Vakuov depozice materil - napaovn

Ji Libich.

VAKUOV NAPAOVN technologie mikovho napaovn

(Vacuum deposition- flash evaporing technology)
1. Strun vod do problematiky
Poteba vytvet vrstvy uritho materilu na kovovch nebo nekovovch povrch
vedla ke vzniku technologie vroby vrstev, kter vyuv pohyb a chovn stic ve vakuu.
Zazen k tomuto elu zkonstruovan se nazv vakuov napaovac aparatura, popis tto
aparatury je na Obrzku 1 ne.

Legenda:
1. snmateln kovov/sklenn recipient
2. przor
3. ventil pro pipoutn
4. pvod pro ohev lodiky s odpaovanm
materilem
5. tsnc pruba
6. deskov ventil pro uzaven vvvy
7. keramick/kovov lodika s odpaovanm
materilem - vparnk
8. pohybliv clona slou k zachycen prvn
dvky zneitnch par
9. pedmt, na nm vytvme napaovnm
vrstvu
10. mrka

Obrzek 1. Schma napaovac aparatury.

Oht materilu probh prostednictvm topnho tlesa pp. vysokofrekvennm ohevem
nebo nejastji bombardovnm svazkem elektron. Ohevem materilu na pslunou teplotu
dojde ke zvten kinetick energie stic v jeho povrchov vrstv na mru, kdy dojde k

uvolnn atom, ppadn i molekul. Ty pak vytvo mrak, m dojde v ohranienm prostoru
ke vzniku rovnovnho tlaku par, nazvanho tenze nasycench par.
Dojde-li k poruen rovnovhy systmu v uzavenm prostoru a v uritm mst prostoru je
teplota ni, dochz v onom mst s ni teplotou ke kondenzaci par. Chladnjm mstem
mono rozumt napaovan pedmt, ale i stny pracovn komory a veker vbava
napaovac aparatury.
Tmto zpsobem vznikaj podmnky pro sticov (molekuly, atomy) penos materilu.
Kondenzace par v chladnjm mst zpsobuje rst zrodk, tyto zrodky tvo ostrvky,
kter se spojuj a do vytvoen souvisl vrstvy.
Vyuit vakua v procesu napaovn vychz z poteby co nejefektivnjho penosu
stic materilu z vparnku na substrt kdy poadujeme aby stice dosply na msto uren
co nejrychleji a v co nejhojnjm potu => nutnost minimalizovat srky s ostatnmi
sticemi (cizmi i napaovanho materilu). Pi hlubokm vakuu (10-3 a 10-7) Pa se
pohybuje stedn voln drha v rozmez 10 cm a 1 km a poet stic na m3 v rozmez (1013a
109) stic.
Stedn volnou drhu (vzdlenost mezi jednotlivmi srkami stic) je mon spost pomoc
vztahu:

(1)

kde d .polomr stice

Nv.koncentrace stic na jednotku objemu (2)
p . tlak v danm prosted

(2)

kde pn .tenze nasycench par (rovnovn tlak)

M . molekulrn hmotnost
Pravdpodobnost, e stice odpaovanho materilu se dostanou z vparnku na napaovan
substrt, kter je ve vzdlenosti dv lze vyjdit vztahem (3) ne.

( )+

(3)

2. Flash evaporation
Hlavn nevhodou klasickho napaovan z keramick/kovov destiky je problm pi
depozici kompozitnch materil, kde kad sloka materilu m rznou teplotu taven tud
njak sloka se tav dve jin pozdji a na napaovanm vzorku tak vznikaj vrstvy rznho
materilovho sloen s rznm pomrem jednotlivch sloek oproti napaovanmu
materilu. Tento problm e technika Flash Evaporingu tzv. mikovho napaovn. Tato
technika vyuv speciln podava napaovanho materilu.
2.1 Princip mikovho napaovn:
Lodika je zahvna a materil je do n transportovn postupn vibranm zazenm
ve form jemnho prku. Dostane-li se materil do lodiky, je v celm objemu okamit
odpaen a nedochz

tak k separaci jednotlivch sloek materilu vlivem rozdlnho bodu taven.

Prek pad do speciln tvarovan, proudem vyhvan lodiky. Tato lodika je z materilu
s vysokm bodem tn (Wolfram - (3 422 C), Molybden - (2623 C)). Odtud se prek
uvoluje do prostoru, kde kondenzuje na substrtu.
Tato metoda je zvlt vhodn pro vceslokov materily, vrazn se tak zamez fraknmu
odpaovn jednotlivch prvk z napaovanho materilu. V idelnm ppad je napaovan
vzorek pedehvn na vysokou teplotu, a proto se ihned po styku s lodikou vypauje. To
pispv k tomu, e maj napaovan vzorky naprosto toton sloen jako napaovan
materil.
Na Obrzku 2 ne je jednoduch schma prkovho podavae pro mikov napaovn.

Obrzek 2: Schmatick znzornn sytmu pro podvn prkovho materilu urenho

k napaen na substrt (vzorek).
Do zsobnku se nasypou poadovan materily v danm pomrnm zastoupen
jednotlivch sloek. Vibran zazen se star o dkladn promchn jednotlivch
prkovch komponent ped tm ne se dostanou do nsypky, kter funguje zrove i jako
podava. Nsypka se otevr a uzavr podle poteby tj. podle poadovan tlouky
nanenho materilu nebo za elem udren stlho tlaku par v recipientu.

3. Shrnut
Mezi hlavn vhody mikovho napaovn pat monost kvalitnho napaovn
vceslokovch (kompozitnch materil) obsahujcch materily s rznm bodem taven.
Dal nespornou vhodou je monost kontrolovat a dit mnostv (objem) odpaovanho
materilu zrove s jeho sloenm co u klasickho napaovn z drtku nebo lodiky nen
mon. Z toho plyne mon zen tlouky napaovan vrstvy. Dky monosti dvkovn
meme napait i velmi tlust vrstvy, kter nen mon pi pouit klasick technologie
s pesn definovanm mnostv napaovanho materilu v komoe pout.

4. Pouit literatura
[1] Szendiuch, I. Zklady technologie mikroelektronickch obvod a systm. Brno: Vysok
uen technick v Brn / Nakladatelstv VUTIUM, 2006. [cit. 2010-26-11].
[2] tpn, J. Vakuov technika [online]. 1999, [cit. 2010-29-10]. Dostupn z WWW:
<http://www.vakuotechnika.cz/>.
[3] Hromdko, L. Diplomov prce Amorfn a krystalick telluridy pro optick pamti.
Pardubice: Univerzita Pardubice, 2007. [cit. 2010-2-12].