2.2.2. Métodos de produccién Deposicién quimica en fase de vapor (CVD) Método del sustrato Desarrollada por Morinubo Endo, de la Universidad de Shinshu en Nagano. Se coloca un sustrato en un homo, se ealienta a 600 °C y lentamente se aitade metano, gas, liberando dtomos de carbono, que se pueden recombinar en forma de nanotubos, figura 2.10 Figura 2.10. Esquema de un reactor CVD para la sintesis de nanotubos Fase primera.- Preparacién de los catalizadores: Se dispersan nanoparticulas de un metal de transicion sobre un substrato, Dado que el elemento activo es el metal en estado elemental, es necesario un tratamiento de reduocion con hidrégeno para inducir la nucleacién de particulas cataliticas en el sustrato, A partir de este momento el catalizador ha de estar ya en todo momento en atmésfera controlada libre de aire Fase segunda: Crecimiento de los nanotubos: Se introduce en el sistema la furente de carbono para producir el crecimiento de los nanotubos. Las temperaturas utilizadas para la sintesis de nanotubos por CVD se hallan generalmente comprendidas entre 650 y 900°C. Suele emplearse un reactor tubular, introducido en un homo eléctrico, para llevar a cabo ambas etapas, pasando de una a otra mediante los flujos de gases y las temperaturas. Durante la etapa de crecimiento de nanotubos, sueléf seguir itilizindose hidrdgeno como gas portador ya que este inhibe la formacién de earbono amorfo, it BA Go AAS LCuando se desca producir VGCF engordadas, suole redlizarse una tereera etapa de engrosamienio, donde se disminuye 1a relacida de hidrdgeno y se incrementa la temperatura para favorecer el craqueo. El método del sustrato es versdtil y permite obtener los distintos tipos de filamentes con alta selectividad. Sin embargo, al ser un proceso discontinuo que requere de unos tiempos de residencia elevadisimos, las cantidades a producir son muy pequetias, por lo quelos costes son elevadisimos. De los métodos desarrollados para la sintesis de nanotubos, la técnica CVD se muestra la mas prometedora para la escala industrial en términes de relacién presio/unidad. Hay ventajas adicionales parala dntesis de nanotubes por CVD. De los diferentes métodes de obtendéa de nanotubes, CVD es 1a tinica tenia capaz de lograr un crecimiento directamente sobre un sustrato detesminade, Sin embargo, en Las demas técnicas, los nanotubos deben ser recopilados posteriormente. Los lugares de crecimiento sen controlatles por deposicidn cuidadosa de un catalizador. Ademds no hay otros métodos de crecimiento, por ahora, que se hayan desarroll ado para producir nanotubos alineados verticalm ente Sas caracteristicas son: + Rendimiento normal: de 20 a casi 100 por cien. + Ventajas: la técnica de CVD es cl mAs sencillo de los tres métodos para su aplicacidn a escala industrial. Podria emplearse para fabricar nanotubos largos, necesarios en Las fibras empleadas en materiales compuestos. + Limitacicnes: Los nanotubos fabricados asi suelen ser de pared miltiple y a veces estén plagados de defectos. De ahi que los tubos tengan sélo una décima de la resistencia a la traccidn respecto a los fabricados por La descarga de arco. ‘Método del Catalizador Flotante. Este método fue desarrollado en la década de 1980 por los gmpos de Endo y Tibbetts para la produccién de VGCF. Hoy en dia, es una forma valida de la obtenci dn de d&nofibas, nan ofibras © VGCE, mnque el control de lo que ccurre es bastante més compli dadd que em el étodo del sustrato, La idea de este método es producir de forma continua, en ui Gitic provesd continuo, 2alos nanofilamentas cataliticos, introduciendo en el reactor sus reactivos. Por lo tanto, todas las etapas descritas en el métado del sustraa (preparacién del catalizador, generarion de nanoparticulas de metal demental, crecimiento de nanofilamentos (y engrosamiento) debe tener lugar en un tinico reactor. Como fuente de catalizador suele utilizarse Fe principalmente, y en concreto érgano metdicas de Fe para que la generacién de las nanoparticulas metdlicas activas sea més factible. Se utilizan tanto Fe (CO); como ferroceno, No se han encontrado en labibliografianingin trabajo en el que ce obtengan nanofilamentos en catalizador flotante alimentando cales el reactor. entra de ees cl eee Reducsn y dager del met ici del recital hamerto recto antic y ie erproraruerto poltes cles Figura 2.11. Método del catalizadar flotante Para que los vohimenes del reactor no sean muy grandes y su disefio sea factible, la reaccién debe tener una cinética razonable, muy superior ala del método del sustrato, Para ello hay que incrementar mucho la temperatura, con la inevitable formacién de hollin por craqueo de la fuente de carbono, Para minimizar la formacién de hollin, el tiempo de residencia ha de ser muy pequefio, del orden de segundos. Este gran incremento de La cinética se consigué aiadiendo una fuente de S (H:S, tiofeno), en cantidades aproximadamente equimolates Con el'inetal. La assFuncién del S no esté clara, aunque parece que tiene que ver con la generacién de pattioula fundida, Ablacion Laser La “sblacién Ldser" es un proceso que consiste en vaporizar un blanco de grafito mediante La vadiacién de un pulso Idses, en un teactor de alta temperatura y en presencia de un gas inerte, Figura 2.12. Los nanotubos se form en cuando el grafito veporizado entra en contacto con 1a superficie fri, condensando sobre Las pavedes del ve actos. Target Rod Pump | Figura 2.12, Esquena delmoniaje horuo-liser Este procedimiento suele presentar un rendimiento pico del 70% en peso y prodace nanotubos monocaps, con wn diémetro que puede comtralarse vatiando 1a temperatura en el interior del reactor. + Rendimiento normal: Hasta un 70 por ciento, + Ventajas: Producen nanotubos de pared tinica con una gama de diémetros que se pueden contrel ar varianda la temperatura de reaccién. + Limitaciones: Este método necesita Mseres muy costosos, -26-Descarga de arco Desde 1991, lapresencia de nanotubes se ha podido observar en el hollin producido al provocar un atco eléctrico entre dos electrodos de grafito, figura 2.13. La cotriente tipica para producir dicho arco era de unos 100 A, y paraddjicamente lo que se pretendia era producir fullerenos La primera vez que se produjeton nanotubos de carbono, de forma masiva, fue usando un método similar al anterior, por dos investigadores del Laboratorio de Investigaci én Bésica de la competifa NEC @ a 9 Figura 2.13. (a) Esquema del apareto para formar CNT por méioda de arco de descarga) b) Imagenes SEM de H2are MWNTs como se recogen ¢) purificado por radiacién IR En dicho proceso se observé que el catbeno contenido en el electrode negative sublimaba debidlo a las altisimas temperaturas producidas por la descarga que proveceban(eharco voltaic. Esta técnica es el método més importante usado en la sintesis de nanobibes\ puesto sdue fue La primera en la que laproduccién de esta forma alctrépica era apreciable,La descarga de arco es un tipo de descarga aléctrica centirma que genera luz y calor muy intensos. Se produce enire dos electrodes enfrentados dentro de una atmésfera de gas inerte a baja presin. Por los electrodes de grafito, se hace pasar una corriente intensa, (cientos de amperes) 1a cual hace sublimar los dtomos de carbono de 1a superficie de los electrodos, formando un plasma alrededor de estes. En un arco abierto al aire y a presién nommal, (una atmésfera) el electrodo positive alcenza una temperatura de unos 3.000 °C El rendimiento t{pico usando esta técnica, es del orden del 30% en peso y los preductos obtenidos son tanto nanotubos monocapa, como multicapa de una longitud tipica de unas 50 Se puede combinar con el método de purificacién por onidacién, desarrellado por Ebbesen en 1994, que consiste en el calentamiento de la fullerita extraida desputs de la descarga a 1000 K, en una atmésfera de oxigeno durante 3U minutos. Este procedimiento permite evaporar las diferentes clases de fullerenos y dejar los nanotubos aislados. También se emplea para evaporar las paredes més extemas de los nanotubos de tipo muliicapa, y también para abrir los exiremos de Los mismos + Rendimiento normal: Hastaun 30 por ciento en peso. + Ventaja: las altas temperaturas y Los catalizadores metdicos affadidos alas barras puede producir nanotubos de pared inica y miiltiple con poros defectos estracturales + Limitacicnes, Los tubos tienden a ser cortos (50 micras o menos) y depositarse en Formas y tamafios aleatorios. Electrolisis + Exel método menos empleado » Los MWNT se forman cunado una corriente pasa entre dos electrodos de grafitos inmersos en sales idnicas fandidas Por ejemplo: LiCl a 600°C: + El material obtenido se compone de MWNTs, particulas metdlicas encapsuladas en carbono, carbone amorfo y filamentos de carbono + Sélo produce MWNTs, con didmetros de 10-20nm, longitad500am y sélo unas pocas paredes oieFigura 2.14, Imagen TEM caracteristica de MHNTs obtenidas electroguimicamente 2.2.3. Tipos de nanotubos de carhono y estructuras relacionadas Nanotubos Monocapa La mayoria de nanotubos de una sola pared (SWNT) tienen un didmetro de cerca de 1 nandmetro, con una longitud del tubo que pueden ser muchos miles de veces més. La estructura deun SWNT, puede ser conceptualizado por un envoltorio de un dtomo de espesor dela capa de grafito llamado grafeno sin fisuras en un cilindro, La forma en que la hoja de grafeno envuelve, est representado por un par de indices (n, m), llamado el vector quiral. Los ntimerns enteros m y nindican el mimero de vectores unitarios a lo largo de dos direcciones, en el panal de cristal enrejado de gafeno. Si m= 0, los nanotubos se llaman "Zigzag". Si n =m, los nanotubos son lamados "sillén". En casa contrario, se les llama "quirales" ashe Clete EO te) 0 eeLos nanctubos de pared simple son una muy importante variedad de nanotubos de carbono, ya que presentan importantes propiedades eléctricas que no se muestran en las diversas variaci ones de tubos multicapa de carbono o (MWNT). Los nanotbos de pared simple son los mas probables candidatos para miniaturizacidn de dectrénicos més dla de la escala micro- electromecdrica; la base actual de la electrénica moderna, Hl bloque de constraccién mas basico de estos sistemas es el cable eléctrico, y los SWNT pueden ser excelentes conductores. Una util aplicacion de SWINTs es en el desarrollo de los primeros transistores intramoleculares de efecto de campo (FETS). La produccién de la primera puerta Idgica utilizando SWNT FETS, ha pasado recientemente a ser posible también. Para crear una puerta ldgica se debe tener ambos, ua p-FET y un n-FET, porque los SWNTs son p-FETS cuando se exponen al oxigeno y n-FETS cuando no expuestos al oxigene, es posible proteger la mitad de SWNT: a una exposicién de oxigen, mientras se expone la otramitad al oxigeno. Esto resulta en un tinico SWNT que acta como una puerta NO légica con ambos p y n-tipo de FETS dentro de la misma molécula. Los nanctubos de pared simple o monocapa son todavia muy caros de prodacir, alrededor de 1,500 délares por gramo al afic 2000, y el desarrallo de técnicas mas asecuibles de sintesis es vital para el futuro de la nanotecnologia de tubos de carbone, & los medios mas baratos de sintesis no pueden ser descubiertos, seria financieramente imposible aplicar esta temnologia a escala comercial. Varios proveedores ofrecen SWNT: prodncides por descarga por arco por entre 50-100 délares por gramo al afio 2007. 2.2.4. Propiedades: 1. Elevada relacién radioflongitud que permite un mejor control de las propiedades unidireccionales de los materiales resultantes; 2. Electrénicamente pueden comportarse como metélico, semimetélico o aislante dependiendo de su didmetro y helicidad. Se ha demostrado su comportamiento electrénico-cxantico monodmensional. Recientes estidios sugieren que podrlan ser utilizados en pantallas planas por su buena capaci dad como emisores de electrones 3. Elewada fuerza mecénica Se ha comprobado que tienen mayor resistencia mecénica y mayor flexitilided que las fibras de carbon 2304. Sus propiedades pueden modificarse encapsulando metales en su interior Hegéndose a ob almacenamiento de hidrogeno o como sistema de separacién de gases nanocables eléctricos © magnéticos, o bien gases, pudiendo ser ulilizados para el ‘Tenacidad: Los nanotubos son ahora mismo los elementos con mayor resistencia fisica encontrados sobre la tierra, en términos de elasticidad, consecuencia del tipo de enlaces covalentes entre los carbonos del nanotubo Los nanotubos de curbono son las fibras inds fuertes que se conocen. Un solo nanotubo perfecto 3 de 10.0 100 veces més fuerte que el acero. Por encima de una tension muy elevada, Los nanotubos aufren una deformacién plastica, lo que quiere decir que es una deformacién permanente Cinética: Los nanotubos mullicapa, si se encuentran anidados de forma precisa, pueden desplazarse unos dentro de otros sin apenas friccién, Esta propiedad tiene grandes aplicaciones en 1a nanotecnologia molecular (colocar en el sitio justo cada atorno) Figura 2.16. Nanotubos mutticapa “31+Electricas: Se puede determinar Lanaturaleza eléctrica de los nanotubos fijandose en sus valores (usa) + Cardcter metilics: Aparte de todo aanotubo del tipo armchair (n=m) , Sin - m es un miltiplo de 3, entonces es un nanotubo metélico + Cardcter de semiconductor: Todos los demas En teorfalos nanotubos metélices pueden tener una capacidad elécirica 1000 veces mayor que la de metales como la plata o el cobre Térmic Todos los nanotubes son buenos conductores térmicos, poreyendo una propiedad especial Hameda "conduccién balistica". Se predice quelos nanotubos podrin transmitir alrededor de 20 veces més calor que metales como d cobre Transporte unidimensional Debido a sus nanodmensiones, el transporte de los electrones en un nanotubo de carbono se produciré de forma cuéntica y Los electrones sdlo se podrén propagar a través del eje del nanotubo, Debido a esta propiedad de transporte especial se suele referirse alos nanotubos de carbono como unidimensionales Defectos: Como cualquier material, los nanotubes de carbono pueden tener defectos en su composicién que pueden variar en mayor o medida sus propiedades. Por ejemplo + Vacios alémicos (vacancias). La inexistencia de étomos en lugares que debian ocupar puede generar un gran descenso en la tenacidad de los nanotubes + Piedra de Gales: (Stone Wales) Se crea una disposicién especial de atomos de carbono en forma de par heptdgono-pentagono (en vez de los habituales kexégonos). Este aparente pequefio cambio puede prodacir grandes cambios en latensién de los nanohabos, debido aque su estructura es muy pequefia y un pequefio cambioen la cadena de étomos tiene como consecuendia grandes efectos en todala cadena ereLas propiedades eléctricas también se pueden ver afsctadas por la presencia de defectos que suelen producir una disminucién de 1a conduciividad del nanotubo aunque también se pueden encontrar efectos de tipo magnéiico Las propiedades térmicas se ven fuertemente afectadas por los defectos. En latabla 2.1 se muestra un resumen de las propiedades mas importantes de los nanotubos. Tabla 2.1. Se muestra un resumen de las propiedades de las nanotubos Propiedad Nanotubosdeparedimica Por comparacion con otras sustancias 0 elementos Tamaiio 0.6218 nanémetros de didmetro La litografia de haz electréaico puede crearlineas de 50 nm de ancho Densidad 1.33 a 1.40 g/cm El aluminio tiene una densidad de 2.7 gem’ Resistencia alatraccion 45 mil MPa Las aleaciones de acero de alta resistencia se rompen a alrededar de 2 ‘nil MPa Elasticidad Pueden dotlarse a grandes éngulosLos metales y las fibras de carbén se y welven su estado original sin faacturanante similares esfuerzos dao. Capacidad de transportede Estimaia en mil millones deLos alambres de cobre se finden a un corriente amperes por certimetro cuadrado mailldn de amperes por centimetra cuadrado aprosimadamente. Emisiin de campo Pueden activar fésforos con 1 2 3Las purtas de molibdeno requieren volts si los electrodos estén campos de 50 a 100 Vim y tienen espaciados una micra tiempos de vida muy limitados. Transmision de Calor Se prodice que es tan alta como El diamante casi puro wansmite 3,320 6,000 W por metro por kelvin, a Wim temperature ambiente Estabilidad térmica -—=Estableatina 200°C en el vacio, Los alambres metalicos en microchips yy 750 °C en aire finden entre 600 7 100°C 2.2.5. Posibles Aplicaciones Debido al reciente descubrimiento y desarrollo de los nanctubos, cada dia se desarrollan auewas € interesantisimes aplicaciones que podrian tener estos compuestos en toda clase de variadas reas de la ciencia y samas industrides, figura 2.17. Sin embargo, la mayoria de estas aplicaciones se encuentran en un estado muy primitive, incluso en fase de gesiacién, debido justamnente a su cotta edad, wer table 22 erea) Figura 2.17. a) Modelo de transistor CNT vertical. b) Fibsas de carbono cxecidas por CVD, Tyre de didmeto, utilizadas como coneetores Tabl2.2, Posibles aplicaciones y la idea que las ha generado, LA IDEA Sondas quimicas y gunéiieas. Un miewseopio con punta de manchubo puede localizar una hebra de ADN « idewificar los marcadores quimicos que revelan cual de las “HebradeADN" variables postbles deun gen presenta la hebra ‘Memaria mecanica Se It ewwayado una pantalla de nanotabos depocitada sobae unos bloques “RAM novolitil' —— de soporte como fimeidnde dispositive de memonia binavia, con voliajes que flerzan el contacto ene tubos (estado "encendida"} 0 sn separacién, (Grlado "apazado"). ‘Nanopinzas Dos marpinbos, unis 2 los electrodos enuma bana de vidrio, se abren cleran a través de un cambio de voliaje, Estas pinzas se emplean pa amrisimar y mover objetos de SCD) nandmebos de tamafio Sensores rupersensbles Los ranotubos semiconiuetoms cambian se wesistoncia de un modo Gristioo cuando se exponen a dlealis, haldgenos y obos gases a temperaza ambserte, Da ahi Ja esperanza en lograr mejores sersores quiimicas ‘Almacenamionto de Los ranctubos poduian almacenar hidaégeno en su interior Imero y idrégeno y jones berarlo cradualmente en pila de combustible baratas y eficientes Albogan tarbién iones de litio, que podaan vamos a pilas de mayor auvacion, Materiales de maixima Incas tados enun material compuesto, Jos nanotabos disfiutan de enone resistencia elasticidad y resistencia ala tracciin Podaian emplearse en coches que whoten en un accidents o edificios que oreilen en caro de termmoto en, Ingax de agrictarse Microscopio de barrido de Uridos ala punta de un microscopio de sonda de bamida, los nanotabos mayor resoluciém pueden amplificar la resolucicn Jateral del inv bruanéndy oh Factor de die! “Estaaplicatiimerts eta 9 sues, pemuitionds seprerentaciones clas de lat pipteime y otras para comercializarse" — moléculas - 34.La positilidad de introducir metales, carburos u Sxidos metélicos dentro de nanotubos de carbono de multicapas, puede alterar significativamente sus propitdades mecénicas y electronicas. Algunas de las aplicaciones que tenctian lugar al sintetizar nanotubos Ilenos con ciertos metales serfan’ 1) Producir dispositivos de alta densidad de almacenamiento de datos utilizando nanotubos Ienos coa materiales magnéticos en su interior, formando asi nanoalambres 2) El uso de nmotbos de carbono como emiscres de electrones para pantallas de TV y monitores de computadoras ultra delgados Sin embargo. para poder emplear de forma comercia los nanotubor de carbono vacios o llenos, es necesario controlar su crecimiento, longitd, diémetro y cristalinidad, asf como reducir sus costos de producci én Aplicaciones E structurales Debido a las excelentes propiedades mecénicas de los tubos de carbono, se han propuesto interesantes aplicaciones tan vatiades como + Ropa, + Chaquetas militares: que sean muy resistentes y ala vez informen del estado del individuo que las lleva + Hormigan: Paraincrementar la resistencia ala tensidn + Polietileno: Para aumentar su elasticidad, + Equip amiento dep ortivo: Para aumentar su fuerzay disminuir su peso. + Volantes deinercia + Puentes Se han descrito algunos otros usos que casi parecen pertenecer més a la cienciaficcida, que al mundo de lamateria como se puede apreciar con el Ascensor E spacial dela figura 2.18 2350Diagrama de un ascensor eqpacial: 1. Orhita geoestaciomarin, 2. Centro. de = masas,3. Coxtrapese, 4. Cable, 5. Cahina, 6 Tierra (Uibuje sin escala). Figura 2.48. Les cantificas se propanen lanzar un saidlite estiticn all espacio 1 36,000 kilémetras sobre el ecuador dz la Tierra y desde el scadlite estiaico Baja un cable de nanomaterial, Aprovechando este cable, se instalard un ascensor parce subir y bajar, de manera que estd hechee unce nave espctad tipo ascensar: 23. GRAFENO, EI. MATERIAL QUE VA A REVOLUCIONAR LA TECNOLOGIA Es el material de moda, uno de esos descubrimientos que pocas veces suceden en Ia ciencia, dicen algunos. Sus vastas propiedades prometen dejar una aueva generaciSn de dispositivos electrénicos decenas de veces més répidos, pequeiios o incluso olegables. Un mercado de millones se abre para quien apneste fuerte; mientras Asia y EUA se posicionan, Europa estudia la posibili dad de exxplotar este recurso descubierto en sus fronteras 362Método produce 2Quées? Figura 2.19. Las posibilidades det a En el afio 2004 se descubrié el grafeno, Mejor dicho, hace acho afios se aislé por primera vez Del grafito, el mismo de las minas del lépiz de su mesa, salié casi por casualidad una fina lémina (tan delgada que tiene un étomo de espesor) con le ayuda de una vulgar cinta aislante. Sin embargo, la ciencia no entiende de casualidades, asi que el material se caracteriz6, se vieron sis propiedades y aplicaciones. Fibra dptica y computadoras decenas de veces mas répidas, paneles solates o sensores de todo tipe son algunas de las posibilidades que oftece de este material fino, resistente, flexible, transparente y superconductor por citar algunos de sus prodigios. Sus padres, Andre Geim y Kostya Novaselov, ganaron el premio Nobel en Fisica en el afio 2010, (igure 2.20) y el piblico, ye desde 2012, empezard a disfrutar de este materia.Figura 2.20. Los creadores dei grafeno El nombre proviene de grafite + eno, En realidad, la estructura del grafite puede considerarse como une pila de un gran nimero de laminas de grafno superpusstas. Los enlaces entre las istintas capas de grafeno spiladas ce dobe a fuerzas de Van der Waals ¢ interacciones entre los crbitales a de los étomos de carbono. WE /ewoet wer Figura 2.21, Esiructura de una membrana de grafeno desarroltada porta Uiitersidud de Berketey 238.En el grafeno, la longitad de los enlaces carbono-carbono es de aproximadamente 142 AEs el componente estructural bésico de tedos los dems elementos grafiticos incluyendo el grafito, los, nanctubos de carbone y los fulerenos. Esta estructura también se puede considerar como una molécula aromética extremadam ente extensa en las dos direcciones del espacio, es decir, seria el caso limite de una familia de moléculas planas de hicrocarburos arométicos policiclicos llamada grafenos Figura 2.22.Grifite, formada por capas de grifena que interuccionan débilmente entre si. El grafeno es un material bidimensional que cuenta con sélo un giome de grosor. Su esiructura laminar plana de grafito esi compuesta de diomes de carbono que Forman ung red hexagonal Su opariencia puede parecer fragil y delicada ya que a simple vista el grafeno es como una tela transparents y flexible, Sin embargo, se trata de un material extremadamente resistente que adem s sirve de conductor de La electricidad, Cada una de esas capas de carbono, esté ono integrada al grafito, es una capa de grafeno y su espesor estal que un solo gramo bastaria para cubsir totalmente un campo de fiitbol Elhallazgo del grafeno fue, sin lugar a dudas, algo sorprendente. Hasta ese momento, tanto la teoria como el experimento incicaban quenc era posible la existencia de estructuras cristalinas bidimensionales cesligadas del cnstal volumétrico. Los célculos indicaban que ta-ectructura inestable, y que tendria que colapsar para formar una estructura tridimensional nottnal -39-A pastir del descubtimiento comenzé una intensa investigacién acerca de las propiedades del grafeno, Su altatransparencia ¢ptica y gran conducti vidad eléctrica lo hacen un buen candidato para la confeccidn de electrodos transparentes, aplicables a dispositives tales como pantallas de cristal Hquido, celdas fotoeléctricas orginicas y dodos orgénicos emisores de luz. Su flexibilidad y alta resistencia mecénica también resultan ventajosas en comparacién con las de otros materiales que se utilizan en la microelectrénica Otra posible aplicatién podria ser la confeccién de ultracondensadores, con una capacidad de almacenar carga eléctrica y energla mucho mayeres que las de los existentes hasta el momento Propiedades Entre las propiedades mas destacadas de este material se incluyen: + Algunos cientificos de 12 Universidad de Linois en Michigan aseguran que el grafeno tiene propiedades de autoenftiamiento. + Alta conductividad térmica y el éctrica + Alta elasticidad y duseza + Resistencia (200 veces mayor que la del acero), + El grafeno puedereaccicnar quimicamente can otras sustancias para formar compuestes con dferentes propiedades, lo que dotaa ecte material de gran poteacicl de decarrello. + Soportala radiacién ionizante + Es muy ligero, como la fibra de carbono, pero mas flexible. + Menor efecto Joule; se calienta menos al conducir Los electrones + Consume menos electricidad para una misma tarea que al silicio. * Genera electricidad d ser alcanzado por la luz. Un sélido future Las pruebas han sido levadas a cato por Jafltey Kysar y James Hone, profesores de ingenicria mecénica de la Universidad de Columbia, y consistieron en la medicién de la fuerza que se necesita para romper el grafeno. Para ello tuvieron que utilizar como no-pédta ser de otro modo- diamante, asimismo otra forma alotrépica del carbono y minéral natural 4e extrema dureza, con un 10 asignado en la cldsicaescala de dureza de Mohs. -40 =igus 2.23, Una maiia de grofeno de wn domo de espesor demuestra su resistencia soportanda la presién de un punzén de diamante. Para medir la resistencia del graf Tasnina de silicio y se puso en cada uno de estos una muestra perfecta de grafeno; a continuadi én rompi6 l grafeno con un instrumento puntiagndo hecho de ciamante. La tensién que aleanz6 el grafeno antes de romperse fue de 130 GPa esto es 264 veces mayor ala que soporta In tela de se hicieron agujeros de un micrémetro de ancho sobre una arafia. Para darnos una mejor idea de la magnitud de estas propiedades imaginemos que si se tuviera un hilo de tela de arafia del grueso de un lapiz se podria detener un avién Boeing 747 en pleno wuelo, Esto coloca al grafeno como el material mas fuerte del mundo. Sobre esta misma idea, Hone propuso a Technology Review una curiosa analogia. Comparé las pmicbas realizadas por él y Kysar con poner una cubierta de plistico sobre ma taza de café y medir la fuerza que recuerirfa pinchar esa cubierta con un lapicero. Pues bien, segiin explicd Hone, si en lugar de plistico 1o que se puiera sobre la taza de café fuera una Lémina de grafeno, después situaramos encima el lipiz, y en lo allo de éte colocéramos un automévil que se sostuviera en equilibrio sobre él, la Limina de grafeno ni se inmutaria. Claro que esto s muy dificil, no s6lo por 1a dificultad de poner un automévil sobre un lapicero, sino porque es extremacamente dificil conseauir una muestrarde grafeno-perfecto al nivel macréscopico de los lapiceros y las tazas de café (“Sélo una musstia miniseula puede ser Payporfecta y super-resistente”, aseguré Hone); pero lacomparacién es perfectamente vélida porque ésa es proporcionalments la resistencia del grafeno a nivel mictoscépico 23.1. Grafeno: entre metal y semiconductor Propiedades electronica Los materiales se clasifican en metdlicos y aislantes, segiin los electrones en sv interior puedan desplazarse mediante campos eléctricos 0 no, Esta clasificacién constituyé uno de los primeros éxitos dela aplicacidn de la mecdnica endntica al estudio de los sdlidos. La naturaleza ondulatoria de los electrenes induce su difraccida per lared cristalina, ello genera regioaes prohibidas de energia (breshas), en las que les electrones no se pueden propager. Slo cuando la brecha de energla no es excesivamente grande (del orden de 1 electronvolt), ésta puede superarse bajo condiciones, lo que caracteriza alos materiales semiconductores (vase ef recuadro “Grafeno, entre metal y semiconductor”). El grafeno es un material fuera de lo comin, Sus propiedades electrénicas lo sitian a caballo entre el conjunto de los metales y el de los semiconcuctores. {Puede existir una situacién intermedia entre tener o no el nivel de Femi (nivel energético més alto ocupado) en la brecha que separe las bandas de energfa? ‘La respuesta esta pregunta se encuentra en la sorprendente Ferma de las bandas del grafeno: en las proximidades del nivel de Fermi, el valle de labanda desocupada de menor enersia (banda de conduccién) se halla pegads en un solo punto a la cima de la banda ccupada de mayor energia (banda de valencia). apeRare ‘EMECONDUCTOR ASANTE METAL 2 s BS a < ( a Bandas electrics Bandas elcrnicas en Bandas lecooias Bandas acres solapadas, No hay echo forma de doo itor separades por una ‘separadas por unabrecha cnergta Los elecones a ono supine junta ‘recha energtica fo energética demasiado or debajo dl vl de con del ini sto bastante pequeta para grande pra que los Ferm pueden ar aes fend nivel de Fer. (els eectrones a ‘ecttones pase ala ives ms cecanae Mo haybrechs energies ‘speren poten de bands de condi, esocupads para ns lactones pueden pasar labanda de valencia puede establecese cestablecer una cent fclment dl ono ifeor ‘a de canduccén, ‘una coments electra, lect. al supa os tps de portadores ‘Un po de portador de os pos de prtadores de carga: lecrones cage: ectoves. carga lecroesy hues. yhuecs, Figura 2.24, Las propiedades metiticas 0 aistantes de un maseriat viewen deserininadas por la pasicién det nivel de Fenni (eF) ysu estructura de bandas electréaicas. FI nivel de Fermi corresponde at nivel energérico miss aho ocupado, Los niveles energéticas desoeupadas isis bajos conformun la banda de conduceién (lite); tos uiveles ocnpados de mayor energia, ta basda de valencia {fucsia). En fas ‘motales, la handa de conducciény la de valencia se solapan, En tes no resales, en cambio, aparece sen brocha energitica que dificnita ef paso de tas electrons de sens banda a otra, EL grafena es wit material fuera de to comin, Sus propiedades electrénicas to sisiur a caballo entre lox metales y los semicondsetores. 2.3.2. Aplicaciones El grafeno conduce Ia electricidad mejor que muchos materiales metilicos, porque los clectrones pueden viajar en linea recta entre los tomos sin dispersarse. Eto podria significar ‘que unos componentes electrénicos basados en este material serfan més eficientes y consumirfan menos electricidad, Un hipotético chip confeccionado con este tipo de transistores seria mas rapido y permitiria crear compntadoras mas veloces. El primer transistor de grafeno fue presentado en 2004, pero no funcionaba muy bien al tener pérdidas de corriente y no poder pasar a un estado bajo convenientgitiente, Esto\se debfa precisamente a que los electrones se movian demasiado bien entre los éfomos. 43En marzo de 2007 el profesor Andre Geitn y sus colaboradores de la University of Manchester presentaron un transistor hecho con grafeno. El transistor, era mas de cuatro veces més pecuefio que el mas pequefio confeccionade en silicio, ademas de més eficiente. Para su confeccién se utlizé unaldmina de grafeno de una décima de nanometro de espesor, es decir, el espesor de un sélo atomo, A diferencia de otros transistores de ese tamafio, éste no requeria tempereturas criogénicas o complejos sistemas de producciéa Figura 2.25. Elivansisior monoathmico estaba confeccionado enteramente en une limina de grafeno, Los elemenios centrales son puntos cudnticos que permiten a los electrones fluir de uno a uno. Los puntos eudnticos estin coneciados a una regién més anche que funciona como la harrera de las irunsistares de efecto timel. Foto: Universi of Manchester. En diciembre de 2008, IBM hizo piblico que habfan logtado fabricar transistores de arafeno operands a frecuencias del orden de GHz Anteriormente, en ese mismo afio, se habla reportado la constmaccion de un transistor ultrapequefio (1 atomo de espesor, 10 atemos de ancho). Los transistores son la base de los circuitos integrados y de toda la electronica modema, A lo largo de los aflos, los transistores de silicio han ido reduciendo su tamafio hasta los 45 nanémetros (am), tecnologia de Fabricacion en la que se basa actualments Intel y AMD, ésta lima para los chipsets graficos. Esto ha pemmitido quelaLey de Moore se hays cumplido hasta el momento y que, cada 2 afios, al niimero de transistores en un circuito injegrade se haya podido daplicar. De hecho, si se consulta el roadmap de Intel, ya existen pé@visionee para los 32 nanémetros 2 corto plaro, ¢ incluso para los 10 nanémetros. Sin efmbarge, la utilizacién detransistores de silicie tiene el limite méirimo en esta centidad, 10 (nm), tamafio apartir del cual el material deja de comportarse de forma estable. Los nuevos transistores de grafeno trabajarin a temperatura ambiente, condicién imprescindible para poder formar parte de los dispositivos electrénicos modernos. Ahora es necesario descubrir ua método préactico de fabricaci én, antes de que pueda utilizarse para aplicaciones comerciales Ahora bien, 1a tecndlogia podré aplicarse a transistores ultra répidos, dspesitivos micromecanicos y sensores de tamafio microscSpico. Actualmente el proceso de fabricacién de transistores incluye cierto elements de suerte, Lo que provoca que la mitad de los intentos realizados terminen en procesos defectuoses. No obstante, Novoselov destaca que pronto serén capaces de descubrir una metodologia mucho mas eficaz. Segin lo indicado, parece que los chipsets fabricados a partir de grafeno sera de vital importancia durante los présimos afios para la industria tecnolégica. Sobre la posibilidad de que Silicon Valley se transforme un dia en Grafeno Valley 0, lo que es, lo mismo, que el silicio desaparezca dela produccién de dispositivos electrénicos, Los expertos lo tienen clato. 2024 es el horizonte para ua pesible fin de 1a nanoelectrénica basada en silicio, cuando el limite de los siete nanémetros (un nanémetro es una millonésima parte de un metro) de distancia para 10,000 millones de transistores en cada chip se alcanzard (el recalentamiento impedird meter més). Més alld, uno de los susttutes es el grafeno «El problema del silicio serd la disipacidn del calor, pero cuidado, el 99 por ciento de los aparatos se seguiréa haciendo en silicion, explica Emilio Lora Tamayo, experto en transistores del Centro Nacional de Microelectronica, Uno de los problemas de lamonocapa de grafeno es 1a wausencia de banda prohibidey. Es muy ‘buen conductor pero, a diferencia de otros materiales, no tiene banda prohibida, que es la que permite interrumpir del todo el flujo de corsiente, Con Los iransistores monocapa, el apagado no era una operacién cien por cien efidente, Hasta aie se dio con el grafeno bicapa Los investigadores de la Universidad de Manchester acaban de anunciar nuevos resultados en el estudo del material de dos capas, aunque vel problema es que todavia no Hay un métado bueno para crecer exte grafeno en grandes proporcionesy 45 -2.4, EL GRAFANO En enero del afio 2010 la revista Stience reports el descubrimiento del grafano, también en la Universidad de Manchester. El grafano pose una estructura monocapa similar ala del grafeno, con la diferencia de que los étomos de carbono, ademés de estar enlazados entre sf, lo estan también a dtomos de hidrégeno ubicados a ambos lados de la capa. A diferencia del grafeno, el grafano no conduce la corriente eléctrica. Los enlaces con el hidrogeno ‘amatran’ los electrones responsables de la buena conductividad eléctrica del grafeno, convirtiéndolo en ua aislante, No obstante, el grafano mantiene las buenas propiedades mecénicas de su antecesor: muy buena resistencia mecénica, alta densidad y flexibilidad Al calentar a una temperatura suficientemente alta el hidrogeno se elimina, y el grafane ce convierte de nuevo en grafono. En principio, controlando la ubicacin de los atomos dz hidrogeno en la malla del grafeno seria positle construir materiales aislantes con regiones intermedias conductoras —principio de operacién de infinidad de dispositivos grafano electrénicas-. Pero quizds lo més importante sea que el cescubrimiento del grafano abre las puertas a muchas otras modificaciones. Con el grafeno conductor en un extremo, y el aislante grafano en el otro, no es dificil vislumbrar una gran familia de nuevos materiales que aparecerén al sustimir el hidrégeno por dtomos de otro tipo. Por ejemplo, en principio parece posible sustituir ef hidrégeno, o parte de él, con fhior, cuyas posibilidades de ealace con el carbono son similares alas del hidrégeno. Asi ce obtencria ua nuevo material con propisdades diferentes al grafeno y al grafano. André Geim y Kostya Novoselov, quienes dirigen el grupo de investi gaciones de la Universi dad de Manchester, han expresado: “La industria modema de semiconductores utiliza todos los elementos de la tabla peridcica, aislantes, semiconductores y metales. Pero {Qué tal si un solo material pudiera ser modificado para cubrir el espectro completo necesario en todas las aplicaciones electrénicas?” Dada la gran cantidad de investigadores trabajando actualmente en este sentido, es muy posible que tales materiales aparezcan mucho antes delo que se pudiera imaginar 46 -Figura 2.26. Estructura del grafano Les cientificos observaron que, en el dxido de grafeno obtenido mediante la oxidacién de grafito, al ser saperpuesto en delgades 1éminas permite distribuir el peso que soportan a trarés de toda su estructura Esta ceracteristica le confiere una dureza mayor ala de otra famosa estructura basada en el carbono: el diamante. Todas estas caracteristicas lo hacen ideal para la construccién de elementos de proteccién del cuempo humano frente a ataques externos Figure 2.27.. Con el dxido de grafeno es posible crear ldminas tan resistentes coma elacero. -47-