atomic force microscopy. Berlin, Springer, 2002, 250 p. 140] MICHETTE A. 5.2. (Eds.) X-ray microscopy III. Berlin, Springer, 1992, 49] p. 141] MILLER MLK. Atom probe tomography. Dordrecht, Kluwer, 2000, 250 p. 142] MONDOLFO LF. Aluminum alloys: structure and properties. Londra, Butterworths, 1975, 972 p. 143] MOSS T. S. (Ed.) Handbook on semiconductors. Vol. 1-4. Amsterdam, North- Holland, 1992-1994. 144] MUTAFTSCHIEV B. Interfacial aspects of phase transformations. Dordrecht, Kluwer, 1982, 720 p.SISTEMUL STINTEI MATERIALELOR 39 145) 368 p. 146) MUTAFTSCHIEV B. The atomistic nature of crystal growth. Berlin, Springer, 2001, NALWA HLS. (Ed.) Handbook of low and high dielectric constant materials and their applications. Vol. 1-2, New York, Academic Press, 1999. 147. NALWA H.S. (Ed.) Handbook of nanostructured materials and nanotechnology. Vol. 1-5. New York, Academic Press, 1999. 148 and devices. 149 NALWA M.S. (Ed.) Handbook of advanced electronic and photonic materials Vol. 1-10. New York, Academic Press, 2000. NEWBURY D. 5.2. Advanced scanning electron microscopy and X-ray microanalysis. New York, Plenum Press, 1986, 450 p. 150] O'CONNOR D.I. $.a. (Eds.) Surface analysis methods in materials science. Berlin, Springer, 2002, 500 p. 151 O'CONNOR D.J. $.a. (Eds.) Surface analysis methods in materials science. Berlin, Springer, 1992, 453p. 152. Academic P: 153) 1992, 704 p. 154) 1991, 400 p. 155) OHRING M. Fundamentals of materials science and engineering, New York, ress, 1993, 750 p. OHRING M. The Materials science of thin films. New York, Academic Press, OLSON G.B., OWEN W-S. (Eds.) Martensite. Materials Park, Ohio, ASM, OSBORN E.F., MUAN A., HUMMEL F.A. Large scale phase diagrams of oxide systems. Westerville, American Ceramic Society, 1993. 156 157, 158 OSSI P.M. Disordered materials. Berlin, Springer, 2002, 270 p. PAPON P. s.a. The Physics of phase transitions. Berlin, Springer, 2002, 398 p. PARRISH G. Carburizing: microstructure and properties. Materials Park, Ohio, ASM, 2000, 247 p. 159 PEARSON W.B. The crystal chemistry and physics of metals and alloys. New York, Wiley, 1972, 806 p. 160 161 162 163) edition. Boston, P' 164) ASM, 1993, 165 microscopy 166) materials. Berlin, Spri 167 168 PENS!I G. s.a. (Eds.) Silicon memory materials. Ziirich, Trans. Tech, 2001, 860 p. PETZOW G. Metallograhic etching. Materials Park, Ohio, ASM, 1999, 240 p. QUERE Y. Physics of materials. New York, Gordon and Breach, 1998, 483 p. REED-HIL R.E., ABBASCHIAN R. Physical metallurgy principles. 3rd ‘Kent, 1992, 926 p. REYNOLDSON R.W. Heat treatment in fluidized beds. Materials Park, Ohio, 250 p. RICKERBY D.G. 5.2. (Eds.) Impact of electron and scanning probe on materials research. Dodrecht, Kluwer, 1999, 516 p. RUHLE M., ERNST F. (Eds.) High-resolution imaging and spectrometry of -, 2000, 492 p. SABURI T. (Ed.) Shape memory materials. Zurich, Trans Tech, 2000, 528 p. SAITO S. $.a. (Eds.) Nanonetwork materials. Fullerenes, nanotubes and related systems. Berlin, Springer, 2001, 556 p. 169 microscopy. 170 ASM, 1998 171 . Berlin, Spri SAKURAI T., WATANBE Y. (Eds.) Advances in scanning probe ger, 2000, 341 p. SAMUELS L.E. Light microscopy of carbon steels. Materials park, Ohio, , 502 p. 72 p. SCHOLZE H. Glass. Nature, structure and properties. Berlin, Springer, 1991,40 TRATAT DE STIINTA $I INGINERIA MATERIALELOR METALICE 172] SCHUMANN H. Metallographie. 13. Auflage. Leipzig, Deutscher Verlag fiir Grundstoffindustrie, 1990, 764 p. 173] SIBILIA J.P. (Ed). A guide to materials characterization and chemical analysis. Weinheim, VCH, 1988, 318 p. 174] SIEGEL R.W. s.a. (Eds.) Characterization of defects in materials. West Molesey, Surrey, Anglia, Materials Research Society, 1987, 532 p. 175] SMITH W.F. Principles of materials science and engineering. New York, McGraw-Hill, 1990, 864 p. 176] SMITHELLS C.I. Metals reference book. Londra, Butterworths, 1976. 177] SOLACOLU §., PAUL F. Chimia fizica a solidelor silicatice si oxidice. Cluj- Napoca, Dacia, 1984, 440 p. 178] SPALVINS T. KOVACS WL. (Eds.) Ion nitriding and ion carburizing Materials Park, Ohio, ASM, 1990, 332 p. 179] STANSBURY E.E., BUCHANAN R.A. Fundamentals of electrochemical corrosion. Materials Park, Ohio, ASM, 2000, 350 p. 180] STEFANESCU D.M. Science and engineering of casting solidification. Dodrecht, Kluwer, 2002, 352 p. 181] STOREY B.E. s.a. (Eds.). Quantitative microbeam analysis. Bristol, Institute of Physics, 1993, 424 p. 182 a. (Eds.) Quasicrystals. Berlin, Springer, 2002, 550 p. 183 |. Introducere in chimia fizica a starii solide. Compusi oxidici. Vol. 1, Bucuresti, EDP, 1995, 226 p- 184] TEOREANU I. s.a. Introducere in stiinta materialelor anorganice. Vol. 1-2. Bucuresti, Editura tehnica, 1987, 388+510 Pp. 185] TILLER W. A. The science of crystallization. Vol. 1-2. Cambridge, Cambridge University Press, 1991-1992, 816 p. 186] TOMSIA A.P., GLAESER A.M. (Eds.) Ceramic microstructures. Dodrecht, Kluwer, 1998, 870 p. 187] TOTTEN G.E. s.a. Handbook of quenchants and quenching technology. Materials Park, Ohio, ASM, 1992, 507 p. 188] TRIVEDI R. s.a. (Eds.) Principles of solidification and materials processing. V.1-2, Zitrich, Trans Tech Publications , 1990, 980 p. 189] TSAKALAKOS T. (Ed.) Phase transformations in solids. Amsterdam, North- Holland, 1984, 868 p. 190] USKOKOVIC D.P. s.a. (Eds.) Trends in advanced materials and processes, Zirich, Trans Tech, 2000, 312 p. 191] VANDER VOORT G. Metallography. Principles and practice, Materials Park, Ohio, ASM, 1984, 752 p. 192] VAROTSOS P.A., ALEXOPOULOS KD. Thermodynamics of point defects and their relation with bulk properties. Amsterdam, Elsevier, 1986, 460 p. 193] VILLARS P. Pearson's handbook of crystallographic data for intermetallic phases. Desk edition. Vol. 1-2. Materials Park, Ohio, ASM, 1997. 194] VILLARS P., CALVERT L. D. Pearson's handbook of crystallographic data for intermetallic phases. Second edition. Vol. 1-4. Materials Park, Ohio, American Society for Materials (ASM), 1991, 5348 P. 195] WALTER J.L. s.a, (Eds.) Structure and property relationships for interfaces, Materials Park, Ohio, ASM, 1991, 300 Pp. 196] WANG Z.L., KANG Z.C. Functional and smart materials. Dodrecht, Kluwer, 1998, 540 p.SISTEMUL $THNTEIMATERIALELOR 41 197 WASEDA Y., ISSHIKI M. (Eds.) Purification process and characterization of ultra high purity metals. Berlin, Springer, 2002, 411 p. 198) WATANBE K., MOTOKAWA M. (Eds.) Materials science in static high magnetic fields. Berlin, Springer, 2002, 325 p. 1997 WATERMAN N. A., ASHBY M. F. The materials selector. Vol. 1-3. Londra, Chapman and Hall, 1997, 2496 p. (200 alloys. Vol. (202) [201] ¥ applications. WERNICK S. 5.2. The surface treatment and finishing of aluminum and its 1-2. Materials Park, Ohio, ASM, 1987, 1325 p. WESCHE R. High-temperature superconductors: materials, properties and . Dodrecht, Kluwer, 1999, 456 p. WESTBROOK J.H., FLEISCHER R.L. (Eds.) Intermetallic compounds. Principles and practice. Vol. 1-2. New York, Wiley, 1994, 1900 p. WHEELER D.A. 5.2. (Eds.) Structure - property relationships and correlations with the environmental degradation of engineering materials. Materials Park, Ohio, ASM, 1992, 203: 811 p. 204 205 440p. 206 207 2001, 639 p. 208) microscopy. 209) WINTERER M. Nanocrystalline ceramics. Berlin, Springer, 2002, 275 p. YACOBI B.G. s.a. (Eds.) Microanalysis of solids. New York, Plenum, 1994, YAMASHITA T. s.a. Superconductors. Berlin, Springer, 2002, 300 p. YU P.Y., CARDONA M. Fundamentals of semiconductors. Berlin, Springer, ZHANG X.F., ZHANG Z. (Eds.) Progress in transmission electron Vol. 1-2. Berlin, Springer, 2001, 365+307 p. ZSCHUNKE A. Reference materials in analytical chemistry. Berlin, Springer, 2000, 222 p.TRATAT DE STINTA SI INGINERIA MATERIALELOR METALICE Tabelul 2.3. Distributia electronilor pe straturi si substraturi in atomii elementelor chimice 62 ae felef pads efafef ef lef] of ef efeled cel af feel | of fed cs| a] a] ahead fis BPefelelelol fale efepapele ePopebeh el epelehehelebebalelepape eS ele fafefe ABP le febefefoledefebehebefepelebap dale he pelepele lpr p lpr ef ape BPopefedefepelefefelopapape . sfalale . efelope ° |_| —| 5 a 5 = 1 {| € Bp fobefdeledeelefobepedalebaped bape ape Pel el Perri PPP ref pales & {| |] { "| ial a PEP obafol abel Poh el apts lated ebofstal debelalafabilalafal bola fatal al x = SS oe Sfp pele elpabapel ap el abepebePelapelofafefePelapela pal Pls fap. 5/% 1] — a Seep epelepepebeb off ofalapapefabal ol afef opel eal ad ada] o[elesbenferfin|o]olo a - zi im Pal Pet eet old = [| Bpefepep Peele pebafabipab abel abef ate peteaferfesfeal—feaferleaforl=eifefeafetfalerferfeafer Shelled lefepebeb dalla) feeb fe [el -fedfeafa)iabols|eole]efelelelslele|efe s/o pamper epb ep ehep eh ef ab afb fefealenfsrlia|o|rofo|ro} ro) o/c ofofio]o}ro]o]ra]rofrofrofiofio fra] of o BPP ell el fab ab at ale teaeacaleerfarfeafeteiterleafea|eaferfarfcrfarferfealeiletlelestealer{ealer BLY] Pf fafea}ea]e]ia}ofrofro}tofrofto}ror0],0},0] 0.0] wo} wo fro toro to ovo] w]e fr foto io ole nN Lf fefetfettedfeafesfeafeafea]eafcafcafesfeafoafca fea] caferfeafesfeafeafea]ealca{eafea|eaeafeafea|aafea|eaer BS] [faeefereaferfeaforfeafeifea]eacafeaforleafeafeafeafcufea]eaferfea}oifeafcafea{eafealeafetea]ea]etfealer enor |] @ 2] | of <).— elelvlelehel>lelelelelslal els) ela] ofe/slol. quowty gy Eye / c/o] Zz /O}n) 212) 2) lle.Jnlo] <4] 5] Alc|> |S] S/21S/2/S/ SiS] 2lalslzlela cal eal 2} —foiea|=rfinfo]moolalol—|aijenlt|iafoletos]ato]—lor re] 00 Ye oer | eo fon ey) SPI SISVQ ISAS AAS] S/S] al ealeal ss [ea] Alea] Lit ji | wlaneahannlanel Daehn he aaaSTRUCTURA ELECTRONICA $I LEGATURA CHIMICA 63 Tabelul 2.3 (continuare) Straturi si substraturi | ic o| 1s |2s] 2p | 35 7s | 216]2 -| 216] 2 = 216] 2 = 212/612 = 2121[6]2 : 52_|Te]2]2/6]2 : 53 [or [2 [2 [-e[ 3 = 34 | Xe[2/2/;6][ 2 - 35_[cs[2][2] 6] 2 = 36 |Bal2]2/6/2 = 37_[Tal2]2/61/2 = 38 _[cel2]2/6]2 z 590 lie: [22 (22 61.2) - 60_[Na[2]2}6]2 = 61 [Pm[ 2/2161 2 = 62 [sm[2}2{6]2 = 63 [Eul2/216 {2 6 TGd{2]216]2 65_|Te[2]216]2 6s [er{2/2t6]2 69 [Tm|[2]216]216 2 6 70 _[Yb|2}/2[é6lo21e 2 6 A |tul2[2Fe 2 Te 216 6 -| 2 | Hf 2[2[6 [276 216 6 | 3 [Tal2]216]216 216 6 [4 [wi2|2f6[2fe 216 216 2 75_TRe[2/2/6]216 216 216 2 7 [os[2{2/6]216 216 216 2 =] 7 |i l2l2tél2to 216 216 2 3 [rl2l2tél216 2 [6 2[6 1 79 T|Au[2|/2/6[216 216 216 1 80 [Hel2[2[6l21e6 216 2) 610: [2-2 [= [= ps 81 [rerzi2telatelwlatéetitmpate lito 2{7|-T- 82 [Pb] 2 [2/6 [216 fio} 2]6lilialole tie -[2]2[= [= $3_| Bi [2 [2] 61216 iol 216 lolmi216 hot sto 3) Js 84 _|rof2{2fe 216 fol 2{6/lmai2}6 lol otat oi 85_{ar]2{2[6]276 fio} 2 [6/10] 14}216 ToT ~ 2{s{-[- 86 |Rn[2]2/6)2 16/101 216 ]10l 41216 10 (-!):2 [ofa] 87 |Fr[2{2}6t2 6 liol2{6lwlmi2l6tiotet 6[-it 88 |Ra[2[2[6}2 [6|10)/216 110 147276 f10 2[6]- [2 89 Tac|2]21T6]/2 1610] 2 6 jiof ia} 276 |iof-f2};6]1}2 90_|Th]2|2/6[2)6{i0|2 [6 fiolmto2}~ tio -|2}6l2{2] 91 [Pal2]2{6}2 1610/2] 6}10 14[2{6 fio; 2 }2tetij2] 22 }Uf2{2/6 216} il 2] 6 }iolmi2tetiolstote 1{2 93_|Np|2 [276/216] 101216}10l14 2/6 fio; 4 [2y6]1]2 94 [pul 2[27oy2;6l]wl2t6 lof i4]2f6 fiol 6 f2te]-/264 TRATAT DE STINTA $I INGINERIA MATERIALELOR METALICE Tabelul 2.3 (continuare) - Straturi si substraturi ; K| L M N oO P Q = Is} 2s} 2p | 3s | 3p | 3a | 4s | 4p 4d | 4f | 5s | 5p | sd} Sf} 6s | 6p | 6d] 75 Am|2|2[6]2] 6 [io[ 2 [6 [10/14/21 6 [10 T [206 [=:(2 [cm] 27276 [2176 fio; 2 [éfiolm[2f6 wml 7{2/6li}2 [97 TakT2}2{e}27 6 iol2 [6 lolim[2[6]10;s8l21el1]2 [98 Tcr[2}2\| 6] 2/6 [10] 2/6 /10|14]2]6]10]1012 6] - + 99 TEs|2{2/6121]6]10/2]6]i0/14/2]6]1|1l2161-]2 100 |Fm|2/2]6]2]6 [io] 2{[6]iolim4]21 6} 10li2/2/6|-]2 101_|Md|2|2/6]216 [10/2 ]6fiofi4]/2][6 [10/13/2]/6]-]2 102 |No[2[2[6]216 [10[2 [6 fi0fis[2]6 [ill 2)/6l-f2 [103 [tw] 2 [2161276 fiot2 [6]i0li4}2]6|10l4121/6]112 | or [ku [27276 [216 fof? fo liolis}2]6]wlii2{6l212] [ios TNs [2 [27672 V6 fio 2 Te fiolis[2 [6 [io lis[2[6]3]2] 2.1.8. Zece caracteristici generale ale structurii electronice a atomului multielectronic Caracteristicile generale ale structurii electronice a atomului multielectronic pot fi rezumate in zece puncte: 1) electron (stare) — n, fm, s 2) orbital (celula cuantica) > n, £m 3) substrat (nivel energetic) > », € 4) straton 5) numiaru! total al substraturilor intr-un strat: NSu, = Nye =n: sirul de valori: 1, 2, 3, 4, 5, ... 6) numaru! total al orbitalilor intr-un substrat: NO; = N._ = 2-41; 13,5, 75 95a 7) numérul total al orbitalilor intr-un strat: not rate NO, = E(2-e41)a14345+.+[2-(n-1}ot]- Re), 0 2 1,4,.9,716, 25,-... 8) numéarul total al electronilor intr-un orbital: V,,= Nv, 9) numérul total al electronilor intr-un substrat: N= NyeNvn = 2-(2-€41); 9.6.10, 14218 ssc not 10) numérul total al electronilor intr-un strat: N,, = °2-(2-¢+1)=2-n? f=0 2, 8, 18, 32, 50, ... 2.1.9, Structura electronica a atomului de siliciu Caracterizarea pe baza pozitiei si datelor din sistemul periodic al clementelor chimice Siliciul Sik} og este un element semiconductor situat in grupa principala IV a, in perioada a 3-a, are numarul de ordine Z = 14 si masa atomica = 28,086.188 TRATAT DE STIHNTA $I INGINERIA MATERIALELOR METALICE Dac& numarul de perechi de electroni de legatura este egal cu numarul minim de legaturi care mentin molecula se poate deserie usor legatura cu ajutorul orbitalilor localizati, prin metoda legaturilor de valenta. in cazul in care atomul are electroni in orbitali ocupati pe jumitate, are orbitali suplimentari vacanfi, are prea putini sau prea multi electroni de legatura trebuie utilizata metoda orbitalilor moleculari si a fost necesar introducerea nofiunilor de orbitali de antilegatura, orbitali de nelegatura, legaturi multiple, delocalizare ete. Taria legaturii chimice dintre doi atomi este cu atét mai mare, cu cat este mai mare numérul electronilor care se afla in posesia comuna a ambilor atomi, cu cat este mai mare suprapunerea orbitalilor de legatura. 2.3.1, Principalele tipuri de legaturi chimice in substante solide Legaturile chimice care determina coeziunea intre particulele atomice sau moleculare ale unui agregat solid se pot realiza in urmatoarele moduri: 1. transfer de electroni de valenta de la un atom la altul, obtinandu-se o legatura ionica; 2. punere in comun de electroni de valenta — daca toti electronii de valenja sunt pusi in comun pentru intregul agregat solid se obfine 0 /egdtura metalicd; __ — daca una sau mai multe perechi de electroni de valen{a sunt puse in comun pentru realizarea unor legaturi interatomice se obtine legdtura covalenta; 3. fara transfer $i fara punere in comun de electroni de valentd, realizindu-se 0 legaturd slaba numita legatura van der Waals. Varietati si combinatii ale celor patru tipuri de legaturi poarta diferite denumiri. De exemplu: - legdtura dativa (donoare-acceptoare) este o legdtura covalent’ in care perechea de electroni provine de la un singur atom; atomul care cedeaza electronii se numeste donor, iar cel care-i primeste se numeste acceptor; - legatura de hidrogen (punte de hidrogen) se realizeazi de c&tre un atom de hidrogen aflat intre doi atomi electronegativi; de unul din atomi hidrogenul se leaga covalent, contribuind cu electronul sau la formarea perechii de electroni; de celalalt atom se leaga slab electrovalent prin atractic clectrostatica dintre protonul H”' si o pereche de electroni neparticipanti din acest atom. in general, legatura interatomica se realizeazi prin norul electronic internuclear format de electronii de valenta; densitatea (concentrarea sau diluarca) norului electronic internuclear variaza in functie de tipul legaturii chimice (Fig. 2.105). Tipurile de legaturi chimice sunt corelate si intre ele exista o tranzitic treptata, determinat& de variatia energiei potentiale a electronilor in cristal, de distributia spatiala a electronilor in cristal. Legatura chimicA concreté in cristal este determinaté de distributia densitatii electronice in celula elementara si cunoasterea ei permite explicarea cantitativa a proprietatilor fizico-chimice ale substantei cristalizate. Desmostructura unui cristal este caracterizati de tipul, proporfiile si distributia spafisla a legaturilor chimice in celula elementari (in limba greaca, desmos = legaturd). Din punctul de vedere al desmostructurii cristalele se impart in:‘STRUCTURA ELECTRONICA $1 LEGATURA CHIMICA 189 Fig. 2.105. Variatia densitAfii electronice p pe directia celei mai mici distante interatomice in cazul celor patru tipuri de legituri chimice: 2) Legatura jonica in cristalul de NaCl, b) Legitura covalent in carbon (diamant); ©) Legatura metalicd in cristalul de magneziu; d) Leg3tura van der Waals in HO (gheat) - homodesmice (izodesmice), cu un singur tip de legatura intre particulele constitu- tive, in toate directiile; de exemplu: - cristalul de Cu, pentru legatura metalica; - cristalul de C (diamant), pentru legatura covalenta; ~ cristalul de FrF, pentru legatura ionic’; - cristalul de Xe, pentru legatura van der Waals; - eferodesmice, cu leg3turi mixte (intermediare), cu mai multe tipuri de legaturi chimice combinate in anumite proportii, care pot diferi in diferite directii dacd atomii participanti la legaturi sunt diferiti; de exemplu: - cristalul de ZnS, pentru legatura iono-covalenta; - cristalul de Fe,, pentru legatura metalicd-covalenta; ~ cristalul de NaTI, pentru legatura metalica-(covalento-ionica); ~ cristalul de HO, pentru legatura covalenté-leg3tura de hidrogen-van der Waals; - cristalul de FeS>, pentru legatura ionicd-covalenta-metalica; - cristalul de C (grafit), pentru legatura covalenta-van der Waals-metalica; - cristalul de silicat complex, pentru legatura iono-covalento-van der Waals. Energia legdturilor chimice este determinata, in principal, de actiunea unor forje electrostatice si a unor forje de schimb. Pentru ca agregatul solid sa fie stabil trebuie ca fortele predominante electrostatice sau de schimb si fie forte de atractie. Fortele electrostatice coulombiene de atractic se exercita intre particule cu sarcini electrice de semn opus. Forjele de schimb se exercit& intre particule identice, ca efect de cinematica cuantica la efectuarea medierii valorilor energiei de interactiune. Fortele de schimb apar la permutarea rapida si repetata a caracteristicilor particulelor (pozitie, spin, sarcina); ele se pot manifesta190 TRATAT DE STIINTA SI INGINERIA MATERIALELOR METALICE intre nucleonii din nucleu, intre electronii din atom, intre atomii din molecula sau intre moleculele din agregatul molecular. Principiul general al compactitatii maxime afirmA c4, dacd nu exist restrictii speciale de tipul localizarii, directionarii si saturarii legaturilor, particulele unui agregat solid cristalin se aranjeaza astfel incdt s& ocupe cat mai complet spafiul crisialin, ceea ce asigura o energie potentiala de interactiune minima. Legaturile ionicd, metalic’ si van der Waals sunt neorientate, nedirectionate si in cristalele cu astfel de legaturi, atomii considerati sferici tind s& se aranjeze astfel incat si ocupe cat mai complet spatiul disponibil, objinandu-se structuri cristaline compacte. In cristalele ionice dimensiunile relative ale ionilor proveniti din atomi de specii diferite joaca un rol important in stabilitatea unui anumit tip de structurd cristalina. Leg&tura covalenti este strict directionaté in spatiu, determina un numar de coordinatie mic si o compactitate redusa a structurii cristaline; distributia spatiala a atomilor in cristalele covalente depinde de tipul orbitalilor care interactioneazd pentru formarea legaturilor covalente. Cristalul metalic, covalent sau ionic poate fi considerat ca o molecula gigantica care cuprinde volumul intregului cristal, cu atomi sau ioni in nodurile refelei. Cristalele moleculare contin molecule in nodurile refelei; aceste molecule sunt slab legate intre ele prin forte van der Waals. 2.3.2. Teoria clasica a legiturii chimice Fondatorii teoriei clasice a legaturii chimice Kossel W. (1916) si Lewis G. N. (1916) au utilizat modelul Bohr al atomului (1913) si marimi ca razele ionice, razele covalente, energia refelei ionice, energia refelei iono-covalente, electronegativitatea elementelor chimice si potentialele de ionizare. Ambii cercettori s-au bazat pe principiul octetului Lewis-Kossel care afirma ca, in interactiunile la care participa, atomii tind si-si realizeze o configuratie electronica stabila, data de ocuparea completa cu 8 electroni a substraturilor de valenia s*, *p®, ca la gazele inerte. 2.3.2.1. Conceptiile lui Kessel si Pauling privind legatura ionicd Legatura ionica se formeaza intre atomii de natura diferita din compusii chimici. Legatura ionicd este o legatura polard (polarizata), electrovalenta. in cristalele cu legatura ionica particulele constitutive nu sunt atomi neutri, ci ioni pozitivi (cationi) si ioni negativi (anioni). Ionii se formeaza prin transferul electronilor de valenyi de la atomii electropozitivi, care dévin cationi, la atomii electronegativi, care devin anioni. in urma acestui transfer ionii formati au configuratia electronilor de valenta stabila de octet, s*p°, ca a gazelor inerte. Electronii de valenté devin atat de puternic legati in octet incdt conductibilitatea electticd electronici a compusului cristalin este zero sau extrem de mica. La temperaturi tidicate poate avea loc o slab conductibilitate ionicd. Conductibilitatea ionica este mare in substanjele cu legdtura ionica in stare lichida sau dizolvata. Coeziunea cristalelor ionice este determinataé de fortele electrostatice de atractic dintre cationi si anioni care se echilibreazi cu forjele de respingere intre clectronii straturilor ionilor si cu forjele de respingere dintre ionii de acelasi semn. Distantele dintre ionii identici sunt mai mari decat intre ionii de semn opus. Ca urmare fortele de atractie vor fi mai mari decat forjele de respingere si agregatul cristalin ionic este stabil.STRUCTURA ELECTRONICA $ILEGATURA CHIMICA 193 in general, legaturile chimice in molecule sunt flexibile, pot fi indoite, rotite, comprimate, intinse, ceea ce modifica intr-o anumita masura geometria moleculei. Se poate considera ca exista o forma (geometrie) medie a moleculei pentru o anumita perioada de timp. in general, existenta a dou’ sau mai multor substante care au aceeasi compozitie chimicd, aceeasi formuld moleculara, aceleasi tipuri si numere de atomi, dar au proprictati diferite se numeste izomerie. Izomerii geometrici (sferici) difera prin formula structural, geometria moleculei, aranjamentele spatiale ale atomilor si, ca o consecint&, au temperaturi de topire, temperaturi de fierbere si reactivitati chimice. diferite. Izomeria geometricd poate fi cis-irans sau sin-anti: a Gl. {tl Cl. = JH CH -N C,H;-N C=C c=¢C 7 IL * i vw Y Ww TC CHAN N-CH, cis-dicloretini _trans-dicloretina sin-azobenzen anti-azobenzen 2.3.2.3. Metoda respingerii dintre perechea de electroni si stratul de valenté (MRPESV) Distributia spatiald a atomilor intr-o moleculé (intr-un cristal) poate fi adesea prevazuta dacd se cunoaste numarul de electroni de valenta care se afla in jurul unui atom central. Aceasta se bazeazi pe faptul ca electronii in stratul de valenti al unui atom se resping reciproc; de asemenea perechile de electroni cuplati se resping putemic intre ele. Stratul de valent confine electronii periferici implicati in legatura chimica. In legatura covalenta, o pereche de electroni de legtura mentine coeziunea a doi atomi. Intr-o molecula poliatomicd, forfele de respingere determina ca perechile de intre atomul central si liganzi si se pozitioneze cat mai departe unele de altele. Aceste forje de respingere sunt hotaratoare pentru distributia spatiala a perechilor de legtura. si, prin urmare, pentru geometria moleculei, pentru forma poliedrului de coordinatie in cristal. S-au alc&tuit tabelele 2.15, 2.16 si 2.17 privind distributiile spatiale posibile ale perechilor de electroni in jurul unui atom central, privind geometria moleculelor in care atomul central contine sau nu contine perechi de nelegdturd. legatui Tabelul 2.15. Distributia perechilor de electroni in jurul atomului central 4 intr-o molecula Nr. de perechi de electroni Dp istribatia See 180° 2 x OS liniara jenumirea geometric a| distributie’ ss 8 8 trigonal194 ‘TRATAT DE STIINTA SI INGINERIA MATERIALELOR METALICE Tabelul 2.15 (continuare) tetraedrica bipiramida trigonala Tabelul 2.1 Formula moleculei AB, octaedrica 6. Geometria unor molecule siioni in care atomul central nu are perechi de electroni de nelegatura Distributia spatial’ geometricd a Denumirea Exemple distributici liniara AB; trigonala BF; ABs CHs, tetraedricd NH} ABs bipiramida PCL. trigonal clsSTRUCTURA ELECTRONICA $I LEGATURA CHIMICA Formula molecul octaedrica Tabelul 2.17. Geometria unor molecule in care atomul central 4 are una sau mai multe perechi de electroni de nelegatura . z=: Distributia Pees || as 3 spatisla geometrici a xemple es distributiei | ABs 2}1 a» unghiulard SO; BB aB; | 4 344 A rains NH oe . 37] “B trigonala oe B t b | AB) 4 2 2 A unghiulara H30 | 4 | tetraedric& ABS 4) o deformata Sh . am in forma aB,| 5 | 3 | 2 hae CIF; B B aB,}| 5 | 2 | 3 liniara XeF2 B B PIP | iran ; piremida fais B. B ad / ” AB, | 6 412 C pitrat XeF, pop —eEE Scere eaeetiiatal:4 DIFUZIA ATOMICA {N METALE SI ALIAJE (Prof. dr. ing. Maria PETRESCU) 4.1 Importanta proceselor de difuzie in solide in Stiinta Materialelor 4.2 Mecanismul transportului de masa difuziv si legile difuzici 42.1. Vibrajiile atomilor in cristale si rolul agitatiei termice in transportul de masa difuziv 42.2 Legile difuzici si definirea coeficientilor de difuziune 22.1. Legile lui Fick Potentialul chimic si difuzia impotriva gradientului de concentrajie Factori de influent asupra coeficientilor de difuzie Mecanismul atomic al difuziei in solidele cristaline Solutii ale ecuatiilor de difuzie Solutii aplicate pentru studiul fenomenului de difuzie Studiul difuziei in volum Studiul difuziei prin limitele de graunte Solutii utilizate in céteva aplicatii practice Penetratia prin difuzie 432.2 Omogenizarea prin difuzie 4.4. Valoriale coeficientilor de difuzie in citeva metale Bibliografie selectiva 480 Difuzia atomicd sau transportul de masa difuziv este un proces de migratie al atomilor, jonilor sau moleculelor ca rezultat al agitatici termice. Desi migcarea particulelor constitutive din material creata de agitatia termicd are egala probabilitate de a se produce in toate directiile spatiului, ea are ca rezultanta un flux de masa difuziv in directia gradientului de concentratie, in acelasi mod in care transportul termic are un caracter directional in directia gradientului termic. Transportul de masa difuziv este foarte rapid in fluide (materiale gazoase sau lichide) in care atomii sau moleculele poseda miscari de translatie, dar este extrem de lent jn materialele solide in care miscarea particulelor constitutive (atomi, ioni sau molecule) este limitati la misc&ri de vibratie. Difuzia atomilor in materialele metalice lichide sau solide are un rol fundamental atat in procesele de extragere si purificare a metalelor cat siin tehnologiile de prelucrare. Pe de alta parte intrucdt transportul de masa difuziv se realizeaza prin deplasarile atomilor, difuzia in stare solidd permite s4 se obtina informafii asupra agitatiei termice a atomilor in reteaua cristalina si asupra imperfectiunilor structurale prezente in rejea, imperfectiuni care influenteazi numeroase proprietati ale metalelor si aliajelor. 4.1, Importanta proceselor de difuzie in solide in Stiinta Materialelor Este un fapt recunoscut cd majoritatea reactiilor in stare solidd, transformiarile de faz si alte modificari structurale care se produc in materialele solide sunt in general controlate de difuzia atomilor. Numeroase procedee metalurgice sunt 0 directa aplicare a452 TRATAT DE STUNTA $I INGINERTA MATERIALELOR METALICE fenomenelor de difuzie in stare solid’, ca de exemplu tratamentele termochimice, recoz- cerile de omogenizare, precipitarea fazelor secundare in aliaje, sinterizarea pieselor produse prin metalurgia pulberilor etc. La randul sdu procesul de difuzie atomica este el insugi influentat putemic de structura acestor materiale. Imperfectiunile structurale din materialele solide cum sunt dislocatiile, limitele de graunte, suprafetele de separare interfazica reprezinta drumuri de scurtcircuit pentru procesele de difuzie si ca urmare influenteazi puternice cinetica transformarilor controlate de difuzie. Dintre aceste imperfectiuni structurale influenta cea maj mare asupra proceselor de difuzie o au suprafetele de separare intre grauntii cristalini, fie cA sunt limite de graunte in materiale monofazice, fie cA sunt suprafete de separare interfazic& adic limite intre graunti ai unor faze diferite in materiale plurifazice. Intrucdt difuzia de-a lungul limitelor de graunte este cu mai multe ordine de marime mai rapida decat in volumul grauntelui, difuzia prin aceste pasaje de scurtcircuit (in special la temperaturi sub 0,6 7; unde 7, este temperatura de topire a materialului) joacd un rol cheie intr-un mare numar de procese ce implica rearanjari ale pozitiilor atomilor prin difuzie cum sunt precipitarea discontinua, cresterea particulelor de faze secundare, dizolvarea discontinua a fazelor precipitate, descompunerea eutectoida in solutiile solide, tecristalizarea, cresterea grauntilor, sinterizarea, fluajul Coble ete. Daca procesele mentionate reprezinta transformari majore si generale in prelucrarile metalurgice, exist o serie de domenii speciale de prima importanfa in tehnica actual in care difuzia prin limita de graunte sau prin suprafetele de separare interfazica este vital, ca de exemplu microelectronica si dispozitivele optoelectronice. Aceste dispozitive sunt in cea mai mare parte bazate pe structuri constand din filme subtiri multistrat, a caror grosime este de acelasi ordin de marime cu al distantelor de difuzie atomica. Este deci de asteptat ca procesele de difuzie atomica si conditioneze fiabilitatea acestor dispozitive. Intr-adevar, stabilitatea pe termen lung, precum si performantele in cursul functionarii depind de integritatea fizicd a structurii discrete de film multistrat a acestor dispozitive. Filmele subjiri, datorita insesi caracteristicilor lor structurale, cum sunt un foarte mare Taport suprafati/volum, o mare densitate de imperfectiuni structurale sau posibilitatea de a contine mari gradienji de compozitie sau de tensiuni inteme, reprezinta prin chiar natura lor structuri foarte vulnerabile. intr-adevar datoriti mari densitati a limitelor de graunte in filmele subtiri policristaline, procesele rapide de difuzie prin limitele de graunte reprezinta mecanismul dominant de transport de masa in dispozitivele bazate pe filme subtiri la temperaturi joase de functionare a dispozitivelor microelectronice. in majoritatea cazurilor asemenea procese de difuzie se soldeazi cu efecte daunatoare grave si eventual chiar cu distrugerea dispozitivului. Spre exemplu numanl imens de contacte electrice dintr-un dispozitiv microelectronic se pot deteriora ca urmare a difuziei prin limitele de graunte a impuritailor din straturile adiacente, ceea ce are ca rezultat cresterea rezistenfei de contact, pierderea caracteristilor ohmice, pierderea adeziunii, ruperea sau scurtcircuitarea. O alti cale prin care dispozitivele microelectronice sau optoelectronice pot fi deteriorate datorita proceselor de difuzie este formarea compusilor chimici la limitele intre straturi dintr-o structura de film subtire multistrat. Exist& ins& si efecte benefice produse de procesele de difuzie prin limitele de graunte, efecte exploatate in tehnologia moderna a fabricarii dispozitivelor microelectro- nice. Un exemplu bine cunoscut este pasivarea cu hidrogen a limitelor de graunte din siliciul policristalin. De asemenea procescle de interdifuzie intre straturile unei structuri de film subjire multistrat pot fi utilizate pentru inducerea controlata a unor gradienti de concentrafie avand ca rezultat crearea unei variatii continue a caracteristicilor electronice si optice intr-o astfel de structuraDIFUZIA ATOMICA IN METALE $I ALIUE. 453 Importanja studierii proceselor de difuziune nu se limiteaza la implicatiile tehnologice ale acestora, intr-adevar din punct de vedere stiintific fundamental Stiinta Materialelor beneficiaza de cercetarile asupra proceselor de difuzie (atat difuzia in volum, cat mai ales difuzia prin limitele de graunte) ca instrumente de investigare a structurii limitelor de graunte sia suprafetelor de separare interfazica, precum si ca instrumente de studiere a naturii si densitatii imperfectiunilor din structura cristalina a materialelor. 4.2, Mecanismul transportului de masa difuziy si legile difuziei Difuzia in metalele si aliajele solide se realizeaza prin salturi activate termic ale atomilor din vechea pozitie in reteaua cristalina intr-o pozitie vecina. Pentru executarea unui salt atomic difuziv este necesari 4.2.1, Vibratiile atomilor in cristale si rolul agitatiei termice in transportul de masa difuziy In cristalele reale atomii nu sunt ficsi in nodurile tefelei cristaline ci executd o permanenté miscare de vibratie, ale cirei centre de oscilatie sunt reprezentate de nodurile tetelei cristaline. Miscarea de vibratie a atomilor in cristale persist si la 0 K, dar la tidicarea temperaturii amplitudinea 4 a vibratiilor creste (4 = §T')), ajungand ca la temperatura de topire amplitudinea sA devin egala cu distanta interatomica, ceea ce are ca efect distrugerea retelei cristaline. Frecventa oscilatiilor atomice este determinata de forta cvasiclastica a legaturii intre atomi, find dependenté de coeficientul 8 al legaturii cvasiclastice si de masa Ma atomului: = =10° Hz. 4.1 Var 10° Hz (4.1) Cresterea amplitudinilor de vibratie m&reste energia cinetica si potential’ a atomilor din cristal. Cantitatea de energie absorbit la ridicarea temperaturii cu un grad reprezinta capacitatea termicd vibrationala a materialului, iar daca e raportata la unitatea de masi Feprezinta caldura specifica a materialului. Cand incalzirea materialului se face la presiune Constanta, cresterea amplitudinilor vibratiilor atomice este insotita de dilatarea termica a cristalului. Acest efect se datoreste asimetriei curbei de variatie a energiei potentiale V cu distanta de separare interatomica r (Fig. 4.1), curba a carei expresie analitica este: ve-24 £ (4.2) r F unde & reprezintA constanta de Proportionalitate pentru energia de atractie, iar B constanta de proportionalitate pentru energia repulsiva. Asimetria curbei Y= f(r) din Fig. 4.1 da un caracter anarmonic miscarii de vibratie a atomilor in cristal, in sensul ca amplitudinea oscilatiei este mai mica atunci cand atomii se apropie intre ei (r; r,). Ca umare la o temperatura T; distanta interatomicA medie % = (1 + r)2 este mai mare decat distanta interatomic r, de la 0 K, ceea ce inseamni ci cristalul se dilata.454 TRATAT De STIINTA $I INGINERIA MATERIALELOR METALIC & 2 & w ; Distanta , GR fe oy interatomicad Fig. 4.1. Dilatarea termica ca efect al anarmonicitatii vibratiilor atomice Energia de vibratie a unui cristal constituit din V atomi poate fi reprezentatd prin energia unui sistem de 3N oscilatori armonici liniari, Conform mecanicii cuantice energiile posibile pentru un oscilator armonic sunt: E (meth ”, 63) unde 7 = 0, 1, 2, 3 ..., iar h este constanta Planck. Valoarea energiei oscilatorului pentru = 0 reprezinta o semicuanti, (1/2) hy, si se numeste energie de zero, pentru ci este independenta de temperatura si persist pana la zero absolut, In modelul oscilatorilor independenti propus de Einstein, se considera ca fiecare atom vibreaza independent de restul atomilor din cristal. Luand in considerare distributia pe oscilatori a celor m cuante de energie introduse in sistem prin ridicarea temperaturii se objine energia de vibratie a cristalului la temperatura 7: (44) unde & este constanta Bol O expresie mai exacta a energie de vibratie si a caldurii specifice, obtinute prin derivarea energiei in Taport cu temperatura (C = dE/dT), se obfine in modelul oscilatorilor cuplati propus de Debye. in acest model se ia in considerare faptul c& intr-un cristal, datorita cuplarii elastice intre atomi, un atom nu se poate misca fara a perturba Pozitiile restului atomilor. Aceasta inseamna ca atomul nu vibreaza de fapt in jurul unui centru de oscilatie fix, ci in jurul unui centru cu pozitie variabila, determinata de miscarile atomilor vecini. Cuplarea miscarilor de vibratie ale atomilor in cristale are ca efect existen{a unei game de frecvenje de vibratie in locul frecventei unice v din modelul oscilatorilor independenti. Efectul este analog cu cel produs la formarea unor unde stationare pe o coarda vibranta pe care sunt montate greutati egale, la intervale egale. O asemenea coarda are O varietate de “moduri naturale de vibratie”, uncle cu lungimi mari de unda cand mai multe greutati se misca la unison, altele cu lungimi mici de unda cand greutati vecine se migca in opozitie s.am.d. in mod analog, un cristal constituit din N atomi in vibratie cuplata poseda 3V moduri diferite de vibrajie, fiecare mod avand propria sa fiecventa deDIFUZI4 ATOMICA IN METALE SI ALIAIE, 455 vibratie. Frecvenfa maxima v,, corespunde vibratiilor separate ale atomilor individuali. Frecventele modurilor normale de vibratie sunt exprimate de relatia: Bs M2? unde a reprezinté parametrul retelei, iar # 0 constanti. Frecventa maxima corespunde valorii maxime a functiei sinus din relatia (4.5) si are expresia: fa = (4.6) in regiunea frecventelor joase (v << v,,) finctia sinus poate fi considerata egala cu argumentul ei si ca urmare rezulta: v =o By, (4.7) M ) ie cu frecventa undelor acustice care se propaga intr-o coarda vibrant’, v= 32 (4.5) v, 4.8) si prin compararea relatiilor (4.7) si (4.8) se conchide ci marimea a are semnificatia vitezei de propagare a undelor acustice in cristal, iar & are semnificatia numarului de und& 2a/.. Ca urmare frecventele joase ale modurilor normale de vibratie in cristale sunt considerate ca formand banda acusticd. Pentru asemenea frecvente, 2 >> a, si deci caracterul discret al structurii atomice a cristalului devine neglijabil, cristalul putand fi considerat ca un mediu continuu. La frecvenfe mari in banda acusticd ins’, dependenta liniard intre frecventa v si numarul de unda & exprimata de relafia (4.7) nu se mai respect, abaterea find interpretata ca o reducere a vitezei de propagare a undelor elastice. In cristalele alcdtuite din ioni cu sarcina electricd opus (cristale ionice) in spectrul oscilatiilor apare o banda suplimentara de frecvente, banda opticd, astfel numita pentru ci asemenea oscilatii pot fi excitate de undele luminoase. Cu cat disparitatea de masa a ionilor de sarcini opusa se accentueaza (>> m), frecventele din banda optica se ingramadesc spre valoarea frecventei maxime. Temperatura influenjeaz4 nu numai amplitudinea vibratiilor atomice in cristale ci si natura acestor vibratii. La temperaturi joase energia de legatura interatomicd Ej. este cu mult superioara energiei vibratiilor atomice AT, deci Eye >> AT (unde & este constanta Boltzmann). in aceste conditii, cand un atom este scos din pozitia sa de echilibru in reteaua cristalina, el antreneaz in miscarea sa si atomii vecini. Aceasta provoacd o miscare coordonata a atomilor vecini, similara cu propagarea undelor elastice in solide, si ca urmare cristalul se comporta in totalitatea sa ca un intreg, ca un mediu continuu (un continuum de puncte), In acest domeniu de temperaturi pozitiile de echlibru in jurul carora atomii oscileazd cu frecvente date de relatia (4.5) sunt ele insele intr-o migcare de oscilatie cu frecvente mai mici decat primele. La temperaturi inalte, dar inferioare temperaturii de topire a cristalului, energia vibratiilor atomice se apropie ca valoare de energia de legaturd interatomicd (kT Exes). in aceste condifii atomii oscileaza in jurul pozitiilor fixe de echilibru fara a mai fi in faz unii cu alfii, caracterul coordonat al vibratiilor individuale disparand. La o scara de timp +< 10° sec, aceste oscilajii atomice defazate fac ca solidul sa nu mai prezinte o structura periodica, atomii din cristal aparand deplasaji haotic faa de pozitiile de echilibru in rejea.456 TRATAT DE STIINTA $I INGINERIA MATERIALELOR METALICE Dar pentru durate t > 107 sec, se produce o compensare a deplasarilor atomice fafa de pozitia de echilibru, aranjamentul atomilor prezentand periodicitatea caracteristica refelei cristaline. Rezultd c4 pentru majoritatea fenomenelor (1 > 107? sec) defazajul miscarilor de vibratie atomicd nu impieteazd asupra caracterului ordonat al retelei cristaline, care se manifesta ca atare pana la temperatura de topire a cristalului. Temperatura de delimitare intre aceste doua domenii, la care se produce modificarea calitativa in natura vibratiilor termice ale atomilor in cristal (de la un ansamblu de vibrafii in faza la un ansamblu de miscari defazate), se numeste temperatura caracteristicé Debye, Op. Temperatura caracteristicd a unei substante depinde de valoarea energiei de legitura interatomicd Ej, si este deci corelaté cu temperatura de topire 7,. Conform relatiei Lindeman, temperatura caracteristicd se poate calcula: Oy = BTN? Ay, (49) unde 4 este greutatea atomicd medie, y este densitatea si B o constanti care are valoarea = 120 (pentru 4 in grame si y in g/cm’), Pentru cateva elemente temperatura caracteristi Debye este indicata in tabelul 4.1. Tabelul 4.1. Temperatura caracteristied Debye Element_|_C (diamant) | Pb | 398_| 315 | 160 | 159 | 99 | 88 Temperatura caracteristicd intra in expresia marimilor care intereseaz proprictitile termice ale materialelor cristaline (cildurd specifica, conductibilitate termicd ete.), dar prezinta de asemenea importanfa pentru fenomene care intereseaz proprietatile sensibile la structuré si procesele de difuzie in cristale. Astfel temperatura caracteristicd Debye determina domeniul de temperaturi de recoacere a cristalelor in scopul elimin4rii tensiunilor remanente din refeaua cristalina, ceea ce in cazul materialelor metalice imbundtateste conductibilitatea electrica, rezistenta la coroziune si plasticitatea. La temperaturi inferioare temperaturii Debye recoacerea este ineficace deoarece vibratiile termice avand o energie mult inferioara valorii energiei de legatur interatomicd sunt incapabile sd elimine tensiunile locale si distorsiunile refelei cristaline. Pe de alta parte recoacerea la temperatura prea inalta, in apropierea temperaturii de topire, inraut&teste structura cristalului prin introducerea de defecte punctiforme, in special vacante. Astfel, in cazul cuprului (> = 315 K) recoacerea de eliminare a tensiunilor este foarte eficace la 220°C (493 K), deci imediat deasupra femperaturii caracteristice Debye. Un alt mod de a defini temperatura caracteristica a unui material cristalin se face in cadrul nofiunii introduse de Frenkel, de gaz fononic. Cuantele de energie hv ale modurilor normale de vibratie in rejeaua cristalind sunt asociate unor particule fictive sau evasiparticule numite fononi, denumire data prin analogie cu cea de foton sau cuantd de lumina. Descrierea vibrajiilor refelei prin utilizarea notiunii de gaz fononic este avantajoasi din punct de vedere matematic pentru tratarea problemei transferului de energie in cristal (transmisia cAldurii prin interactiuni intre fononi, cresterea rezistivitafii electrice a metalelor prin interactiunile intre fononi si electronii de conductie). La zero grade Kelvin cand vibrajiile termice ale retelei sunt nule nu exista gaz fononic. La ridicarea temperaturii au loc doua fenomene paralele: cresterea numarului de fononi de o anumita frecven{a si excitarea unor fononi cu o frecventd din ce in ce mai inalta. Frecven{a maxima se atinge la remperatura caracteristica Debye. Deasupra acestei temperaturi incalzirea nu mai conduce la excitarea unor fononi de energie din ce in ce mai mare, ci numai Ja cresterea num&rului de fotoni de diverse frecvenje corespunzitoareDIFUZIA ATOMICA IN METALE $1 ALIAJE 457 modurilor normale de vibrafie ale cristalului. in acest fel zemperatura caracteristicé Debye poate fi definita din relatia: k-Op =hev (4.10) unde & este constanta Boltzmann, iar h constanta Planck. Interactiunile intre fononi si schimburile de energie intre ei sunt posibile datorita anarmonicitatii vibratiilor refelei. Ca umare a acestei anarmonicitati fononii trebuie considerati nu strict monocromatici, ci avand un domeniu de freevent, ceea ce duce la suprapunerea fiecventei fononilor invecinati. in alti termeni se poate considera cA gazul fononic trebuie tratat nu ca un gaz perfect, ci ca un gaz real cu interactiuni intre particule. Temperatura caracteristica Debye este esentiald pentru realizarea salturilor atomice difuzive prin care se realizeaz& procesele de difuzie in cristale. Dup cum se va analiza ulterior, un asemenea salt al atomului dintr-o pozifie in refea in pozitia vecin’ reclama nu numai interactiuni suficient de intense cu fononii (deci o agitatie termica suficienta) dar si cooperarea atomilor vecini in sensul unei miscari de vibratie defazate, Defazarea migcarilor ce vibratie atomic& pentru a permite ca atomul difuzant sd se strecoare printre vecinii sai imediafi este deci posibilé numai la temperaturi superioare temperaturii caracteristice Debye. ‘max 4.2.2. Legile difuziei si definirea coeficientilor de difuziune 4.2.2.1. Legile lui Fick Transportul de masa difuziv este descris cantitativ la nivel macroscopic de legile lui Fick analoage legilor lui Fourier pentru transportul termic. Coeficientul de difuzie D; al unei particule din componentul i aflati in amestec sau in solute intr-un solvent este definit prin legea | a lui Fick Ji=— Dy gtad-c (4.11) sau pentru directia x, (4.12) unde/ este fluxul sau curentul de difuzie care trece prin unitatea de suprafata a solventului, in unitatea de timp; c; concentratia componentului / (masuratd in aceleasi unitati de masi ca si). Coeficientul de difuzie are dimensiunile L*T”’, de obicei cm’/s. Cand componentul i devine identic cu solventul, procesul este denumit autodifuzie si poate fi observat numai daca identitatea particulelor difuzante poate fi recunoscut’, de exemplu prin utilizarea izotopilor radioactivi sau stabili. Coeficientul de autodifuzie se noteaza D". Modificarea concentratiei in timp esie descrisa de legea a Il-a a Ini Fick (4.13) (4.14) (4.15) et a458 TRATAT DE $TINTA SITNGINERIA MATERIALELOR METALICE. in sistemele metalice coeficientul de difuzie variaz’ apreciabil cu concentratia, iar yalorile obtinute prin aplicarea ecuatiei (4.13) reprezinta o medie a coeficientului de difuzie in intervalul de compozifie utilizat in determinare. Valorile coeficientilor de difuzie obfinute prin aplicarea ecuafiilor (4.13) sunt riguros valabile numai pentru mecanisme de difuzie simple, ca de exemplu autodifuzia sau difuzia unui component interstitial in reteaua cristalina a solventului. Pentru mecanisme de difuzie mai complexe, ca de exemplu difuzia in solutiile solide de substitutie, in care se produce miscarea mai multor specii atomice, aplicarea ecuatiilor (4.13) conduce doar Ia un coeficient de difuzie D rezultant, numit coeficient de interdifuzie Sau coeficient de difuzie chimica. Explicitarea contributiei difuziei fiectrui component al solutiei este facut prin intermediul ecuatiei Darken, care pentru o solutie binara are forma D=N,.Dg+N3Dy, (4.16) unde N, si N, sunt fractile atomice ale componentilor, iar D, respectiv Dp Teprezinta coeficientii de difuzie partiali sau intrinseci ai componentilor. Pentru Nz, — 0, deci N, — 1, coeficientul de interdifuzie D devine egal cu coeficientul de difuzie intrinsec al componentului B aflat in concentratie redusd, practic in Gilufie infinita. Un asemenea coeficient este denumit coeficient de difuzie al impuritatii. Coeficientii de difuzie partiali in relatia (4.16) sunt, in general, diferiti (D, # D,) si ca urmare, difuzia componentilor este insotita de crearea de vacanje in refeaua cristalina, Flusul macroscopic care se produce pentru eliminarea excesului de vacante poate fi masurat prin deplasarea (cfect Kirkendall) unor repere inerte plasate initial la interfata din cuplul de difuzie. Deplasarea X, a reperului in timpul de difuzie ¢ este, conform ecuatici Darken: (4.17) Cele doua ecuajii Darken permit calcularea coeficientilor de difuzie partiali cunoscind valoarea coeficientului de interdifuzie D determinata experimental. Coeficientul de difuzie partial al componentului / este dependent de activitatea termodinamica a componentului respectiy in solutie, conform relatiei tho Des war{is oi ‘7 } (4.18) unde 7, este coeficientul de activitate; 44; mobilitatea atomilor din specia i (viteza medie sub actiunea fortei unitare). Relafia (4.18) se aplicd si pentru viteza de transport a trasorilor radioact solutie omogeni, care nu prezintA gradient de concentratie chimica. In acest caz nu variatie a coeficientului de activitate cu concentratia, deoarece atomii radioactivi si cei neradioactivi au aceeasi identitate chimica, si factorul termodinamic din ecuatia (4.18) se anuleaza. Ca urmare, ecuatia (4.18) defineste in acest caz coeficientul de autodifuzie (D;) al componentului / in aliajul omogen D; = MAT. (4.19) Raportul intre coeficientul de difuzie intrinsec D; si coeficientul de autodifuzie D;’ al componentului i in aliaj este dependent de variatia cu compozitia a coeficientului de activitate termodinamica in solutie, conform relatiei (4.20)DIFUZIA ATOMICA IN METALE $1 ALIAJE 459 intrucat variafia cu compoziia a coeficientului de activitate termodinamica este sceeasi pentru ambii component ai solutiei (relatia Gibbs-Duhem), respectiv élny élnyg (421) GinN, GinNg rezult c& pentru tofi componentii solutiei raportul intre coeficientul de difuzie intrinsec si coeficientul de autodifuzie in aliaj (4.22) se mentine constant. Din punct de vedere practic constatarea fenomenului de difuzie se face pe cai diferite in cazul autodifuziei, respectiv al heterodifuziei. Asa cum s-a mai amintit fenome- nul de autodifuzie reclama marcarea elementului difuzant cu izotopi radioactivi si masura- tori de radioactivitate in cuplul de difuzie. In schimb heterodifuzia sau difuzia chimica ce se produce in solujiile solide sau in compusii intermetalici unde exist cel putin doua specii atomice diferite poate fi constatata prin analiza chimicd a componentelor cuplului de difu- zie inainte si dupa procesul de difuzic. O ilustrare a fenomenului este facuta in Fig. 4.2 pentru cazul formérii unei solutii solide de substitutic la interfata dintr-un cuplu de difuzie constituit initial din Ti $i Zr. Distinctia intre diversi coeficienti de difuzie definiti anterior este pusa in evidenta in Fig. 4.3. interfata de gifuzie stratul de difuzie (solutie 20000018 oooo6e! 290000, 9900001 cocoa! 600000) 100%TF 100% Zr 8 Irn Ts o TK Fig. 4.2. Heterodifuzia in cuplul Ti-Zr (I - inainte de tratamentul de difuzie; II — dupa tratamentul de difuzi a) interfaa la nivel macroscopic in cuplul de difuzie; b) dis- tributia atomilor de Ti si a atomilor de Zr in cuplul de difuzie; c) concentratia pentru Ti, respectiv pentru Zr in cuplul de difuziune460 TRATAT DE STINTA $I INGINERIA MATERIALELOR METALICE eo 1 S e) a ® 104 ° os 70 Pera Fig. 4.3. Variatia cu compozitia a diversilor coeficienti de difuzie in cuplul Au- Ni: 1 - coeficientul de autodifuzie al aurului D*,, (experimental); 2 - coeficientul de autodifuzie al nichelului Dy; (experimental); 3 - coeficientul de imterdifuzie D (experimental); 4 - coeficientul de interdifuzie D (calculat) 4.2.2.2. Potentialul chimic si difuzia impotriva gradientului de concentratie In definirea coeficientilor de difuzie si in exprimarea legilor lui Fick s-a utilizat conceptul de gradient de concentratie. in realitate nu concentratia este factorul cu relevanta termodinamica. Daca acest lucru ar fi valabil difuzia ar trebui si inceteze cand nu mai exist& un gradient de concentrajie, adicd atunci cénd elementul difuzant este perfect uniform distribuit in sistem. De fapt echilibrul este definit nu prin egalitatea concentrajiilor, ci prin egalitatea potentialelor chimice. Potenfialul chimic ys al componentului / dintr-o solutie este definit ca 6G/én;, unde G este energia libera a solutiei si z;este numirul de moli al componentului in solutie. in solugiile ideale potentialul chimic poate fi exprimat in functie de fractia molara x; 4, = ub + RT logx,. (4.23) Daca solutia este neideala, in locul concentratiei molare se introduce activitatea aq; (unde a;= x; %), 7; fiind coeficientul de activitate. Deci: M, = up + RT loga, (4.24) Realitatea este deci ci un element chimic este in echilibru intre doua faze cand potentialul sau chimic este acelasi in cele doua faze, fapt exprimat de relatia Gibbs-Duhem: Glog y, ; (4.25) Difi impotriva gradientului de concentrajie care se observa in anumite transformari din aliaje devine un fenomen explicabil prin faptul ca se produce in directia sc&derii potentialului chimic. Pentru motive de comoditate in discutia proceselor de difuzie se continua si se vorbeasca de concentratii, introducand insa coeficientii de activitate.Diruzia ATOMICA IN METALE $I ALIAJE 461 4.2.3. Factori de influent& asupra coeficientilor de difuzie Asa cum s-a precizat difuzia in metalele gi aliajele solide se realizeaz4 prin salturi activate termic ale atomilor din vechea pozitie in refeaua cristalina intr-o pozitie vecina. Corelafia intre fluxul macroscopic de difuzie, descris de legea I a lui Fick si salturile in directii intampltoare ale unui numar imens de atomi, dintr-o pozitie a retelei in pozitia yecin, este efectuata prin intermediul nofiunii de frecventé medie de salt atomic T. Frecventa medie de salt I reprezinté numarul de salturi executate de un atom in unitatea de timp, directia saltului avand egala probabilitate inspre toate cele z pozitii ale atomilor vecini in refea (z este numérul de coordinatie al retelei cristaline). Fluxul de difuzie j se coreleazi cu frecventa medie de salt P prin relatia: wal ye oe 2 Lyra, (4.26) unde a reprezinta distanta dintre doua pozitii atomice de echilibru vecine in rejea. Din identificarea relatiilor (4.12) si (4.26) rezulta D 1ra (4.27) Valoarea coeficientilor de difuzie este influentati de temperatura, de natura elementului dizolvat si a solventului, de concentratia in solutie si de prezenta imperfectiunilor in reteaua cristalina (vacante, dislocafii, limite de grfunte). in expresia (4.27) a coeficientului de difuzie, distanja interatomica in retea a variaza foarte putin cu temperatura si are valori apropiate pentru toate metalele. Ca urmare, faptul ca D variaza rapid cu temperatura si este foarte diferit in aliaje diferite se datoreste variatiei frecventei medii de salt P. Variatia cu temperatura a coeficientilor de difuzie este exponentiala (de tip Arrhenius) conform relatiei: pane”, (4.28) unde R este constanta gazelor; 7 temperatura absoluta; F energia de activare; Dp factorul de freeventi. Factorul de frecventi Do are aceeasi dimensiune ca si D, este independent de temperatura si pentru metale si aliaje solide este cuprins intre limitele 0,1-10. Datorita predominantei factorului exponential in ecuatia (4.28), erori mici in determinarea energiei de activare E conduc la erori mari in factorul de frecvent& Dp. Energia de activare E este si ea independent de temperatura; o schimbare in valoarea energiei de activare cu temperatura indica o modificare a mecanismului de difuzie (spre exemplu, trecerea de la preponderenta difuziei in volumul grduntilor cristalini la preponderen{a difuziei prin limitele de graunte). intr-un monocristal perfect difuzia poate avea loc numai prin interiorul rejelei cristaline sau pe suprafata cristalului. in materialele policristaline este posibila in plus difuzia prin limita de graunte. Din datele comparative asupra cocficientilor de difuzie in yolum (D,), prin limita de graunte (Ds) si pe suprafata materialului (Ds), rezulta: D, > D,> D.- in unele cazuri difuzia elementului dizolvat prin limitele de graunte poate fi mult mai mare decat difuzia prin interiorul retelei cristaline, mai ales la temperaturi joase, datorita energiei de activare mai mici pentru D, decat pentru Dy. Dislocatiile din reteaua cristalind a grauntilor au acelasi rol in difuzie ca si limitele de graunte. Datorita micsorarii compactitatii retelei cristaline difuzia se face cu viteze mai mari de-a lungul retelei de dislocatii, deoarece atomii din zona dislocatiei au frecvente de salt mai mari si energie de activare a saltului difuziv mai mica decat atomii dintr-o zona perfecta a retelei. Energia de activare a difuziei prin dislocatii Bz; ~£2~ 1/2 E,. Ca urmare,462 TRATAT DE $TIINTA SI INGINERIA MATERIALELOR METALICE difuzia prin dislocatii ca gi difuzia prin limita de graunte devine important la temperaturi joase si are un mare rol in durificarea prin precipitare a aliajelor. In metalele anizotrope coeficientul de difuzie in volum difera cu directia cristalina. 4.2.4, Mecanismul atomic al difuziei fn solidele cristaline Specificul miscarii atomilor in cristale care se limiteaza la vibratii in jurul pozitiilor de echilibru din retea impune anumite caracteristici pentru mecanismul transportului de masa in solidele cristaline, mecanism bazat pe salturi difuzive ale atomilor. Un salt atomic difuziv pretinde: - oO anumitd energie de activare; - un mecanism specific de salt. Energia de activare este necesari intrucat energia potentialé a atomilor care migreaza prin difuzie este o functie periodica de pozitie, fiind minima cand atomul ocupi pozitii in nodurile rejelei cristaline. Pentru a trece dintr-o pozitie de minim in pozitia vecini de minim, atomul care exccuta saltul difuziv trebuie s4 treacd printr-o pozitie de maxim situaté la jumatatea distanjei intre cele dowd noduri vecine in retea. Accasta energi suplimentara reprezint& energia de activare necesarA pentru executarea saltului difuziv. Fluctuatiile termice in energia de vibratie a atomilor in refeaua cristalind furnizeaza unei anumite fractii din atomii retelei energia de activare necesara pentru depisirea barierei de potential ce separa pozitiile de echilibru. Aceasta fractie a atomilor ce poseda energia de activare creste la ridicarea temperaturii, avand drept consecin{A cresterea exponentiali a coeficientului de difuzie D exprimata de ecuatia Arrhenius (4.28). in privinta mecanismului specific al saltului difu pentru ca un salt difuziv sa fie posibil atomul inzestrat cu energia de activare trebuie sa dispuna de un loc in care si se plaseze si de un mecanism prin care sa-l ocupe. O conditie suplimentara este aceea ci atomii vecini din refeaua cristalina trebuic s4 coopereze cu atomul care executa saltul difu- ziv in sensul c& vibratiile lor trebuie s4 fie defazate ca s& permite atomului care difuzeaza si se strecoare printre ei. Acest lucru este posibil deasupra temperaturii caracteristice Debye. Datele din tabelul 4.1 aratd cA pentru o serie de metale valoarea Op este situatS sub sau in vecinatatea temperaturii ambiante. In Fig. 4.4 sunt prezentate principalele mecanisme posibile pentru saltul difuziv. Mecanismul a) este cel mai simplu si se produce in solutiile solide interstitiale. Atomul interstitial cu r, < ry trece dintr-un interstitiu in interstitiul vecin f&rd a produce o deplasare permanent a atomilor vecini ai solventului. Mecanismul b) se realizeaz4 prin schimb de locuri cu vacanjele prezente in refeaua cristalina si actioneazi preponderent la temperaturi inalte intrucat concentratia vacantelor creste exponential cu temperatura. Mecanismul c) nu implica participarea vacantelor ci se bazeaza4 pe existenta altui tip de defect al retelei cristaline denumit crowdion (de la “crowd” = multime, ingraméadire in engleza). in acest tip de defect, pe o directie de maxima impachetare in refea exist un atom autointerstitial a cirui prezen{i ingramadeste atomii solventului pe directia respectiva. Autointerstitialul care difuzeaza isi forteazi drumul prin refea impingandu-si vecinii din crowdion. Mecanismul difuziei in volum este diferit in solutiile solide de interstitie si in solutiile solide de substitutie. Difuzia elementelor dizolvate interstitial are mecanismul cel mai simplu, producandu-se prin salturi atomice in interstijii; energia de activare E din ecuatia (4.28) reprezinta in acest caz energia necesara pentru trecerea atomului difuzant in pozitia cea mai defavorabila situata la jumatatea distantei intre doua interstitii.DiFUZIA ATOMICA IN METALE $I ALIAJE 463 » 863 § O00 O00 C000 OO 2» Oo QO 90 oO O 0000 Fig. 4.4. Mecanisme de difuzie in solide cristaline Autodifuzia in metalele pure si difuzia in solutiile solide de substitutie se produc prin mecanisme mai complicate: - _ schimb de locuri intre atomii din nodurile retelei; + difuzie prin autointerstitiali; - _ difuzie prin schimb de locuri cu vacantele. Pentru mecanismul de difuzie prin vacante (cel mai probabil), energia de activare E din ecuatia (4.28) reprezinti suma a doi termeni si anume energia de creare a unei vacanje si energia de deplasare a unui atom intr-o pozitie vacanta a retelei cristaline. In cazul autodifuziei in metale pure energia de activare este proportional cu temperatura absoluta de topire (E/T yo ~ 35). 4.3, Solutii ale ecuatiilor de difuzie Atat studiul proceselor de difuzie, cat si studiul aplicatiilor practice ale acestor procese se bazeazi in majoritatea cazurilor pe integrarea celei de a doua legi a lui Fick care presupune difuzia in regim nestationar. In foarte putine cazuri studiul procesului se bazeaz pe integrarea primei legi a lui Fick ce admite ca difuzia se produce in regim stationar. O asemenea situatie se intalneste spre exemplu la difuzia hidrogenului printr-o tabla de metal pe ale carei fete se aplicd o presiune partial diferita a hidrogenului, diferenta de presiune partial find mentinuta constanta in timp. Conditia de regim stationar este deci indeplinita, iar gradientul de concentratie al impuritatii difuzante se mentine constant in timp (éc/é = 0). Din ecuatia (4.13), rezulta: 2(0%)- 0. (4.29) ox ox : mine ope: : a . Oc Ac In consecinya, D— =constant, iar pentru D independent de concentratie =e ox Ox Ax =e deci D—= =constant. Ay in continuare, se vor prezenta un numar de solutii valabile in regim nestationar rezultate din integrarea celei de a doua legi a lui Fick, solutii valabile atat la studiul464 TRATAT DE STIINTA SIINGINERIA MATERIALELOR METALICE proceselor de difuzie cat si la cazuri practice de aplicare a acestor procese. Reamintim ci cea dea doua lege a lui Fick (4.13) este o ecuatie diferentiala cu derivate partiale si ea are o solutie definita numai daca la integrare sunt cunoscute urmatoarele condifii: - condifiile inifiale care fixeaz4 starea sistemului inainte de difuzie, deci la timpul ¢ = 0; - condifiile la limité care se pot referi la factori geometrici specifici conditiilor experimentale (forma interfejei de difuzie, grosimea probei de difuzie) sau la factori fizici impusi de natura fenomenului de difuzie (spre exemplu condifi de continuitate). 4.3.1. Solutii aplicate pentru studiul fenomenului de difuziune in functie de varietatea conditiilor initiale si la limit alese se obtine o mare varietate de solutii rezultate din integrarea legii a doua a lui Fick, solutii prezentate in lucrari specializate, ca de exemplu J. Crank, The mathemathics of diffusion. Cateva dintre acestea vor fi prezentate cu scopul de a ilustra varietatea solutiilor obfinute la integrare. Pentru simplitatea procesului a fost ales pentru exemplificare cazul determinarii coeficientilor de autodifuzie cu trasori radioactivi. 4.3.1.1. Studiul difuziei in volum in Fig. 4.5 sunt prezentate schematic conditiile initiale gi la limita pemtru cele mai utilizate aranjamente experimentale aplicate pentru msurarea coeficientilor de difuzie, iar in continuare sunt indicate solutiile corespunzatoare rezultate din integrarea celei de a doua legi a lui Fick, valabile pentru fiecare caz in parte. ax x 4x x 4x { D 0 D depus h< 1,5 pol 4.3.1.2. Studiul difuziei prin limitele de griunte Problema poate fi tratata cantitativ folosind modele idealizate, dar care pot deveni valabile cu bund aproximatie daca sunt respectate anumite condifii. In probele policristaline restrictiile impuse de modele idealizate sunt mult atenuate din cauza numéarului mare de graunti mici si a orientarii lor intamplatoare, ceea ce permite utilizarea unor asemenea modele. in cele ce urmeazA va fi prezentat un asemenea model (Fig. 4.6.) si solutia cantitativé a problemei difuziei prin limita de graunte propusa de Fisher in cadrul acestui model. in Fig. 4.6 se considera limita de graunte cu grosime uniforma 5 ce separa grduntii A si B. Limita de graunte 5 este paralela cu axa Oy si este normala la suprafata libera a cristalelor ce contine axa Ox. Viteza de difuzie a unui element a carui concentratie in punctul y = 0 se menfine constanta in timp (fiind notata G-0 = Co) este mult mai mare prin limita de graunte (coeficient de difuzie Ds) decat viteza de difuzie in volumul cristalelor adiacente (coeficient de difuziune D,), deci D,>> D,. Evident ci si coeficientul de difuzie D,variaza cu temperatura dupa aceeasi relatie Arrhenius ca si coeficientul D,, deci Dz= Des exp (- Os/RT). (4.37) in timpul tratamentului de difuzie atomii difuzanti patrund preferential in limita de graunte si apoi sufera o difuzie laterala in volumul cristalelor adiacente, Dupa difuzie se obtinDIFUZIA ATOMICA IN METALE $I ALIAJE 467 difucie laterala Fig. 4.6. Model al difuzici intergranulare: atomii pAtrunsi de la suprafata liberd in limita de graunte sunt supusi ulterior unei difuzii laterale in masa cristalelor adiacente conture de echiconcentratie (cu concentrafia co/m, unde 7 poate fi orice numér) care au forma din Fig. 4.6. Atat difuzia prin limita de graunte cat si difuzia in volumul grauntilor sunt guvernate de legea lui Fic! D, Ac.=Gc,/6t si Ds Acy= Gey /6t (4.38) in punctul P de intersectie al limitei de graunte cu un contur de echiconcentratie arbitrar ales (deci la x = 8/2), trebuie respectate doua conditii: a) concentratia trebuie sa fie aceeasi in limita de graunte $i in volumul cristalului, deci: (Cb rmza2 = (Cy )am2ars (4.39) b) conturul de echiconcentratie trebuie sa fie continuu, deci: D, (Gcy/8x) x28 = Ds (Oc5 /0X) xo282- (4.40) Pentru cazul cénd conturul de echiconcentratie este simetric in raport cu axa Oy, se poate scrie: Pexlest) 2] ; a1) dr=0 Introducénd aceasté valoare in ecuatiile (4.38) si (4.39), se poate ardta usor ca problema se reduce la rezolvarea urmatoarei ecuatii: (4.42) Solutia ecuatiei (4.42) indicd concentratia c,a substantei difuzante in punctul P siea este data de (4.43): 2 € 3 sz yeves (4.43) zip? unde:468 TRATAT DE STIINTA SI INGINERIA MATERIALELOR METALICE, wx-d/2 iy § “pr 7 Yor’ B (4.44) O rezolvare fri aproximatii dar mai pretentioasé oferita de Whipple (4.45) permite de asemenea calculul concentratiei c,: 22 eye sevfen+ te Gou[-2E hoel( t-te, (443) Daca & este mic adic daca se afla langa limita de graunte si dac& 1 >> | adicd dacd difuzia este studiata la mare adancime relatia (4.45) se transforma in (4.46): 6, /¢y = 11596377? exp|-0,473 872/398 — 0,396 873231 Be). (446) Trebuie precizat cd relatia (4.46) este aplicabilA numai daca c/e;< 0,1 deci pentruo valoare foarte mica a acestui raport. Desi formalismul matematic al celor dou’ expresii pentru c, este complet diferit (4.43, respectiv 4.45) ele conduc la un rezultat aproape identic, concordanta imbunatatin- du-se la cresterea valorii pentru B, devenind chiar excelenta pentru B > 10. Din punct de vedere al structurii materialelor se pot trage concluzii interesante examinand care este semnificafia fizicd a acestei condifii. Astfel rearanjand expresia pentru méarimea B in forma data de (4.47): 5D, 2D, D, si punand conditia B > 10, vom obtine 0 relatie de calcul a raportului intre coeficientul de difuzie D, prin limita de graunte, respectiv coeficientul de difuzie D, in volumul grauntelui si anume: B= (4.47) D, D, _ 20fD,1 o> te . (4.48) 5 Introduednd in relatia (4.48) valori pentru un timp de difuzie nu prea lung (de exemplu f= 7,4 zile, adie& 1 = 64 - 10° sec) gi pentru grosimea limitei de graunte o valoare 3 = 10°7cm, adica 10 A, vom obtine relatia: 2+>16:10°YD,. (449) Deci pentru o valoare obisnuita la temperaturi joase a coeficientului de difuzie in volum D,=10 “* cm? /sec se obfine un raport DJD,=1,6 10°, (4.50) ceea ce Inseamna ca difuzia prin limita de graunte este de zece mii de ori mai rapida decdt difuzia in volumul grauntilor. Datele experimentale confirma aceasta predictie teoretica, dar numai la temperaturi joase, raportul valorilor D;/D, scézénd la ridicarea temperaturii, Coneluzia practic este cA difuzia prin limitele de graunte joaci un rol extrem de important in transformirile structurale la temperaturi joase, dar rolul sau se atenueazi la cresterea temperaturii. 4.3.2. Solutii utilizate in cAteva aplicatii practice Procesele metalurgice si transforméarile structurale in care sunt implicate procesele de transport de masi difuziv sunt foarte numeroase si extrem de variate, dar din punct de vedere al procesului de difuzie ele pot fi sistematizate in: a) procese cu sursa exterioari aDIFUZIA ATOMICA IN METALE $1 ALIAJE. 469 elementului difuzant si b) Procese fara sursd exterioara a elementului difuzant. fn cele ce umeazi cazul a) va fi exemplificat prin penetrajia prin difuziune iar cazul b) prin omogenizarea prin difuzie, 4.3.2.1. Penetratia prin difuzie O sursa exterioara de element difuzant este totdeauna prezenta in procesele in care are loc penetratia prin difuzie, Aceasti Penetratie poate fi dorita, ca in cazul tratamentelor termochimice ce urmaresc alierea superficiala a pieselor in scopul de a le asigura anumite proprietati in care este implicat Preponderent stratul superficial (tratamente de carburare sau de nitrurare pentru marirea Tezistentei la uzare, tratamente de cromizare pentru marirea rezistenjei la coroziune a pieselor de ofel). in alte situatii penetratia poate fi nedorita, ca in cazul oxidarii sau al altor procese de coroziune in care oxigenul sau alt element cu actiune coroziva patrunde prin difuzie din mediul exterior in adancimea piesei. ig. 4.7 este ilustrata distributia clementului difuzant (spre exemplu a carbonului In Ia tratamentul termochimic de carburare) de-a lungul axei Ox considerata perpendiculara pe interfata plana ce separa piesa de mediul exterior; valorile pozitive crescitoare ale variabilei x indicand deci directia de penetrare a elementului difuzant in adancimea piesei. La suprafata liber a piesei (x 0) este mentinuta in mediul exterior o concentratie c, constanta in timp a elementului difuzant; aceasta constituind sursa exterioara pentru difuzie. e tat G x 0 +x 2 >) Fig. 4.7. Reprezentarea distributiei elementului difuzant in procesul de penetratie prin difuzie in momentul initial (timpul r= 0) concentratia elementului initial de-a lungul axei x este Constanta c)= const. (caz particular co= 0). Dupa tratamentul termochimic de difuzie (adica de incalzire a piesei timpul 1 la o temperatura constanté T in mediul exterior capabil si menfina la suprafata piesei o concentratic constanta c,), pe adancimea Piesei s-a obfinut de-a lungul axei x o curba de variafie a concentratiei c = fix). Ecuatia acestei curbe de penetratie se obfine prin integrarea celei de 2 doua legi a lui Fick pentru condijiile initiale si la limita specificate. Printr-o Tearanjare convenabila a termenilor, ¢cuatia curbei de penetratie ia forma: -«(=5) . (4.51) Frecvent, ceea ce intereseaza este nu atdt ecuafia curbei de penetratie in totalitatea sa, ci adancimea de penetratie x = 6 Ja care s-a obfinut pe curba de penetratie o anumité concentratie c’ care prezinta interes din punct de vedere practic. In acest caz ecuatia (4.51) ia forma: £6 yar 4 }: (4.52) 2VDr intrucét membrul intai al ccuafici (4.52) este constant, rezulté c& si argumentul functiei erf in (4.52) trebuie si fie constant, deci: c-e470 TRATAT DE §TIINTA $I INGINERIA MATERIALELOR METALICE. 5=K Dt. (4.53) La temperatura constanté (cum se aplicd uzual in tratamentele termochimice), coeficientul de difuzie D este constant si poate fi inglobat intr-o noua constant& K. Atunci rearanjand termenii in (4.53), se obfine o dependent& parabolicd de timp a adancimii de penetratie 5: (4.54) t Fig. 4.8. Dependenta de timp si temperatura a adAncimii de penetratie prin difuzie Dependenta parabolica de timp a adancimi de penetratie 5 pana la care concentatia elementului difuzant este c> c’ are consecine practice importante, asa cum este ilustrat in Fig. 4.8: - adancimea de penetratie 6 (care reprezinta valoarea grosimii stratului de difuzie ce prezinta interes practic) poate fi marita prin prelungirea timpului de difuzie, dar metoda devine ineficienté la timpi foarte lungi din cauza scdderii pantei parabolei ce tinde asimptotic spre o valoare constanta; - 0 cale mai eficienté de méarire a adancimii de penetratie 6 intr-un tratament termochimic o reprezinta adoptarea unei durate de difuzie rezonabile din punct de vedere tchnologic si ridicarea temperaturii de tratament de la 7; la 7>. Efectul este foarte puternic din cauza cresterii exponentiale a coeficientului de difuzie cu temperatura. Aceasti influent a temperaturii asupra adancimii de penetrafie, mult mai putemnica decdt a timpului, are consecinje dramatice asupra oxidarii sau coroziunii uscate a pieselor ce lucreazi la temperatura inaltd atunci cind se incearcd ridicarea temperaturii de serviciu, fie numai cu cateva zeci de grade. Este important de precizat c& valoarea concentratiei c” pentru care este definitd adancimea de penetratie 5 este aleasi pe considerente practice. Spre exemplu la carburarea pieselor de ofel cu conjinut de carbon co ¢ 0,2% C valoarea c” se adopta aproximativ egal cu 0,8% C; aceasta pentru ci numai compozitiile mai bogate in carbon decat 0,8% sunt suficient de dure pentru a reprezenta un strat de difuzie carburat. 4.3.2.2. Omogenizarea prin difuzie in acest caz nu exista o sursd exterioara pentru elementul difuzant, ci acest element aflat initial in sistem intr-o distributie neuniforma este omogenizat sau uniformizat printr-o redistribuire prin difuzie. Un caz tipic il constituie segregatia dendritica formata la turnarea aliajelor: cristalul de forma arborescenta (dendritica) contine elementul de aliere in concentratie maxima in scheletul dendritei si in concentratie minima la jumatatea distanjei intre ramurile secundareDiFUZIA ATOMICA IN METALE $1 ALIAJE 471 ale dendritei. O asemenea distribufie initiald neuniforma (segregatia dendritica) este reprezentatd in Fig. 4.9 la timpul 1 = 0 printr-o funotie periodicé (de exemplu functia cosinus) de-a lungul axei x ce reprezinti trunchiul dendritei, semilungimea de unda a acestei variatii fiind notat . Considerand ramurile secundare echidistante si perpendiculare pe trunchiul dendritei, concentratia elementului de aliere segregat la turnare va varia pe axa x conform ecuatiei: c=e+e,-c0a2), (4.55) unde co este concentratia medie, iar c,, este concentratia maxima a elementului segregat in axul ramurei secundare a dendritei. ko te Fig. 4.9. Variatia concentratiei elementului difuzant, inainte (= 0) si dupa aplicarea recoacerii de omogenizare prin difuzie (dupa timpul ) Prin aplicarea unui tratament termic de recoacere de omogenizare (incalzirea piesei la temperatura 7 pentru o duratd egala cu timpul #) amplitudinea cosinusoidei din Fig. 4.9 se micgoreazi; Ja limita cand omogenizarea prin difuzic a clementului segregat a devenit perfect cosinusoida se aplatiseaz’ complet confundandu-se cu orizontala cy. Procesul de omogenizare prin difuzie reprezentat de cosinusoida aplatisata din Fi; 4.9 este descris cantitativ de relatia (4.56) rezultata prin integrarea legii a doua a lui Fick pentru conditiile initiale si la limita precizate anterior: (4.56) C=C tly -cos( unde timpul de relaxare t depinde de coeficientul de difuzie D si de semilungimea de unda/ a variajiei periodice a elementului segregat (/ - semidistanta intre ramurile secundare ale dendritei); expresia timpului de relaxare este dat de relatia (4.57): P 7D- Rearanjand termenii in (4.56) si introducand valoarea timpului de relaxare, se obtine functia fde dependen{a a gradului remanent de segregare exprimat prin m&rimea (c— cy) $i anume: (4.57) rs (4.58)472 TRATAT DE STHNTA $I INGINERIA MATERIALELOR METALICE Pentru a obtine 0 omogenizare prin difuziune cat mai perfect trebuie actionat in sensul micsorarii diferentei de concentratie (cco) deci in sensul maririi exponentialei din membrul al doilea al (4.58), manevrand urmatorii parametri tehnologici: - mérirea timpului ¢ de omogenizare prin difuziune; lungirea timpului de tratament termic este ins costisitoare; - Tidicarea temperaturii de tratament care mareste exponential coeficientul de difuzie D al elementului segregat; ridicarea temperaturii este deci mult mai eficient& decit prelungirea duratei; - micsorarea semidistanjei | intre ramurile secundare ale dendritelor, fie prin objinerea unei granulafii fine la turnarea aliajului, fie prin framitarea structurii de tumare printr-o deformare plastica aplicata inaintea recoacerii de omogenizare prin difuzie, 4.4, Valori ale coeficientilor de difuzie in cAteva metale Literatura asupra datelor de difuzie in metale si aliaje este foarte vast existind publicatii specializate care le aduc in mod permanent la zi. Datele din tabelele ce urmeaza au fost selectate doar pentru a ilustra anumite efecte structurale. in mod fortuit selectia a fost foarte restransa si s-a limitat la cdteva metale de importanja tehnici si la siliciul semiconductor. in tabele sunt indicate valorile determinate experimental pentru coeficientul de difuzie D (cm’/s) si de asemenea pentru factorul de frecventé Dp (cm/s) si pentru energia de activare E (kcal/mol) din ecuatia D =Dyexp(-E/RT) unde R este constanta gazelor (1,986 = 10° kcal/mol) si Teste temperatura absolut in Kelvin. Compozitia sau intervalul de compozitii pentru care sunt valabile valorile coeficientilor de difuzie sunt specificate in coloana a 2-a din tabele, utilizand doua moduri de notatic. Cand coeficientul de difuzie a fost calculat pentru o valoare precisé a concentratiei elementului difuzant cifra de concentratie este tiparita cu caractere groase. Cind conditiile experimentale sunt definite mai putin precis, cifta de concentratie este liparitd cu caractere normale. in acest din urma caz, uneori, concentratia indicat in tabele este concentratia maxima a elementului difuzant in sistem, iar intervalul de compozitie pentru care sunt valabile valorile coeficientului de difuzie depinde de metoda experimentala utilizati. Mai frecvent, concentratia indicata in tabele reprezinta compozitia initiala a parti din cuplul de difuzie care contine elementul dizolvat si ca atare coeficientul de difuzie Teprezinté o valoare medie pentru intervalul de compozitie intre zero si concentratia indicati in coloana. Coeficientii de difuzie intrinseci sunt tipariti cu caractere groase. Tabelul 4.3. Coeficientii de difuzie in aluminiu kcal/mol = | @=10%) 465 | 1,9 x 107% 1,10 500 573 7,3 «10°? 3,5* 10% 43,5 525-600 ae 7 29,7 490-580DIFUZIA ATOMICA IN METALE $I ALIAJE 473 Tabelul 4.3 (continuare) 0,015 ~ 7 32 B 0,022 - - 1,26 x 10? 40,3 0,03 - - 5.59% 10? 43,1 3,0 = 5 2 42,0 a 1250 3,5*10" = S Co 50 1250 2,8 x 107 - - 34 1250 3,5 107° e = Cu-Al eut. 440 0,5 x 10°? 93 34,9 490 2,4 x 107° | S400 | 14x10? oss | 457 ) - sss | 85x17) | gaat] 26 0.17 565 | 4x10? | 131079 1,32 450 | 19% 10% |} 365 8,6 x 1072 1,52 * 38,5 | (eutectic) | 400 64x10! 1077 | 440 33x10 5,5-11,0 395 | ss6ax 10"! 28,6 Me | 447 | 26 «1079 0,117 | S77 | aaa 107 | 149 420 | a | 5,3-8,0 45 | 6,6 +7,6x10 520 | 7.31071? 38,0 | 159 | 410 871072 65x10"! Mn 05 { = < ~ 79,3 0.002 550 3x10" - 32,0 Na | 600 1x 10% | | 650 710% 1,88 510 2% 107 ; 0,5 465 34x 107° 0,90 30,55 SI 500 9,9» 107 | 900 9.3 * 10° U pur 200 13 - 14,3 u 250 9,0 x 107° I } 390 1,1 «10° 0,84 415 2,5 x 107% 11,6 27,8 Zn 473 5,3 x 107° - 25,8 5,0 «10°474. TRATAT DE STIINTA SI INGINERIA MATERIALELOR METALICE Tabelul 4.3 (continuare) Concentratia % atomice Temperatura °C qi (1,34Mgsingur | 8% 107) - 1,87 Si singur = 2,0 «107 Difuzie 1,34 Mg “ * +Mg3Si simultana a Mg| 0.62 Si ja ‘l 3,8* 10° | 19107 siSi 128 Mg), Co ian Jarente.si cores Si 12% 10° | 13107 5,3-8,0 Mg Mg inal Mg in Al pur] 1,1% atomice Difuzia Mg fi a ifuzia Mg in : Bae prezenja Zn 7,3 = 10" | 3,7 107° 8.7% 10° | 2.2% 107 5,4* 107 Metal 2 E difuzant raturaec | _Deems Decals keal/mol Autodifuzie 685-1062 . 47,12 D, - 0,6 49.0 Dz 2,6-6,6 * 107 0,08 46,8 Ag 3,0 717-867 - 0,012 35,0230 0 700-900 - 1,75 = 107 37,7 4 4,55 x 107 39,5 Al 8 3,75 x 107 43 12 68 48 16 2,5 = 107 34 0,001-1,0 = - 0,01 44,9 Au omogenizare 20 3x 107? - - straturi Au-Cu 0,1 0,06 449213 0 700-850 - 2,3 = 10> 28 Be 4 7,1 * 104 30 8 : 3,2* 107 37 Bi lichid 400-700 - - 20 Bi Penetratie intercristalind Monocristalin | 725-950 - 0,935 45,7 0 500-580 - 210° 8 ca 5 - 2« 10° 10 1,5 9 3,5 102 29,2 Co 700-950 5,7 55,2 Fe : = : 1,64 «10° 93,2 Mn = = - 10 914=1,6 75-118 350 7,1*10™ 6,5 * 10" 29,8 Ni 700 14 *107" 950 21 x 107%?DIFUZIA ATOMICA IN METALE SI ALIAJE 475 Tabelul 4.4 (continuare) 9,0 x 10°? 700 1,4x 107" 950 Bsxor” Pa 4,3-6,2 = 2 5,8 x 10% 0 878-1038 . 2 50 878-1038 5 : 100 878-1038 s s 2,4-3,5 490 5,8 = 10-8 1,02 x 107 700 1,3 = 107! ee 960 1,1-2,3 « 10° 2,4:3,5 - . | 17105 Cu: fazaa 390 2,9 1075 Sb 6 390 3x10 x 390 31107! 0 300-900 - | 3,7*107 Si 4 | 0,41 8 18,6 5,6-8,0 473 | ax 107 - Omogenizare 600 2,3 «107! structura tumata 708 9x 107% Sn 0 < 4 700-800 1,13 0-5 3,25 = 107 | 733-812 = 0-7 500-900 z 2.4107 24-29 500-900 9,5 «107 Alama a 31 175-375 Dg : 0,34 ne 0,73 Zn Alama 8 265-817 Dex 47-48 Dy, 0,011 Alama B 640-870 . 0,0035 45 Pee Pin 0,038 0,031 Cocficientii de difuzie in cupru, Difuzia simultand a Ni si Si Concen- | Tempera- ‘Dy ems tratia, % tura, Ni Si atomice 1c singur | cu Si singur 2Ni = ISI 1Si, 2Ni 850 2x 10-” 0,7 = 10°” 1,3.* 107° 1,5Si, 3Ni 850 1,5 x 107° 0,7 107° 2,3 10° 1Si, 2Ni 1000 1,0 = 10° 6x10" 21x 107 28i, 4Ni 1000 6* 10° 6x10" 1x 10% [ 3Si, 6Ni 1090 5x10" 7x10" iS etet476 TRATAT DE STUNTA SLINGINERIA MATERIALELOR METALICE Tabelul 4.5. Coeficientii de difuzie in fier Metal | Concentrafia, T 7 E difwzant Poems | ‘eatin 1 ‘Autodifuzie - 720-900 - 2,3 «10° B2 Dares) 810-910 58 59,7 650-850 5,3 10° 67.1 : 18,0 64,1 Daze) 970-1357 58 742 960-1250 07 68,0 0,58 67,9 64,0 Dire : - 30.6 Al eS 950-1100 = 30,0 36,0 jin (a-Fe) - - 2,6 x 10° 27,4 fo in (y-Fe) lx 10" 418 Cr pur 1150 68x 107° 2 = Cr 1300 2,2-5,5 « 10% Fe-Cr pulbere 1200 28x 10° Cu Cu pur 300-1200 - 3,0 61,0 Li Li pur 700 patrunde 2 mm indh 0,27 960 3,0 « 107%? - a ms 3 1400 9,6 10 as O31 1200 23-3 «107 : - 0-3,5 3,47 5,71 Ni ¢22 1200 9x10" - e Ss - 220 2,120.8 * 109 - - : 65 960 7.5% 107 3 e - 49 1150 14x 10% Sn pur 950 9,7 « 197 - 46 1000 2,0« 10° se 1050 3,9« 10° 1100 16« 10° 0-1,3 1280 3,7 * 10% + : Ww 0-1,2 1330 24% 10% 0-3,2 1330 2,0 « 1078Diruzia ATOMICA IN METALE $1 ALIAJE 477 Tabelul 4.5 (continuare) ___ Difuzia C, N si B in Fe Temperatura, Sistem Hs D, em?/s Do, cm/s ciicat Cin Fea (0,04 la 700-900 - 3,8 * 107 16,8 3,7% atomice C) 0-200 - 8x10 19,8 0-200 - e 20,1 CinFea 3,16 « 1072 20,4 350 9,5 «107% 500 2,5 «10° 600 1,15 x 107 4,2 107 18,5 700 3,0 = 107 800 7,45 107 CinFey aa ile (a6 | 940 ee a atomice C) 980 fox tb? 1x10? 27,0 1020 ae 1060 32% 107 4,8 «107 0-200 - | 14 107 17,7 4 -20 1a 50 - 3x10 18,2 Nin Fea 00 73% 107 : - | 400-600 = 12107 15,6 Nin Fey il 1100 [3.8% 107 0,11 [34,0 BinFea = - Lx 10% 15 6.1% 107 = 5 7 2=107 Agentul carburant | | Receptor sau ofelul donor | sitiza in % [TEMPEFAUUF) 1 oay2ye en (analiza in % "c | greutate) greutate) i 1 I 2 | 3 4 5 Hibtrocarourl BRZ0EFE | paeacralitic 925 1.16 «107 . 3 +Hy sau No 925 3.0% 107 7 = Hexan sau heptan 1000 1,9 = 10% +H; sau Na Mn = 0,27 Si, S urme Fe Armco 800 1,5 * 10° 1,7 * 10 28,7 900 7,5* 10° Co cu vapori de 1000 2,0* 1077 metilcianurd 1100 4,5* 107 Otel hipereutectoid | 900 74x 10° | 486x107 36,6 C=1,10 1000 27x 107 i 1100 W210" 1250 2,8 10% P= 0,028TRATAT DE STIINTA SI INGINERIA MATERIALELOR METALICE Tabelul 4.5 (continuare) Decarburarea fontei albe in amestec de CO-Co3: 1%C 1,5%C 1,17 x 1077 1,29 x 1077 2,83 * 1077 2,88 = 1077 8,25 = 1077 7,08 x 1077 Concentratia Temperatura, _ E, difuzant % atomice °C kcal/mol 2 3 250 Autodifuzie, 870-1248 - 1,27 668 D. 1100-1175 - 0,40 638 700-1100 - 0,48 658 Al 1,0 1100-1300 = 1,87 640 2 = ~ 1,8 * 10 85.2 25 - - 62% 10° | 1050 30 - - 2,0 « 107 962 35 - - 1,4 x10 73,0 Au 20 3900 7x10" 40 1,1 x 107%? 60 1,6 x 10" 80 49x 107° 100 9,1 «107 c Seazut 700-1365 : 0,909 40,0 0,17-1,2 700-1300 : 2,48 40.0 Co Sczut 900-1250 - 146 683 Cu pur - - 1orx10% | 355 Cu in Ni pur 1000 1,2 «10710 = - in Ni+0,5%Mn 1000 0,3 « 107! piesa 952 6,9 = 10°? 8.4 * 107 51,0 resup it Fe independent de i fis ae i a concentratie 1126 eee anil <1,0 ~ - 0,44 360 Mg : 720 10° i 2 15 780-850 - - 350 Mn 1,0 1100-1300 é 75 67,1 Mo <1,0 1150-1400 - 3,0 689 1000 8,923,610 | 2,3 = 10° 9,0 Ss Foarte mic 1100 2,220,9 10% 1200 9,1 =3,6* 10% <1,0 1100-1300 15 67 1,0 614Diruzia ATOMICA v METALE SI ALIAJE, 479 Tabelul 4.7. Coeficientii de difuzie in plumb Metal Concen- oe 5 ; ie Gifuzant | trafic, % | aa D, em*/s Dy, ems ai atomice ; ‘Autodifuzie, D, Dr - 0,12 220 15 * 10" Ag 265 5,4 «10% 285 | 910% | ‘Au pur sau 100 23210" | 0,34 14,0 <0,1% Au 200 | 8,6 x 107% au ~ 300 | asx 108 me € 2,8 x 107 8,91 2,0 48x 1077 1,8 = 107 184 Bi | 2,3 107% 285 4,4 «1079 10 167 46= 10% [18% 107 15,4 Cd 200 1,3 = 107? 252 s6xio" | 40 - = 12,3 He 10-15 : | - 10, [in <1,0 Lixo? | = = 2 1,2 10° | | 1,3 10° | 0,26 2,4-3,7 = 107° Mg 43 6,3-7,8 x 1071? 1,0 6,9 « 10°? of 86% 10°" 20 1x 10% 10 23x 10° 0,66 25,3 Ni 3.0 3,5* 10" 3,5 x 107” Po | - 15x10" | = = 2,0 3,1 1077 3,96 26,2 Sn 7,0* 107" 1,6 107% 2,0 Zee’ 2,5 * 107 19,4 3,1 « 197%? Ib 107%? 1,03 24,6 3,5 107? 5,8* 107"480 TRATAT DE $TIUNTA $I INGINERIA MATERIALELOR METALICE Tabelul 4.8. Coeficientii de difuzie in siliciu [Metal] ifuzant zB keal/mol Bi 1,03 x 10° | 107 1 I 2 [ 3 [ 4 ca 807°C, 4 * 107 | - | - 1094°C, 4 x 10% Fe { 4x10 6,2 * 107 20,0 Ga | 4x10" 3,6 81 in | 9x10" 16,5 90 | 1x10" 1,9 * 107 147 Li 2x 105 9,4 «107 18,1 9% 10% 2,3 10° 13,2 $= 10% 2,3 «10° 16,7 P 4x10 10,5 85 Sb 2x10 I 5,6 91 Ti 9x10" 16,5 90 Observatie. Toate datele din tabel se refera la solutia diluata in elementul difuzant. Bibliografie selectiva {1] *** Diffusion Data [2] ABRUDEANU M., PETRESCU N. Diffusion coefficients of Oxigen in Zr Alloys during Dry Oxidation. Proc. Intem. Conf. on Diffusion and Defects in Solids. Moscow, June 1991, p.15. [3] ADDA Y., DUPOUY J. M., PHILIBERT J., QUERE Y. Elements de Maétallurgie Physique. vol. 4 Diffusion-Transformations. Paris, INSTN-CEA, 1987. [4] BORG R. J., DIENES G. J. (editors) An Introduction to Solid State Diffusion. San Diego, Academic Press, 1988. [5] CRANK J. The Mathemathics of Diffusion. 2° edition. Oxford, Clarendon Press, 1975, [6] DARKEN L. S. Trans. AIME. 175, 1948, p. 184. {7] FISHER J. C. J. Appl. Phys. 22, 1951, p. 74. [8] GATH J. B., GOADHEW P. J. Diffusion Controlled Processes: the Role of Point Defects. Metals and Materials 5, 1971, p. 189. [9] GADEA S., PETRESCU M. Difuzia in Metale si Aliaje (in Metalurgie Fizica si Studiul Metalelor). Bucuresti, Ed. Didactic $i Pedagogica, vol. 1, p. 83, 1979. [10] GIRIFALCO L. A. Atomic Migration in Crystals. New York, Blaisdell Publishing Comp., 1964.Difuzia ATOMICA iN METALE $1 ALIAIE 481 [11] KAUR L, GUST W. Fundamentals of Grain and Interphase Boundary Diffusion. Stuttgart, Ziegler Press, 1988. [12] KEDVES F, J., BEKE D. L. (editors) Diffusion in Metals and Alloys (DIMETA 88 Proceedings). Zurich, Sci. Tech. Publications, 1990. [13] LEYMONIE C. Les Traceurs Radioactifs en Métallurgie Physique. Paris, Dunod, 1960, {14] PETRESCU M. Autodiffusion de Silicio en la Aleacion AI-Si Eutectica Fundida. Revista de Metalurgia (Madrid), 6 (2), p. 51, 1970. [15] SEITH W. Diffusion in Metallen. Berlin/Géettingen/Heidelberg. Spriger-Verlag, 1955. [16] SCHULZE G. E. R., RINGPFELL H. Diffusion in Metallischen Verkstoffen. Leipzig, Deutscher Verlag fur Grundstoffindustrie, 1970. [17] SHEWMON P. G. Diffusion in Solids. New York, Mc. Graw-Hill Book Comp., 1963, reprinted by the Minerals, Metals and Materials Society, Warrendale, PA, 1989. [18] WHIPPLE R. T. P., Phil. Mag. 45, 1954, p. 1225.S MICROSTRUCTURA MATERIALELOR METALICE Faze in sisteme de aliaje Metale pure Aspecte generale Definirea metalelor pure Rezistivitatea electrica Structura metalografica definitorie Variatia temperaturii la topirea/solidificarea metelelor pure Solidificarea metalelor pure Solidificarea cu gradient termic pozitiv in topitura Solidificarea cu gradient termic negativ in topitura; cresterea dendridic& Viteza de solidificare in metale pure Clasificarea metalelor pure Solutii solide Clasificare, caracteristici chimico-cristaline ‘si proprietati Factorii determinanti ai solubilitayii in stare solida Regulile Hume-Rothery Compusi intermetalici (faze intermediare) Caracteristici chimico-cristaline Clasificarea compusilor intermetalici Compusi electrochimici Compusi de tip geometric (faze Laves, faze sigma, compusi interstitiali) Compusi elecironici Amestecuri mecanice Aspecte generale Cristalizarea eutectica Microstructura eutectoidelor Mecanismul si cinetica cristalizarii eutecticelor lamelare Stabilirea frontului eutectic de solidificar ‘aunti eutectici si celule eutectice Structuri eutectice la compozitii neeutectice; cristalizarea cvasieutectica Amestecuri mecanice rezultate prin transforméri in stare solida Generalitati Amestecuri mecanice bazate pe modificatii polimorfe Amestecuri mecanice formate prin descompunerea solutiilor solide suprasaturate Microstructuri caracteristice Constituenti metalografici Clasificarea structurilor microscopice Structuri microscopice de solidificare Structuri cu faze solidificate proeutectic Structuri obfinute prin transformari in stare solida Structuri monofazice obtinute prin transformari polimorfe cu difuzie sau autodifuzie 5.6.5.2 Structuri monofazice obtinute prin transformari martensitice 5.6.5.3 Structuri monofazice obtinute prin transformari masive Structuri monofazice objinute prin transformari bainitice Structuri obfinute prin transformari de ordine-dezordine‘MICROSTRUCTURA MATERIALELOR METALICE 483 Structuri objinute prin transformari eutectoide Structuri cu faze precipitate proeutectoid Structuri bainitice multifazice Structuri troostito-martensitice, perlito-bainitice si martensitice cu austenita reziduala. Structuri rezultate la revenirea ofelurilor calite Structuri objinute prin transformari spinodale Structuri objinute prin precipitare din solutii solide suprasaturate Structuri objinute prin deformare plastica la rece, prin deformare plastica la rece si recristalizare sau prin deformare plastica la cald Deformarea plastica le rece si deformarea plastic’ la cald Mecanismele deformarii plastice Modificari de microstructurd prin deformare plastica la rece Structuri obtinute prin deformare plasticd la rece si recristalizare Structuri de deformare plastica la cald Aspecte microstructurale ale suprafetelor de rupere. Microfractografia Aspecte microscopice de substructuri si de structuri reticulare Substructuri de solidificare ale materialelor metalice Substructura martensitei Substructura materialelor metalice deformate plastic la rece Substructura materialelor metalice deformate plastic la cald Aspecte microscopice de structuri reticulare Bibliografie selectiva 5.1. Faze in sisteme de aliaje (Prof. dr. ing. Maria PETRESCU) Un aliaj este un material alcdtuit din dowd sau mai multe specii atomice numite componenfii aliajului (aliaj binar, tear sau mai complex). Numeroase elemente chimice pot servi ca elemente de aliere, dar componentii aliajelor aflati in concentratie apreciabila sunt totdeauna metalici. Totalitatea aliajelor formate intre componenti dati, la variatia proportiei acestora constituie un sistem de aliaje. Pe ansamblu, un aliaj poseda proprietati metalice si este omogen la scaré macroscopica. La scar microscopica insa cristalele sau grduntii cristalini care alcatuiesc un aliaj pot fi in totalitate de acesasi natura (aliaj monofazic) sau pot fi de naturi diferite (aliaj plurifazic). Aliajele plurifazice desi apar omogene macroscopic, sint eterogene la scaré microscopicé, find alcatuite din graunti de faze diferite. Natura fazelor prezente intr-un aliaj reprezint constitutia fizico-chimica a aliajului. Faza reprezinté 0 parte omogeni dintr-un sistem fizico-chimic, separata prin suprafete interfazice de alte parti omogene din sistem. Din punct de vedere al constitutiei fizico- chimice, componentii unui aliaj pot forma o combinatie dand cristale de compus intermetalic, pot forma cristale separate de metal pur, sau in cazul cel mai freevent atomii elementelor de aliere se incorporeaz4 in refeaua cristalina a metalului de baza formind cristale de solutie solida. Exist deci trei tipuri de faze in aliajele solide: metal pur, solutie solid’, compus intermetalic. in conditii de echilibru termodinamic, care se realizeaza in aliaje prin solidificare lent& sau incdilzire in stare solida urmata de racire lenté (recoacere), constitutia fizico- chimic& pe care aliajul o are (numarul, natura si proportia fazelor care il alcdtuiesc) corespunde energiei libere minime.484 TRATAT DE STHNTA $1 INGINERIA MATERIALELOR METALICE Energia libera Helmholtz la volum constant definité prin relatia (5.1) este utilizata drept criteriu al echilibrului termodinamic in aliajele solide, influenta presiunii find neglijaté datorit& compresibilititii cu totul neinsemnate a acestor materiale: F=U-TS, (6.1) unde F este energia libera la volum constant, U, energia interna, S, entropia si 7, tempera- tura absoluta. Conform relatiei (5.1) starea unui sistem este cu atat mai stabil cu cat energia intema este mai mica si entropia este mai mare. Factorii energie intema si entropie actioneaza in opozifie, in sensul cd un sistem cu energie interna mai scdzuta are sio entropic mai redus4. Ca urmare, factorul care decide asupra starii de energie liber minima, este temperatura. La temperaturi joase termenul TS din relatia (5.1) este mic indiferent de valoarea entropiei S, asa inc&t termenul predominant in energia libera este energia intema U si sistemul va adopta o stare ordonatA de energie interna minima chiar daca acesteia ii este asociata o entropie mic&. La temperaturi inalte termenul TS este foarte mare pentru starile dezordonete si o astfel de stare va fi adoptata de sistem. Explicitind in expresia (5.1) contributia temperaturii la cresterea energiei interme si la cresterea entropiei rezulta: 7 |, ye,d? = es + 2) F te lea TS 4 >| (62) Grupand termenii dependenti de temperaturi energia vibratiilor retelei cristaline The apie ete a itt OT . fepaT si entropia termica f intr-o functie f(c, 7), rezulta: 6 o = £ c,dT I(c,7)= [c,a7 -T 3 (53) ait aaa pentru energia libera rezultind expresia: P= Up~ TSy* fe), Ga) unde Up este energia inten la 0 K, Sp entropia de configuratie, Cp capacitatea calorica masic& molar la presiune constant, ¢ concentratia exprimata in fractiuni atomice. Natura fazelor care se formeazi la variatia compozitiei intr-un sistem de aliaje depinde de termeniii expresiei (5.4). Termenul fc,7) depinde de compozitie prin intermediul cdldurii specifice a aliajului: din regula Neumann-Kopp rezulta cd in aliaje caldura specifica este, cu destul de bund aproximatie, media ponderaté a valorilor caldurii specifice a componentilor. Entropia de configuratie variaz cu compoziia conform relatie So= -R [elne + (1-c)In(1-c)] (5.5) unde R reprezinta constanta gazelor. Energia interna Up reprezinta termenul influentat in modul cel mai complex de variafia compozitiei. Trei factori isi aduc contributia la energia interna a aliajelor si sunt considerati ca factori decisivi in determinarea constitutiei fizico-chimice a aliajelor dintr-un sistem de aliaje, si anume: factorul electrochimic, factorul geometric si factorul concentratie electronica. Prin factorul electrochimic se ia in considerare contributia energiilor de legatura interatomica la energia interna a aliajelor. Factorul electrochimic se exprima prin diferenta de electronegativitate intre componenti. Electronegativitatea unui element este o masurd a tendintei atomilor sai de a accepta electroni de valent, iar diferentele de electronegativitate intre componentii aliajului indica in mod calitativ posibilitatea formarii de compusi intermetalici si tipul de legatura interatomica a acestora. Prin factorul geometric sau factorul marime atomicd, se exprima diferenta relativa intre diametrele atomice ale componentilor aliajului. Factorul geometric contribuie la energiaMICROSTRUCTURA MATERIALELOR METALICE 485 interna a aliajelor prin energia inmagazinata in distorsiunile elastice ale Tetelei cristaline Provocate de dimensiunea diferita a atomilor de specii diferite. Prin factorul concentratie electronica se exprima numarul de electroni de valenti ai aliajului raportat Ja numarul de atomi. La variafia continutului intr-un element de aliere de valen{i diferita, concentrafia electronica in zona Brillouin specific refelei cristaline a metalului de baza al aliajului se modifick, Energia elecironilor de valent cuasiliberi ai gazului electronic al aliajului, distribuiti in zonele de energii permise (zone Brillouin), Teprezint’ o parte importanta a energiei interne din aliaje. in condifii in care factorul electrochimie $i factorul geometric sunt favorabili, astfel incat aportul lor Ja energia intema si nu mascheze efectul factorului concentrafie electronica, aliajul va adopta structura cristalina a fazei sau structurilor cristaline ale unui amestec de faze, care pemnit acomodarea cu energii minime a electronilor sai de valenti colectivizati in gazul electronic. Constitujia fizico-chimica a aliajelor alcatuite din mai multi componenti este mai complex’ dect constitutia aliajelor binare, dar tipurile de faze care se pot forma si factorii care decid formarea fazelor sunt aceiasi ca si in aliajele binare. Identificarea fazelor dintr-un aliaj se realizeazi prin analiza rontgenostructurala, fiecare faz prezent& avand un model de difractie propriu. O metoda complementara foarte modem de stabilire a constitutici fizico-chimice a unui aliaj 0 constituie stabilirea compozitiei chimice a cristalelor fazelor prezente in aliaj prin analizi cu microsonda electronica, bazata pe o microanaliza prin speciroscopie de raze ¥ cu emisie directa, 5.2. Metale pure (Prof. dr. ing. Maria PETRESCU, Prof. dr. ing, Constantin DUMITRESCU) 5.2.1. Aspecte generale Pana in prezent se cunosc 104 elemente chimice, existente in natura sau sintetizate prin transmutafii nucleare, Pe baza legii periodicitatii, toate elementele sunt clasificate in sistemul periodic, fiind caracterizate prin numarul de ordine si greutatea atomic. Numarul de ordine (Z) reprezinta sarcinile pozitive din nucleu si respetiv numarul de electroni Ze (sarcini negative), care graviteaz’ in jurul nucleului atomic. Greutatea atomica constituie media ponderata a maselor izotopilor naturali care intra in alcatuirea elementului respectiv. Masa atomica este constituiti din insumarea masei protonilor si neutronilor din nucleu, masa electronilor fiind neglijabil, deoarece este de 1835 ori mai mica decdt masa protonului. Ca unitate de mas& atomica se considera a 16-a parte din masa izotopului de humar atomic 16 al oxigenului, revenind astfel pentru greutatea atomic a hidrogenului, cel mai usor element, valoarea de 1,0076. Particulele constitutive ale atomilor elementelor chimice se caracterizeazi prin mérimile prezentate in tabelul 5.1 si exprimate in unitati CGS. (e= 1,602 - 10°C, respectiv 4,80 +107 unitati C.G.S Tabelul 5.1. Caracteristicile particulelor clementare constitutive ale atomilor Denumibes parties Tins Masi, g Diametru, em elementare } Proton te 1,6724 - 10 1o* Neutron | 1,6749 10 10°" | Electr I 9,106 « 107 10486 TRATAT DE STIINTA $I INGINERIA MATERIALELOR METALICE Pentru a caracteriza un anumit element chimic se foloseste simbolul chimic urmat de un indice, care reprezinta numérul atomic, si un exponent, care reprezinta greutatea atomica. De exemply, pentru izotopii stabili ai cuprului Cu$§, cu abundenta naturala 68,94% P P P 9 r rezulta definirea elementului chimic: cuprul cu numar de ordine 29 si greutate atomica 63,54. Pentru a reprezenta repartizarea electronilor in atomul unui element chimic, in straturi si substraturi de orbite electronice, se utilizeazi simbolizarea prin cifre 1, 2, ..., 7 indicand numérul stratului, respectiv numarul perioadei din sistemul periodic urmate de litere indicand substraturile (s, p, d, f) avand un exponent care arat’i numarul de electroni din substraturile corespunzatoare. Astfel, de exemplu, structura electronicd a atomului de cupru se caracterizeazi prin urmatoarea repartizare a celor 29 electroni in straturi si substraturi: 1s°2s?p3s?p'd'4s!, electronii de pe ultimele orbite constituind electronii de valenta, adica, in cazul cuprului, electronul de pe orbita 4s'. Configuratia stabil se realizeazi atunci cand ultimul strat electronic este complet ocupat. Datorita configurajiei straturilor electronice, unele elemente, situate la marginea sistemului periodic, sunt inerte din punct de vedere chimic, fiind stabile numai in stare atomicd. Se cunose sase elemente chimic inerie - gazele nobile: heliu, neon, argon, kripton, xenon si radon, care au pe ultimul strat electronic un octet complet. Totusi in ultimul timp, s-a descoperit c4, in condiii speciale, se pot forma combinafii metastabile ale kriptonului, xenonului si radonului cu halogenii, ca, de exemplu, hexafluorura de xenon, avand pe ultimul strat 14 electroni. Toate celelalte 98 elemente sunt chimic active, in conditii obisnuite, combinandu-se, intre ele in cele mai diferite moduri si proportii pentru a forma o infinitate de varietiti a substantelor din natura. Dupa caracterul insusirilor fizico-chimice, elementele chimic active se pot clasifica in trei mari categorii: a) Metaloidele (elementele nemetalice), care cuprind noua elemente situate la inceputul ultimelor coloane ale sistemului periodic si anume: ~ coloana VII cu halogenii: Fy°; Ch87; Bg; 1138? ; - coloana VI cu calcogenii: O°; $3256 ; ~coloana V cu: N}*8; pis? ; - hidrogenul Hy®7*', b) Semimetalele (elemente semiconductoare), care cuprind sapte elemente situate in coloanele de la mijlocul sistemului periodic: - coloana III, Bs°*?; -coloana IV, CO; giz8.°6: ; - coloana V cu: As33""; -coloana VI, Sei; Te!3?4!. c) Metalele (elemente metalice) care cuprind 82 elemente situate in primele coloane ale sistemului periodic i in subgrupele celorlalte coloane. §.2.2. Definirea metalelor pure Metalele pure sunt definite ca fiind elemente chimice care in stare solidi se deosebesc de elementele nemetalice prin proprietiti caracteristice: structuré cristalind determinatd; opacitate; luciu metalic caracteristic in tdieturé proaspata; conductivitateMICROSTRUCTURA MATERIALELOR METALICE 487 electricd $i termicd ridicate; ductilitate si maleabilitate; bazicitatea oxizilor formaji de acestea: temperaturi fixe de topire-solidificare, 5.2.2.1. Rezistivitatea electricd intrucit unele metale se manifesta prin abateri de la aceasti definire ca, de exemplu, manganul si bismutul, care prezint& conductibilitate termicd scAzuta, respectiv unele substan{e nemetalice precum, de exemplu, clorura de sodiu, fluorura de potasiu etc., care prezinti structura cristalind caracteristica a fost necesar sa se jintroduc& un concept suplimentar de definire: proprietatea specifica a starii metalice este coeficientul de temperatura al rezistivitatii care, la metale, este pozitiv (Fig. 5.1). pA ® > 73.16 oO Tp ESC oO . Variatia rezistivitatii clectrice cu temperatura la materiale metalice (a) si materiale nemetalice (b). Schema Rezistivitatea electricd a metalelor, a cArei valoare la temperatura zero absolut tinde spre zero, creste pana la o valoare maxima, caracteristica sta lichide a metalului (Fig. 5.14); in cazul materialelor nemetalice sensul variafiei rezistivitatii este invers starii metalice (Fig. 5.1b). Acest mod de variatie a rezistivitatii electrice la metale, rezulta din modul in care este alcAtuita structura atomic si starea cristalina de prelucrare’ a acestora. in tabelul 5.2 este prezentat configuratia electronica pentru primele 30 de elemente din sistemul periodic. Din examinarea sumara a repartitiei electronilor in atom se observa cA periodicitatea proprietatilor chimice este determinata de electronii din stratul exterior, denumiti electroni de valenja. Metalele care contin un numér mic de electroni in acest ultim strat sunt plasate in stinga tabelului periodic, iar nemetalele la care numarul de electroni din stratul exterior tinde cdtre 8, in partea dreapta. Gazele nobile, care sunt elemente inerte din punct de vedere chimic poseda in stratul exterior 8 electroni (afar de heliu care are doi). Rezulta ca acest octet electronic reprezinta o configuratie stabila, caracterizata prin energie libera minima. Pentru atingerea acestei stari stabile, atomii vor avea tendinta de completare a numarului de electroni la 8; elemente ca sodiul, cu un singur electron pe stratul de valenta, pot ceda acest electron, ramandnd cu 8 electroni in stratul inferior L; in acelasi timp numarul de electroni micsorat nu mai echilibreaza din punct de vedere al sarcinii electrice, numarul de protoni, atomul fiind incrcat pozitiv (ion pozitiv); in opozitie cu sodiul, fluorul cu sapte electroni in stratul exterior, poate accepta usor un electron, completandu-si octetul, rezultand din punct de vedere electric incarcat negativ (ion negativ).488 TRATAT DE $TINTA $1 INGINERIA MATERIALELOR METALICE Tabelul 5.2. Straturile de electroni ale primelor 30 de elemente at 2 [Osea TK TET] Nrde elsaieit Repartit Nr. de a Repartitia ordine, n electronilor ordine, n electronilor [| a : H H 1 16 2 [8 ]6 2 He 2 17 caf 2 ya ]72 3 Li 2 1 18 ar | 2 [8] 8 = Be 2 2 19 | K = 8 8 1 5 B 2 3 | 20 Ca 2 [8 | 8 {2 6 Cc 2 4 21 Se = 8 9/2 7 N 2 s 22 Ti 2 8 10 | 2 8 oO 2 6 | 23 ¥ 2 8 i | 9 F 2 % 24 Cr a 8 3 i) 10 Ne 2 8 25 Mn z 8 13] 2 1 Na 2 8 1 26 Fe z 8 14/2 12 Mg 2 8 2 2 Co | 2 | 8] is}2 13 Al 2 8 3 28 Ni 2 [8 | 6 ]2 14 Si 2 8 4 29 Gi |, 2) 8 | asin 15 P 2 8 3 30 Zn 2 | 8 [| il]2 Pentru clementele cu numér intermediar de electroni in stratul exterior, de exemplu aluminiul (tei electroni de valentd), staniul (patru), bismutul (cinci), este mai putin Pronunjata tendinta de acceptare sau de cedare de electroni; astfel de elemente prezinta proprietati chimice de metal si de nemetal. Stinta moderna a identificat o caracteristica, proprie metalelor, in coeficientul pozitiv de variatie al rezistivitatii electrice, in functic de temperatura. Se stie ca rezistivitatea electric’ a metalelor creste aproximativ liniar cu temperatura, conform relatiei: Pr = po(I+aT + Br? +77? +...), in care coeficientii B, 7, ... au valori foarte mici si se pot neglija. In acest caz: Pr=Py(l+aT). = ‘ is . dp 1 2 Coeficientul. @ =f2— 0 sau, in expresie diferentiali,a =—?-—, reprezinta Por dr Po coeficientul de temperatura al rezistivitatii electrice. Caracteristica metalelor este tocmai valoarea pozitiva a acestui coeficient, care, pentru majoritatea lor, are valori cuprinse intre 0,003-0,004. Deci, se vor denumi meiale toate acele substanje care posedi o conductibilitate electricé care scade prin cresterea femperaturii. Cele 82 de elemente metalice, dupa configuratia structurii electronice din care decurg 0 serie de insusiri specifice, se pot clasifica, la randul lor, in doua mari categorii:MICROSTRUCTURA MATERIALELOR METALICE 489 - metale simple, care poseda straturi electronice intermediare saturate (completate) cu electroni si sunt situate in coloanele principale ale sistemului periodic; - metale de tranzitie, care posed straturi electronice intermediare nesaturate (necompletate) cu electroni si se gasesc situate in grupele de trecere ale sistemului periodic. in cadrul metalelor de tranzitie se disting doua grupe aparte si anume: 1°. metalele din grupa lantanidelor, care cuprind elementele cu numiar de ordine de la 57 la 71; 2°, metalele din grupa actinidelor, care cuprind elementele cu numar de ordine de la 89 la 104, in care intra si elementele transuranienc. Elementele situate spre sfarsitul sistemului periodic, incepand de la clementul cu numér de ordine 84 (Poloniu), poseda radioactivitate naturala si, deci, instabilitatea nucleului atomic. in aceasta categorie intra si elementul cu numar de ordine 43 (Tehnetiu), astfel incat numai circa 60 elemente metalice poseda stabilitate nucleara. 5.2.2.2. Structura metalografica definitorie in ceea ce priveste structura cristalina a metalelor pure din care deriva principalele elemente definitorii ale acestora este important sa se aibe in vedere urmatoarele: a) Sistemul de cristalizare. In Fig. 5.2. este prezentat tabelul periodic al elementelor cu indicarea retelei cristaline a fiecdrui element. Din analiza datelor prezentate in tabel se constaté ci metalele cristalizeaza preponderent in urmatoarele refele cristaline: e Retea cubicd cu volum centrat (CVC): 15 metale printre acestea numarandu-se Fea, FeS, Cr, V, Mo, Nb, Ta, W. Acestea sunt metale cu rezistenté mecanicd ridicata si plasticitate redusa; e — Retea cubicd cu fete centrate (CFC): 15 metale printre care se numari Fey, Al, Cu, Ag, Au, Ni, Pb. Aceste metale se caracterizeazi prin ductilitate si maleabilitate ridicate; e Refea hexagonal compacta (HC): 25 metale (0 parte dintre acestea apartin lantanidelor): Mg, Zn, Cd, Be, Ti, Zr. Aceste metale sunt caracterizate prin plasticitate scdzuta, b) Structura metalograficd. In natura se gasesc putine metale in stare nativa: aurul si cuprul. Celelalte metale se afl4 in minereuri sub forma de combinafii mai mult sau mai putin complexe: Fe:O3s”H2O (Limonit); FesO, (Magnetit); LiAl(SiO;). (Spodumen); (LiNa)[AISiOx] (Petolit); LiK2Al;0;0)(FOH); (Lepidolit); MgCO; (Magnezita); MgCOsCaCO; (Dolomita); Mg2SiO, (Forsterit); KAI(SO,)"12H2O (Alaun); Cu:0 (Cuprit); CuCO,-Cu(OH), (Malachit); ZnS (Blenda); ZnCO; (Smithsomit); ZnO (Zincit) etc. Obtinerea metalelor pure, respectiv a aliajelor acestora, are loc prin procesari metalurgice specifice, de cele mai multe ori complexe, in urma c§rora structura cristalind corespunde fie solidificirii (graunti dendritici), fie deformarii plastice Ia cald (structura alcatuita din graunti cristalini mai mult sau mai putin poliedrici), deforméarii plastice la rece (structura fibroasa), tratamentelor temice (graunfi poliedrici maclati sau nemaclati). in Fig. 5.3, se prezinté cdteva aspecte metalografice specifice metalelor pure in diverse stiri de prelucrare.504 TRATAT DE STIINTA SI INGINERIA MATERIALELOR METALICE consecin{a, pentru metalele existente practic este necesar sa se determine gradul de puritate, care, in mod obignuit, se exprima prin diferenta rezultata la scdderea din 100% a sumei continuturilor tuturor elementelor straine, prezente in metalul respectiv. De obicei, gradul de puritate determinat prin analize chimice sau spectografice se exprima in procente de greutate. Pentru a reflecta mai bine esenta proceselor de purificare sau raporturile stoechiometrice este mai indicat s4 se exprime gradul de puritate in procente atomice, adica la cafi atomi ai substanjei de bazi apartine un atom de impuritate. In metalurgia semiconductoarelor si a materialelor pentru tehnica nuclear s-a ajuns pana la reducerea Continutului de elemente straine sub 10°'°% (procente atomice), realizandu-se asa-numita puritate fizica. De obicei, in tehnica se foloseste exprimarea in procente de greutate (%G). in funetie de compozitia chimicd se foloseste urmatoarea clasificare: + metale de puritate tehnicd scdzuté (95-99% G), deci cu peste 1% G elemente straine, si de puritate medie (99,0-99,9% G), deci cu mai putin de 1%G. Metalele cu puritate mai micd de 95% G sau degradate din punct de vede chimic (oxidare, zgurificare, amestecare cu alte substanfe) sau fizic (scursori, picituri, pulberi), care nu mai pot fi folosite pentru scopul in care au fost fabricate, intra in categoria deseurilor metalice, pentru care se pune problema recuperarii metalelor utile; - metale de puritate chimica ridicat (99,9-99,99% G), adicd cu mai putin de 0,1%G elemente straine si inalta (99,99-99,999% G), adicA mai putin de 0,01% elemente straine; - metale de puritate spectrala (99,999% G) cu un continut mai mic decdt o miime de procent de elemente straine; ~ metale de puritate fizica care contin mai putin de o milionime de procent elemente strdine si, in acclasi timp, sunt cat mai lipsite de imperfectiuni structurale, astfel incdt se pot pune in valoare integral proprictatile fizice intrinseci ale elementului Tespectiv; astfel de puritaji se intélnesc in domeniile tehnicii moderne cu caracter special: tehnica semiconductorilor, tehnica nuclear’, aparatura cosmonautica etc. Metalele propriu-zise nu pot sa acopere nici pe departe necesitatile tehnicii, unde, in cele mai multe cazuri, se cer asociafii de proprietati cu valori optime, in functie de scopul urmirit. De aceea, inca din cele mai vechi timpuri, metalele s-au folosit sub forma de aliaje metalice. in tabelul 5.8 se prezinta constantele atomice ale unor metale pure si metaloide de interes practic. In tabelul 5.9 se prezinta proprietafile fizice ale unor metale si metaloide de interes practic. Tabelul 5.8. Constante atomice ale unor metale si metaloide Masa Diametrul Parametrii refelei Element Simbol atomic ; Densitate a esaua a [nm] [g/em"] Aluminiu Stibiu Sb 121,75 0,290 4.5069 37,12" 6,69 Arsen As 74,922 0,249 41315 34,17 5,73 Bariu Ba | 13734 0,4347 $,0193 3,58 Beriliu Be 9,012 0.2226 | 2,2857 3,5834 1,85 Plumb Pb 207,19 | 0.3500 | 4,9504 1135 Bor B 10,811 | 0,1589 3,057 38,06" 2.46MICROSTRUCTURA MATERIALELOR METALICE 305 Tabelul 5.8 (continuare) 1 2 3 4 5 6 % 4 8 Crom Cr 51,996 | 0.2498 | 2,8847 Fier Fe 55,847 | 0.2483 | 2,8666 Galiu Ga | 69,72 0,2442 | 4,5200 | 7,6606 | 4,52604 3,91 Aw | Au 196,967 | 0,2884 | 4,0787 | 19,30 Tridiu Ir 1922 | 0.2715 | 3,8391 22.4 Cadmiu Cd 112,40 | 0.2979 | 2,9789 5.6170 | 8,637 Potasiu K 39,102 | 0,4628 0,862 Caleiu Ca 40,08 03047 1,56 Cobalt Co 58,933 0,2507 | 2,5075 4,0701 3,90 Carbon c | Grafit 12,011 0,246) | 2,4613 6,7082 2,2667 Diamant 0,1545 | 35,5669 35142 Cupra Cu 63,546 | 0,2556 | 3,6148 8,94 Litt Li 6,939 0,3040 | 3,5102 0,533 Magneziu Mg 24,312 | 0,3209 | 3,2095 35,2107 1,739 ‘Mangan Mn 34,938 | 0.2731 8.9142 7,21 Molibden Mo 95,94 0.2725 «| 3,1470 10,217 Sodiu Na 22,990 | 03716 | 4,2908 0,960 Nichel Ni 38,71 0,2492 | 3.5238 3,90 Osmiu Os 190,2 0.2675 | 2,7354 43193 22,61 Paladiu Pd 106.4 0,2751 3,8909 12,03 Fosfor P 30,974 0,218 3317 | 4,389 | 10,522 2,69 Platina Pt 195,09 | 0.2775 | 39241 21,477 Mercur Hg 200,59 | 0.3005 3,005 70,53" 14,24 Reniu Re 1862 0,741 2,762 4,457 21,04 | Rodin Rh 102,905 | 026901 | 3,8045 12,41 Sulf Ss 32,064 | 0.1887 10,437 | 12,846 | 24,370 2,085 Ag 107,868 | 0,2889 | 4,0863 10,494 Siliciu Si 28,086 | 0.2352 53,4308 2,3283 Stronjiu Sr 87,62 0.4303 | 6,0851 2,578 Tantal Ta 180,948 | 02860 | 3,3028 16,655 | Titan Ti 47,90 0.2896 | 2.9505 4,6835 45 Uraniu U 238,03 | 0,277 2,857 | 5,877 | 4,955 18,9 Vanadu | V 30,942 | 02628 | 3,044 | 6,015 Bismut [Bi 208,980 | 0,309 47462 9,798 Wolfram Ww 183,85 | 0.2741 31649 19,26 Zine Zn 65,37 0,265 | 2,650 | 7,130 Staniu Sn 18,69 | 03022 | 5.8317 | 7,31 i a | 03179 | 3,2313508 TRATAT DE STUNTA SI INGINERIA MATERIALELOR METALICE. 5.3. Solutii solide (prof. dr. ing. Maria PETRESCU) 5.3.1. Clasificare, caracteristici chimico-cristaline si proprietati Cristalele de solufii solide din aliaje pot fi clasificate din punct de vedere al amplasarii atomilor componentilor in rejeaua cristalina in: solutii solide de substitutie si solutii solide de patrundere. in solutiile solide de substitutie atomii elementului de aliere inlocuiesc in nodurile refelei cristaline o parte din atomii metalului de baza. in solutiile solide de p&trundere (sau solufii solide interstitiale) atomii elementului de aliere sunt distribuiti in interstitiile refelei cristaline a metalului de baza. O solutie solida are existent4 pe un domeniu de compozitii. La orice compozitie din acest domeniu, materialul este complet omogen, iar proprietatile fizice si parametrii refelei difera infinitezimal fay de cele ale compozitiilor vecine. Din punct de vedere al amplasirii domeniului lor de existentd (sau de omogenitate), solutiile solide se clasificd in solutii solide primare gi solufii solide secundare. O solutie solida primari (sau terminala) isi intinde domeniul de existenfi pind la unul din componentii puri ai aliajului; componentul respectiv constituie solventul solutiei si reteaua sa cristalina se pastreaza in intreg domeniul de existena al solutiei solide terminale. O solutie solidi secundara are un domeniu de omogenitate care nu mai ajunge pana la un component pur, ci se axeaza pe compozitia unui compus intermetalic; refeaua cristalina a compusului se mentine in intreg domeniul de existen{i al solutiei solide secundare. Distribufia atomilor de specii diferite in reteaua cristalind a unei solutii solide (fie ea primara sau secundard, de substitutie sau de patrundere) este in mod obisnuit o distributie intimplatoare, si solutia solida se numeste dezordonaté. In solutiile solide de substitutie (fie primare, fie secundare) este posibila adoptarea la temperaturi joase a unei distributii regulate in rejea a atomilor de specii diferite, cu formarea unei solutii solide ordonate. O serie de sisteme de aliaje (Cu-Au, Cu-Zn, Fe-Al, Fe-Si, Ni-Mn etc.) prezintd solutii solide, fie primare fie secundare, care sunt dezordonate la temperatura inalta cand predomini rolul entropiei in determinarea starii de energie libera minima. La anumite temperaturi aceste solutii solide se ordoneaza adoptand o stare de entropie mai scazuta dar cu energie intema mai mica, care la temperaturi joase asigura energia liber minima. La anumite concentratii din domeniul de omogenitate al solutiei solide, corespunzand unor rapoarte simple intre componeni (cum este spre exemplu compozifia echiatomica), ordonarea este completa. in acest caz atomii solujici solide formeaz4 o noua rejea cristalina numita supraretea; parametrii supraretelei sunt mai mari decat parametrii refelei solutiei solide dezordonate pentru ca unesc pozifii ale atomilor de aceeasi specie. Ordonarea se mentine si la compozitii invecinate celei la care se formeaz& suprareteaua, dar gradul de ordonare este mai redus. Ordonarea este insofiti de cresterea duritajii si a rezistenjei mecanice a materialului, precum si de mrirea conductib: i electrice. in solutiile solide terminale legatura interatomicd este metalicd; atomii twturor componentilor (solvent si elemente dizolvate, fie cle metalice sau nemetalice) sunt ionizati pozitiv si Iegati impreuna prin atractia exercitata de gazul electronilor de valenja colectivizati, care circula cuasiliberi prin scheletul ionic al retelei. Legatura metalica esteMICROSTRUCTURA MATERIALELOR METALICE 509 indiferenté la Proportia precis& a atomilor Participanti si la distributia lor in reteaua cristalina, ceea ce permite formarea unor solutii solide dezordonate pe domeni largi de concentratie. Abundenta solutiilor solide in aliaje $i proportia mare cu care cristalele de solutie solidi intra in constitutia fizico-chimica a aliajelor de importanja tehnicd se datoreaz& caracterului metalic al Proprietatilor lor. Introducerea atomilor straini produce distorsionarea rejelei cristaline a solventului. La concentratii mici ale elementuluj dizolvat distorsiunile sunt locale, dar la concentratii mai mari se produc modificari sensibile ale parametrilor refelei cristaline. Parametrii refelei sead la dizolvarea substitutionala a unui element cu atomi mai mici decit ai solventului. in schimb parametrii refelei cresc la dizolvarea substitutionala a unui element cu atomi mai mari decat ai solventului si, de asemenea, in solutiile solide de patrundere. in solutiile solide variatia parametrilor retelei cu compozitia prezinta abateri de la variafia liniara exprimata de legea Vegard (valabila Pentru s&rurile ionice). Pentru solutiile solide de substitutie cu atomii elementului dizolvat mai mari decat atomii solventului, deviatia razei atomice medii r in solutia solida de la valoarea calculata ca medie ponderatd a razei atomice rasolventului sir) a elementului dizolvat, este data de relatia: r=% 1_m-K a+(x/x) , (5.8) Roe 4 » V este coeficientul Poisson, x), x; coeficientii de compresibilitate, pentru solvent, respectiv pentru elementul dizolvat. Distorsiunile elastice ale refelei cristaline, produse de diferenta de dimensiune atomica solvent-element dizolvat, sunt considerabile. Deformarea elastica AV, a Tefelei solventului depaseste cu mult deformarea care ar rezulta din diferenta de volum AV, introdusa de prezenta atomilor straini, Raportul calculat: AV, _ 3(1-v) AY, ls Printr-un model bazat pe teoria clasticitatii, este supraunitar, coeficientul Poisson v avand pentru majoritatea metalelor valoarea ~ 0,3. Deci: AW, (5.9) 1,6 (pentru v = 0 (5.10) ay, Energia £,(c) inmagazinata in deformiarile elastice ale retelei cristaline, produse de prezen{a atomilor straini, variazi cu compozitia, conform relatiei, Be) AO. . a] Se) (5.11) V, 6c unde 4 este constanta numerica, G modulul de elasticitate transversal, V.. volumul atomic mediu sic concentratia in solutie a elementului dizolvat. Distorsionarea retelei cristaline a solventului datorita Pprezentei atomilor straini produce un efect de durificare, de mare importan{a in aliajele de utilitate tehnica, efect manifestat prin cresterea caracteristicilor de rezisten{A mecanica si o anumit&, diminuare a plasticitajii solutiei solide in Taport cu proprietatile mecanice ale metalului de baz’, Distorsiunile rejelei produc modificari mari ale unor proprietati fizice, cum este spre exemplu, sciderea conductibilitatii electrice a metalului solvent incd de la concentrafii foarte mici ale elementelor dizolvate.