Tranzistoru! bipotar 1. Continutul lucrarii Se prezinta principiul de functionare a_tranzistorului, metodele de testare precum si trasarea caracteristicilor statice de iesire ale unui tranzistor npn in conexiunea emitor comun de. pparatura necesara Sursd stabilizata de tensiune de 24 V cc Multimetru MF 35 . Platforma de experimentare P% 3. Consideratii teoretice Tranzisterul bipolar cu jonctiuni este un dispozitiv electro- nic activ, constituit din trei domenii semiconductoare. realizate pe acelasi monocristal, in succesiune pnp, fig. 1.a, sau npn. fia. .b. piayea nj}pya ca co c B B E E Fig La fig. 1b Regiunea din mijloc, numit& baz. este un domeniu semiconduc tor subtire, foarte ingust, in comparatis cu lungimea de dituzie @ purtatorilor minoritari de sarcina electricd: sste slab dopata cu impuritati. Una din regiunile laterale, puternic dopat& cu impuritari furnizeaz@ purt&terii de sarcin&, pentru componenta principala 4 curentului prin tranzistor $i este denumita emitor. Cealalta re giune laterala colecteaz& purt&torii de sarcin&, fiind denumita colector. Cele dou& regiuni ale tranzistorului sunt: emitor-bara, respectiv colector~ba Prin regiunea ingusté a bazei apare o influenta reciproc’ intre cele dou jonctiuni. Comportarea tranzistorului este esential diferita de cea a do 4 diode montate in opozitie. Pentru exemolificare. dac& ne reterin la un tranzistor npn polarizat astfel ineat jonctiunea emitorului s& fie polarizat4 direct, iar jonctiunea colectorului s4 fie pola rizata invers, campul electric creeat de sursd iniecteaza electroni din emitar in regiunea bazei. intocmai ca la 0 dioda polarizata di- 17rect. Din cauza slabei dopari cu impuritati si a latimii reduse a bazei. numai putini din electronii liberi injectati din emitor. dispar in baz’ prin recombinare. Marea lor majoritate difuzeaza spre stratul sdrdcit in purt&tori al jonctiunii colectoare unde campul electric care actioneaz’ in reaim de trecere favorizeaza deplasarea electronilor spre colector. Acest transport al purtatorilor de sarcina de la emitor, prin baza, in colector, la polarizarea direc tiunii emitorului $i invers& a jonctiunii Gelectoruiui caracterizeacd efectul de. trancistors tn functionarea tranzistorului bipolar intervin, atat purtdtori de sarcina majoritari cat si purt&tori de sarcina minoritari. Tranzistorul poate fi conectat in circuit conform celor trei moduri de conexiune prezentate in figura 2a, 2b, 2c. Se exemplifica le ic - eae ; ae Eo Cc ig 2 2 1 2 B= 1 1 V1 /Vea Yep Vee Vec ' Vee i tip lie " —o2' 1° 2 to 2" B E Cc BAZA COMUNA EMITOR COMUN COLECTOR COMUN Fig. 2a Fig. 2b Fig. 2c pentru un tranzistor npn + * conexiunea cu emitor comun - £C * conexiunea cu bazi comuna - 8C * conexiunea cu colector comun - CC tn functie de polarizarea celor doud jonctiuni ale unui tranzistor bipolar se pot deosebi patru regimuri de functionare * regimul activ normal - jonctiunea emitorului polarizata direct: jonctiunea colectorului polarizata invers. * regimul activ invers — jonctiunea emitorului polarizata inve jonctiunea colectorului polarizata direct. * regimul de saturatie - jonctiunea emitorului polarizata direct; jonctiunea colectorului polarizata direct. * regimul de blocare (taiere) ~ jonctiunea emitorului polari~ zaté invers: jonctiunea colectorului polarizata invers. In timpul functionarii tranzistorului bipolar in regim activ 18direct jonctiunea emitorului se volarizeaz& direct, iar jonctiunea colectorului se polarizeaz4 invers. Ca urmare rezistenta jonctiunii (1041000) | emitor este mica iar rezistenta jonctiunii colector este mare (0/3*1MM). tn general gradul de dopare a celor trei regiuni difera, astfel c& jonctiunile formate sunt asimetrice. Pentru exemplificare se consider& functionarea unui tranzistor pnp in conexiunea BC. Fluxul principal de purtatori de sarcina prin cele doud jonctiuni ale tranzistorului este datorat oolurilor injectate in materialul semiconductor la electrodul emitorului. Aplicand prima lege a lui Kirchhoff, rezulta Ip Ig+Ie Curentul prin jonctiunea emitorului, esta datorat in principal purt&torilor de sarcina’ majoritari a) golurile injectate de emitor in bazd ©) electronii injectati din baz& in emitor Curentul prin jonctiunea colector este caterat purtatorilor de sarcina minoritari: a) golurile injectate in baz de emitor b) electronilor care sunt iniectati din colector in baza. Daca se noteaz’ cu 7em curentul propriu’ al jonctiunii colec orului se ajunge la relatia Ig @-IytIey, Coeficientul * se numeste factor de amplificare in curent. emitor- colecter. Se noteaza : comp. urent de colector datorita emitorului curent de colector Cae Uzual @=0,95+0,998 | Coeficientul B se numeste factor de amplificare in curent baza- colectar p= comp. curent de colector datorita emitorului comp. crt, de baza datorita emitorului Uzual coeficientul 8 =20+500_ Deoarece componenta Tea, respectiv componenta datorata recom~ binarii electronilor in emitor, sunt foarte mici, se obtin rela~ tille = Igual, IeB-Iy Din cele de mai sus rezulta urmatoarele * tranzistorul transfer& (aproape in intreaime) curentul din 9circuitul emitorului (de rezistenta mic&) in circuitul colectorului (de rezistenta mare). * orice modificare a tensiunii de polarizare a jonctiunii emitorului Vg, care modificd curentul tn circuitul emitorului, se rasfrange si asupra curentului in circuitul colectorului, modificand-ul aproaope tn aceeasi m’surd : aceasta inseamna ca tranzistorul constituie un element de circuit care are posibilita~ tea de a comanda curentul de colector cu ajutorul curentului de baza. Se face urm&toarea observatie : * relatiile stabilite pentru tranzistorul pnp sunt valabile si pentru tranzistoare npn, cu conditia ca polaritatile tensiunilor ce polarizeaz jonctiunile s& fie inversate. Tranzistorul este un dispozitiv neliniar. a c&rui comportare se poate studia prin intermediul caracteristicii statice. Dependen- ta care existd intre tensiunile continue ce _polarizeaza jonctiunile tranzistorului si curentii care circula prin el reprezentat& sub form& grafic: se numeste — caracteristica Caracteristicile tranzistorului trasate in cele patru ca- cadrane, vor fi (indiferent de tipul de cdnexiune) * caracteristici de iesire - exprim& dependenta unei m&rimi din circuitul de iesire de o alta m&rime de iesire, pentru o marime de intrare luatS ca parametru. * caracteristicile de intrare ~ exprima dependenta unei mrimi ge intrare. de o alta m&rime de intrare. pentru o mSrime de jesire luata ca parametru. * caracteristicile de transfer exprima dependenta unei m4rimi de iesire de o m&rime de intrare, pentru o marime de iesire luata ca parametru. Fiecarui mod de Fig. 3 conexiune a tranzistorului ii corespund familii de caracteristici proprii. 20tn conexiunea EC, curentul de baz& Ip si tensiunea bazi-emitor, — Vgg- sunt marimi de intrare, iar curentul de colector,I, $i tensiunea cOlector-emitor Vy sunt mérimi de iesire. Caracteristicile statice corespunzataare acestei conexiuni sunt prezentate in fig.3. 2. Testarea validitatii tranzistoarelor cu ohmmetrul. Metoda de testare a validitatii tranzistoarelor cu ohmmetrul,— const& in masurarea rezistentelor intre terminalele £,8,C ale tranzistorului. Scurtcircuitele sau intreruperile in tranzistor se pun in evident& prin masurarea rezistentelor de polarizare directa a jonctiunilor emiter-baz&, colector-baz’ si colector-emitor, in acest ultim caz colectorul fiind polarizat invers, iar emitorul direct. - Schemele de m&sur& aferente sunt prezentate in figurile 4.a. (non). respectiv 4.b.(pnp ). ‘ = » OF | . _] 0 é a a - + Fig.4.a. Fig4.b. a Limitele orientative de varitie a valoriler rezistentelor Ry. Rep Si Aggy pentru tranzistoarele de mic’ putere si de putere (fabelul 1), sunt independente de structurd( pnp sau npn ), dar sunt sensibil diferite la germaniu $i siliciu. Tabelul 1. Materialul Rezistenta Rgg=Rop Rezistenta Rog semiconduc = tor P mica P mare P mica P mare (20050012 (as-so)a__ | Gio-100)k2 | sute de « (1-3) ka (0.1-1)_k@ © >1 Ma 4.0esfasurarea lucrarii-\ 4.1-Trasarea caratteristicilor statice de r 7 te iesire ale tranzjstorului npn. in conexiunea emitor comun Se executd montajul din figura: sursd stabilizata Vee Cursorul potentiometr: ininim. Se regigazd tensiunea de alimentare 1a 24 Vc.c. Su ajutorul potentiometrului r? se stablleste valoarea lui ly la 8 uA. Se roteste cursorul potentiometrului ri0 si se citesc perechile de Valori (Ig, Ug). corespunzatoare diteritelor pozitii ale cursarului. Valorile obtinute se trec in tabel: e fixeazd pe pozitia de Se trece potentiometrul r10 pe valoarea minima 3i se regleaza cu ajutorul potentiometrului r7 curentul I, la valoarea de Loua. Mentinand aceasta nou& valoare a curentului de bazd constanta, se determina noile perechi de valori (I;,Ug) corespunztoare. Se repetS aceleasi operatii pentru: I,=12uA si 1,=15ua. Se traseazi tamilia caracteristicilor de iesire Ig f(Ug). pentru Igzconstant. 5. Intrebari 1. Care este principiul de functionare al unui tranzistor? 2. Un tranzistor este echivalent ca principiu de functionare nNcu dou& diode conectate in opozitie? 3. Care sunt reaimurile de functionare ale tranzistoarelor ~ bipolare in functie de polarizarea lor? 4. Ce intelegeti prin caracteristici statice ale tranzistoarelor? 23