Digitlis technika I.

online kurzus

9. modul elmlet

Idelis s valdi ptelemek, a valdi ptelemek jellemzi. TTL

s CMOS technolgia.
Ezen segdlet
els rszben a flvezet eszkzk jellemzivel, fizikai mkdsvel foglalkozunk.
a msodik rszben ttekintjk a flvezet eszkzkbl felptett alapkapuk fizikai
felptst s mkdst
a harmadik rszben megismerkednk a TTL s a CMOS technolgia
feszltsgszintjeivel.

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Flvezet eszkzk jellemzi, fizikai mkdse

A flvezetk
A flvezetk olyan anyagok, amelyek vezetkpessgk alapjn a vezetk s a szigetelk
kztt helyezkednek el. Jellemzen kovalens ktst alkotnak, gy pl. a szilcium s a
germnium ngy vegyrtk, amelybl mind a ngy elektron ktsben vesz rszt, ezrt
alapesetben nem j vezetk. A vegyrtksv s a vezetsi sv kztt lv n. tiltott sv elg
kicsi ahhoz, hogy a hmrsklet nvekedsvel nhny elektron tkerlhessen a vezetsi
svba. (A fmeknl a vegyrtksv s a vezetsi sv tfedsben van egymssal, ezrt j
vezetk; a szigetelknl nagy a tiltott sv.)
A flvezetk szobahmrskleten, vegytiszta llapotban gyakorlatilag szigetelknek
tekinthetk. A hmrsklet nvelsvel, illetve adalkolssal (angolul doping) igen sok
vezetsi elektron keletkezik, gy megnvekszik a vezetkpessg. A leggyakrabban hasznlt
szilrd flvezetk: szilcium (Si), germnium (Ge). Mindkt flvezet anyag a peridusos
rendszer IV. A csoportjba tartozik.
Gyakorlatilag az adalkols mrtke igen kicsi, mindssze 105,106 %-os. Ugyanakkor az
adalkols a szabad tltshordozk szmt a termikus tltshordozk mennyisghez kpest
103 - 106 - szorosra nveli. Donor s akceptor tpus adalkolst klnbztetnk meg.
Az alkalmazott adalkatomnak eggyel tbb vagy kevesebb elektronja van, mint a
flvezetnek. Ha eggyel tbb, akkor negatv (N) tpus flvezetrl (az adalk atomokat
pedig donornak nevezik), ellenkez esetben pozitv (P) tpusrl beszlnk (az
adalkatomokat pedig akceptoroknak nevezik). Donor atom lehet pl. foszfor, arzn, akceptor
atom lehet pl. br, alumnium.
Az N tpus flvezetben mr alacsony hmrskleten is az sszes donor elveszt egy
elektront, s ezek a vezetsi svba kerlnek, gy nvelve a vezetkpessget. P tpus
flvezet esetben az akceptorok a vegyrtksvbl megktnek egy-egy elektront, gy
nvelve a lyukak koncentrcijt s ezltal nvelve a vezetkpessget.

A flvezet dida
A dida olyan rendszerint kt kivezetses elektronikai alkatrsz, amelyet tbbsgben
egyenirnytsra, hradstechnikai clra (pldul rdivev kszlkekben demodullsra)
illetve egyszerbb kapuramkrkben alkalmaznak. A flvezet dida rajzjele lthat az 1-es
brn.

1. bra. A flvezet dida rajzjele

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Az (idelis) dida az egyik irnyban az ramot tengedi, mg a msik irnyban nem. Az

idelis didt elkpzelhetjk egy kapcsolnak is. Egyik irnyban vezeti az elektromos ramot
(be van kapcsolva), a msik irnyban nem vezeti az elektromos ramot (ki van kapcsolva).
A flvezet dida ksztsekor egy szilcium lapkn egyms mell egy P s egy N tpus
tartomnyt hoznak ltre. A kt tartomny kztt ltrejn egy un. PN tmenetet (PN junction).
A 2-es brn egy N s P rtegre adalkolt flvezet lapka lthat.

2. bra. Az N s P rtegre adalkolt flvezet lapka

A P rtegben pozitv tlts lyukak, az N rtegben negatv tlts elektronok a

tltshordozk. Az ilyen szerkezetben ha egy irnyba folyik az ram, akkor az azt jelenti,
hogy az egyik irnyba mennek az elektronok, az ellenkezbe a lyukak. (A konvencionlis
(trtnelmileg kialakult, megegyezses) ramirny a pozitv tlts, teht a rajzokon jellt
irnyba haladnak a lyukak, az ellenkezbe az elektronok.)
A tltshordozk kls feszltsg hjn rendezetlen mozgst vgeznek a flvezetn bell. A
kt rteg tallkozsnl az egyik rszbl tlphetnek a msikba. Ha egy elektron az N
tartomnybl tkerl a P tartomnyba, akkor ott nagy esllyel beugrik egy lyuk helyre
(hiszen ott egy atomnak "elektronhinya" volt). Ekkor az elektron (s az eltte ott lv lyuk)
megsznik szabad tltshordoznak lenni. Ha egy akceptor (szennyez) atomhoz ugrott be,
akkor az az atom innentl negatv tlts lesz (hiszen eredetileg 3 vegyrtk volt, vagyis 4
elektronnal felszerelve 1 negatv tltse lesz. Hasonlan, az N tartomnybl az elektron eljtt,
teht ott is cskkent a szabad tltshordozk szma, s az ottani donor atomok pozitv
tltsv vlnak (hiszen eredetileg 5 elektronjuk volt, abbl elvesztettek egyet). gy a P
tartomnyban negatv, az N tartomnyban pozitv tlts ionok lesznek az adalkatomokbl, a
hatrrteg kzelben. Fix tltsek (az ionok helyhez ktttek) ilyen elrendezse elektromos
teret kelt, ami a pozitv tltstl mutat a negatv fele. Az elektromos tr jellemzje, hogy
ervel hat a tltsekre. Az gy kialakult elektromos tr meggtolja, hogy tovbbi elektronok s
lyukak tudjanak thatolni a hatron (pont ellenkez irnyba knyszerti ket, az elektronokat
vissza az N tartomny fel, a lyukakat vissza a P tartomny fel). A kzpen kialakult rteget
kirtett rtegnek illetve trtltsi tartomnynak (space charge region) is nevezik (elbbinek
a mozg tltshordozk hinya miatt, utbbinak a kialakult elektromos tr miatt). A rajta
kialakult elektromos tr teht nehezti a tltsek ramlst.

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Kls feszltsg hinyban a PN-tmeneten az n. diffzis s az n. drift ram kiegyenlti

egymst, az ered ram nulla. A diffzis ramot a tltshordozk koncentrci-klnbsge
okozza (a nagyobb koncentrcij helyrl a kisebb koncentrcij fel mozognak). Jelen
esetben a tbbsgi tltshordozk (P-rtegben a lyukak, N-rtegben az elektronok) egy kis
rsze nagy energija folytn tjut a kirtett rteg potencilgtjn, ez adja a diffzis ramot.
Drift ramnak a tltshordozknak elektromos tr hatsra trtn mozgst hvjuk. Jelen
esetben a trtltsi tartomny trerssge a tbbsgi tltshordozk szmra akadly, a
kisebbsgi tltshordozkat (P-rtegbeli elektronok, N-rtegbeli lyukak) viszont N->P
irnyban gyorstja, ez lesz a drift ram.

A flvezet dida mkdse

Mint az elbbiekben lttuk, egy flvezet dida esetn egy flvezet kristlyt egyik felt N a
msik felt P tpusra adalkoljk.
Most nzzk meg, hogy mi trtnik akkor, amikor a flvezet didra kls feszltsget
kapcsolunk. Ktfle feszltsg irnyt tudunk ltrehozni. A 3-as bra szemllteti a flvezet
dida nyitirny elfesztst.
Nyitirny elfeszts

3. bra. A flvezet dida nyitirny elfesztse

Nyitirny elfeszts esetn a P rtegre (andra) az N rteghez (katdhoz) kpest pozitv

feszltsget kapcsolnak. A dida ellenllsa igen kicsi, vezetknt viselkedik. Nyitirny
ram jn ltre. A valsgos Si dida un. nyitfeszltsge 0,6-0,8V. Amikor a dida
nyitirnyban van elfesztve, akkor a rajta es feszltsg a dida nyitfeszltsge (0,6-0,8V),
a rajta tfoly ramot a krnyezete hatrozza meg.
Nyitirny elfeszts hatsra az elektronokra olyan er hat, ami a kirtett rteg fel
tasztja ket, a lyukakra pedig olyan er, ami szintn a kirtett rteg fel irnyul. Ha elg
nagy a feszltsg, akkor a tltshordozk beljebb tudjk nyomni a kirtett rteg hatrait,
ezltal lecskken annak a vastagsga s tere. Ha elg kicsi lett, a tltsek mr knnyen t
tudnak hatolni ezen a rtegen, a PN tmeneten a kls feszltsggel exponencilisan megn a
diffzis ram, pr tized volt felett meredeken n a P->N irny ram.

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Zr irny elfeszts

4. bra. A flvezet dida zr irny elfesztse

A P rtegre (andra) az N rteghez (katdhoz) kpest negatv feszltsget kapcsolnak. A

dida ellenllsa igen nagy, ellenllsknt viselkedik, gyakorlatilag szakads, nem vezeti az
elektromos ramot. A flvezet dida zr irny elfesztst a 4-es bra szemllteti.
Ekkor a pozitv potencil az elektronokat elvonzza a kirtett rteg kzelbl, a negatv pedig
a lyukakat, gy a kirtett rteg vastagsga nni fog (nem maradnak kzpen tltshordozk).
Ekkor olyan vastag a kirtett rteg, hogy nem tud diffzis ram folyni rajta keresztl, csak a
kisebbsgi tltshordozk drift rama, ami nagyon kicsi szilcium didknl pA-nA
nagysgrend - teht a PN-tmenet rama ilyenkor j kzeltssel nulla, az tmenet lezr.

5. bra. A flvezet dida karakterisztikja

Az 5-s brn lthat a flvezet dida karakterisztikja.

Si dida esetn ha a nyitirny feszltsg elri az un. knyk (vagy kszb) feszltsget,
akkor a dida kinyit, rajta a feszltsg nvelse hatsra az ram exponencilis jelleggel
nvekszik. Ekkor a didn es feszltsg llandnak tekinthet (0,6 0,8 V). A dida ramt
a krnyezete hatrozza meg.
Ha a feszltsg polaritsa ellenttes, akkor a dida zr, gyakorlatilag nem folyik rajta ram
(a valsgban nhny pA, nA ram folyik. Ha elrnk egy bizonyos zr feszltsget, akkor a
didaram hirtelen megn, de ekkor az egyszer didk tnkremennek. Vannak specilis un.
Zener didk, amelyek ezt az un. zener effektust hasznljk ki.
5

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Bipolris tranzisztor
A bipolris tranzisztor elektromos jelek erstsre kifejlesztett, 2 db PN tmenettel
rendelkez aktv ramkri elem. A tranzisztor elnevezse az angol transfer-resistor
(tengeds-ellenlls) elnevezsekbl kpzett mozaiksz. A bipolris kifejezs arra utal, hogy
mkdsben mindkt tltshordoz fajta (elektron, lyuk) rszt vesz.
A bipolris tranzisztor hromelektrds felvezet eszkz, amely hrom, egy kristlyban
kialaktott, N-P-N vagy P-N-P elrendezs, adalkolt flvezet tartomnybl ll. Ennek
megfelelen megklnbztetnk: NPN illetve PNP tranzisztorokat.
Az egyes elektrdk elnevezsei:
emitter (E): a tltshordozkat kibocst elektrda;
bzis (B): vezrlsre szolgl elektrda;
kollektor (C): tltshordozkat gyjt elektrda.
Elvi szinten a tranzisztor felfoghat gy is, hogy 2 db dida (Bzis-Emitter s BzisKollektor) dida az albbi brn lthat mdon van sszekapcsolva. A mkdsi lersoknl
gy is hivatkoznak r. Ha a valsgban ilyen mdon kt didt sszekapcsolunk, nem kapunk
mkdkpes ramkrt. Ez csak egy elvi szimbolizlsa a tranzisztornak.
A 6-os brn lthat a bipolris tranzisztor dids helyettest kpe, rajzjele.
A bipolris tranzisztorok bzistartomnynak hatsos szlessge sokkal kisebb, mint a
kisebbsgi tltshordozk diffzis hossza, ezrt ez a kzps tartomny igen vkony
felvezet rteg a kollektor- s az emitter tartomnyhoz viszonytva. Az emitter es kollektor
megkzeltleg azonos adalkols s mindkt tpus tranzisztornl ersebben adalkolt, mint
a bzistartomny.
A bzis kicsi hatsos szlessge s alacsony adalkoltsga miatt kevs a szabad
tltshordozk szma, ezrt kis mrtk a vezetkpessge a msik ketthz viszonytva.
A tranzisztor szerkezetben lev kt PN-tmenet kls feszltsg alkalmazsa nlkl
megakadlyozza a rtegek kztt a tltshordozk ramlst.

6. bra. A bipolris tranzisztor rtegei, dids helyettest kpe s rajzjele

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

A bipolris tranzisztor mkdse

7. bra. A bipolris tranzisztor mkdst szemlltet bra

A 7-es bra szemllteti a bipolris tranzisztor mkdst. Norml aktv zemmd esetn a
Bzis-Emitter tmenetet nyitirnyban, a Bzis-Kollektor tmenetet zr irnyban fesztjk
el.
Kis jel szilcium tranzisztorok esetn:
a bzis-emitter feszltsg UBE 0,60,8V ,
a kollektor-emitter feszltsg rtke ltalban UCE 518V .
A nyitirny feszltsg hatsra az emitter tartomnyban tallhat tbbsgi tltshordozk
(elektronok) rendezett ramlssal thaladnak a hatrrtegen, s gy ltrejn az emitter ram
(IE). A kirtett rtegknt viselked bzistartomnyba ramlott elektronok kis rsze egyesl
(rekombinldik) az itt tallhat lyukakkal s ltrejn egy kis rtk bzisram (IB). A bzis kollektor tmenet zrirny elfesztse kvetkeztben az elektronok diffzi rvn
rendezetten a kollektor rtegbe ramlanak s ltrejn a kollektor ram (IC). Az elektronikai
gyakorlatban a bipolris tranzisztor IC kollektor ramt az UBE bzis-emitter feszltsg s az
IB bzisram segtsgvel vezrelhetjk. A bipolris tranzisztor ramvezrelt
ramgenertorknt viselkedik.
Analg technikban a norml aktv zemmdban feszltsg illetve ramerstsre, a digitlis
technikban a lezrs s a telts zemmdban (un. kapcsolzemben) hasznljuk a
tranzisztort. A bipolris tranzisztor zemmdjai a 8-as brn, karakterisztiki a 9-es brn
lthatk.

8. bra. A bipolris tranzisztor zemmdjai

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

9. bra. A bipolris tranzisztor karakterisztiki

Unipolris trvezrls tranzisztorok

Azokat a tranzisztorokat, amelyeknek ramt csak egyetlen fajta tltshordoz biztostja, a
szakirodalomban unipolris vagy trvezrls tranzisztoroknak nevezik. Elnevezsk FET,
amely az angol - Field Effect Transistor - kifejezs szavainak kezdbetit tartalmazza.
Mkdsk egy flvezet kristlybl ll csatorna vezetkpessgnek kls elektromos tr
segtsgvel val vltoztatsn alapszik. Az elektromos teret egy kapunak nevezett
vezrlelektrda segtsgvel hozzk ltre a csatorna keresztmetszetben. A kapuelektrda
felptsnek fggvnyben, megklnbztetnk zrrteges (rviden JFET, Junction Field
Effect Transistor) s szigetelt kapuelektrds (IGFET) trvezrls tranzisztorokat.
A trvezrls tranzisztorok tulajdonsgai:
a nagy rtk bemeneti ellenlls,
egyszer gyrtstechnolgia,
a bipolris tranzisztoroknl kisebb helyigny.
A trvezrls tranzisztorok (Field Effect Transistor = FET) mkdsi elve alapjaiban eltr a
bipolris tranzisztoroktl. Az ramvezets mrtke statikus feszltsggel befolysolhat.
Teht nincs vezrlram, a vezrlshez teljestmny sem szksges, tovbb a bementi
ellenllsa kzel vgtelen. A FET tranzisztor egy feszltsgvezrelt ramgenertor (szemben
a bipolris tranzisztorral, amely ramvezrelt ramgenertor).
Elektrdk elnevezse: Source=forrs, Drain=nyel, Gate=kapu, S=Szubsztrt = hordoz. A
trvezrls tranzisztorok csoportostsa lthat a 10-es brn.

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

10. bra. A trvezrls tranzisztorok csoportostsa

A JFET mkdse
Az N-csatorns JFET egy N-re adalkolt szilcium kristly, amelynek kt vgre kapcsolt
egyenfeszltsg IDS elektron ramot indt a source s drain elektrdk kztt. Ez az ram a
teljes megsznsig cskkenthet a negatv UGS vezrl-feszltsggel. A 11-es bra szemllteti
a JFET mkdst.

11. bra. A JFET mkdst bemutat bra

A zrrteges trvezrls tranzisztorok (JFET) csatornjt a flvezet trfogatban kt

zrirnyban polarizlt PN tmenet hatrolja. A JFET tranzisztorokat N s P csatorns
vltozatban ksztik. A csatorna 10100-szor hosszabb, mint a vastagsga. A csatorna kt
vgre fmezssel kapcsolt elektrdk a D drain (nyel) s az S source (forrs). A
vezrlszerepet jtsz elektrda a G gate (kapu). A JFET tranzisztor szerkezetet egy nagyon
vkony, gyengn adalkolt rteg (csatorna) alkotja, amely kt ersen adalkolt, a csatornval
ellenttes adalkoltsg flvezet rteg kztt helyezkedik el. Az egyik PN tmenet a gate s
9

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

a csatorna kztt, mg a msik tmenet a flvezet szubsztrtnak nevezett tbbi rsze s a

csatorna kztt helyezkedik el. Ha a csatorna kt elektrdjra feszltsget kapcsolunk (UDS)
s a gate elektrda feszltsge (UGS) nulla, a kt PN tmenet zrirny polarizlst kap. Az
N-tpus csatornban a D drain elektrdtl az S source elektrda fel raml elektronok
rama UGS = 0 feszltsgnl a legnagyobb, mivel ebben az esetben a csatorna szlessge
maximlis. Ezen tulajdonsga miatt a zrrteges trvezrls tranzisztorokat nvezetknek is
nevezzk. A zrrtegek szlessge, - amelyek meghatrozzk a csatorna keresztmetszett annl nagyobb, minl nagyobb a zrirnyban hat feszltsg. Minl nagyobb a
zrfeszltsg annl kisebb a vezetrteg keresztmetszete, teht az ellenllsa is. A csatornaellenlls nvekedse a csatornn foly ID ram cskkenst eredmnyezi, amely sajtsgos
esetben nulla is lehet. Az elektronok ramlsa csak a csatornn keresztl lehetsges, mivel a
zrrtegekben kialakult trtlts znk elektromos ertere megakadlyozza mozgsukat
ezekben a tartomnyokban. A zrrtegek szlessge az UGS feszltsg segtsgvel
vezrelhet. A szksges vezrlteljestmny minimlis rtk, mivel a kisebbsgi
tltshordozk mozgsnak eredmnyekppen egy elhanyagolhat nagysg zrirny ram
folyik (1081010A).
Az UGS feszltsgnek a vezrelhetsg biztostsa miatt N csatorns JFET eseten negatvnak,
mg P csatorns eszkz esetn pozitvnak kell lennie (a source elektrdhoz viszonytva).
Hasonl mdon az UDS feszltsg N csatorns JFET eseten pozitv, P csatorns JFET eseten
pedig negatv (a source elektrdhoz kpest). A JFET karakterisztiki lthatk a 12-es brn.

12. bra. A JFET karakterisztiki

10

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Szigetelt vezrl elektrdj trvezrls tranzisztorok, IGFET

Az IGFET tranzisztorok (amelyet a szakirodalomban sok helyen MOSFET-knt is szoktak
emlteni) a technolgiai fejleszts jabb eredmnyei.
A MOSFET (Metal Oxide Semiconductor, fm-oxid flvezet) a bels rtegek sorrendjre
(Field Effect Transistor, trvezrls tranzisztor), a tranzisztor mkdsi elvre utal. Az
unipolris tranzisztorok mkdsnl a tbbsgi tltshordzknak van szerepe. A modern
(mind analg, mind digitlis) integrlt ramkrk dnt tbbsge nvekmnyes MOS
tranzisztorokbl pl fel. JFET-t digitlis ramkrknl gyakorlatilag nem hasznltak,
hasznlnak
A MOSFET tranzisztorok felptsktl fggen kt csaldot alkotnak:
kirtses (nvezet);
nvekmnyes (nzr).
Mindegyik vltozat elllthat N- s P csatorns kivitelben is.
Nvekmnyes MOSFET tranzisztorok felptse, mkdse
A nvekmnyes MOSFET tranzisztorok felptse, mkdse a 13-as bra szemllteti.

13. bra. A nvekmnyes MOSFET tranzisztorok mkdst bemutat bra

11

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

A tranzisztor aktv rsze egy P-tpus, gyengn adalkolt Si alapkristlybl ll, amelyet
szubsztrtnak neveznek. Az alapkristlyban kt ersen adalkolt P-tpus vezet szigetet
alaktanak ki, amelyek csatlakozssal elltva a tranzisztor S source- s D drain-elektrdjt
alkotjk. A kristly kls felletn termikus oxidcival nagyon j szigetel tulajdonsggal
rendelkez szilicium-dioxid SiO2 fedrteget nvesztenek, amelyen az S es D csatlakozsok
szmra ablakot hagynak. A SiO2 szigetelrtegre vkony fmrteget visznek fel, pl.
prologtatssal; ez lesz a gate vezrlelektrda, amely ily mdon elszigeteldik a kristlytl.
A szubsztrt kivezetst ltalban a tokon bell sszektik az S source-elektrdval, vagy
kln kivezetsknt a tokon kvlre vezetik.
Ha a gate-elektrda szabadon van, brmilyen polarits feszltsget kapcsolunk a drain es a
source kz a tranzisztor zrva marad, azaz nem fog ram folyni a kt kivezets kztt. A
gate-elektrdra pozitv feszltsget kapcsolva a source-hoz kpest a szubsztrtban
elektromos tr keletkezik. A kls elektromos tr hatsra a szubsztrtban tallhat
kisebbsgi tltshordoz elektronok kzvetlenl a SiO2 szigetelrteghez vndorolnak s az S
es D elektrda kztt egy N-tpus vezetcsatornt alkotnak. A JD drain-ram ilyen felttelek
mellett megindul. A csatorna vezetkpessge az UGS gate-source feszltsggel
szablyozhat. Minl nagyobb UGS rtke, a csatorna vezetkpessge annl nagyobb s
kvetkezskppen annl nagyobb ID rteke is.
Mivel a vezrlst elektromos tr hozza ltre, hasonlan a JFET-hez, vezrlteljestmny
gyakorlatilag nem szksges. Az ID drain-ram az UGS gate-source feszltsggel teljestmny
felvtele nlkl vezrelhet.
Az ismertetett MOSFET tpusnak az a jellegzetessge, hogy UGS = 0 feszltsgnl le van
zrva, emiatt nzr tranzisztornak is nevezik. A nvekmnyes elnevezs arra a
tulajdonsgra utal, hogy a csatorna, elektrondsuls (P csatorns vltozat eseten lyukak)
rvn keletkezik pozitv gate-feszltsg jelenltben.

Kirtses MOSFET tranzisztorok

Ha az SiO2 szigetelrteg alatti szubsztrtban gyenge N-tpus adalkolst valstanak meg
(N csatorns vltozat), akkor vezetkpes sszekttets lp fel az S es D kztt anlkl, hogy
a gate-elektrdra feszltsget kapcsolnnk. Az ilyen felpts tranzisztort nvezet
MOSFET-nek nevezik. A kirtses MODFET tranzisztorok mkdst a 14-es bra
szemllteti.
Az nvezet MOSFET esetn ID 0, ha UGS=0. Vezrlse mind pozitv, mind negatv gatefeszltsggel lehetsges.
Ennek megfelelen kt zemmdban mkdhet:
dstsos zemmd
kirtses zemmd.
12

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

14. bra. A kirtses MOSFET tranzisztorok mkdst bemutat bra

Dstsos zemmd UGS > 0, amikor a pozitv gate-feszltsg a csatorna elektronokkal val
feldsulshoz s nagyobb vezetkpessghez vezet; kirtses zemmd UGS < 0, amikor a
negatv gate-feszltsg a csatorna elektronokban val elszegnyesedshez s
vezetkpessgnek cskkenshez vezet.
Az eddigiek sorn trgyalt MOSFET-ek N csatorns kivitelek voltak. Termszetesen a
mkdsi elvek maradktalanul rvnyesek a P csatorns tpusokra is, ha megfordtjuk az
alkalmazott feszltsgek polaritst. A 15-s bra a MOSFET tranzisztorok mkdst s
karakterisztikit szemllteti.

15. bra. A MOSFET tranzisztorok sszefoglalsa

13

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Kapcsol zemmd
Ebben a fejezetben megnzzk az elbb ismertetett flvezet eszkzk kapcsolzem
mkdst. A idelis kapcsolt a 16-os bra, a valsgos kapcsolt a 17-es bra szemllteti.

Az idelis kapcsol
A kapcsol feladata:
Az ramkr zrsval az UT tpfeszltsget az R terhel
ellenllsra kapcsolja, illetve kikapcsolskor az ramkrt
megszaktja.
Az idelis kapcsol:

rzketlen a polaritsra
A kapcsolsi id vgtelenl rvid
Nincs rajta teljestmnyvesztesg

16. bra. Az idelis kapcsol

A valsgos kapcsol

17. bra. A valsgos kapcsol

A valsgos kapcsol jellemzi:

Nem vgtelen a nyitott llapotbeli ellenlls. Nyitott llapotban egy R1 (vges)
ellenllssal (pl. szigetelsi ellenlls) rendelkezik.
Nem 0 a zrt llapotbeli ellenlls. Zrt llapotban rendelkezik egy R2 (nem zrus)
ellenllssal (pl. tmeneti ellenlls).
Zrt llapotban van maradkfeszltsg.
Nyitott llapotban van maradkram.
Teljestmnyvesztesg ll el mind nyitott, mind zrt llapotban.
Az tkapcsols vges id alatt megy vgbe.
14

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

A flvezet dida, mint kapcsol

18. bra. A flvezet dida karakterisztikja

A 18-as brn lthat a flvezet dida karakterisztikja.

Kikapcsolt llapot: feszltsgtl szles hatrok kztt fggetlen maradkram, mai didknl
gyakorlatilag elhanyagolhat.
Bekapcsolt llapot: Az tfoly ramtl kevss fgg, nhny tized volt un. nyitfeszltsg
marad a didn. Uny - Si didn 0,6-0,7 V.

A bipolris tranzisztor, mint kapcsol

A bipolris tranzisztor karakterisztiki a 19-es brn lthatk. A bipolris tranzisztor
vezrelhet kapcsolnak tekinthet, a bzis-emitter didra adott vezrl feszltsg dnti el,
hogy a kollektor-emitter kztt kzel szakads vagy kzel rvidzr lp fel.

19. bra. A bipolris tranzisztor karakterisztiki

15

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Flvezet eszkzkbl felptett alapkapuk fizikai felptse s

mkdse
A ma hasznlatos digitlis ramkrket alapveten ktllapot, kapcsol tulajdonsg
elemekbl ptjk fel. Leggyakrabban az elektromos energia felhasznlsval mkd
kapcsol tulajdonsg elemeket hasznljk.

A kapcsolk tulajdonsgai:
Egy idelis, ktllapot kapcsol lehetsges llapotai:
Zrt llapot; ekkor a kapcsol bekapcsolt llapotban van, rajta ram folyhat keresztl.
Nyitott llapot; ekkor a kapcsol kikapcsolt, szakadt llapotban van, rajta ram nem
folyhat.
Az idelis kapcsol zrt llapotban 0 tmeneti ellenllst, mg nyitott llapotban vgtelen
ellenllst kpvisel. tkapcsolsi ideje 0, az tkapcsolshoz nem ignyel teljestmnyt, s a
vezrls s a kimenet kztt nem folyhat ram. A bemenetek s a kimenetek egymstl
teljesen el vannak szigetelve. Az idelis kapcsol zrt llapotban, a csatlakoz pontjai kztt
nem mrhet feszltsg, mg a kikapcsolt kapcsoln nem folyik ram.
A vals kapcsolt a 20-as brn bemutatott helyettest kppel tudjuk lerni.
Amint lthat, a bekapcsolt kapcsolval, mindig sorba kapcsoldik egy rs soros ellenlls,
mely az alkalmazs sorn tfoly ram hatsra egy Um maradkfeszltsget eredmnyez. A
kikapcsolt kapcsolval prhuzamosan kapcsoldik egy Rp prhuzamos ellenlls. A
gyakorlatban ennek hatst a kikapcsolt kapcsoln foly Iz szivrgsi rammal vesszk
figyelembe.

Rp

Cp

rs

Ls
20. bra. Egy vals kapcsol helyettest kpe

A vals kapcsolnl mindig fellp egy soros Ls induktivits s egy prhuzamos Cp kapacits
is. Hatsukat a dinamikus mkds vizsglatnl vesszk figyelembe.

16

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

A vals kapcsolk jellemzi:

Bekapcsolt llapotban a kapcsol tmeneti ellenllsa nem 0, s fellp egy Um
maradkfeszltsg.
Kikapcsolt llapotban folyik egy Iz szivrgsi ram.
Az tkapcsolsi id nem 0.
A vezrls kvn egy bizonyos, nem 0 teljestmnyt.
A bemenet, kimenet(ek) elszigeteltsge nem mindig tkletes.

Elektromossg felhasznlsval mkd logikai elemek

Kapcsolkkal a kialaktstl fggen ram, illetve feszltsg alap logikkat lehet kialaktani.
ram logikrl beszlnk, ha az adatviv fizikai mennyisg ramlsi tvonalnak
kapcsolsval alakul ki a logikai kapcsolat. A jelviv van ram, nincs ram rendszerben
vltozik.
Feszltsg logika esetn a jelviv a feszltsgszint nagysga: alacsony szint, illetve magas
szint formjban. A kapcsols a bejv szintek aktulis rtknek s a kialaktand logikai
kapcsolatnak megfelelen biztostja a kimenetek feszltsg rtknek a belltst. A
bemeneti vezrls is trtnhet rammal, illetve feszltsggel. Ennek megfelelen klnfle,
sokszor vegyes megoldsok lteznek. Az ram s a feszltsglogika kztt megfelel
alkatelem felhasznlsval vltani lehet.
A logikai szintek kialaktsakor mindig svokrl beszlhetnk, hiszen csak kt rtk
tartomnyt, illetve tmenetknt a kztes, ebbl a szempontbl nem rtelmezettnek tekintett
tartomnyt hasznljuk.
A feszltsg logika jellemzi:
Kt szinttartomnyt klnbztetnk meg, egy alacsony (Low) [eljeles rtkben kisebb]
ez a pozitv tpfeszltsg esetn a flpotencilhoz kzeli, s egy magas (High) [eljeles
rtkben nagyobb] pozitv tpfeszltsgnl a tpfeszltsghez kzeli svot. Vals
rtkk ramkri mretezs eredmnye. A tpfeszltsg elvileg lehet pozitv s negatv
is.
A kt tartomny logikai llapothoz rendelse, vlaszts krdse, gy ha a logikai 1 a
magasabb szint tartomny, mint a 0 szinthez rendelt, pozitv, mg ellenkez esetben
negatv szint logikrl beszlnk.
Ma elssorban pozitv tpfeszltsg pozitv logikt hasznlunk. Ekkor az alacsony
szinttartomnyt 0-tl, a referencia fldponttl szmtjuk.
A jelszintek megrzshez szksges aktv, szinthelyrellt elemek beptse. A
hasznlatos, aktv elemeket tartalmaz kapcsolsok ezt biztostjk.
17

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Dids logikk
Dids VAGY kapu
A dids VAGY kapu a 21-es brn lthat. Ez tulajdonkppen a nyitirny zemmd. Ha
a dida andjra kapcsolt feszltsg pozitvabb UNY feszltsggel, mint a katd, akkor a
dida kinyit. Szksgnk van egy Rf munkaellenllsra, mely az andon fellp, magas UbeH
feszltsgszint hatsra tfoly rambl, egy UkiH kimeneti feszltsgszintet alakit ki.
Ha valamelyik bemeneten 0 V van, a hozz tartoz dida lezr, ez a bemenet levlasztdik,
nem zavarja a kimeneti logikai 1 feszltsg kialakulst. Ha VAGY az A, VAGY a B
(valamelyik) bemenetre pozitv feszltsget adunk, akkor az illet bemenethez tartoz dida
kinyit, mivel az andja pozitv feszltsget kap. A nyitott dida katdja nhny tized V-tal, a
nyitfeszltsggel negatvabb andjnl, vagyis a kimenet feszltsge is pozitv, logikai 1
szint.
Ha minden bemeneten alacsony feszltsg szint van, ekkor nem tud ram folyni, a didk
lezrnak. Ekkor a kimenet feszltsgt az Rf ellenllson tfoly ram lltja be, az UkiL =
alacsony feszltsg szintre.
Um
A

B
Uki

UbeC
Rf

21. bra. Dids VAGY kapu, pozitv tpfeszltsg pozitv logika esetn

Dids S kapu
A dids S kapu a 22-es brn lthat. Az Rf ellenlls a kimenet feszltsgt pozitv
feszltsgre igyekszik felhzni. Ha azonban akr egyetlen bemenetet is sszektnk a 0 V-os
vezetkkel, akkor az ehhez a bemenethez tartoz dida kinyit s a kimeneten kis pozitv,
gyakorlatilag zrus potencil, vagyis logikai 0 jelenik meg.
A didkon most akkor folyik ram, ha a hozztartoz bemeneten alacsony L feszltsg szint
van. Brmelyik bemeneten lv alacsony szint esetn a hozztartoz dida kinyit s az Rf
munkaellenllson ram folyik. A kimeneti szint a bemenet feszltsge plusz a dida maradk
feszltsge. UkiL = UbeL + Um. Ha mindegyik bemenet magas szinten van, akkor az sszes
dida lezr, s a kimeneten magas szint jelenik meg. A didkon ekkor a dida tpusnak
megfelel zr irny ram folyik.
18

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

+
Um

Rm

UbeA

Uki

22. bra. Dids S kapu

Dids kapuknl a didkon ltrejv feszltsgess szinttorzulst okoz. Pl. ha UT = 5V,

akkor a szoksosan hasznlt szilciumdidk esetn Um = 0 - 0,7 V, gy a magas szint a
bemeneti magas szint s a tpfeszltsg kztti rtk. A torzuls alacsony szintnl, ahol a 0 V
helyett 0,7 V ll el, kros. Kikszblhet, ha a kvetkez fokozat ellenirny didt
tartalmaz. Vagyis a dids S-VAGY kapu, a szintek szempontjbl hasznos elem. A dids
S-VAGY kapu lthat a 23-as brn.

23. bra. Dids S-VAGY kapu

Dids logikval nem lehet jelregenerlst vgezni, s invertert ltrehozni. Erre a feladatra
csak a hromplus elemek kpesek. Fontos szempont viszont, hogy a didkkal kialaktott
kapuk sszefrnek mindegyik ma hasznlatos logikai elemmel, s egyszer mdostsoknl
hasznos kiegsztseket adhatnak. Ezrt alkalmazsukkal szmtalan helyen lehet tallkozni.

19

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Hromplus flvezet kapcsolkkal megvalstott logikai elemek.

A hromplus flvezet elemek fbb alaptpusai:
Bipolris tranzisztorok ramvezrls kapcsolelemekknt
Bipolris tranzisztor s Zener dida kombincija
Zrrteges trvezrls tranzisztorok
Szigetelt vezrl elektrdj trvezrls tranzisztorok
Tirisztorok
Triakok
Egyb flvezet alap kapcsolk
Optoelektronikai eszkzk
Tisztn fnyt alkalmaz eszkzk
Integrlt ramkrnek nevezzk azt a technolgiai megoldst, ahol az ramkr elemeit egy
egysges hordozn, roncsols nlkl bonthatatlanul ptenek ssze. Fontos alaptpusuk a
flvezet alap integrlt ramkr. Itt aktv s passzv alkatelemek ugyanabbl a flvezet
alapanyagbl, a tulajdonsgukat mdost idegen atomok szerkezetbe ptsvel alaktanak ki.
A digitlis technikban, ha IC-rl (Integrated Circuit), vagyis integrlt ramkrrl beszlnk,
alapveten mindig a flvezet alap megoldsra kell gondolnunk.
Ebben a segdletben a bipolris s az unipolris tranzisztorokkal megvalstott logikai
elemekkel foglalkozunk.
A flvezet kapcsol elemek felhasznlsa logikai elemekben:
A bipolris tranzisztorokkal hoztk ltre az els flvezet logikai elemcsaldokat. Ebbl
a tpusbl kszlt 1958-ban az els integrlt ramkr. A bipolris tranzisztor
ramvezrelt eszkz. A mkd kapcsolsok kialaktshoz kiegszt elemknt
ellenllsra van szksg. Emiatt s az ramvezrls ignye miatt a kapcsolsok
teljestmny felvtele viszonylag nagy. A tisztn bipolris ramkrkbl ltrehozott
csaldok hasznlata ma mr httrbe szorul. Ms elv flvezetkkel kombinlva
azonban tovbbra is jelents szereppel brnak.
Zrrteges trvezrls tranzisztorokat nem hasznlnak logikai ramkrkben.
Szigetelt vezrl elektrdj trvezrls tranzisztorok (IGFET = Field Effect
Tranzistor) napjainkban az integrlt ramkrk egyik legfontosabb alapelemei.
Feszltsgvezrelt eszkzk, emiatt s nhny kapcsolstechnikai fogs miatt
teljestmnyfelvtelk kicsi. J nhny alaptpusuk ltezik. A ma hasznlatos elemek
kzl a legfontosabb tpusok:
N-csatorns szigetelt vezrl elektrdj trvezrls tranzisztornak, rviden, de nem
pontosan n-FET-nek (a CMOS technolgiban a nvekmnyes tpusokat hasznljk)
emltjk a pozitv feszltsgre nyit, alacsony (0) szintre zr tpust.
P-csatorns szigetelt vezrl elektrdj trvezrls tranzisztornak p-FET-nek emltjk
a pozitv feszltsgre zr, alacsony (0) szintre nyit tpust.
20

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

A 24-es brn lthatk a digitlis ramkrkben hasznlt n-FET s p-FET elemek rajzi
jellsei.

24. bra. Digitlis ramkrkben hasznlt n-FET s p-FET elemek elvont rajzi jellsei

Egytpus, szigetelt vezrl elektrdj tranzisztorokbl felptett logikai

kapcsolsok
A szigetelt vezrl elektrdj trvezrls tranzisztorok, megfelel bekts esetn (nagy
rtk) ellenllsknt is hasznlhatk. Ezt a tulajdonsgukat kihasznlva hoztk ltre az els
kapcsolsokat elszr p csatorns, majd a technolgia fejldsvel a gyorsabb n csatorns
trvezrls tranzisztorokbl. Bellk lettek kialaktva az els nagyintegrltsg elemek.

Inverter
Az inverter megvalstsa lthat a 25-s brn. A fld fel egy zr mkds tranzisztor
van beptve. A tpfeszltsg fel egy ellenllsnak kapcsolt tranzisztor. Amennyiben a
bemenetre 0 szintet kapcsolunk, a tranzisztor le van zrva, s a kimenetre az Rm ellenllson
keresztl, a tpfeszltsg ltal megszabott szint kerl. A kimenet feszltsge, az tfoly
ramtl fgg. Ha a bemenetre magas szintet kapcsolunk, a tranzisztor kinyit, vagyis zrdik a
kapcsol, a fld fel ram folyik. Az ram kt rszbl tevdik ssze. Egyrszt az Rm
munkaellenllson tfoly rambl, msrszt a terhel kapcsolsok ltal felvett rambl. A
kimenet feszltsge a bekapcsolt tranzisztor maradk ellenllstl s az tfoly ramtl
fgg, kis rtk maradk feszltsg. Minden logikai kapcsolsra megadjk a kimeneti
szintek fggvnyben, a helyes mkdshez mg megengedhet, maximlis terhel ramot.
+
+
Rm

Ki=Be

Ki

Ki

Be

Be

mozgats
v ezrlse

25. bra. n csatorns FET-el kialaktott INVERTER. Helyettest kpe s az ramkr vals kapcsolsa, a
munkaellenllsnak kttt FET kihangslyozsval.

21

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

S-NEM (NAND) kapu

A NAND kapu megvalstsa lthat a 26-os brn. Sorba ktjk a bemenetszmnak
megfelel szm tranzisztort, s a sor als pontjt a fldhz, fels pontjt a kimenethez
ktjk. A magas szintet itt is a kimenet s a tpfeszltsg kz ptett ellenllsnak kapcsolt
FET biztostja. Ha brmelyik bemeneten alacsony szint van, az ltala vezrelt tranzisztor
lezr, a kimeneti pont a felhz ellenllson foly ram hatsra magas szintre kerl. Amikor
az sszes bemeneti tranzisztort a magas szint vezrl jelek kinyitjk, a kimenet a flhz
kzeli potencilra kerl, teljesl a kapu logikai feladata.
+

Ki
A

26. bra. n csatorns FET-el kialaktott S-NEM kapu

VAGY-NEM (NOR) kapu

A NOR kapu megvalstsa lthat a 27-es brn. Most prhuzamosan ktjk a fldgban
lv tranzisztorokat. Az ellenllst az eddig megismerttel azonosan hasznljuk. Ha mindegyik
bemeneten alacsony szint van, lezr az sszes tranzisztor, a kimenet magas szintre kerl.
Amennyiben brmelyik bemenet magas szint vezrlst kap, kinyit a hozz tartoz tranzisztor
s a kimenet alacsony szintre kerl.
Lthat, hogy az aktv elektronikai hromplusokkal kialaktott sszes alapkapcsols
invertl jelleg. S, illetve VAGY fggvny ltrehozshoz, mg egy sorba kttt inverterre
van szksgnk.
+

Ki
A

27. bra. n csatorns FET-el kialaktott VAGY-NEM kapu

22

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Kiegszt kapcsols (CMOS) logikk

Inverter
A ktfle vezrls IGFET-eket kihasznlva, lehetsges olyan kapcsolsok kialaktsa, ahol
csak kapcsol zem tranzisztorokat hasznlunk, s nincs a kapcsolsban ellenlls.
A kiegszt kapcsols CMOS inverter kialaktsa lthat a 28-as brn. Az alapelvet az
Inverter kapcsolsn, idelis kapcsolkat felttelezve mutatjuk be. A kapcsols kt kzs
vezrls kapcsolbl pl fel. A zr kapcsolt a fld s a kimenet kz, mg a nyit
kapcsolt a kimenet s a tpfeszltsg kz ktjk. Ha a bemenetre alacsony szintet vezetnk,
az als kapcsol zrva, a fels nyitva van s a kimenetre a magas szint, vagyis a tpfeszltsg
kerl. Amikor a bemenet magas szint az als kapcsol kinyit, fels lezr, a kimeneten az
alacsony szint, a fld jelenik meg. Lthat, hogy a kapcsols alap krdse, a 0 id alatt trtn
tkapcsols, vagyis, hogy a fels s az als kapcsol egy idben ne legyen nyitva, mert ekkor
a tpfeszltsg s a fld kztt korltozs nlkli ram folyna, az eszkz tnkre menne. A
vals IGFET-ek mkdsi karakterisztikja megoldja ezt a krdst. Egy vals vezrelt FET
gy viselkedik, mint egy vltoztathat ellenlls, melyet a kikapcsolt rtktl, tulajdonkppen
igen nagy, tbb M -s rtktl a teljes bekapcsolsig, nhnyszor 10 -ig vltoztatunk. A kt
IGFET ellenllsa ellenttesen vltozik, gy az tkapcsols sorn mindig van egy jelents
ramkorltozs a fld s a tpfeszltsg kztt.
Az elmondottak alapjn rgtn ltszik a kiegszt (komplementer) kapcsols megolds egyik
elnye: llandsult llapotban maga a kapcsols nem vesz fel teljestmnyt, csak az
tkapcsols alatt. A kimenet a kt szinttartomnyban egyformn viselkedik.
Tp

kapcsol
mkdtets

Ki

Be

a
Tp

Tp

Rfels

Be
Ki

Ki

Be
kzs
mozgats
v ezrls

Rals

28. bra. Kiegszt kapcsols (CMOS) INVERTER felptse s helyettest kapcsolsai

23

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

S-NEM (NAND) kapu

A CMOS NAND kapu lthat a 29-es brn. A fld gban sorba kapcsolt n csatorns
tranzisztorok, a tpfeszltsg gban ugyanazokkal a bemenjelekkel vezrelt prhuzamosan
kttt p csatorns tranzisztorok helyezkednek el. Amikor brmelyik bemeneten alacsony szint
van, a hozztartoz n csatorns tranzisztor lezr, s a p csatorns tranzisztor kinyit. A fels
gban ram folyhat, a kimenet magas szintre kerl. Ha mindegyik bemenet magas szint, a
soros g minden tranzisztora bekapcsol, egyttal a fels g minden tranzisztora lezr, a
kimenet alacsony szint lesz. A kapcsols teljestmnyt csak az tkapcsols alatt vesz fel.
+

A
Ki
A*B
B

29. bra. CMOS NAND kapu kapcsolsi rajza

VAGY-NEM (NOR) kapu

A CMOS NOR kapu lthat a 30-es brn. Most a kapcsols az elz felpts tkrkpe. Az
als prhuzamos (Vagy-nem) gban n csatorns, a fels soros gban p csatorns
tranzisztorokat ptenek be. Most, ha brmelyik bemenet magas szint, a hozz tartoz n
csatorns tranzisztor, az als gban kinyit, a fels gban lev p csatorns tranzisztor lezr, s
a kimenet alacsony szintre kerl. Ha mindegyik bemenet alacsony szint, az sszes als
tranzisztor lezr, a felsk kinyitnak, s a kimenet magas szintre kerl.
+
A
B
Ki
A+B

30. bra. CMOS NOR kapu kapcsolsi rajza.

24

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

tereszt kapu (transfer-gate) megvalstsa

Az tereszt kapu megvalstsa lthat a 31-es brn. A CMOS kapcsolstechnika nagyon
fontos eleme, a soros kapcsolknt (ramlogika) hasznlhat tereszt kapu. Az tereszt
kapu megvalstshoz a kisebb csatorna ellenlls megvalsthatsga miatt - kt darab
prhuzamosan kapcsolt tranzisztort, egy n, s egy p csatornst hasznlunk fel. Mivel a kt
tpus ellenttes vezrls hatsra nyit ki, illetve zr le, most az egyforma mkdtets
rdekben a kt tranzisztort, egy inverter felhasznlsval ellenttesen vezreljk.

Vezrls
31. bra. tereszt kapu (transfer-gate) kialaktsa.

Adatirnyt kialaktsa tereszt kapu felhasznlsval

tereszt kapukkal megvalstott, analg jelre is hasznlhat adatirnyt lthat a 32-es
brn. A kivlasztsra szolgl bitekkel tulajdonkppen megcmezzk multiplexernl a kvnt
be, demultiplexernl a kimenetet, s a kivlasztott kapuk bekapcsolsval biztostjk a soros
adat utat. Az teresztkapu mindkt irnyba vezet, gy knnyedn kialakthat az analg
multiplexer/demultiplexer ramkr, ahol a kinyitott kapu tmeneti ellenllst igyekeznek
kisebbre megvalstani a tisztn az ramkr belsejben mkd, digitlis cl ramkrkben
hasznlttal szemben.

I0

I1
Y
I2

I3

32. bra. tereszt kapukkal megvalstott, analg jelre is hasznlhat adatirnyt.

25

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

AZONOSSG (EKVIVALENCIA) s KIZR-VAGY (EXOR) kapu

megvalstsa tereszt kapu felhasznlsval
Az EKVIVALENCIA kapu megvalstsa a 33-as, az EXOR kapu megvalstsa a 34-es
brn lthat. A multiplexer sajtos alkalmazsa az EKVIVALENCIA, s negltja a
KIZRVAGY kapu CMOS-beli megvalstsa. Mindkt fggvnynl az egyik bemenettel
vlasztjuk ki, hogy a msik bemenet ponlt, vagy neglt rtke kerljn a kimenetre. A kt
bemenet viselkedse a kimenet szempontjbl teljesen szimmetrikus. A ktfle fggvny
megvalstsa csak abban tr el, hogy a bemeneti invertert melyik gba ktjk.

33. bra. EKVIVALENCIA kapu kialaktsa

B
A

34. bra. EXOR kapu kialaktsa

26

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Bipolris tranzisztorokbl megvalstott logikai ramkrk

A bipolris tranzisztor, kapcsol zem mkdse
Egy tranzisztor vezrlsnek durva kzeltsben hrom szakasza van, ezen bell kt szls
llapotot klnbztetnk meg:
A bzis feszltsge alatta van a bzis-emitter dida nyit feszltsgnek, a bzisban
nem folyik ram, ennek kvetkeztben a kollektor krben sem folyik vezrelt ram, a
tranzisztor lezr, szakadsknt viselkedik. Ilyenkor csak 10-100 A nagysg,
gynevezett maradk kollektor ram mrhet.
A bzisra kapcsolt feszltsg nvelsvel a bzis-emitter dida kinyit, bzisram folyik
s vele arnyos kollektor ram mrhet. Ebben a tartomnyban hasznljuk a tranzisztort
erstknt.
A bzisram tovbbi nvelsvel elrjk a teljesen bekapcsolt tartomnyt, ekkor a
kollektor ram felvesz egy maximlis, a bzisram rtktl fggetlen teltsi rtket.
Az emitter s a kollektor kztt egy minimlis, a kinyitott tranzisztorra jellemz
maradkfeszltsg, az gynevezett szaturcis feszltsg (Um) mrhet. A digitlis
technikban alkalmazott integrlt ramkri tranzisztorok maradk feszltsge a
tranzisztor tpustl fggen 0,4, 0,5V krl van. A bipolris tranzisztor
bekapcsolsakor, a minden pldnynl biztosan elll bekapcsolt zem biztostshoz
a tranzisztorokat a bekapcsolshoz szksges bzisram tbbszrsvel kell vezrelni.
Ez a vezrls tbblet tlts bepumplsval teltsbe viszi a bzis emitter tmenetet. A
kikapcsolskor ezt a tbblettltst el kell szlltani a teltsbe vezrelt tranzisztorbl,
ami idt ignyel. Teht bekapcsolskor a nagy rammal tlvezrls a clszer a
tranzisztor gyors bekapcsolshoz, mg kikapcsolskor a tbblettltsek elszlltsa
gondot, holtidt jelent. Megoldst, a tranzisztor kapcsol zemnek gyorstst, a telts
megakadlyozsa, annak csak hatrhelyzetbe vezrlse jelenti. Ezt egy a kollektor s a
bzis kz bekttt, gynevezett teltskorltoz dida hasznlatval rik el. Erre a
clra a gyors mkds fm-flvezet tpus, gynevezett Shottky-Barrier didt
hasznlnak. Az gy kialaktott kapcsolst Shottky tranzisztornak nevezik.
A teltskorltozs mkdse: Ha a bzison alacsony szint van, bzisram nem folyik, a
tranzisztor le van zrva, kollektorn a kls elem(ek) ltal meghatrozott magas szint van.
Amikor a bzist magas szint meghajts kvetkeztben rammal vezreljk, a tranzisztor
kinyit, kollektora alacsony szintre kerl, s a kis nyitfeszltsg didn keresztl megfogja a
bzis szintjt, a teltshez szksges ram hatrhelyzetben. Ezltal megakadlyozza a teltst,
s a tranzisztor kikapcsolsa gyorsan megtrtnhet. Vagyis teltsbe vezrls (gyorstott
bekapcsols) csak a bekapcsolt llapot elrsig van, utna annak hatrhelyzetben tartva a
vezrl ramot, nincs a kikapcsolskor holtid, a tranzisztor maximlis sebessggel lezrhat.
A teltskorltozott tranzisztor felptse a 35-s brn lthat.

27

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Shottky tranzisztor
35. bra. Teltskorltozott tranzisztor felptse

Bipolris tranzisztorokbl megvalstott S-NEM (NAND) kapu felptse

A bipolris tranzisztoros NAND kapu megvalstsa a 36-os brn lthat.
Az S kapcsolatot dids kapubl valstjk meg. A dids szinthelyrellt kapcsols
kikpezhet gy is, hogy egy tranzisztornak tbb emittert s egy kollektort alaktanak ki. Ez
az gynevezett tbb emitteres tranzisztor.
A bipolris sorozatokat Tranzisztor-tranzisztor logiknak, TTL-nek nevezik. A dids S
kaput egy negl tulajdonsg kimeneti meghajt fokozat kveti. A t2 tranzisztor, mint
fzishast fokozat mkdik, s biztostja a kimeneti Totem-pole vgfokozat helyes
meghajtst. Ha a logikai kapcsolat eredmnye alacsony szint (A=0 vagy B=0, vagy
mindkett 0), a fzishast tranzisztor t2 lezr, az R2 ellenlls a fld fel viszi a t3 tranzisztor
bzist, erre a t3 is lezr. Az R3-n keresztl foly ram kinyitja a fels t4 tranzisztort, s a
kijrat magas szintre kerl. A magas szint meghajtst az R4-n keresztl korltozott ram
biztostja. Amikor teljesl az S felttel, (A=1 s B=1) az R1 ellenllson keresztl foly
ram nyitsba vezrli a t2 tranzisztort. Ennek hatsra R2-n megemelkedik a feszltsg, s
ram folyik a t3 tranzisztor bzisba. A t3 kinyit s a maradkfeszltsge kpviseli az alacsony
szintet. Most az R3 als fele a t2 kinyitsa miatt alacsonyabb szinten van a korbbinl, ez nem
elg a t4 tranzisztor kinyitshoz, az lezr. Az tkapcsols sorn az R4 korltozza az
esetlegesen foly ramot. A fels ggal sorba kttt dida a t4 tranzisztor emitter pontjt
megemeli, ezzel is segti a zrs kialakulst.
A fejlds sorn a sebessg nvelse, az ramkr paramtereinek javtsa, valamint a kls
negatv lengs elleni vdelem cljbl szmtalan kiegszt elemet ptettek be. A gyors
sorozatokban a kimeneti fels tranzisztort kivve, mely sohasem kerlhet teltsbe, az sszes
tranzisztor teltskorltozott Shottky tranzisztor.

28

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

+
R1

R3

R4
t4

t1
A
B

t2

Ki
t3

R2

36. bra. Kt bemenet NAND (S-NEM) kapu (7400) felptse,

bipolris tranzisztorokkal megvalstott TTL logika esetn.

T1 s T4 nyitott, T2 s
T3 zrt.

37. bra. Kt bemenet NAND (S-NEM) kapu mkdsnek szemlltetse.

A bipolris tranzisztoros NAND kapu mkdst a 37-es s a 38-as bra szemllteti.

Ha az ramkr legalbb egyik, vagy mindkt bemenetn az Ube feszltsg a 0<Ube<0,7V
feszltsgtartomnyba esik, akkor a T1 tranzisztor norml telitett zemmdban van, mivel
bzisa az R1 ellenllson keresztl az UT tpfeszltsgre kapcsoldik. A tranzisztor kollektorfeszltsge a maradk feszltsggel (0,1 . . 0,2 V) pozitvabb az emitter feszltsgnl. Ez az
alacsony szint mg zrva tartja a T2 tranzisztort. A T3 tranzisztor is zrt, mivel nem kap
nyitirny bzisramot. A T4 tranzisztor az R3 ellenllson foly bzisram hatsra vezet. A
kimeneti feszltsg (Uki) az R4 ellenllson, a nyitott T4 tranzisztoron s a D szinttol didn
keresztl magas pozitv feszltsg lesz, amely a logikai 1 szint. Jellemz rtke terheletlenl
+3,6 V.

29

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

T1, T2,
nyitott,
zrt.

T3
T4

38. bra. Kt bemenet NAND (S-NEM) kapu mkdsnek szemlltetse.

Ha az Ube > 1,4 V, akkor a T2 s T3 tranzisztor is teltsbe kerl. A kimen-feszltsg logikai

0 szint lesz, s rtke a telitett T3 tranzisztor maradkfeszltsge (0,1... 0,2 V) lesz. Amikor a
T2 telitett vlik, akkor kollektorn kb. 0,8 ... 0,9 V lesz a feszltsg. Ez egyttal a T4
tranzisztor bzisfeszltsge is. Ez az rtk az Uki-nl csak ~ 0,7 V-al pozitvabb, ami nem
elg a T4 tranzisztor s a D dida nyitva tartshoz, teht a T4 lezr. Az elzekbl lesz
rthet a D szinttol dida szerepe. Megnvelte a T4 nyitshoz szksges bzisfeszltsget.
Ez teszi biztonsgoss annak lezrst is.

Bipolris tranzisztorokbl megvalstott VAGY-NEM (NOR) kapu

felptse
A bipolris tranzisztoros NOR kapu megvalstsa a 39-es brn lthat.
A TTL sorozatoknl a bemenetek azonos ramkri kialaktsa, egybemenet S kapunak
megfelel felptssel trtnik. A VAGY funkcit a bemenetszmnak megfelel szm
fzishast tranzisztor prhuzamos kapcsolsa biztostja. Brmelyik bemenet magas szint, a
hozztartoz tranzisztor kinyit s biztostja a kimenet alacsony szint meghajtshoz
szksges vezrlst. Ha a bemenetet S kapunak alaktjk ki, az elterjedten hasznlt SVAGY-NEM kaput kapunk.

30

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

4 k

Tp
(VCC)
1,6 k

130

Bemenet
A

Bemenet
B

Kimenet
Y

4 k

1 k

GND

39. bra. Kt bemenet bipolris VAGY-NEM kapu (7402) ramkri rajza

40. bra. Kt bemenet NOR (VAGY-NEM) kapu mkdsnek szemlltetse.

A mkds a 40-es bra alapjn a kvetkez: A kimenet logikai 1 szint, ha a kimen (totempole) fokozatot meghajt T3, sT4 tranzisztorok zrtak. Ekkor a T5 tranzisztor az R2
ellenllson keresztl teltsbe kerl, s ugyanakkor a T6 tranzisztor lezr. A T3 s T4
tranzisztorok akkor zrnak, ha mind az A, mind pedig a B bemeneten logikai 0 szint van. Ha a
bemenetek valamelyike vagy mindkett 1 szint vezrlst kap, akkor a bemeneti
tranzisztor(ok) (T1 vagy T2, vagy mindkett) inverz zemmdban mkdik s a meghajt
tranzisztorok (T3, T4) kzl az egyik vagy mindkett nyit. A hrom kombinci
mindegyikben a kimenet T6 tranzisztora nyit s gy kollektorn - a kimeneten - logikai 0 szint
lesz.

31

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Elemi EKVIVALENCIA kapu megvalstsa bipolris tranzisztorokbl

Az EKVIVALENCIA kapu megvalstsa lthat a 41-es brn.
Az EKVIVALENCIA s a KIZR-VAGY kapu megvalstsra a bipolris ramkrknl
egy sajtos kapcsols technikt alkalmaznak. A kapcsol elem itt a bzisban s az
emitterben vezrelt bipolris tranzisztor. A kzs kollektor pont akkor kerl alacsony szintre,
ha az emittere alacsony szinten van s a bzisa egy magas szint meghajtsbl ereden
nyitirny ramvezrlst kap.

41. bra. EKVIVALENCIA kapu megvalstsa a TTL ramkrkben

32

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

(Flvezet alap) Digitlis ramkrk fizikai jellemzi

Bemutats a TTL s a CMOS technolgia feszltsgszintjeivel.
A digitlis ramkrknl a logikai szintek rszben a tpfeszltsg, rszben a mretezsbl
add rtktartomnyokat kpviselnek. Ezen rtktartomnyoknak ismerete, a tervezskor, s
a mrs sorn is fontos. A digitlis ramkrk kimenetei a technolgiai soroknak megfelel
nagysg ramokat kpesek szolgltatni, mg bemeneteik, szintn a technolgibl addan
meghatrozott terhel ramokat kpviselnek.

Logikai ramkrk hasznlatos szinttartomnyai

A ma hasznlatos ramkrcsaldok legtbbjnl egyetlen tpfeszltsget, egy pozitv
tpfeszltsget hasznlunk.
Trtnelmileg elszr az 5 V-rl mkd TTL logika alakult ki. Az ott kialaktott szintek a
mai napig hasznlatosak s irnyadk. A kezdetektl fogva hasznlatos volt egy 12 V-on
mkd CMOS ramkri csald is, a maga jellegzetes a TTL-tl rszben eltr feszltsg
szintjeivel.
A 90-es vektl egyre gyorsul temben terjednek a cskkentett tpfeszltsg logikk,
melyek j feszltsg szintek megjelenshez vezettek.

Logikai ramkrk kimeneti s bemeneti szinttartomnyainak elklntse

Logikai ramkrknl az egyes rtkek 0, illetve az 1, szinttartomnyokkal vannak
kpviselve. A tartomnyokbl addan, a fizikai megjelens sorn az egyrtelmsg vgett
alacsony szinttartomnyrl L = Low voltage s magas szinttartomnyrl H = High voltage
beszlnk. A logikai 0, illetve 1 rtk hozzjuk rendelse, vgs soron egy definci krdse.
Pozitv logiknl ez egyrtelmen L = 0, s H = 1 hozzrendelst jelent.
A szintek hatrai ms rtkek a kimeneten, s a bemeneteken. A kt sv hatrai kztt
helyezkednek el a zajtartalknak nevezett svok. A zajtartalk meglte fontos a helyes, a
krnyezet hatsait is tr mkds szempontjbl. A megadott hatrrtkek a mkds
legrosszabb szlsrtk kombinciinl, a maximlisan megengedett kimeneti ramterhels
mellett is teljesl rtkeket jelentik. A szlsrtkek alatt a tpfeszltsg megengedett
trseinek, illetve a mkdsnl megengedhet hmrsklet hatroknak az adott technolgiai
csaldnl elfordul legrosszabb kombincijt rtjk.
Az egyes logikai ramkr csaldok gyrtk ltali mretezsnl fontos szempont volt a
kimenetek terhelhetsge, vagyis, hogy az egyes szinttartomnyoknl milyen maximlis ram
hatrrtkek mellett biztostjk a kimenetek a garantlt logikai szinteket. Fanin = a bemenet
terhelse egy egysgnek tekintett bemen terhelshez kpest arnyszmban kifejezve. Fanout
= a kimenet meghajt-kpessge a meghajtott bemenetek szmval kifejezve. A bemeneti
33

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

terhel ramok L s H szint mellett a klnbz ramkri csaldoknl eltren vltoznak,

ezrt egy adott ramkr, ms csaldbeli elemmel val terhelhetsgnek viszonyszmai L s
H szint esetn ersen eltrhetnek.
A logikai ramkrk nem tartalmaznak bellt elemeket (mint pldul az analg ramkri
kapcsolsok), ezrt ramkri mretezsekor mindig worst-case, vagyis legrosszabb esetre
mretezst kell alkalmazni.

Az ltalnosan hasznlatos rvidtsek:

U = feszltsg
I = ram
L = Low = alacsony szinttartomny
H = High = magas szinttartomny
O = Output = kimenet
I = Input = bemenet
max. = legnagyobb rtk
min. = legkisebb rtk
Uth = rzkelsi kszb, az a szint, ahol az L-H, illetve a H-L tmenet sorn a bemenet a
msik szinttartomny rzkelsre vlt t. Az idztsek rtkeit is ltalban ehhez a
feszltsg rtkhez kpest adjk meg.

A Klasszikus (5 V) logikai csaldok

TTL logika esetn hasznlatos szinttartomnyok
A TTL ramkrcsald tervezsekor a tpfeszltsg vlaszts szempontja, a biztos mkds,
elfogadhat fogyaszts s sebessg, valamint a hossztvon realizlhat alkatrsz
megvalsts volt. Ma mr lthat, hogy a technikban addig nem tapasztalt mrtk fejlds
mellett is, j 25-30 vig a tpfeszltsg vlaszts maradandnak bizonyult.
A TTL logika feszltsgszintjei
Utp = 5 V
UOLmax = (0,4) 0,5 V
UOHmin = (2,4) 2,7 V
UILmax = 0,8 V
UIHmin = 2 V
Uth = 1,3 s 1,5 V kztt

34

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

A zrjeles rtkek a kezdeti, mra mr megsznt gynevezett norml sorozatra, a zrjel

nlkli rtkek az integrlt logikai ramkrk nagymret elterjedsekor jellemz
teltskorltozott: S Shottky, LS Low Power Shottky, ALS, AS, F sorozatokra igazak.
A kimeneti ktelezen betartand, s a bemeneti elvrt feszltsgek klnbsge alacsony
szint esetn minimum 0,3 V, magas szint esetn minimum 0,4 V, inkbb 0,7 V. Lthat, hogy
a zajtartalk a mretezhet magas szint esetn jobb. Ez is a j fldels kialakts
kvetelmnyt hangslyozza.
Az eljeles ramirnyokat szemllteti a 42-es bra. Az ramirnyoknl az eljelek
rtelmezse: + irny ramnak tekintjk, az ramkr lbn
az integrlt ramkr belseje fel foly ramot. Negatv
irny ramnak tekintjk, az ramkr lbn az integrlt
ramkrbl kifel foly ramot.
A kimenetnek a legrosszabb esetben is szolgltatnia kell a
megadott ramot, amellett, hogy a feszltsgszintje nem
kerlhet a legrosszabb esetre megadott rtktartomnyon
kvlre.
42. bra. Eljeles ramirnyok.

TTL logika esetn a norml sorozatra jellemz ramok

IILmax = - 1,6 mA
IIHmax = 40 A
IOLmin 16 mA
IOHmin - 400 A
IOZH 20 A
IOZL 20 A
Ioff 100-250 A

CMOS logikk feszltsgszintjei

Ktfajta CMOS logika megvalsts ltezik:
Alapveten tiszta CMOS logika, ekkor a bemeneten rzkelt szintek a tpfeszltsg %ban vannak megadva. Egyes esetekben, abszolt rtkben, de ekkor megadjk a
hasznlatos tpfeszltsget is.
gynevezett TTL kompatibilis (vagyis a TTL szintekkel sszefrhet logika) ekkor a
bemeneti szintek megegyeznek a TTL logiknl definilt rtkekkel.
A kimenetek rtkei mind a kt esetben azonosak, de a magas szint fggvnye a hasznlatos
tpfeszltsgnek.

35

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Az 5 V-s, tisztn CMOS logikk feszltsg szintjei

ULmax = 0,1 V (20 A terhel ram mellett) s
UOLmax = 0,33 V vagy 0,4 V 4-8 mA terhel ram mellett. Az ram rtk, csald s gyrt
fgg.
UOHmin = 4,9 V (20 A terhel ram s 5 V-s nvleges feszltsg mellett) s
UOHmin = 4,77 V vagy 4,6 V 4-8 mA terhel ram mellett. Az ram rtk, csald s gyrt
fgg.
UILmax = 0,2 * Vcc, vagyis a mindenkori tpfeszltsg 20 %-a, 5 V esetn 1 V
UIHmin = 0,7 * Vcc, 5 V esetn 3,5 V
Uth = 0,5 * Vcc, 5 V esetn 2,5 V
Lthat, hogy a tisztn CMOS szint logikknl az alacsonyszint zajtartalk 0,2 V-al jobb,
s a tpfeszltsg nvelsvel mg javul is. A nagy zavarszint ersram eszkzk
vezrlshez ezrt is alkalmaztak a kezdetek ta, lehetleg CMOS logikt. A klnbz
logikai csaldok feszltsgszintjei a 43-as brn lthatk.
VCC =
4,5 V 5,5 V
UOH = VCC 0,1 V
UOH5,0 V = 4,9 V
UIH5,0V = 3,5V
VCC =

UOH3,3 V = 3,1 V
UOH = VCC 0,2 V

UIH = 0,7 * VCC

2,7 V 3,6 V

Uth = 0,5 *UOH

VCC
Uth3,3 V = 1,65 V

UIL = 0,8 V
UOL = 0,2 V

Uth5,0 V = 2,5 V
Uth = 0,5 * VCC

UIH = 2 V
Uth =1,5 V

UIL5,0 V = 1,0 V

UOH

IL = 0,8 V
U

UOL == 2,4
0,4 V
V

LV

LVT

TTL

CMOS

UIL = 0,2 * VCC

UOL = 0,1 V

LVC
ALVC1
Megjegyzs:
1. VCC = 2,3 V-nl UOH = 2,1 V; UOL = 0.2 V
43. bra. Klnbz logikai csaldok feszltsgszintjei

36

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

TTL kompatibilis CMOS ramkr csaldok HCT, ACT stb. sorozatok

szintjei
Az ramkri megvalstsokra megadott szinttblzatokbl ltszik, hogy a TTL ramkrk
magas szintnl garantlt kimenete alacsonyabb a CMOS logikk ltal megkvnt bemeneti
szintnl. Egyttes alkalmazsukkor ez problmt jelent. Amennyiben vegyesen hasznljuk az
ramkrket, a TTL kimenetre csatlakoz CMOS csak szintillesztst biztost ramkr, vagy
felhz ellenlls hasznlatval tudja megbzhatan rzkelni a H szintet. Ellenkez irnyban,
teht CMOS ltal meghajtott TTL-nl nincs szintrzkelsi problma. A kiegszt ramkr
nlkli illeszkedsre a megoldst a CMOS bemeneti szintrzkelsnek mdostsa adja. A
bemeneti ramkr rzkelsi szintjt a szennyezk adalkolsnak (mennyisgnek)
mdostsval, a TTL H jelszint ltal megkvnt rtkre lltjk be. Ez tipikusan 1,5 V. Az
ilyen bemeneti komparlsi szinttel megvalstott CMOS ramkrt, TTL kompatibilis CMOS
ramkrnek nevezik, s a tpus jellsben egy T betvel jelzik, pl. HCT, ACT, AHCT csald.
A TTL kompatibilis CMOS ramkrk kimenetei, mindenben megegyeznek a tisztn CMOS
ramkrk kimeneteivel. Eltrs csak a bemeneti szintek rzkelsnl, s kis mrtkben a
mkdsi idknl van.
UIL = 0,8 V
UIH = 2 V
A ktfajta CMOS ramkr csald a kimeneteik egyez tulajdonsgai miatt teljesen sszefr
egymssal. CMOS, TTL kompatibilis CMOS s bipolris TTL csald illeszkedse is
problma mentes, ha CMOS a meghajt. Fordtott esetben, amikor a TTL kimenetrl tisztn
CMOS bemenetet hajtunk meg, nem teljesl a megkvnt, garantlt magas (H) szint. Ennek
biztostshoz egy kls felhz ellenllsra van szksg, amely a kimeneti H szint
megemelst biztostja.

Cskkentett tpfeszltsg logikai csaldok LV = Low voltage logikk

A cskkentett tpfeszltsgrl mkd logikk kialaktsa egyrszt lehetsg az energia
felvtel cskkentsre (W = VCC2-el arnyos) msrszt az egyre cskken alkatrsz mretek
miatt szksgszersg is.
A CMOS felpts lehetv teszi, a cskken felbonts pedig megkveteli az ramkrket
mkdtet tpfeszltsgek cskkentst. A 0,8 m-nl kisebb cskszlessg esetn az ttsi
feszltsg 7 V al cskken (az 5 V-s ramkrk garantlt mkdshez, a bemeneteken
legrosszabb esetben 7 V megengedsre van szksg), ezrt a kisebb cskszlessggel
megvalstott ramkrk tpfeszltsgt cskkenteni kellett. Erre elszr a nagyintegrltsg
un. VLSI. ramkrk bels ramkreinek kialaktsnl volt szksg. Pl. a Pentium sorozat
processzoroknl.
A nagyintegrltsg elemeknl a teljestmnyfelvtel cskkentse egyttal az elvezetend
hmennyisget is cskkenti, ez pedig fontos felttele a megvalstsnak. Egy-egy VLSI
37

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

teljestmnyfelvtele gy is 2-5 W (nha mg tbb is), melyet teljes egszben h formjban

el kellene vezetni. A feldolgozott informci, ugyanis nem energetikai mennyisg.
Egy mg a 80-as vekbl szrmaz hasonlat szerint egy szmtgp teljes mkd rsze
elfrne egy gyszben (a flvezet alkatrszek a fellet nhny m-es mlysgben
helyezkednek el), de ez a gysz vilgtana (a felvett s leadott hmennyisg miatt). Az azta
bekvetkezett erteljes fejlds dacra, a hasonlat ma is igaz. Csak az alkatrsz mennyisg
ntt meg tbb mint milliszorosra, a gysz s az sszes energia kzel maradt, st
esetenknt nmileg ntt is. E miatt szksges egyes VLSI tokokra nagymret htbordt
szerelni, amit egyes esetekben ventilltorral is kiegsztenek.
A tpfeszltsg relatv teljestmny s a relatv sebessg sszefggse a 44-es brn lthat.

44. bra. Sebessg, teljestmnyfelvtel, s a magas szint rzkels vltozsa

CMOS technolgij logikai ramkrknl a tpfeszltsg fggvnyben

Az egyes gyrtk klnbz, de 5 V-nl jval kisebb feszltsgrl mkdtetik a bels

logikt, az gynevezett magot, s az ramkr kimeneti meghajti vgzik a kisebb feszltsg
s a hagyomnyos 5 V-s logikk kzti szintillesztst. Termszetesen az ilyen IC-nek kln
tpfeszltsg bemenetei vannak az 5 V-s s a kisebb feszltsghez. A kisebb feszltsg
rtkt itt nem lehet ltalnosan megmondani, mert jelenleg 3,9 s 2,4 V, illetve 1,2 V kztt
szinte minden van, az 1,8 V, 1,5 V kezd ltalnoss vlni. A vzolt megoldsnl a kisebb
tpfeszltsget sokszor tokonknt kln stabiliztor IC-vel lltjk el, de hasznlatuk gy is
elnys. A helyi tpfeszek klnbzsge miatt a felhasznls helyhez kzeli, az ltalnosan
hasznlttl eltr feszltsgek ellltsa ma mr ltalnosnak mondhat.
ltalnos felhasznlsi cl ramkrknl nem lehet ilyen sokfle tpfeszltsget kialaktani,
szksges egy-egy jl megfontolt tpfeszltsg kivlasztsa. Erre a clra kezdetben
38

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

alapveten kt csaldot alaktottak ki. A 3.0 V s 3.6 V (nvlegesen 3.3V) kztt mkd
LVTTL csaldot s a 2,7 V s 3,6 V (nvlegesen 3.3V) kztt mkd LVC, CMOS csaldot.
Az ramkrk teljestmnyfelvtele s ennek megfelel hdisszipcija a tpfeszltsg
ngyzetvel arnyos, gy 52 = 25, ami 2,5-szer tbb mint (3,3)2 = 10. A mkdsi szintek
szintn a 43-as brn lthatk. Mindkt sorozat kimenete BiCMOS megolds. Vagyis az
5 V-s csaldban csak a kifejezetten meghajtkat tartalmaz ABT sornak megfelel a
meghajt-kpessgk. 32 mA, illetve egyes tpusoknl alacsony szint esetn elri a 64 mA-t
is. Mindkt LVxx sorozat bemenete elviseli az 5,5 V-t, gy 5 V-rl mkd logikkkal
sszekthetk. A kt sorozat ltalnos cl alkalmazsokra kszlt, gy az alkatrsz
vlasztkuk szles kr. Minden kisfeszltsg logikba beintegrljk a Bus-hold ramkrt.
Ez az tkapcsols sorn a bemenetek terhel ramt megemeli (+- 50-100 A-re).
Forgalomban vannak a hagyomnyos (5 V) s a cskkentett tpfeszltsg logikkat
sszekt snmeghajt tpus ramkrk is. Ezek termszetesen ktfajta tpfeszltsget
ignyelnek.
A 90-es vek msodik harmadtl forgalomban vannak a sebessgnvelt s egyb szempont
szerint is javtott LV. (Low Voltage) ramkri csaldok. Hasznlatuknl felttlen vizsgland,
hogy mekkora feszltsg engedhet meg a bemenetkn. Ugyanis tbb csaldnl a bemeneten
maximlisan megengedhet feszltsgszint a tpfeszltsg + 0,5 V lehet. (Gondoljunk a
feltltds ellen vd didkra.) Ez tulajdonkppen a klasszikus 5 V-rl mkd soroknl is
gy volt UIMAX = 7 V volt megengedve, de itt, mivel tipikusan egyfle tpfeszltsget
hasznltunk, ritka alkalmazsban jelentett problmt.
A cskkentett tpfeszltsgrl mkd logiknl, ha azt 5 V-s CMOS-rl hajtjuk meg,
szintilleszt ramkrt kell hasznlnunk. A szintilleszt, ktirny tri-state meghajt ramkr,
mely ignyli az 5 V-s s a 3,3 V-s tpfeszltsget is. Kis feszltsgrl nagyobb feszltsgre
ttrskor az esetek egy rszben elg a magas szintre felhz ellenlls hasznlata (45-s
bra).
Egyes LV soroknl s klnsen a programozhat VLSI logikkban mr beptettk a
nagyobb szintekkel sszefrhetsget biztost bemeneti ramkrket. Alapveten
Zenerdids, vagy tranzisztoros lett a feltltds elleni vdelem.

Tovbbi tpfeszltsg cskkentsek

A nagyintegrltsg eszkzknl ersen terjed a 2,4 (2,5) V-rl mkd logikk hasznlata,
ezek mg ppen sszefrnek a TTL szinteket hasznl logikkkal. 1997 vge ta forgalomban
vannak a 2,5 V-rl mkd logikai csaldok. 1999-ben a Texas cg megjelentette az nll
csaldnak sznt 1,8 V-rl mkd tisztn CMOS logikai csald els elemeit. Lehet mr kapni
1,5 V-rl, st 1,2 V-rl mkd logikkat is. Termszetesen ezek mr csak erre tervezett
szintilleszt ramkrkkel kapcsolhatk ssze a korbbi csaldokkal. Ezeknek a kis
feszltsg csaldoknak az elzmnyeihez tartoznak az elektronikus idmrkben s rkban
(Az rnak mindig van mutatja) hasznlatos ramkrk. Ezek a divat tmegruk a fejlesztsi
kltsgek jelents elnyelst is szolgltk.
39

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

CMOS sorok ramterhelsei, s a meghajt kpessgek

A CMOS bemenetek ramai, mivel csak szivrg ramok, gy nhny (1-10) A kztt
vannak, fggetlenl a bemeneti szintektl. Gyakori megads pldul IIH, IIL = +- 5 A,
szobahmrsklet s 5 V esetn ltalban 1 A alatt.
A kimeneti ram meghajt-kpessget tbb hasznlhat tpfeszltsg mellett is megadjk.
CMOS kimenetek jellegzetessge a szimmetrikus meghajt-kpessg, vagyis L s H szint
esetn is azonos nagysg ramot tud szolgltatni a kapcsols. Kis rtk feszltsgess
mellett, ez nhnyszor 10 A, nagyobb feszltsgess mellett 4-8 mA, vagy egyes
csaldoknl ennl lnyegesen nagyobb is lehet. Lteznek buffer tpus CMOS, alapveten
BiCMOS meghajtk 64 mA ramterhelhetsggel is.
Lthat, hogy a CMOS csaldoknl az egy kimenetre jut a bemenetek darabszmval
szmolt terhelhetsg (fanout) - sokszorosa lenne a TTL csaldok hasonl rtkeinek.
Korltlan szm bemenetet azonban itt sem lehet sszektni, mert a bemeneti kapacitsok,
amelyek elsdlegesen a tokozstl fggenek, sszeaddva, a kimeneti meghajtsnl megadott
rtkek fl mehetnek. Egy bemenet ltalban 3-10 pF kzti kapacitst kpvisel. A
kimeneteknl nvlegesen megengedett kapacitv terhels, amikor a sebessg megads mg
igaz, 50, 150 pF rtk mellett szoksos. A tl nagy kapacitv terhels hatsra cskkennek a
fel s lefutsi meredeksgek, az ramkr viselkedse lomhbb vlik. Ez minden ramkri
csald esetn igaz.

Szintillesztsek az egyes logikk kztt

Az elzekben mr tbbszr sz volt az eltr tpfeszltsggel s logikai szinttel mkd
ramkrk kzti szintilleszts szksgessgrl, s egyes megoldsokrl. Ez a feladat
napjainkban igen srn elll. Az 5 V-s logikk mg csak megkezdtk cskken irnyzatukat,
s mellettk vltozatos tpfeszltsg szintrl mkd ramkrket hasznlunk. Gyakori, hogy
egy-egy nagyintegrltsg elem 2-5 V kztt mkdkpes. Termszetesen a kisebb
tpfeszltsg mellett alacsonyabb mkdsi sebessgre kpes.
Egy rvid felsorols a logikai ramkrknl szba jhet tpfeszltsgekrl:
12 V; 5 V; 3,3 V (krliek); 2,5 V; 1,8 V; 1,5 V; 1,2 V; (0,8 V-t egyes gyrtk elre jeleznek)
A bemeneten szksges, a kimenet feszltsg meghajt kpessgt meghalad magas szint
biztostshoz tipikusan felhz ellenllst hasznlunk. 45-s bra. Ez a megolds a TTL s
CMOS logikk hatrn hasznlhat. A meghajt oldal tpfeszltsgnl magasabb
feszltsgre felhzs termszetesen nem valsthat meg.
A meghajt oldal tpfeszltsgnl magasabb feszltsg H szint ellltsa szintilleszt
ramkrk alkalmazsval rhet el. Ilyet ltalban a snmeghajt ramkrk kztt knlnak.
Ezeknek az ramkrknek egy rsze jellegzetesen ktfajta tpfeszltsget kvn.
Minden irny szintillesztshez hasznlhatak a nyitott kollektoros kimenet ramkrk. Itt
egyetlen szempont, hogy a kimeneti tranzisztor lezrt llapotban viseljen el nagyobb
40

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

feszltsget, mint a meghajtand ramkr tpfeszltsge. A nyitott kollektoros (source)

kialakts LH tmeneti ideje lass, ezrt az ramkr mkdsi sebessgnek cskkensvel
szmolni kell.
A TTL sorozatokban lteztek 30 V-t 40 mA terhel ram mellett elvisel inverter s erst
tpusok is. A mindenhol hasznlhat tranzisztoros kapcsols a 46-os brn lthat. Fontos: a
tranzisztor bzisramt korltoz ellenllsra mindig szksg van.
A bemeneti, a tpfeszltsgnl nagyobb feszltsg elviselse, a bemenet kialaktsnak
fggvnye. Egyes ramkrknl az rzkelsi oldalon hasznlt aktulis tpfeszltsgnek is.
ltalban kt feszltsg lpcst mg kpesek az ramkrk elviselni. 47-es s 48-as bra.

45. bra. TTL ramkr illesztse CMOS ramkrhz felhz ellenlls (Rp) hasznlatval

46. bra. Szint illeszts megvalstsa inverterrel, s tranzisztoros kapcsolsokkal.

41

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

47. bra. 3,3 V-t hasznl logika ktirny illesztse 2,5 V-s logikhoz. Az illeszt elem tpfeszltsge 2,5 V

48. bra. 3,3 V-t, s 2,5 V-t hasznl logika egyirny illesztse 1,8 V-s logikai elemhez.

42

Digitlis technika I. online kurzus

9. modul elmlet

Felhasznlt irodalom
[1] Grosz Imre: l Digitronika Dfj_1_2_2 fejezete (Digitlis ramkrk fizikai felptse)
[2] Grosz Imre: l Digitronika Drf1_2_4_N fejezete (Flvezet alap digitlis ramkrk
fizikai jellemzi)
[3] Kidolgozott elektronikai rettsgi ttelek. http://gyakorlat.pataky.hu/
[4] Wikipdia, szabad enciklopdia https://hu.wikipedia.org/wiki ide vonatkoz fejezetei:
flvezetk, didk, tranzisztorok.

43