ELEKTRINA VODLJIVOST POLUVODIA

UVOD

Znamo da se kristali razliito ponaaju u vanjskom elektrinom polju. Dok su metali dobri
vodii elektrine struje, u izolatorima se svojstvo elektrine vodljivosti gotovo uope ne
primjeuje. Osim toga, promjene temperature razliito utjeu na elektrina svojstva metala,
poluvodia i izolatora. Dok se s porastom temperature u metalima elektrina vodljivost u veini
sluajeva smanjuje u poluvodiima i izolatorima ona se poveava. Moemo rei da su poluvodii
materijali koji po svojim elektrinim svojstvima lee izmeu vodia i izolatora, ali to osnovno
svojstvo, po kojem su dobili ime, ne odreuje u cijelosti tu grupu materijala. Tako npr. unutar
granica vodljivost poluvodia postoje i ionski vodii, razni elektroliti itd. S druge strane neki
intermetalni spojevi koji bi po podrijeklu i po iznosu elektrine vodljivosti na sobnoj temperaturi
pripadali u vodie, po karakteristikama pripadaju u poluvodie; takoer i neki elementi (Silicij,
Telur) koji po dijelu svojih svojstava pripadaju grupi metala, a to su vodii, po karakteru
vodljivosti pripadaju poluvodiima.

Klasina teorija nije uspjela objasniti razliku izmeu metala, poluvodia i izolatora
brojem elektrona s energijom veom od potencijalne barijere koja razdvaja podruja susjednih
atoma jer elektroni mogu tunelirati izmeu susjednih atoma pa su u kvantnoj teoriji elektrina
svojstva kristala objanjena postojanjem energetskih vrpca. Razlike su izmeu elektrinog
vodia, poluvodia i nevodia (izolatora) u tome to je u poluvodiu ogranien broj moguih
stanja gibanja elektrona, kao to je to sluaj za elektrone u atomu. Elektroni atoma mogu imati
slijed potpuno odreenih vrijednosti energija prema kvantnim zakonima, i ne mogu poprimiti
druge vrijednosti energija. Ujedinimo li atome u kristal, po Paulijevom principu dva elektrona u
jednom kristalu ne mogu imati isto stanje. Tako osnovno stanje energije E0 izoliranog atoma
degenerira u dvoatomskoj molekuli u dva podnivoa energije, a u kristalu u pojas energije s
brojem podnivoa koji je jednak broju atoma u kristalu. Isto vai za pobuene nivoe energija E1 i
E2 u izoliranom atomu koji u kristalu prelazi u pobueni ili vodljivi pojas energije.

Na temperaturi apsolutne nule elektroni u kristalu zauzimaju redom najnia energetska

kvantna stanja potujui Paulijev princip. Odreen broj najniih energetskih vrpca potpuno je
popunjen, dok najvia zauzeta vrpca moe biti djelomino popunjena. U kristalima s djelomino
pupunjenom valetnom vrpcom male koliine energije koju dobije elektron djelovanjem
elektrinog polja uzrokuju protjecanje elektrine struje pa kaemo da su kristali s djelomono
popunjenom valetnom vrpcom dobri vodii struje.

Potpuno drugaije ponaanje imamo kod kristala s potpuno popunjenom valetnom

vrpcom, u tom sluaju vanjsko elektrino polje ne izaziva promjene u gibanju elektrona jer vrpca
nema slobodnih stanja. Pri tome vanu ulogu ima irina energetskog procjepa izmeu valetne i
vodljive vrpce. Za izolatore ona je veliine reda od 5 eV do 10 eV.

Zagrijavanjem kristala termika energija koju primaju elektroni na vrhu valetne vrpce
moe postati dovoljna da njih prebaci u vodljivu vrpcu. Prelazi elektrona dogaati e se ako
irina energijskog procijepa nije prevelika. Koncentracija efektivnih elektrona koji pod
djelovanjem elektrinog polja sudjeluju u prijenosu elektrinog naboja znatno je manja nego u
metalima, pa se ti kristali nazivaju poluvodiima. Tipini poluvodii su germanij i silicij, sa
irinom energetskog procijepa 0,8 eV odnosno 1,2 eV. isti uzorci germanija i silicija na
apsolutnoj nuli ponaaju se kao izolatori dok na viim temperaturama pokazuju sposobnost
elektrine vodljivosti.

Dodavanjem istom poluvodiu primjesa stvaraju se nepravilnosti u periodinosti

potencijalne energije pa i na niskim temperaturama poluvodii mogu prenositi elektrini naboj.
Na taj nain stvaraju se lokalizirani energetski nivoi u podruju zabranjenog energijskog procjepa
izmeu valetne i vodljive vrpce. Dok elektroni valentne vrpce ne mogu dosegnuti vodljivu vrpcu
jer im je energija na sobnoj temperaturi preniska, to mogu postii elektroni lokaliziranog nivoa
koji se nalazi pri vrhu zabranjenog energetskog procjepa. Ovi lokalizirani nivoi nazivaju se
donorski nivoi, jer daju suvini elektron u vodljivu vrpcu koja je normalno prazna. Takvi
poluvodii mogu voditi struju pod utjecajem elektrinog polja zahvaljujui vodljivost donorskih
elektrona pa kaeno da imamo vodljivost n-tipa. Ako se pak lokalizirani nivoi nalaze pri dnu
zabranjenog procjepa, nazivaju se akceptorski nivoi, jer primaju jedan elektron iz valentne vrpce,
ukojoj ostaje upljina odnosno manjak elektrona. Budui da tako valentna vrpca postaje
nepopunjena, takav poluvodi moe voditi struju u vanjskom elektrinom polju. Moe se rei da
struja potjee od tih upljina sa po jednim pozitivnim nabojem i da poluvodi ima vodljivost
pomou upljina ili vodljivost p-tipa. Dakle kod poluvodia postoje dvije vrste nosilaca naboja:
negativni elektroni i pozitivne upljine koje se u elektrinom polju gibaju u protivnim
smjerovima. Kod n-tipa poluvodia vea je vodljivosr elektrona , akod p-tipa vea je vodljivost
upljina.

Kristale dijelimo dakle na metale, poluvodie i izolatore ovisno o elektrinim osobinama.

Na sobnim temperaturama tipine vrijednosti koeficijenta elektrine vodljivosti u metalima su
107 (m)-1, u poluvodiima 10-5 (m)-1 do 102 (m)-1, a u izolatorima su manje od 10-5 (m)-1.

Elektrina vodljivost poluvodia poveava se s povienjem temperature i priblino je

eksponencijlna funkcija temperature:

EA

e k bT
.

Veliina EA odreuje energiju koju treba dovesti nosiocu naboja da bismo ga doveli u
pobueno stanje i naziva se energija aktivacije, kB je Boltzmannova konstanta, a T oznaava
temperaturu. Nasuprot metalima u kojima se povienjem temperature vodljivost smanjuje u
poluvodiima se elektrina vodljivost poveava.

Moemo rei da je osnovna karakteristika poluvodia visok stupanj osjetljivosti na

vanjske uvjete. Promjene temperature, tlaka, stavljanje uzorka poluvodia u vanjsko elektrino
polje, dodavanje primjesa itd. moe bitno promijeniti vodljivost poluvodia.
Posebne skupine poluvodia ine materijali kojima otpor ima izrazitu temperaturnu
zavisnost. Prvu skupinu ine razliiti oksidi i sulfidi: uran-oksid, bakar-oksid, srebro sulfid i dr., a
drugu skupinu ine karbidi s dodatcima gline i grafita (silicijev karbid). Izrauju se u obliku
tapova, ploica, cijevi razliiti veleiina i vodljivosti, te su naroito vani u pojedinim
podrujima elektrotehnike.

Bakar(I)-oksid, selen, kadmij-sulfid, bizmut-sulfid i jo neki materijali imaju osobito

izraenu zavisnost vodljivosti od djelovanja svjetlosne energije, pa se primjenjuju za izvedbu
fotolanaka i fotootpornika. Ove naprave imaju iroku primjenu u regulacijskoj tehnici i brojnim
signalno-sigurnosnim ureajima.

Razvoj ispitivanja i primjene poluvodia obino se dijeli na etiri razdoblja. U prvom do

1931, upotrebljavani su samo neki poluvodii kao suhi ispravljai. Drugo razdoblje (1931.-1939.)
karakterizirano je razvojem teorije vrstog stanjai primjene kvantne mehanike za objanjenje
svojstava poluvodia to je omoguiloutvrivanje preciznih granica izmeu vodia, poluvodia i
izolatora. tree razdoblje vezano je uz napore u II. svjetskom ratu da se konstruira radar.
Vakumske diode nisu prikladne za konstrukciju detektora centimetarskih radiovalova, pa se
intezivno istraivalo na novim suhim ispravljaima, tj. poluvodikim diodama. etvrto razdoblje
koje poinje od 1948. pa do danas, kada je ispitivanje kristala germanija s pomou dva metalna
iljka dovelo do otkria tranzistora. To otkrie konano je nedvojbeno pokazalo velike
mogunosti primjene poluvodia u znanosti i tehnici i uvjetovalo brzi razvoj njihova ispitivanja i
primjene. Moderna velika elektronika raunala ne bi na klasian nain bila ostvariva, ne samo
zbog glomaznosti nego i zbog sporosti. Konstruiran je niz elemenata kao zamjena za cijevi (razni
tranzistori) ili itavi sklopovi (integrirani krugovi) kao i niz elemenata koji u klasinoj
elektronikoj industriji nisu ni postojali (npr. fotodiode).

Kod nekih vrlo osjetljivih i preciznih mjernih instrumenata primjenjuju se poluvodiki

elementi sa izrazitim Hallovim efektom (E. H. Hall), posebno se to odnosi na razne tipove
magnetometra.
 Teorijski dio

Elektrina vodljivost jedna je od najznaajnijih osobina metala i poluvodia i posve je

razumljivo da su prva teorijska istraivanja nastojala objasniti tu pojavu. Drude je 1900. godine
primjenom modela idelnog elektronskog plina izveo Ohmov zakon koji povezuje gustou struje,
j, s elektrinim poljem E

j = E (1)

gdje je faktor proporcionalnosti , elektrina vodljivost, odreen izrazom

Zne 2
= ne (2)
m

gdje je pokretljivost elektrona, Zn koncentracija elektrona, relaksacijsko vrijeme, e naboj, m

masa elektrona. U poluvodiima fizikalni uvjeti odreuju ne samo pokretljivost nego i
koncentraciju elektrona, pri enu se koncentracija nosilaca naboja najee mijenja mnogo bre
nego i koncentracija. treba istaknuti da razlikujemo ionske i elektronske poluvodie. U ionskim
poluvodiima nosioci naboja su ioni, a u elektronskim poluvodiima naboj prenose elektroni i
upljine. U ovome radu ograniiti emo se na elektronske poluvodie.

Elektrinu vodljivost elektronskog poluvodia u openitom sluaju izraavamo relacijom:

= nee + peh (3)

gdje su n i p koncentracije elektrona i upljina, e i h njihove pokretljivosti, a e naboj elektrona.

U pojedinim sluajevima relacija (3) dobiva jednostavniji oblik. Tako za intrinsini poluvodi,
koji se definira jednakou koncentracija n = p = ni, ona prelazi u:
= ni(ee + eh) (4),

a za poluvodi n-tipa (n>>p) ili za poluvodi p-tipa (n<<p) u:

= nee ; = peh (5).

Moemo pogledati o emu sve ovise gore spomenute veliine. Kao ishodite uzet emo
zonski model poluvodia prikayan na slici 1. Na apsolutnoj nuli vodljiva vrpca je odvojena od
valetne vrpce procjepom irine Eg. Unutar toga procjepa nalazi se Fermijev nivo EF za koji
Fermijeva funkcija, (6), poprima vrijednost .
 Slika 1. Zonski model poluvodia

1
f e (E) ( E EF ) / k B T
(6)
e 1

Od dna Ec vodljive vrpce elektronima stoji na raspolaganju niz kvantnih stanja ija
gustoa raste kao korjenska funkcija energije:

N(E)= 2(2me*/h)2)3/2(E-Ec)1/2 (7)

gdje je me* efektivna masa elektrona. Slino je u valentnoj vrpci, poevi od vrha Ev te vrpce
gustoa stanja raste takoer kao korjenska funkcija:

N(E)= 2(2mh*/h)2)3/2(Ev-E)1/2 (8)

gdje je mh* efektivna masa upljina. Relacije (7) i (8) dovoljne su za izraunavanje koncentracija.
Koncentraciju elektrona u vodljivoj vrpci dat e integral produkta N(E)fe(E)dE od dna do vrha
vrpce. Kako je vjerojatnost zaposjednua viih nivoa vrpce mala, gornja granica integracije se
moe protegnuti do beskonanosti. To daje:

n=2
Ec
N(E)fe(E)dE (9)

Faktor 2 dolazi zbog spina. Raun provodimo za dva sluaja. U prvom sluaju (E F-Ec)/kBT<-1,
to znai da se Fermijev nivo nalazi barem za kBT ispod dna vodljive vrpce. Tada relacija
(9) daje:

Ec E F

k BT
n = Nc e (10)
 Poluvodi se u tom sluaju pokorava Boltzmannovoj statistici pa ga nazivamo
nedegeneriranim poluvodiem.

U drugom sluaju vrijedi (EF-Ec)/kBT>5. Da bi vrijedila aproksimacija, Fermijev nivo

mora biti iznad dna vodljive vrpce za barem 5 kBT. Opa relacija tada daje:
3/ 2
8 2me
n= 2 (EF-Ec)3/2 (11)
3 h

Moe se primjetiti da koncentracija elektrona u tom sluaju ne ovisi o temperaturi.

Poluvodi nazivamo degeneriranim.

Potpuno anologni postupak primjenjuje se i kod izraunavanja koncentracija upljina.

Slino relaciji (9) integrira se produkt gustoe stanja (8) i fermijeve funkcije:

fh = 1- fe (12)

od dna do vrha valentne vrpce. I ovdje donju granicu moemo protegnuti u beskonanost. U
prvom sluaju (Ev-EF)/kBT<-1, to znai da se Fermijev nivo nalazi barem za kBT iznad vrha
valentne vrpce. Tada je koncentracija upljina dana:

E F Ev

k BT
p = Nv e (13)

Poluvodi se u tom sluaju pokorava Boltzmannovoj statistici pa ga nazivamo

nedegeneriranim poluvodiem.

U drugom sluaju vrijedi (Ev-EF)/kBT>5. Da bi vrijedila aproksimacija, Fermijev nivo je

duboko u valentnoj vrpci. Opa relacija tada daje:

3/ 2
8 2mh
p= 2 (Ev-EF)3/2 (14)
3 h

Moe se primjetiti da koncentracija upljina u tom sluaju ne ovisi o temperaturi.

Poluvodi nazivamo degeneriranim.

Produkt koncentracije elektrona i koncentracije upljina u nedegeneriranom poluvodiu ne

ovisi od poloaja Fermijevog nivoa:

E c Ev Eg

k BT k BT
np = Nc Nv e = Nc Nv e (15)

U sluaju intrisinog poluvodia imamo da je koncentracija elektrona jednaka

koncentraciji upljina n = p, dakle svakom elektronu u vodljivoj vrpci odgovara jedna upljina u
valentnoj vrpci. Intrinsini poluvodi karakterizira jo i tzv. intrinsina koncentracija nosilaca
naboja ni = n = p, najlake je dobijemo pomou relacije (15):
 E c Ev Eg

1/2 1/2 2 k BT 1/2 2 k BT
ni = (np) = (Nc Nv) e = (Nc Nv) e (16).

Vidi se da koncentracija nosilaca naboja raste priblino eksponencijalno s temperaturom.

Pogledajmo sluaj dopiranog poluvodia. U najjednostavnijem sluaju poluvodi n-tipa

sadri donore s relativno malom koncentracijom Nd, to znai da se u energetskom procjepu
javlja diskretni donoski nivo udaljen za Ed od dna vodljive vrpce slika 2. U podruju niskih
temperatura utjecaj pobuenja elektrona iz valentne

Slika 2. Vrpasti model dopiranog vodia: n-tip (a), p-tip (b)

vrpce moe se zanemariti. U vodljivu zonu preskau samo elektroni s donorskog

nivoa. U tom sluaju Fermijev nivo se nalazi priblino na polovici razmaka izmeu Ec i Ed.
Obino je taj razmak vei od nekoliko kBT, pa se moe koristiti Boltzmannova statistika:
koncentracija elektrona u vodljivoj vrpci dana je relacijom:

3/ 2 Ec E F
2me k B T
n = 2 e k BT
(17)
h2

Oito je da tu koncentraciju moemo izjednaiti u naem sluaju s koncentracijom Nd+

ionizirajuih donorskih atoma:

E F Ed

Nd = Nd(1-f(Ed)) Nd e
+ k BT
(18)

Posljednje dvije relacije jednoznano odreuju poloaj Fermijevog nivoa:

E d Ec k B T N d h3

EF = ln (19)
2 2 2 2m * k T
e B 3/ 2

 Fermijev nivo se na apslolutnoj nuli nalazi tono na polovici udaljenosti izmeu
donorskog nivoa i dna vodljive vrpce. S povienjem temperature on se udaljuje od vodljive vrpce
prelazi Ed i tei prema sredini energetskog procjepa. Osim toga, vidi se da poloaj Fermijevog
nivoa ovisi o koncentraciji donorskih atoma.

Sline relacije moemo izvesti i za poluvodi p-tipa. U tom sluaju pretpostavljamo da je

poluvodi dopiran akceptorskim atomima s koncentracijom Na, to e izazvati pojavu
akceptorskog nivoa Ea unutar energijskog procjepa slika 2.

Pokretljivost elektrona i njena ovisnost o temperaturi direktno je odreena relaksacijskim

vremenom , a preko njega mehanizmom rasprenja elektrona. Razlikujemo: rasprenje na
reetkinim vibracijama, (fononsko rasprenje), te rasprenje na defektima reetke, neutralnim i
ioniziranim neistoama. Za fononsko rasprenje karakteristino je da je ono izotropno, da
srednji slobodni put elektrona ne ovisi o njegovoj brzini pokretljivost elektrona dana je relacijom:

e = A T-3/2 (20)

gdje je A konstanta ovisna o materijalu. Slino pokretljivost upljina dana je relacijom:

h = B T-3/2 (21)

gdje je B konstanta ovisna o materijalu. Obje relacije pokazuju da je pokretljivost nosilaca naboja
u sluaju fononskog rasprenja slabo promjenljiva s temperaturom i padajua. Ostale vrste
rasprenja ispoljavaju se u normalnim okolnostima tek na vrlo niskim temperaturama kad prestaje
dominacija fononskog rasprenja. Kao najznaajniji centri rasprenja javljaju se u tom sluaju
ionizirani primjesni atomi, osobito ako je njihova koncentracija u uzorku poluvodia visoka.
Razmatranje relaksacijskog vremena dovelo je Conwella i Weisskopfa do ovih rezultata:

e = C T-3/2 ; h = D T-3/2 (22)

gdje su C i D konstante ovisne o materijalu. Relacije pokazuju da je pokretljivost nosilaca naboja

u sluaju ovoga rasprenja takoer slabo promjenljiva s temperaturom, ali rastua.
Za otpor R nekog materijala otpornosti , konstantnog presjeka A i duljine l vrijedi
jednadba:
l
R (23)
A
Otpornost materijala dana je sa:
1
(24)
ni qi i
i

Gdje je ni gustoa nosilaca naboja, qi koliina naboja jednog nosioca i i pokretljivost naboja i-
te vrste. Termistor je poluvodi, stoga se u njemu naboj prenosi samo elektronima, koncentracije
n , i upljinama, koncentracije p . Uz to, termistor je intrinzini poluvodi, pa vrijedi n p .
Stoga jednadba (24) prelazi u:
 1
(25)
ne( e h )
Iz teorije vrpci i Fermi-Diracove statistike za koncentraciju elektrona u vodljivoj vrpci vrijedi
jednadba:
3
2k 2
n 2 2 me* mh* 4 T 2 e 2 kT
3 3 E
G
(26)
h
gdje je k 1.38 1023 JK 1 Boltzmanova konstanta, T temperatura sistema, h 6.626 1034 Js
Planckova konstanta, me* efektivna masa elektrona, mh* efektivna masa upljina, a EG je
energetski razmak izmeu dna vodljive i vrha valentne vrpce. Iz teoretskih razmatranja Maxwell-
Boltzmanove raspodjele brzina elektrona u vodljivoj vrpci za pokretljivost elektrona dolazi se do
jednadbe:
2h 4 c
e 5 3
(27)
3E Dil 2 2 me T
7
2 *2 2

gdje je c 9 108 ms 1 , a E Del je pomak dna vodljive vrpce pri jedininoj dilataciji. Ista jednadba
vrijedi za pokretljivost upljina uz zamjenu me* mh* .
estim mjerenjima dolo se do zakljuka da teorija jako dobro opisuje ponaanje gustoe
nosilaca naboja n i p , dok ovisnost pokretljivosti elektrona e i upljina h o temperaturi prati
jednadbe:
e CT a h BT a (28)
3
gdje su C i B koeficijenti neovisni o temperaturi, a a je konstanta za koju vrijedi a .
2
Uvrtavanjem jednadbi (28), (26) i (25) u jednadbu (23) dobiva se:
3

l 2k
m m
3 3 EG
a
* 4
2
R
*
e h (C B)T 2
e 2 kT
(29)
2eA h 2
3
3 a
Zbog a lan T 2 se moe zanemariti. Stoga, promatrajui samo temperaturnu ovisnost
2
otpora, dobiva se jednadba:
EG
R R0 e 2 kT
(30)
gdje je R0 koeficijent neovisan o temperaturi.