omacsreseanessree ss yee cams CAPITULO Polarizacao DC — TBJ 4.1 INTRODUCAO ‘A anilise ou projeto de um amplificador com transistor exige 0 ‘conhecimento das respostas dc e ac do sistema, Frequentemente se assume que 0 transistor é um dispositive mégico que pode ‘aumentar o valor da entrada ac aplicada, sem auxflio de uma fonte de energia externa. Na realidade, o nivel da poténcia de saida ‘ac amplificado € o resultado da transferéncia de energia das fon- tes de aplicadas. A andlise ou o projeto de qualquer amplifica- dor eletrénico, portanto, deve-se preocupar com as operagSes ac ¢ de, Felizmente, o teorema da superposicao é aplicavel, e as pesquisas das condigdes de podem ser totalmente separadas da resposta ac. Entretanto, deve-se ter em mente que durante 0 es- tigio de projeto ou sintese, a escolha dos pardmetros para os ni veis dc exigidos influenciard na resposta ac, e vice-versa. O nivel de de operacio de um transistor é controlado por vé- rios fatores, incluindo os diversos pontos de operagio das cur- vvas caracteristicas do dispositivo. Na Seglo 4.2, especificamos «a faixa de operacio para o amplificador com TBJ. Uma vez de- finida a corrente dc e os niveis de tensio desejados, 0 circuito deve ser projetado de maneira a estabelecer o ponto de operacdo escolhido — varios desses circuitos sao analisados neste capitu- 0, Cada projeto determinard também a estabilidade do sistema. ‘Ou seja, o quanto o sistema € sensfvel as variagdes de tempera ‘ura — outro t6pico analisado na ditima secdo deste capitulo, Embora virios circuitos sejam analisados neste capitulo, hd uma semelhanga latente entre a andlise de cada configuracio, devido a0 uso das seguintes relagdes bisicas importantes de um transistor: Vor = 0.7 an Ip = (B+ Vly = le (42) Io= Ble 43) Na verdade, uma vez claramente compreendida a anélise dos, primeiros cireuitos, 0 aminho a ser tomado para a solugdo des- tes comecaré a se tornar bem evidente. Na maioria dos casos, & corrente de base 1, € a primeira quantidade a ser determinada, Conhecida J, as relagdes das Eqs. (4.1) até 4.3) podem ser apli- ceadas para se achar os pardimetros restantes de interesse. As se ‘melhangas na andlise se torardo imediatamente Sbvias, 0 pro- gredirmos com o capitulo. As equagdes para [, slo to seme~ Ihantes para as configuragdes que uma equagao pode ser dedu- ida de outra apenas retirando-se ou adicionando-se um ou dois, termos. A funcio principal deste capitulo é proporcionar ao lei- tor uma certaintimidade com as caracteristicas do TBJ, de modo que permita a realizagao de uma andlise de para qualquer cir- ccuito que emprega 0 amplificador com TBI. 4.2. PONTO DE OPERACAO O termo polarizagéo que aparece no titulo deste capitulo signi- fica a aplicagio de tensdes dc em um circuito para estabelecer valores fixos de corrente e tenso, Para amplificadores com tran- sistor, a corrente e a tensio de resultantes estabelecem um pon- 10 de operagdo nas curvas que define a regio empregada para ‘a amplificagao do sinal aplicado. Jé que o ponto de operacio é tum ponto fixo na curva, este é também chamado ponto quies- cente (ponto Q abreviado). Por definigao, quiescente significa repouso, imével, inativo. A Fig. 4.1 mostra as eurvas caracte- risticas de sada para um dispositivo, com quatro pontos de ope- ragiio indicados. O circuito de polarizagao pode ser projetado para estabelecer a operacio do dispositivo em qualquer um des- ses pontos, ou outros, dentro da regido ativa. Os valores méxi- ‘mos permitidos para os pardimettos esti indicados na Fig. 4.1 ‘por uma nha horizontal para a corrente maxima de COletOr, Fons ‘e uma linha vertical para a tensio méxima entre coletor e emis- sor, Versa: A poténcia maxima € definida pela curva Pon Ra mesma figura. No extremo inferior do grfico localiza-se a re- sido de corte, definida por I, = 0 WA, a regio de saturagao, definida por Ver = Versa dispositivo TBI deve ser polarizado para operar fora des- ses limites méximos, Se isto ndo ocorrer a vida itil do disposi- tivo ser reduzida ou 0 dispositivo poderd ser danificado. Con- finando a operagdo & regio ariva, pode-se selecionar muitas, reas ou pontos de operacao. O pt Q escothido depende do tipo da utilizagio do circuito, Podemos, ainda, considerar algumas diferencas entre os virios pontos mostrados na Fig. 4.1 para apre- sentarmos algumas idéias basicas sobre o ponto de operagio, ¢, com isso, 0 circuito de polarizagdo. ‘Se nao fosse aplicada a polarizagao, o dispositive estaria ini- cialmente desligado, resultando um pt Q em A — isto 6, cor-Polarizago DC-TB} 103, rente nula através do dispositivo (idem para tensio), Como é ne- Ry>R 10 15 Fig, 4.16 Exemplo 43. Solucio Da Fig. 4.16, Vee = Vec = 20 V para le = 0 mA Vee fe= Pa Vor = OV Veo __20V Re = Mee = 20 cedar Sheds ealidane Veo = Var Ra Voc = Var _ 20V~0.7V Re 7 ak 2 KO Fig. 415 Efeito da varagio de V,. na reta de carga eno ponte.4.4 CIRCUITO DE POLARIZACAO ESTAVEL DO EMISSOR 0 circuito de polarizagao de da Fig. 4.17 contém um resistor de cemissor para melhorar o nivel de estabilidade da configuragao com polarizagao fixa. A melhoria da estabilidade sera demons- trada por meio de um exemplo numérico no fim da segao. A ané- lise seré realizada estudando-se primeiro a malha que inclui a tensio base-emissor, e depois utilizando os resultados para in- vestigar a malha que inclui a tenso coletor-emissor. Malha Base-Emissor A malha base-emissor do circuito da Fig. 4.17 pode ser redese~ hada da forma mostrada na Fig. 4.18. Escrevendo a lei das ten- ses de Kirchhoff ao longo da malha, no sentido horério, resulta na seguinte equacio: +Veoc — ToRe — Vee — 1eRe = Lembre do Cap. 3 que (4.15) = (B+ Diy (4.16) Substituindo /, na Bq, (4.15), resulta Veo ~ tas ~ Vax — (B+ WleR; ig. 4.18 Matha base-emissor. Polarizagao DC- TH} 109 Agrupando os termos, fornece 0 seguinte: —In(Ry + (B+ DR) + Veo ~ Vane Multiplicando-se por (1), temos I(Ry + (B+ DR) ~ Voc + Var= 0 1fRy + (B+ DRe) = Veo ~ Vac e solucionando para Jy nos dé Veo ~ Var. 0 Ry B+ DRr (4.17) Observe que a tinica diferenca entre esta equacdo para, € aque a obtida para a configurago com polarizacao fixa é 0 termo (B + DRe Um resultado interessante pode ser deduzido da Eq. (4.17), se a equagio for uilizada para esbocar um circuito série equiva- lente, como mostrado na Fig. 4.19. Do circuito, solucionando para a corrente [,, 0 resultado & a mesma equacdo obtida acima, Ob- serve que independente da tensdo base-emissor Vp, 0 resistor Re € refletido para o circuito de entrada multiplicado por um fator (B+ 1). Em outras palavras, o resistor de emissor, que faz parte dda malha coletor-emissor, “aparece como” (8 + 1)R, na malha base-emissor. J4 que B €, normalmente, maior ou igual a 50, 0 resistor de emissor corresponde a um valor muito maior no cit- ccuito de entrada. Em geral, portanto, para a configurado da Fig. 4.20, R= (B+ DRe 4.18) A Eq. (4.18) sera muito til na andlise a seguir. Na verdade, cla proporciona um modo mais fécil de lembrar da Eq. (4.17). Utilizando a lei de Ohm, sabemos que a corrente através de um B+ Re Fig. 4.19 Circuito derivado da Ba, (4.17) Fig. 420 Valor da impedicia 8 relied110 Dispositivos Eletrdnicos e Teoria de Circuitos sistema é a tensio dividida pela resistencia do circuito. Para a rmalha base-emissor, a fonte resultante € Vec ~ Vag. Os valores, de resisténcia so Ry mais R, multiplicado por (B + 1). Oresul- tado € a Eq. (4.17) Malha Coletor-Emissor ‘A malha coletor-emissor esté redesenhada na Fig. 4,21, Escre~ vendo a lei das tensdes de Kirchhoff para a malha indicada, no sentido horario, resulta em 4 URe+ Vert TeRe~ Voc =0 Vee Fig. 4.21 Malha coletoremissor. Substituindo 1, = Jc, € agrupando os termos, vem Ver — Veo * IRe + Re) e v TARe + Ry) = 0 (4.19) A notagiio V, indica uma tenso do emissor para a terra, €€ de- terminada por Ve = hk (420) enguanto que a tensao do coletor para a terra pode ser determi- nada de 4.21) ou (4.22) ‘A tensiio na base em relagio & terra pode ser determinada de Va = Veo = To (4.23) ou (4.24) EXEMPLO 4.4 Para o circuito da Fig. 4.22, determine (a) Ip ©) Vee (b) To s20v aeoxa ca t-—* ror — wa pila Fig. 422 Circuito para exabiidade da polarizacio do Exemplo 4. (@) Vo. (Vp ©) Ve @) Voc. Solugao (@) Eq. (4.17): Ip 20V-07V (b) Te = Bla = (50)(40,1 wa) = 2,01 mA. (©) Eq. 4.19): Vee = Veo ~ Ic(Re + Re) 20 V ~ 2,01 mA)2 kA + 1 kA) =20V- 6,03 V 3,97 V (@ Vo = Veo ~ leRe 20 V — (2,01 mA)(2 kQ) = 20 V — 4,02 V = 15,98 V Vo ~ Ver 15,98 V — 13,97 V © Ve = (2,01 mA)(1 k) 01 V Var + Ve 0.7V+2,01V 27 (@) Vac = Va~ Ve 2,71 V— 15,98 V 13,27 V__(tensio reversa, como prevista)J 4 Melhoria na Estabilidade da Polarizacio A incluso do resistor de emissor ao circuito de potariz do TBJ proporciona uma melhoria na estabilidade do circuito; isto 6, mesmo ocorrendo modificugdes nas condigdes externas, (emperatura, beta do transistor), as comtentes e tensdes de per- ‘manecem préximas aos valores previamente estabelecidos. En- ‘quanto na Segdo 4.12 € fornecida uma andlise matemética, uma ‘compara¢ao da melhoria atingida pode ser visualizada no Exem- plo4.s EXEMPLO 4.5 Prepara uma tabela ¢ compare as tenses e correntes de polari- zaciio dos circuitos das Figs. 4.7 e 4.22, para B = 50¢ para B = 100, Compare as variagies em I ¢ Ve, para 0 mesmo aumento de B. Solucao Utilizando 0s resultados no Exemplo 4.1, e depois aproveitan- do-os para o cileulo com f = 100, temos o seguinte: 8 Iya) Fema) Vee V) 50 47,08 235 683 100 47,08 471 164 Acorrente de coletor do TBJ sofre um aumento de 100% devido ‘a uma variago de 100% no valor de B. O valor de /, permanece fo mesmo, ¢ Veg diminui 76%. Utilizando 0s resultados caleulados no Exemplo 4.4, e depois, repetindo-os para B = 100, resulta no seguinte: B Inu) Tema) Vee) 30 40,1 201 13.97 100 363 3.63 SL ‘Agora a corrente de coletor do TBJ aumentou aproximadamente '81%, devido a um aumento de 100% em B. Observe que 1, dimi- ‘nui, impedindo que o valor de /--aumentasse muito — ou a0 me- nos reduzindo a variagZo total em I- devida a variagio em . A variago de Vc, diminuiu aproximadamente 35% em relagio a vari- gio anterior, O circuito da Fig. 4.22 6, portanto, mais estavel do {que 0 circuito mostrado na Fig. 4.7, para a mesma variagdo em B. Nivel de Saturacao O nivel de saturagao do coletor ou corrente de coletor maxima ‘em um projeto de polarizagao pode ser determinado, utilizando- se a mesma abordagem aplicada 2 configuragao com polariza- ‘go fixa: considere um curto-circuito entre os tetminais de cole- tor e emissor, como mostrado na Fig. 4.23, e calcule a corrente de coletor resultante, Para a Fig, 4.23: (4.28) Polarizagio DC-TB) LLL Yoo Re Va Vee=0v Re Fig. 4.23 Determinando I, para ociruito de polarizagioestvel do emissor ‘A inclusto do resistor de emissor reduz 0 nivel de saturagdo do coletor para um valor abaixo daquele obtido com uma configura- ‘40 com polarizacao fixa, uilizando o mesmo resistor de coletor, EXEMPLO 4.6 Determine a corrente de saturago para o circuito do Exemplo 4.4, Solugao = Vee fea Rot Re 20Vv 20V 2KA+IKA 3kKA = 6,67 mA. que 6 aproximadamente duas vezes 0 valor encontrado no Exem- plo 4.4. Analise por Reta de Carga A anilise por reta de carga do circuito de polarizagio do emissor 6 muito pouco diferente da andlise para configuragao com pola- rizagio fixa. O valor de [,, determinado pela Eq, (4.17), detine 0 valor de Jy nas curvas da Fig. 4.24 (indicado por Jy, ) Fig. 4.24 Rota de cargaparaaconfigu- ratio de polatizapdo do emissor.12 Dispositives Eletrdnicos e Teoria de Circuitos A equagio para a malha coletor-emissor que define a reta de carga é a seguinte: Vee = Veo ~ IdRe + Re) Fazendo J. = 0 mA, resulta (4.26) Vee = Vecle=0ma como obtido para a configuracao com polarizagao fixa. Fazendo Vee = OV, di [o> = 2 Ret Relvec0V Gen como mostrado na Fig, 4.24. Diferentes valores de Jy, moverio, 6 claro, 0 ponto Q ao longo da reta de carga. 4.5 POLARIZACAO POR DIVISOR DE TENSAO. Nas configuragoes anteriores de polarizagao, a corrente Jc, e ten- so Veg, de polarizaco eram fungdes do ganho de corrente (8) do transistor. Entretanto, uma vez.que i é sensfvel & temperatura, principalmente em transistores de silfcio, e 0 valor exato de beta rnormalmente nao é bem definido, seria desejivel desenvolver um circuito de polarizago que seja menos vulnerdvel, ou seja, inde- -nte do beta do transistor. A configuracio de polarizacdo por divisor de tensio da Fig. 4.25 representa um circuito com estas caracteristicas. Uma andlise adequada revelaré que a suscetibili- dade s variagGes de beta é bem pequena. Se os parimetros do circuito forem escolhidos apropriadamente, os niveis resultantes de Tc, € Vex, podem ser quase que totalmente independentes de beta. Lembre das discussdes anteriores que um ponto Q € definido porum nivel fixo de J, € Vey, .Como mostraa Fig. 4.26.0 valor de Ing sera modificado com a variagdo de beta, mas 0 ponto de operagdo nas curvas, definido por Ic, € Vee,» Pode permanecer fixo se forem empregados pariimetros do circuito apropriados. ‘Como observado acima, hd dois métodos que podem ser apli- ceados para analisar a configuragao de divisor de tensio. A razio Yeo Ke aR c I ; R ; fe ig. 4.25 Configuraglo de polarizago por divisor de tensio Cg fesltamte) Vee Fig. 4.26 Definindo o ponto@ para a configuragio de polarizagio do divisor de para a escolha deste nome para a configuragio se tornard Sbvia na anilise a seguir. O primeiro t6pico a ser demonstrado € 0 ‘método exato, que pode ser aplicado a qualquer divisor de ten- io. O segundo refere-se a0 método aproximado, € 56 pode ser utilizado se condigdes especiticas forem satisfeitas. Uma abor- Rp + BR com a auséncia de R’ para a configuragao com polarizagao fixa, R’= Ry para a estrutura com emissor polarizado (com ( + 1) = B),eR’ = Re + R, para o circuito com realimentagao do co- letor. A tensto V’ € a diferenga entre dois niveis de tensdo. + ig. 4.38 Mala base-emisso para o cccuito da Fig. 4.34¢ Uma vez que fe = Blys poet Ry + BR Em geral, quanto maior 0 produto BR em relaclo a Ry, menor é asuscetibilidade de Ic, a variagdes em beta. Obviamente, se BR’ > Rye Ry + BR'= BR’, temos py _ av’ _v’ Ry + BR BRT Re que Ic, & independente do valor de beta, J4 que R’ é tipica- ‘mente maior para a configuragdo com realimentagdo de ten- saio do que para a configura¢o com emissor polarizado, a sus~ cetibilidade a variagGes em beta € menor para a primeira. Ob- viamente, R’é zero ohm para a configuragdo com polarizagio fixa e, portanto, esta configuraco € muito sensivel a variagdes em beta. Te Te Malha Coletor-Emissor ‘A malha coletor-emissor para o circuito da Fig. 4.34 esté mos- trada na Fig. 4.36. Aplicando a lei das tensGes de Kirchhoff a0 longo da malha indicada, no sentido horério, resulta em TeRe + Vee + TeRe — Veo = 0 Fig. 4.36 Malha coletor-missor para o crcuito da Fig. 4.34 Uma vez que I'c = [ee le = TcdRe + Re) * Vee ~ Veo = c, temos e Ver (442) Voc = TeiRe + Ri) | que € exatamente o resultado obtido para as configuragdes do ‘emissor polarizado, e polarizacao por divisor de tensio. EXEMPLO 4.11 Determine os niveis quiescentes de Ic, ¢ Ver, para 0 circuito da Fig. 4.37. PolarizagaoDC-TB) 117. wv 47 ko Our B00 12k Fig. 4.37 Circuito para o Exemplo 4.11 Solugao Ve BR GAD: Ie Ro pie + RD lov-07V 250 KO. + (90)(4,7 kM + 1,2 kM) 93V 93V 250k +531kQ 781 kD 1.91 HA Tc, = Bla = (9OXLL9L pA) 07 mA Vee, = Veo ~ lc(Re + Re) = 10 V — (1,07 mA)(4,7 kM + 1,2 kM) OV - 631 V =3,09V EXEMPLO 4.12 Repita o Exemplo 4.11, utilizando um beta de 135 (50% maior ddo que no Exemplo 4.11). Solucao E importante observar na solugdo para /, do Exemplo 4.11 que © segundo termo no denominador da equacao é maior do que 6 primeiro. Lembre de uma discussto recente, que quanto maior for o segundo termo em relagio ao primeiro, menor é a susce- tibilidade a variagdes em beta. Neste exemplo, 0 valor de beta € aumentado em 50%, elevando ainda mais a diferenga do se- gundo termo para o primeiro. Nesses exemplos, portanto, & ‘mais importante observar que, se 0 segundo termo for relati- vamente maior comparado ao primeiro, a suscetibilidade a variagdes em beta é significativamente menor. Solucionando para Ip, dé Voc — Var 10 Ry Bike + Re)118 _Dispositivos Eletronicos ¢ Teoria ele Cieuitos -e i 10V-0.7V ae I8 V-0.7V © 250 KO + (135)(4.7 KO + 1.2 KO) © OLKQ > 110 kD) + (75)G3,3 kA + 0,51 KO) ees WEEE 17.3 V 173 250K + 796.5 kD DOT KD + 285,75 KD 486.75 KD Vv ao 1046.5 KO Le free 8,89 WA en, © Bla = (15)Q5.5 #A) (135)(8.89 1A) een Se Vo = Veo ~ TeRe = Veo ~ teRe cea ttevad ting nett) 18 V ~ 2,66 mAY(3,3 kM) = 10V — (1,2 mAy47 KO + 12k) eet ov - 7.08 V Per 2,92V Apesar do fato de 0 valor de f ter aumentado em 50%, 0 va- lor de Jc, foi aumentado apenas em 12,1%, enquanto 0 valor de Veq, diminuiu aproximadamente 20,9%. Se 0 citcuito fosse pro- |jetatlo com polarizagdo fixa, um aumento de 50% em B resulta- rigem um aumento de 50% em I¢,,¢ conseqiientemente em uma dramatica mudanga na posigao do ponto Q. EXEMPLO 4.13 Determine o nivel de de /, € Ve para o circuito da Fig. 4.38. Solucao Neste caso, aresisténcia de base para a andlise de € composta de dois resistores com um capacitor conectado para terra. No modo 4c, 0 capacitor assume o circuito aberto equivalente, e Ry = R, +R ‘lucionando para Iy, dé I Vee — Var. OO Ry + BRe + Re) way 3340 91 kD 110k 10uF — \ouF eS {> wars sea +. Fig. 4.38 Circuito para o Exemplo 4.13 Condicdes de Saturacao Utilizando a aproximagao 1’ ¢ = Ic, a equago para a corrente de saturago é a mesma obtida para as configuragdes com divisor de tensio e emissor polarizado. Ou seja, Vee +R (4.43) Analise por Reta de Carga Prosseguindo com a aproximagio I’e = Ic, obtemos a mesma reta de carga das configurages com divisor de tensio e emissor po- larizado. O valor de 1g, seré definido pela escotha da configura- io de polarizagio. 4.7 CONFIGURACOES MISTAS DE POLARIZACAO 1H varias configuragdes de polarizacio de TBI que nao se en- quadram nos modelos basicos analisados nas segbes anteriores. Na verdade, existem variagdes no projeto que exigiriam muito mais péginas do que o aceitivel em um livro desta natureza. Entretanto, 0 objetivo principal aqui é enfatizar as caracterist cas do dispositivo que permitam uma andlise de da configura- G40, ¢ estabelecer um procedimento geral que vise a soluga0 do problema. Para cada configuragao discutida até 0 momento, a primeira etapa tem sido a obtengao de uma expressdo para a cor- rente de base. Uma vez conhecida a corrente de base, a corrente de coletor e os niveis de tensio do circuito de saida podem ser determinados diretamente. Isto nao implica que todas as solugdes seguirio este caminho, mas sugere uma alternativa possivel, caS0 ‘parega uma nova configuragio. primeiro exemplo trata de um circuito onde o resistor de ‘emissor foi retirado da configuragdo com realimentagao de ten- sio da Fig, 4.34. A andlise € muito semelhante, mas considera- se a auséncia de R, na equagio.EXEMPLO 4.14 Para o circuit da Fig. 4.39 (@) Determine 1c, € Vor, (©) Determine Vp. Vo. Vee Vac Fig. 439 Realimentagio de coletor com R, = 00. Solugao (a) A auséncia de R, diminui o valor da resisténcia refletida. Considere-se somente Re a equagio para J, fica reduzida a ty - Yecaoe Ry > BRe av © CBO KO + (1204.7 KO) 1,244 MO. = 15,51 pA Tc, = Bln = (120)115.51 A) = 1,86 ma Ver, = Veo ~ toke = 20 V ~ (1,86 mAV(4.7 KO) = 1126 Va = Vee = 0.7 V Vo = Vee = 11,26 V Ve=0V Vac = Va ~ Ve = 0.7 V ~ 11,26 V 10,56 V No préximo exemplo, a tenstio de € aplicada diretamente a0 terminal de emissor, ¢ R & conectada i terra. Inicialmente, esta configurago pode parecer pouco ortodoxa ¢ bem diferente das cestudadas até agora, mas a aplicago da lei das tensoes de Kirch- hoff ao circuito de base nos dard a corrente de base. 119 Polarizagao DC - TB) Fig. 440 Exemplo 4.15. Solucao Aplicando a lei das tenses de Kirchhoff no sentido horrio, para a malha base-emissor, resulta em —TbRe ~ Vor + Vee Vex ~ Vee Ry Is Substituindo = (45)(83 A) = 3.735 mA Vo = =IcRe = =(3.735 mAy(1,2 kO) 448 V ~ IR = (83 wAV(100 KO) “83. 0 préximo exemplo emprega um circuito normalmente cha- mado seguidor de emissor. Quando este mesmo circuito for ana~ lisado no modo ae, descobriremos que os sinais de entrada e sa- fda esto em fase (um seguindo 0 outro), € a tensio de saida & ligeiramente menor do que o sinal aplicado. Para a andlise de, 0 coletor esta aterrado, e a tensio da fonte aplicada ao emissor. EXEMPLO 4.15 Determine Vee V, para o circuito da Fig. 4.40. EXEMPLO 4.16 Determine Vez, € J: para o circuito da Fig. 441120 Dispositivos Elettonicos e Teoria de Cireuitos Vee Fig. 441 Configurago coletor-comum (seguidor de emissor Solugao Aplicando a lei das tensBes de Kirchhoff ao circuito de entrada, resulta em —IeRe — Vee ~ eRe + Vex = 0 mas Ip= (B+ Din e Vee ~ Var ~ (B+ WaRe ~ InRp = 0 jp = Wee Nae poe ° Re + B+ DRe Substituindo os valores, ver. 20V-0.7V 240 KO + 1) KA) 19.3 240 KO + 182 KD = 45,73 uA To = Bla = (9045.73 HA) = 4,12 mA I= 19.3.V 42 ko Aplicando a lei das tensdes de Kirchhoff ao circuito de safda, temos “Vee + [eRe + Vee = 0 (B+ Ds Vex — (B+ DeRe = 20 V ~ (91)(45,73 wA)2 kO) = 11,68 V Ip = 4,16 mA mas Ie e Vex, Todos os exemplos até entio empregam uma configuragio emissor-comum ou coletor-comum. No préximo exemplo, estu- daremos a cofigurago base-comum. Nesta situagio do circuito de entrada determinaremos /, a0 invés de /y. Da andlise do cir- cuito de safda determinaremos a corrente de coletor. Fig. 4.42 Configuragio bse-comum EXEMPLO 4.17 Determine a tensio Vey € a corrente /, para a configuragaio base- ‘comum da Fig. 4.42. Solucao Aplicando a lei das tenses de Kirchhoff ao circuito de entrada, fornece Vee + leRe + Var = 0 Vee — Vor Ip = EE Re Substituindo valores, obtemos 4V-07V = NT = 2.75 ma PD ; Vex + [eRe > Veo = 0 = Veo = [eRe com Ie = Ie 10. V — (2,75 mAY(2.4 KO) Ven O Exemplo 4.18 emprega duas fontes de tensio, e exige a aplicagéo do teorema de Thévenin para a determinaco dos pa- metros do circuito. EXEMPLO 4.18 Determine Ve V, para o circuito da Fig. 4.43.G On oe oJ} + I e120 100F e RS 22k FeQis xa vee Fig. 444 Determinando Ry Fig. 445 Deverminando Ep, Solucao [A resistencia e tensio da’Thévenin slo determinadas para ociuito Aesquerdado terminal de base, como mostrado nas Figs. 4.44.64.45. Roi Rry = 8.2 KO|2,2 KO = 1,73 KO En: = Voc Ver __20V + 20V 40.V RFR, S2EQF2IKD 104k = 3,85 mA Em = Vee 3.85 mA)(2,2 kM) — 20 V =11,53 V Polarizacao DC-TBy «121 + Rn — Ve Bait athe ree, binaries sect + vee tv Fig. 446 Substiuindo pelo crcuito equvalente de Thévenin. O circuito pode, portanto, ser redesenhado como na Fig. 4.46, conde a aplicagdo da lei das tenses de Kirchhoff resulta em Eq ~ lary ~ Ver ~ leRe + Vee = 0 Substituindo J, = (B+ lp, dé Vee ~ Em — Vow ~ (B+ VlpRe ~ torn = 0 fp = Vee E m= Ve Rr (B+ DRe 20V = 11,53 V0.7 1,73 kO + (121)(1,8 kQ) _ av 219,53 KO = 35.39 pA To = Bln = (120)(35,39 wA) = 4.25 mA Ve = Vee ~ 1eRe = 20 V — (4,25 mA\(2,7 kM) = 853 V Ve = Em ~ IoRr = =(11,53 V) ~ 5,39 wA)(L,73 kO) = -11,59V 4.8 PROCEDIMENTOS DE PROJETO. ‘As discussGes até 0 momento concentram-se em circuitos previ- mente estabelecidos. Todos 0s elementos da configuragio es- tavam determinados, e tratamos somente de levantar os valores de tensa e corrente. Em um projeto, a corrente e/ou tensiio de- vem ser especificados, os elementos escolhidos de tal forma que atenda as determinagées. O processo de sintese exige um claro entendimento das caracteristicas do dispositivo, das equa- ‘gGes bisicas para o circuito, e uma firme compreensio das leis baisicas que regem a analise do circuito, como a lei de Ohm, a lei das tensdes de Kirchhoff, e assim por diante, Na maioria das si- tuagées, 0 projeto torna-se um desafio maior do que a sequéncia de analise. O caminho em direg20 3 solugdo esté menos definido,122 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos cena verdade pode exigir que varias suposigdes sejam feitas, Para ‘© processo de analise do circuito, isto normalmente niio ocorre. A seqiiéncia de projeto € obviamente sensfvel a componentes que jd foram especificados e a elementos que seréo determina- dos. Se o transistor e fontes so especificados, 0 projeto ficard reduzido simplesmente & determinagao dos resistores. Uma vez determinados os valores te6ricos dos resistores, 0 valor comer- cial mais proximo € adotado. Qualquer variagio dos pardimetros do circuito (corrente, tensio) devido a esta diferenga deve ser aceita como parte do projeto. Esta aproximacdo € seguramente valida, considerando-se as tolerdincias normalmente associadas 405 elementos resistivos e os parimetros do transistor. Se valores para resistores devem ser determinados, uma das equa- ‘g0es mais poderosas a ser utilizada €alei de Ohm, daseguinte forma: (444) 4 com Ry = Vee Moe Tn 2V=-O7V_ 19.3 40 WA 40 uA = 482.5 kO Valores comerciais de resistores: 1,2 411 pA que esté dentro da faixa de tolerdncia de 5% do valor especifica- do. Em um projeto particular, a tenstio através de um resistor pode ser normalmente determinada por meio de niveis especificados. Se especificagdes adicionais definem o valor da corrente, a Eg, (4.44) pode entio ser utilizada para calcular 0 valor exigido de resisténcia. Os primeiros exemplos demonstrardo como clemen- tos particulares podem ser determinados a partir das especifica- es. Um conjunto completo de procedimentos de projeto sera, entio, introduzido para duas configuragdes populares. EXEMPLO 4.19 Dada a curva caracteristica do dispositivo da Fig. 4.47a, deter- iin Voc, Ry € Re para a configurago com polarizagao fixa da @ © Fig. 447 Exemplo 4.19, Solucao Da reta de carga Voc =20V Te 7g e Re “ee Ip = ME. EXEMPLO 4.20 Dado que Ic, = 2mAe Ves, = 10 V, determine R, € Re para o circuito da Fig. 4.48, IBV 1onF — Fig. 4.48 Exemplo 4.20 Solugio (2 mAY(1,2 kQ) = 4 Vee + Ve=0.7V +24 Vp = Pee = 31y Ri+R (18 KO) V) Ry + 18 kO wae . 324 kM = 3.18, + 55,8 kO BIR, = 268.2 KO n= 252M apsene Bq. (4.44): Re« com Vee + Ve= WV +2.4V = 12.4V IBV 124¥ gece ea : 2mA = 28k0 s valores comerciais mais proximos a R, silo 82 ke 91 KO. Entretanto, uilizando a combinagio em série dos valores comer- ciais 82 kOe 4.7 kO = 86,7 kO resulta em um valor muito pro- ximo ao valor de projet. EXEMPLO 4.21 ‘A configuragio de emissor polarizado da Fig. 4.49 possui as se- ‘guintes especificagbes: Ie, = Hous fou = 8MA, Vo = 18 ye B= 110. Determine Re, Rye Ry Fig. 449 Exemplo 421 Solugao 28 V-18V oe BS KO Vec Non Ret Re vi v Re* Re = 7 a 3.5 KO Rp = 3,5kO Ro 3,5 KO ~ 2.5 KO 1k2 6.36 WA Polarizagao DC-TB) 123 28V v pa 5 (Uk 23 = 36.36 na Ut KO = 639,8 kD Para valores comerciais: Re = 2.4 kM Re = 1kO Ry = 620 KO ( préximo assunto introduziré uma técnica para o projeto de um citcuito completo, que opera polarizado em um ponto espe- cffico. Normalmente, a folha de especificagdes do fabricante sugere tum ponto de operacio (ou regido de operacio) para de- terminado transistor. Além disso, outros componentes do siste~ ‘ma conectados ao estigio do amplificador podem definir a ex- cursio de corrente, excursio de tensao, valor da fonte de tensio em comum, e assim por diante, para o projeto. Na pratica, muitos outros fatores podem ter que ser conside- rados, ¢ afetarem a escolha do ponto de operagio desejado, No ‘momento, devemos concentrar-nos na determinagdo dos valores dos componentes que determine um ponto de operacao especi co. A discussio seri limitada as configuragdes de emissor polari- zadoe com divisor de tens, muito emborao mesmo procedimento possa ser aplicado a varios outros circuitos com transistor. Projeto de um Circuito de Polarizagao com um Resistor de Realimentacao de Emissor Considere inicialmente o projeto dos componentes de polariza- go de de um circuito amplificado, possuindo um resistor de temissor para estabilizagiio da polarizagio, como mostrado na Fi 4.50, A fonte de tensdo e o ponto de operagao foram seleciona- Vee =20¥ c Pa - Tone Y® NMOL (p= 150) Fig. 450 Circuito de poarizaio da confgurago emissor-stabilizad,124 Dispositives Eletronicos ¢ Teoria de Cireuitos dos segundo a informagio do fabricante sobre o transistor utili- zado no amplificador. ‘Aescolha dos resistores de coletor¢ emissor ndo pode ser feita diretamente das informagdes fomecidas hi pouco. A equagio que relaciona as tenses a0 longo da malha coletor-emissor, presenta duas quantidades desconhecidas — os resistores R-¢ R,. Neste ponto, uma consideragio de engenheiro deve ser feita no que concere ao valor da tensio de emissor comparada & tenso da fonte aplicada. Lembre de que a necessidade de se incluir um resistor para a terra com o intuito de proporcionar um meio de estabilizagio da polarizagao de, de forma que a variago na cor- rente de coletor (devido a correntes de fuga) e no valor de beta do transistor no provoquem um deslocamento expressivo no ponto de operacdo. O resistor de emissor nao pode ser muito grande, pois a tensio através deste limita a faixa de excursio da tensfo do coletor para 0 emissor (a ser observado quando a res- posta ac for analisada). Os exemplos analisados neste capitulo revelam que a tensio de emissor gira em torno de um quarto a tum décimo da tensfo da fonte. Adotando o valor mais conserva~ dor, um décimo da tensio de fonte, podemos calcular 0 resistor de emissor Re o resistor de coletor Re de forma semelhante aos exemplos anteriores. No proximo exemplo, apresentaremos 0 projeto completo do circuito da Fig. 4.49, utilizando o critério introduzido para a tensdo de emissor. EXEMPLO 4.22 Determine os valores dos resistores para o circuito da Fig. 4.50, para o ponto de operagio e fonte de tensdio indicados. Solucao eerie Te 2V-10V-2V_ 8V & 2mA 2mA =4ko Ic _2mA ba = 5p 7 1333 HA Ry = Yin = Yoo = Vos =Ve _ 20V 0.7 V=2V I Ie 13,33 HA 1,3Mo Projeto de um Circuito com Ganho de Corrente Estabilizado (Independente de Beta) (O cireuito da Fig. 4.51 apresenta um comportamento estavel As variagdes na corrente de fuga e no ganho de corrente (beta). Os valores dos quatro resistores devem ser determinados para um Fig. 451 Circuit estivel is variagdes no panto de coment, onto de operagdo especifico. Uma decisio de engenheiro cor- reta, na escolha da tensio de emissor, V,, leva a uma solugdo adequada para todos os resistores. AS etapas do projeto sto de- monstradas no préximo exemplo. EXEMPLO 4.23 Determine os valores de Re, Re, Ry € Ry para o circuito da Fig 4.51 para o ponto de operacio indicado. Solucao Ve = YVoc = th(20 V) = 2V Rp = Mee Me = 2) _ amo Te Te 10mA Re =1kO Vi = Var + Vp=0.7V+2V =27V As equagdes para o cdlculo dos resistores de base R, ¢ Ry exi- ‘gem uma andlise mais detalhada, Utilizando 0 valor da tensio de base calculada acima e o valor da fonte de tensio, temos uma equagdo — mas com duas incégnitas, R, € R,. Pode-se obter ou- ‘ra equagao, se compreendermos a fungao destes dois resistores ‘40 proporeionarem a tensio de base necesséria, Para que 0 cir- cuito opere eficientemente, assume-se que a corrente através de Rye Ry deve ser muito maior do que a corrente de base (no mini- ‘mo 10:1). Esta observagdo e a equagio do divisor de tenso for- necem as duas relagdes necessérias para determinarmos os resis- tores de base. Ou seja, Ry = toBRe eSubstituindo: Ry 5 Y(80K0.2 KO) 16k0 (1.6 k9)20 V) Ry + 16KO 2.7, + 4,32 = 32KO e 2.7 = 27,68 kD Ry = 10,25 KO 2.7V (use 10k) 4.9 CIRCUITOS DE CHAVEAMENTO COM TRANSISTOR ‘A aplicagao do transistor ndo esté limitada somente & amplifica~ ‘gdo de sinais. Através de um projeto apropriado, o transistor pode Veo=5V PolarizagioDC-TB) 125 ser utilizado como chave em computadores e aplicages de con- trole, O cireuito da Fig. 4.52a pode ser empregado como um in- versor em circuito de l6gica computacional. Observe que a ten- sio de saida Ve é oposta aquela aplicada na base ou terminal de entrada, Além disso, note que nfo hi uma fonte de conectada a0 cireuito de entrada. A tinica fonte de € conectada 20 coletor, ou circuito de safda, para aplicagBes em computadores,¢tipicamente igual A amplitude da porgio “alta” do sinal aplicado —neste caso SV. ‘Um projeto apropriado para que 0 transistor atue como um inversor exige que 0 ponto de operagio chaveie do corte para saturagio, ao longo da reta de carga mostrada na Fig. 4.52b. Para © nosso caso, assumiremos que Je = Iezg = 0 MA, quando 1, = 0 ZA (uma excelente aproximagio, se considerarmos que técni- cas cada vez melhores de fabricagao de transistores estao sendo Uutilizadas), como mostrado na Fig. 4.52b. Além disso, assumi- remos que Vez = Vezux = 0 V, a0 invés do valor normalmente adotado de 0,1 V203V. ‘Quando V, = $V, o transistor estaré“ligado”, eo projeto deve assegurar que o transistor est saturado para um valor de Jp mai~ ‘or do que 0 associado & curva de Jy situada préxima ao nivel de s0v Vora Fig. 452 Transistor invasor.126 Dispasitives Eletronicos ¢ Teoria de Circuitos saturagdo. a Fig. 4.52b, isto significa que /, deve ser maior do que 50 A. O nivel de saturagdo para a corrente de coletor, para 0 circuito da Fig. 4.52a, € definido por Vec Re (4.45) (© valor de J, na regito ativa, um pouco antes da saturacio, pode ser aproximado pela seguinte equacio: eu = Bae Para o nivel de saturagdo, portanto, devemos assegurar que a seguinte condigao é satisfeita: (4.46) Para o cireuito da Fig. 4.52b, quando V, = 5 V, 0 valor resul- tante de /, € 0 seguinte: Vi=0.7V _5V-07V Ip = = = 63 pA 7 ao oe Voc __ SV © Ic. = EE = 6.1 MA fee Re = ORD KD Verificando a Eq, (4.46), resulta Joy, — 6.1: mA Ip = 63 A> “= 48.8 HA 125 Bac que € satisfeita, Certamente, qualquer valor de /, maior do que 60 HA interceptaré a reta de carga em um ponto Q bem préximo ao cixo vertical Para V, = 0'V, ly = 0 A, e jé que estamos assumindo que Te OmA, a queda de tensio através de Re € determinada j-Rc = 0 V,resultando em V- = +5V para a resposta = Toxo por Vac indicada na Fig. 4.52a. O transistor também pode ser empregado como umachave em um circuito digital, utlizando as mesmas extremidades da reta de carga, Na saturacdo, a corrente J é muito alta e a tens0 Ver muito baixa. O resultado é um valor de resisténcia entre os dois, terminais determinado por Vee, >» mostrado na Fig. 4.53. Utilizando um valor médio tipico de Vers, como por exem- plo 0,15 V, resulta Ver, _ 0.15 V Row = 4.60 Te 6.1 mA 1 ch f'n 7 5 R=02 Vor, => py" sates! 4 : e Fig. 4.83 Condigies de surago e resistencia resultante entre os terminals Fig. 454 Condigdes de cone e esistécia relate entre os terminals aque, relativamente, é um baixo valor, € = 0.0. quando colocado em série com resistors na faixa de Kiloobm. Para V, = 0 V, como mostrado na Fig. 4.54, as condigBes de corte resultario em um valor de resistencia caleulado abaixo: Row = VE = SY Toxo OMA ave pernite consideraro transistor como um circuito-aberto equ- Salente. Para um valor tipico de Jong = 10 iA, 0 valor da esis- tencia equivalente no corte é _ Veo __5¥ Rowe Teeg 10 HA situagGes, se comporta como um cir 500 kO ‘que certamente, em muitas cuito aberto. EXEMPLO 4.24 Determine Rye Re para o transistor inversor da Fig. 4.55, 5€ lowe = 10 mA. " | y ov ov Vec=10V Re Ye fe \ nee = 250 AV vy wow pv Fig. 455 Inversor para o Exemplo 4.247 Solugao Na saturagdo: = Vee eee _ lov e loma =" lov an R portanto, Tomas EK Na saturagdo: Jo, _ 10 mA 1p =o 40 uA Ba 250 f Fazendo /, = 60 A para garantir a saturagao, € usando Vi-0.7V ly a Vi=0.7V_10V-O7V gy = OE 8 RE = 155K obtemos Ri i Waa 5 Escolhendo Ry = 150 kA, que é um valor-padrao, temos =0.7V _10V-0.7V Rs 10K RA te e Ip = 62 WAS i = 40 pA Portanto, use Ry = 150 ky € Re = 1 kp. Hi transistores mencionados como sransisiores de chavea- ‘mento, devido & velocidade com que conseguem chavear de um nivel para outro, Na Fig. 3.23c, os perfodos de tempo definidos como fy fs f, € fy SHO apresentados versus a corrente de coletor. Seus efeitos na velocidade de resposta do sinal de safda no cole- tor sto definidos na Fig. 4.56, O tempo total para que o transis- Transistor Teaminior Tigado Fig. 4.56 Definindo os interva- Jos de tempo de um pulso. Polarizacao DC-TB) 127 tor chaveie do estado “desligado” para o estado “ligado” € de- signado como, ¢ definide por itty (447) com o retardo de tempo f, sendo o intervalo entre o instante da mudanga de estado e o inicio da resposta na safda. O elemento de tempo 1, €0 intervalo no qual a resposta se situa entre 10% € 90% do seu valor final. ‘O tempo total exigido para que um transistor chaveie do esta- do “ligado” para o estado “desligado” é definido por onde ¢, 6 0 tempo de armazenamento ¢ 1, 0 tempo de queda de 90% para 10% do valor inicial. Para o transistor sem aplicagio especifica da Eq, 3.23c, em Ic = 10 mA, achamos 1, = 120 ns. tq = 25 ns 1, = 13 ns e y= 12 ns tal que fon = fet tg = 13 ns + 25 ns = 38 ns e fo = fy + = 120 ns + 12 ns = 132 ns A comparagiio dos valores acima com os pardmetros do transis tor de chaveamento BSVS2L mostrados abaixo revela uma das razOes para a escolha deste tipo de transistor. fog= 12s fon = 18 ns 4.10 TECNICAS DE SOLUCAO DE PROBLEMAS EM CIRCUITOS A arte de contornar problemas ¢ um tpico bem abrangente, de forma que todas as alternativas e tgenicas existentes ndo podem ser abordadas completamente nas poucas segdes de um livr. Entretanto, o t6enico deve conhecer alguns “macetes” e medi- das bisicas que consigam isolar a rea do problema, epossibil tar a identificago de uma solugao. Obviamente, o primeiro passo para aidentificagdo do proble- ma é entender bem o comportamento do circuito, eter alguma idéia dos niveis de tensfo e corrente existentes. Para o transistor na regio ativa,o nivel de mais importante a ser medido € aten- sio base-emissor. Para um transistor ligado, a tensiio Vy, deve ser aproxi- ‘madamente 0,7 V. ‘As conexdes apropriadas para a medigao de Vpe aparecem na Fig. 4.57. Observe que a ponta de teste vermelha (positiva) do ‘medidor esti conectada no terminal de base para um transistor npn, a ponta de teste preta (negativa) no terminal de emissor. Devemos suspeitar de qualquer leitura totalmente diversa do esperado, como 0 V, 4 V, ou 12 V. ou até mesmo valor negativo, devendo-se verificar as conexdes do dispositivo ou circuito. Para ‘um transistor pnp, podem ser utilizadas as mesmas conexdes, mas as leituras serdo negativas.128 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Cireultos Fig. 457 Verificandoo nivel de Vs Um nivel de tensdo de igual importincia ¢ a tensio coletor- cemissor. Lembre das caracteristicas gerais de um TBI, que valo- res de Voy em torno de 0,3 V sugerem um dispositive saturado — condigdo que no deveria existir, a menos que o transistor estaja sendo utilizado no modo de chaveamento. Entretanto: Para o transistor tipico na regido ativa, Veeé normalmente 25% a 75% de Veo. Para Voc = 20 V, uma leitura de 1 a 2.V ow 18 a 20 V para Veg. como medido na Fig. 4.58, certamente um resultado estra- ‘ho, e, a menos que tenha sido projetado para estes niveis, 0 pro- {eto e operaco devem ser investigados. Se Vex = 20 V (com Voc 10 V), hé, no minimo, duas possibilidades — ou 0 dispositive (TBD) est danificado e comporta-se com um circuito-aberto entre 1s terminais de coletor e emissor, ou uma conexio na malha coletor-emissor ou base-emissor esté aberta, como mostra a Fig, 4.59, estabelecendo [c= 0 MA € Vac = 0 V. Na Fig. 4.59, a pon- ta de teste preta do voltimetro é conectada ao terra comum da fonte, ea ponta vermelha ao terminal inferior do resistor. A au- séncia de uma corrente de coletor, ¢ a queda resultante através cf Normalmente alguns volts ‘ou um pouco mi Fig. 459 Efeito de uma conexioimperfeia ou dispositive defeituoso -4 de R,, resulta em uma leitura de 20 V. Se o medidor é conectado a0 terminal de coletor do TBI, a leitura sera 0 V, ja que Voc no est em contato com o dispositive devido ao circuito-aberto, Um dos erros mais comuns de ocorrerem em préticas de laboratérios €0 uso de valores errados de resisténcia para um determinado projeto. Imagine o efeito da utilizagdo de um resistor de 680. para R,, a0 invés do valor de projeto de 680 kO. Para Vee = 20 ‘Ve uma configuragio com polarizagio fixa, a corrente de base resultante seria 20V-07V hye 680.2 ‘a0 invés do valor desejado de 28,4 A — uma diferenca signifi- cativa! ‘Uma corrente de base de 28,4 mA certamente situaria.0 projeto na regio de saturagio, e talvez danificasse 0 dispositivo. Jé que, ‘em geral, 0s valores reais dos resistores sao diferentes dos valo- res nominais indicados pelo cédigo de cores (lembre dos niveis de tolerdncia para os elementos resistivos), recomenda-se medit o resistor antes de inseri-lo no circuito, Com isto, consegue-se obter niveis de tensdes ¢ corrente na pratica proximos aos valo- res te6ricos, e alguma garantia de que o valor de resisténcia cor- reto est sendo empregado, HG vezes em que nos frustramos. Voc€ verificou 0 dispositi- ‘vo em um tracador de curvas ou em outro medidor para transis- tor, ¢ tudo Ihe pareceu correto. Todos os valores das resistencias foram conferidos, as conexdes estdo sélidas, ¢ a tensdo de fonte apropriada foi aplicada—o que mais? Agora o téenico que b ca uma solugdo deve esforgar-se para atingir um nfvel mais ele- vado de sofisticacao. Poderia ser uma solda imperfeita entre a placa de circuito impresso e 0 dispositive? O quanto realmente prejudica o funcionamento de um circuito, uma conexao malfei- ta entre a placa e o dispositivo? Talvez a fonte tenha sido ligada ‘com um valor de tensio apropriado, mas o botio de ajuste do nivel de corrente foi deixado na posicao zero, privando 0 circuito de um nivel de corrente adequado. Obviamente, quanto mais sofis- ticado o sistema, maior um dos métodos mais efi circuito é checar 0s varios isso, coloca-se a ponta preta (negativa) do voltimetro no terra € “troca-se” a ponta vermelha (positiva) no terminal considerado. Na Fig. 4.60, se a ponta vermelha for conectada diretamente a Vee. deve-se obter a leitura de Voc Volts, j4 que 0 circuito tem um terra comum & fonte e aos dispositivos empregados no circuit. = 28.4 mA Fig. 4.60 Verifcando os nives de tensio em ela ao terEm Vc, a leitura deve fornecer um valor menor, j4 que hé uma queda de tensdo através de Re e Ve deve ser menor do que Vo devido a tensao coletor-emissor Vee. Algum valor nfo esperado para um destes pontos pode ser aceitavel, mas, em certas ocasi- Ges, pode representar conexao falha ou dispositivo defeituoso, Se Vc © Var apresentarem valores aceitéveis, mas Voy for de O V, € provavel que o TBJ esteja com defeito, resultando em um curto-circuito entre os terminais de coletor e emissor. Como observado anteriormente, se Vcr registra um valor de mais ou menos 0,3 V, definido por Ver = Ve ~ Vs (a diferenga entre os dois niveis medidos acima), 0 circuito pode estar saturado com um dispositivo que pode ser ou nio defeituoso. De qualquer maneira, deve ficar claro da discussfio acima que ‘0 MMD ou MOV funcionando como voltimetro é muito impor- tante no processo de verificacio de problemas. Via de regra, os niveis de corrente sio calculados a partir de niveis de tensio,nii0 necessitando da insergao no circuito de um multimetro com a fungo de miliamperimetro. Para esquemas de circuitos exten- sos, em geral sio fornecidos niveis de tensio especificos,facili- tando a identificagao e verificagao de possiveis pontos proble- maticos. Naturalmente, para os circuitos abordados neste capi- tulo, deve-se apenas conhecer os niveis tipicos dentro do siste- ‘ma, determinados pelos potenciais aplicados e operacao do cir- cuito, Concluindo, 0 processo de correco de defeitos revela-se um teste verdadeiro sobre os seus conhecimentos acerca do compor- tamento correto de um circuito, também mostra sua habilidade de isolar regides probleméticas com o auxflio de poucas medi- das e medidores apropriados. EXEMPLO 4.25 Baseado nas leituras fornecidas na Fig. 4.61, determine se o cir- esti operando adequadamente, e, se nao estiver, aponte a mv + Saka. wagsv Q2s0K0 7 0 weno aKa Fig. 61 Circuito do Exempo 425, Solugao (08 20 V no coletor revelam imediatamente que Jc = 0 mA, devi- do a um circuito aberto ou nio-operagao do transistor. O valor de Vp, = 19,85 V revela que o transistor esté desligado, uma vez que a diferenga Voc ~ Vg, = 0.15 V menor do que a exigida Polarizagio DC-TB) 129 para “ligar” o transistor e fornecer alguma tensio para V:. Na verdade, se assumirmos uma condigao de curto-circuito da base para o emissor, obtemos a seguinte corrente através de Ra, Veo __20V I . 9.4 MA fe Ry + Re 252 KD ” que estd de acordo com 0 resultado obtido de v I == =794 Ry 250K HA Se o circuito estivesse operando apropriadamente, a corrente de base seria tp = —_Veem Vee 20V-0.7V 8 Ra + (B+ Re 250 KO + (O12 KO) 19.3.V. 2.7 pA 452 KO “ resultado, portanto, é um transistor defeituoso com um curto- circuito entre a base ¢ 0 emissor. EXEMPLO 4.26 Baseado nas leituras fornecidas na Fig. 4.62, determine se o tran- sistor esti “ligado” e se 0 circuito esti operando corretamente, 20v 47k 0k 0 20 ave po a3 Ka 1ka ig. 4.62 Circuito do Exemplo 4.26, Solucao Baseado nos valores de Ry € Ry € no valor de Vee a tensao Vp = 4 V parece ser apropriada (e, na verdade, €). Os 3,3 V no emis- sor indicam que fié uma queda de 0,7 V através da jungao base- cemissor do transistor, sugerindo um transistor “ligado”. Entre tanto, 0s 20 V no coletor revelam que fc = 0 mA, endo podemos afirmar que a conexao da fonte ao circuito sejafalha, ja que uma tensdo de 20 V aparece no coletor do dispositivo. Existem duas possibilidades — pode haver uma conexao imperfeita entre Ree © terminal de coletor do transistor, ou o transistor tem uma jun- ao base-coletor aberta. Inicialmente, verifique a continuidade entre 0 coletor € 0 resistor, utilizando um ohmimetro, ese est ver certa, o transistor deve ser testado através de um dos méto- dos deseritos no Cap. 3.130 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos 4.11 TRANSISTORES PNP Até agora, a andlise limitou-se totalmente aos transistores npr, evitando-se abordar 0 outro tipo de transistor. O objetivo era fa- cilitar 0 estudo inicial das configuragdes basicas, Felizmente, a ‘andlise de transistores pnp segue o mesmo padrio estabelecido para os transistores npn, O valor de y € primeiro determinado, seguido pela aplicagao das relagies apropriadas para o transistor a fim de determinar as inedgnitas restantes. Na verdade, a nica diferenga entre as equagdes resultantes para um circuito no qual um transistor npn foi substituido por um transistor pp, é 0 sinal associado a pardmetros especificos. ‘Como observado na Fig. 4.63, a notagio em que se utiliza um, par de letras subseritas é mantida. Os novos sentides de corren- te, entretanto, foram invertidos para refletirem 0s sentidos de condugao reais. Baseado nas polaridades definidas na Fig. 4.63. tanto Vas Como Veg tetdo valores negatives. “Aplicando a lei das tenses de Kirchhoff & malha base-emis- sor do circuito da Fig. 4.63, resulta na seguinte equagao: WR + Vor — IeRe + Voc = 0 Substituindo J, = (B + Ifp € solucionando para fy, vem Voc * Var Re+ erik 4 A equagio resultante é igual a Eq, (4.17), com excegao do sinal de Vj,. Entretanto, neste caso Vig = —0.7 V, ea substituigao dos valores resulta em um mesmo sinal para cada termo da Eq. (4.49) comparado & Eq. (4.17). Observe que agora o sentido de 1, € definido oposto aquele definido para o transistor pnp, como ‘mostrado na Fig. 4.63. Para a determinacao de Voy, a lei das tenses de Kirchhoff € aplicada & malha coletor-emissor, resultando na seguinte equa sao: We + Vee ~ Substituindo J, = Je da v v RY (4.50) A equacao resultante tem o mesmo formato da Eg, (4.19), mas ‘ sinal associado a cada termo do lado direito da igualdade foi Yee : a & + + fic tl + ee + 7 Te Ye — Re + eft Fig, 4.63 Transisor PNP em uma configuragdo com emissor estabilizado alterado, Uma vez que Vee € maior do que 0s fetmos restantes, @ tensdo Vc, serd negativa, como observado em um parigrafo an- terior. EXEMPLO 4.27 Determine Ver para a configuragao de polarizagao com divisor de tensio da Fig. 4.64. Ka. Fig, 4.64 Transistor PNP em uma configuiagio de polarizagao com divisor de tensto, Solucao Testando a condigao BR; = 10Rs (1203(1,1 kO) = 10(10 KO) 132k = 100 KO (satsfeitay resulta em. Solucionando para V,, femos Rec Ri+R Observe a semethanga no formato da equacé gativa resultante para Vs. Aplicando a lei das tensdes de Kirchhoff ao longo da malha base-emissor em 10 KOY(=18 V) _ Ve -3.16V AT KO + 10K com a tenso ne- +Vn— Vue e Ve=Vp Vee ‘Substituindo valores, obtemos Vp = ~3,16 V ~ (-0,7 V) -3,16V +07 V -2.46 V Observe na equago acima que a notagdo-padrio de letras subs- critas, simples e dupla, é empregada. Para um transistor npn, a relagao V, = Vy — Vye Seria exatamente a mesma. A tinica dife- renga surge quando 0s valores so substituidos,1pRy + Vou — [eRe Veo = 0 Substituindo 1, = Jc, € agrupando 0s termos, temos Vor = —Vec + IARc + Re) Substituindo valores, vem Veg = — 18 V + (2,24 mA)2.4 kA + 1.1 KO) = -18V+7.84V =10,16 ¥ 4.12 ESTABILIZACAO DA POLARIZACAO A estabilidade de um sistema é a medida da sensibilidade de um Circuito & variago dos seus pardmetros. Em qualquer amplifica- dor empregando um transistor, a corrente de coletor Ic€ sensivel cada um dos seguintes pardmetros: B: aumenta com o aumento da temperatura [Vga diminui aproximadamente 7,5 mV por grau centigra- do (°C) de aumento na temperatura eg (corrente de saturagdo reversa) dobra de valor para caida 10°C de aumento na temperatura Tema) wT 8 20 Tego Blceo © Polarizacao DC-TB) 131 QUADRO 4.1 Variacao dos Parametros do Transistor de Silicio com a Temperatura T Vir ©) 8 o ~65 20 oss 25 50 os 100 50 0.8 115 20 03 Alguns ou todos estes fatores podem causar 0 deslocamento do Ponto de polarizago do ponto de operagao projetado. © Quadro 4.1 revela como o nivel de Jc ¢ V3p Variou com o aumento na tempera tura, para um transistor particular. A temperatura ambiente (cerca de 25%) feo = 0,1 nA, enquanto que em 106 (ponto de ebuligdo da Agua) Icy é aproximadamente 200 vezes maior, que feo = 20 0A. Para a mesma variagdo na temperatura, Baumenta de 50 pata 80, € Vgpcai de 0.65 V para 0.48 V. Lemire de que I, € bastante sensivel 20 nivel de Va sobretudo para valores abuixo do nivel de limia O efeito da variagio na corrente de fuga (Jc) € n0 ganho de corrente (B) sobre o ponto de polarizagio de € demonstrado pe Jas curvas caracteristicas de coletor de uma configuracio emis- sor-comum na Fig. 4.652. b. A Fig. 4.65 mostra como as carae- terfsticas do coletor de um transistor varia, quando se eleva a temperatura de 25°C para uma temperatura de 100°C. Observe {que 0 aumento significativo na corrente de fuga nao s6 causa elevagio nas curvas, mas também aumento de beta, revelado por tum maior espagamento entre as curvas. ‘Um ponto de opera pode ser especificado, desenhiando-se a zeta de carga de do cicuito sobre o grafico das curvas caracteristi- cas de coletor, e observando-se a interseyao desta reta com a cor- rente de base de, definida pelo circuito de entrada. Um ponto arbi- ‘nirio é mostrado na Fig, 4.65aem [, = 30 1A. Uma vez que 0 Te (ma) Iea0* Bléa0 i \ ops Toe © Fig. 4.65 Deslocamento do ponto de poarizagio de (ponte Q) devi 8 variagzo na temperatura: (a) 25°C (b) 100.132 Dispositives Eletronicos e Teoria de Circultos cuito de polarizagio fixa produz uma corrente de base cujo valor depende da fonte de tenso e do resistor de base, que nao sioafeta- ds pela temperatura, corrente de fuga ou beta, a corrente de base teri: o mesmo valor para altas temperaturas, conforme indicado no _gvafico da Fig. 4.65b. Como mostrado na figura, este fato acarreta (B + 1), a Eg, (4.54) reduz-se a Silco) = B+ 1. (4.55) como mostrado no grifico de (Ica) versus Ry/R, na Fig. 4.66. Para Ry/R, < 1, a Eq, (4.54) pode ser aproximada para o seguin- te valor (como mostrado na Fig. 4.66): Sco) = (B+ Day (456) revelando que 0 fator de estabilidade tende para o seu menor valor, quando R, torna-se suficientemente alta. Saiba, entretan- to, que, em geral, um bom controle da polarizagao exige que Ry seja maior do que R,. O resultado, portanto, é uma situagio em ‘que niveis melhores de estabilidade estdo associados a critérios de projeto mais pobres. Obviamente, devemos adotar uma solu- gio que concilie as especificagdes de estabilidade com as de polarizagio. E interessante notar na Fig. 4,66 que o menor valor Sco). Fator de esabilidade +t S=pei(onge> B+i) \seefenicfbeps) oP Ber (oun <1) Fg. 4.6 Variagio do ftor de estabilidade S(/,) com razio R/R,.paraacont- zag de polarizaso do emissoe de S(lco)€ 1, revelando que Je aumentard sempre a uma taxa igual ‘ou maior do que Leo Quando Ry/R Varia entre 1 ¢ (B+ 1),0 fator de estabilidade sera determinado por (457) como mostrado na Fig. 4.66. Os resultados mostram que a con- figuragio de polarizacio do emissor é bem estivel, quando arazo Ril 6a menor possivel, e é mais instével quando a mesma ra- zo tende para (B+ 1), EXEMPLO 4.28 Calcule o fator de estabilidade e a variagio de J para uma mu- 10R, jie (©) Calcule no ponto Q. (®) Veritique a Eg, (4.33) e observe se a suposigdo eita na letra (@ estd comets #20, (a) Determine Ice Voz para o cireuito da Fig. 4.82. (b). Faca B igual a 120 (50% de aumento) ¢ determine os novos, valores de J; Vcr para o circuito da Fig. 4.82. (©) Determine a variagdo do pereentual de -e Veg, utlizando as seguintes equagées: (@)_ Compare a solugao da letra (c) com os resultados obtidos para a as letras (¢)¢ (f) do Problema 11. Se este problema nio foi 5 4.84 Problema 14 feito, compare com as respostas fornecidas no Apéndice E.4 (©) Baseado nos resultados da letra (d), qual configuragdo é me- nos sensivel a variagdes em 6? 21.1 Repita todo o Problema 20 para ocircuito da Fig. 4.85. Faga B igual a 180 na letra (b). TL Agque conclusio pode-se chegar sobre os circuitos em que a ‘condigo AR, > 10K, € satisfeita, ¢ em relagio as quantida- des Jee Vera Ser determinadas em resposta a uma variagao em B? § 4.6 Polarizacao DC com Realimentacao de Tensao 22, Para a configuragdo com realimentagdo de coletor da Fig. 4.86, determine! : ©) Ie wf © Ve Fig. 4.86 Problomas 22, 50, $5, 60, 64, ,Parn.ocircuito com divisor de tensio da Fg, 4.87, determine: @ Ie ) Vo © Ve @ Vex louF ro Fig. 487 Problema 25, #24, (a)_ Determine o valor de fe € Vey para 0 cireuito da Fig. 4.88, 27. (b). Faga f igual a 135 (50% de aumento) e calcule os novos af ves dee Ver Polarizagao DC-TB} 145, +2 Fig. 4.88 Problema 24 (©) Determine a variagio percentual em Je € Vey, utilizando as seguintes equagoes: Ale (€) Compare os resultados da letra (c) com os obtidos nos Pro- blemas 11 (©), LI (A), € 20 (c). Comparando com as outras configuragaes,avali a sensbilidade do circuito com realimen- tagiio de coletor& variagio em B. Determine @ faixa possivel de valores para V para o cireuito da Fig. 4.89; uilizando o potenciémeiro de | MQ. wav Fig. 489 Problema 25, "26, Dado V5 = 4 V para o circuito da Fig. 4.90, determine: @ () © Ve @ Ver () Ie Ve Te § 4.7 Configuracdes Mistas de Polarizacao Dado V, = 8 V para ocircuito da Fig, 4.90, determine: (@) Ie (b) Fe146 Dispositiv 18V Fig, 491 Problema 27, © 6 @) Veg 928, Para 0 citeuito da Fig. 4.92, determine: (a) Ie ) Ic ©) Ven @ Ve 1ska. -12V Fig, 492 Problema 28 929, Para o cigcuito da Fig. 4.93, determine: (4, ) Ie ©) Ve (@) Vou Eletronicas ¢ Teoria de Cireuitos 510 ka 510 ka Fig. 493 Problema 29, 30, Determine o nivel de V, ¢ J para o circuito da Fig. 4.94. Fig. 494 Problema 30. 31. Para o circuto da Fig. 4.95, determine: ©) Ip © Vv, (©) Vex 22 ka 1pko wv Fig. 4.95 Problema 31 § 4.8 Procedimentos de Projeto 32. Determine Re, para uma configuracio com polarizago fixa se Vec = 12 V, B= 80, € Te, = 2,5 mA com Vey, = 6 V. Utilize valores comercais 38, Projete um circuito de polarizagao estével do emissor em Io, = He, @ Vea: = $V co. Use Veo = 20V, Ie, = 10 mA, B= 120, eRe = AR, Utilize valores comerciais,34, Projete um circuito de polarizago com divisor de tensfo utilizan- do uma fonte de 24 V, um transistor com um beta de 110, e um onto de operagao de Ic, =4mMAe Yo,. = 8 V. Escolha V; = +4 Vcc. Ulilize valores comerciais. #35. Usilizando as curvas caracteristcas da Fig. 4.78, projete uma con- figuragao com divisor de tensdo para que se tenba um nivel de sa~ turagio de 10 mA, e um ponto Q na metade da disténcia entre © corte ea saturacio, A fonte disponivel & de 28 Ve V, deve ser um ‘quinto de Vex. A condigo estabelecida pela Eq. (4.33) também deve seratendida para que resulte em um alt fator de estabilidade. Util ze valores comeriais. § 4.9 Circuitos de Chaveamento com Transistor 9°36, Utilizando as curvas caracteristicas da Fig. 4.78, determine a for- ‘ma de onda na saida para o circuito da Fig. 4.96. Inclua os efeitos, de Vn, € determine Iy fy, € Ie, quando V, = 10 V. Determine a resisténcia equivalente entre 0 coletor e emissor na saturagZo e ‘ho corte 10Vv 24 ko Vo 180 ka. Fig. 496 Problema 36 +37, Projete o circuito inversor da Fig. 4.97 para operar com uma cor- rente de saturagio de 8 mA, utilizando um transistor com um beta igual a 100. Considere o nivel de I, igual a 120%% do calor de Ty. c ulilizeresistores com valores comerciais, vi Re ov Fig, 497 Problema 37 38. (a) Usilizando as curvas caracteristicas da Fig. 3.23c, determine fy fy para uma correate de 2mA, Observe o uso de escalas log (aso tena necessidade, consulte a Seg30 11.2). (b) Repitaa let (a) para uma corrente de 10 mA. De quanto foi a variagio det. € fy) Com © aumento na corrente de coletor? (©) Para as letras (a) ¢(b)e baseado na Fig. 4.56, esboce o pulso resullante e compare os resultados. § 4.10 Técnicas de Solucao de Problemas em Circuitos "39, As leturas mostradas na Fig. 4.98 revelam que 0 circuito nao est funcionando corretamente. Cite todas as razdes que souber que justifiquem as medidas obtidas PolarizagaoDC-TB) 147 20 20V 47k 47k. 470K 470K0 20 ov }—2 0305 V 1k 1K @ » 20v 47k a70Ka + 2v 12ko. © Fig. 4.98 Problema 39, 40, As leituras mostradas na Fig. 4.99 revelam que o citeuito no ests ‘operando corretamente, Seja especilico ao descrever por que os niveis obtidos refletem tm problema com o comportamento espe- rado do circuito. Em outras palavras, os niveis obtidosrefletem um problema bem especifico a cada caso. AL, Para o circuito da Fig. 4.100: (a) Ve aumenta ow diminui quando se aumenta Ry? (b)_{Caumenta ou diminui quando se reduz 6? (e) Oque acontece com a orrente de saturagZo quando se aumen- tap? (a) Accorrente de coletor aumenta ou diminui quando reduz Ve? (e) Oque acontece com Ve, se 0 transistor for substituido por outro de menos 6? Responda as seguintes questdes sobre o circuito da Fig. 4.101 (a) que acontece coma tensio V.-se 0 transistor for substituido por outro que apresenta um f de maior valor? (b) O que acontece com a tensi V,, se a perna do resistor ligado terra abrir (no esti mais conectado a terra)? (©) O gue acontece com J, sea fonte de tensio reduzir seu valor? (@) Que tensiio Ver surgiria sea juno base-emissor do transis tor se comportasse como um circuito-aberto? (©) Que tensdo V;, surgiria sea jungso base-emissor do transis- tor se comportasse como um curto-cireuito? Respond as seguintes questBes sobre 0 circuito da Fig. 4.102. (a) O que acontece com a tensdo Ve se 0 resistor Ry abrir? (b) O que deveria acontecer com Ve, se aumentasse devido & temperatur (©) Como V; sed afetado, se resistor de coletor for substtuido por outro cuja resistencia é a menor possivel dentro da faixa de tolerincia? 2 “3.148. Dispositivos Fletrbnicos ¢ Teoria de Circuitos, Fig. 4.99 Problema 40, @ o Fig. 4.100 Problema st ig. 4.101 Probiems 42, Fig. 4.102 Problema 43 (@)_Seaconexio do coletor do transmissor abrir, o que acontece- com V,? (@) Se Ver for proximo de 18 V, 0 que deverd ter acontecido? § 4.11 Transistores PNP 44, ‘Determine Vo, Veg Ue para 0 circuito da Fig. 4.103, 48, Determine Ve fy para o circuito da Fig. 4.104. 46. Determine Ie Vz para o circuito da Fig. 4.108. -RVv Fig. 4.104 Problema 45, § 4.12 Estabilizagao da Polarizacao 47, Determine 0 seguinte para o circuito da Fig. 4.75: (@) SU). Fig. 4.103 Problema 44 (b) SV)“48, 49, #50, % Fig, 4105 Problen 46. (©) S(B),considerando 7, como a temperatura na qual os valores, ‘dos parimetros sio especificados e ((T,) 25% maior do que BT). Determine a variagio em J, para uma alteragao nas condigdes {de operagio, onde hd um aumento de Icy de 0.2 A para 10 HA, uma queda em Vy, de 0,7 V para 0,5 V, e uma elevagio de 25% em B. Para ocircuito da Fig. 4.79, determine: (a) Seo). ©) Spo (¢) Sip). considerando 7, como a temperatura na qual os valores ‘dos parimetros e f(T;) 25% maior do que AZ). Determine a variagdo em J, para uma alteragao nas condigdes ide operagio, onde hé um aumento de Teg de 0.2 A para 10 HA, uma queda em Vje de 0,7 V para 0,5 V, e uma elevagio dde 25% em B. Para o circuito da Fig. 4.82, determine: Ora () Sq) (©) Sip). considerando 7, como a temperatura na qual os valores ‘dos parimetros sao especificados ¢ A(T.) 25% maior do que BD) Determine a variagdo em J. para uma alteragdo nas condigdes de polarizagéo, onde hé wm aumento em fe, 0.2 A para 10 HA, uma queda em Vj, de 0,7 V para 0.5 V, e uma elevagao de 25% em B Para o circuito da Fig, 4.91, determine: (@) Silo) @ @ @ "51. Polatizagao DC-TB} 149 (b) Sie) (€) S(p),considerando 7, como a temperatura na qual os valores, ‘dos parimetros so especificados e ((T;) 25% maior do que BT). Determine a variagdo em J, para uma alterago nas condigdes {de polarizagio, onde hé un aumento em Izy de 0,2 4A para 10 aA, uma queda em Vy-de 0.7 V para 0,5 V,e uma eleva 0 de 25% em B. ara os Problemas 47 até 50, compare os fatores de estabilidade relativos encontrados. As respostas dos Exercfcios 47 e49 podem. ser obtidas no Apéndice E. Pode-se tirar alguma conclusio dos resultados? @ +52. (a) Compare os niveis de estabilidade para a configuragio com 53. 54. 55. 56. 58. 59, ol. polarizagio fixa do Problema 47, ‘Compare os niveis de estabilidade para a configuracéo com divisor de tensdo do Problema 49. (Que fatores das letras (a) ¢ (b) parecem ter maior influéncia naestabilidade do sistema, ou néo hd um padrlo geral para os resultados? © © § 4.13 Analise por Computador FFaca uma andlise com PSpice (verso DOS) do cireuto da Fig. 4.75. Ou seja, determine fo Ves le Repita o Problema $3 para o circuito da Fig. 4.79. Repita o Problema 53 para o circuito da Fig. 4.82 Repita o Problema 53 para circuito da Fig. 4.86. Repita a andlise com PSpice (versio Windows) do circuito da Fig. 4.75; Repita o Problema 57 para 0 circuito da Fig. 4.79. Repita o Problema 57 para ocircuito da Fig. 4.82. Repita 0 Problema 57 para ocircuito da Fig. 4.86. Faca uma andlise do circuito da Fig. 4.75 utilizando BASIC. Ou seja, determine, Vee € ly Repita o Problema 61 para o circuito da Fig. 4.79. Repita o Problema 61 para ocircuito da Fig. 4.82. Repita o Problema 61 para 0 circuito da Fig. 4.86. obser: Os steric incr problemas mss dis