Diode semiconductoare - Continutul lucr&rii Prezentarea diodelor semiconductoare; trasarea caracteristicilor statice ale unor tipuri de diode semiconductoare uzuale. 2. Aparatura necesara Multimetru MF-35; 2 bucati Platforma de experimentare p2 3. Consideratii teoretice 3.1 Jonctiunea pn Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronics bazats pe jonctiune on careia i se ataseaz& doud contacte ohmice 19 funetie d2 structura $i de profilul de dopare cu domeniilor semiconductoare, rezultd o serie de proprietati specifi (fia-1). imeritabi a ce_al@jonctiunii pn. Aceste proprietati stau la baza realizarii un@i aame foarte variate de diode Mater de o'k, banda de valenta complet ocupst% cu electroni, iar banda de conductie complet neacupata. Semiconductorii pot fi elemente chimice pure (Ge, Si) sau rezulta din combinatii chimice (GaP Gaar, PbS etc.). Semiconductori fra impuritati se numesc semi conductori intrinseci. in acesti semiconductori, purt&torii de sarcina electrica sunt electronii din banda de conductie si goluri- le din banda de valenta. Semisonductorii care se ob~ tin prin intraducerea in reteaua cristalina a germaniului, sau siliciului, chimic pur, a _unor atomi straini se numesc semicon- ductori extrinseci, dopati sau dotati cu impuritat: In semiconductorii dopati cu impuritati donoare (elemente ‘pen- tavalente), transportul curentu~ lui este asigurat de electroni, semiconductorii numindu-se de tip n. in semiconducturii dopati cu semiconductoare nepolarizotd » v tl! re b) Fig. 1 impuritati acceptoare (elemente trivalente) purt&torii sunt aolurile, semiconductorii 2 numindu-se de tip p. alele cu proprietati semiconductoare ‘au la temperatura de curentExista metode tehnologice prin care, intr-un singur monocristal (de Ge sau Si) se realizeazd regiuni semiconductoare de tip p si de tip n. Dac& la suprafata de separatie, dintre o regiune de tip p si o regiune de tip n, variatia distributiei imouritatilor si schimbarea tipului de conductibilitate, se face pe o distanta 1210%m, se obtine 0 jonctiune pn. Polarizarea jonctiunii pn este posibild, dac& acesteia i se ataseazA doua contacte onmice. Prin aplicarea unei tensiuni exteri- oare, cu polaritatea pozi: tiva la regiunea de tip p gi polaritatea negativa la domeniul n, jonctiunea pn este polarizata direct, fig. 2a. fn acest caz, campul electric in regiu- nea de trecere scade, iar bariera de potential se reduce. Prin jonctiune apare un curent direct, datorat componentelor de purtdtori majoritari de sarcina electrica, avand acelasi sens cu sensul conventional adoptat pentru (1,). Dac& tensiunea exterioard V, este aplicata cu polaritatea negativa pe domeniul p si cu polarita- tea pozitiva pe domeniul n se spune c& jonctiunea pn este polarizata invers (fig, 2b). fn acest caz, Fig. 2a Fig. 2b bariera de potential creste la valoarea Wj+¥,. Ca urmare. prin jonctiune circula un curent daturat componentelor de purtdtori minoritari, de valoare neglijabila, cu sens contrar sensului conventional adoptat. 3.2. Tipuri de diode semiconductoare Necesitatile practice diversificate au concus la aparitia diferitelor tipuri de diode, dintre care sunt preézsntate in continuare, cateva. 3.2.2, Oioda redresoare Dioda redrescare utilizeaz proprietatea jonctiunii pn de a conduce, practic, numai atunci cand este polarizaté direct. Caracteristica static’ reala a diodei redresoare, reprezentand dependenta curentului anodic, Iy, de tensiunea anod-catod, Vy, este prezentat& fn fig. 3. Se observa ca la polarizarea directa, pentru valori ale tensiunii ce depasesc 0,2V la Ge 5i 0,6V 1a Si, curentulcreste rapid, La polarizarea inversa, pentru valori ale tensiunii mai mici decat tensiunea de strapungere, Vs, curentul este negli- jabil. Dac& tensiunea inversa aplicata’ diddei depaseste valoarea Vey, dioda pierde proprietatea de conductie unidirecyionala (se strapunge, in general distructiv). avand in vedere diferentele foarte mari Intre comportarea diodei la polarizarea directa, res- pectiv inversd, 0 caracterizare aproximativ& a acesteia, (fig. 4a), este suficient& In multe aplicatii. 3.2.2. Dioda cu contact punctiform Dieda cu contact puncti~ form este constituits dintr-un cristal de Ge sau Si, de tip n, pe suprafata c&ruia se realizeazi un contact metalic din wolfram sau molikden. In jurul var- fului metalic se creeaza o regiune de tip p, deci apare © microjonetiune de supratata foarte mic& (aprox. 10-* mm*) zi grosime redusd. 0 astfel de jonctiune prezinta o capa~ citate mick, de ordinul 0,1 pF,’ ceea ce face ca diodele cu contact punctiform s& fie Fig. 5 utilizate la frecvente inalte= 0 fs Fig. 4a (la detectie, in circuitele de comutatie) 4 diodei cu contact puncti form 3.2.3. Fotodioda Totodioda este o jonckiune pn astfel realizats incat 33 Tack posibil& incidenta razelor de Lumin’ in domeniul zonei de difuzie. Caracteristica staticd a fotodiodei este prezentatS in tig.s. in regim = de odioda, joncyiunea pn este = polarizat: invers. Incidenta razelor de lumin& in zona de difuzie formeaza perechi electron-gol, fapt ce determina o crestere a curentului invers. Tip, care corespunde unui flux Luminos incident nul, s@ numeste curent de intuneric. Sensibilitatea fotodiodei se defineste ca rapartul intre fotocurentul invers si iluminare : Liaw sone (pa/ 1x] ta prezentata in fig Fig. 4b eristica staticEa depinde de lungimes de unda a rad auiilus si este cuprinsa Entre 0,01 +0,1 pa/Lx 3.2.4, Date de catalog Principalii patametri de catalog ai diodelor redresoare sunt: ceepee - curentul mediu redresat maxim, curentul ce depinde de puterea disipat: v, admisibil& maxim, Ppa (Py) si inven = Vaay ~ tensiunea invers& de varf de lucru maxims. Exemplu F107 ~ dioda redresoare cu Si, cu 1920.75 8 F407 = dioda redresoare cu Si, cu 1420.75 A 3.2.5. Verificarea diodelor cu ohmmetrul Diodele in stare de functionare prezinta o rezisuenta mick La polarizare direct& gi o rezistenté mare 1a polarizare inversa. Qiodele sunt str&punse cand rezistentele misurate in aubele sensuri sunt mici si intrerupte, dac& preziat& rezistente foarté mari la misurare, in ambele sensuri, Masurdtorile sfectuale cu ohmmetrul servesc Si la idenlificarea teiwinalelor in i in care nu exists nici un marcaj pe dioda. Asttel, de exemplu, c1 cand ofmuetrul indicd o rezistenta mici, borna negativa a onmetrului este conectata la catodul diodei 4. Desfagurarea lucrarii 4.1. Verificarea diodelor cu ohmmetrul Se identificd terminalele $i se verificd cu ohmmetrul diodele redresoare EFR.1S6, respectiv F107. 4.2. Se executd montajul din figura 7. Se modified tensiunea Sursd stabilizata 12 30Vec Fig. 7 sursei de alimentare, in aga fel Incaét s& semaximum 0.1 V pentru tensiunea masuratd la poenele diodei punctelor determinate pe portiunea initiald trebui trasarea caracteristicii). Se completeazd tabelul: _ (NumaruL $a permita T (mal vu (vd Pe baza datelor din tabel se traseaz caracteristica statics I = f(U) a diodei, redresoare F107 : 4.3. Se executd montajul din figura 8. Se procedeaz& ca la Sursa yd stabilizata 4230Vee - Fig. 8 punctul precedent. Se completeaz’ tabelul: se traseazi caracteristica static’ a diodei, redresoare EFRI36. 4.4. Se execut& montajul din figura. Sursa + stabilizata 1230 Vee - Fig.9 Se regleaz& tensiunea sursei 1a 1 V,_ $i se roteste potentiometrul 7ry (de la minim spre maxim), pe parcurs f&candu-se cateva citiri ale curentului si tensiunii pe dioda.Pe baza datelor obtinute se traseazi caracteristica I=f(U) a diodei cu contact punctiform EFD 108. Ss. 1. diode? 2. diode? 3. Aratati 4. Intrebari Ce intelegem prin polarizare directé sau inversé a unei ce sunt purt&torii majoritari $i cei minoritari ai unei Care dintre diodele studiate sunt cu Si si care cu Ge? cum se ooate determina practic acest lucru? Ce este o fotodioda?