1, DIODA SEMICONDUCTOARE, Cuprins 1. DIODA SEMICONDUCTOARE. Structural gi si : 1 = : 2. Fenomene fizice in jonctiunea pn - Aproximatia de golite ... 3. Diferenja interna de potential si grosimea regiunii de sarcin’ spatiala 4. Ecuatia diode aes z 1.4.1. Ecuatia teoretica a diodei Gonetiunii pm 1.4.2. Beuatia practic’ a diodei 1.4.3, Caracteristica statics a diodei. 1.4.4. Liniarizarea caracteristicii diodel.. 1.5. Polarizarea diodei (PSF) : 1.5.1. Polarizarea directi a diodei (PSF), 1.5.2. Polarizarea inversd a diodei 6. Aplicatii re 7. Stripungerea diodei si dioda Zener ss 8. Dependenta de temperatura a caderii de tensiune in polarizare directa 9. 1 Circuitul echivalent de semnal mic .. Rezistenta interna a jonetiunii pn. 1.9.2. Capacitatile jonctiunii pn... 1.9.3. Circuitul echivalent al diodei 1.10. Tiputi de diode. 1. Redresorul monoalternana 2, Redresorul bialternana.... +3. Circuite de limitare a semnalului 4. Poarta de maxim 5. 6. Poarta de minim. . Detector de valoare de var.tructura gis Dioda semiconductoare este Sicealalta de Up Linta de separare uy Unul dintre simbelur Prin 4 sa notat electrodul numit St notat ekectrodul numit eaten Si curent pe/prin dioda sunt de nctiune pm yi contine dou regnantalturate. una det p> re cele dou resent se numeste fan tiune metalursied ode! uilvat in cucuneke electron evte preventa fig1.1. 1a). care ‘anod conetat la semcondiuctorul de Up pal jor yan pn. ar pon [conectat la semiconductorul de tip 7, Sensurile postive pertrutersaine 4a anod la catod, asa cum se vede sim figura V1.1. wet otk “SS” . AS © _—* ‘ a » 7 1.1.1. Simbolul si structura diodei * Semiconductoare de tip p sin Materialele semiconductoay re sunt siliciul si germaniul. dar cel utilizat astazi este siliciul In fig. 1.1.2 este prezentat fon 4 structura semiconductorului electron smuls din egdtura covalenta (electron liber, (electron care ocupa Tocul liber, desficdnd alta legaturd covalenta Fig. 1.1.2, Steuctura semiconductorului Siliciul si germaniul sunt tetravalente, adicd un atom av: formeaza patru legdturi covalente cu cei patru atomi vecini, Cercul in care s-a inscris cifra +4 simbolizeaza atomul fara electronii de valent a, adica electronii de pe ultimul strat. Intre doi atomi invecinafi se stabileste o legatura covalenta. Legitura covalenta se face cu o pereche de electroni, cate unul de la fiecare atom, Functionarea dispozitivelor semiconductoare impune studiul comportarii electronilor de acestia find purtatorii de sarcina in mecanismele de conductie electricd, Acest studiu implicd si plasarea semiconductorului in cdmpurielectrice, magnetice, sub actiunea luminiisaua radiafiilor nucleare, etc. Un caz particular il constituie absenta acestor agenti externi si 0 temperatura uniforma in tot volumul materialului, ceea ce situeazd semiconductorul in conditiide And patru electroni de valenya valenta, 2echilibru termodinamic, nuit yi echilibru termic sau pe seurt, echilibru, Toate celelate situaii sunt start de neechilibru ul eu serrcinas ntrcun semiconductor exista dowd tipur de purtatori mobili de sarcina.golul cw sare “19 (+4) sieleciroma tiber eu sarcina (4), unde q= 116-107! Un electron care paraseyte legatura covalent nu mai este legat de atomut de care Provine ise deplascara liber in interiorul retell eristaline. Acest lecwonse nme ein ferdtncre. Loculramas liber poate fi ocupat de un alt electron din alta legatura covalenta care s-a epi Setonulsmuls din legatura covalenta este electron liber, iat ocul rimas liber se numeste "gol", i teganeng cl discutate mai sus, rezula c&imr-un semiconductor intrinsec (pur). prin ruperea ‘ine! legaturi covalente se formeaza.o pereche electron — gol imobiin,” Meer poate conine dou tpur de impuritai(atomi de impurtiitonizay imobiliy: 7 impuritafi donoare (pentavalente) cu sarcina + q ; impuritti acceptoare (trivalente) cu sarcina — q Jnpuritat donoare: sunt impurity; pntavalente (fosforul, arsenil,stibiul). Impuritatea onoare substituie un atom de semicon, de rejea. Patru dintre electronii de valenta formeaza legaturile covalentecu atomil vevinh alone este slab legat, astfel cd la temperatura clean Scesta primeste suficienta energie pentru a se desprinde de atomul donor si a deveni electron de conductie. Formarea acestut clectron liber nu este insotitd de aparitia unui gol (loc Uber intr-olegatura covalenta). Acestaeste meoenig rat prin care se realizeaz un semiconductor tip n, Semiconduetorul de tip n contine i goluti rene prin mecanismul explicat anterior. a * sunt impuritatitrivalemte (boul, indiu, galiul, aluminiul), Atomnul alent satisface numa trei legituri covalente eu atomii vecini, rannind 0 legatura covalent nesatisticuta. Aceasta legitura se poate completa cu un electron dintr-o egatura covalemta vecind, care lash in urma lui un gol. Formarea acestui gol nu este insotita de aparitia unui electron de conductie. Acesta este mecanismal prin care se realizeazi un ce onductor de tip p. Semiconductorul de tip p confine gi elecront creati prin mecanismul explicat anterior. impuritaile nu sunt ionizate si concentaile lor sunt mule. Dupa + Practic toate impurititile sunt ionizate si concentrajile devin constante cu eresterea temperatuti Semiconductoarele de tip p sin se numese extrinseci pentru e& proprietajile lor sunt determinate in principal de impurititi in domeniul temperaturion de funetionare, in Semiconductorul de tipp golurile sunt purtdtori majortar, ax electron purtator ‘minoritari, ‘ae in Semiconductorul de tip » electron sunt purdtori majortari si gohrle sum. purtdtor! minoritari, 1.2, Fenomene fizice in joncfiunea pn - Aproximatia de golire Cele doua regiuni p si ale jonetiunii pn nu sunt independente stntre ele apa fenomene de difuzie,care dau nastere unui curent de dfuzie. Astfl, golurie, purtitori majorite in regiunea », difuzeaza in regiunea n unde concentratia de goluri este mult mai mic& (purtitori minoritar). Aici golurile se recombind datoritatendinjei semiconductorului de tip n de a restabiliecilibral, caracterizat de o concentratie mica de goluri. in mod similar, electtonii din zona n difuzear in Zona p. Procesele de difuzie incep evident cu purtitori din apropierea jonctiunii metalurgice. in ons P adiacenta jonctiunii metalurgice, prin plecarea golurilor apare un exces de sarcind negatva datorat jonilor acceptori (sarcini fixe). Zona m din apropierea joctiunii metalureice capita 0 3orotate Bee Paziti¥ a. prin acelayi procedeu. Ca urmare ve stabilese un cdmp electric iter ingore reaiong tiuNeA " SPEC FeRiuNea 7 (lg 1.2.1), Aceat chmp electric ampere dinarte fexlunea » spre regiunca p yi electron dinapre vcunen bare een cea sens concentrate ge oe ilzie. dind nastere unui curemt de drilt Ca urate proces de eden de dri (camp purator majortar continua pana se asigurd cchilonul curengior de sine st Seat (cimp), Accasta situate corespunde prot cane nent prin structurd, rezuktat compauibil cu conditia de echilibru terme Conform aproximatiei de golire (fi.1.2.1) ,jonctiunea se imparte in trei regiuni rglunea de trecere (in jurul jonetiunii metaluriee) Ip €X £Ip sidous regiuni neutre, una p sista In regina Se trecere nu exist@ purtitori mobili de sarin, ci numai ioni de impuritaji in repiunea ye eite® P.avand sarcingelecrica negativa respectiv ioni de impuritaji donoare electric,“ *¥ie sarcind clectrica pozitiva. Regiunile seutre sont noune dre unet de vedere Regiunea de trecere se mai numeste si regiune golitd sau regiune de sarcind spatiald. e Regiunile neutre p sin auo c luctoare separate. Psi “oMportare identicA cu aceea a doud semiconductoare joncfiune metalurgica S semiconductoY i zs SSS SS regiune neutra p | régiune de iregiune neutra n trecere in l= V V v 1-3 Ip =lp0 {1-5 In = Ing {1-2 3. OV yy Ip roy gi tn n0 | % (3. unde [9, Ipp si tng sunt l, Lp $i fy pentru V=0. Pentru tensiune aplicati poztiva (polarizare directa), adica cu polaritatea pozitiva la anod sicea negativa la catod, grosimea regiunii de sarcind spatial scade, iar pentru tersiune negativa (Polarizare inversé), adica cu polaritatea negativa la anod si cea pozitiva la catod, grosimea regiunii de sarcing spatiala ereste, astele@ in polatizare directa fluxul de purtatori mobili ay de traversato regiune golita de dimensiuni mici (dioda conduce), iat in polatizate inversa total este opus (dioda este blocata).coretica u diodei (jonctiunii pa) Ecuatia teoretica a diodei este: 1=1,(e! ~1) aaa 1s este curentul de saturatie al diodei, care se mai numeste curent invers sau curent rozidual. 4, V- curentul prin dioda, respectiv tensiunea pe dioda, & si T- constanta lui Boltzman, respectiv temperatura in grade Kelvin, K7’q- potentialul termic, care la temperatura de 290K. are valoarea de 25mV. eee ms In ASS cum am aratat mai sus dioda poate fi polarizata direct sau invers. Polarizare directa exponentiala este mult mai mare decat unu gi ecuatia diodei devi Tale (42) Im polarizare inversi exponentiala este mult mai mica decat unu si ecuatia diode’ devine : (1.4.3) Relatia (1.4.1) se mai scrie of Ith ts Logaritmand se obtine : . . . (1.4.4) Din relatia (1.4.4), neglijand curentul invers fata de curentul direct prin dioda se obtine caderea de tensiune pe dioda in polarizare directa : AT, vets anh (1.4.5) 1.4.2. Ecuafia practicd a diodei Sa pornim de la un exemplu numeric. Consideram 0 dioda cu siliciu care are I= 10mA , 1s =1079 A, kT /q = 25mV, din relatia (1.4.5) se obtine: V=25 10-4 if 10-? 10"? ) OW . in realitate, cderea de tensiune directa tipica pe o dioda cu siliciu de mic’ putere este de (0,6V~0,7V). Diferenja intre ciderea de tensiune calculata (V = 0,4V ) si c&derea de tensiune tipica (0,6V--0, 7V) se datoreaza in principal cdderilor de tensiune pe rezistenjele regiunilor neutre si pe contactul metal-semiconductor. De aceea, membrul drept al relatiei (1.4.5) se inmulteste cu un coeficient m € [J; 2], adica : AT, V=m—In— (1.4.6) q IsDeci, ecuatia practica a diodei este: vi aaa) Daher = jent cu valori intre 1 i 2 mine ecuatia Din relatia (1.4.7). neylijand curentul inyers fata de curentul direct prin dioda s¢ ott divdei 48) 1.4.3. Caracteristica staticd a diodei, . tarea Caracteristica staticd a diodei este reprezertarca graficd a ecuatici acesteia. Reprezent grafica este cea din fig. 1.4.1. i Paracteristica staticd a jonetiunii pr Fig. 1.4. Pentru polarizare directa (v>0), se reprezinta ecuatia (1.4.2), iar pentru polarizare inversa (v<0) ecuatia (1.4.3). 1.4.4, Liniarizarea caracteristicii diodei In fig. 1.4. 2. sunt prezentate trei posibilitati de li iarizare a caracteristicii statice adiodei, Precum si circuitele electrice echivalente corespunzatoare fiecdreia dintre cele trei situatii, 7 4 i ‘J y ¥ o oly ak’ xk ak MA Ke ak oon K oo oP otOeS 8 otC- a Gentes) @ Fig. 1.4.2. Liniarizarea caracteristicii statice a diodei si circuitele electrice echivalente (enod) () ©wiune pe dioda este sero in polarizare direct, iar in csc nl C nel echavatent a dre urcomaay meifcuit smn mar fata de 4 respectiv curentul invers al acestera Hata, D.etdlerea de tensiune pe diod este constanta in potarizare directa iar former yer dioda este nul pind eind diodaig. 1.42, conduce. € eal echvalent exe Inara at-un comutator ideal k insert eu un generator de tensiune V's, Model se aplics Creal inci cind cAderea de tensiune directs pe dioda este comparabild cu tensionite circuit, " ln ig 1.4.2 c) pina ta tensiunea Vip curentul prin dioda este nul si incepand de ai reristent renigtd Tex iniar cu erestereatensunie Acest hic ese pus in videnté de caracteraticg a Schivalentd in curent contin ry. ere penta un punct P oateeare de ne caracteristica are valoarea, 1g =YP=V a0 (49) IP unde: Vp Ip reprezinta tensiunea, Fespectiv curentul in punctul P. Circuitul electric echivalent Sate format din comutatorul k, generatorul de tensiune Vao gi rezistenta ra. Modelul se aplica alunci cand rezistenfele din circuit Sunt mici avind valori comparabile cu rezistenja interna, echivalenta a diode 15. Polarizarea diodei (PSF) 15.1. Polarizarea directi a diodei (PSF) Prin polarizare directa a diodei semiconductoare se ‘njelege aplicarea unei tensiuni continue cu polaritatea pozitive: dee rcurs de curent electric. Se spune ek diada con ion oy 4 dioda este deschisd. Caderea de tensiune pe dioda deschisé este mict, curental Prin dioda find impus de circuitul exterior. 8) este un exemplu simplu de polarizare directa adivdc; Rezistena R conectata ‘serie cu dioda D contribuie lastabilirea curentala prin circuit Prin punet static de functionare (PSF) al tensiunea continua pe dioda format din ecuatia nelis din teorema lui Kirchhoff per Fig. 1.5.1. Polarizarea directa a diodeiww T= IsemkT (5.1) Eq=R-14V Sistemul de ecuatii (1.5.1) se poate rezolva prin dou metode si anume prin metoda grafica sau prin metoda iterative. * Metoda graficd const& in wasarea graficelor ecuailor sistemului (1.5.1), punetul de intersectie al acestora flind punctul static de functionare P(V4.1.4) sau imerseciia Hracteristicii diodei date in catalog cu dreapta de sarcina. Pentru exemplul din fig.1.5.1 9), dreapta de sarcind intersecteaza axele in punctele V = Eg sil = E4/R (fig.1.5.1b). * Mefoda iterativa const in rezoWarea sistemului (1.5.1) prin mai multe iterait (pas cu Pas). Pentru aceasta se rescriu ecuatiile sistemului (1.5.1) astfel: 1-Fat (1.5.2) Va mn a (1.5.2.b) q ls Pasul 1: =O; din (1.5.2), 1) = £4 ;4in (1.52), ¥y =m*ointL; R q Is Pasul 2: 17 = £4 eae q Is Pasul 3: 13 = £4="2, V3 =m py 13; R qs samd. Precizia de calcul a PSF creste odata cu cresterea numarului de iterati. Pentru ilustrarea metodei, se considera urmétorul exemplu numeric pentru circuitul din fig. 1.5.1 a): E4 = 12V, R=3KQ, 1s = 10-9 A, KT/q=25mV si m= 15. Sase calculeze | si V cu cinci zecimale exacte. Pasul 1: Se alege Vj = OV . Din ecuatia (1.52 a), rezulta 1) = E4/R=4 mA. Se introduce valoarea lui [7 in ecuatia (1.5.2 b) gi rezulta: 3 - 4-1 Vp =15-25-1073 InteCu 12 in relatia (1.5.2), se obfine V3 = 0.568240 Lusul 3: Cu V3 in relagia (1.5.2 a), se objine 13 = 3NI// mA. Cu 73 in relatia (1.5.2 b), se objine Py = 0.50824 ; Se observa e8 Ia pasul 3 s-a objinut Py = V3 = 0,S624V , det Pentru acest exemplu, procesuliterativ este rapid convergent. Deei, s-a obtnat PSF de coordonate vy = V4 =0,56824V si 14 = 13 = 3411 1mA Obs: Din punet de vedere practic, caderea de tensiune direct pe dioda este aproximativ constanta. De aceea, se poate alege Vig = 0,6V si din relatia (1.5.2 a) rezulta J 4 = 3,8mA, valori apropiate de cele determinate prin metoda iterativa. De aceca, de cele mai multe ori se utilizeaza penteu dioda caracteristicile liniarizate cerajiile se oprese aici. 15.2. Polarizarea inversi a diodei | Pein polarizare inversai a diodei semiconduetoare se injelege aplicarea unei ten Continue cu polaritatea negativd in anod gi polaritatea pozitivd in catod. Dioda polarizat3 invers Ste parcursi de curentul de saturatie Js avand valor tipice foarte mici (de ordinul nA pentru silici). De aceea, se spune c& dioda nu conduce sau cd dioda este blocata. Caderea de tensiune Pe dioda blocata este impusi de circuitul exterior, curentul prin dioda fiind practic neglijabil. R i tensiuni hap) ok |v Fig, 1.5.2. Polarizarea inversa a diodei Fig. 1.5.2 este un exemplu de polarizare inversé a diodei, Neglijind curentul prin dio care este curentul de saturatie Js, cAderea de tensiune pe rezistena R este nula si pentru circuitul din fig. 1.5.2. sistemul de ecuatii este: in polarizare inversa, valoarea absoluta a tensiunii pe dioda este practic egala cu tensiunea sursei de polarizare.1.6. Aplicatii 1.6.1, Sa se determine curenjii si tensiunile pe diodele identice D si Do, din fig. 1-6-1, Uutilizand caracteristicile liniarizate din fig. 1.4.2. a) $i b) Se dau: £4 = 15V; R= 5kQsi V4 = 06V pentru caracteristica din fig. 1.4.2.6) Fig. 1.6.1 Rezolvare: Tindnd cont cd dioda D este polarizata direct si dioda Dy este polarizata invers, schema electrica echivalenta, utilizind caracteristica liniarizaté a diodei din fig. 1.42.2), este prezentatd in fig. 1.6.2.2). Fig. 1.6.2 Din fig. 1.6.2.a) si findnd cont de caracteristica liniarizat adi E4__15 Vp= R 5.103 Schema electric echivalenta, utilizand caracteristica liniarizata a diodei din fig. 1.4.2.b) este lei din fig.1.4.2.a), rezults: =3mA. ; Vp9 =-15V; Ipg =9: Ip prezentati in fig. 1.6.2.b). Din fig. 1.6.2.b) si rezulta: ind cont de caracteristica liniarizaté a diodei din fig. 1.4.2.b), Vp =V4=06V; Vg =-14AV; [po = 9; _ E4-Vp _ 15-06 R 103 2,88 mA. ID 101:6.2.S0 se calculeze curentii si tensiunile pe diodcle identice din fig. 1.6.1, utiland caracteristica liniarizata 1.4.2.6). Sedau: £4 =5V; R= 102; Vy =05V: rq = 052. olvare; Tinind cont c8 dioda D este polarizata direct sidioda Dy este polarizaté invers, schema lsctricdechivalenta utilizand caraterstca lniarzat a diode din fig. 14.2.0) ese prezentata in fig. 1.6.3. Fig. 1.6.3 Pe circuitul din fig. 1.6.3 se poate serie succesiv: Vp =V 49 + ral p =05+051p E4= Rip +Vp = Rip +V 49 +rglp 5=101p +0,5+051p; 143A ‘Dp =V.40 +rq 1p = 0,5 +0,5-0,43 =0715V Vpo =Vp - E4 =0,715-5=-4,285V Ipo=0 ll1.63, Inplarizare direst etea de ensue pe dna in Hig, 1-48 0.7 De ase OV yi Ey = IBV, Save cakulere valoare: ‘aborile surselor de tensiune sunt: Ey 2 y in urmatoarele situatii: a) Ry = Rp sib) R2 de tensiune E Fig. 164 Rezolvare: Pe circuitul din fig.1.6.4, aplicdnd principiul suprapunerii efectelor, rezulta: R, R NY 2— £,+—“l_ p, ORR Rae De asemenea, cu notatiile din fig. 1.6.4, se poate scrie: Vy =V4+E, Din relatiile (1.6.1) si (1.6. 2) rezulta: E,=—e_ 4A Ey-V, (1.6.3) Ry+R, Ry+R, a) Pentru: Ry = Ry = R, din relagia (1.6.3) se objine: 5 Ath 2 Inlocuind valorile numerice, avem: 9418 (1.6.1) (1.6.2) Va E, -0,7=12,8V b) Pentru: Ry =2R, relatia (1.6.3) devine: 2 I E,+~E)-V, eZ ts eM inlocuind valorile numerice, avem: 20,1 E,=2-9+2-18-0,7=11,3V eaesleeas Se constati cd valoarea lui EZ’ nu depinde de valorilerezistengelor Ry si R ‘2, cinumai de raportul lor.1.6.4, Se considera circuitul cu diode din fig, 1.6.5.8 se caleuleze vara ome 4 pe rind diodcle Dy si D2 st fie polarizate direct eu o tensiune de 0.SV. Se ie Rezolvare: Aplicdnd prineipiul suprapuneri efectelor pe circutul din fig. 1.6.5, se objine: Vy = Ro Ey -—2_,, 1.6.4) Ro+R Ro+R Din relatia (1.6.4) rezulta expresia pentru calculul rezistentei R: R=Rp F1-Vo. (1.65) E2+Vo Cand dioda D7 este in conductie, Vo =0,5V . inacest caz, inlocuind datele numerice in relatia (1.6.5), pentru rezistenga R se objine: R=2-193 10-05 10+0,5 Cand dioda Dz este polarizata direct, Vo =-0,5V. Valoarea rezistenjei R este 10+0,5 1 =18kQ R 0-0,5 Ro1.7, Strapungerea dhodelsidioda Zener Pein srapungerca diode nclge reper puetic a cutetu inser pin odd incepind de I anumitdtensiune care ae mumeste lene de nrapunere R I ce) D v AF Fig.1.7.1. Cireuit de polarizare invers& Pact circuitul electric exterior limitearA curentul prin jonctiune (fig.1.7.) la 0 © care nu duce la distrugerea structu, Strpungere este reversibil. Coordo: ¥a=Vsir $i 14 =-Istp, valoar prin incalzire excesiva, fenomenul de natele punctului P corespunztor strapungerii sunt 8a cum se vede in fig.1.7.2. Relatia de legatura intre aceste rema Kirchhoff pentru tensiuni: Coordonate este dati de teor RIAV =-E4 any Fig. 1.7.2. Caracteristica diodei la strapungere O categorie de diode la care se utilizeaz’ in aplicatii caracteristica in polarizare invers& este dioda Zener. Un simbol pentru dioda Zener este cel utilizat in fig.1.7.3 a), Tensiunea de strpungere se numeste fensiune Zener si este practic constanta, 141.7.3. a) Circuit eu diode Zener. b) Caracteristica diodei Zener Fig.1.7.3 b) ilustreaza metoda grafica de determinare a punctului P(Vz,Tz ),unde tensiunea V; este un parametra al diodei Zener. Analitic curentul 1 se poate determina din teorema Kirchhoff pentru tensiuni aplicat& pe eircuitul din fig. 1.7.3.a), de unde rezulta: Ey +V, + Rly De unde: ~Ea-Ve dz 7 15Aplicatic: O diva Zener avand tensiunea V, Fem = Sm este utilizatd in circuitul din fig. 1.7.4.1 re 15 $i 20V, 1OV’ yi curentul minim Ia care dioda stabilizeara, siunea de alimentare E, este nestabilizata si varias Fig. 1.7.4 Sa calkuleze valoarea reistenje i curentul maxim prin dioda Zener. sind c& Prin sareina curentul variaz& intre 20 si SOmA, Rezolvare: Beret encod Zener ce Wilecees ti rice rt ere mae eal tensiunii prin /pe dioda au fost Inversate fata de diode normal. Pe circuitul din fig. 1.7.4, se poate scrie: aay (17.2) (1.73) Valoarea rezistenjei R se calculeaza din relayia (1.7 -3), in conditiile cele mai defavorabil E, /emin =5MA; Ty = Ty mae =50mA 15-1 Bo e510 (7.4) in * Zima (5+50)-10 Curentul maxim prin dioda Zener se calculeaz’ pentru valoarea maxima a tensiunii de alimentare (Enqx=20V) si valoarea minima a curentului prin sarcina (Tumin=20mA) vin aceste conditii, din relatia (1.7.1) valoarea maxima a curentului I este: Emax Vz _ 20-10 Tmax = =0,11A 17.5) nay = 7 (73) Curentul maxim prin dioda Zener se objine din relatia (1.7.2), astfel: L. Trnax ~ 11 min = 110-20 =90 mA [=max 16olarizare direct 18. Dependen{a de temperatura a cdderii de tensiune in p' reets Tao dioda in practica intereseav variajia tensiunii de pearizare directa la cure nt exprimata prin coeficientul dv/dT° la curent # ct VOC ye " ee ae we masuratin [mV /°C ] siare valori cuprinse intre (— ae (= 3mV /°C ), valoarea tipica fiind (= 2mV /°C) Vary temperatura a cara ae diode in polarizare directa este aritatd in fig. 1.8.1 pentru doud temperaturi difer ules: unde T> > T). Se observa ca la cresterea temperaturii cdderea de tensiune directa sé: fiind menyinut constant. a, MY M4 Fig.1.8.1. Variatia cu temperatura a cAderiiFig.1.8.2. Dependenja de temperatura a PSE de tensiune direct la curent constant polarizare directa In fig. 1.8.2 este ilustrata deplasarea PSF la cresterea temperaturii, Din aceasta figura, rezuha cd 'a cresterea temperaturii ciderea de tensiune directa scade ( V, ‘Az 14,). A2 ~ "Ar 1.9. Circuitul echivalent de semnal mic Fie jonctiunea pn circia i se aplicd tensiunea V4(t) =V4+Vq(t) siprin care circula curentul 14(t)= 14 + ig(t),unde V4 , 1.4 sunt componentele continue ale semnalului, iar Vq , ‘a sunt componentele variabile de frecvengjoast ale acestuia (de exemplu, componente sinusoidele de freeventa joasa), Componenta continua V4 atensiunii v4(t) polarizeaza in curent continu joneyiunea pm, fixand PSF. Dioda functioneaza in regim stationar. Componenta vatiabila Yq modifica Fegimul stajionar prin modificarea dimensiunilor regiunii de trecere, a batierei de potential si a distibutiei purtatorilor minoritari in regiunile neutre, deplasdind PSF pe caracteristica diode! in ritmul semnalului Dioda functioneaza in regim dinamic, Dac& Vg are frecventa joasd, regimul de funetionare se numeste regim cvasistationar. 7Reristenta interna a jonctiunit pa " AT pia tle (9.1) va nite Derivand relatia (1.9.1) se objine succesiv: ar, (1.9.2) wa dig 4 Ciatls Ts Aceastd relajie arata c& in regim variabil evasistationar de seminal mic, jonctiunea pn poate fi modelat& printr-o rezisten(a internd 'q /ig data de relatia (1.9.3), numita $i oi rezistenja dinamicd sau rezistenta diferenyiala. in continuare, se particularizeaza relaia (1.9.3) pentru polarizare direct gi inversi. In potarizare direc po (9a) al, Deoarece curentul J/4 este mare, rezistenja interna rj este mic’. Se observa c& rezistenta dinamica 77 depinde de valoarea curentului in punctul static de functionare I 4. Jn potarizare inversit: KT ls Deoarece curentul este mic, rezistenta interna este mare. (1.9.5) Interpretarea geometric’ a rezistenfei interne Fj este ilustratd in fig. 1.9.1, in care inversul pantei caracteristicii statice a diodei pentru o variatie mic& data in jurul PSF este Valig+ i v Fig. 1.9.1. Interpretarea geometricd a rezistentei interne 18Capacttatile jonctiunti pa Cand componen Sanabill YG CL) are variatit rapide, adi.& jonciunea pn nu mat functioneaza int ationar. vitera de variajic cy /¢lf este mare, ar in yore une apar efecte dinamice care se modeleara prin eupucmatile jon fiun pn * Capacitatea de hariera caracterizeasa modificatca sarcinii electri de bariera 2b in reyiunea de recere la variatia tensiuni le polarizare v4 Notand cu Wo diferenta interna de pentru tensiune aplicata din exterior a Potential a joncyiunii pm sic Cso capacitatea de bariera Zero, dependenta acesteia de tensiunea aplicata V4 este: Din relatia (1.9.6), rezulta ca in Polarizare directa (V4 >0) capacitatea de bariera creste, iar in polarizare inversa (V4 <0), capacitatea de barierd scade. * Capacitatea de difuzie caracterizeazs modificarea sarcinii electrice de difuzie Qa in rexiunca de trecere la variatia tensiunii de polarizare v 4. find definita prin expresia: AQy 1.9.7) ae (9.7) Se considera cd sarcina electric& Q, are expresia: Qu =t9-i4, (198) Unde 79 este durata medic de viafS a purtatorilor mobili de sareina, Introducand (1.9.8) in (1.9.7) se obtine: di q Ca =t9 a sau Cg = (1.99) i Din relatia (1.9.9) rezulta c& in polatizare directa capacitatea de difuzie are valori mari deoarece 7; este mic’, iar in polarizare inversé capacitatea de difuzie are valori foarte mici (inde la zero), deoarece rj este foarte mare. 191.9.3, Cireuitul echivate Cireuitul eehival W al diodei este format dinte-o re i Ch 1 Cy Im paratel, ca in fig. 1.9.2 ap, ‘ristenga imetna 7 yi dous apse Cy Sy cq alee cy ae by ©) a) Fie1.9.2. Circuitul echivalent al diodei _ Circuitul echivalent complet al diodei capaté forme particulare (fig.1.9.2. b sic), in functie de polarizarea diodei. Astiel Ie Polarizarea directa a diode’ (fig. 1.9.2.b), desi de barier’ Ch creste, jcapacitatea 2% flind de ordinul pF se negtijeaz fata de capacitatea de difurie Deaceca, Circuitul echivalent valabil in polarizare direct, ramiine doar capacitatea de difuzie Cq in paralel cu rezistenja interna rj. La polarizare inversa (fig, 19.20), capacitatea de difuzie Cq este neglijabild, deci conteaza numai capacitatea de bariera Co, iar rezistenta interna flind foarte mare se neglijeaza valoar Cq care este de ordinul nF le ce urmeazi se prezint& cu titha 'n scopul subtinirii spectrului larg de aplicai, Diodele detectoare sunt folo: este aseminatoare redresacii, da MHz) si cureni direct, * Diodele de comutagie Isuri Principalii parameti sunt timpii de comutajie la deschidere si mai ales la blocare. Timpul de comutatie la deschidere este timpul necesar trecerii diode di a site pentru demodularea semnalek semnalele prelucrate au tensiuni inverse gi puteri disipat unt folosite in circuite de impul lor radio, video ete, Funetia lor de regula freevente mari (sute kHz, fe nesemnificative. Dioda varicap este folositi drept condensator cu capacitate variabila si este utilizata in Citcuite acordate, oscilatoare, flire etc, Pentru. servi unui astfel de scop dioda este polatizata invers. Schema echivalenta a jon nc{iunii cuprinde atunci doar capacitatea de bariera, a citei valoare este controlata prin valoarea tensiunii inverse aplicate. 20© Dioda stabilizatoare (Zener) fotos crit kines de strapungere (polarivare inversay a career steeds excmly pertiy sania sae tensiune, aya cum raragrail 17, cute de inary ae spin + Pioda tunel are ocaractetistcd ckcue (ig110.1) ate 0 rezistend interna nee Constructiv, este 0 dioda p* y+ ital in Polarizare direct in forma de ‘A utilizata de exemplu in generat 4 concentratii mari de impurita Pe portiunea PV itoare de semnnal, ambele regiuni Pe 3, iar comtactul la aceasta regiune este fig. 1.10.2), | {wmin0s asupra catodului (fig1.10.2a), Simbolul 4 ¢ < Ac— Ht Ke AAA K a) b) Fig.1.10.2. Fotodioda 4) structura interna; b) simbol Ecuatia fotodiodei: dn absenta tuminit: i trecnd prin origine Dioda luminiscenta (LED) este dioda care in polarizare directa culori: rosu, verde, galben, portocaliu. Simbolul diodel lumi fig.1-10.3.Se folosesc, de exemplu, pentru semnalizar: prezeny depiisire curent maxim, depisire te emite lumina de diferite iscente este prezentat in a tensiunii de alimentare, nsiune maxima etc, JAA Amo K Fig.1.10.3. Simbolul diodei luminiscente Se realizeaza din GaAsP. Excitayialuminiscenta se realizeaza prin injectie de purttor minoritari, 21LAL, Cireuite cu diode |. Redresorul monoalternanta ee Tip LIL la) ene proven schema electrica a redresorulut monoaternany’, unde Wi (1) esteun generator de Unda Sinusoidald, Desteo dun redvencae, in Ry este reristerga de sarcina. “et a) by Fig.l. Redresor Monoalternanta a) schema electrica; b) forme de unda itiva cAderea de tensiune V4(t) pedioda este mica (= O6V ),iar pe alternanta negativa este valoarea instantance a tensiunii sinusoidale v;(t) 1.11.2, Redresorul bialternanti in fig, 1.11.2a) este prezentaté schema electricd a unui redresor bilaternanta in punte, unde v;(1) este un generator de unda sinusoidal, Dy * Dy veprezints puntea redresoare de diode, iar Ry este rezistenta de sarcin’, w@ Di w@ Fig. 1.11.2. Redresor bialternanta a) schema electric&; b) forme de unda 22=e Pe alternanta poritiva a tensiunii sinusoidale conduc dindele Dy si Dy care sunt ict Pe alternanta negativa arizate direct, ar D2 31 Dy sunt blocate, fiind polarizate invers. Pe alternan i fonts disicle Dz #4 Dy care sunt polrzate dec, ar Dy wi Dy som bloeate, Fn r de intrare v(t) sitensiunii de iesire vy (t) polarizate invers. Formele de und8 ale tensiu sunt prezentate in fig. 1.11.26), legate in in puntca sedresoare, tensiunea de intrare vj (1) este suportata de doua diod Ee " serie atunci cdnd acestea sunt blocate. Daca diodele au curenti de saturatie egali, fiecare dio blocata suporta jumatate din vatoarea instantance a tensiunii sinusoidale v;(t) 1.11.3. Cireuite de limitare a semnalului @) cu diode Zener Schema din fig. 1.11.3a) se utilzeaza de obiceicénd se dorestelimitarea tensiunit variable de intrare v;(4) latensiuni inegale pe cele dou polaitai, poritiva si negativ8. Schema se poate utiliza si pentru limitari la tensiuni egate in valoare absoluté dac& Vz) |- tensiunea pe dioda Zener DZ; in valoare absoluta, este egala cu \v2, | tensiunea pe dioda Zener DZ in valoare absoluta. in fig. 1.11.3b) sunt Prezentate formele de unda ale tensiunilor de intrare v;(t) side iesire V(t) pentru cazul particular al tensiu ¥;(1) sinusoidale. La valorile limitate, s-a neglijat ciderea de tensiune pe dioda in polarizare directa, b) Fig. 1.11.3. Circuit de limitare cu diode Zener a) schema electrica; b) forme de unda Dioda DZ, limiteazi polaritatea pozitiva a semnalului, iat DZ 2 limiteaza polaritatea negativa. La oricare dintre polarititi, ambele diode sunt deschise, una dintre acestea functionand ca dioda Zener si cealalta ca dioda normal. Rezistenta R asigura curentul prin diodele Zener si curentul de sarcina: (ALL) 23unde vg = Viz + Vas Me Hind max c[Ms,) 91 ¥.4 chderea de tensiune pe dioda deschish ca dvd normal tn polarizare directa 0) cu dioda Zener $1 punte de diode Schema din fig. 1.11.4 se wilizeaza de obicei cind se doreste limitarea tensiunii var dd intrare vj(t) la tensiuni egale pe ceig oud polartati. pozitiva gi negativa, Fig. 111.4. Circuit de limitare eu diods Zener sipunte de diode Formele de unda ale tensiunilor de intrare vj(t) si de iesite vo(t) pentru cazul Particular al tensiunii_ vj(¢) sinusoidale sunt similare cu cele din fig. 1.11.36), cele doua Polaritati find limitate la acceasi valoare absoluta, Limitarea potaritayii + Calculul rezistentei R se face cu relatia (LILI) in care v9 =Vz + 2V.4, Vz. find tensiunea diodei Zener gi V4 find cdderea de Haslune Pe o diodd in polatizare directa. a considerat ‘cA pe cele dous diode céderea dettensiune directa este aceeasi, ©) cu divizor rezistiv Schema electricd Principiala a circuitul fig. L115. V, luide limitare cu divizor rezistiv este prezentata in 181 V2 sunt doua surse de tensiune continua care asiguralimitave i (Vi +¥ 4) Pe polaritatea pozitiva sila (V7 + V4, )pe polaritatea negativa, unde V ‘Ay de tensiune in polarizare directt pe diodele Dy si respectiv Dp. Rezi rezistenta intern a generatorului de semnal v(t) si limiteaza curentul R D, a 406 al yl po? oe ne, Fig. 1.11.5. Schema principial a circuitului de limitare cu divizor rezistiv iV 4, sumedderite istenja R include si in circuit, 4ivoarele nua V $i 2 este cu divizoar ssitulitate de Fealizare a surselor de tensiune continua V , cscreine Rr Rz.respectiv Ry, Ry aga cum se vede in fig. 1-11.64). In fig. ee seen aratate formele de UndA pentru tensiunea de intrare vj(1) de forma sinuso > sunt ar june pe diodele D, semnalul limitat la ieyire, unde la valorile limitate s-a neglijat cAderea de tensiune pe di 1 si Dp in polarizare directa, Yow) RIE 4 /(R +R) “REg/(RgtRy)|- b) Fig. 1.11.6, Circuit de limitare cu divizor de tensiune a) schema electrica; b) forme de unda Conform teoremei lui Thévenin, un divizor de tensiune R Ts E4 (fig. 1.11.6a) este echivalent cu Vy = Ry-E4 (Ry + Rp) si 0 vezisten Thévenin circuitului din fig. 1.11.6a), Ry alimentat la tensiunea © sursh de tensiune cu 4 interna egala cu Ry // Rp. Aplicand teorema Se obfine circuitul echivalent din fig. 1.11.7, valoarea 25Fig. 111-7. Cieuitul echivalent dupa aplicarea teoremei lui Thévenin Dack R>> Ry / Ro $i R>> Ry // Rg atunci semnalul limitat pe polaritatea pozitiva este Vo = Ry -E4 (Ry + Ry) + Vay tespectiv Vg =—R3E 4 (R3 + Rq)—Vay pe Polaritatea negativa, unde Vg, si Vg 12 Sunt c&derile de tensiune in polarizare direct’ pe diodele Dy $i D>. 1.11.4, Poarta de maxim ion Sntte clreuitul poarta de maxim din fig, 1.11 8, se neglijeazi cdderile de tensiune in olarizare directa pe diode. Fig. 1.11.8, Schema electrica a portii de maxim Avem urmitoarele situati: ~ diac semnalele vy $i v2 sunt pocitve, i iesite e objine cel mai mare dinte acestea. De exemplu, pentru vy = 10V si vz = SV, la iegire se masoard vy = 10V’ deoarece dioda Dy este polarizata direct, conduce si potentialul catodului diodei D '2 devine mai pozitiv decat potentialul anodului (D> este polatizata invers); ~ daciisemnalele v; si v2 sunt negative, ia iesire se objine semnalul cel mai mare negativ, adicd cel mai mic in valoare absoluta, De exemplu, pentru vy = -10V si v2 =-5V la 26ire se mutsoard Vg = ~SV deoarece, in mod analog, dioda D2 conduce vi polarizeara iver dioda Dy. Tensiunea de alimentare E.4 trebuie aleasd de valoare mai mica decat minimal tensiunilor ¥7 $i v2 cu cel putin cAderea de tensiune directa pe 0 dioda (de cexemplu, -/51) pentru a asigura functionarea circuitului 1.11.8. Poarta de minim Poarta de minim este prezentata in fig. 1.11.9. R D2 Dy y, 26 » Yo a L Fig. 1.11.9. Schema electrica a portii de minim iim gy lilind cAderite de tensiune in polarizare directa pe minim din fig. 1.11.9 avem urmatoarele situatii * decd semnalele vj si v3 sunt pozitive, la iesire se obfine cel mai mic dintre ele De exemplu, pentru v7 = OV si vy = SV, laiesire se masoard vg =5V deoarece dioda D2 este polarizati direct, conduce si potentialul anodul iode, pentru circuitul poarta de iodei Dy devine mai negativ decat potentialul catodului (Dy este polatizata invers). Tensiunea de alimentare E, trebuie aleasé de valoare mai mare decdt maximul tensiunilor 1 Si V2 cu cel putin cAderea de tensiune directa pe o dioda (de exempla E functionarea circuitului. SV) pentru a asigura ~ dacitsemnalele vj si v2 sunt negative, la iesire se objine semnalul cel mai mic negativ, adied cel mai mare in valoare absolutd. De exempl, penttu v7 =—I0V si v> =—3V ,la iesire se misoari vg =—J0V deoarece, in mod analog, dioda Dy conduce si polarizeaza invers dioda D>. 1.11.6. Detector de valoare de varf Schema electrici a detectorului de valoare de varf este prezentatdin fig 1.11.10a),incare rezistenfa R include si rezistenja interna a generatoruluide semnal v;(t)). Rolulrezistenei R este de a limita curentul de incdrcare al condensatorului. Se considera cai la momentul /=0 se inchide comutatorul k(fig, 1.11.10b), moment in care semnalul sinusoidal trece prin zero si tensiunea initiala pe condensator este, de asemenea, zero, 27w@ Fig. 1.11.10. Detectorul de valoare de varf a) schema electrica; b) forme de unda Dioda D conduce pe altemantele povitive ale semnaluluide intrare V; (1) tata veme cat dioda este polarizata direct. Condensatorul C se incarca treptat in functie de constanta de timp 7 = RC acircuitului pana la valoarea de varf pozitiva a semnalului, and dioda D se blocheart Si condensatorul ramane incarcat la aceasta valoare, Pomind din origine in alternanta pozitiva condensatorul C incepe sa se incarce. In momentul cand intersecteaza sinusoida, diode D se blocheaza fiind polarizata invers si tensiunea pe condensator ramane constanta, In ¢ea dea dou alternanta pozitiva din momentul in care dioda este polatizata direct condensatorul incepe sa se incarce din nou si procesul se repeta pana cand se atinge valoarea de varf pozitiva a semnalului, And dioda D se blocheaza si condensatorul rimane incdrcat la aceasta valoare. Tensiunea de polarizare invers& maxima a diodei este 2V;. 28